TW202111743A - 包含用於信號洩漏減少之電感耦合器之基板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種包括至少一個介電層及形成於該至少一個介電層中之一電感耦合器的基板。該電感耦合器包括一第一電感器及一第二電感器。該第一電感器形成於該至少一個介電層中。該第一電感器經組態以耦接至一傳輸器濾波器及一天線。該第二電感器形成於該至少一個介電層中。該第二電感器經組態以耦接至該傳輸器濾波器及接地。該第二電感器經組態以為具有一排除頻率之一排除信號提供一接地路徑。該第二電感器經組態以使得行進穿過該第二電感器之該排除信號使該第一電感器產生一感應信號，該感應信號抵消行進穿過該傳輸濾波器之一洩漏信號。

Description

包含用於信號洩漏減少之電感耦合器之基板
各種特徵係關於基板，但更特定而言，係關於包括用於射頻(radio frequency；RF)濾波器之信號洩漏減少之電感耦合器的基板。
許多通信器件使用天線、傳輸器、及接收器來經由傳輸媒體與其他通信器件通信。通常，此等通信器件經由擁塞許多信號之媒體進行通信。信號之數目可影響此等器件之間之通信品質。為對付存在於傳輸媒體中之許多信號，可使用濾波器來隔離信號及濾出某些信號。然而，此等濾波器具有諸如信號洩漏之侷限性及缺點。
因此，需要提供具有減少之信號洩漏的通信器件及濾波器。
各種特徵係關於基板，但更特定而言，係關於包括用於射頻(RF)濾波器之信號洩漏減少之電感耦合器的基板。
一個實例提供一種包括至少一個介電層及形成於該至少一個介電層中之一電感耦合器的基板。該電感耦合器包括一第一電感器及一第二電感器。該第一電感器形成於該至少一個介電層中。該第一電感器經組態以耦接至一傳輸器濾波器及一天線。該第二電感器形成於該至少一個介電層中。該第二電感器經組態以耦接至該傳輸器濾波器及接地。該第二電感器經組態以為具有一排除頻率之一排除信號提供一接地路徑。該第二電感器經組態以使得行進穿過該第二電感器之該排除信號使該第一電感器產生一感應信號，該感應信號抵消行進穿過該傳輸濾波器之一洩漏信號。
另一實例提供一種裝置，該裝置包括：包含一傳輸濾波器之一晶粒；及耦接至該晶粒之一基板。該基板包括至少一個介電層及電感耦合構件。該電感耦合構件包括形成於至少一個介電層中之第一電感構件，其中該第一電感構件耦接至該傳輸器濾波器及一天線。該電感耦合構件包括形成於至少一個介電層中之第二電感構件。該第二電感構件耦接至該傳輸器濾波器及接地。該第二電感構件經組態以為具有一排除頻率之一排除信號提供一接地路徑。其中該第二電感構件經組態以使得行進穿過該第二電感構件之該排除信號使該第一電感構件產生一感應信號，該感應信號抵消行進穿過該傳輸濾波器之一洩漏信號。
另一實例提供一種用於製造一基板之方法。該方法為一基板提供一電感耦合器。提供該電感耦合器之方法包括提供形成於至少一個介電層中之一第一電感器，其中該第一電感器耦接至一傳輸器濾波器及一天線。提供該電感耦合器之方法包括提供形成於該至少一個介電層中之一第二電感器。該第二電感器耦接至該傳輸器濾波器及接地。該第二電感器經組態以為具有一排除頻率之一排除信號提供一接地路徑。該第二電感器經組態以使得行進穿過該第二電感器之該排除信號使該第一電感器產生一感應信號，該感應信號抵消行進穿過該傳輸濾波器之一洩漏信號。
優先權主張
本專利申請案主張2019年5月24日申請之題為「SUBSTRATE COMPRISING AN INDUCTIVE COUPLER FOR SIGNAL LEAKAGE REDUCTION」的申請案第16/422,174號之優先權，且該申請案已讓與其受讓人，且在此以引用之方式明確地併入本文中。
在以下描述中，給出特定細節以提供對本發明之各種態樣的透徹理解。然而，一般熟習此項技術者應理解，該等態樣可在不具有此等特定細節之情況下實踐。舉例而言，可以方塊圖展示電路以避免以不必要的細節混淆該等態樣。在其他例項中，為了不混淆本發明之態樣，可不詳細展示熟知電路、結構及技術。
本發明描述一種包括至少一個介電層及形成於該至少一個介電層中之電感耦合器的基板。電感耦合器包括第一電感器及第二電感器。第一電感器形成於至少一個介電層中。第一電感器耦接至傳輸器濾波器及天線。第二電感器形成於至少一個介電層中。第二電感器耦接至傳輸器濾波器及接地。第二電感器經組態以為具有排除頻率之排除信號提供接地路徑。第二電感器經組態以使得行進穿過第二電感器之排除信號使第一電感器產生感應信號，該感應信號抵消行進穿過傳輸濾波器之洩漏信號。洩漏信號朝向接收濾波器行進。該洩漏信號在朝向接收濾波器行進時行進穿過阻抗匹配組件。基板可在射頻前端(radio frequency front end；RFFE)器件中實施。用於洩漏信號減少之例示性電路圖
