TW202032591A - 積層陶瓷電子零件及電路基板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種低矮化且可提高可靠性之積層陶瓷電子零件。
積層陶瓷電子零件具備陶瓷坯體與外部電極。上述陶瓷坯體具有:電容形成部,其係複數個內部電極於第1方向積層而成;拉出部,其自上述電容形成部向正交於上述第1方向之第2方向延伸,將上述複數個內部電極之一部分複數個內部電極拉出;一對主面,其朝向上述第1方向;及端面,其形成於上述拉出部,朝向上述第2方向。上述外部電極自上述端面起連續覆蓋至上述一對主面之一部分。上述積層陶瓷電子零件於將上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸設為Ts,將上述一對主面上之上述外部電極之上述第1方向之厚度尺寸之平均值設為T,將上述拉出部中之上述複數個內部電極之上述第1方向之厚度尺寸之總合設為t之情形時,Ts、T、t滿足特定之條件。
Description
本揭示係關於低矮型積層陶瓷電子零件及組入有其之電路基板。
隨著電子機器之小型化,而謀求積層陶瓷電子零件之低矮化。於專利文獻1中,揭示例如陶瓷本體之厚度為120 μm以下之積層陶瓷電容器。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-130999號公報
[發明所欲解決之問題]
隨著積層陶瓷電子零件低矮化,而強度降低。尤其,將內部電極拉出之端面側之拉出部中,有助於強度增加之內部電極之層數與中央部比較減半,故強度之降低變顯著,難以提高可靠性。
鑑於如上情況,本揭示之目的在於提供一種低矮化且可提高可靠性之積層陶瓷電子零件及組入有其之電路基板。
[解決問題之技術手段]
為達成上述目的,本揭示之一形態之積層陶瓷電子零件具備陶瓷坯體與外部電極。
上述陶瓷坯體具有:電容形成部,其係複數個內部電極於第1方向積層而成;拉出部,其自上述電容形成部向正交於上述第1方向之第2方向延伸,將上述複數個內部電極之一部分的複數個內部電極拉出;一對主面,其朝向上述第1方向;及端面,其形成於上述拉出部,朝向上述第2方向。
上述外部電極自上述端面起連續覆蓋至上述一對主面之一部分。
上述積層陶瓷電子零件於
將上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸設為Ts,將上述一對主面上之上述外部電極之上述第1方向之厚度尺寸之平均值設為T,將上述拉出部中之上述複數個內部電極之上述第1方向之厚度尺寸之總合設為t之情形時,滿足如下條件:
30 μm≦Ts≦100 μm,
6 μm≦T≦18 μm,且
0.19≦(2T+t)/Ts≦1.55。
上述積層陶瓷電子零件中,藉由滿足30 μm≦Ts≦100 μm之條件,而構成為低矮型。
又,藉由滿足6 μm≦T≦18 μm之條件,而可較薄地構成外部電極,且可防止因過薄而破裂。
再者,藉由設為0.19≦(2T+t)/Ts,而可充分確保於拉出部中,強度較高之內部電極及外部電極之厚度尺寸。藉此,可充分確保拉出部之強度。
又,藉由設為(2T+t)/Ts≦1.55,而可適當限制內部電極及外部電極相對於陶瓷坯體之厚度尺寸Ts之厚度尺寸。藉此,於陶瓷坯體之燒成時或發熱時,可抑制因陶瓷部分與電極部分之線膨脹係數差異所致之應力。
藉此,根據上述構成,可防止拉出部中之龜裂或外部電極之破裂等損傷,可獲得可靠性較高之積層陶瓷電子零件。
再者,上述積層陶瓷電子零件亦可滿足如下條件:
0.40≦(2T+t)/Ts≦1.00。
藉此,可更充分確保拉出部之強度,可獲得可進而抑制陶瓷部分與電極部分之應力之積層陶瓷電子零件。
再者,上述積層陶瓷電子零件亦可滿足如下條件:
30 μm≦Ts≦80 μm。
藉此,可更低矮地構成積層陶瓷電子零件,可省空間化。
上述積層陶瓷電子零件亦可進而滿足如下條件:
0.07≦t/Ts≦0.35。
藉此,可使拉出部中之陶瓷坯體之厚度尺寸與內部電極之厚度尺寸之總合的平衡更適當化,可更確實防止拉出部中之龜裂等損傷。因此,可提高積層陶瓷電子零件之可靠性。
