TW202105830A - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種電子裝置，其包括一第一輻射件、一第二輻射件、一接地件以及一饋入件。第一輻射件包括一第一輻射部以及電性連接於第一輻射部的一饋入部。第二輻射件耦合於第一輻射件且與第一輻射件彼此分離。接地件電性連接於第二輻射件。饋入件包括一饋入端以及一接地端。饋入端電性連接於饋入部，且接地端電性連接於接地件。第一輻射件所產生的操作頻帶高於第二輻射件所產生的操作頻帶。

Description

電子裝置

本發明涉及一種電子裝置，特別是涉及一種具有收發無線射頻訊號的功能的電子裝置。

首先，現有技術中為求造型美觀及強固度，電子裝置的外觀大多都會利用金屬作為其外殼體。然而，由於金屬殼體的特性，很容易對電子裝置中的天線模組造成影響，進而降低行動裝置的通訊品質。

藉此，如何通過結構設計的改良，來改善電子裝置的通訊品質，來克服上述的缺陷，已成為該項技術所欲解決的重要課題之一。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電子裝置。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種電子裝置，其包括一第一輻射件、一第二輻射件、一接地件以及一饋入件。該第一輻射件包括一第一輻射部以及電性連接於該第一輻射部的一饋入部。該第二輻射件耦合於該第一輻射件且與該第一輻射件彼此分離。該接地件電性連接於該第二輻射件。該饋入件包括一饋入端以及一接地端，該饋入端電性連接於該饋入部且該接地端電性連接於該接地件。其中，該第一輻射件所產生的操作頻帶高於該第二輻射件所產生的操作頻帶。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電子裝置，其能通過“第二輻射件耦合於第一輻射件且與第一輻射件彼此分離”的技術方案，以分別利用第一輻射件及第二輻射件產生兩個不同的操作頻帶，且第一輻射件所產生的操作頻帶高於第二輻射件所產生的操作頻帶。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電子裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。另外，本發明全文中的「連接(connect)」是兩個元件之間有實體連接且為直接連接或者是間接連接，且本發明全文中的「耦合(couple)」是兩個元件之間彼此分離且無實體連接，而是藉由一元件之電流所產生的電場能量(electric field energy)激發另一元件的電場能量。

[第一實施例]

首先，請參閱圖1及圖2所示，本發明第一實施例提供一種電子裝置U，電子裝置U可具有收發無線射頻(Radio Frequency，RF)訊號的功能。舉例來說，電子裝置U可為一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)或是一筆記型電腦(Notebook Computer)，然本發明不以此為限。此外，電子裝置U能產生一第一操作頻帶以及一第二操作頻帶，且第一操作頻帶高於第二操作頻帶。進一步來說，第一操作頻帶的中心頻率高於第二操作頻帶的中心頻率。此外，舉例來說，電子裝置U能產生一頻率範圍介於1710 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶(第一操作頻帶)以及一頻率範圍介於698 MHz至960 MHz之間的操作頻帶(第二操作頻帶)，然本發明不以此為限。

承上述，本發明將以電子裝置U為筆記型電腦作為舉例說明，電子裝置U包括一第一輻射件1、一第二輻射件2、一接地件3以及一饋入件4，且第一輻射件1、第二輻射件2、接地件3及饋入件4能形成一設置在電子裝置U中且用於收發無線射頻訊號的天線模組A。此外，舉例來說，電子裝置U還可進一步包括一第一基板S1、一第二基板S2、一第一殼體H1以及一第二殼體H2。第一殼體H1可為筆記型電腦的C件(底座內側)，第二殼體H2可為筆記型電腦的D件(底座外側)，也就是說，圖2為第一殼體H1向左翻開的俯視示意圖，然本發明不以此為限。另外，須說明的是，在其他實施方式中，當電子裝置U為一智慧型手機或一平板電腦時，第一殼體H1及第二殼體H2可分別為智慧型手機或平板電腦的兩個相對應的外殼體。

