TW202116695A - 分斷方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種分斷方法，係可沿著形成於基板之刻劃線容易且良好地自基板分斷端材部之分斷方法。該分斷方法係於自母基板4分割出之基板1，沿著主刻劃線L1自基板1分斷製品部2，該主刻劃線L1係沿製品部2之輪廓形狀而形成，主刻劃線L1至少具有相互對向之兩個直線部L11、L12、及接續該等直線部之曲線部L15~L18，該分斷方法包含：副刻劃線形成步驟(S12)，於直線部L11、L12之延長線上，形成用以區分端材部3之副刻劃線L2；以及分斷步驟(S13)，沿著主刻劃線L1以及副刻劃線L2就各個區域R1~R4進行分斷；於分斷步驟(S13)中，自區域R1~R4中、將直線部L11、L12與副刻劃線L2包含於端緣之區域R1、R2依序進行分斷。

Description

分斷方法

本發明係關於在基板形成刻劃線，沿著該刻劃線分斷基板之基板的分斷方法。

習知，玻璃基板等脆性材料基板之分斷，係藉由於基板之表面形成刻劃線之刻劃步驟、與沿著已形成之刻劃線於基板之表面施加既定之力之斷裂步驟而進行。於刻劃步驟中，沿著想要從基板分斷之製品部的形狀形成刻劃線。又，存在有為了將製品部容易自基板分斷，而在製品部以外之處(端材部)形成刻劃線之情形。

於專利文獻1中，揭示有用以自板玻璃切出汽車用之後照鏡的切斷方法。於專利文獻1之切斷方法中，首先，如圖10(a)所示，於由板玻璃構成之基板5的上表面設置鏡子形狀之切斷線LA。以該鏡子形狀之切斷線LA包圍之區域係製品部6。於製品部6以外之部分即端材部7，自鏡子形狀之四個角部附近，各自朝向基板5之角部放射狀地形成斷裂線LB。又，此時，於斷裂線LB與切斷線LA之間具有間隙。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第4938874號公報

[發明所欲解決之問題]

若使專利文獻1所揭示之斷裂線LB朝向製品部6之角部延長，則斷裂線LB與切斷線LA之角部交叉。圖10(b)、(c)分別為將圖10(a)之以一點鏈線所包圍的部分放大之圖。於此情形，若沿著斷裂線LB進行分斷，則如圖10(b)之虛線所示，有時會有於斷裂線LB上產生之裂紋(龜裂)超過製品部6之角部而伸展至製品部6之內部之情形。於此種情形時，自基板5切出之製品部6，很有可能於角部產生缺損。

或者，如圖10(c)所示，若於沿著斷裂線LB之分斷時，斷裂線LB上之裂紋伸展而到達製品部6之角部，則有時亦會有斷裂線LB上之裂紋以夾著角部之方式分成兩叉，以各自的裂紋與切斷線LA之直線部相連之方式伸展之情形。於此種情形時，恐有在製品部6之角部中，裂紋之滲透不充分，於被切出之製品部6之角部殘留端材部7之虞。

如上所述，於製品部產生缺損、殘留有端材部之一部分之狀態，由於影響到製品品質之低落，因此不佳。因此，必須以抑制於分斷後之製品部產生之缺損，並且於製品部不殘留端材部之方式，將製品部自基板切出。

鑒於前述課題，本發明之目的在於，提供一種可沿著形成於基板之刻劃線容易且良好地自基板分斷端材部之分斷方法。 [解決問題之技術手段]

本發明之第1態樣係關於將基板分斷之分斷方法。本態樣之分斷方法係於自母基板分割出之複數個基板之內側，將形成為周圍以端材部覆蓋之製品部，沿著主刻劃線自前述基板分斷，該主刻劃線係沿著前述製品部之輪廓形狀而形成，該分斷方法之特徵在於：前述主刻劃線，至少具有相互對向之兩個直線部與接續前述直線部之曲線部；該分斷方法包含：副刻劃線形成步驟，於前述端材部，在前述兩個直線部之延長線上，形成用以將前述端材部區分為複數個區域之副刻劃線；以及分斷步驟，沿著前述主刻劃線以及前述副刻劃線將前述端材部就每個前述區域進行分斷；於前述分斷步驟中，自前述複數個區域中、包含前述直線部與前述副刻劃線作為端緣之區域依序進行分斷。

根據本態樣之分斷方法，於基板之端材部，於主刻劃線之直線部之延長線上形成副刻劃線。因此，於主刻劃線之直線部產生之裂紋(龜裂)於分斷時伸展之方向，與沿著副刻劃線產生之裂紋於分斷時伸展之方向一致。據此，於分斷時，裂紋沿著主刻劃線以及副刻劃線良好地伸展。

又，藉由副刻劃線而端材部被區分為複數個區域，且自該等複數個區域中將前述副刻劃線與前述主刻劃線之直線部包含於端緣之區域被分斷。此種區域，係於副刻劃線裂開之方向被分斷。因此，於自基板分斷端材部時，若自將副刻劃線與主刻劃線之直線部包含於端緣之區域依序進行分斷，則由於不會有該區域與鄰接之區域或製品部摩擦之情況，因此能夠沿著主刻劃線以及副刻劃線，將製品部容易且良好地分斷。