圖1說明在藉由通信器件傳輸及接收信號期間的洩漏信號減少之例示性電路組態100。電路組態100包括傳輸濾波器102、傳輸器104、接收濾波器106、接收器108、電感耦合器120、天線130及阻抗匹配組件140。電感耦合器120包括第一電感器122及第二電感器124。電路組態100可在具有通信功能性之器件中實施，諸如行動器件、膝上型電腦、物聯網(internet of things；IoT)器件及/或載具。
傳輸器104電耦接至傳輸濾波器102。傳輸濾波器102電耦接至電感耦合器120。電感耦合器120電耦接至天線130及阻抗匹配組件140。天線130電耦接至阻抗匹配組件140。阻抗匹配組件140電耦接至接收濾波器106。接收濾波器106電耦接至接收器108。
如圖1中所示，第一電感器122電耦接至天線130及傳輸濾波器102。第二電感器124電耦接至傳輸濾波器102及接地(其藉由接地端子132表示)。
傳輸濾波器102經組態以對來自傳輸器104之信號執行信號處理。信號處理之實例包括移除信號之非所需分量或特徵，包括對信號之一些態樣之部分或完全抑制。傳輸濾波器102可例如移除或抑制某些頻率之信號。傳輸濾波器102之信號處理之實例包括低通濾波、高通濾波、帶通濾波及帶阻濾波。然而，其他類型之信號處理可由傳輸濾波器102執行。已經藉由傳輸濾波器102處理之信號(例如傳輸信號)可穿過電感耦合器120行進至天線130。
接收濾波器106經組態以對來自天線130之信號執行之信號處理。來自天線130之信號可行進穿過阻抗匹配組件140。阻抗匹配組件140可包括電阻組件及/或電感組件。接收濾波器106與傳輸濾波器102的相似之處在於接收濾波器106可執行信號處理，諸如移除信號之非所需分量或特徵(包括信號之一些態樣之部分或完全抑制)。接收濾波器106之信號處理之實例包括低通濾波、高通濾波、帶通濾波及帶阻濾波。然而，其他類型之信號處理可由接收濾波器106執行。已經藉由接收濾波器106處理之信號(例如接收信號)可行進至接收器108以供進一步處理。
圖1說明信號可如何行進穿過電路組態100之實例。在傳輸濾波器102經組態以濾出或排除具有特定頻率(例如排除頻率)之特定信號(例如排除信號)的一實例中，該特定信號之大部分(例如排除信號)可經由第二電感器124行進至接地端子132。然而，具有該特定頻率之該特定信號(例如排除信號) (其應行進至接地)中之一些可自傳輸濾波器102滲漏且行進到第一電感器122並朝向接收濾波器106行進，從而可影響及干擾自天線130至接收濾波器106及/或接收器108之信號。
圖1說明傳輸濾波器102經組態以排除及穿過第二電感器124並朝向接地端子132濾出之排除信號160(其表示為排除電流(I2))。排除信號可為具有應受排除之特定頻率之信號。傳輸濾波器102可經組態以濾出及排除許多頻率之信號(例如具有第一排除頻率之第一排除信號、具有第二排除頻率之第二排除信號)。然而，出於清晰之目的，圖1僅說明處於特定排除頻率之信號。允許不具有特定排除頻率之信號(未展示)達至第一電感器122。具有排除頻率之信號的大部分可朝向接地端子132經濾出。然而，如上所述，可存在少量可能夠穿過傳輸濾波器102之洩漏信號。
圖1說明自傳輸濾波器102行進，穿過電感耦合器120之第一電感器122且朝向阻抗匹配組件140及接收濾波器106之洩漏信號150 (其表示為洩漏電流(I1))。洩漏信號150表示傳輸濾波器102經組態以排除及朝向接地端子132濾出之信號，但其為能夠達至第一電感器122之信號。洩漏信號150可為與排除信號160具有相同頻率之信號。洩漏信號150為存在問題的，因為其可朝向接收濾波器106及/或接收器108行進且干擾來自天線130之其他信號。
為了對付洩漏信號150，電感耦合器120經組態以產生感應信號170，其可偏移或抵消洩漏信號。感應信號170 (其表示為感應電流(I3))可具有與洩漏信號150相同或類似之頻率，但具有與洩漏信號150反向之相位。在一些實施中，感應信號170可具有與洩漏信號150相同或類似之頻率，但其在與洩漏信號150相反之方向上行進。感應信號170之幅度或強度可為足夠強以減小或抵消洩漏信號150，從而減小或消除可行進至接收濾波器106之洩漏信號150，由此改良傳輸信號與接收信號之間的隔離。