接著，請復參閱圖1及圖2所示，並請一併參閱圖3及圖4所示，以第一實施例而言，第一輻射件1鄰近於第一殼體H1設置，且第二輻射件2鄰近於第二殼體H2設置，也就是說，第一輻射件1較第二輻射件2更鄰近於第一殼體H1設置，且第二輻射件2較第一輻射件1更鄰近於第二殼體H2設置。此外，舉例來說，第一基板S1設置在第一殼體H1上，第二基板S2設置在第二殼體H2上，且第一輻射件1設置在第一基板S1上，第二輻射件2設置在第二基板S2上。然而，須說明的是，雖然本發明第一實施例是以第一輻射件1及第二輻射件2分別設置在第一基板S1及第二基板S2上，以使得第一輻射件1及第二輻射件2分別鄰近於第一殼體H1與第二殼體H2的架構作為舉例說明，但是，在其他實施方式中，第一輻射件1及第二輻射件2可分別設置在同一個基板S的兩相反表面上(請參閱圖7所示)。本發明不以第一輻射件1及第二輻射件2設置在第一殼體H1與第二殼體H2之間的方式為限制。值得說明的是，在其中一實施方式中，第一輻射件1主要能用於產生一頻率範圍介於1710 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，且第二輻射件2主要能用於產生一頻率範圍介於698 MHz至960 MHz之間的操作頻帶，然本發明不以此為限。

承上述，舉例來說，第一殼體H1的材質為金屬可為金屬，第二殼體H2的材質可為金屬，且當第一殼體H1的材質為金屬時，接地件3可電性連接於第一殼體H1。但是，須特別說明的是，第二殼體H2至少具有對應於第二輻射件2的一外型輪廓的一非金屬區域H20。進一步來說，為了避免金屬材質的第二殼體H2影響第二輻射件2的輻射效率，因此，第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影與非金屬區域H20至少部分重疊。較佳地，在其中一實施方式中，第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影的面積小於非金屬區域H20的面積，且第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影完全疊合在非金屬區域H20上。此外，舉例來說，如圖3所示，非金屬區域H20可以為第二殼體H2的一開槽，然而，在其他實施方式中，也可以是在第二殼體H2的開槽中填覆有一非金屬件(請參閱圖7所示)，例如塑膠，然本發明不以第二殼體H2的非金屬區域H20的形成方式為限制。

承上述，須說明的是，本發明是以第一殼體H1及第二殼體H2的材質為金屬，第一輻射件1在第一殼體H1上的垂直投影與第一殼體H1上的金屬區域(圖中未標號)至少部分重疊或完全重疊，第二輻射件2在第一殼體H1上的垂直投影與第一殼體H1上的金屬區域(圖中未標號)至少部分重疊或完全重疊，且第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影與第二殼體H2上的非金屬區域H20至少部分重疊的實施方式作為舉例說明。但是，在其他實施方式中，第二殼體H2的材質可為非金屬。也就是說，本發明可以應用在第一殼體H1及第二殼體H2中的至少其中之一的材質為金屬的電子裝置U，且用於產生較高的操作頻帶的第一輻射件1較用於產生較低的操作頻帶的第二輻射件2更鄰近於材質為金屬的第一殼體H1，且用於產生較低的操作頻帶的第二輻射件2較用於產生較高的操作頻帶的第一輻射件1更鄰近於材質為金屬或非金屬的第二殼體H2，使得整體輻射效率提升。此外，須說明的是，不論第二殼體H2的材質為金屬或非金屬，第二殼體H2都至少具有對應於第二輻射件2的一外型輪廓的一非金屬區域H20。

接著，請復參閱圖1及圖2所示，並請一併參閱圖5所示，當第一殼體H1及第二殼體H2在圖1所示的疊合狀態下時，第一殼體H1與第二殼體H2之間可具有一間距，且第一基板S1、第二基板S2、第一輻射件1及第二輻射件2設置在第一殼體H1與第二殼體H2之間且位於第一殼體H1與第二殼體H2之間的其中一角落。換句話說，第一殼體H1與第二殼體H2之間具有一容置空間(圖中未標號)，且第一基板S1、第二基板S2、第一輻射件1及第二輻射件2設置在容置空間中。進一步來說，如圖5所示，以第一實施例而言，第一輻射件1與第一殼體H1之間可具有大於0.1毫米(millimeter，mm)的一第一預定間距G1，且第二輻射件2與第一殼體H1之間可具有大於5毫米的一第二預定間距G2。藉此，由於第一殼體H1及第二殼體H2中的至少其中之一的材質為金屬，所以，可利用第一輻射件1與第一殼體H1相距一第一預定間距G1且第二輻射件2與第一殼體H1相距一第二預定間距G2的架構，而避免第一殼體H1及/或第二殼體H2影響第一輻射件1及第二輻射件2的輻射效率。

