TW202100949A - Measurement device, circuit board processing system, and measurement method - Google Patents
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Abstract
Description
本揭示係關於測定裝置、基板處理系統及測定方法。This disclosure relates to measuring devices, substrate processing systems, and measuring methods.
在專利文獻1中揭示藉由攝影裝置攝影形成有圖案之基板,根據藉由攝影而獲得的圖案之畫像資訊,測定圖案之形狀。 [先前技術文獻] [專利文獻]Patent Document 1 discloses that a patterned substrate is photographed by a photographing device, and the shape of the pattern is measured based on the image information of the pattern obtained by photographing. [Prior Technical Literature] [Patent Literature]
[專利文獻1] 日本特開2015-72257號公報[Patent Document 1] JP 2015-72257 A
[發明所欲解決之課題][The problem to be solved by the invention]
本揭示係提供精度佳地測定圖案形狀的技術。 [用以解決課題之手段]This disclosure provides a technique for accurately measuring the shape of a pattern. [Means to solve the problem]
本揭示之一態樣所涉及的測定裝置具備搬運部、攝影部和測定部。搬運部係搬運形成有圖案的基板。在攝影部與基板之距離在特定對焦範圍內之情況,開始進行基板的攝影。測定部係根據攝影而獲得的畫像資訊,測定圖案之形狀。 [發明之效果]The measurement device according to one aspect of the present disclosure includes a transport unit, an imaging unit, and a measurement unit. The conveying part conveys the patterned substrate. When the distance between the imaging unit and the substrate is within a specific focus range, the substrate is photographed. The measuring unit measures the shape of the pattern based on the image information obtained by photography. [Effects of Invention]
若藉由本揭示時,可以精度佳地測定圖案形狀。According to this disclosure, the shape of the pattern can be measured accurately.
以下,參照附件圖面,詳細說明本案揭示的測定裝置、基板處理系統及測定方法之實施型態。另外,以下所示之實施型態所揭示的測定裝置、基板處理系統及測定方法並非被限定者。Hereinafter, with reference to the attached drawings, the implementation of the measuring device, substrate processing system and measuring method disclosed in this case will be described in detail. In addition, the measurement device, substrate processing system, and measurement method disclosed in the embodiments shown below are not limited.
(第1實施型態) [基板處理系統] 首先,針對第1實施型態所涉及的基板處理系統1之構成,參照圖1進行說明。圖1係表示第1實施型態所涉及之基板處理系統1之構成的示意說明圖。(First implementation type) [Substrate Processing System] First, the configuration of the substrate processing system 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 1. FIG. 1 is a schematic explanatory diagram showing the structure of a substrate processing system 1 according to the first embodiment.
圖1所示之第1實施型態所涉及之基板處理系統1係對被處理基板G(以下,稱為「基板G」,在圖1中無圖示),進行藉由例如光微影工程而形成圖案之處理的單元。另外,基板處理系統1即使藉由光微影工程以外之工程形成圖案亦可。The substrate processing system 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 performs, for example, a photolithography process on a substrate G to be processed (hereinafter referred to as "substrate G", not shown in FIG. 1) And the processing unit that forms the pattern. In addition, the substrate processing system 1 may form patterns by processes other than the photolithography process.
基板處理系統1具備光阻塗佈裝置11、減壓乾燥裝置12、預烘烤裝置13、冷卻裝置14、曝光裝置15、局部曝光裝置16、顯像裝置17和線寬測定裝置18(測定裝置)。上述各裝置11~18係例如X軸正方向依裝置11~18的順序一體性被連接。另外,各裝置11~18之配置不限定於此。各裝置11~18即使配置成複數列,例如與X軸平行的2列亦可。The substrate processing system 1 includes a photoresist coating device 11, a reduced-
上述各裝置11~18係藉由搬運機構在X軸正方向搬運基板G。搬運機構係例如滾筒式輸送機、帶式輸送機或鍊條輸送機等之搬運機構。另外,搬運機構即使為懸浮式搬運機構亦可。懸浮式之搬運機構係從下方支持例如基板G之端部,邊朝向基板G從下方噴吹壓縮空氣而水平保持基板G,邊使基板G移動。Each of the above-mentioned devices 11 to 18 conveys the substrate G in the positive X-axis direction by a conveying mechanism. The conveying mechanism is a conveying mechanism such as a roller conveyor, a belt conveyor, or a chain conveyor. In addition, the transport mechanism may be a floating transport mechanism. The suspension type transport mechanism supports, for example, the end of the substrate G from below, and moves the substrate G while blowing compressed air toward the substrate G from below to hold the substrate G horizontally.
基板G一面藉由搬運機構被搬運,一面通過各裝置11~18內而形成圖案。如此一來,在基板處理系統1中,各裝置11~18被串接化而進行光微影工程。再者,在基板處理系統1中,基板G在每特定時間,或以特定間隔,依序藉由搬運機構流動。The substrate G is conveyed by the conveying mechanism while passing through each of the devices 11 to 18 to form a pattern. In this way, in the substrate processing system 1, the devices 11 to 18 are connected in series to perform the photolithography process. Furthermore, in the substrate processing system 1, the substrate G is sequentially flowed by the conveying mechanism every specific time or at specific intervals.
