TW202111810A - 擋門機構及基板處理裝置 - Google Patents

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茂木卓
佐佐木信峰
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可擴大開口部，並且能夠以均勻之力壓抵閥體之擋門機構及基板處理裝置。 擋門機構係將基板處理裝置之圓筒狀腔室之開口部開啟及關閉者，且具有閥體與升降機構。閥體具有腔室之內周中之一半以上之長度。升降機構係連接於閥體之下部，使閥體升降之2個以上之升降機構。

Description

擋門機構及基板處理裝置
本發明係關於一種擋門機構及基板處理裝置。
先前，已知一種對作為半導體元件用之被處理基板之晶圓實施所需之電漿處理之電漿處理裝置。電漿處理裝置例如具備收容晶圓之腔室，腔室內配置有載置晶圓且作為下部電極發揮功能之載置台及與載置台相對向之上部電極。又，於載置台及上部電極之至少一者連接有高頻電源，載置台及上部電極對處理室內空間施加高頻電力。於電漿處理裝置中，藉由高頻電力使供給至處理室內空間之處理氣體成為電漿而產生離子等，將所產生之離子等導入至晶圓，對晶圓實施所需之電漿處理、例如蝕刻處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-126197號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種可擴大開口部，並且能夠以均勻之力壓抵閥體之擋門機構及基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明之一形態之擋門機構係將基板處理裝置之圓筒狀腔室之開口部開啟及關閉者，且具有閥體與升降機構。閥體具有腔室之內周中之一半以上之長度。升降機構係連接於閥體之下部，使閥體升降之2個以上之升降機構。 [發明之效果]
根據本發明，可擴大開口部，並且能夠以均勻之力壓抵閥體。
以下，基於附圖對所揭示之擋門機構及基板處理裝置之實施方式進行詳細說明。再者，揭示技術並不限定於以下之實施方式。
於電漿處理裝置中，腔室之側壁設置有用於將半導體晶圓搬入、搬出之開口部，且配置有將開口部開啟及關閉之閘閥。藉由閘閥之開啟及關閉進行半導體晶圓之搬入及搬出。於腔室內，沿腔室之內壁設置有防止蝕刻副產物(積存物)附著之積存物遮罩，對準腔室之開口部之位置，於積存物遮罩上亦設置有開口部。
閘閥配置於腔室之外側(搬送室側)，故而形成有開口部向搬送室側突出之空間。若腔室內所產生之電漿擴散至開口部之空間，則電漿之均勻性變差，或因該電漿而使閘閥之密封構件劣化。因此，腔室及積存物遮罩之開口部以被擋門阻斷之方式構成。又，擋門係例如擋門之驅動部配置於開口部之下方，藉由驅動部進行開關驅動。
然而，近年來，要求自腔室之開口部搬送超過晶圓之外徑之腔室內零件等，且要求開口部之擴大及擋門之閥體之大型化。然而，若使擋門之閥體大型化，則存在閥體與壓抵閥體之積存物遮罩之接觸面積增加，無法充分確保閥體與積存物遮罩之間之導通之情形。因此，期待可擴大開口部，並且以均勻之力壓抵閥體。
[基板處理裝置之構成] 圖1係表示本發明之一實施方式之基板處理裝置之一例的圖。再者，以下，以基板處理裝置為電漿處理裝置之情形為例進行說明，但並不限定於此，亦可為具有擋門構件之任意基板處理裝置。
於圖1中，電漿處理裝置1構成為電容耦合型平行板電漿蝕刻裝置，例如，具備含有表面經氧化鋁膜處理(陽極氧化處理)之鋁的圓筒形腔室(處理室)10。腔室10係安全接地。但並不限定於此，電漿處理裝置1不限於電容耦合型平行板電漿蝕刻裝置，亦可為感應耦合電漿ICP(Inductively Coupled Plasma)、微波電漿、磁控電漿等任意形式之電漿處理裝置。
