TW202122187A - 接著劑及天線裝置 - Google Patents

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長谷川淳
松下清人
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日商積水化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙的接著劑。 本發明之接著劑係用於對表面具有第1金屬部之第1基板、及表面具有第2金屬部之第2基板將金屬部間接著者，且藉由下述評價試驗1算出之基板間之剝離次數之變化率為20%以下。 評價試驗1： 於第1基板中之第1金屬部上配置接著劑，於接著劑之與第1基板側相反之表面上，以金屬部對向之方式配置表面具有第2金屬部之第2基板。其後，藉由回焊處理將上述第1基板與上述第2基板接著而獲得積層體。對所獲得之積層體進行4次回焊處理。根據加熱前後之剝離次數，算出剝離次數之變化率。

Description

接著劑及天線裝置
本發明係關於一種用於將2個基板接著之接著劑。又，本發明係關於一種使用上述接著劑之天線裝置。
為了將2個被接著體接著，使用各種接著劑。又，為了使由該接著劑形成之接著層之厚度均勻，控制2個被接著體之間隔(間隙)，有於接著劑中調配間隙材料等間隔劑之情況。
近年來，隨著智慧型手機、平板終端等之快速普及，流量之遽增成為問題。因此，作為基於3GPP(Third Generation Partnership Project，第三代合作夥伴計劃)之LTE(Long Term Evolution，長期演進)、LTE-A(LTE-Advanced，LTE演進版)之類之通信系統之後繼系統、或新無線通信系統，正在研究第5代行動通信系統(5G)。
例如於第5代行動通信系統(5G)中，為了使用更寬之頻帶實現高速傳輸，研究使用比LTE、LTE-A更高之載波頻率進行通信。然而，於以較高之載波頻率進行通信之情形時，先前之天線裝置可能無法充分地發揮性能。先前之天線裝置例如揭示於下述專利文獻1中。
於下述專利文獻1中揭示有一種具備天線及多層高頻基板之天線裝置。上述天線於背面具有供電用導體。上述多層高頻基板係於表面積層具備焊墊之複數條帶狀線而構成。上述焊墊經由通孔與帶狀導體電性連接。於上述多層高頻基板中，積層之上述帶狀線之焊墊之間藉由各向異性導電性接著劑接合。於上述天線裝置中，上述天線之供電用導體與上述多層高頻基板之表面之焊墊藉由各向異性導電性接著劑接合。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-185550號公報
[發明所欲解決之問題]
對於面向第5代行動通信系統(5G)之基站及終端之天線，要求提高通信速度及提高通信品質等。為了提高通信速度及提高通信品質等，研究於天線內設置氣腔(空間)。藉由於天線內設置氣腔(空間)，可提高帶寬，或降低電磁波雜訊。結果可提高天線之通信速度及通信品質等。
先前之天線裝置不要求高水準之通信速度及通信品質，有於天線內未設置氣腔(空間)之情況。上述氣腔(空間)例如藉由將高頻基板與構成天線之基板之間隔(間隙)保持為均勻且一定而形成。為了提高天線之通信速度及通信品質等，要求高精度地控制上述氣腔(空間)之間隔(間隙)。
又，於使用接著劑，以天線內形成氣腔(空間)之方式將2個基板接著而獲得天線裝置時，有對該天線裝置進行反覆加熱之情況。因對天線裝置進行反覆加熱，而有2個基板間之接著強度降低之情況。於2個基板間之接著強度較低之情形時，有因掉落等所致之來自外部之振動或衝擊，基板間發生剝離等之情況。若基板間發生剝離等，則有無法高精度地控制上述氣腔(空間)之間隔(間隙)，難以提高天線之通信速度及通信品質等的情況。
本發明之目的在於提供一種即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙的接著劑。又，本發明之目的在於提供一種使用上述接著劑之天線裝置。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之廣泛之態樣，提供一種接著劑，其係用於對表面具有第1金屬部之第1基板、及表面具有第2金屬部之第2基板將上述第1金屬部與上述第2金屬部接著者，且藉由下述評價試驗1算出之基板間之間隙之剝離次數之變化率為20%以下。
評價試驗1： 準備表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及接著劑。於上述第1基板中之上述第1金屬部上配置上述接著劑，於上述接著劑之與上述第1基板側相反之表面上，以上述第1金屬部與上述第2金屬部對向之方式配置上述第2基板。其後，藉由於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下進行回焊處理而將上述第1基板與上述第2基板接著，從而獲得積層體。使用所獲得之積層體，於依據JEDEC JESD22-B111之條件下測定基板間剝離為止之次數，設為加熱前之剝離次數。其後，於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下，對所獲得之積層體進行4次回焊處理，使用回焊處理後之積層體，於依據JEDEC JESD22-B111之條件下測定基板間剝離為止之次數，設為加熱後之剝離次數。根據加熱前後之剝離次數，藉由下述式(1)算出剝離次數之變化率。
剝離次數之變化率＝[(加熱前之剝離次數－加熱後之剝離次數)/加熱前之剝離次數]×100  式(1)
於本發明之接著劑之某一特定之態樣中，藉由下述評價試驗2算出之基板間之接著強度之變化率為10%以下。
評價試驗2： 準備表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及接著劑。於上述第1基板中之上述第1金屬部上配置上述接著劑，於上述接著劑之與上述第1基板側相反之表面上，以上述第1金屬部與上述第2金屬部對向之方式配置上述第2基板。其後，藉由於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下進行回焊處理而將上述第1基板與上述第2基板接著，從而獲得積層體。使用所獲得之積層體，於依據MIL STD-883G之條件下測定基板間之接著強度，設為加熱前之接著強度。其後，於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下，對所獲得之積層體進行4次回焊處理，使用回焊處理後之積層體，於依據MIL STD-883G之條件下測定基板間之接著強度，設為加熱後之接著強度。根據加熱前後之接著強度，藉由下述式(2)算出接著強度之變化率。