進而，將副刻劃線與主刻劃線之直線部包含於端緣之區域，於分斷時容易握持。據此，於分斷步驟時，變得易於進行端材部之分斷。

於本態樣之分斷方法中，於前述副刻劃線形成步驟中，前述副刻劃線以連續於前述主刻劃線之方式形成。

根據本態樣之分斷方法，由於主刻劃線與副刻劃線連續，因此沿著各個刻劃線產生之裂紋之伸展更加滑順地進行。因此，能夠沿著主刻劃線及副刻劃線，更加容易且良好地將端材部就區分後之每個區域進行分斷，切出製品部。

於本態樣之分斷方法中，前述複數個區域中，包含前述直線部與前述副刻劃線以作為端緣之區域，構成為至前述基板之外周為止的寬度大於其他區域。

根據本態樣之分斷方法，於端材部中的複數個區域中，將副刻劃線與主刻劃線之直線部包含於端緣之區域，由於其至基板之外周為止的寬度較其他區域寬，因此易於握持。藉此，於分斷該區域時，能夠更加容易地進行分斷。

本態樣之分斷方法中，前述主刻劃線係構成為：具有往與前述兩個直線部不同之方向延伸之其他直線部，於藉由前述兩個直線部與前述其他直線部所形成之角部具有前述曲線部。

根據本態樣之分斷方法，若自將副刻劃線與主刻劃線之直線部包含於端緣之區域分斷，則殘留將主刻劃線之其他直線部包含於端緣之區域。於將該主刻劃線之其他直線部包含於端緣之區域，包含有曲線部。此種區域若將副刻劃線與主刻劃線之直線部包含於端緣之區域分斷，則鄰接於曲線部附近之區域消失。

因此，能夠於分斷將主刻劃線之其他直線部包含於端緣之區域時，在握持曲線部附近之狀態下分斷為製品部。據此，能夠抑制在曲線部產生之缺損。據此，能夠良好地保持製品部之品質。

於本態樣之分斷方法中，進而包含：輔助刻劃線形成步驟，沿著前述曲線部之切線方向形成輔助刻劃線。

根據本態樣之分斷方法，由於輔助刻劃線沿著曲線部之切線而形成，因此沿著輔助刻劃線產生之裂紋，與沿著曲線部產生之裂紋不相互干擾，裂紋得以伸展。據此，能夠更容易且良好地分斷包含曲線部之區域。 [發明之效果]

如上所述，根據本發明，可提供一種分斷方法，其能夠沿著形成於基板之刻劃線容易且良好地自基板分斷端材部。

本發明之效果及意義，藉由以下所示之實施形態之說明可更為明瞭。但是，以下所示之實施形態也僅是實施本發明時之一示例，本發明並不受到記載於以下之實施形態內容之任何限制。

以下，關於本發明之實施形態，參照圖式進行說明。此外，為方便起見，於各圖式中標註有相互正交之X軸、Y軸以及Z軸。Z軸表示鉛直方向中之上方以及下方。以下，上方以及下方分別係指Z軸正側以及Z軸負側。

＜實施形態1＞ 圖1係表示適用本實施形態之分斷方法之基板1，自母基板4被分割之樣子的示意圖。

如圖1所示，於母基板4形成複數個縱方向以及橫方向之刻劃線L。當母基板4沿著刻劃線L被分斷時，可得到複數個既定尺寸之分割單元1。於本實施形態中，從自母基板4切出之各分割單元1進一步切出製品部。以下，於本實施形態中，將分割單元1作為基板1來說明。

如圖1所示，基板1被區分為製品部2與端材部3。製品部2形成於基板1之內側。於圖1所示之製品部2之輪廓形狀係角部為圓角之矩形。沿著此種製品部2之輪廓形狀，形成用以切出製品部2之主刻劃線L1。

又，如圖1所示，於基板1之端材部3，為了自基板1容易且良好地分斷製品部2，而形成有副刻劃線L2。副刻劃線L2於製品部2之輪廓形狀中，形成於主刻劃線L1中、被對向配置之兩個直線部之延長線上。因此，副刻劃線L2形成於端材部3之四處。

圖1之主刻劃線L1以及副刻劃線L2，係藉由參照圖2來說明之基板分斷系統50之刻劃裝置20而形成。端材部3中之四個區域R1~R4藉由裂斷裝置30自基板1依序進行分斷，而製品部2自基板1被切出。關於四個區域R1~R4之分斷順序，則繼續參照圖4(a)~圖5(b)來詳細說明。

基板1例如係玻璃基板、低溫燒結陶瓷或高溫燒結陶瓷等之陶瓷基板、矽基板、化合物半導體基板、藍寶石基板、石英基板等之脆性材料基板。或者，亦可為基板1係於表面或內部附著或含有非脆性材料之薄膜、或半導體材料者。進而，基板1亦可為兩片基板貼合而成之貼合基板。貼合基板例如可列舉於一方之基板形成有濾色片(CF，color filter)，於另一方之基板形成有薄膜電晶體(TFT，thin film transistor)者。