於腔室10之底部經由陶瓷等絕緣板11配置有圓柱狀之基座支持台12，該基座支持台12上配置有導電性之例如包含鋁等之基座13。基座13具有作為下部電極發揮功能之構成，載置要被實施蝕刻處理之基板、例如作為半導體晶圓之晶圓W。
於基座13之上表面配置有用於以靜電吸附力保持晶圓W之靜電吸盤(ESC)14。靜電吸盤14包括包含導電膜之電極板15及夾持電極板15之一對絕緣層、例如Y2 O3 、Al2 O3 、AlN等介電體，直流電源16經由連接端子電性連接於電極板15。該靜電吸盤14藉由來源於由直流電源16所施加之直流電壓之庫倫力或約翰遜-拉貝克(Johnsen-Rahbek)力對晶圓W進行吸附保持。
又，在靜電吸盤14之上表面供吸附保持晶圓W之部分，配置有作為自靜電吸盤14之上表面自由突出之頂起銷的複數個襯套銷(例如3個)。該等襯套銷經由滾珠螺桿(未圖示)連接於馬達(未圖示)，因藉由滾珠螺桿轉換為直線運動之馬達之旋轉運動，自靜電吸盤14之上表面自由突出。藉此，襯套銷貫穿靜電吸盤14及基座13，於內側空間突出沒入上下移動。於對晶圓W實施蝕刻處理之情形時，靜電吸盤14吸附保持晶圓W時，襯套銷收容於靜電吸盤14。將實施了蝕刻處理之晶圓W自電漿產生空間S搬出時，襯套銷自靜電吸盤14突出，使晶圓W離開靜電吸盤14而向上方抬起。
於基座13之周圍上表面配置有用於提高蝕刻之均勻性之例如包含矽(Si)之邊緣環17，於邊緣環17之周圍配置有保護邊緣環17之側部之蓋環54。又，基座13及基座支持台12之側面被例如包含石英(SiO2 )之圓筒狀構件18覆蓋。
於基座支持台12之內部配置有例如向圓周方向延伸之冷媒室19。對於冷媒室19，自外部安裝之冷卻器單元(未圖示)經由配管20a、20b循環供給特定溫度之冷媒、例如冷卻水。冷媒室19藉由冷媒之溫度控制基座13上之晶圓W之處理溫度。
又，將傳熱氣體、例如氦(He)氣自傳熱氣體供給機構(未圖示)經由氣體供給線21供給至靜電吸盤14之上表面與晶圓W之背面之間，藉此高效率且均勻地控制晶圓W與基座13之熱傳導。
於基座13之上方以與基座13平行且相對向之方式配置有上部電極22。此處，基座13與上部電極22之間所形成之空間作為電漿產生空間S(處理室內空間)發揮功能。上部電極22包括：與基座13隔開特定間距而對向配置之環狀或甜甜圈形狀之外側上部電極23、及於外側上部電極23之半徑方向內側與外側上部電極23絕緣配置之圓板形狀之內側上部電極24。又，電漿產生具有外側上部電極23為主、內側上部電極24為輔之關係。
於外側上部電極23與內側上部電極24之間形成有例如0.25～2.0 mm之環狀間隙(gap)，間隙中配置有例如包含石英之介電體25。又，亦可於該間隙中配置陶瓷體代替包含石英之介電體25。藉由外側上部電極23與內側上部電極24夾持介電體25而形成電容器。電容器之電容C1視間隙之大小與介電體25之介電常數而選定或調整為期望值。又，於外側上部電極23與腔室10之側壁之間氣密地配置有例如包含氧化鋁(Al2 O3 )或氧化釔(Y2 O3 )之環狀之絕緣性遮蔽構件26。
外側上部電極23較佳為包含焦耳熱較少之低電阻導電體或半導體、例如矽。於外側上部電極23上經由上部整合器27、上部饋電棒28、連接器29及饋電筒30電性連接有上部高頻電源31。上部整合器27以如下方式發揮功能：使負載阻抗與上部高頻電源31之內部(或輸出)阻抗整合，腔室10內產生電漿時，上部高頻電源31之輸出阻抗與負載阻抗明顯一致。又，上部整合器27之輸出端子連接於上部饋電棒28之上端。
饋電筒30包含大致圓筒狀或圓錐狀之導電板、例如鋁板或銅板，下端於環繞方向上連續地連接於外側上部電極23，上端經由連接器29電性連接於上部饋電棒28之下端部。於饋電筒30之外側，腔室10之側壁相較於上部電極22之高度位置向上方延伸而構成圓筒狀之接地導體10a。圓筒狀之接地導體10a之上端部因筒狀之絕緣構件69而與上部饋電棒28電性絕緣。於本構成中，於自連接器29觀察到的負載電路中，藉由饋電筒30、外側上部電極23及接地導體10a而形成以饋電筒30及外側上部電極23作為波導之同軸線路。