接著強度之變化率＝[(加熱前之接著強度－加熱後之接著強度)/加熱前之接著強度]×100  式(2)
於本發明之接著劑之某一特定之態樣中，上述第1基板為玻璃環氧基板或陶瓷基板，上述第2基板為玻璃環氧基板、陶瓷基板或矽基板。
於本發明之接著劑之某一特定之態樣中，上述第1金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成，上述第2金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。
於本發明之接著劑之某一特定之態樣中，上述接著劑包含金屬粒子。
於本發明之接著劑之某一特定之態樣中，上述金屬粒子具有基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之金屬層。
於本發明之接著劑之某一特定之態樣中，上述金屬層具有配置於上述基材粒子之表面上之第2金屬層、及配置於上述第2金屬層之表面上之第1金屬層，且上述第1金屬層為焊料層。
根據本發明之廣泛之態樣，提供一種天線裝置，其具備：表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及將上述第1基板與上述第2基板接著之接著劑部，且上述接著劑部之材料為上述接著劑，上述第1金屬部與上述第2金屬部藉由上述接著劑部接著，由上述第1基板、上述第2基板及上述接著劑部形成氣腔。
於本發明之天線裝置之某一特定之態樣中，上述第1基板為玻璃環氧基板或陶瓷基板，上述第2基板為玻璃環氧基板、陶瓷基板或矽基板。
於本發明之天線裝置之某一特定之態樣中，上述第1金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成，上述第2金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。 [發明之效果]
本發明之接著劑係用於對表面具有第1金屬部之第1基板、及表面具有第2金屬部之第2基板將上述第1金屬部與上述第2金屬部接著者。於本發明之接著劑中，藉由上述評價試驗1算出之基板間之剝離次數之變化率為20%以下。本發明之接著劑由於具備上述構成，故而即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙。
以下，說明本發明之詳細內容。
(接著劑) 本發明之接著劑係用於對表面具有第1金屬部之第1基板、及表面具有第2金屬部之第2基板將上述第1金屬部與上述第2金屬部接著者。於本發明之接著劑中，藉由下述評價試驗1算出之基板間之剝離次數之變化率為20%以下。
評價試驗1： 準備表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及接著劑。於上述第1基板中之上述第1金屬部上配置上述接著劑，於上述接著劑之與上述第1基板側相反之表面上，以上述第1金屬部與上述第2金屬部對向之方式配置上述第2基板。其後，藉由於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下進行回焊處理而將上述第1基板與上述第2基板接著，從而獲得積層體。使用所獲得之積層體，於依據JEDEC JESD22-B111之條件下測定基板間剝離為止之次數，設為加熱前之剝離次數。即，加熱前之剝離次數意指對積層體進行加熱前之剝離次數。其後，於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下，對所獲得之積層體進行4次回焊處理，使用回焊處理後之積層體，於依據JEDEC JESD22-B111之條件下測定基板間剝離為止之次數，設為加熱後之剝離次數。即，加熱後之剝離次數意指對積層體進行4次加熱後之剝離次數。根據加熱前後之剝離次數，藉由下述式(1)算出剝離次數之變化率。
剝離次數之變化率＝[(加熱前之剝離次數－加熱後之剝離次數)/加熱前之剝離次數]×100  式(1)
於上述評價試驗1中，較佳為以上述積層體(回焊處理前之積層體)之基板間之間隙成為60 μm以上之方式配置上述接著劑，且較佳為以上述積層體(回焊處理前之積層體)之基板間之間隙成為850 μm以下之方式配置上述接著劑。
本發明之接著劑由於具備上述構成，故而即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙。
於使用接著劑，以天線內形成氣腔(空間)之方式將2個基板接著而獲得天線裝置時，有對該天線裝置進行反覆加熱之情況。於使用先前之接著劑所獲得之天線裝置中，因對天線裝置進行反覆加熱，而有2個基板間之接著強度降低之情況。於2個基板間之接著強度較低之情形時，有因掉落等所致之來自外部之振動或衝擊，基板間發生剝離等之情況。若基板間發生剝離等，則有無法高精度地控制上述氣腔(空間)之間隔(間隙)，難以提高天線之通信速度及通信品質等的情況。
相對於此，本發明之接著劑由於具備上述構成，故而即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制上述氣腔(空間)之間隔(間隙)。結果可進一步提高天線之通信速度及通信品質等。
本發明之接著劑係用於對表面具有第1金屬部之第1基板、及表面具有第2金屬部之第2基板將上述第1金屬部與上述第2金屬部接著者。本發明之接著劑係用於將2個基板接著之接著劑。本發明之接著劑較佳為用於將2個基板中之金屬部彼此接著之接著劑。
於本發明之接著劑中，藉由上述評價試驗1算出之基板間之剝離次數之變化率為20%以下。藉由上述評價試驗1算出之基板間之剝離次數之變化率較佳為15%以下，更佳為10%以下。若藉由上述評價試驗1算出之基板間之剝離次數之變化率為上述上限以下，則即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙。
於上述評價試驗1中，上述加熱前之剝離次數較佳為50次以上，更佳為100次以上。若上述加熱前之剝離次數為上述下限以上，則即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙。
於上述接著劑中，藉由下述評價試驗2算出之基板間之接著強度之變化率較佳為10%以下，更佳為3%以下。若藉由下述評價試驗2算出之基板間之接著強度之變化率為上述上限以下，則即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙。