光阻塗佈裝置11在基板G塗佈具有感光性的光阻。即是,光阻塗佈裝置11在基板G形成光阻膜。另外,作為光阻,即使為正型光阻及負型光阻中之任一者亦可適用。The photoresist coating device 11 applies a photosensitive photoresist to the substrate G. That is, the photoresist coating device 11 forms a photoresist film on the substrate G. In addition, as the photoresist, even if it is either a positive photoresist or a negative photoresist, it can be applied.
減壓乾燥裝置12係在被減壓的腔室內配置基板G,使被形成在基板G的光阻膜乾燥。預烘烤裝置13係對基板G進行加熱處理而使光阻膜之溶劑蒸發,使光阻膜定影在基板G。冷卻裝置14係將在預烘烤裝置13被加熱的基板G冷卻至成為特定溫度為止。The reduced-
曝光裝置15係對被形成在基板G之光阻膜,使用遮罩而曝光成特定的圖案形狀。局部曝光裝置16係為了抑制在被形成在例如基板G之圖案產生偏差之情形,對光阻膜局部性曝光。即是,例如假設被形成在基板G的圖案之線寬相對於期待的線寬不同之情況,局部曝光裝置16對圖案之線寬相對於期待的線寬不同之部位進行局部性曝光,補正圖案之線寬。The
顯像裝置17係將藉由曝光裝置15及局部曝光裝置16被曝光之後的基板G浸漬於顯像液而進行顯像處理,在基板G形成圖案。線寬測定裝置18係藉由在顯像裝置17之顯像處理而測定被形成在基板G的圖案之線寬。In the developing
另外,在上述中,雖然將測定的對象亦即圖案設為圖案的線寬,但是此為示例,非限定者。即是,圖案若為與圖案之形狀有關者,即使為任何者亦可。具體而言,測定之對象亦即圖案若為例如圖案之長度或粗度等之尺寸、曲率、佈局還有圖案之缺損或變形等,與圖案之形狀有關者即可。In addition, in the above, although the pattern that is the object of measurement is the line width of the pattern, this is an example and is not limited. That is, if the pattern is related to the shape of the pattern, it may be anything. Specifically, the object of measurement, that is, if the pattern is the size, curvature, and layout of the pattern, such as the length or thickness of the pattern, as well as the defect or deformation of the pattern, which is related to the shape of the pattern.
[線寬測定裝置之構成]
接著,針對線寬測定裝置18,參照圖2及圖3進行說明。圖2係表示第1實施型態所涉及之線寬測定裝置18之構成的示意側視圖。圖3係表示第1實施型態所涉及之線寬測定裝置18之構成的示意斜視圖。另外,在以下中,如圖2及圖3所示般,規定與上述X軸方向正交的Y軸方向及Z軸方向,將Z軸正方向設為垂直朝上方向。再者,將包含X軸及Y軸的方向設為水平方向。[Constitution of line width measuring device]
Next, the line
線寬測定裝置18具備搬運部20、攝影部30、移動部40、FFU(Fan Filter Unit)60和測定控制裝置50。The line
搬運部20係上述基板處理系統1之搬運機構之一部分,例如滾筒式輸送機。搬運部20係藉由使多數滾筒21旋轉,將被載置於滾筒21上之基板G朝水平方向具體而言X軸之正方向搬運。另外,在圖3中,透視表示滾筒21。The
搬運部20係搬運從在基板處理系統1從被配置在線寬測定裝置18之前段的顯像裝置17被搬出的基板G。搬運部20之動作,詳細而言滾筒21之旋轉動作藉由測定控制裝置50被控制。The
再者,在搬運部20中,於搬運基板G之搬運面附近,配設複數個(例如4個)在圖3中以虛線表示的基板位置檢測部22。基板位置檢測部22係於基板G位於上方之情況,將檢測訊號輸出至測定控制裝置50。作為基板位置檢測部分22,使用例如光學式之庫存感測器。Furthermore, in the
基板位置檢測部22被配置成在基板G被載置於特定位置之情況,位於基板G之下方。特定位置係藉由攝影部30能夠攝影基板G之圖案的位置。另外,基板位置檢測部22即使為3個以下亦可,即使為5個以上亦可。The substrate
攝影部30被配置在搬運部20之Z軸方向中的上方,從上方攝影被載置在搬運部20之基板G之圖案。作為攝影部30,可以使用例如CCD(Charge Coupled Device)攝影機。藉由攝影部30攝影而獲得的畫像之資訊(以下,稱為「畫像資訊」)被輸入至測定控制裝置50。攝影部30係根據從測定控制裝置50被輸出的訊號,開始攝影,實行攝影。The photographing
在攝影部30之附近,設置攝影機高度測定部31。攝影機高度測定部31係測定從攝影部30之透鏡至在基板G形成有圖案之圖案面(上面)Ga為止的Z軸方向高度。攝影機測定部31所致的測定結果被輸入至測定控制裝置50,用於調整攝影部30之高度。另外,作為攝影機高度測定部31,使用雷射位移計。In the vicinity of the