上述積層陶瓷電子零件亦可進而滿足如下條件:
1≦T/t。
藉此,可相對較厚地構成藉由覆蓋拉出部全體之強度提高而有較大貢獻之外部電極之厚度。因此,可提高拉出部中之抗折強度。
又,本揭示之其他形態之電路基板亦可為組入有上述積層陶瓷電子零件之電路基板。
藉此,可設為可靠性較高之電路基板。
[發明之效果]
如上所述,根據本揭示,可提供一種低矮化且可提高可靠性之積層陶瓷電子零件。
以下,一面參照圖式,一面說明本揭示之實施形態。
圖式中,適當地顯示互相正交之X軸、Y軸及Z軸。X軸、Y軸及Z軸於全圖中共通。
1.積層陶瓷電容器10之全體構成
圖1~3係顯示本揭示之一實施形態之積層陶瓷電容器10之圖。圖1係積層陶瓷電容器10之立體圖。圖2係積層陶瓷電容器10之沿圖1之A-A'線之剖視圖。圖3係積層陶瓷電容器10之沿圖1之B-B'線之剖視圖。
積層陶瓷電容器10具備陶瓷坯體11與2個外部電極14。外部電極14分別形成於陶瓷坯體11之表面。
陶瓷坯體11具有大致六面體形狀。即,陶瓷坯體11包含:朝X軸方向之2個端面11a、朝Y軸方向之2個側面11b、及朝Z軸方向之2個主面11c。陶瓷坯體11亦可於X軸方向及Y軸方向之任一者具有長邊,圖1~3所示之例中,於X軸方向具有長邊。
作為積層陶瓷電容器10之尺寸,例如X軸方向之尺寸為0.2 mm~2.0 mm,Y軸方向之尺寸為0.2 mm~2.0 mm。積層陶瓷電容器10之Z軸方向之尺寸例如為120 μm以下,構成為低矮型。另,積層陶瓷電容器10之各尺寸設為沿各方向最大部分之尺寸。
再者,積層陶瓷電容器10中,X軸方向之尺寸或Y軸方向之尺寸中之最小尺寸亦可為Z軸方向之尺寸的2倍以上。藉此,可將積層陶瓷電容器10設為更扁平且小型之構成。
陶瓷坯體11具有:電容形成部16、蓋部17、側邊界部18、及拉出部19。電容形成部16係配置於陶瓷坯體11之Y軸及Z軸方向之中央部。蓋部17自Z軸方向覆蓋電容形成部16,側邊界部18自Y軸方向覆蓋電容形成部16。拉出部19配置於電容形成部16之X軸方向外側。
更詳細而言,蓋部17分別配置於電容形成部16之Z軸方向兩側。側邊界部18分別配置於電容形成部16之Y軸方向兩側。蓋部17及側邊界部18主要具有保護電容形成部16,且確保電容形成部16周圍之絕緣性之功能。針對拉出部19之細節,於下文敘述。
電容形成部16係複數個第1內部電極12與複數個第2內部電極13經由陶瓷層15(參照圖2)於Z軸方向交替積層。
圖4係陶瓷坯體11之分解立體圖。陶瓷坯體11具有如圖4所示之積層片材之構造。電容形成部16及側邊界部18可藉印刷有內部電極12、13之片材構成。蓋部17可藉未印刷內部電極12、13之片材構成。另,製造後之陶瓷坯體11實際上一體化,而無法分解。
內部電極12、13分別由電性良導體形成,作為積層陶瓷電容器10之內部電極發揮功能。作為形成內部電極12、13之電性良導體,係使用例如以鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)等為主成分之金屬或合金。
陶瓷層15係藉由介電質陶瓷形成。積層陶瓷電容器10中,為了增大內部電極12、13間之各陶瓷層15之電容,而使用高介電常數之介電質陶瓷。作為高介電常數之介電質陶瓷,列舉例如以鈦酸鋇(BaTiO3
)為代表之包含鋇(Ba)及鈦(Ti)之鈣鈦礦構造之材料。
又,上述介電質陶瓷除了鈦酸鋇系外,亦可為鈦酸鍶(SrTiO3
)系、鈦酸鈣(CaTiO3
)系、鈦酸鎂(MgTiO3
)系、鋯酸鈣(CaZrO3
)系、鈦酸鋯酸鈣(Ca(Zr, Ti)O3
)系、鋯酸鋇(BaZrO3
)系、氧化鈦(TiO2
)系等。
蓋部17及側邊界部18亦由介電質陶瓷形成。形成蓋部17及側邊界部18之材料只要為絕緣性陶瓷即可,但藉由使用與電容形成部16相同組成系之材料,而使製造效率提高,且抑制陶瓷坯體11中之內部應力。
拉出部19自電容形成部16向X軸方向延伸,分別拉出內部電極12、13。第1內部電極12經由一拉出部19被拉出至一端面11a。第2內部電極13經由另一拉出部19被拉出至另一端面11a。各拉出部19中,內部電極12、13之一者經由陶瓷層15於Z軸方向積層。
