TW202018092A

TW202018092A - 流體槽

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Publication number: TW202018092A
Application number: TW108125396A
Authority: TW
Inventors: 赫丹夏維爾凡
Original assignee: 英商伊路米納劍橋有限公司
Priority date: 2018-08-06
Filing date: 2019-07-18
Publication date: 2020-05-16
Also published as: WO2020030440A3; WO2020030440A2; JP2021532738A; CN112654423A; SG11202012394XA; TWI730352B; EP3833468A2; IL279358A; CA3103631A1; BR112020026601A2; MX2020014047A; US20200041401A1; KR20210039335A; US11733147B2; AU2019319534A1

Abstract

在一個實例中，流體槽包括基板，在基板上且界定暴露之基板區的可選擇性移除之多孔分子網狀結構，及在至少一些暴露區上之定序表面化學物質。定序表面化學物質係選自由以下者組成之群：i）活化墊、附接至活化墊之聚合物層及附接至聚合物層之引子；或ii）奈米結構及附接至奈米結構之酶。

Description

流體槽

生物或化學研究中之各種方案涉及在局部支撐表面上或預界定之反應腔室內進行大量受控反應。隨後可觀察或偵測指定的反應，且後續分析可幫助鑑定或揭示反應中所涉及之化學物質的特性。在一些實例中，受控反應產生螢光，且因此光學系統可用於偵測。在其他實例中，受控反應改變電荷、電導率或一些其他電學特性，且因此電子系統可用於偵測。

本文揭示之第一態樣為流體槽。流體槽包含基板；在基板上且界定暴露之基板區的可選擇性移除之多孔分子網狀結構；及至少一些暴露區上之定序表面化學物質，該表面化學物質選自由以下者組成之群：i）活化墊、附接至活化墊之聚合物層及附接至聚合物層之引子；或ii）奈米結構及附接至奈米結構之酶。

在流體槽之一個實例中，可選擇性移除之多孔分子網狀結構為胺及二醯亞胺之平面超大分子（supramolecular）網狀結構。在一個實例中，胺為三聚氰胺或其類似物，且其中二醯亞胺為苝四甲酸二醯亞胺（perylene tetracarboxylic di-imide）或其類似物。

在流體槽之一個實例中，表面化學物質為ii）奈米結構及附接至奈米結構之酶；且在ii）中：奈米結構為導電通道，其包括選自由導體及半導體組成之群的材料，且具有選自由管、線及帶組成之群的幾何結構；且酶為聚合酶。在一個實例中，一種聚合酶附接至一種奈米結構。在一個實例中，奈米結構電連接至兩個電極。在一個實例中，流體槽進一步包含將聚合酶附接至奈米結構之繫鏈（tether）。在一個實例中，奈米結構選自由矽奈米線及碳奈米管組成之群。

在流體槽之一個實例中，表面化學物質為i）活化層、聚合物層及引子；且在i）中，聚合物層為：

其中：R¹ 為H或視情況經取代之烷基；R^A 係選自由以下者組成之群：疊氮基、視情況經取代之胺基、視情況經取代之烯基、視情況經取代之腙、視情況經取代之肼、羧基、羥基、視情況經取代之四唑、視情況經取代之四

、腈氧化物、硝酮及硫醇；R⁵ 、R₆ 及R₈ 各自獨立地選自由H及視情況經取代之烷基組成之群；-(CH₂ )_p -中之每一者可視情況經取代；p為1至50範圍內之整數；n為1至50,000範圍內之整數；且m為1至100,000範圍內之整數。

應理解，本文揭示之流體槽的任何特徵可以任何期望的方式及/或組態組合在一起。

本文揭示之第二態樣為定序系統。定序系統包含可移除之流體槽，其包括：基板；在基板上且界定暴露之基板區的可選擇性移除之多孔分子網狀結構；附接至暴露之基板區中之每一者的奈米結構；附接至奈米結構中之至少一些的酶；及輸入及輸出流體端口；i）永久地容納可移除之流體槽或ii）接收可移除之流體槽的容器；及流體系統，用於將去圖案化試劑（de-patterning reagent）選擇性遞送至可移除之流體槽以自基板移除可選擇性移除之多孔分子網狀結構，且將圖案化試劑（patterning reagent）選擇性遞送至可移除之流體槽以將新的可選擇性移除之多孔分子網狀結構施用於基板。