圖2係用以分斷基板1之基板分斷系統50的示意圖。此外，於圖2中，圖示有形成主刻劃線L1及副刻劃線L2前的基板1設於刻劃裝置20，且分別形成主刻劃線L1及副刻劃線L2之情形。

如圖2所示，基板分斷系統50具備搬送裝置10、刻劃裝置20、裂斷裝置30、及控制部40。

搬送裝置10將基板1搬送至刻劃裝置20及裂斷裝置30。搬送裝置10具備保持部11、機器手臂12、以及回旋構件13。保持部11保持基板1。於保持部11之下表面設有吸附部11a。當吸附部11a抵接於基板1之表面，自未圖示之壓力調整部施加負壓於吸附部11a時，基板1被吸附於吸附部11a。如上所述，保持部11保持基板1。

機器手臂12，臂之一方之端部可於三維空間移動。於機器手臂12之一方之端部設有上述保持部11。機器手臂12將以保持部11保持之基板1設置於刻劃裝置20及裂斷裝置30之既定的位置。

回旋構件13設於保持部11之上方，使保持部11於X－Y平面上回旋。藉此，以保持部11保持之基板1回旋。例如，於機器手臂12搬送基板1至刻劃裝置20時，藉由回旋構件13使保持部11於X－Y平面上移動，藉此將形成主刻劃線L1之區域設置於適當之位置。

刻劃裝置20藉由於基板1照射雷射光，而於基板1形成主刻劃線L1以及副刻劃線L2。刻劃裝置20具備兩個刻劃頭21，該兩個刻劃頭21配置為上下對向。兩個刻劃頭21構成為可在X－Y平面上移動。當藉由機器手臂12於兩個刻劃頭21之間設置基板1之端材部3時，兩個刻劃頭21分別一邊沿著主刻劃線L1以及副刻劃線L2移動，一邊朝向基板1之上表面及下表面照射雷射光。

如上所述，當於基板1照射雷射光時，於雷射光被聚光之部分產生極細微之龜裂。使此種龜裂沿著既定之線繼續地產生而使基板1脆弱化。於基板1產生之龜裂被稱為「加工痕」。若藉由接下來說明之裂斷裝置30施加衝擊於端材部3，則於加工痕產生更深的龜裂，該龜裂沿著主刻劃線L1及副刻劃線L2伸展。

此外，照射之雷射光之波長，根據基板1之種類、厚度、尺寸等，設定為如於基板1之內部的聚光位置產生非線性吸收之適當的波長。於實施形態1，例如對於玻璃基板使用1064nm之紅外光(IR)。又，刻劃頭21亦可為一條，亦可僅於基板1之一面照射雷射光。

裂斷裝置30，沿著藉由刻劃裝置20而形成之主刻劃線L1及副刻劃線L2分斷基板1。裂斷裝置30具備握持部31a、31b、及旋動部32。

握持部31a、31b夾持端材部3。具體而言，於下側握持部31a上載置有端材部3後，上側之握持部31b下降而夾持端材部3。

旋動部32係於上下方向可旋動之構件。於旋動部32設置有握持部31a、31b。若於以握持部31a、31b夾持端材部3之狀態下旋動部32往下方旋動，則端材部3中之四個區域R1~R4自基板1依序被分斷。

控制部40具備CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)等之運算處理電路、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)及RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)等之儲存媒體。控制部40依照儲存於儲存媒體之程式來控制各部。

其次，針對使用了上述基板分斷系統50之基板1的分斷方法進行說明。

圖3係表示用以自基板1分斷端材部3而切出製品部2之分斷方法的流程圖。

如圖3所示，基板1之分斷方法係藉由以下步驟來完成：沿著製品部2之輪廓形狀形成主刻劃線L1之主刻劃線形成步驟(S11)、於端材部3形成副刻劃線L2之副刻劃線形成步驟(S12)、以及沿著主刻劃線L1及副刻劃線L2將端材部3中之區域R1~R4自基板1依序進行分斷而得到製品部2之分斷步驟(S13)。此外，搬送裝置10、刻劃裝置20、以及裂斷裝置30之動作，藉由控制部40而被控制。

上述步驟S11~S13中、步驟S11、S12之步驟，藉由刻劃裝置20而進行。於步驟S11之主刻劃線形成步驟中，控制部40藉由使基板1之製品部2吸附於搬送裝置10之吸附部11a，而使基板1保持於保持部11。控制部40藉由機器手臂12使基板1搬送至刻劃裝置20。

機器手臂12將基板1中之製品部2的形成對象區域設置於兩個刻劃頭21之間。其後，基板1被上下之刻劃頭21於基板1之上表面及下表面照射雷射光。藉此，沿著雷射光之照射軌跡形成加工痕。如此，沿著基板1之製品部2之輪廓形狀，形成主刻劃線L1(參照圖1)。