各外部電極14自各端面11a起連續覆蓋至一對主面11c之一部分。即,拉出部19被外部電極14覆蓋。藉此,第1內部電極12連接於一外部電極14,第2內部電極13連接於另一外部電極14。
藉由上述構成,積層陶瓷電容器10中,若對外部電極14間施加電壓,則電容形成部16中,對內部電極12、13間之複數個陶瓷層15施加電壓。藉此,積層陶瓷電容器10中,儲存對應於外部電極14間之電壓之電荷。
2.積層陶瓷電容器10之詳細構成
圖5係圖2之放大圖,係顯示積層陶瓷電容器10之一拉出部19及其周圍之構成之圖。以下,基於圖5,針對拉出第1內部電極12之側的構成進行說明,而拉出第2內部電極13之側亦同樣地構成。
積層陶瓷電容器10如上述,構成為低矮型,陶瓷坯體11中之Z軸方向之厚度尺寸Ts滿足以下式(1)之條件。
30 μm≦Ts≦100 μm…(1)
此處所謂之陶瓷坯體11中之Z軸方向之尺寸Ts是指如圖2所示,於陶瓷坯體11之Y軸方向之大致中央部,以與Y軸方向垂直之面切斷之一剖面中,於Z軸方向最厚部分之尺寸。陶瓷坯體11之存在拉出部19之部分中,於Z軸方向最厚部分之尺寸亦與Ts大致相等。
此種低矮型積層陶瓷電容器10中,可省空間地構成,另一方面,亦限制內部電極12、13之層數。再者,拉出部19中,與電容形成部16相比,內部電極12、13之層數減半。一般而言,以金屬材料構成之內部電極12、13及外部電極14之機械強度,較陶瓷層15等陶瓷部分高。因此,低矮型積層陶瓷電容器10中,尤其拉出部19中,將難以確保經施加外力之情形之機械強度。
因此,本實施形態中,針對內部電極12、13與外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸相對於陶瓷坯體11之厚度尺寸Ts進行規定,從而謀求拉出部19之強度確保及可靠性強化。
如圖5所示,將內部電極12之Z軸方向之厚度尺寸之總合設為t。將拉出部19中之內部電極之層數設為n,將各內部電極12之厚度尺寸設為tk
(k=1,2,…,n-1,n)之情形時,t由以下之式(2)表示。
t=t1
+t2
+…+tn - 1
+tn
…(2)
另,tk
是指如圖2般將積層陶瓷電容器10,於Y軸方向之大致中央部,以與Y軸方向垂直之面切斷之一剖面中,各內部電極12之拉出部19中,於Z軸方向最厚部分之尺寸。
將一對主面11c上之外部電極14之Z軸方向之2個最大厚度尺寸之平均值設為T。於將一主面11c上之外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸設為T1
,將另一主面11c上之外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸設為T2
之情形時,T由以下之式(3)表示。
T=(T1
+T2
)/2…(3)
另,T1
及T2
是指如圖2般,將積層陶瓷電容器10於Y軸方向之大致中央部,以與Y軸方向垂直之面切斷之一剖面中,主面11c上,於各外部電極14之Z軸方向最厚部分之尺寸。
T滿足以下式(4)之條件。
6 μm≦T≦18 μm…(4)
藉由將T設為6 μm以上,可防止外部電極14過薄而破裂之問題。藉由將T設為18 μm以下,而可限制積層陶瓷電容器10全體之厚度尺寸,可實現低矮型之構成。
再者,積層陶瓷電容器10除了式(1)及式(4)以外,亦滿足以下式(5)之條件。
0.19≦(2T+t)/Ts≦1.55…(5)
(2T+t)係將拉出部19沿Z軸方向切斷之情形中,內部電極12與外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸之總和。
藉由設為0.19≦(2T+t)/Ts,而可充分確保於拉出部19中,強度較高之內部電極12及外部電極14相對於陶瓷坯體11之厚度尺寸Ts的厚度尺寸。藉此,可充分確保拉出部19之機械強度。因此,即使將積層陶瓷電容器10安裝於基板後,藉由該基板之彎曲等而附加外力之情形時,亦可有效防止拉出部19中之龜裂產生。