接著，請復參閱圖1至圖4所示，並請一併參閱圖6所示。須說明的是，為了清楚表示第一實施例的電子裝置的第一殼體及第二殼體在疊合狀態下，第一輻射件1、第二輻射件2及接地件3的使用狀態，圖6中僅示出第一輻射件1、第二輻射件2及接地件3。詳細來說，以第一實施例而言，電子裝置U包括一第一輻射件1、一第二輻射件2、一接地件3以及一饋入件4，饋入件4電性連接於第一輻射件1與接地件3之間，接地件3電性連接於第二輻射件2，且第一輻射件1及第二輻射件2分別設置在第一基板S1及第二基板S2上。此外，如圖1及圖6所示，第二輻射件2在第一殼體H1上的垂直投影與第一輻射件1在該第一殼體H1上的垂直投影至少部分重疊，且第二輻射件2耦合於第一輻射件1並與第一輻射件1彼此分離，以利用第一輻射件1耦合激發第二輻射件2。此外，第一輻射件1包括一第一輻射部11以及電性連接於第一輻射部11的一饋入部10，且饋入件4包括一饋入端41以及一接地端42。饋入端41電性連接於該第一輻射件1的饋入部10，且接地端42電性連接於接地件3。

承上述，舉例來說，第一輻射件1、第二輻射件2及接地件3可為一金屬片、一金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體，饋入件4可為一同軸電纜線(Coaxial cable)，第一基板S1及第二基板S2可為一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)或是一柔性印刷電路板(Flexible Printed Circuit Board，FPCB)，然本發明不以此為限。此外，值得說明的是，第一輻射件1、第二輻射件2及接地件3也可以是利用雷射直接成型(Laser-Direct-Structuring，LDS)技術，而成形在第一基板S1及第二基板S2上。

接著，請復參閱圖2至圖5所示，以第一實施例而言，電子裝置還可進一步包括一接地導電件C，接地導電件C可設置在接地件3上，且接地導電件C電性連接於第二輻射件2與接地件3之間，以使接地件3通過接地導電件C而電性連接於第二輻射件2。此外，接地導電件C可抵靠在第二輻射件2上的一抵靠處200，以使得接地件3電性連接於第二輻射件2。進一步而言，舉例來說，接地導電件C可為一具有導電性的金屬彈性件，例如彈簧或彈片，然本發明不以此為限。另外，須說明的是，在其他實施方式中，接地導電件C也可以設置在第二輻射件2上，且接地導電件C抵靠在接地件3上且電性連接於第二輻射件2與接地件3之間。此外，接地導電件C也可以是一設置在第二輻射件2上的凸起部(圖中未示出)，且設置在第二輻射件2上的凸起部可抵靠在接地件3上，以使得第二輻射件2與接地件3彼此電性連接。此外，在另外一實施方式中，接地導電件C也可以是一設置在接地件3上的凸起部(圖中未示出)，且設置在接地件3上的凸起部可抵靠在第二輻射件2上。本發明不以接地導電件C的具體架構為限制。

接著，請復參閱圖2至圖6所示，以下將進一步舉例說明第一輻射件1及第二輻射件2的具體架構，且以下內容是以第一殼體H1及第二殼體H2在圖1所示的疊合狀態下，第一輻射件1、第二輻射件2及接地件3的使用狀態作為舉例說明。詳細來說，以第一實施例而言，第一輻射件1還可進一步包括一電性連接於第一輻射部11的第二輻射部12，饋入部10電性連接於第一輻射部11與第二輻射部12之間。舉例來說，如圖6所示，第一輻射部11可包括一連接於饋入部10的第一區段111、一連接於第一區段111且相對於第一區段111呈轉折的第二區段112、一連接於第二區段112且相對於第二區段112呈轉折的第三區段113以及一連接於第三區段113且相對於第三區段113呈轉折的第四區段114。此外，第二輻射部12可包括一連接於饋入部10的第五區段121以及一連接於第五區段121且相對於第五區段121呈轉折的第六區段122。此外，第二輻射件2包括一電性連接於接地件3的第七區段21以及一連接於第七區段21且相對於第七區段呈轉折的第八區段22，且第二輻射件2的抵靠處200位於第七區段21上。然而，須說明的是，本發明不以上述第一輻射件1及第二輻射件2的具體形狀為限制。