於步驟S12之副刻劃線形成步驟中，藉由刻劃裝置20，而於端材部3形成副刻劃線L2。此處，針對副刻劃線L2之形成，參照圖4(a)、(b)而詳細地進行說明。

圖4(a)、(b)分別係針對基板1之端材部3中之副刻劃線L2之形成加以說明之示意圖。此外，主刻劃線L1以實線表示，副刻劃線L2以虛線表示。

如圖4(a)所示，沿著製品部2之形狀，於基板1之內側形成有主刻劃線L1。又，主刻劃線L1中、於X軸方向相互對向之兩個直線部，係直線部L11、L12，於Y軸方向相互對向之兩個直線部，係直線部L13、L14。進而，與直線部L11相鄰之曲線部係曲線部L15、L16，與直線部L12相鄰之曲線部係曲線部L17、L18。

副刻劃線L2之形成，係於在主刻劃線L1對向配置之兩個直線部之延長線上被形成。例如，如圖4(a)所示，於直線部L11之延長線上形成副刻劃線L21、L22，於直線部L12之延長線上形成副刻劃線L23、L24。此時，副刻劃線L21、L22亦可為以副刻劃線L21、L22各自之端部與直線部L11連續之方式，形成於直線部L11之延長線上。直線部L12與副刻劃線L23、L24亦同樣。

若如上所述形成有副刻劃線L21~L24，則端材部3被區分為區域R1~R4。於圖4(a)中，區域R1、R2各自之到直線部L11、L12與基板1之外周為止的距離(寬度W1)相等。也就是，區域R1中的直線部L11與基板1之端緣1a的寬度，以及區域R2中的直線部L12與基板1之端緣1b的寬度相等。又，區域R3、R4各自之到直線部L13、L13與基板1之外周為止的距離(寬度W2)相等。也就是，區域R3中的直線部L13與基板1之端緣1c的寬度，以及區域R4中的直線部L14與基板1之端緣1d的寬度相等。於圖4(a)中，寬度W1大於寬度W2。

副刻劃線L2之形成，亦可係對與圖4(a)相同的基板1，如圖4(b)所示，於直線部L13之延長線上形成兩條副刻劃線L21、L23，於直線部L14之延長線上形成兩條副刻劃線L22、L24。

以下，關於步驟S13中之基板1之分斷，參照圖5(a)~(c)詳細地說明。

圖5(a)~(c)係示意性地表示基板1之分斷方法中、於步驟S13端材部3之區域R1~R4被分斷之樣子的圖。此外，於圖5(a)~(c)中分斷對象之基板1，係與上述圖4(a)之基板1相同之尺寸及形狀，且形成於基板1之製品部2也就是主刻劃線L1(直線部L11~L14、曲線部L15~L18)亦相同。

當在步驟S11、S12中形成主刻劃線L1(直線部L11~L18、曲線部L15~L18)及副刻劃線L21~L24時，控制部40使搬送裝置10搬送基板1至裂斷裝置30。此時，搬送裝置10於裂斷裝置30之握持部31a上載置端材部3之區域R1。而且，控制部40使握持部31b下降而抵接於區域R1之上表面。於該狀態，使旋動部32往下方旋動(參照圖2)。藉此，沿著直線部L11、副刻劃線L21、L22分斷區域R1。控制部40使握持部31a、31b放開，讓端材部3落下。此時，亦可於端材部3之正下方設置回收容器，回收區域R1。

當區域R1被分斷時，控制部40使握持部31b上升而回到初始位置，於握持部31a之上表面可載置接下來將分斷之區域R2。然後，與區域R1同樣地，沿著直線部L12、副刻劃線L23、L24而分斷區域R2。圖5(b)顯示該狀態。

如圖5(b)所示，於步驟S13，從將副刻劃線L21、L22與直線部L11包含於端緣之區域R1、以及將副刻劃線L23、L24與直線部L12包含於端緣之區域R2分斷。此外，區域R1與區域R2，形狀及尺寸相同，因此亦可先從區域R2分斷。

其後，與上述相同地，將區域R3、R4分斷。圖5(c)表示該狀態。以如上所述之方式，從基板1分斷區域R1~R4即端材部3，製品部2被切出。從基板1分斷出端材部3後，控制部40使機器手臂12搬送基板1之製品部2至既定之處。以如上所述之方式，自基板1分斷端材部3之一系列步驟結束。

此處，如上所述，於步驟S13中，從區域R1、R2被分斷。區域R1、R2於分斷時，於副刻劃線L21、L22以及副刻劃線L23、L24裂開之方向被分斷。

相對於此，區域R3、R4之各自的直線部L13、L14之各個與副刻劃線L21~L24不包含在同一端緣。因此，例如若區域R3先被分斷，則區域R3所包含之副刻劃線L21、L23在與鄰接之區域R1、R2的邊界相互摩擦。藉此，恐有在區域R1與區域R3、以及區域R2與區域R3之邊界中產生缺損或殘留(殘餘)之虞。在此方面，區域R4亦相同。