評價試驗2： 準備表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及接著劑。於上述第1基板中之上述第1金屬部上配置上述接著劑，於上述接著劑之與上述第1基板側相反之表面上，以上述第1金屬部與上述第2金屬部對向之方式配置上述第2基板。其後，藉由於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下進行回焊處理而將上述第1基板與上述第2基板接著，從而獲得積層體。使用所獲得之積層體，於依據MIL STD-883G之條件下測定基板間之接著強度，設為加熱前之接著強度。其後，於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下，對所獲得之積層體進行4次回焊處理，使用回焊處理後之積層體，於依據MIL STD-883G之條件下測定基板間之接著強度，設為加熱後之接著強度。根據加熱前後之接著強度，藉由下述式(2)算出接著強度之變化率。
接著強度之變化率＝[(加熱前之接著強度－加熱後之接著強度)/加熱前之接著強度]×100  式(2)
於上述評價試驗2中，較佳為以上述積層體(回焊處理前之積層體)之基板間之間隙成為60 μm以上之方式配置上述接著劑，且較佳為以上述積層體(回焊處理前之積層體)之基板間之間隙成為850 μm以下之方式配置上述接著劑。
於上述評價試驗2中，上述加熱前之接著強度較佳為1.5 kgf以上，更佳為2.0 kgf以上。若上述加熱前之接著強度為上述下限以上，則即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，可高精度地控制氣腔之間隙。
於上述評價試驗1及上述評價試驗2中，上述第1基板較佳為玻璃環氧基板或陶瓷基板。於上述評價試驗1及上述評價試驗2中，上述第2基板較佳為玻璃環氧基板、陶瓷基板或矽基板。
於上述評價試驗1及上述評價試驗2中，上述第1金屬部較佳為由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。於上述評價試驗1及上述評價試驗2中，上述第2金屬部較佳為由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。
上述評價試驗1及上述評價試驗2係為了算出上述剝離次數之變化率及上述接著強度之變化率而進行。於實際使用上述接著劑時，可不於上述評價試驗1及上述評價試驗2所規定之條件下進行處理。例如，於實際使用上述接著劑時，可不於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下進行回焊處理。
就即便於反覆加熱之情形時亦可維持基板間之接著強度，高精度地控制氣腔之間隙之觀點而言，上述接著劑較佳為包含金屬粒子。上述接著劑可包含上述金屬粒子以外之成分，亦可不包含上述金屬粒子以外之成分。就即便於反覆加熱之情形時亦可進一步維持基板間之接著強度，更高精度地控制氣腔之間隙之觀點而言，上述接著劑較佳為僅包含上述金屬粒子，較佳為複數個金屬粒子之粒子群。
上述接著劑例如可將2個被接著體接著。上述被接著體較佳為基板，更佳為表面具有金屬部之基板。上述接著劑較佳為用於將2個基板接著。上述接著劑較佳為用於將2個金屬部彼此接著。進而，上述接著劑較佳為用於控制2個基板之間隙。上述接著劑較佳為用於控制2個基板間之間隙。
上述接著劑可用於導電連接，亦可不用於導電連接。上述接著劑較佳為用於天線裝置。上述接著劑較佳為用於形成氣腔。上述接著劑較佳為用於在天線裝置中形成氣腔。上述接著劑較佳為用於在天線裝置中將高頻基板與構成天線之基板之間隔(間隙)保持為均勻且一定。上述接著劑較佳為用於在天線裝置中形成氣腔，提高天線之通信速度及通信品質等。
(金屬粒子) 本發明之接著劑較佳為包含金屬粒子。上述金屬粒子意指包含金屬之粒子。上述金屬粒子可具有金屬以外之構成成分。上述金屬粒子較佳為具有例如限制2個基板之間隔(間隙)之作用。上述金屬粒子較佳為不為僅由焊料形成之焊料粒子。上述金屬粒子較佳為具有基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之金屬層。上述金屬層可為單層構造，亦可為2層以上之複層構造。
上述金屬粒子較佳為於上述金屬層之外表面部分具有焊料。上述基材粒子較佳為不為僅由焊料形成之焊料粒子。再者，於上述金屬粒子為中心部分及金屬層之外表面部分均由焊料形成之焊料粒子之情形時，有反覆加熱時，焊料因加熱而潤濕擴散，因此難以控制氣腔之間隙之情況。於上述金屬粒子為具有不由焊料形成之基材粒子、及配置於該基材粒子之表面上之金屬層(焊料層)之金屬粒子的情形時，即便反覆加熱，亦可抑制由加熱所引起之焊料之過度之潤濕擴散，因此可高精度地控制氣腔之間隙。因此，上述金屬粒子較佳為不為由焊料形成之焊料粒子。上述金屬粒子較佳為不為中心部分及金屬層之外表面部分均由焊料形成之焊料粒子。
上述金屬粒子之平均粒徑並無特別限定。上述金屬粒子之平均粒徑可根據氣腔之目標間隙來適當選擇。上述金屬粒子之平均粒徑例如可為80 μm以上，且可為900 μm以下。
上述金屬粒子之平均粒徑較佳為數量平均粒徑。上述金屬粒子之平均粒徑例如藉由利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意50個金屬粒子，算出各金屬粒子之粒徑之平均值，或者進行雷射繞射式粒度分佈測定而求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡之觀察中，每個金屬粒子之粒徑係以圓相當徑下之粒徑求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡之觀察中，任意50個金屬粒子之圓相當徑下之平均粒徑與球相當徑下之平均粒徑大致相等。於雷射繞射式粒度分佈測定中，每個金屬粒子之粒徑係以球相當徑下之粒徑求出。
上述金屬粒子之粒徑之變異係數(CV值)較佳為10%以下，更佳為5%以下。若上述金屬粒子之粒徑之變異係數為上述上限以下，則可更高精度地控制氣腔之間隙。
上述變異係數(CV值)可以如下方式進行測定。
CV值(%)＝(ρ/Dn)×100 ρ：金屬粒子之粒徑之標準偏差 Dn：金屬粒子之粒徑之平均值
上述金屬粒子之形狀並無特別限定。上述金屬粒子之形狀可為球狀，可為球狀以外之形狀，亦可為扁平狀等形狀。
其次，參照圖式對金屬粒子之具體例進行說明。
圖1係表示本發明之一實施方式之接著劑可使用之金屬粒子之第1例的剖視圖。