內側上部電極24具有上部電極板32與電極支持體33。上部電極板32例如包含矽或碳化矽(SiC)等半導體材料，具有未圖示之多個電極板氣體通氣孔(第1氣體通氣孔)。電極支持體33係可裝卸地支持上部電極板32之導電材料，例如包含對表面實施了氧化鋁膜處理之鋁。上部電極板32藉由螺栓(未圖示)緊固於電極支持體33。螺栓之頭部由上部電極板32之下部所配置之環狀屏蔽環53保護。
於上部電極板32中，各電極板氣體通氣孔貫穿上部電極板32。於電極支持體33之內部形成有供導入下述處理氣體之緩衝室。緩衝室包括例如由包含O形環之環狀隔壁構件43分割而成之2個緩衝室、即中心緩衝室35及周邊緩衝室36，且下部敞開。於電極支持體33之下方配置有封閉緩衝室之下部之冷卻板(以下，稱為「C/P」)34(中間構件)。C/P34包含對表面實施了氧化鋁膜處理之鋁，具有未圖示之多個C/P氣體通氣孔(第2氣體通氣孔)。於C/P34中，各C/P氣體通氣孔貫穿C/P34。
又，於上部電極板32與C/P34之間介存有包含矽或碳化矽等半導體材料之間隔件37。間隔件37為圓板狀構件，具有：於與C/P34相對向之表面(以下，簡稱為「上表面」)上與圓板同心形成之多個上表面環狀槽、及貫穿間隔件37且於各上表面環狀槽之底部開口之多個間隔件氣體通氣孔(第3氣體通氣孔)。
內側上部電極24經由C/P34之C/P氣體通氣孔、間隔件37之間隔件氣體流路及上部電極板32之電極板氣體通氣孔將自下述處理氣體供給源38導入至緩衝室之處理氣體供給至電漿產生空間S。此處，中心緩衝室35與存在於其下方之複數個C/P氣體通氣孔、間隔件氣體流路及電極板氣體通氣孔構成中心簇射頭(處理氣體供給路徑)。又，周邊緩衝室36與存在於其下方之複數個C/P氣體通氣孔、間隔件氣體流路及電極板氣體通氣孔構成周邊簇射頭(處理氣體供給路徑)。
又，如圖1所示，於腔室10之外部配置有處理氣體供給源38。處理氣體供給源38以所需之流量比向中心緩衝室35及周邊緩衝室36供給處理氣體。具體而言，來自處理氣體供給源38之氣體供給管39於中途分支為2個支管39a及39b並分別連接於中心緩衝室35及周邊緩衝室36。支管39a及39b分別具有流量控制閥40a、40b(流量控制裝置)。自處理氣體供給源38至中心緩衝室35及周邊緩衝室36之流路之氣導設定為相等。因此，藉由流量控制閥40a、40b之調整，可任意地調整供給至中心緩衝室35及周邊緩衝室36之處理氣體之流量比。進而，於氣體供給管39配置有質量流量控制器(MFC)41及開關閥42。
根據以上之構成，電漿處理裝置1藉由調整導入至中心緩衝室35與周邊緩衝室36之處理氣體之流量比，任意地調整由中心簇射頭噴出之氣體之流量FC與由周邊簇射頭噴出之氣體之流量FE之比(FC/FE)。再者，亦可個別地調整分別由中心簇射頭及周邊簇射頭噴出之處理氣體之每單位面積之流量。進而，亦可藉由配置與各支管39a、39b對應之2個處理氣體供給源，獨立或個別地設定分別由中心簇射頭及周邊簇射頭噴出之處理氣體之氣體種類或氣體混合比。但，並不限定於此，電漿處理裝置1亦可為能夠調整由中心簇射頭噴出之氣體之流量FC與由周邊簇射頭噴出之氣體之流量FE之比率者。
又，於內側上部電極24之電極支持體33，經由上部整合器27、上部饋電棒28、連接器29及上部饋電筒44電性連接有上部高頻電源31。於上部饋電筒44之中部配置有能夠可變地調整電容之可變電容器45。再者，於外側上部電極23及內側上部電極24亦設置有冷媒室或冷卻套(未圖示)，可藉由自外部之冷卻器單元(未圖示)所供給之冷媒控制電極之溫度。
於腔室10之底部設置有排氣口46。於該排氣口46經由排氣歧管47連接有作為可變式蝶形閥之自動壓力控制閥(Automatic Pressure Control Valve)(以下，稱為「APC閥」)48及渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump)(以下，稱為「TMP」)49。APC閥48及TMP49協同作用，將腔室10內之電漿產生空間S減壓至所需之真空度。又，於排氣口46與電漿產生空間S之間，以圍繞基座13之方式配置有具有複數個通氣孔之環狀隔板50，隔板50防止電漿自電漿產生空間S洩漏至排氣口46。