又,藉由設為(2T+t)/Ts≦1.55,而可限制內部電極12及外部電極14相對於陶瓷坯體11之厚度尺寸Ts的厚度尺寸。藉此,於陶瓷坯體11發熱時,可抑制因陶瓷部分與電極部分之線膨脹係數之差異所致之應力。因此,可防止拉出部19中因熱所致之應力之龜裂產生。
由以上,藉由積層陶瓷電容器10之各尺寸Ts、t及T滿足式(1)、式(4)及式(5),儘管為低矮型但拉出部19具有充分強度,可防止龜裂產生等之損傷。藉此,將積層陶瓷電容器10安裝於基板後,藉由該基板之彎曲等而附加外力之情形時,或於元件內產生因熱所致之應力之情形時,均可防止包含拉出部19之陶瓷坯體11中之龜裂產生。
假設產生龜裂之情形時,耐濕性等耐環境性降低,而導致可靠性降低。因此,藉由可防止龜裂產生,而可提供可靠性較高之低矮型積層陶瓷電容器10。
再者,積層陶瓷電容器10亦可與式(5)關聯,滿足以下式(6)之條件。
0.40≦(2T+t)/Ts≦1.00…(6)
藉由設為0.40≦(2T+t),而可更充分確保拉出部19之強度,藉由設為(2T+t)/Ts≦1.00,而可進而抑制陶瓷部分與電極部分之應力,更確實防止龜裂產生。
再者,積層陶瓷電容器10亦可與式(1)關聯,滿足以下式(7)之條件。
30 μm≦Ts≦80 μm…(7)
藉此,可使積層陶瓷電容器10進而低矮化,可成為省空間之構成。
再者,積層陶瓷電容器10亦可滿足以下式(8)之條件。
0.07≦t/Ts≦0.35…(8)
藉由設為0.07≦t/Ts,而可增大拉出部19中之內部電極12所佔比例,可提高拉出部19之強度。藉由設為t/Ts≦0.35,而可更確實防止因拉出部19中之陶瓷層15與內部電極12之線膨脹係數差所致之龜裂產生。
再者,積層陶瓷電容器10亦可滿足以下式(9)之條件。
1≦T/t…(9)
即,外部電極14之厚度尺寸T亦可為拉出部19中之內部電極12之厚度尺寸之總和t以上。由於外部電極14自端面11a遍及主面11c自外側覆蓋拉出部19全體,故對於拉出部19之對於Z軸方向之抗折強度之貢獻亦較大。藉由滿足式(9),而可相對較厚地形成外部電極14,可更提高拉出部19之抗折強度。因此,可提高積層陶瓷電容器10之可靠性。
以上構成之積層陶瓷電容器10如圖6所示,亦可組入於電路基板100。電路基板100具有例如積層陶瓷電容器10及與積層陶瓷電容器10連接之基板本體110。基板本體110係構成為例如具有經由焊料H與積層陶瓷電容器10連接之安裝面110a之安裝基板。本實施形態之電路基板100中,可省空間地安裝積層陶瓷電容器10,且可獲得高可靠性。
另,電路基板100不限於圖示之例,亦可構成為例如內置有積層陶瓷電容器10之零件內置基板。
3.實施例及比較例
作為本實施形態之實施例及比較例,如下般製作積層陶瓷電容器之樣本。
首先,以鈦酸鋇為主成分,形成包含有機黏合劑、溶劑等之陶瓷坯片。於該陶瓷坯片上,印刷包含Ni之導電性膏來作為內部電極。將複數個陶瓷坯片如圖4所示般積層及壓著,於特定位置切斷,從而製作未燒成之陶瓷坯體。
接著,將外部電極形成用之包含Ni之導電性膏塗佈於端面,以1000~1400°C進行燒成,從而獲得包含圖1~3所示之陶瓷坯體之燒結體。並且,於導電膏之燒結膜上以鍍敷法等形成外部電極,製作圖1~3所示之積層陶瓷電容器之樣本。
將各樣本之X軸方向之尺寸設為1.0 mm,將Y軸方向之尺寸設為0.5 mm。又,製作陶瓷坯體之Z軸方向之尺寸Ts(以下稱為陶瓷坯體之厚度尺寸Ts)、一對主面上之外部電極之Z軸方向之厚度尺寸之平均值T(以下稱為外部電極之厚度尺寸T)、拉出部中之複數個內部電極之Z軸方向之厚度尺寸之總和t(以下稱為內部電極之厚度尺寸之總和t),分別為不同大小之複數個樣本,分別作為實施例1~93、比較例1~19。各實施例及各比較例之各尺寸示於以下之表1~4。
各樣本之陶瓷坯體之厚度尺寸Ts為100 μm、80 μm、50 μm及30μm。各樣本之外部電極之厚度尺寸T為4 μm以上21 μm以下。內部電極之厚度尺寸之總和t為5.3 μm以上12.7 μm以下。另,測定係使用掃描型電子顯微鏡,自圖5之視野觀察而進行。