圖1所示之金屬粒子1具有基材粒子2、及配置於基材粒子2之表面上之金屬層3。金屬層3被覆基材粒子2之表面。金屬粒子1係基材粒子2之表面經金屬層3被覆而成之被覆粒子。
金屬層3具有第2金屬層3A及焊料層3B(第1金屬層)。金屬粒子1於基材粒子2與焊料層3B之間具備第2金屬層3A。因此，金屬粒子1具備基材粒子2、配置於基材粒子2之表面上之第2金屬層3A、及配置於第2金屬層3A之外表面上之焊料層3B。如此，金屬層3可具有2層以上之複層構造，亦可具有多層構造。
圖2係表示本發明之一實施方式之接著劑可使用之金屬粒子之第2例的剖視圖。
圖1中之金屬粒子1之金屬層3具有2層構造。圖2所示之金屬粒子1A具有焊料層4作為單層之金屬層。金屬粒子1A具備基材粒子2、及配置於基材粒子2之表面上之焊料層4。
以下，對金屬粒子之其他詳細內容進行說明。
基材粒子： 作為上述基材粒子，可例舉：樹脂粒子、除含金屬之粒子以外之無機粒子、有機無機混合粒子及含金屬之粒子等。上述基材粒子較佳為除含金屬之粒子以外之基材粒子，更佳為樹脂粒子、除含金屬之粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子。上述基材粒子可為具備核、及配置於該核之表面上之殼之核殼粒子。上述核可為有機核，上述殼可為無機殼。
作為上述樹脂粒子之材料，可良好地使用各種有機物。作為上述樹脂粒子之材料，可例舉：聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚異丁烯及聚丁二烯等聚烯烴樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯及聚丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯、聚醯胺、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺-甲醛樹脂、苯并胍胺-甲醛樹脂、脲-甲醛樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、苯并胍胺樹脂、脲樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碸、聚苯醚、聚縮醛、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸、二乙烯苯聚合物、以及二乙烯苯系共聚物等。作為上述二乙烯苯系共聚物等，可例舉二乙烯苯-苯乙烯共聚物及二乙烯苯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。就可將上述樹脂粒子之硬度容易地控制為較佳之範圍而言，上述樹脂粒子之材料較佳為使1種或2種以上之具有乙烯性不飽和基之聚合性單體聚合而成之聚合物。
於使具有乙烯性不飽和基之聚合性單體聚合而獲得上述樹脂粒子之情形時，作為該具有乙烯性不飽和基之聚合性單體，可例舉非交聯性單體與交聯性單體。
作為上述非交聯性單體，可例舉：苯乙烯及α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸及順丁烯二酸酐等含羧基單體；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯及(甲基)丙烯酸異𦯉酯等(甲基)丙烯酸烷基酯化合物；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、聚氧乙烯(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含氧原子之(甲基)丙烯酸酯化合物；(甲基)丙烯腈等含腈單體；甲基乙烯醚、乙基乙烯醚及丙基乙烯醚等乙烯醚化合物；乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯及硬脂酸乙烯酯等酸乙烯酯化合物；乙烯、丙烯、異戊二烯及丁二烯等不飽和烴；(甲基)丙烯酸三氟甲酯、(甲基)丙烯酸五氟乙酯、氯乙烯、氟乙烯及氯苯乙烯等含鹵素單體等。
作為上述交聯性單體，可例舉：四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯化合物；(異)氰尿酸三烯丙酯、偏苯三甲酸三烯丙酯、二乙烯苯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、二烯丙基丙烯醯胺、二烯丙醚、以及γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷基苯乙烯及乙烯基三甲氧基矽烷等含矽烷單體等。
「(甲基)丙烯酸酯」之用語表示丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯。「(甲基)丙烯酸」之用語表示丙烯酸與甲基丙烯酸。「(甲基)丙烯醯基」之用語表示丙烯醯基與甲基丙烯醯基。
可利用公知之方法使上述具有乙烯性不飽和基之聚合性單體聚合，藉此獲得上述樹脂粒子。作為該方法，可例舉：於自由基聚合起始劑之存在下進行懸浮聚合之方法；以及使用非交聯之種粒使單體與自由基聚合起始劑一起膨潤而聚合之方法等。
於上述基材粒子為除含金屬之粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子之情形時，作為用於形成基材粒子之無機物，可例舉：二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯及碳黑等。上述無機物較佳為不為金屬。作為上述由二氧化矽形成之粒子，並無特別限定，例如可例舉如下粒子，該粒子係藉由將具有2個以上之水解性烷氧基矽烷基之矽化合物水解而形成交聯聚合物粒子後，視需要進行焙燒而獲得。作為上述有機無機混合粒子，可例舉由經交聯之烷氧基矽烷基聚合物與丙烯酸系樹脂形成之有機無機混合粒子等。
上述有機無機混合粒子較佳為具有核、及配置於該核之表面上之殼之核殼型有機無機混合粒子。上述核較佳為有機核。上述殼較佳為無機殼。就更有效地降低電極間之連接電阻之觀點而言，上述基材粒子較佳為具有有機核、及配置於上述有機核之表面上之無機殼之有機無機混合粒子。
作為上述有機核之材料，可例舉上述樹脂粒子之材料等。
作為上述無機殼之材料，可例舉作為基材粒子之材料所例舉之上述無機物。上述無機殼之材料較佳為二氧化矽。上述無機殼較佳為藉由如下方式形成：於上述核之表面上，利用溶膠凝膠法將金屬烷氧化物製成殼狀物後，焙燒該殼狀物。上述金屬烷氧化物較佳為矽烷烷氧化物。上述無機殼較佳為由矽烷烷氧化物形成。