在定序系統之一個實例中，奈米結構中之每一者為導電通道，其包括選自由導體及半導體組成之群的材料，且具有選自由管、線及帶組成之群的幾何結構；且奈米結構中之每一者為可單獨電定址的。

在定序系統之一個實例中，流體系統包括接收試劑盒（Reagent cartridge）之盒容器，該試劑盒至少包括去圖案化試劑及圖案化試劑。在一些實例中，定序系統進一步包含試劑盒，其中試劑盒包括：流體儲存系統，其包括：去圖案化試劑容器；去圖案化試劑容器中所含之去圖案化試劑；包括兩個獨立隔室之圖案化試劑容器；兩個獨立隔室之第一個中所含之圖案化試劑的第一組分；及兩個獨立隔室之第二個中所含之圖案化試劑的第二組分。在一個實例中，去圖案化試劑包括氧化試劑；圖案化試劑之第一組分為苝四甲酸二醯亞胺或其類似物；且圖案化試劑之第二組分為三聚氰胺或其類似物。在一個實例中，氧化試劑係選自由以下者組成之群：高錳酸鹽、過硼酸鹽、鹵素、過氯酸鹽及過氧化物。

應理解，定序系統之任何特徵可以任何期望的方式組合在一起。此外，應理解，定序系統及/或流體槽之特徵的任何組合可一起使用，及/或與本文揭示之任何實例組合。

本文揭示之第三態樣為一種方法。該方法包含藉由將多孔分子網狀結構施用於具有奈米結構位於上面之基板的表面來形成經掩蔽之基板，從而使各奈米結構之至少一部分保持暴露；及將經掩蔽之基板暴露於對多孔分子網狀結構呈惰性之酶溶液，從而將相應的酶選擇性附接至奈米結構之至少一些暴露部分。

在此方法之一個實例中，施用多孔分子網狀結構涉及：加熱苝四甲酸二醯亞胺或其類似物及三聚氰胺或其類似物之飽和混合物；將飽和混合物沈積於附接有奈米線之基板上；及冷卻沈積之飽和混合物。

應理解，此方法之任何特徵可以任何期望的方式組合在一起。此外，應理解，此方法及/或定序系統及/或流體槽之特徵的任何組合可一起使用，及/或與本文揭示之任何實例組合。

本文揭示之第四態樣為另一種方法。此方法包含將多孔分子網狀結構施用於基板以界定暴露之基板區的圖案；活化暴露之基板區以形成活化墊；移除多孔分子網狀結構，從而使活化墊保持完整且由間隙基板區隔開；將相應的聚合物層施用於活化墊中之每一者；及將引子接枝至相應的聚合物層中之每一者。

在此方法之一個實例中，移除多孔分子網狀結構涉及將多孔分子網狀結構暴露於氧化試劑。

再者，應理解，該等方法中之任一者及/或該等定序系統中之任一者及/或該等流體槽中之任一者的任何特徵可以任何期望的方式組合在一起，及/或可與本文揭示之任何實例組合。

在本文揭示之實施例中，經由使用多孔分子網狀結構實現奈米級之圖案化。多孔分子網狀結構在基板表面上自組裝且產生圖案，其中i）下面基板之部分或ii）預先安置於基板上之奈米結構經暴露。高度疏水性多孔分子網狀結構至少實質上覆蓋基板表面之其餘部分，且因此在基板表面上形成掩模。此掩模可最小化且在一些情況下甚至完全阻止隨後沈積之表面化學物質與其附接，但不會阻止隨後沈積之表面化學物質附接至i）下面基板之暴露部分或ii）暴露之奈米結構。因此，多孔分子網狀結構僅功能化所需區域。

多孔分子網狀結構亦可使用不會對施用之表面化學物質產生有害影響的溫和條件容易地自基板表面移除。

在本文揭示之一些實施例中，多孔分子網狀結構亦可在定序操作期間保留在基板表面上。在此等實施例中，高度疏水性多孔分子網狀結構可有助於增加引入之試劑與表面化學物質之間的相互作用。