又，於腔室10之外側之側壁設置有用於將晶圓W搬入、搬出之開口部51，且配置有將開口部51開啟及關閉之閘閥52。腔室10內沿腔室10之內壁裝卸自由地設置有第1積存物遮罩71與第2積存物遮罩72。第1積存物遮罩71為積存物遮罩之上部構件，相較於腔室10之開口部51而言設置於上部。第2積存物遮罩72為積存物遮罩之下部構件，設置於隔板50之下部。第1積存物遮罩71之下部藉由與下述擋門機構80之閥體81之上部接觸而關閉開口部51。第1積存物遮罩71及第2積存物遮罩72能夠藉由例如向鋁材覆蓋Y2 O3 等陶瓷而構成。再者，第1積存物遮罩71之下部以可與所接觸之閥體81導通之方式被導電性之材質、例如不鏽鋼或鎳合金等覆蓋。
將閘閥52開啟及關閉而將晶圓W搬入、搬出。但，由於閘閥52配置於腔室10之外側(搬送室側)，故而形成開口部51向搬送室側突出之空間。因此，腔室10內所產生之電漿擴散至該空間，會導致電漿之均勻性之惡化或閘閥52之密封構件之劣化。因此，藉由利用閥體81阻斷第1積存物遮罩71與第2積存物遮罩72之間，而阻斷腔室10之開口部51與電漿產生空間S。又，驅動閥體81之升降機構82例如配置於第2積存物遮罩72之下方。閥體81藉由升降機構82被上下驅動，將第1積存物遮罩71與第2積存物遮罩72之間即開口部51開啟及關閉。再者，可將閥體81及升降機構82統稱為擋門機構80。
又，於電漿處理裝置1中，於作為下部電極之基座13經由下部整合器58電性連接有下部高頻電源(第1高頻電源)59。下部整合器58係用於使負載阻抗與下部高頻電源59之內部(或輸出)阻抗整合者，且以如下方式發揮功能：腔室10內之電漿產生空間S產生電漿時，下部高頻電源59之內部阻抗與負載阻抗明顯一致。又，亦可於下部電極連接另一第2下部高頻電源(第2高頻電源)。
又，於電漿處理裝置1中，於內側上部電極24，電性連接有不使來自上部高頻電源31之高頻電力通向地面而使來自下部高頻電源59之高頻電力通向地面之低通濾波器(LPF)61。該LPF61較佳為包含LR(inductor-resistor，電感電阻)濾波器或LC(inductor-capacitor，電感電容)濾波器。但，1條導線亦可對來自上部高頻電源31之高頻電力賦予足夠大之電抗，故而可代替LR濾波器或LC濾波器而僅將1條導線電性連接於內側上部電極24。另一方面，於基座13電性連接有用於使來自上部高頻電源31之高頻電力通向地面之高通濾波器(HPF)62。
其次，於在電漿處理裝置1中進行蝕刻之情形時，首先使閘閥52及閥體81成為打開狀態而將加工對象之晶圓W搬入至腔室10內，載置於基座13上。然後，自處理氣體供給源38將處理氣體、例如C4 F8 氣體及氬(Ar)氣之混合氣體以特定之流量及流量比導入至中心緩衝室35及周邊緩衝室36。又，藉由APC閥48及TMP49將腔室10內之電漿產生空間S之壓力設定為適合於蝕刻之值、例如數mTorr～1 Torr之範圍內之任一值。
進而，藉由上部高頻電源31將用於產生電漿之高頻電力以特定之功率施加於上部電極22(外側上部電極23、內側上部電極24)，並且自下部高頻電源59將偏壓用高頻電力以特定之功率施加於基座13之下部電極。又，自直流電源16將直流電壓施加於靜電吸盤14之電極板15而將晶圓W靜電吸附於基座13。
然後，藉由自簇射頭噴出之處理氣體於電漿產生空間S產生電漿，藉由此時所產生之自由基或離子而將晶圓W之被處理面物理或化學蝕刻。
於電漿處理裝置1中，藉由對上部電極22施加高頻區域(離子無法移動之頻率區域)之高頻，使電漿於較佳之解離狀態下高密度化。又，於更低壓之條件下亦可形成高密度電漿。