移動部40係使攝影部30相對於基板G之圖案面Ga朝水平方向(X-Y軸方向)或垂直方向(Z方向)移動。具體而言,移動部40具備導軌部41、滑動部42和連結部43。The moving
導軌部41分別被配置在搬運部20之Y軸方向中之兩端側,沿著X軸方向延伸。滑動部42係以能夠滑動(可滑動)之方式被連接於各導軌部41。即是,滑動部42係沿著導軌部41在X軸方向直線運動。The
連結部43被跨架在基板G之上方,連結滑動部42彼此。在連結部43以經安裝板44能夠在Y軸及Z軸方向移動之方式連接攝影部30及攝影機高度測定部31。The connecting
雖然省略圖示,移動部40具備使滑動部42相對於導軌41在X軸方向移動的驅動源,和使攝影部30等相對於連結部43在Y軸方向及Z軸方向移動的驅動源。作為上述驅動源,使用例如電動馬達。依此,可以藉由例如測定控制裝置50控制移動部40之驅動源,使攝影部30相對於基板G在X、Y、Z軸方向之3方向移動。Although not shown, the moving
FFU60係被設置在收容搬運部20等之腔室18a之頂面18b,對基板G供給潔淨空氣的空氣供給單元。The
接著,針對測定控制裝置50參照圖4予以說明。圖4為第1實施型態所涉及之測定控制裝置50之方塊圖。Next, the
測定控制裝置50係具備測定部51和記憶部52的電腦。另外,測定控制裝置50以能夠通訊之方式與搬運部22、基板位置檢測部22、攝影部30、攝影機高度測定部31、移動部40等之各者連接。The
在記憶部52儲存控制線寬測定處理的程式。測定部51係藉由讀出被記憶於記憶部52之程式,控制線寬測定裝置18之動作。A program for controlling the line width measurement processing is stored in the
並且,如此之程式係被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者,即使為從其記憶媒體被安裝於測定控制裝置50之記憶部52者亦可。作為藉由電腦而可讀取之記憶媒體而言,例如有硬碟(HD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、快閃記憶體、記憶卡等。In addition, such a program is recorded in a storage medium readable by a computer, even if it is installed in the
在記憶部52,進一步事先記憶基板G之圖案形狀(以下,稱為「記憶圖案形狀」,和在基板G中欲測定的圖案之位置資訊。例如,基板G在複數處測定圖案形狀。圖5為用以說明記憶圖案形狀和位置資訊的基板G之示意放大圖。另外,在此,以欲測定被形成在基板G之複數圖案之中,在圖5中以符號A表示的圖案P之線寬之情況為例予以說明。再者,在圖5中,為了容易理解,在圖案標示斜線。In the
在欲測定的圖案P之附近,如以虛線包圍表示般,存在相對於圖案P會成為標誌之形狀的圖案B。記憶部52係事先記憶該圖案B之形狀作為「記憶圖案形狀B」。記憶圖案形狀B係在線寬測定處理中,畫像資訊係判定是否包含欲測定之圖案P,但是針對此於後述。In the vicinity of the pattern P to be measured, as indicated by a dotted line, there is a pattern B that becomes a shape of a mark with respect to the pattern P. The
另外,記憶圖案形狀B被設定在每個要測定的圖案之位置(也稱為「測定點」)而被記憶於記憶部52。但是,例如,在2以上之測定點,在記憶圖案形狀B為相同形狀之情況,即使在2以上之測定點共用記憶圖案B亦可。In addition, the memory pattern shape B is set at the position (also referred to as "measurement point") of each pattern to be measured and is stored in the
再者,上述位置資訊係例如在被攝影到的畫像中,表示測定點對與記憶圖案形狀B一致之圖案的相對位置的畫素座標資訊。詳細而言,在記憶圖案形狀B,設定有如圖5所示般之原點O,在畫素座標包含測定點對原點O的起點位置XY1及終點位置XY2之資訊。Furthermore, the above-mentioned position information is, for example, pixel coordinate information indicating the relative position of the measurement point to the pattern corresponding to the memory pattern shape B in the captured image. In detail, in the memory pattern shape B, the origin O as shown in FIG. 5 is set, and the pixel coordinates include the information of the start position XY1 and the end position XY2 of the measurement point to the origin O.