藉由使用行進穿過第二電感器124之排除信號160來產生感應信號170。當排除信號160行進穿過第二電感器124時，第二電感器124使第一電感器122產生感應信號170。應注意，具有不同排除頻率之不同排除信號可產生具有不同排除頻率之感應信號。舉例而言，在第一時段期間，具有第一排除頻率之第一排除信號可使具有第一排除頻率之第一感應信號得以產生，以抵消具有第一排除頻率之第一洩漏信號。在第二時間段期間，具有第二排除頻率之第二排除信號可使具有第二排除頻率第二感應信號得以產生，以抵消具有第二排除頻率之第二洩漏信號。
第一電感器122及第二電感器124之組態、大小及形狀可經組態成使得感應信號170之幅度與洩漏信號150類似。因此，此組態使用原本將排除之信號以便進一步改良傳輸濾波器102之效能且在傳輸信號與接收信號之間提供額外隔離能力。在本發明中提供隔離之方法為違背直覺的，因為其他方法傾向於將排除信號之接地路徑設計為儘可能遠離允許穿過之信號的路徑以使得信號並不彼此干擾。在一些實施中，傳輸濾波器與接收濾波器之間的隔離量可為足夠良好的以使得傳輸濾波器與接收濾波器之間的屏蔽件(例如電磁(EMI)屏蔽件)為非必要的。
圖2與圖3說明具有與不具有電感耦合器之濾波器之洩漏信號的例示性曲線圖。如圖2及圖3中所示，當電感耦合器(諸如圖1中所描述之電感耦合器)與傳輸濾波器結合使用時，某些頻率之洩漏信號(其以安培(A)列出)減少了50%或更多。應注意，電感耦合器可對於具有不同頻率之信號起不同作用。類似地，不同電感耦合器可對不同信號起不同作用。因此，圖2及圖3之曲線圖僅為具有不同頻率之各種信號之可能的洩漏信號減少的例示性表示。
圖4說明在使用或不使用如圖1中所描述之電感耦合器之情況下的傳輸濾波器與接收濾波器之間的隔離量的例示性曲線圖。圖4說明對於帶內頻率，無論是否存在電感耦合器，隔離大致相同或相似。然而，對於帶外頻率，在使用電感耦合器的情況下，隔離存在改良。舉例而言，對於帶外頻率，當電感耦合器與濾波器(射頻(RF)濾波器)一起使用時，較多頻率具有至少-50分貝(dB)之隔離。出於清晰之目的，圖2、圖3及圖4並未說明經由使用耦合器的藉以減少信號洩漏的特定頻率。然而，耦合器可經設計以減少任何信號頻率之信號洩漏。
圖5說明藉由基板實施之用於信號洩漏減少之例示性電路組態100。如圖5中所示，電路組態100藉由晶粒502 (例如第一晶粒)、晶粒504 (例如第二晶粒)及基板506實施。晶粒502可包括傳輸濾波器102及傳輸器104。晶粒504可包括接收濾波器106及接收器108。晶粒502及晶粒504可耦接至基板506。
不同實施可使用不同類型之基板。基板506可為層壓基板，其在下文進一步描述。基板506可包括含有第一電感器122及第二電感器124之電感耦合器120。電感耦合器120可藉由基板506中及/或上方之互連件形成。下文在至少圖7至圖13中描述電感耦合器120在基板中之例示性組態。基板506亦可包括阻抗匹配組件140。阻抗匹配組件140可藉由互連件形成。圖5說明天線130在基板506外。然而，在一些實施中，天線130可在基板506中及/或上方實施。
圖6說明藉由另一基板實施之用於信號洩漏減少之另一例示性電路組態100。如圖6中所示，電路組態100藉由晶粒602 (例如第一晶粒)及基板506實施。晶粒602可包括傳輸濾波器102、傳輸器104、接收濾波器106及接收器108。晶粒602可耦接至基板506。
在一些實施中，可在超過兩個晶粒及/或基板中實施傳輸器、接收器、傳輸濾波器、接收濾波器、耦合器及/或阻抗匹配組件之各種組件。用於洩漏信號減少之例示性電感耦合器
圖7說明實施於基板中之電感耦合器700之視圖。電感耦合器700可為電感耦合器120之實體表示之實例。電感耦合器700可為電感耦合構件。電感耦合器700包括電感器702 (例如第一電感器、第一電感構件)及電感器704 (例如第二電感器、第二電感構件)。電感器702可為電感器122之實體表示之實例，且電感器704可為電感器124之實體表示之實例。
電感器702可藉由一或多個互連件形成。相似地，電感器704可藉由一或多個互連件形成。電感器702形成於基板之第一金屬(M1)層上。電感器702經耦接至傳輸濾波器及天線端子720。傳輸濾波器及天線端子720可包括凸塊。傳輸濾波器及天線端子720可經耦接至傳輸濾波器(例如102)。電感器702進一步經由一或多個互連件708耦接至天線端子710。天線端子710可經耦接至天線(例如130)。天線端子710可位於基板之第一金屬(M1)層上。耦接至電感器702及天線端子710之互連件708可包括在基板之第二金屬(M2)層上之互連件(例如跡線、襯墊)及在M1及M2之間的通孔。