因此，從不產生如上所述之缺損或殘留之方面來看，於本實施形態中，端材部3從將主刻劃線L1之直線部與副刻劃線包含於端緣之區域被分斷。

因此，於圖4(b)之基板1之情形，區域R3、R4先被分斷，區域R3、R4被分斷後，區域R1、R2再被分斷。

＜實施形態1之效果＞ 如圖4(a)及圖5(a)所示，於直線部L11、L12之延長線上形成副刻劃線L2。因此，於直線部L11、L12產生之裂紋(龜裂)在分斷時伸展之方向、與沿著副刻劃線L2產生之裂紋在分斷時伸展之方向一致。

具體而言，例如如圖4(a)所示，於在直線部L11之延長線上形成有副刻劃線L21、L22之情形時，副刻劃線L21自基板1之外周亦即基板1之端緣1c開始裂紋之滲透，沿著副刻劃線L21向直線部L11伸展。副刻劃線L22亦同樣地，自基板1之端緣1d開始裂紋之滲透，沿著副刻劃線L22向直線部L11伸展。

該伸展方向沿著直線部L11之延長線，因此副刻劃線L21、L22之裂紋的伸展，將不會另外分歧，自副刻劃線L21、L22之終端朝直線部L11滑順地移行。藉此，於直線部L11中裂紋之進展順利地進行，區域R1被適當地分斷。在此方面，直線L12亦相同。

如上所述，於副刻劃線L21、L22以及副刻劃線L23、L24之各個產生之裂紋，沿著副刻劃線L21、L22以及副刻劃線L23、L24往直線部L11、L12良好地伸展。

又，如上所述，被認為於在直線部L11裂紋良好地伸展時，以於直線部L11附近之曲線部L15亦使裂紋進展之方式發揮作用，於曲線部L15之一部分裂紋進展而成為易於分斷曲線部之狀態。於此方面，曲線部L16亦相同。又，於分斷直線部L12時之曲線部L17、18亦相同。藉此，於分斷區域R3及R4時，曲線部L15~L18之分斷變得容易。

據此，能夠將端材部3之區域R1~R4容易且良好地分斷。藉此，於將製品部2自基板1切出時，能夠抑制於製品部2產生之缺損。

又，以副刻劃線L21、L22之各個的端部與直線部L11連續之方式，副刻劃線L21、L22形成於直線部L11之延長線上之情形時，沿著副刻劃線L21、L22產生之裂紋往直線部L11更良好地伸展。藉此，於將製品部2自基板1切出時，能夠抑制於製品部2產生之缺損。直線部L12、副刻劃線L23、L24亦相同。

又，如圖4(a)、圖5(a)~(c)所示，端材部3之四個區域R1~R4中，於分斷步驟(S13)被分斷之順序，為區域R1、R2、R3、R4之順序。於圖4(a)中，區域R1係將副刻劃線L21、L22與直線部L11包含於端緣之區域。區域R1於分斷時，於副刻劃線L21、L22裂開之方向被分斷。區域R2亦相同，於副刻劃線L23、L24裂開之方向被分斷。

相對於此，將區域R3較區域R1、R2先分斷之情形時，在副刻劃線L21、L23與鄰接之區域R1、R2之邊界相互摩擦。藉此，恐有區域R1與區域R3、以及區域R2與區域R3之邊界中產生缺損或殘留之虞。在此方面，區域R4亦相同。

因此，端材部3自具有包含主刻劃線L1之直線部與副刻劃線L2之端緣之區域被分斷。

又，如圖4(a)、(b)所示，副刻劃線L21~L24以連續於直線部L11、L12之方式形成。因此，分斷時，沿著副刻劃線L21~L24以及直線部L11、L12，裂紋更良好地伸展。

因此，可沿著直線部L11~L14、曲線部L15~L18、以及副刻劃線L21~L24更容易且良好地將端材部3就每個區域R1~R4進行分斷，切出製品部2。

又，如圖3、圖4(a)、圖5(a)~(c)所示，於分斷步驟(S13)中，藉由副刻劃線L2區分出之區域R1~R4中、先被分斷之區域R1，其直線部L11與端緣1a之寬度W1較區域R3中之直線部L13與端緣1c之寬度W2大。

如上所述，直線部與到基板1之外周為止的距離較大之區域，較其他區域易於握持。藉此，若自此種區域分斷，則區域R1~R4之分斷效率提高。

因此，例如，於圖4(b)所示之基板1，與圖4(a)之基板1不同，將副刻劃線L21、L23與直線部L13包含於端緣之區域R3、以及將副刻劃線L22、L24與直線部L14包含於端緣之區域R4，其直線部與到基板1之外周為止的距離較區域R1、R2小。據此，如圖4(a)所示，較佳為設置副刻劃線L21~L24。

如圖4(a)所示，製品部2之主刻劃線L1，具有於直線部L11、L12與直線部L13、L14之間所形成之角部被形成為曲線狀的曲線部L15~L18。通常於沿著製品部2所形成之主刻劃線L1中，如上所述之曲線部L15~L18之附近，會於分斷時易於產生缺損，對於製品部2之品質造成影響。

於該方面，基板1之分斷方法中，自將直線部L11與副刻劃線L21、L22包含於端緣之區域R1、以及將直線部L12與副刻劃線L23、L24包含於端緣之區域R2先分斷。也就是，於分斷包含曲線部L15、L17之區域R3、以及包含曲線部L16、L18之區域R4時，沒有鄰接於區域R3、R4之區域。