於上述基材粒子為含金屬之粒子之情形時，作為成為該含金屬之粒子之材料之金屬，可例舉：銀、銅、鎳、矽、金及鈦等。
上述基材粒子之粒徑並無特別限定。上述基材粒子之粒徑可根據氣腔之目標間隙來適當選擇。上述基材粒子之粒徑例如可為80 μm以上，且可為900 μm以下。
關於上述基材粒子之粒徑，於基材粒子為真球狀之情形時，表示直徑，於基材粒子不為真球狀之情形時，表示球相當徑。
上述基材粒子之粒徑較佳為數量平均粒徑。上述基材粒子之粒徑係使用粒度分佈測定裝置等求出。基材粒子之粒徑較佳為藉由利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意50個基材粒子，算出平均值而求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡之觀察中，每個基材粒子之粒徑係以圓相當徑下之粒徑求出。於利用電子顯微鏡或光學顯微鏡之觀察中，任意之50個基材粒子之圓相當徑下之平均粒徑與球相當徑下之平均粒徑大致相等。於雷射繞射式粒度分佈測定中，每個基材粒子之粒徑係以球相當徑下之粒徑求出。
金屬層： 上述金屬粒子較佳為具有基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之金屬層。上述金屬層可為單層構造，亦可為2層以上之複層構造。於上述金屬層為2層以上之複層構造之情形時，上述金屬粒子較佳為具有基材粒子、配置於上述基材粒子之表面上之第2金屬層、及配置於上述第2金屬層之表面上之焊料層(第1金屬層)。上述金屬粒子較佳為於上述金屬層之外表面部分具有焊料。
上述金屬層包含金屬。構成上述金屬層之金屬並無特別限定。作為上述金屬，可例舉：金、銀、銅、鉑、鈀、鋅、鉛、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鍺及鎘、以及該等之合金等。又，作為上述金屬，亦可使用摻錫氧化銦(ITO)及焊料。上述金屬可僅使用1種，亦可併用2種以上。就更高精度地控制氣腔之間隙之觀點、及進一步提高基板間之接著強度之觀點而言，最外層之金屬層中所包含之上述金屬較佳為焊料。
上述基材粒子之熔點較佳為高於上述金屬層之熔點。上述基材粒子之熔點較佳為超過160℃，更佳為超過300℃，進而較佳為超過400℃，尤佳為超過450℃。再者，上述基材粒子之熔點可未達400℃。上述基材粒子之熔點亦可為160℃以下。上述基材粒子之軟化點較佳為260℃以上。上述基材粒子之軟化點亦可未達260℃。
上述金屬粒子可具有單層焊料層。上述金屬粒子亦可具有複數層金屬層(第2金屬層及焊料層(第1金屬層))。即，於上述金屬粒子中，可積層2層以上之金屬層。於上述金屬層為2層以上之情形時，上述金屬粒子較佳為於金屬層之外表面部分具有焊料。
上述焊料較佳為熔點為450℃以下之金屬(低熔點金屬)。上述焊料層較佳為熔點為450℃以下之金屬層(低熔點金屬層)。上述低熔點金屬層係包含低熔點金屬之層。上述金屬粒子中之焊料較佳為熔點為450℃以下之金屬(低熔點金屬)。上述低熔點金屬表示熔點為450℃以下之金屬。上述低熔點金屬之熔點較佳為300℃以下，更佳為220℃以下。
上述低熔點金屬之熔點可藉由示差掃描熱量測定(DSC)來求出。作為示差掃描熱量測定(DSC)裝置，可例舉SII公司製造之「EXSTAR DSC7020」等。
又，上述金屬粒子中之焊料較佳為包含錫。於上述金屬粒子中之焊料中所包含之金屬100重量%中，錫之含量較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上，進而較佳為70重量%以上，尤佳為90重量%以上。若上述金屬粒子中之焊料中所包含之錫之含量為上述下限以上，則可進一步提高基板間之接著強度。
再者，上述錫之含量可使用高頻感應耦合電漿發射光譜分析裝置(堀場製作所公司製造之「ICP-AES」)或螢光X射線分析裝置(島津製作所公司製造之「EDX-800HS」)等進行測定。
於為了將形成於2個基板上之金屬部彼此接著而使用包含金屬層之外表面部分具有上述焊料之金屬粒子之接著劑的情形時，可將焊料熔融而與金屬部接合。例如，焊料與金屬部容易面接觸而非點接觸，因此可進一步提高基板間之接著強度，可充分增大上述金屬粒子與上述金屬部之接觸面積。
構成上述焊料層及上述金屬粒子中之焊料之低熔點金屬並無特別限定。該低熔點金屬較佳為錫、或包含錫之合金。作為該合金，可例舉：錫-銀合金、錫-銅合金、錫-銀-銅合金、錫-鉍合金、錫-鋅合金、錫-銦合金等。就對金屬部之潤濕性優異之方面而言，上述低熔點金屬較佳為錫、錫-銀合金、錫-銀-銅合金、錫-鉍合金、或錫-銦合金。
構成上述焊料層及上述金屬粒子中之焊料之材料較佳為基於JIS Z3001：焊接用語，液相線為450℃以下之焊填材。作為上述焊料之組成，例如可例舉包含鋅、金、銀、鉛、銅、錫、鉍、銦等之金屬組成。
為了進一步提高上述金屬粒子中之焊料與金屬部之接合強度，上述金屬粒子中之焊料可包含鎳、銅、銻、鋁、鋅、鐵、金、鈦、磷、鍺、碲、鈷、鉍、錳、鉻、鉬、鈀等金屬。又，就進一步提高上述金屬粒子中之焊料與金屬部之接著強度之觀點而言，上述金屬粒子中之焊料較佳為包含鎳、銅或銻。就進一步提高上述金屬粒子中之焊料與金屬部之接著強度之觀點而言，於上述金屬粒子中之焊料100重量%中，用於提高接著強度之該等金屬之含量較佳為0.001重量%以上，且較佳為1重量%以下。
上述金屬粒子較佳為具有基材粒子、配置於上述基材粒子之表面上之第2金屬層、及配置於上述第2金屬層之表面上之焊料層。
上述第2金屬層之熔點較佳為高於上述焊料層之熔點。上述第2金屬層之熔點較佳為超過220℃，更佳為超過300℃，進而較佳為超過400℃，進而更佳為超過450℃，尤佳為超過500℃，最佳為超過600℃。上述焊料層由於熔點較低，故而較佳為於形成氣腔時熔融。上述第2金屬層較佳為於形成氣腔時不熔融。上述金屬粒子較佳為將焊料熔融而使用，較佳為將上述焊料層熔融而使用，較佳為將上述焊料層熔融且不將上述第2金屬層熔融而使用。藉由上述第2金屬層之熔點高於上述焊料層之熔點，於形成氣腔時，可不將上述第2金屬層熔融，僅將上述焊料層熔融。
上述焊料層之熔點與上述第2金屬層之熔點之差的絕對值超過0℃，較佳為5℃以上，更佳為10℃以上，進而較佳為30℃以上，尤佳為50℃以上，最佳為100℃以上。
上述第2金屬層包含金屬。構成上述第2金屬層之金屬並無特別限定。作為該金屬，例如可例舉：金、銀、銅、鉑、鈀、鋅、鉛、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鍺及鎘、以及該等之合金等。又，作為上述金屬，亦可使用摻錫氧化銦(ITO)。上述金屬可僅使用1種，亦可併用2種以上。