電感器704形成於基板之第三金屬(M3)層上。電感器704經由一或多個互連件712(例如襯墊、通孔、跡線)耦接至傳輸濾波器及接地端子722。傳輸濾波器及接地端子722可包括凸塊。傳輸濾波器及接地端子722可經耦接至傳輸濾波器(例如102)。電感器704可經耦接至耦接至接地端子之一或多個互連件706。一或多個互連件706可為接地互連件。一或多個互連件706可形成於基板之第四金屬(M4)層上。儘管圖中未示，但可在基板之一或多個介電層中實施電感耦合器700、電感器702及電感器704。應注意，基板之金屬層(例如M1、M2、M3、M4)僅為例示性的。不同實施可將各種組件定位於基板之不同金屬層上。
圖8說明耦接至晶粒802之基板800之斜視圖。基板800包括電感耦合器700、電感器702、電感器704、耦接至地面之互連件706、天線端子710、傳輸濾波器及天線端子720、及傳輸濾波器及接地端子722。晶粒802可包括圖5中所描述之傳輸濾波器及傳輸器。在一些實施中，晶粒802可包括如至少圖6中所描述之傳輸濾波器(例如102)、傳輸器(例如104)、接收濾波器(例如106)及接收器(例如108)。晶粒802經由端子720及端子722耦接至基板800。
圖9說明耦接至晶粒802之基板800之平面視圖(例如俯視圖)。電感器702 (其由一或多個互連件形成)垂直定位於電感器704 (其由一或多個互連件形成)上方，以使得可存在互感。圖10說明基板800之第一金屬(M1)層之平面視圖。M1層包括電感器702及天線端子710。圖11說明基板800之第二金屬(M2)層之平面視圖。M2層包括耦接至電感器702及天線端子710之互連件708。圖12說明基板800之第三金屬(M3)層之平面視圖。M3層包括電感器704。圖13說明基板800之第四金屬(M4)層之平面視圖。M4層包括耦接至地面及電感器704之互連件706。圖7至圖13說明形成於包括4個金屬層(例如M1、M2、M3、M4)之基板800上之電感耦合器700。然而，電感耦合器(例如700)可形成於基板之不同數目個金屬層上(例如少於4個金屬層、多於4個金屬層)。
圖14說明包括如本發明中所描述之電感耦合器之基板1400之剖面圖。基板1400可為層壓基板。基板1400可包括本發明中所描述之電感耦合器及電感器中之任一者。如圖14中所示，基板1400包括介電層1420、1422、1424、電感耦合器1410、電感器1402、電感器1404、接地端子1406、天線端子1408。電感耦合器1410可藉由一或多個互連件形成於一或多個金屬層上。電感器1402可藉由一或多個互連件形成。電感器1404可藉由一或多個互連件形成。接地端子1408可藉由一或多個互連件形成。天線端子1408可藉由一或多個互連件形成。
圖15說明包括基板1400、晶粒1504及晶粒1506之器件1500。晶粒1504 (例如第一晶粒)可與晶粒502相似。晶粒1504可包括傳輸濾波器及傳輸器。晶粒1506 (例如第二晶粒)可與晶粒504相似。晶粒1506可包括接收濾波器及接收器。基板1400包括第一阻焊層1524、第二阻焊層1526及複數個焊料互連件1530。晶粒1504可經由複數個焊料互連件1540耦接至基板1400。晶粒1506可經由複數個焊料互連件1560耦接至基板1400。在一些實施中，晶粒1504及第二1506之功能性中的一些或全部可經實施為單個晶粒或可實施於超過兩個晶粒中。包含電感耦合器之例示性基板
在一些實施中，製造基板包括若干製程。圖16 (其包括圖16A至圖16C)說明用於提供或製造包括電感耦合器之基板之例示性序列。在一些實施中，圖16A至圖16C之序列可用於提供或製造具有圖14之電感耦合器之基板1400。
應注意，圖16A至圖16C之序列可組合一或多個階段以便簡化及/或闡明用於提供或製造基板之序列。在一些實施中，可改變或修改製程之次序。在一些實施中，可在不脫離本發明之精神的情況下替換或取代製程中之一或多者。
如圖16A中所示，階段1說明在提供載體1600且將金屬層形成於載板1300上方之後的狀態。金屬層可經圖案化以形成互連件1602。電鍍製程可用以形成金屬層及互連件。
階段2說明在介電層1420形成於載板1300及互連件1602上方之後的狀態。介電層1420可包括聚醯亞胺。
階段3說明在複數個凹穴1610形成於介電層1420中之後的狀態。可使用蝕刻製程或雷射製程形成複數個凹穴1610。