應理解，除非另外規定，否則本文所用之術語將採用其在相關領域中之普通含義。本文所用之若干術語及其含義闡述於下文中。

除非上下文另外明確規定，否則單數形式「一（a）」、「一（an）」及「該（the）」包括複數個指示物。

術語包含（comprising）、包括（including）、含有（containing）及此等術語之各種形式彼此為同義的且意謂同等廣義。

術語頂部（top）、底部（bottom）、下部（lower）、上部（upper）、在上（on）等在本文中用於描述流體槽及/或流體槽之各種組件。應理解，此等方向性術語不意欲暗示特定取向，但用於指示組件之間的相對取向。方向性術語之使用不應解釋為將本文揭示之實施例限制於任何特定取向。

如本文所用，術語「附接（attached）」係指兩個事物彼此接合、緊固、黏著、連接或結合之狀態。舉例而言，核酸可藉由共價或非共價鍵附接至聚合物塗層。共價鍵之特徵在於原子之間電子對共用。非共價鍵為不涉及電子對共用之物理鍵，且可包括例如氫鍵、離子鍵、凡得瓦爾力（van der Waals force）、親水相互作用及疏水相互作用。

如本文所用，術語「流體槽（flow cell）」欲意謂具有可進行反應之腔室（亦即流動通道）、用於將試劑遞送至腔室之入口及用於自腔室移除試劑之出口的容器。在一些實施例中，腔室使得能夠偵測腔室中發生之反應。舉例而言，腔室/流動通道可包括一或多個透明表面，允許在凹陷處光學偵測陣列、光學標記分子或其類似物。另舉例而言，腔室/流動通道可包括允許偵測電信號的電子電路。

如本文所用，術語「沈積（depositing）」係指任何適合之施用技術，其可為手動或自動化的，且致使表面特性改變。一般而言，可使用氣相沈積技術、塗佈技術、接枝技術或其類似技術進行沈積。一些具體實例包括化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）、噴塗（例如超音波噴塗）、旋塗、浸塗（dunk/dip coating）、刮刀塗佈、覆液施配（puddle dispensing）、流通塗佈、氣溶膠印刷、網版印刷、微接觸印刷、噴墨印刷或其類似技術。

如本文所用，「核苷酸（nucleotide）」包括含氮雜環鹼基、糖及一或多個磷酸基團。核苷酸為核酸序列之單體單元。在RNA中，糖為核糖，且在DNA中，糖為去氧核糖，亦即不具有存在於核糖之2'位置處之羥基的糖。含氮雜環鹼基（亦即核鹼基）可為嘌呤鹼基或嘧啶鹼基。嘌呤鹼基包括腺嘌呤（A）及鳥嘌呤（G）及其經修飾之衍生物或類似物。嘧啶鹼基包括胞嘧啶（C）、胸腺嘧啶（T）及尿嘧啶（U）及其經修飾之衍生物或類似物。去氧核糖之C-1原子鍵結至嘧啶之N-1或嘌呤之N-9。核酸類似物可具有磷酸主鏈、糖或核鹼基中之任一者的改變。核酸類似物之實例包括例如通用鹼基或磷酸-糖主鏈類似物，諸如肽核酸（PNA）。

如本文所用，「引子（primer）」定義為單股核酸序列（例如單股DNA或單股RNA）。一些引子，可稱為擴增引子，充當模板擴增及叢集產生之起始點。其他引子，可稱為定序引子，充當DNA或RNA合成之起始點。例如，擴增引子之5'端可經修飾以允許與聚合物塗層之官能基發生偶合反應。引子長度可為任何數目之鹼基長且可包括多種非天然核苷酸。在一個實施例中，定序引子為短股，範圍介於10至60個鹼基或20至40個鹼基。

術語「基板（substrate）」係指可在上面添加流體槽之各種組件的支撐物。支撐物可為晶圓、面板、矩形片、模具或任何其他適合之組態。支撐物一般為剛性的且不溶於水性液體中。支撐物可對用於改質凹陷之化學物質呈惰性。舉例而言，支撐物可對用於形成嵌段共聚物之化學物質呈惰性，以附接引子等。適合之支撐物的實例將在下文進一步描述。

如本文所用，術語「表面化學物質（surface chemistry）」在一些態樣中係指活化墊、附接至活化墊之聚合物層及附接至聚合物層之至少一部分的引子。在其他態樣中，術語「表面化學物質」係指奈米結構及附接至奈米結構之酶。

多孔分子網狀結構

在本文揭示之實施例中，多孔分子網狀結構為胺及二醯亞胺之平面超大分子網狀結構。所選擇之胺及二醯亞胺優先進行異分子氫鍵結超過同分子氫鍵結。以下為三聚氰胺與苝四甲酸二醯亞胺（PTCDI）之間的異分子氫鍵結的實例：