上述第2金屬層較佳為鎳層、鈀層、銅層或金層，更佳為鎳層、金層或銅層，進而較佳為銅層。上述金屬粒子較佳為具有鎳層、鈀層、銅層或金層，更佳為具有鎳層、金層或銅層，進而較佳為具有銅層。藉由使用包含具有該等較佳之金屬層之金屬粒子之接著劑將2個基板接著，可更高精度地控制氣腔之間隙。又，可於該等較佳之金屬層之表面更容易地形成焊料層。
上述金屬層之厚度較佳為3.5 μm以上，更佳為8 μm以上，且較佳為80 μm以下，更佳為65 μm以下，進而較佳為50 μm以下。若上述金屬層之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步提高基板間之接著強度。
上述第2金屬層之厚度較佳為0.5 μm以上，更佳為3 μm以上，且較佳為30 μm以下，更佳為25 μm以下，進而較佳為20 μm以下。若上述第2金屬層之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步提高基板間之接著強度。
上述焊料層(第1金屬層)之厚度較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上，且較佳為50 μm以下，更佳為40 μm以下，進而較佳為30 μm以下。若上述焊料層之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步提高基板間之接著強度。
上述金屬層之厚度、上述第2金屬層之厚度及上述焊料層之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察金屬粒子之剖面而測定。
於上述基材粒子之表面上形成金屬層之方法並無特別限定。作為形成上述金屬層之方法，可例舉：利用無電解電鍍之方法、利用電鍍之方法、利用物理碰撞之方法、利用機械化學反應之方法、利用物理蒸鍍或物理吸附之方法、以及將金屬粉末或包含金屬粉末及黏合劑之膏塗佈於基材粒子之表面之方法等。形成上述金屬層之方法較佳為利用無電解電鍍、電鍍或物理碰撞之方法。作為上述利用物理蒸鍍之方法，可例舉：真空蒸鍍、離子鍍覆及離子濺鍍等方法。又，於上述利用物理碰撞之方法中，例如可使用Theta Composer(德壽工作所公司製造)等。
(天線裝置) 本發明之天線裝置具備：表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及將上述第1基板與上述第2基板接著之接著劑部。於本發明之天線裝置中，上述接著劑部之材料為上述接著劑。於本發明之天線裝置中，上述第1金屬部與上述第2金屬部藉由上述接著劑部接著。於本發明之天線裝置中，由上述第1基板、上述第2基板及上述接著劑部形成氣腔。
上述第1基板較佳為玻璃環氧基板或陶瓷基板。上述第2基板較佳為玻璃環氧基板、陶瓷基板或矽基板。上述基板亦可為高頻基板或構成天線之基板等。上述第1金屬部較佳為由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。上述第2金屬部較佳為由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。上述第1金屬部及上述第2金屬部可由銅形成，亦可由鍍鎳/金形成。
圖3係表示使用本發明之接著劑之天線裝置之一例的剖視圖。
圖3所示之天線裝置11具備第1基板12、第2基板13、及將第1基板12與第2基板13接著之接著劑部。上述接著劑部之材料為上述接著劑。於本實施方式中，上述接著劑部之材料為金屬粒子1。上述接著劑部較佳為由上述金屬粒子形成。
第1基板12於表面(上表面)具有複數個第1金屬部12a。第2基板13於表面(下表面)具有複數個第2金屬部13a。第1金屬部12a與第2金屬部13a藉由一個或複數個金屬粒子1(接著劑部)接著。於天線裝置11中，由第1基板12、第2基板13及金屬粒子1(接著劑部)形成氣腔14。藉由金屬粒子1(接著劑部)，將第1基板12與第2基板13之間隔(間隙)保持為一定。藉由金屬粒子1(接著劑部)，控制氣腔14之間隙。
上述天線裝置中之上述間隙只要根據天線裝置之目標頻帶進行設定即可。
上述天線裝置之製造方法並無特別限定。作為天線裝置之製造方法之一例，可例舉：於上述第1金屬部與上述第2金屬部之間配置上述接著劑，獲得積層體後，對該積層體進行加熱及加壓之方法等。上述加壓之壓力為9.8×104 Pa～4.9×106 Pa左右。上述加熱之溫度為120℃～250℃左右。就更高精度地控制氣腔之間隙之觀點而言，較佳為於製造上述天線裝置時不加壓。藉由於製造上述天線裝置時不加壓，熔融之上述金屬粒子之上述焊料層不會過度地潤濕擴散至上述第1金屬部及上述第2金屬部，故而可更高精度地控制氣腔之間隙。
圖4係放大表示圖3所示之天線裝置中之金屬粒子與金屬部之接著部分的剖視圖。
如圖4所示，於天線裝置11中，藉由對上述積層體進行加熱，金屬粒子1之焊料層3B熔融後，熔融之焊料層部分3Ba與第1金屬部12a及第2金屬部13a充分接觸。藉由使用最外層為焊料層之金屬粒子1，與使用最外層為鎳、金或銅等金屬之金屬粒子之情形相比，可增大金屬粒子1與第1金屬部12a及第2金屬部13a之接觸面積，可更高精度地控制氣腔之間隙。又，藉由使用不為由焊料形成之焊料粒子之金屬粒子1，與使用中心部分及金屬層之外表面部分均由焊料形成之焊料粒子之情形相比，即便反覆加熱，亦可抑制由加熱所引起之焊料之過度之潤濕擴散，可更高精度地控制氣腔之間隙。
以下，例舉實施例及比較例，具體地說明本發明。本發明並不僅限定於以下之實施例。
(金屬粒子1) 使二乙烯苯50重量份與四羥甲基甲烷四丙烯酸酯50重量份共聚，製作作為樹脂粒子之基材粒子(平均粒徑240 μm，CV值1.85%)。對所獲得之基材粒子進行無電解鍍鎳，於基材粒子之表面上形成厚度0.3 μm之基底鍍鎳層。繼而，對形成有基底鍍鎳層之基材粒子進行電鍍銅，形成厚度10 μm之銅層。進而，進行電鍍，形成厚度25 μm之含有錫之焊料層。如此，製作於基材粒子之表面上形成有厚度10 μm之銅層且於該銅層之表面形成有厚度25 μm之焊料層(錫：銀＝96.5重量%：3.5重量%)的金屬粒子1(平均粒徑310 μm，CV值2.85%)。