藉此，可於分斷區域R3時，在將曲線部L15、L17附近握持之狀態下分斷製品部2。據此，可於區域R3抑制在曲線部L15、L17產生之缺損。於此方面，區域R4亦相同。藉此，可良好地保持製品部2之品質。

＜變更例1＞ 於上述實施形態1中，如圖4(a)、圖5(a)~(c)所示，可容易分斷包含主刻劃線L1之曲線部L15、L17之區域R3、以及包含曲線部L16、L18之區域R4。

於變更例1中，為了使在曲線部L15~L18附近之分斷更順利地進行，也可進一步區分包含曲線部L15~L18之區域。

圖6(a)係表示變更例1之基板1之分斷方法的流程圖。此外，進行分斷之基板1，與圖4(a)及圖5(a)所示之基板1相同。

如圖6(a)所示，變更例之基板1之分斷方法藉由以下步驟來完成：於基板1沿著製品部2之輪廓形狀形成主刻劃線L1之主刻劃線形成步驟(S21)、於端材部3形成副刻劃線L2之副刻劃線形成步驟(S22)、沿著主刻劃線L1及副刻劃線L2將端材部3中之區域R1~R4自基板1依序進行分斷之分斷步驟(S23)、於包含曲線部L15~L18之區域進一步形成輔助刻劃線L3之步驟(S24)、以及將沿著輔助刻劃線L3形成之區域分斷之再分斷步驟(S25)。

上述之步驟中，步驟S21、S22與圖3之步驟S11、S12相同，因此省略說明。又，於步驟S23中，區域R1、R2之分斷與圖3之步驟S13相同，因此省略說明。

於圖6(a)之步驟S24中，於區域R3形成輔助刻劃線L3。此時，控制部40藉由機器手臂12使基板1(除去了區域R1、R2之基板1。)搬送至刻劃裝置20。機器手臂12，將供形成輔助刻劃線L3之對象區域，設於兩個刻劃頭21之間。其後，基板1自上下之刻劃頭21往基板1之上表面以及下表面被照射雷射光。

其次，針對輔助刻劃線L3之形成進行說明。於以下之說明中，針對區域R3、R4中的區域R3進行說明。

圖6(b)係於區域R3中顯示輔助刻劃線L3之示意圖。圖6(c)係曲線部L15附近之放大圖。此外，於圖6(c)中，輔助刻劃線L3以虛線表示。

如圖6(b)、(c)所示，於曲線部L15之切線上，形成輔助刻劃線L3。同樣地，於曲線部L17之切線上，形成輔助刻劃線L3。若如上所述，於區域R3形成輔助刻劃線L3，則區域R3被進一步區分為三個區域R5~R7。

如上所述之輔助刻劃線L3之形成，在區域R4亦相同。

若如上所述，於區域R3形成輔助刻劃線L3，則於步驟S25中，對區域R3進行再分斷步驟。具體而言，如圖6(b)、(c)所示，首先，於區域R3中包含端緣1c之區域R5、R6先被分斷。區域R5、R6於輔助刻劃線L3裂開之方向分斷，又，由於區域之面積也還大，因此易於握持。因此，自區域R5、R6先被分斷，其次再分斷區域R7。

上述之分斷，於區域R4亦相同。以如此之方式，可自基板1分斷全部的端材部3，獲得製品部2。

若如上所述，於區域R3，在曲線部L15之切線上形成輔助刻劃線L3，則於分斷時，沿著輔助刻劃線L3所產生之裂紋不干擾沿著曲線部L15所產生之裂紋而伸展，向曲線部L15延續。於曲線部L15，於最初之分斷步驟(S23)中產生之直線部L11附近之裂紋一邊進一步向基板1之厚度方向滲透，一邊往直線部L13伸展。藉此，可良好地分斷曲線部L15附近。於此方面，在區域R3中所包含之曲線部L17、以及在區域R4中所包含之曲線部L16、L18中亦相同。

據此，可抑制於曲線部L15~L18產生缺損或端材部3之殘留，容易且良好地分斷區域R3、R4。

此外，上述變更例1中，於曲線部L15~L18之切線上形成了輔助刻劃線L3，但輔助刻劃線L3之形成並不限於此。例如，與副刻劃線L2同樣地，亦可於直線部L13、L14之延長線上形成。輔助刻劃線L3，根據基板1之厚度、尺寸或者曲線部之曲率半徑而適當地形成。

＜變更例2＞ 圖7(a)、(b)分別係於變更例2之分斷方法中，對副刻劃線L2之形成進行說明之示意圖。

於上述實施形態1中，如圖4(a)、(b)所示，在端材部3之區域R1~R4中，區域R1、R2之直線部與到基板之外周為止的距離(寬度W1)和區域R3、R4之直線部與到基板之外周為止的距離(寬度W2)不同，但如圖7(a)所示，亦可於區域R1~R4中，直線部L11~L14之各個與到基板1之外周為止的距離(寬度W3)皆相同。