但,外部電極之厚度尺寸T為21 μm者因外部電極相對於陶瓷坯體之厚度尺寸Ts過厚,而成為不適合作為低矮型積層陶瓷電容器之構造。因此,以下評估係對外部電極之厚度尺寸T為4 μm以上18 μm以下之樣本所進行的。
基於測定及算出之Ts、T、t之值,就各實施例及各比較例算出(2T+t)/Ts之值。將算出結果示於以下之表1~4。
接著,將製作之各樣本使用貼片機安裝於基板後,藉由目視檢查有無損傷。具體而言,確認各實施例及各比較例之1000個樣本中,有無產生陶瓷坯體之龜裂及外部電極之破裂。將無產生該等損傷之樣本者評估為A,將產生損傷之樣本有1個以上者評估為B。
表1係顯示陶瓷坯體之厚度尺寸Ts為100 μm之實施例1~22及比較例1~6之結果。
[表1]
T(μm) | t(μm) | Ts(μm) | (2T+t)/Ts | 評估 | |
實施例1 | 18 | 5.3 | 100 | 0.41 | A |
實施例2 | 18 | 6.1 | 100 | 0.42 | A |
實施例3 | 18 | 6.6 | 100 | 0.43 | A |
實施例4 | 18 | 8.3 | 100 | 0.44 | A |
實施例5 | 18 | 10.6 | 100 | 0.47 | A |
實施例6 | 18 | 12.7 | 100 | 0.49 | A |
實施例7 | 15 | 5.3 | 100 | 0.35 | A |
實施例8 | 15 | 6.1 | 100 | 0.36 | A |
實施例9 | 15 | 6.6 | 100 | 0.37 | A |
實施例10 | 15 | 8.3 | 100 | 0.38 | A |
實施例11 | 15 | 10.6 | 100 | 0.41 | A |
實施例12 | 15 | 12.7 | 100 | 0.43 | A |
實施例13 | 12 | 4.5 | 100 | 0.29 | A |
實施例14 | 12 | 5.0 | 100 | 0.29 | A |
實施例15 | 12 | 6.6 | 100 | 0.31 | A |
實施例16 | 12 | 8.3 | 100 | 0.32 | A |
實施例17 | 12 | 10.6 | 100 | 0.35 | A |
實施例18 | 12 | 12.7 | 100 | 0.37 | A |
比較例1 | 6 | 4.5 | 100 | 0.17 | B |
比較例2 | 6 | 5.0 | 100 | 0.17 | B |
實施例19 | 6 | 6.6 | 100 | 0.19 | A |
實施例20 | 6 | 8.3 | 100 | 0.20 | A |
實施例21 | 6 | 10.6 | 100 | 0.23 | A |
實施例22 | 6 | 12.7 | 100 | 0.25 | A |
比較例3 | 4 | 6.6 | 100 | 0.15 | B |
比較例4 | 4 | 8.3 | 100 | 0.16 | B |
比較例5 | 4 | 10.6 | 100 | 0.19 | B |
比較例6 | 4 | 12.7 | 100 | 0.21 | B |
如表1所示,外部電極之厚度尺寸T為4 μm之比較例3~6中,均有產生外部電極破裂之樣本,外觀評估為B。針對外部電極之厚度尺寸T為6 μm以上18 μm以下之樣本,於(2T+t)/Ts較小而為0.17之比較例1及2之樣本中,有陶瓷坯體產生龜裂之樣本,評估為B。對於外部電極之厚度尺寸T為6 μm以上18 μm以下,滿足0.19≦(2T+t)/Ts≦0.49之實施例1~22,損傷產生數均為0,評估為A。
表2係顯示陶瓷坯體之厚度尺寸Ts為80 μm之實施例23~46及比較例7~10之結果。
[表2]
T(μm) | t(μm) | Ts(μm) | (2T+t)/Ts | 評估 | |
實施例23 | 18 | 5.3 | 80 | 0.52 | A |
實施例24 | 18 | 6.1 | 80 | 0.53 | A |
實施例25 | 18 | 6.6 | 80 | 0.53 | A |
實施例26 | 18 | 8.3 | 80 | 0.55 | A |