具體而言,作為起點位置XY1,設置欲測定之圖案P之一方(在圖5中,上側之圖案P)之下端位置,作為終點位置XY2,設定欲測定之圖案P之另一方(在圖5中下側之圖案P)之上端位置。而且,上述起點位置XY1和終點位置XY2之間的距離就以「線寬A」被測定。針對該線寬A之測定於後說明。另外,上述起點位置XY1及終點位置XY2之資訊藉由被攝影到的畫像之畫素中之X、Y座標表示。Specifically, as the starting point position XY1, set the lower end position of one of the patterns P to be measured (in Figure 5, the upper pattern P), and set the end position XY2 to set the other side of the pattern P to be measured (in Figure 5 The upper end position of the pattern P) on the middle and lower side. In addition, the distance between the starting point position XY1 and the ending point position XY2 is measured as "line width A". The measurement of the line width A will be described later. In addition, the information of the starting point position XY1 and the ending point position XY2 is represented by the X and Y coordinates in the pixels of the photographed image.
另外,測定控制裝置50係反饋在線寬測定處理測定到的圖案之線寬的資料。在局部曝光裝置16中,比較被測定的圖案之線寬和期待的線寬,在偏移之情況,算出其偏移量,根據所算出的偏移量,修正曝光之照度或在基板G局部曝光的位置等。依此,對修正後被搬運至局部曝光裝置16之基板G,可以對被修正後的照度或基板G之位置進行局部曝光,依此可以將基板G之圖案之線寬修正成期待的線寬。In addition, the
[線寬測定裝置之處理]
接著,針對藉由線寬測定裝置18而被進行的線寬測定處理之具體性內容,參照圖6予以說明。圖6為表示第1實施型態所涉及之線寬測定處理之處理順序的流程圖。另外,在線寬測定裝置18中,根據測定控制裝置50之測定部51之控制,實行圖6所示之各處理順序。[Processing of line width measuring device]
Next, the specific content of the line width measurement process performed by the line
測定部51係控制搬運部20之動作,而搬運被顯像處理的基板G(步驟S1)。測定部51係根據從基板位置檢測部22被輸出的檢測訊號,判定基板G是否被載置於特定位置(步驟S2)。The
在測定部51判定基板G不被載置於特定位置之情況(步驟S2,NO),照原樣地結束處理。另外,在測定部51判定成基板G被載置於特定位置之情況(步驟S2,Yes),停止搬運部20之動作而使基板G停止(步驟S3)。When the measuring
測定部51係決定在基板G中之圖案之測定點之位置,詳細而言此次測定的測定點(步驟S4)。The
測定部51係以攝影部30在決定的測定點之上方移動之方式,控制移動部40之動作(步驟S5)。具體而言,測定部51係使攝影部30在水平方向移動,使攝影部30在測定點之上方移動。The
另外,測定部51即使計測攝影部30和基板G之距離,以所計測到的距離成為事先設定的特定範圍內之方式,一面使攝影部30在Z方向移動,一面使攝影部30在水平方向移動亦可。即是,即使測定部51係以追隨基板之撓曲之方式,一面使攝影部30在Z方向移動,一面使攝影部30在測定點之上方移動亦可。In addition, even if the measuring
測定部51係調整攝影部30之Z軸方向中之高度(步驟S6)。具體而言,測定部51係攝影部30移動至測定點之上方後經過特定時間之後,根據攝影機測定部31之測定結果,控制移動部40之動作。即是,測定部51係基板G移動至水平方向中之基板攝影位置後經過特定待機時間之後,調整在Z軸方向中與基板G的高度。The measuring
特定待機時間係事先設定的時間,攝影部30之水平方向之振動收斂的時間。雖然測定部51係以從攝影部30之透鏡至基板G之圖案面Ga為止的距離成為攝影部30之準確對焦距離之方式,控制移動部40之動作。準確對焦距離係在藉由攝影部30被攝影到的畫像中晃動最少的距離。The specific waiting time is a time set in advance, and the time for the horizontal vibration of the
更詳細而言,測定部51使用攝影機高度測定部31,測定複數次從攝影部30至基板G為止之Z軸方向高度。再者,測定部51係根據所獲得的測定結果,算出振動的基板G之振幅。而且,測定部51係以因應所算出的振幅之中央值而從攝影部30之透鏡至基板G之圖案面Ga為止的距離成為攝影部30之準確對焦距離之方式,控制移動部40之動作。More specifically, the measuring
依此,即使在基板G振動之情況,在後述的攝影處理中,可以容易攝影焦點對準的畫像。另外,在上述中,雖然使用振幅之中央值,但不限定於此,即使例如為算術平均數或眾數等亦可。According to this, even when the substrate G vibrates, an in-focus image can be easily photographed in the photographing process described later. In addition, in the above, although the median value of the amplitude is used, it is not limited to this, and may be, for example, an arithmetic mean or mode.