另一方面，於上部電極22中，作為用於產生電漿之高頻電極，以外側上部電極23為主、內側上部電極24為副，可藉由上部高頻電源31及下部高頻電源59調整賦予至上部電極22正下方之電子之電場強度之比率。因此，可徑向控制離子密度之空間分佈，任意且精細地控制反應性離子蝕刻之空間特性。
[擋門機構80之詳細情況] 圖2係表示本實施方式之擋門機構之截面之一例的局部放大圖。圖3係表示本實施方式之擋門機構之外觀之一例的圖。如圖2及圖3所示，擋門機構80具有：閥體81，其具有腔室10之內周中之一半以上之長度；及2個以上之升降機構82，其等使閥體81升降。例如，如圖3所示，閥體81可使用沿腔室10之內周之圓環狀閥體。閥體81具有：導電構件83，其於關閉開口部51時與第1積存物遮罩71抵接；及導電構件84，其與第2積存物遮罩72抵接。
閥體81例如藉由鋁材等而使截面形成為大致L字狀。閥體81之表面例如被Y2 O3 等塗覆。於閥體81之上端部配置有導電構件83。又，於閥體81之階差部配置有導電構件84。導電構件83、84亦被稱為導帶(conductance band)或螺旋狀構件(spiral)，為導電性之彈性構件。又，導電構件83、84例如可使用不鏽鋼或鎳合金等。導電構件83、84例如係將帶狀構件卷成螺旋狀而形成。又，導電構件83、84例如可使用U字狀之附套之斜卷盤簧。即，導電構件83、84於閥體81與第1積存物遮罩71及第2積存物遮罩72抵接時，為被壓塌之狀態。
升降機構82具有桿，桿藉由螺釘等固定連接於閥體81之下部。升降機構82例如藉由氣缸或馬達等使桿上下升降。升降機構82於使用氣缸之情形時，以供給至各升降機構82之乾燥空氣之流量相等之方式被控制。於圖3之例中，3個升降機構82每隔120度等間距地配置。各升降機構82藉由以相同時序及速度進行升降，可使閥體81升降而不會使閥體81彎曲或傾斜。又，例如於閥體81為沿腔室10之內周之半圓狀之情形時，藉由於兩端部設置升降機構82，可同樣地使其升降。
於擋門機構80中，藉由利用升降機構82將閥體81上推至上方，而關閉開口部51，且藉由利用升降機構82將閥體81下拉至下方，而打開開口部51。於閥體81關閉開口部51之狀態下，閥體81之上部及下部所配置之導電構件83、84分別與第1積存物遮罩71及第2積存物遮罩72抵接，藉此，閥體81經由導電構件83、84與第1積存物遮罩71及第2積存物遮罩72電性連接。第1積存物遮罩71及第2積存物遮罩72與經接地之腔室10接觸。因此，閥體81於關閉開口部51之狀態下，經由第1積存物遮罩71及第2積存物遮罩72而接地。
又，於擋門機構80中，閥體81與先前之積存物遮罩之一部分相對應，故而相當於將先前之積存物遮罩分割為複數個之狀態之一部分。先前之積存物遮罩較重，故而維護時之作業費勁，但於本實施方式中被分割為第1積存物遮罩71、第2積存物遮罩72及閥體81，故而維護時容易作業。
[腔室10之外觀] 圖4至圖6係表示本實施方式中之腔室之外觀之一例的圖。再者，圖4至圖6中，為了進行說明，示出除基座13、上部電極22、饋電筒30及閥體81等以外之狀態。如圖4至圖6所示，腔室10中例如每隔120度以等間距設置有3個升降機構82。開口部51具有不僅可搬送晶圓W，亦可搬送例如邊緣環17或蓋環54之寬度。開口部51之外部側可連接有閘閥52。藉由使圓環狀之閥體81向上方向移動而將開口部51關閉。
以上，根據本實施方式，擋門機構80係將基板處理裝置(電漿處理裝置1)之圓筒狀腔室10之開口部51開啟及關閉者，且具有閥體81與升降機構82。閥體81具有腔室10之內周中之一半以上之長度。升降機構82係連接於閥體81之下部，使閥體81升降之2個以上之升降機構。其結果，可擴大開口部51，並且能夠以均勻之力將閥體81壓抵於第1積存物遮罩71。又，可消除閥體81與第1積存物遮罩71之導通之偏差。又，可減小每個升降機構82之負載。即，可使升降機構82小型化。