階段4說明在互連件1612形成於介電層1420中及上方之後的狀態。舉例而言，可形成通孔、襯墊及/或跡線。電鍍製程可用以形成互連件。
階段5說明在另一介電層1422形成於介電層1420上方之後的狀態。
如圖16B中所示，階段6說明在凹穴1620形成於介電層1422中之後的狀態。蝕刻製程或雷射製程可用以形成凹穴1620。
階段7說明在互連件1622形成於介電層1422中及上方之後的狀態。舉例而言，可形成通孔、襯墊及/或跡線。電鍍製程可用以形成互連件。
階段8說明在另一介電層1424形成於介電層1422上方之後的狀態。
如圖16C中所示，階段9說明在凹穴1630形成於介電層1424中之後的狀態。蝕刻製程或雷射製程可用以形成凹穴1630。
階段10說明在互連件1632形成於介電層1424中及上方之後的狀態。舉例而言，可形成通孔、襯墊及/或跡線。電鍍製程可用以形成互連件。
階段11說明在載體1600自介電層1420解耦(例如，移除、碾碎)之後，留下基板1400 (例如，無核心基板)。在一些實施中，無核心基板為嵌入式跡線基板(embedded trace substrate；ETS)。階段11說明包括介電層1420、介電層1422及介電層1424之基板1400。在一些實施中，介電層1420、介電層1422及介電層1424可視為一個介電層(例如，單個介電層)。基板1400包括電感耦合器1410、電感器1402、電感器1404、接地端子1406及天線端子1408，其可各自藉由互連件(例如1602、1612、1622、1632)形成。
不同實施可將不同製程用於形成金屬層。在一些實施中，化學汽相沈積(CVD)製程及/或物理汽相沈積(PVD)製程用於形成金屬層。舉例而言，濺鍍製程、噴塗製程及/或電鍍製程可用以形成金屬層。用於製造包含電感耦合器之基板之方法的例示性流程圖
在一些實施中，製造基板包括若干製程。圖17說明用於提供或製造具有電感耦合器之基板之方法1700的例示性流程圖。在一些實施中，圖17之方法1700可用以提供或製造圖14之基板。舉例而言，圖17之方法可用以製造基板1400。
應注意，圖17之序列可組合一或多個製程以簡化及/或闡明用於提供或製造具有電感耦合器之基板之方法。在一些實施中，可改變或修改製程之次序。
方法提供(在1705處)載體1600。方法在載體1600上方形成(在1710處)金屬層。金屬層可經圖案化以形成互連件。電鍍製程可用以形成金屬層及互連件。
方法在載體1600及互連件上方形成(在1715處)介電層1420。介電層1420可包括聚醯亞胺。形成介電層亦可包括在介電層1420中形成複數個凹穴(例如，1610)。可使用蝕刻製程(例如光蝕刻)或雷射製程形成複數個凹穴。
方法在介電層中及上方形成(在1720處)互連件。舉例而言，可形成互連件1612。鍍覆製程可用以形成互連件。形成互連件可包括在介電層上方及/或介電層中提供經圖案化金屬層。
方法在介電層1420及互連件上方形成(在1725處)介電層1422。介電層1422可包括聚醯亞胺。形成介電層亦可包括在介電層1422中形成複數個凹穴(例如1620)。可使用蝕刻製程或雷射製程形成複數個凹穴。
方法在介電層中及/或上方形成(在1730處)互連件。舉例而言，可形成互連件1622。電鍍製程可用以形成互連件。形成互連件可包括在介電層上方及介電層中提供經圖案化金屬層。
方法可如1725及1730處所描述形成額外介電層及額外互連件。形成於基板中之互連件中的至少一些可限定電感耦合器1410、電感器1402、電感器1404、接地端子1406及天線端子1408。
一旦形成所有介電層及額外互連件，方法可使載體(例如1600)自介電層1420解耦(例如移除、碾碎)，留下具有電感耦合器之基板。在一些實施中，無核心基板為嵌入式跡線基板(ETS)。
不同實施可將不同製程用於形成金屬層。在一些實施中，化學汽相沈積(CVD)製程及/或物理汽相沈積(PVD)製程用於形成金屬層。舉例而言，濺鍍製程、噴塗製程及/或電鍍製程可用以形成金屬層。例示性電子器件