測定部51判定攝影部30所致的圖案之攝影次數是否為特定次數以上(步驟S7)。特定次數被設定成例如2以上之整數。The
於測定部51判定攝影次數未滿特定次數之情況(步驟S7,No),進行攝影處理(步驟S8)。針對攝影處理,於後述。It is determined by the measuring
測定部51係於進行攝影處理之後,進行圖案搜尋處理(步驟S9)。在圖案搜尋處理中,算出例如畫像資訊包含的圖案形狀(以下,稱為「畫像圖案形狀」)和被記憶於記憶部52之記憶圖案形狀B的相關值。另外,相關值係表示畫像圖案形狀和記憶圖案形狀B的類似性的值。The
接著,測定部51係判定所算出之相關值是否為特定相關值以上(步驟S10)。測定部51係在相關值未滿特定相關值之情況,畫像資訊不含與圖案形狀B一致的圖案,其結果,判定為也不含欲測定的圖案P。再者,測定部51係在相關值為特定相關值以上之情況,畫像資訊包含與記憶圖案形狀B一致的圖案,其結果,判定為包含欲測定的圖案P。Next, the measuring
即是,圖案搜尋處理係判定攝影部30之位置相對於欲測定的圖案P(測定點)是否有位置偏移的處理。因此,測定部51在相關值未滿特定相關值之情況(步驟S10,No),畫像資訊不包含欲測定的圖案P,判定為位於攝影部30與測定點不同的位置,調整攝影部30之位置(步驟S11)。That is, the pattern search process is a process of determining whether the position of the
測定部51係使例如攝影部30在水平方向移動。另外,測定部51即使降低攝影部30之透鏡的倍率,放大攝影機視野,根據來自放大的攝影機視野之畫像資訊,使攝影部30移動至測定點亦可。The
測定部51係於調整攝影部30之位置之後,再次實行攝影處理(步驟S8)。After adjusting the position of the
如此一來,相關值未滿特定相關值之情況,藉由使攝影部30再次實行基板G之圖案之攝影,測定部51可以防止錯誤測定欲測定的圖案P之線寬A以外的線寬之情形。In this way, when the correlation value is less than the specific correlation value, by making the photographing
測定部51係在相關值為特定相關值以上之情況(步驟S10,Yes),根據畫像資訊算出圖案之邊緣強度,判定所算出的邊緣強度是否為特定邊緣強度以上(步驟S12)。When the correlation value is greater than or equal to the specific correlation value (step S10, Yes), the
邊緣強度係指在被攝影到的圖案中之境界(輪廓)之濃淡的變化程度之意,指隨著邊緣強度增加,濃淡變得清晰,所謂的畫像之焦點對準之意。Edge intensity refers to the degree of change in the intensity of the boundary (contour) in the pattern being photographed. As the edge intensity increases, the intensity becomes clearer and the so-called image is focused.
測定部51係在邊緣強度未滿特定邊緣強度之情況(步驟S12,No),由於以攝影部30被攝影到的畫像之焦點未對準,故返回至步驟S7,進行上述處理。而且,若攝影次數還未滿特定次數時,換言之,在攝影次數未到達至特定次數之情況,測定部51在步驟S8再次實行基板G之圖案之攝影,再次實行步驟S9之後的處理。When the edge strength is less than the specified edge strength (step S12, No), the measuring
測定部51係在邊緣強度為特定邊緣強度以上之情況(步驟S12,Yes),由於被攝影到的畫像之焦點對準,故使用被攝影到的畫像,算出測定點之起點位置XY1及終點位置XY2(步驟S13)。When the edge strength is greater than or equal to the specific edge strength (step S12, Yes), the
具體而言,測定部51係從焦點對準的畫像中,相對於記憶圖案形狀B相關值高,與記憶圖案形狀B一致的圖案之位置算出測定點之起點位置XY1及終點位置XY2。Specifically, the
當詳細說明時,在記憶圖案形狀B如上述般被設定原點O(參照圖5)。測定部51係在攝影到的畫像中,將在與記憶圖案形狀B一致的圖案中與原點O對應的位置設為「基準點」。而且,測定部51係根據基準點,和作為記憶部52之位置資資訊的畫素座標資訊,算出起點位置XY1及終點位置XY2。In detail, the origin O is set in the memory pattern shape B as described above (refer to FIG. 5). The
測定部51係測定在步驟S13算出的起點位置XY1和終點位置XY2之間的距離,作為在測定點的圖案P之線寬A(步驟S14)。即是,測定部51係根據藉由攝影部30所獲得的畫像資訊,測定基板G之圖案形狀。The measuring
測定部51係判定複數測定點之測定是否結束(步驟S15)。測定部51係在判定複數測定點之測定未結束之情況(步驟S15,No),返回至步驟S4,決定另外的測定點的位置,進行上述步驟S5~S14之線寬測定。另外,測定部51係在複數測定點之測定結束之情況(步驟S15,Yes),結束此次的處理。即是,結束對基板G的線寬測定處理。The
[攝影處理] 接著,針對攝影處理之具體性內容參照圖7而進行說明。圖7為表示第1實施型態所涉及之攝影處理之處理順序的流程圖。[Photographic processing] Next, the specific content of the photographing process will be described with reference to FIG. 7. Fig. 7 is a flowchart showing the processing procedure of the photographing process according to the first embodiment.