(金屬粒子2) 以與金屬粒子1相同之方式製作作為樹脂粒子之基材粒子(平均粒徑260 μm，CV值1.92%)。對所獲得之基材粒子進行無電解鍍鎳，於基材粒子之表面上形成厚度0.3 μm之基底鍍鎳層。繼而，對形成有基底鍍鎳層之基材粒子進行電鍍銅，形成厚度5 μm之銅層。進而，進行電鍍，形成厚度20 μm之含有錫之焊料層。如此，製作於基材粒子之表面上形成有厚度5 μm之銅層且於該銅層之表面形成有厚度20 μm之焊料層(錫：銀＝96.5重量%：3.5重量%)的金屬粒子2(平均粒徑310 μm，CV值2.76%)。
(金屬粒子3) 以與金屬粒子1相同之方式製作作為樹脂粒子之基材粒子(平均粒徑210 μm，CV值1.68%)。對所獲得之基材粒子進行無電解鍍鎳，於基材粒子之表面上形成厚度0.3 μm之基底鍍鎳層。繼而，對形成有基底鍍鎳層之基材粒子進行電鍍銅，形成厚度10 μm之銅層。進而，進行電鍍，形成厚度40 μm之含有錫之焊料層。如此，製作於基材粒子之表面上形成有厚度10 μm之銅層且於該銅層之表面形成有厚度40 μm之焊料層(錫：銀＝96.5重量%：3.5重量%)的金屬粒子3(平均粒徑310 μm，CV值3.21%)。
(金屬粒子X1) 將由含有錫、銀及銅之焊料形成之焊料球(千住金屬工業公司製造之「M705」，錫：銀：銅＝96.5重量%：3重量%：0.5重量%)設為金屬粒子X1(平均粒徑300 μm)。
(金屬粒子之平均粒徑) 金屬粒子之平均粒徑係使用數位顯微鏡(基恩士公司製造之「VHX-5000」)，藉由上述方法進行測定。
(實施例1) 作為接著劑，使用所獲得之金屬粒子1本身，而不使用金屬粒子1以外之接著成分。
(天線裝置A之製作) 作為第1基板，準備具有20個由銅形成之金屬部(第1金屬部)之玻璃環氧基板。作為第2基板，準備具有20個由銅形成之金屬部(第2金屬部)之玻璃環氧基板。上述金屬部係用於形成天線電路之金屬部。於上述第1基板之上述第1金屬部之表面上塗佈助焊劑(Cookson Electronics公司製造之「WS-9160-M7」)。繼而，於塗佈之助焊劑之表面上配置金屬粒子1，進行回焊處理(加熱溫度250℃及加熱時間30秒)，將金屬粒子1與第1金屬部接著。繼而，於上述第2基板之上述第2金屬部之表面上塗佈焊料膏(千住金屬工業公司製造之「M705-GRN360-K2-V」)。以上述第1金屬部與上述第2金屬部對向之方式配置上述第1基板與上述金屬粒子1之接著構造體、及塗佈有焊料膏之第2基板，進行回焊處理(加熱溫度250℃及加熱時間30秒)。如此，製作第1金屬部與第2金屬部經由由金屬粒子1形成之接著部接著之天線裝置A。
(天線裝置B之製作) 作為第2基板，使用具有20個由鍍鎳/金所形成之金屬部(第2金屬部)之玻璃環氧基板，除此以外，以與天線裝置A之製作方法相同之方式製作天線裝置B。
(天線裝置C之製作) 作為第1基板及第2基板，使用具有20個由鍍鎳/金所形成之金屬部(第2金屬部)之玻璃環氧基板，除此以外，以與天線裝置A之製作方法相同之方式製作天線裝置C。
(實施例2) 作為接著劑，使用金屬粒子2代替金屬粒子1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作天線裝置A、B、C。
(實施例3) 作為接著劑，使用金屬粒子3代替金屬粒子1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作天線裝置A、B、C。
(比較例1) 作為接著劑，使用金屬粒子X1代替金屬粒子1，除此以外，以與實施例1相同之方式製作天線裝置A、B、C。
(評價) (1)基板間之剝離次數之變化率(評價試驗1) (1-1)準備所獲得之金屬粒子(接著劑)。又，準備表面具有由銅形成之第1金屬部之第1基板(玻璃環氧基板)。準備表面具有由銅形成之第2金屬部之第2基板(玻璃環氧基板)。使用所準備之金屬粒子(接著劑)、第1基板及第2基板，藉由上述方法算出基板間之剝離次數之變化率。
(1-2)準備所獲得之金屬粒子(接著劑)。又，準備表面具有由銅形成之第1金屬部之第1基板(玻璃環氧基板)。準備表面具有由鍍鎳/金所形成之第2金屬部之第2基板(玻璃環氧基板)。使用所準備之金屬粒子(接著劑)、第1基板及第2基板，藉由上述方法算出基板間之剝離次數之變化率。
(1-3)準備所獲得之金屬粒子(接著劑)。又，準備表面具有由鍍鎳/金所形成之第1金屬部之第1基板(玻璃環氧基板)。準備表面具有由鍍鎳/金所形成之第2金屬部之第2基板(玻璃環氧基板)。使用所準備之金屬粒子(接著劑)、第1基板及第2基板，藉由上述方法算出基板間之剝離次數之變化率。
[基板間之剝離次數之變化率之判定基準] ○：剝離次數之變化率為20%以下 ×：剝離次數之變化率超過20%
(2)基板間之接著強度之變化率(評價試驗2) (2-1)準備所獲得之金屬粒子(接著劑)。又，準備表面具有由銅形成之第1金屬部之第1基板(玻璃環氧基板)。準備表面具有由銅形成之第2金屬部之第2基板(玻璃環氧基板)。使用所準備之金屬粒子(接著劑)、第1基板及第2基板，藉由上述方法算出基板間之接著強度之變化率。
(2-2)準備所獲得之金屬粒子(接著劑)。又，準備表面具有由銅形成之第1金屬部之第1基板(玻璃環氧基板)。準備表面具有由鍍鎳/金所形成之第2金屬部之第2基板(玻璃環氧基板)。使用所準備之金屬粒子(接著劑)、第1基板及第2基板，藉由上述方法算出基板間之接著強度之變化率。
(2-3)準備所獲得之金屬粒子(接著劑)。又，準備表面具有由鍍鎳/金所形成之第1金屬部之第1基板(玻璃環氧基板)。準備表面具有由鍍鎳/金所形成之第2金屬部之第2基板(玻璃環氧基板)。使用所準備之金屬粒子(接著劑)、第1基板及第2基板，藉由上述方法算出基板間之接著強度之變化率。
[基板間之接著強度之變化率之判定基準] ○：接著強度之變化率為10%以下 ×：接著強度之變化率超過10%
(3)間隙控制性 對所獲得之5個天線裝置A，使用立體顯微鏡(尼康公司製造之「SMZ-10」)，測定氣腔之厚度，分別算出5個天線裝置A中之氣腔之平均厚度。根據平均厚度之最大值與平均厚度之最小值之差，以下述基準判定間隙控制性。又，對所獲得之天線裝置B、C亦進行相同之評價。
[間隙控制性之判定基準] ○：氣腔之平均厚度之最大值與平均厚度之最小值的差未達10 μm ×：氣腔之平均厚度之最大值與平均厚度之最小值的差為10 μm以上
將結果示於下述表1。
[表1]
天線裝置A
   金屬粒子之平均粒徑(μm) 剝離次數(次) 剝離次數之變化率 (評價試驗1) 接著強度(kgf) 接著強度之變化率 (評價試驗2) 間隙控制性
加熱前 加熱後 加熱前 加熱後
實施例1 310 128 116 9.4% ○ 3.51 3.31 5.7% ○ ○
實施例2 310 115 109 5.2% ○ 2.89 2.77 4.2% ○ ○