又，根據本實施方式，閥體81為圓環狀。其結果，可不使閥體81傾斜地以均勻之力將閥體81壓抵於第1積存物遮罩71。
又，根據本實施方式，升降機構82為3個以上。其結果，可不使閥體81傾斜地以均勻之力將閥體81壓抵於第1積存物遮罩71。
又，根據本實施方式，升降機構82等間距配置。其結果，可不使閥體81傾斜地以均勻之力將閥體81壓抵於第1積存物遮罩71。
又，根據本實施方式，閥體81於與沿腔室10上部之內壁設置之上部構件(第1積存物遮罩71)接觸之導通面具有導電構件83。其結果，可消除閥體81與第1積存物遮罩71之導通之偏差。
應認為此次所揭示之實施方式於所有方面均為例示，而非限制性者。上述各實施方式能夠在不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨的情況下以各種形式進行省略、置換、變更。
又，於上述實施方式中，作為基板處理裝置之一例，列舉電漿處理裝置1，但並不限定於此。例如，亦可應用於不使用電漿而如原子層沈積(ALD：Atomic Layer Deposition)法般對複數種處理氣體交替進行重複處理之基板處理裝置。
1:電漿處理裝置 10:腔室 10a:接地導體 11:絕緣板 12:基座支持台 13:基座 14:靜電吸盤 15:電極板 16:直流電源 17:邊緣環 18:圓筒狀構件 19:冷媒室 20a,20b:配管 21:氣體供給線 22:上部電極 23:外側上部電極 24:內側上部電極 25:介電體 26:絕緣性遮蔽構件 27:上部整合器 28:上部饋電棒 29:連接器 30:饋電筒 31:上部高頻電源 32:上部電極板 33:電極支持體 34:C/P 35:中心緩衝室 36:周邊緩衝室 37:間隔件 38:處理氣體供給源 39:氣體供給管 39a,39b:支管 40a,40b:流量控制閥 41:質量流量控制器 42:開關閥 43:環狀隔壁構件 44:上部饋電筒 45:可變電容器 46:排氣口 47:排氣歧管 48:APC閥 49:TMP 50:隔板 51:開口部 52:閘閥 53:屏蔽環 54:蓋環 58:下部整合器 59:下部高頻電源 61:LPF 62:高通濾波器 69:絕緣構件 71:第1積存物遮罩 72:第2積存物遮罩 80:擋門機構 81:閥體 82:升降機構 83,84:導電構件 S:電漿產生空間 W:晶圓
圖1係表示本發明之一實施方式之基板處理裝置之一例的圖。 圖2係表示本實施方式之擋門機構之截面之一例的局部放大圖。 圖3係表示本實施方式之擋門機構之外觀之一例的圖。 圖4係表示本實施方式之腔室之外觀之一例的圖。 圖5係表示本實施方式之腔室之外觀之一例的圖。 圖6係表示本實施方式之腔室之外觀之一例的圖。
80:擋門機構
81:閥體
82:升降機構
83,84:導電構件

Claims (6)

  1. 一種擋門機構，其係將基板處理裝置之圓筒狀腔室之開口部開啟及關閉者，且具有： 閥體，其具有上述腔室之內周中之一半以上之長度；及 2個以上之升降機構，其等連接於上述閥體之下部，使上述閥體升降。
  2. 如請求項1之擋門機構，其中上述閥體為圓環狀。
  3. 如請求項1或2之擋門機構，其中上述升降機構為3個以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之擋門機構，其中上述升降機構係等間距配置。
  5. 如請求項1至4中任一項之擋門機構，其中上述閥體於與沿上述腔室上部之內壁設置之上部構件接觸之導通面具有導電構件。
  6. 一種基板處理裝置，其具有： 圓筒狀腔室，其具有用於搬入被處理基板之開口部；及 擋門機構，其將上述開口部開啟及關閉；且 上述擋門機構具有： 閥體，其具有上述腔室之內周中之一半以上之長度；及 2個以上之升降機構，其等連接於上述閥體之下部，使上述閥體升降。
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