測定部51係藉由攝影機高度測定部31測定從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止的距離(步驟S20)。The measuring
測定部51係判定從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離是否變短(步驟S21)。具體而言,測定部51判定在此次的處理所測定到的距離是否較在上一次處理所測定到的距離短。The
測定部51係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離未變短之情況(步驟S21,No),返回至步驟S20,重複上述處理。When the distance from the camera of the
測定部51係於攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離變短之情況(步驟S21,Yes),判定從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離是否成為攝影開始距離(步驟S22)。攝影開始距離被設置在包含準確對焦的特定對焦範圍內。特定對焦範圍係藉由攝影部30被攝影到的畫像中的晃動小,可以精度佳地測定圖案P之線寬的範圍。The measuring
具體而言,攝影開始距離係較準確對焦距離長的上限攝影開始距離。上限攝影開始距離係被設定成在從開始攝影至結束攝影為止之攝影時間內,從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離在特定對焦範圍。上限攝影開始距離係根據攝影部30之性能,具體而言,根據攝影時間被設定。上限攝影開始距離成為攝影時間越短,越接近準確對焦距離的距離。Specifically, the shooting start distance is the upper limit shooting start distance that is longer than the accurate focusing distance. The upper limit imaging start distance is set so that the distance from the camera of the
測定部51係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離成為攝影開始距離的情況(步驟S22,Yes),開始攝影,實行攝影(步驟S23)。When the distance from the camera of the
測定部51係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離成為攝影開始距離之情況(步驟S22,No),返回至步驟S20,重複上述處理。When the distance from the camera of the
如此一來,測定部51係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離變短,並且從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離成為上限攝影開始距離之特定時序進行攝影。In this way, the distance from the camera of the
測定部51係以從攝影部30之透鏡至基板G之圖案面Ga為止之距離成為攝影部30之準確對焦距離之方式,在攝影處理之前階段調整攝影部30之Z軸方向中的高度(圖6之步驟6)。但是,從攝影部30之透鏡至基板G之圖案面Ga為止之距離藉由攝影部30或基板G之Z軸方向之振動而變化。The measuring
於是,測定部51首先藉由攝影部30或基板G之Z軸方向之振動,判定從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離是否變短。即是,測定部51係藉由攝影部30或基板G之Z軸方向之振動,判定攝影機係接近基板G,還是攝影機係遠離基板G。
而且,測定部51係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離變短,並且從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離成為攝影開始距離之情況,開始攝影。Then, the measuring
依此,攝影部30係在根據從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離的特定時序進行攝影。即是,攝影部30即使在不同的測定點或是不同的基板G進行攝影之情況,亦可以在根據從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離的特定時序進行攝影。Accordingly, the
例如,從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離係如圖8之實線或虛線所示般變化。圖8為說明第1實施型態所涉及之攝影處理中之攝影開始時序的圖。For example, the distance from the camera of the
線寬測定裝置18係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離如圖8之實線表示般地變化之情況,當在時間T1成為特定的時序時則開始攝影。The line
例如,從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離以圖8之虛線所示般變化之情況,當在時間T1開始攝影時,在特定對焦範圍外開始攝影。因此,被攝影的畫像有成為焦點偏移的畫像之虞。For example, when the distance from the camera of the
對此,線寬測定裝置18係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離如圖8之虛線表示般地變化之情況,當在時間T2成為特定的時序時則開始攝影。In this regard, the line
如此一來,線寬測定裝置18係藉由在根據從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離的特定時序進行攝影,可以使被攝影到的各畫像之對焦狀態成為接近的狀態。In this way, the line
[效果]
線寬測定裝置18係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離進入特定對焦範圍內之情況,開始基板G之攝影。具體而言,線寬測定裝置18係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離成為被設定在特定對焦範圍內的攝影開始距離之情況,開始攝影。而且,線寬測定裝置18係根據畫像資訊測定圖案之形狀。[effect]
The line
依此,線寬測定裝置18即使在攝影部30或基板G振動之情況,亦可以攝影焦點對準的畫像。因此,線寬測定裝置18可以精度佳地攝影基板G之圖案形狀。因此,線寬測定裝置18可以精度佳地測定基板G之圖案形狀。According to this, the line
再者,線寬測定裝置18係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離變短,並且從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離成為上限攝影開始距離之情況,開始攝影。In addition, the line
依此,線寬測定裝置18可以在特定時序進行各攝影。因此,線寬測定裝置18係使被攝影到的各畫像之對焦狀態成為接近的狀態,可以攝影各畫像中,例如晃動之特徵相等的畫像。因此,線寬測定裝置18可以精度佳地測定基板G之圖案形狀。According to this, the line
線寬測定裝置18係以攝影部30位於測定點之上方之方式,使攝影部30在水平方向移動後經過特定待機時間之後,使攝影部30在Z軸方向移動,調整從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離。The line
依此,線寬測定裝置18可以攝影水平方向之晃動被抑制的畫像。因此,線寬測定裝置18可以精度佳地攝影基板G之圖案形狀,可以精度佳地測定基板G之圖案形狀。According to this, the line
(第2實施型態) 接著,針對第2實施型態所涉及之基板處理系統1之構成予以說明。在此,以與第1實施型態所涉及的基板處理系統1之構成不同之處為中心進行說明。針對第1實施型態所涉及之基板處理系統1相同的構成,標示與第1實施型態所涉及之基板處理系統1相同的符號,省略詳細說明。(Second Implementation Type) Next, the configuration of the substrate processing system 1 according to the second embodiment will be described. Here, the description will be focused on differences in the configuration of the substrate processing system 1 according to the first embodiment. Regarding the same configuration of the substrate processing system 1 according to the first embodiment, the same symbols as those of the substrate processing system 1 according to the first embodiment are assigned, and detailed descriptions are omitted.