承上述，請復參閱圖6所示，舉例來說，第一區段111可相對於饋入部10朝向一第一方向(正Y方向)延伸，第二區段112可相對於第二區段112與第一區段111之間的連接處朝向一第二方向(負X方向)延伸，第三區段113可相對於第三區段113與第二區段112之間的連接處朝向一第三方向(負Y方向)延伸，且第四區段114可相對於第四區段114與第三區段113之間的連接處朝向一第四方向(正X方向)延伸。此外，第五區段121可相對於饋入部10朝向一第三方向(負Y方向)延伸，且第六區段122可相對於第六區段122與第五區段121之間的連接處朝向一第四方向(正X方向)延伸。此外，第二輻射件2的第七區段21可相對於第七區段21與接地件3之間的連接處(例如第二輻射件2的抵靠處200)朝向一第三方向(負Y方向)延伸，且第八區段22可相對於第八區段22與第七區段21之間的連接處朝向一第四方向(正X方向)延伸。然而，須說明的是，上述第一輻射件1及第二輻射件2的各個區段的延伸方向僅為舉例說明，本發明不以此為限。

承上述，舉例來說，第一輻射件1所產生的操作頻帶高於第二輻射件2所產生的操作頻帶，進一步來說，第一輻射件1所產生的操作頻帶的中心頻率高於第二輻射件2所產生的操作頻帶的中心頻率。在其中一實施方式中，第一輻射件1能產生一頻率範圍介於1710 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，且第二輻射件2能產生一頻率範圍介於698 MHz至960 MHz之間的操作頻帶，然本發明不以此為限。此外，第二輻射部12所產生的操作頻帶高於第一輻射部11所產生的操作頻帶，進一步來說，第二輻射部12所產生的操作頻帶的中心頻率高於第一輻射部11所產生的操作頻帶的中心頻率。在其中一實施方式中，第一輻射部11能產生一頻率範圍介於1710 MHz至2100 MHz之間的操作頻帶，且第二輻射部12能產生一頻率範圍介於2100 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，然本發明不以此為限。

接著，請復參閱圖2至圖4所示，並請一併參閱圖7所示，由圖7與圖2至圖4的比較可知，在圖7的實施方式中，第一輻射件1及第二輻射件2設置在同一基板S的兩相反表面上。詳細來說，基板S設置在第一殼體H1與第二殼體H2之間，基板S包括一第一表面S101以及相對於第一表面S101的一第二表面S102，第一輻射件1及接地件3設置在第一表面S101上，第二輻射件2設置在第二表面S102上。此外，值得說明的是，在圖7的實施方式中，由於第一輻射件1、接地件3及第二輻射件2是設置在同一基板S上，因此，接地件3與第二輻射件2的電性連接方式可以通過一接地導電件C將其電性連接，而接地導電件C可為一電性連接於接地件3與第二輻射件2之間的導孔(via hole)中的導電體。此外，值得說明的是，第二殼體H2至少具有對應於第二輻射件2的一外型輪廓的一非金屬區域H20，且第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影與非金屬區域H20至少部分重疊。較佳地，在另外一實施方式中，第二殼體H2還可以包括對應於第一輻射件1的一外型輪廓的一非金屬區域(圖中未示出)，且第一輻射件1在第二殼體H2上的垂直投影與非金屬區域至少部分重疊。須說明的是，相較於圖3的實施方式來說，在圖7的實施方式中，第二殼體H2的開槽中可填覆有一非金屬件以封閉開槽。

[第二實施例]

首先，請參閱圖8至圖10所示，由圖8至圖10與圖2至圖4的比較可知，第二實施例所提供的第一輻射件1及第二輻射件2的架構不同於第一實施例所提供的第一輻射件1及第二輻射件2的架構，即，第二實施例所提供的第一輻射件1及第二輻射件2是設置在第二基板S2的同一個表面上。另外，須說明的是，第二實施例所提供的電子裝置U的其他結構與前述第一實施例相仿，在此不再贅述。