圖18說明各種電子器件，其可與任何前述器件、積體器件、積體電路(IC)封裝、積體電路(IC)器件、半導體器件、積體電路、晶粒、插入件、封裝或疊層封裝(PoP)整合。舉例而言，行動電話器件1802、膝上型電腦器件1804、固定位置終端器件1806、可穿戴式器件1808或汽車載具1810可包括如本文中所描述之器件1800。器件1800可為例如本文中所描述之器件及/或積體電路(IC)封裝中之任一者。圖18中所說明之器件1802、1804、1806及1808及載具1810僅為例示性的。其他電子器件亦可充當器件1800，器件1800包括但不限於器件(例如，電子器件)之群，該群包括：行動器件、手持式個人通信系統(personal communication system；PCS)單元、便攜式資料單元(諸如個人數位助理)、具備全球定位系統(global positioning system；GPS)功能之器件、導航器件、機上盒、音樂播放機、視訊播放機、娛樂單元、固定位置資料單元(諸如儀表讀取設備)、通信器件、智慧型電話、平板電腦、電腦、可穿戴式器件(例如，手錶、眼鏡)、物聯網(IoT)器件、伺服器、路由器、汽車載具(例如，自架載具)中實施之電子器件、或儲存或擷取資料或電腦指令之任何其他器件，或其任何組合。
圖1至圖15、圖16A至圖16C及/或圖17至圖18中所說明之組件、製程、特徵及/或功能中之一或多者可經重新配置及/或組合成單個組件、製程、特徵或功能或體現於若干組件、製程或功能中。亦可在不脫離本發明的情況下添加額外元件、組件、製程及/或功能。亦應注意，本發明中之圖1至圖15、圖16A至圖16C及/或圖17至圖18及其對應之描述不限於晶粒及/或IC。在一些實施中，圖1至圖15、圖16A至圖16C及/或圖17至圖18及其對應描述可用於製造、創造、提供及/或產生器件及/或積體器件。在一些實施中，器件可包括晶粒、基板、積體器件、整合式被動器件(integrated passive device；IPD)、晶粒封裝、積體電路(IC)器件、器件封裝、積體電路(IC)封裝、半導體器件、疊層封裝(PoP)器件及/或插入件。
字組「例示性」在本文中用以意謂「充當實例、例項或說明」。在本文中描述為「例示性」之任何實施或態樣未必解釋為比本發明之其他態樣較佳或有利。同樣地，術語「態樣」不要求本發明之全部態樣皆包括所論述之特徵、優勢或操作模式。術語「耦接」在本文中用以指代兩個物件之間之直接耦接或間接耦接。舉例而言，若物件A實體地接觸物件B，且物件B接觸物件C，則仍可視為物件A及C彼此耦接，即使其並未直接實體地彼此接觸。應注意，術語「電耦接」意謂當存在電流或信號時，兩個或更多個組件可電連接至彼此。應進一步注意，如本申請案中在一個組件位於另一組件上方之上下文中所使用之術語「上方」可用於意謂一組件在另一組件上及/或在另一組件中(例如，在組件之表面上或嵌入於組件中)。因此，例如，位於第二組件上方之第一組件可意謂(1)第一組件在第二組件上方，但不直接接觸第二組件，(2)第一組件在第二組件上(例如，在第二組件之表面上)及/或(3)第一組件在第二組件中(例如，嵌入於第二組件中)。如本發明中使用之術語「約『值X』」或「近似地」意謂在『值X』之10%之內。舉例而言，約1或近似1之值將意謂在0.9至1.1之範圍內之值。
在一些實施中，互連件係器件之元件或組件，其允許或有助於兩個點、元件及/或組件之間的電連接。在一些實施中，互連件可包括跡線、通孔、襯墊、導柱、金屬層(例如，重佈線金屬層)及/或凸塊下金屬化物(under bump metallization；UBM)層。在一些實施中，互連件為可經組態以為信號(例如，資料信號、接地或電源)提供電路徑之導電材料。互連件可為電路之部分。互連件可包括超過一個元件或組件。互連件可包括一或多個互連件。
在一些實施中，器件及/或封裝之高度可沿封裝之Z方向來限定，此展示在本發明之圖式中。在一些實施中，器件及/或封裝之Z方向可沿器件及/或封裝之頂部部分與底部部分之間的軸線來限定。術語頂部及底部可任意地指定，然而，作為一實例，器件及/或封裝之頂部部分可為包含包封層之部分，而封裝之底部部分可為包含重佈線部分或複數個焊料球之部分。在一些實施中，封裝之頂部部分可為封裝之背側，且封裝之底部部分可為封裝之前側。封裝之前側可為封裝之主動側。頂部部分可為相對於下部部分之較高部分。底部部分可為相對於較高部分之下部部分。
器件及/或封裝之X-Y方向或X-Y平面可指器件及/或封裝之側向方向及/或佔據面積。X-Y方向之實例展示於本發明之圖式中。物件之寬度、長度及/或直徑可指沿X-Y尺寸及/或X-Y平面之尺寸。在本發明之許多圖式中，器件及/或封裝及其各別組件展示為跨越X-Z橫截面或X-Z平面。然而，在一些實施中，封裝及其代表組件可以跨越Y-Z橫截面或Y-Z平面來表示。
此外，應注意，本文中所含有之各種揭示內容可經描述為製程，該製程經描繪為流程圖、流圖、結構圖或方塊圖。儘管流程圖可將操作描述為順序程序，但是許多操作可並行地或同時來執行。此外，操作之次序可經再配置。當程序之操作完成時，程序終止。