第2實施型態所涉及之基板處理系統1之線寬測定裝置18係如圖9所示般,具備作為激振部而發揮功能的吐出部70。圖9係表示第2實施型態所涉及之線寬測定裝置18之構成的示意側視圖。As shown in FIG. 9, the line
吐出部70被設置在基板G之上方。吐出部70被設置成與攝影部30一起移動。吐出部70被設置在例如攝影部30或安裝板44。The
吐出部70係藉由空氣供給源71被壓縮的空氣經由空氣供給配管72被供給,朝向基板G間歇性地吐出空氣。具體而言,吐出部70係從基板G之上方朝向基板G吐出空氣,使基板G在Z軸方向激振。The
吐出部70係在攝影處理中,朝向基板G吐出空氣,使基板G激振。即是,吐出部70係在藉由攝影部30攝影基板G之圖案之情況,使基板G激振。空氣藉由吐出部70被吐出的基板G藉由穩定的振幅及週期而振動。The
線寬測定裝置18具備朝向基板G間歇性地吐出空氣的吐出部70。依此,線寬測定裝置18係在進行攝影處理之情況,藉由吐出部70激振基板G,變更從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止的距離。因此,線寬測定裝置18可以產生特定的時序,可以在特定的時序進行攝影。再者,線寬測定裝置18可以很快地產生特定時序,可以縮短基板G之處理時間。The line
再者,吐出部70與攝影部30一起移動。依此,線寬測定裝置18可以使藉由攝影部30進行攝影之處附近振動,可以在特定時序進行攝影。Furthermore, the
另外,線寬測定裝置18即使藉由複數攝影部30攝影基板G之圖案亦可。在此情況,線寬測定裝置18具備與攝影部30對應之複數吐出部70。再者,以配合從複數吐出部70被吐出之空氣的吐出時序之方式,對各吐出部70供給空氣之複數空氣供給配管72之長度被設定成相同長度。In addition, the line
(變形例)
變形例所涉及之線寬測定裝置18即使如圖10所示般,在較基板G更下方設置吐出部70,從基板G之下方朝向基板G吐出空氣亦可。圖10係表示變形例所涉及之線寬測定裝置18之構成的示意側視圖。(Modification)
Even if the line
吐出部70係從滾筒21之間朝向基板G吐出空氣。吐出部70係在基板G之下方被設置複數。吐出部70係經由從空氣供給配管72分岐的分歧配管73間歇性地供給空氣。依此,可以配合從複數吐出部70被吐出之空氣的吐出時序。另外,變形例所涉及之線寬測定裝置18即使使用複數空氣供給源71及複數空氣供給配管72朝向基板G吐出空氣亦可。The
再者,變形例所涉及的線寬測定裝置18即使使設置在基板G之下方的吐出部70與攝影部30一起移動亦可。再者,變形例所涉及的線寬測定裝置18即使使設置在基板G之下方的吐出部70與攝影部30一起移動亦可。In addition, the line
再者,變形例所涉及之線寬測定裝置18即使在基板G之上方及基板G之下方分別設置吐出部70亦可。在此情況,變形例所涉及之線寬測定裝置18在例如藉由攝影部30攝影在Y軸方向中之基板G之端側之情況,藉由設置在基板G之下方的吐出部70使基板G激振。再者,變形例所涉及之線寬測定裝置18在例如藉由攝影部30攝影在Y軸方向中之基板G之中心側之情況,藉由設置在基板G之上方的吐出部70使基板G激振。即是,變形例所涉及之線寬測定裝置18係因應藉由攝影部30進行攝影的基板G之位置切換設置在基板G之上方的吐出部70,及設置在基板G之下方的吐出部70的空氣之吐出。In addition, the line
另外,變型例所涉及之線寬測定裝置18不管藉由攝影部30攝影的基板G之位置,即使從設置在基板G之上方的吐出部70及設置在基板G之下方的吐出部70吐出空氣亦可。在此情況,變形例所涉及之線寬測定裝置18係使在各吐出部70的空氣之吐出時序成為不同的時序。In addition, the line
再者,變形例所涉及之線寬測定裝置18即使在攝影處理中,藉由FFU60使基板G或攝影部30在Z軸方向激振亦可。即是,FFU60係當作激振部而發揮功能。變形例所涉及之線寬測定裝置18係藉由變更FFU60之輸出,經由腔室18a或搬運部20使基板G或攝影部30激振。再者,變型例所涉及之線寬測定裝置18即使藉由變更FFU60之輸出,直接激振基板G亦可。另外,使基板G或攝影部30在Z軸方向激振的激振部即使被設置在攝影部30或導軌部41或滾筒21等亦可。即使激振部使用電動馬達等亦可。In addition, the line
變形例所涉及之線寬測定裝置18進行攝影處理之情況,藉由吐出部70或FFU60等之激振部激振基板G或攝影部30,變更從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離。依此,變型例所涉及之線寬測定裝置18可以產生特定的時序,可以在特定的時序進行攝影。再者,變形例所涉及之線寬測定裝置18可以很快地產生特定時序,可以縮短基板G之處理時間。When the line
再者,變形例所涉及之線寬測定裝置18即使在攝影處理中進行複數次之攝影,生成重疊被攝影到的複數片畫像的畫像,根據被生成的畫像,生成畫像資訊亦可。在此情況,變形例所涉及之線寬測定裝置18係在進行複數次之攝影之情況,在特定時序開始各攝影。In addition, even if the line
依此,變形例所涉及的線寬測定裝置18可以生成晃動少的畫像,可以精度佳地測定基板G之圖案形狀。In this way, the line
再者,即使變形例所涉及之線寬測定裝置18將攝影開始距離設為較準確對準距離短的下限攝影開始距離亦可。下限攝影開始距離係被設定成在從開始攝影至結束攝影為止之攝影時間內,從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離在特定對焦範圍。下限攝影開始距離係根據攝影部30之性能,具體而言,根據攝影時間被設定。下限攝影開始距離成為攝影時間越短,越接近準確對焦距離的距離。Furthermore, even if the line
在此情況,測定部51係在從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離變長,並且從攝影部30之攝影機至基板G之圖案面Ga為止之距離成為下限攝影開始距離之特定時序進行攝影。變形例所涉及之線寬測定裝置18可以取得與實施型態相同的效果。In this case, the measuring