實施例27 | 18 | 10.6 | 80 | 0.58 | A |
實施例28 | 18 | 12.7 | 80 | 0.61 | A |
實施例29 | 15 | 5.3 | 80 | 0.44 | A |
實施例30 | 15 | 6.1 | 80 | 0.45 | A |
實施例31 | 15 | 6.6 | 80 | 0.46 | A |
實施例32 | 15 | 8.3 | 80 | 0.48 | A |
實施例33 | 15 | 10.6 | 80 | 0.51 | A |
實施例34 | 15 | 12.7 | 80 | 0.53 | A |
實施例35 | 12 | 4.5 | 80 | 0.36 | A |
實施例36 | 12 | 5.0 | 80 | 0.36 | A |
實施例37 | 12 | 6.6 | 80 | 0.38 | A |
實施例38 | 12 | 8.3 | 80 | 0.40 | A |
實施例39 | 12 | 10.6 | 80 | 0.43 | A |
實施例40 | 12 | 12.7 | 80 | 0.46 | A |
實施例41 | 6 | 4.5 | 80 | 0.21 | A |
實施例42 | 6 | 5.0 | 80 | 0.21 | A |
實施例43 | 6 | 6.6 | 80 | 0.23 | A |
實施例44 | 6 | 8.3 | 80 | 0.25 | A |
實施例45 | 6 | 10.6 | 80 | 0.28 | A |
實施例46 | 6 | 12.7 | 80 | 0.31 | A |
比較例7 | 4 | 6.6 | 80 | 0.18 | B |
比較例8 | 4 | 8.3 | 80 | 0.20 | B |
比較例9 | 4 | 10.6 | 80 | 0.23 | B |
比較例10 | 4 | 12.7 | 80 | 0.26 | B |
如表2所示,外部電極之厚度尺寸T為4 μm之比較例7~10中,均有產生外部電極破裂之樣本,外觀評估為B。外部電極之厚度尺寸T為6 μm以上18 μm以下之實施例23~46中,為0.21≦(2T+t)/Ts≦0.61,損傷產生數均為0,評估為A。
表3係顯示陶瓷坯體之厚度尺寸Ts為50 μm之實施例47~70及比較例11~14之結果。
[表3]
T(μm) | t(μm) | Ts(μm) | (2T+t)/Ts | 評估 | |
實施例47 | 18 | 5.3 | 50 | 0.83 | A |
實施例48 | 18 | 6.1 | 50 | 0.84 | A |
實施例49 | 18 | 6.6 | 50 | 0.85 | A |
實施例50 | 18 | 8.3 | 50 | 0.89 | A |
實施例51 | 18 | 10.6 | 50 | 0.93 | A |
實施例52 | 18 | 12.7 | 50 | 0.97 | A |
實施例53 | 15 | 5.3 | 50 | 0.71 | A |
實施例54 | 15 | 6.1 | 50 | 0.72 | A |
實施例55 | 15 | 6.6 | 50 | 0.73 | A |
實施例56 | 15 | 8.3 | 50 | 0.77 | A |
實施例57 | 15 | 10.6 | 50 | 0.81 | A |
實施例58 | 15 | 12.7 | 50 | 0.85 | A |
實施例59 | 12 | 4.5 | 50 | 0.57 | A |
實施例60 | 12 | 5.0 | 50 | 0.58 | A |
實施例61 | 12 | 6.6 | 50 | 0.61 | A |
實施例62 | 12 | 8.3 | 50 | 0.65 | A |
實施例63 | 12 | 10.6 | 50 | 0.69 | A |
實施例64 | 12 | 12.7 | 50 | 0.73 | A |
實施例65 | 6 | 4.5 | 50 | 0.33 | A |
實施例66 | 6 | 5.0 | 50 | 0.34 | A |