本文中所描述之本發明之各種特徵可在不脫離本發明的情況下實施於不同系統中。應注意，本發明之前述態樣僅為實例且將不解釋為限制本發明。本發明之態樣之描述意欲為說明性的，且將不限制申請專利範圍之範疇。因而，本發明之教示可易於應用於其他類型之裝置，且許多替代例、修改及變化對於熟習此項技術者而言將顯而易見。
100:電路組態 102:傳輸濾波器 104:傳輸器 106:接收濾波器 108:接收器 120:電感耦合器 122:第一電感器 124:第二電感器 130:天線 132:接地端子 140:阻抗匹配組件 150:洩漏信號 160:排除信號 170:感應信號 502:晶粒 504:晶粒 506:基板 602:晶粒 700:電感耦合器 702:電感器 704:電感器 706:互連件 708:互連件 710:天線端子 712:互連件 720:傳輸濾波器及天線端子 722:傳輸濾波器及接地端子 800:基板 802:晶粒 1300:載板 1400:基板 1402:電感器 1404:電感器 1406:接地端子 1408:天線端子 1410:電感耦合器 1420:介電層 1422:介電層 1424:介電層 1500:器件 1504:晶粒 1506:晶粒 1524:第一阻焊層 1526:第二阻焊層 1530:焊料互連件 1540:焊料互連件 1560:焊料互連件 1600:載體 1602:互連件 1610:凹穴 1612:互連件 1620:凹穴 1622:互連件 1630:凹穴 1632:互連件 1700:方法 1705:製程 1710:製程 1715:製程 1720:製程 1725:製程 1730:製程 1800:器件 1802:行動電話裝置 1804:膝上型電腦器件 1806:固定位置終端器件 1808:可穿戴式器件 1810:汽車載具 M1:第一金屬層 M2:第二金屬層 M3:第三金屬層 M4:第四金屬層
各種特徵、性質及優勢將自結合圖式在下文闡述之詳細描述變得顯而易見，在圖式中，相同參考標號貫穿全文對應地進行識別。
圖1說明用於減少傳輸濾波器之信號洩漏之例示性電路圖。
圖2說明具有或無信號洩漏控制之傳輸濾波器之信號洩漏的例示性圖表。
圖3說明具有或無信號洩漏控制之傳輸濾波器之信號洩漏的另一例示性圖表。
圖4說明具有或無信號洩漏控制之傳輸濾波器之隔離效能的例示性圖表。
圖5說明藉由基板實施之用於減少信號洩漏之另一例示性電路圖。
圖6說明藉由基板實施之用於減少信號洩漏之另一例示性電路圖。
圖7說明用於信號洩漏控制之例示性電感耦合器之視圖。
圖8說明具有用於信號洩漏控制之電感耦合器之例示性基板的視圖，該基板耦接至包括傳輸濾波之晶粒。
圖9說明具有用於信號洩漏控制之電感耦合器之例示性基板的平面視圖，該基板耦接至包括傳輸濾波之晶粒。
圖10說明具有用於信號洩漏控制之電感耦合器的例示性基板之金屬層的平面視圖。
圖11說明具有用於信號洩漏控制之電感耦合器的例示性基板之另一金屬層的平面視圖。
圖12說明具有用於信號洩漏控制之電感耦合器的例示性基板之另一金屬層的平面視圖。
圖13說明具有用於信號洩漏控制之電感耦合器的例示性基板之另一金屬層的平面視圖。
圖14說明包括用於洩漏信號控制之電感耦合器之基板的剖面圖。
圖15說明包括用於洩漏信號控制之電感耦合器的、耦接至晶粒之基板的剖面圖。
圖16 (包含圖16A至圖16C)說明用於製造包括用於洩漏信號減少之電感耦合器之基板的例示性序列。
圖17說明用於製造包括用於洩漏信號減少之電感耦合器之基板的方法的例示性流程圖。
圖18說明可整合本文中所描述之晶粒、積體器件、器件封裝、封裝、積體電路、基板及/或PCB之各種電子器件。
700:電感耦合器
702:電感器
704:電感器
706:互連件
708:互連件
710:天線端子
712:互連件
720:傳輸濾波器及天線端子
722:傳輸濾波器及接地端子
M1:第一金屬層
M2:第二金屬層
M3:第三金屬層
M4:第四金屬層

Claims (25)

  1. 一種基板，其包含： 至少一個介電層；及 形成於該至少一個介電層中之一電感耦合器，該電感耦合器包含： 形成於該至少一個介電層中之一第一電感器，其中該第一電感器經組態以耦接至一傳輸器濾波器及一天線；及 形成於該至少一個介電層中之一第二電感器， 其中該第二電感器經組態以耦接至該傳輸器濾波器及接地， 其中該第二電感器經組態以為具有一排除頻率之一排除信號提供一接地路徑，且 其中該第二電感器經組態以使得行進穿過該第二電感器之該排除信號使該第一電感器產生一感應信號，該感應信號抵消行進穿過該傳輸濾波器之一洩漏信號。