承上述，詳細來說，電子裝置U包括一第一輻射件1、一第二輻射件2、一接地件3以及一饋入件4。第一輻射件1包括一第一輻射部11以及電性連接於第一輻射部11的一饋入部10，第二輻射件2耦合於第一輻射件1且與第一輻射件1彼此分離，接地件3電性連接於第二輻射件2。饋入件4包括一饋入端41以及一接地端42，饋入端41電性連接於饋入部10且接地端42電性連接於接地件3。此外，第一輻射件1所產生的操作頻帶高於第二輻射件2所產生的操作頻帶。進一步來說，第一操作頻帶的中心頻率高於第二操作頻帶的中心頻率。舉例來說，在其中一實施方式中，第一輻射件1主要能用於產生一頻率範圍介於1710 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，且第二輻射件2主要能用於產生一頻率範圍介於698 MHz至960 MHz之間的操作頻帶，然本發明不以此為限。

進一步來說，電子裝置U還可進一步包括一第一基板S1、一第二基板S2、一第一殼體H1以及一第二殼體H2，第一基板S1設置在第一殼體H1上，第二基板S2設置在第二殼體H2上。此外，以第二實施例而言，第一輻射件1及第二輻射件2設置在第二基板S2的同一個表面上，且接地件3可設置在第一基板S1上。值得說明的是，第一殼體H1的材質為金屬可為金屬，第二殼體H2的材質可為金屬，且當第一殼體H1的材質為金屬時，接地件3可電性連接於第一殼體H1。但是，須特別說明的是，第二殼體H2至少具有對應於第一輻射件1及第二輻射件2的一外型輪廓的一非金屬區域H20，且第一輻射件1及第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影與非金屬區域H20至少部分重疊。較佳地，在其中一實施方式中，第一輻射件1及第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影的面積小於非金屬區域H20的面積，且第一輻射件1及第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影完全疊合在非金屬區域H20上。此外，舉例來說，如圖9所示，非金屬區域H20可以為第二殼體H2的一開槽，然而，在其他實施方式中，也可以是在第二殼體H2的開槽中填覆有一非金屬件，本發明不以第二殼體H2的非金屬區域H20的形成方式為限制。

接著，請復參閱圖8至圖10所示，並請一併參閱圖11所示，本發明是以第一殼體H1及第二殼體H2的材質為金屬，第一輻射件1在第一殼體H1上的垂直投影與第一殼體H1上的金屬區域(圖中未標號)至少部分重疊或完全重疊，第二輻射件2在第一殼體H1上的垂直投影與第一殼體H1上的金屬區域(圖中未標號)至少部分重疊或完全重疊，且第一輻射件1及第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影與第二殼體H2上的非金屬區域H20至少部分重疊的實施方式作為舉例說明。然而，須說明的是，在其他實施方式中，也可以是第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影與第二殼體H2上的非金屬區域H20至少部分重疊，且第一輻射件1在第二殼體H2上的垂直投影與第二殼體H2上的非金屬區域H20沒有重疊。也就是說，以本第二實施例而言，第二殼體H2上的非金屬區域H20至少與第二輻射件2在第二殼體H2上的垂直投影至少部分重疊。

承上述，進一步來說，當第一殼體H1及第二殼體H2在圖1所示的疊合狀態下時，第一殼體H1與第二殼體H2之間可具有一間距，且第一基板S1、第二基板S2、第一輻射件1及第二輻射件2設置在第一殼體H1與第二殼體H2之間。進一步來說，請參閱圖11所示，以第二實施例而言，第一輻射件1與第一殼體H1之間具有大於0.1毫米的一第一預定間距G1，第二輻射件2與第一殼體H1之間具有大於5毫米的一第二預定間距G2，且由於第一輻射件1及第二輻射件2都是設置在第二基板S2上，因此，第一輻射件1與第一殼體H1之間可具有大於5毫米的一第一預定間距G1。藉此，由於第一殼體H1及第二殼體H2中的至少其中之一的材質為金屬，所以，可利用第一輻射件1與第一殼體H1相距一第一預定間距G1且第二輻射件2與第一殼體H1相距一第二預定間距G2的架構，而避免第一殼體H1及/或第二殼體H2影響第一輻射件1及第二輻射件2的輻射效率。