如圖7(a)所示，於直線部L11~L14之各個與到基板1之外周為止的距離(寬度W3)皆相同之情形時，亦與上述同樣地，從包含端緣部之區域開始分斷，該區域係將主刻劃線L1之直線部與副刻劃線L2配置於一直線上。

例如，於圖7(a)中，以虛線表示之副刻劃線L21~L24形成於端材部3之情形時，自包含直線部L11、副刻劃線L21、L22之區域R1，以及包含直線部L12、副刻劃線L23、L24之區域R2開始被分斷。區域R1、R2被分斷後，包含曲線部L15~L18之區域R3、R4被分斷。

又，於圖7(a)中，在形成了以一點鏈線表示之副刻劃線L21~L24之情形時，自包含直線部L13、副刻劃線L21、L23之區域R3，以及包含直線部L14、副刻劃線L22、L24之區域R4開始被分斷。區域R3、R4被分斷後，包含曲線部L15、L16之區域R1、及包含曲線部L16、L18之區域R2被分斷。

又，亦可為區域R1~R4之各個的、直線部L11~L14之各自與到基板1之外周為止的距離皆不同。例如，如圖7(b)所示，於直線部L13與端緣1c之距離(寬度W4)、直線部L14與端緣1d之距離(寬度W5)、直線部L11與端緣1a之距離(寬度W6)、以及直線部L12與端緣1b之距離(寬度W7)中之大小為W4＞W5＞W6＞W7之情形時，在直線部L13之延長線上形成副刻劃線L21、L22，在直線部L14之延長線上形成副刻劃線L23、L24。

如上所述，於在端材部3形成了副刻劃線L21~L24之情形時，藉由副刻劃線L21~L24而被區分之區域R1~R4中、直線部與到基板之外周的距離(寬度)大之區域即區域R3(寬度W4)最開始被分斷。繼而，依照區域R4、R1、R2之順序被分斷。

＜變更例3＞ 於上述實施形態1以及變更例1、2中，製品部2之輪廓形狀為矩形。於變更例2中，針對具有矩形形狀外之輪廓形狀的製品部2進行說明。

圖8(a)、(b)分別表示製品部2之輪廓形狀為梯形之情形，副刻劃線L51~L54之形成處相互不同。於圖8(a)、(b)中，副刻劃線L51~L54以虛線表示。

如圖8(a)所示，主刻劃線L4於角部形成曲線部L45~L48(圖3之S11)，該角部係藉由對向配置之兩個直線部L41、L42與直線部L43、L44而形成。

於直線部L41、L42之延長線上，分別形成副刻劃線L51、L52、及L53、L54，端材部3被區分為區域R1~R4(圖3之S12)。

於分斷基板1之情形時，與上述實施形態1同樣地，自將直線部L41、副刻劃線L51、L52包含於端緣之區域R3，以及將直線部L42、副刻劃線L53、L54包含於端緣之區域R4先被分斷(圖3之S13)。

於區域R3，副刻劃線L51、L52於分斷時在裂開之方向被分斷。區域R4亦相同。因此，與自區域R1、R2分斷之情形相比，不與鄰接之區域摩擦。據此，可抑制在製品部2產生缺損或端材部3之殘留，而良好地進行分斷。

或者，如圖8(b)所示，亦可為於直線部L43、L44之延長線上，分別形成有副刻劃線L51、L53以及L52、L54。於此情形，自將直線部L43與副刻劃線L51、L53包含於端緣之區域R1，以及將直線部L44與副刻劃線L52、L54包含於端緣之區域R2先被分斷。

圖9(a)係表示製品部2的輪廓形狀為矩形，但一個端緣形成為曲線狀之情形。圖9(b)係於圖9(a)之製品部2之輪廓形狀中，與形成為曲線狀之端緣對向配置之端緣，亦形成為曲線狀之情形。

如圖9(a)所示，主刻劃線L4於角部形成曲線部L45~L48(圖3之S11)，該角部係藉由對向配置之兩個直線部L41、L42與對向配置之直線部L43及直線部L44而形成。

即便是如圖9(a)所示之製品部2之形狀，也於直線部L41、L42之延長線上形成副刻劃線L51、L52以及L53、L54，端材部3被區分為區域R1~R4(圖3之S12)。

於分斷基板1之情形時，與上述實施形態1同樣地，自將直線部L41、副刻劃線L51、L52包含於端緣之區域R3，以及將直線部L42、副刻劃線L53、L54包含於端緣之區域R4先被分斷(圖3之S13)。

又，如圖9(b)所示，亦可為於圖9(a)中直線部L44形成為曲線狀。即使是此種主刻劃線L4，亦與上述同樣地形成副刻劃線L51~L54，且被區分為區域R1~R4。然後，就每個區域分斷，製品部2被切出。

＜其他之變更例＞ 於上述實施形態1以及變更例1~3中，主刻劃線L1、L4或副刻劃線L2、L5，或者輔助刻劃線L3係使用雷射光來形成。這是由於例如於端材部3之尺寸較小之情形時，難以利用刀尖，尤其是在主刻劃線L1形成曲線部L15~L18、L45~L48。