實施例67 | 6 | 6.6 | 50 | 0.37 | A |
實施例68 | 6 | 8.3 | 50 | 0.41 | A |
實施例69 | 6 | 10.6 | 50 | 0.45 | A |
實施例70 | 6 | 12.7 | 50 | 0.49 | A |
比較例11 | 4 | 6.6 | 50 | 0.29 | B |
比較例12 | 4 | 8.3 | 50 | 0.33 | B |
比較例13 | 4 | 10.6 | 50 | 0.37 | B |
比較例14 | 4 | 12.7 | 50 | 0.41 | B |
如表3所示,外部電極之厚度尺寸T為4 μm之比較例11~14中,均有產生外部電極破裂之樣本,外觀評估為B。外部電極之厚度尺寸T為6 μm以上18 μm以下之實施例47~70中,為0.33≦(2T+t)/Ts≦0.97,損傷產生數均為0,評估為A。
表4係顯示陶瓷坯體之厚度尺寸Ts為30 μm之實施例71~93及比較例15~19之結果。
[表4]
T(μm) | t(μm) | Ts(μm) | (2T+t)/Ts | 評估 | |
實施例71 | 18 | 5.3 | 30 | 1.38 | A |
實施例72 | 18 | 6.1 | 30 | 1.40 | A |
實施例73 | 18 | 6.6 | 30 | 1.42 | A |
實施例74 | 18 | 8.3 | 30 | 1.48 | A |
實施例75 | 18 | 10.6 | 30 | 1.55 | A |
比較例15 | 18 | 12.7 | 30 | 1.62 | B |
實施例76 | 15 | 5.3 | 30 | 1.18 | A |
實施例77 | 15 | 6.1 | 30 | 1.20 | A |
實施例78 | 15 | 6.6 | 30 | 1.22 | A |
實施例79 | 15 | 8.3 | 30 | 1.28 | A |
實施例80 | 15 | 10.6 | 30 | 1.35 | A |
實施例81 | 15 | 12.7 | 30 | 1.42 | A |
實施例82 | 12 | 4.5 | 30 | 0.95 | A |
實施例83 | 12 | 5.0 | 30 | 0.97 | A |
實施例84 | 12 | 6.6 | 30 | 1.02 | A |
實施例85 | 12 | 8.3 | 30 | 1.08 | A |
實施例86 | 12 | 10.6 | 30 | 1.15 | A |
實施例87 | 12 | 12.7 | 30 | 1.22 | A |
實施例88 | 6 | 4.5 | 30 | 0.55 | A |
實施例89 | 6 | 5.0 | 30 | 0.57 | A |
實施例90 | 6 | 6.6 | 30 | 0.62 | A |
實施例91 | 6 | 8.3 | 30 | 0.68 | A |
實施例92 | 6 | 10.6 | 30 | 0.75 | A |
實施例93 | 6 | 12.7 | 30 | 0.82 | A |
比較例16 | 4 | 6.6 | 30 | 0.49 | B |
比較例17 | 4 | 8.3 | 30 | 0.54 | B |
比較例18 | 4 | 10.6 | 30 | 0.62 | B |
比較例19 | 4 | 12.7 | 30 | 0.69 | B |
如表4所示,外部電極之厚度尺寸T為4 μm之比較例16~19中,均有產生外部電極破裂之樣本,外觀評估為B。因此,對於外部電極之厚度尺寸T為6 μm以上18 μm以下之樣本,(2T+t)/Ts較大而為1.62之比較例15中,有產生龜裂之樣本,評估為B。對於外部電極之厚度尺寸T為6 μm以上18 μm以下,滿足0.55≦(2T+t)/Ts≦1.55之實施例71~93,損傷產生數均為0,評估為A。
由該等結果,針對滿足30 μm≦Ts≦100 μm之低矮型積層陶瓷電容器,將外部電極之厚度尺寸T設為6 μm≦T≦18 μm,進而滿足0.19≦(2T+t)/Ts≦1.55之條件,從而確認可確實防止陶瓷坯體之龜裂或外部電極之破裂等損傷之產生。因此,確認藉由滿足上述條件,可獲得耐濕性等耐環境性較高之積層陶瓷電容器。