接著，請復參閱圖8至圖10所示，以第二實施例而言，由於第一輻射件1及第二輻射件2是設置在第二基板S2上，且接地件3是設置在第一基板S1上，因此，第二實施例所提供的電子裝置U還可進一步包括一第一導電件C1以及一第二導電件C2，以利用第一導電件C1饋入訊號並利用第二導電件C2接地。詳細來說，第一導電件C1及第二導電件C2設置在第一基板S1上，且第一導電件C1與第二導電件C2彼此分離且相互絕緣。第一導電件C1電性連接於饋入件4的饋入端41與第一輻射件1之間，且第二導電件C2電性連接於接地件3與第二輻射件2之間。此外，舉例來說，饋入件4的饋入端41電性連接於第一導電件C1，第一導電件C1具有一用於抵靠在第一輻射件1的一抵靠處100上且具有導電性的金屬彈性件(圖中未標號)，且第一導電件C1的金屬彈性件抵靠在第一輻射件1的一抵靠處100，以使得饋入端41電性連接於第一輻射件1的饋入部10。此外，舉例來說，第二導電件C2可設置在接地件3上，且第二導電件C2電性連接於第二輻射件2與接地件3之間，以使接地件3通過第二導電件C2而電性連接於第二輻射件2。此外，第二導電件C2可抵靠在第二輻射件2的一抵靠處200，以使得接地件3電性連接於第二輻射件2。進一步來說，第二導電件C2可為一具有導電性的金屬彈性件，例如彈簧或彈片。此外，雖然第二實施例是以第一導電件C1及第二導電件C2設置在第一基板S1上，且利用第一導電件C1饋入訊號至第一輻射件1並利用第二導電件C2將第二輻射件2接地的實施方式作為舉例說明，但是，在其他實施方式中，第一導電件C1及第二導電件C2也可以設置在第二基板S2上，且第一導電件C1可設置在第一輻射件1上，第二導電件C2可設置在第二輻射件2上，本發明不以上述第一導電件C1及第二導電件C2的具體架構為限制。

接著，請復參閱圖8至圖10所示，並請一併參閱圖12所示，以下將進一步舉例說明第一輻射件1及第二輻射件2的具體架構，且以下內容是以第一殼體H1及第二殼體H2在圖1所示的疊合狀態下，第一輻射件1、第二輻射件2及接地件3的使用狀態作為舉例說明。詳細來說，以第二實施例而言，第一輻射件1還可進一步包括一電性連接於第一輻射部11的第二輻射部12，且饋入部10電性連接於第一輻射部11與第二輻射部12之間。舉例來說，如圖12所示，第一輻射部11可包括一連接於饋入部10的第一區段111、一連接於第一區段111且相對於第一區段111呈轉折的第二區段112、一連接於第二區段112且相對於第二區段112呈轉折的第三區段113以及一連接於第三區段113且相對於第三區段113呈轉折的第四區段114。此外，第二輻射部12可包括一連接於饋入部10的第五區段121以及一連接於第五區段121且相對於第五區段121呈轉折的第六區段122。此外，第二輻射件2包括一電性連接於接地件3的第七區段21、一連接於第七區段21且相對於第七區段21呈轉折的第八區段22以及一連接於第八區段22且相對於第八區段呈轉折的第九區段23，且第二輻射件2的抵靠處200位於第七區段21上。然而，須說明的是，本發明不以上述第一輻射件1及第二輻射件2的具體形狀為限制。此外，圖12中所示的第一輻射件1及第二輻射件2的各個區段的延伸方向僅為舉例說明，本發明不以此為限。