實施例3 310 103 92 10.7% ○ 4.92 4.59 6.7% ○ ○
比較例1 300 68 49 27.9% × 7.28 6.39 12.2% × ×
  
天線裝置B
   金屬粒子之平均粒徑(μm) 剝離次數(次) 剝離次數之變化率 (評價試驗1) 接著強度(kgf) 接著強度之變化率 (評價試驗2) 間隙控制性
加熱前 加熱後 加熱前 加熱後
實施例1 310 109 100 8.3% ○ 3.54 3.33 5.9% ○ ○
實施例2 310 132 119 9.8% ○ 2.91 2.67 8.2% ○ ○
實施例3 310 113 96 15.0% ○ 5.08 4.76 6.3% ○ ○
比較例1 300 59 45 23.7% × 7.42 6.61 10.9% × ×
  
天線裝置C
   金屬粒子之平均粒徑(μm) 剝離次數(次) 剝離次數之變化率 (評價試驗1) 接著強度(kgf) 接著強度之變化率 (評價試驗2) 間隙控制性
加熱前 加熱後 加熱前 加熱後
實施例1 310 138 117 15.2% ○ 3.55 3.33 6.2% ○ ○
實施例2 310 121 112 7.4% ○ 2.96 2.73 7.8% ○ ○
實施例3 310 106 90 15.1% ○ 5.16 4.68 9.3% ○ ○
比較例1 300 79 48 39.2% × 7.43 6.67 10.2% × ×
於使用陶瓷基板或矽基板代替玻璃環氧基板作為第1基板及第2基板之情形時，亦可見相同之傾向。
1:金屬粒子 1A:金屬粒子 2:基材粒子 3:金屬層 3A:第2金屬層 3B:焊料層(第1金屬層) 3Ba:熔融之焊料層部分 4:焊料層 11:天線裝置 12:第1基板 12a:第1金屬部 13:第2基板 13a:第2金屬部 14:氣腔
圖1係表示本發明之一實施方式之接著劑可使用之金屬粒子之第1例的剖視圖。 圖2係表示本發明之一實施方式之接著劑可使用之金屬粒子之第2例的剖視圖。 圖3係表示使用本發明之接著劑之天線裝置之一例的剖視圖。 圖4係放大表示圖3所示之天線裝置中之金屬粒子與金屬部之接著部分的剖視圖。

Claims (10)

  1. 一種接著劑，其係用於對表面具有第1金屬部之第1基板、及表面具有第2金屬部之第2基板將上述第1金屬部與上述第2金屬部接著者，且 藉由下述評價試驗1算出之基板間之剝離次數之變化率為20%以下； 評價試驗1： 準備表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及接著劑；於上述第1基板中之上述第1金屬部上配置上述接著劑，於上述接著劑之與上述第1基板側相反之表面上，以上述第1金屬部與上述第2金屬部對向之方式配置上述第2基板；其後，藉由於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下進行回焊處理而將上述第1基板與上述第2基板接著，從而獲得積層體；使用所獲得之積層體，於依據JEDEC JESD22-B111之條件下測定基板間剝離為止之次數，設為加熱前之剝離次數；其後，於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下，對所獲得之積層體進行4次回焊處理，使用回焊處理後之積層體，於依據JEDEC JESD22-B111之條件下測定基板間剝離為止之次數，設為加熱後之剝離次數；根據加熱前後之剝離次數，藉由下述式(1)算出剝離次數之變化率； 剝離次數之變化率＝[(加熱前之剝離次數－加熱後之剝離次數)/加熱前之剝離次數]×100  式(1)。
  2. 如請求項1之接著劑，其中藉由下述評價試驗2算出之基板間之接著強度之變化率為10%以下； 評價試驗2： 準備表面具有第1金屬部之第1基板、表面具有第2金屬部之第2基板、及接著劑；於上述第1基板中之上述第1金屬部上配置上述接著劑，於上述接著劑之與上述第1基板側相反之表面上，以上述第1金屬部與上述第2金屬部對向之方式配置上述第2基板；其後，藉由於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下進行回焊處理而將上述第1基板與上述第2基板接著，從而獲得積層體；使用所獲得之積層體，於依據MIL STD-883G之條件下測定基板間之接著強度，設為加熱前之接著強度；其後，於JEDEC J-STD-020所規定之回焊條件下，對所獲得之積層體進行4次回焊處理，使用回焊處理後之積層體，於依據MIL STD-883G之條件下測定基板間之接著強度，設為加熱後之接著強度；根據加熱前後之接著強度，藉由下述式(2)算出接著強度之變化率； 接著強度之變化率＝[(加熱前之接著強度－加熱後之接著強度)/加熱前之接著強度]×100  式(2)。
  3. 如請求項1或2之接著劑，其中上述第1基板為玻璃環氧基板或陶瓷基板， 上述第2基板為玻璃環氧基板、陶瓷基板或矽基板。
  4. 如請求項1或2之接著劑，其中上述第1金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成， 上述第2金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。
  5. 如請求項1或2之接著劑，其包含金屬粒子。
  6. 如請求項5之接著劑，其中上述金屬粒子具有基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之金屬層。
  7. 如請求項6之接著劑，其中上述金屬層具有配置於上述基材粒子之表面上之第2金屬層、及配置於上述第2金屬層之表面上之第1金屬層，且 上述第1金屬層為焊料層。
  8. 一種天線裝置，其具備： 表面具有第1金屬部之第1基板、 表面具有第2金屬部之第2基板、及 將上述第1基板與上述第2基板接著之接著劑部，且 上述接著劑部之材料為如請求項1至7中任一項之接著劑， 上述第1金屬部與上述第2金屬部藉由上述接著劑部接著， 由上述第1基板、上述第2基板及上述接著劑部形成氣腔。
  9. 如請求項8之天線裝置，其中上述第1基板為玻璃環氧基板或陶瓷基板， 上述第2基板為玻璃環氧基板、陶瓷基板或矽基板。
  10. 如請求項8或9之天線裝置，其中上述第1金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成， 上述第2金屬部由銅形成，或者由鍍鎳/金形成。
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