以上,雖已針對本揭示之各實施形態進行說明,但本揭示並非僅限定於上述實施形態,當然於不脫離本揭示之主旨之範圍內,可加入各種變更。例如,本揭示之實施形態可設為組合有各實施形態之實施形態。
上述實施形態中,作為積層陶瓷電子零件之一例,已針對積層陶瓷電容器10進行說明,但本揭示可應用於積層有陶瓷層與內部電極之積層陶瓷電子零件全體。作為此種積層陶瓷電子零件,列舉例如片式壓敏電阻、片式熱敏電阻、積層電感器等。
10:積層陶瓷電容器
11:陶瓷坯體
11a:端面
11b:側面
11c:主面
12:內部電極
13:內部電極
14:外部電極
15:陶瓷層
17:蓋部
18:側邊界部
19:拉出部
100:電路基板
110:基板本體
110a:安裝面
H:焊料
t:拉出部中之複數個內部電極之第1方向之厚度尺寸之總和
t1~tn:拉出部中之複數個內部電極之第1方向之厚度尺寸
T1:一主面11c上之外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸
T2:另一主面11c上之外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸
Ts:陶瓷坯體之第1方向之尺寸
X:方向
Y:方向
Z:方向
圖1係本揭示之一實施形態之積層陶瓷電容器之立體圖。
圖2係上述積層陶瓷電容器之沿圖1之A-A'線之剖視圖。
圖3係上述積層陶瓷電容器之沿圖1之B-B'線之剖視圖。
圖4係上述積層陶瓷電容器之陶瓷坯體之分解立體圖。
圖5係圖2之放大圖。
圖6係組入有上述積層陶瓷電容器之電路基板之剖視圖。
11c:主面
12:內部電極
14:外部電極
15:陶瓷層
19:拉出部
t:拉出部中之複數個內部電極之第1方向之厚度尺寸之總合
t1~tn:拉出部中之複數個內部電極之第1方向之厚度尺寸
T1:一主面11c上之外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸
T2:另一主面11c上之外部電極14之Z軸方向之厚度尺寸
Ts:陶瓷坯體之第1方向之尺寸
X:方向
Y:方向
Z:方向
Claims (6)
- 一種積層陶瓷電子零件,其包含: 陶瓷坯體,其包含:電容形成部,其係複數個內部電極於第1方向積層而成;拉出部,其自上述電容形成部向正交於上述第1方向之第2方向延伸,將上述複數個內部電極之一部分的複數個內部電極拉出;一對主面,其朝向上述第1方向;及端面,其形成於上述拉出部,朝向上述第2方向;及 外部電極,其自上述端面起連續覆蓋至上述一對主面之一部分,且 於將上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸設為Ts,將上述一對主面上之上述外部電極之上述第1方向之厚度尺寸之平均值設為T,將上述拉出部中之上述複數個內部電極之上述第1方向之厚度尺寸之總合設為t之情形時,滿足如下條件: 30 μm≦Ts≦100 μm, 6 μm≦T≦18 μm,且 0.19≦(2T+t)/Ts≦1.55。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件,其進而滿足如下條件: 0.40≦(2T+t)/Ts≦1.00。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件,其進而滿足如下條件: 30 μm≦Ts≦80 μm。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件,其進而滿足如下條件: 0.07≦t/Ts≦0.35。
- 如請求項1之積層陶瓷電子零件,其進而滿足如下條件: 1≦T/t。
- 一種電路基板,其組入有如請求項1之積層陶瓷電子零件。
Applications Claiming Priority (2)
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