承上述，舉例來說，第一輻射件1所產生的操作頻帶高於第二輻射件2所產生的操作頻帶，進一步來說，第一輻射件1所產生的操作頻帶的中心頻率高於第二輻射件2所產生的操作頻帶的中心頻率。在其中一實施方式中，第一輻射件1能產生一頻率範圍介於1710 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，且第二輻射件2能產生一頻率範圍介於698 MHz至960 MHz之間的操作頻帶，然本發明不以此為限。此外，第二輻射部12所產生的操作頻帶高於第一輻射部11所產生的操作頻帶，進一步來說，第二輻射部12所產生的操作頻帶的中心頻率高於第一輻射部11所產生的操作頻帶的中心頻率。在其中一實施方式中，第一輻射部11能產生一頻率範圍介於1710 MHz至2100 MHz之間的操作頻帶，且第二輻射部12能產生一頻率範圍介於2100 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，然本發明不以此為限。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電子裝置U，其能通過“第二輻射件2耦合於第一輻射件1且與第一輻射件1彼此分離”的技術方案，以分別利用第一輻射件1及第二輻射件2產生兩個不同的操作頻帶，且第一輻射件1所產生的操作頻帶高於第二輻射件2所產生的操作頻帶。

更進一步來說，本發明所提供的電子裝置U中的天線模組A，較佳可以應用在第一殼體H1的材質為金屬且第二殼體H2的材質為非金屬的架構下，或者是應用在第一殼體H1及第二殼體H2的材質都為金屬的架構下。也就是說，本發明可以應用在第一殼體H1及第二殼體H2中的至少其中之一的材質為金屬的架構下。此外，本發明能利用第一輻射件1與第一殼體H1之間具有大於0.1毫米(millimeter，mm)的一第一預定間距G1，且第二輻射件2與第一殼體H1之間具有大於5毫米的一第二預定間距G2的技術方案，而避免第一殼體H1及/或第二殼體H2影響第一輻射件1及第二輻射件2的輻射效率。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

U:電子裝置 A:天線模組 H1:第一殼體 H2:第二殼體 H20:非金屬區域 S:基板 S101:第一表面 S102:第二表面 S1:第一基板 S2:第二基板 1:第一輻射件 100:抵靠處 10:饋入部 11:第一輻射部 111:第一區段 112:第二區段 113:第三區段 114:第四區段 12:第二輻射部 121:第五區段 122:第六區段 2:第二輻射件 200:抵靠處 21:第七區段 22:第八區段 23:第九區段 3:接地件 4:饋入件 41:饋入端 42:接地端 C:接地導電件 C1:第一導電件 C2:第二導電件 G1:第一預定間距 G2:第二預定間距 X,Y,Z:方向

圖1為本發明第一實施例的電子裝置的立體示意圖。

圖2為本發明第一實施例的電子裝置的分解示意圖。

圖3為本發明第一實施例的電子裝置的其中一部分的立體分解示意圖。

圖4為本發明第一實施例的電子裝置的另外一部分的立體分解示意圖。

圖5為本發明第一實施例的電子裝置的其中一部分的剖面示意圖。

圖6為本發明第一實施例的電子裝置的第一殼體及第二殼體在疊合狀態下，第一輻射件、第二輻射件及接地件的使用狀態示意圖。

圖7為本發明第一實施例的電子裝置的另外一種實施方式的立體分解示意圖。

圖8為本發明第二實施例的電子裝置的分解示意圖。

圖9為本發明第二實施例的電子裝置的其中一部分的立體分解示意圖。

圖10為本發明第二實施例的電子裝置的另外一部分的立體分解示意圖。

圖11為本發明第二實施例的電子裝置的其中一部分的剖面示意圖。

圖12為本發明第二實施例的電子裝置的第一殼體及第二殼體在疊合狀態下，第一輻射件、第二輻射件及接地件的使用狀態示意圖。

H1:第一殼體

H2:第二殼體

S1:第一基板

S2:第二基板

1:第一輻射件

2:第二輻射件

200:抵靠處

3:接地件

4:饋入件

41:饋入端

42:接地端

C:接地導電件

X,Y:方向

Claims (15)