即使組合上述變形例所涉及之線寬測定裝置18亦可。It is possible to combine the line
另外,應理解成此次揭示的實施型態所有的點皆為例示,並非用以限制者。實際上,上述實施型態能夠以各種型態呈現。再者,上述實施型態在不脫離附件的申請專利範圍及其主旨的情況下,可以以各種型態進行省略、替換或變更。In addition, it should be understood that all points of the implementation type disclosed this time are examples and not intended to be limiting. In fact, the above-mentioned implementation types can be presented in various types. Furthermore, the above-mentioned implementation forms can be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of the appended patent application and the spirit thereof.
1:基板處理系統 18:線寬測定裝置(測定裝置) 20:搬運部 30:攝影部 31:攝影機高度測定部 40:移動部 50:測定控制裝置 51:測定部 60:FFU(激振部) 70:吐出部1: Substrate processing system 18: Line width measuring device (measuring device) 20: Handling Department 30: Photography Department 31: Camera height measurement section 40: Mobile Department 50: Measurement control device 51: Measurement Department 60: FFU (vibration unit) 70: Discharge Department
[圖1] 係表示第1實施型態所涉及之基板處理系統之構成的示意說明圖。 [圖2] 係表示第1實施型態所涉及之線寬測定裝置之構成的示意側視圖。 [圖3] 係表示第1實施型態所涉及之線寬測定裝置之構成的示意斜視圖。 [圖4] 為第1實施型態所涉及之測定控制裝置的方塊圖。 [圖5] 為用以說明記憶圖案形狀和位置資訊的基板示意放大圖。 [圖6] 為表示第1實施型態所涉及之線寬測定處理之處理順序的流程圖。 [圖7] 為表示第1實施型態所涉及之攝影處理之處理順序的流程圖。 [圖8] 為說明第1實施型態所涉及之攝影處理中之攝影開始時序的圖。 [圖9] 係表示第2實施型態所涉及之線寬測定裝置之構成的示意側視圖。 [圖10] 係表示變形例所涉及之線寬測定裝置之構成之示意側視圖。[Fig. 1] A schematic explanatory diagram showing the configuration of the substrate processing system according to the first embodiment. [Fig. 2] A schematic side view showing the configuration of the line width measuring device according to the first embodiment. [Fig. 3] A schematic perspective view showing the configuration of the line width measuring device according to the first embodiment. [Fig. 4] is a block diagram of the measurement control device according to the first embodiment. [Figure 5] A schematic enlarged view of the substrate used to illustrate the shape and position information of the memory pattern. [Fig. 6] is a flowchart showing the processing procedure of the line width measurement processing according to the first embodiment. [Fig. 7] is a flowchart showing the processing procedure of the photographing process according to the first embodiment. [Fig. 8] A diagram illustrating the timing of the start of photography in the photography process according to the first embodiment. [Fig. 9] A schematic side view showing the configuration of the line width measuring device according to the second embodiment. [Fig. 10] A schematic side view showing the configuration of the line width measuring device according to the modification example.
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