另一方面，於端材部3之尺寸大、且曲線部L15~L18、L45~L48附近之面積亦大之情形時，亦可不使用雷射光而使用刀尖來形成各刻劃線。又或者，亦可為藉由雷射光形成曲線部L15~L18、L45~L48，其他部分則使用刀尖來形成直線狀之主刻劃線L1、L4。

又，亦可構成為將自刻劃裝置20之刻劃頭21照射之雷射光之功率適當地變更，例如，於將圖1所示之主刻劃線L1形成於基板1時，亦可以如下方式調整雷射光之輸出，即，形成曲線部L15~L18、L45~L48中之曲線部分之刻劃線時，較形成直線部L11~L14時，雷射光之功率變大。

關於其他，本發明之實施形態，係於申請專利範圍所示之技術性思想的範圍內可適當地做各種的變更。

1、5:基板 1a、1b、1c、1d:端緣 2、6:製品部 3、7:端材部 4:母基板 10:搬送裝置 11:保持部 11a:吸附部 12:機器手臂 13:回旋構件 20:刻劃裝置 30:裂斷裝置 31a、31b:握持部 32:旋動部 40:控制部 50:基板分斷系統 L1、L4:主刻劃線 L2、L5:副刻劃線 L11、L12、L13、L14:直線部 L21、L22、L23、L24:副刻劃線 L15、L16、L17、L18:曲線部 L41、L42、L43、L44:直線部 L45、L46、L47、L48:曲線部 L51、L52、L53、L54:副刻劃線 L3:輔助刻劃線 LA:切斷線 LB:斷裂線 R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7:區域 W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7:寬度

[圖1]圖1係說明適用本實施形態之分斷方法之基板的示意圖。 [圖2]圖2係執行本實施形態之分斷方法之基板分斷系統之概略構成圖。 [圖3]圖3係表示本實施形態之分斷方法的流程圖。 [圖4]圖4(a)、(b)分別係針對本實施形態之分斷方法中、副刻劃線之形成進行說明的示意圖。 [圖5]圖5(a)~(c)係將本實施形態之分斷方法中，端材部之區域分斷之樣子示意性地表示之圖。 [圖6]圖6(a)係表示變更例1之分斷方法的流程圖。圖6(b)係說明變更例1之副刻劃線之形成的示意圖。圖6(c)係圖6(b)之局部放大圖。 [圖7]圖7(a)、(b)分別係針對變更例2之分斷方法中、副刻劃線之形成進行說明的示意圖。 [圖8]圖8(a)、(b)分別係針對另一變更例之分斷方法中、副刻劃線之形成進行說明的示意圖。 [圖9]圖9(a)、(b)分別係針對又另一變更例之分斷方法中、副刻劃線之形成進行說明的示意圖。 [圖10]圖10(a)係用以說明習知技術之示意圖。圖10(b)、(c)分別係圖10(a)之局部放大圖。

Claims (9)

1. 一種分斷方法，其於自母基板分割出之複數個基板之內側，將形成為周圍以端材部覆蓋之製品部，沿著主刻劃線自前述基板分斷，該主刻劃線係沿著前述製品部之輪廓形狀而形成，該分斷方法的特徵在於： 前述主刻劃線，至少具有相互對向之兩個直線部與接續前述直線部之曲線部； 該分斷方法包含： 副刻劃線形成步驟，於前述端材部，在前述兩個直線部之延長線上，形成用以將前述端材部區分為複數個區域之副刻劃線；以及 分斷步驟，沿著前述主刻劃線以及前述副刻劃線將前述端材部就每個前述區域進行分斷； 於前述分斷步驟中，自前述複數個區域中、包含前述直線部與前述副刻劃線作為端緣之區域依序進行分斷。
2. 如請求項1所述之分斷方法，其中， 於前述副刻劃線形成步驟中，前述副刻劃線以連續於前述主刻劃線之方式形成。
3. 如請求項1或2所述之分斷方法，其中， 前述複數個區域中、包含前述直線部與前述副刻劃線以作為端緣之區域，到前述基板之外周為止的寬度較其他區域大。
4. 如請求項1或2所述之分斷方法，其中， 前述主刻劃線具有往與前述兩個直線部不同之方向延伸的其他直線部，於藉由前述兩個直線部與前述其他直線部而形成之角部具有前述曲線部。
5. 如請求項3所述之分斷方法，其中， 前述主刻劃線具有往與前述兩個直線部不同之方向延伸的其他直線部，於藉由前述兩個直線部與前述其他直線部而形成之角部具有前述曲線部。
6. 如請求項1或2所述之分斷方法，其還包含： 輔助刻劃線形成步驟，沿著前述曲線部之切線方向形成輔助刻劃線。
7. 如請求項3所述之分斷方法，其還包含： 輔助刻劃線形成步驟，沿著前述曲線部之切線方向形成輔助刻劃線。
8. 如請求項4所述之分斷方法，其還包含： 輔助刻劃線形成步驟，沿著前述曲線部之切線方向形成輔助刻劃線。
9. 如請求項5所述之分斷方法，其還包含： 輔助刻劃線形成步驟，沿著前述曲線部之切線方向形成輔助刻劃線。

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