1. 一種電子裝置，其包括： 一第一輻射件，包括一第一輻射部以及電性連接於該第一輻射部的一饋入部； 一第二輻射件，耦合於該第一輻射件且與該第一輻射件彼此分離； 一接地件，電性連接於該第二輻射件；以及 一饋入件，包括一饋入端以及一接地端，該饋入端電性連接於該饋入部且該接地端電性連接於該接地件； 其中，該第一輻射件所產生的操作頻帶高於該第二輻射件所產生的操作頻帶。
2. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：一第一基板、一第二基板、一第一殼體以及一第二殼體，其中，該第一基板設置在該第一殼體上，該第二基板設置在該第二殼體上，該第二殼體具有對應於該第二輻射件的一非金屬區域；其中，該第一輻射件設置在該第一基板上，該第二輻射件設置在該第二基板上，該第一基板與該第二基板設置在該第一殼體與該第二殼體之間，且該第二輻射件在該第二殼體上的垂直投影與該非金屬區域至少部分重疊；其中，該第一殼體與該第二殼體之間具有一間距，該第一殼體與該第二殼體的材質為金屬。
3. 如請求項2所述的電子裝置，更包括：一接地導電件，且該接地導電件電性連接於該第二輻射件與該接地件之間，以使該接地件通過該接地導電件而電性連接於該第二輻射件。
4. 如請求項3所述的電子裝置，其中，該接地導電件為一金屬彈性件。
5. 如請求項2所述的電子裝置，其中，該第二輻射件在該第一殼體上的垂直投影與該第一輻射件在該第一殼體上的垂直投影至少部分重疊。
6. 如請求項2所述的電子裝置，其中，該第一輻射件能產生一頻率範圍介於1710 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，且該第二輻射件能產生一頻率範圍介於698 MHz至960 MHz之間的操作頻帶。
7. 如請求項2所述的電子裝置，其中，該第一輻射件更包括一第二輻射部，該饋入部電性連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間，且該第二輻射部所產生的操作頻帶高於該第一輻射部所產生的操作頻帶。
8. 如請求項2所述的電子裝置，其中，該第一輻射件與該第一殼體之間具有大於0.1毫米的一第一預定間距，該第二輻射件與該第一殼體之間具有大於5毫米的一第二預定間距。
9. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：一基板、一第一殼體以及一第二殼體，其中，該基板設置在該第一殼體與該第二殼體之間，該基板包括一第一表面以及相對於該第一表面的一第二表面，該第一輻射件設置在該第一表面上，該第二輻射件設置在該第二表面上，且該第一輻射件鄰近於該第一殼體設置，該第二輻射件鄰近於該第二殼體設置；其中，該第二殼體具有對應於該第二輻射件的一非金屬區域，且該第二輻射件在該第二殼體上的垂直投影與該非金屬區域至少部分重疊。
10. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：一第一殼體以及一第二殼體，該第一輻射件鄰近於該第一殼體設置，且該第二輻射件鄰近於該第二殼體設置，其中，該第二殼體具有對應於該第二輻射件的一非金屬區域，且該第二輻射件在該第二殼體上的垂直投影與該非金屬區域至少部分重疊。
11. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：一第一基板、一第二基板、一第一殼體以及一第二殼體，其中，該第一基板設置在該第一殼體上，該第二基板設置在該第二殼體上，該第一輻射件及該第二輻射件設置在該第二基板上，該第二殼體具有對應於該第二輻射件的一非金屬區域，且該第一輻射件及該第二輻射件在該第二殼體上的垂直投影與該非金屬區域至少部分重疊，其中該第一殼體與該第二殼體的材質為金屬。
12. 如請求項11所述的電子裝置，更包括：一第一導電件以及一第二導電件，該第一導電件及該第二導電件設置在該第一基板上，且該第一導電件電性連接於該饋入端與該第一輻射件之間，且該第二導電件電性連接於該接地件與該第二輻射件之間。
13. 如請求項11所述的電子裝置，其中，該第一輻射件能產生一頻率範圍介於1710 MHz至2690 MHz之間的操作頻帶，且該第二輻射件能產生一頻率範圍介於698 MHz至960 MHz之間的操作頻帶。
14. 如請求項11所述的電子裝置，其中，該第一輻射件更包括一第二輻射部，該饋入部電性連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間，且該第二輻射部所產生的操作頻帶高於該第一輻射部所產生的操作頻帶。
15. 如請求項11所述的電子裝置，其中，該第一輻射件與該第一殼體之間具有大於0.1毫米的一第一預定間距，該第二輻射件與該第一殼體之間具有大於5毫米的一第二預定間距。

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