  2. 如請求項1之基板，其中該感應信號朝向該傳輸器濾波器行進且該洩漏信號遠離該傳輸器濾波器行進。
  3. 如請求項1之基板，其中該洩漏信號具有一第一相位且該感應信號具有與該第一相位大致反向之一相位。
  4. 如請求項1之基板，其中該洩漏信號具有該排除頻率。
  5. 如請求項4之基板，其中該感應信號具有該排除頻率。
  6. 如請求項1之基板，其中該洩漏信號朝向一接收濾波器行進。
  7. 如請求項6之基板，其中該洩漏信號在朝向該接收濾波器行進時行進穿過一阻抗匹配組件。
  8. 如請求項1之基板， 其中該第一電感器經由第一複數個互連件耦接至該傳輸器濾波器，且 其中該第一電感器經由第二複數個互連件耦接至該天線。
  9. 如請求項1之基板， 其中該第二電感器經由第三複數個互連件耦接至該傳輸器濾波器，且 其中該第二電感器經由第四複數個互連件耦接至地面。
  10. 如請求項1之基板，其中該基板併入至選自由以下組成之群之一器件中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航器件、一通信器件、一行動器件、一行動電話、一智能型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴式器件、一膝上型電腦、一伺服器及在一汽車載具中之一器件。
  11. 一種裝置，其包含： 包含一傳輸濾波器之一晶粒；及 耦接至該晶粒之一基板，該基板包含： 至少一個介電層；及 電感耦合構件，其包含： 形成於該至少一個介電層中之第一電感構件，其中該第一電感構件耦接至該傳輸器濾波器及一天線；及 形成於該至少一個介電層中之第二電感構件， 其中該第二電感構件耦接至該傳輸器濾波器及接地， 其中該第二電感構件經組態以為具有一排除頻率之一排除信號提供一接地路徑，且 其中該第二電感構件經組態以使得行進穿過該第二電感構件的該排除信號使該第一電感構件產生一感應信號，該感應信號抵消行進穿過該傳輸濾波器之一洩漏信號。
  12. 如請求項11之裝置，其中該感應信號朝向該傳輸器濾波器行進且該洩漏信號遠離該傳輸器濾波器行進。
  13. 如請求項11之裝置，其中該洩漏信號具有一第一相位且該感應信號具有與該第一相位大致反向之一相位。
  14. 如請求項11之裝置，其中該洩漏信號具有該排除頻率。
  15. 如請求項14之裝置，其中該感應信號具有該排除頻率。
  16. 如請求項11之裝置，其中該晶粒進一步包含耦接至該傳輸器濾波器之一傳輸器。
  17. 如請求項11之裝置，其進一步包含一第二晶粒，該第二晶粒包含耦接至該第一電感構件之一接收濾波器。
  18. 如請求項17之裝置，其中該第二晶粒進一步包含耦接至該接收器之一接收。
  19. 如請求項11之裝置，其中該晶粒進一步包含耦接至該第一電感構件之一接收濾波器。
  20. 如請求項11之裝置，其中該裝置併入至選自由以下組成之群之一器件中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航器件、一通信器件、一行動器件、一行動電話、一智能型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴式器件、一膝上型電腦、一伺服器及在一汽車載具中之一器件。
  21. 一種用於製造一基板之方法，其包含： 為一基板提供一電感耦合器，其中提供該電感耦合器包含： 提供形成於該基板之該至少一個介電層中之一第一電感器，其中該第一電感器耦接至一傳輸器濾波器及一天線；及 提供形成於該至少一個介電層中之一第二電感器， 其中該第二電感器耦接至該傳輸器濾波器及接地， 其中該第二電感器經組態以為具有一排除頻率之一排除信號提供一接地路徑，且 其中該第二電感器經組態以使得行進穿過該第二電感器之該排除信號使該第一電感器產生一感應信號，該感應信號抵消行進穿過該傳輸濾波器之一洩漏信號。
  22. 如請求項21之方法，其中該感應信號朝向該傳輸器濾波器行進且該洩漏信號遠離該傳輸器濾波器行進。
  23. 如請求項21之方法，其中該洩漏信號具有一第一相位且該感應信號具有與該第一相位大致反向之一相位。
  24. 如請求項21之方法，其中該洩漏信號具有該排除頻率。
  25. 如請求項24之方法，其中該感應信號具有該排除頻率。
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