如上所描繪，在此等分子之間形成三個氫鍵。三聚氰胺包括三個可參與氫鍵結網狀結構之官能單元（H₂ N-C-N-C-NH₂ ），且苝四甲酸二醯亞胺包括兩個參與氫鍵結網狀結構之官能單元（O=CR-NR-CR=O）。三聚氰胺及苝四甲酸二醯亞胺之三重及雙重對稱性分別產生六邊形網狀結構，如圖1A中所示。此等分子之雙分子組裝界定網狀結構的圖案（例如圖1A中所示之六邊形網狀結構），且導致形成由圖案邊緣界定之孔（例如圖1A中所示之每個六邊形的中心）。

複數個氫鍵供體及/或受體之存在允許跨基板表面形成二維網狀結構。因此，儘管三聚氰胺及PTCDI為可形成多孔分子網狀結構之兩個分子的實例，但應理解，其他胺及二醯亞胺組合可用於形成其他圖案幾何形狀。舉例而言，具有四個官能性三聚氰胺單元（H₂ N-C-N-C-NH₂ ）且展現四重對稱軸之胺分子將能夠構造矩形，例如方形孔，而非由使用PTCDI及三聚氰胺產生之六邊形孔。此使得能夠藉由明智地選擇界定分子網狀結構之組成分子來定製孔徑。

適合之胺的實例包括三聚氰胺：

，或其類似物。三聚氰胺類似物至少包括與二醯亞胺一起參與氫鍵結網狀結構之官能單元（H₂ N-C-N-C-NH₂ ）。三聚氰胺類似物之實例包括4,4',4'-(1,3,5-苯次甲基)參-2,6-吡啶二胺：

，以及其變體。在一個實例變體中，中心苯環經不同的芳族或其他環狀系統取代，該系統允許附接不同數目（不同於3個），例如2或4個2,6-二胺基吡啶基（或其他含有H₂ N-C-N-C-NH₂ -的）部分。在一些變體中，一或多個間隔單元，諸如伸炔基、雙(伸炔基)或伸芳基二基，可插入中心單元與側基2,6-二胺吡啶基（或其他含有H₂ N-C-N-C-NH₂ -的）部分之間。三聚氰胺類似物之另一個實例包括：

，其包括四個H₂ N-C-N-C-NH₂ 部分。雖然已描述一些三聚氰胺類似物，但咸信亦可使用其他芳族胺或非芳族共軛胺，只要所選擇之胺優先與所選擇之二醯亞胺進行異分子氫鍵結。

適合之二醯亞胺的實例包括苝四甲酸二醯亞胺（PTCDI）：

或其類似物。PTCDI類似物包括至少兩個與胺一起參與氫鍵結網狀結構之二醯亞胺官能單元（O=CR-NR-CR=O）。PTCDI類似物之實例包括：

咸信以下芳族部分中之任一者在轉化成二醯亞胺後可用作PTCDI類似物：

多孔分子網狀結構可在溶液中預組裝且隨後沈積於所需基板表面上。因為分子能夠進行超大分子自組裝，所以溶液不包括除溶劑及待形成之基質/網狀結構的兩種成分以外的試劑（例如催化劑）。溶劑之實例包括二甲亞碸（DMSO）及二甲基甲醯胺（DMF）。可選擇其他溶劑，且可部分取決於待形成之基質/網狀結構的兩種成分。

可藉由達到熱力學平衡而在溶液中形成多孔分子網狀結構組裝件。達到熱力學平衡之一種方法為熱量苝四甲酸二醯亞胺或其類似物與三聚氰胺或其類似物之飽和混合物。飽和混合物包括適合化學計量（莫耳比）之苝四甲酸二醯亞胺或其類似物及三聚氰胺或其類似物。在一個實施例中，二醯亞胺及胺以1:1之莫耳比存在。然而，化學計量取決於所選擇之分子及其對特定基板表面之親和力。若一種分子對基板表面具有較高親和力，則溶液中該分子之量可能低於溶液中另一種分子之量。

溶液加熱達到的溫度部分取決於溶液中之兩種成分。在一個實施例中，加熱在約51℃（~325 K）至約127℃（~400K）之溫度下進行。

經加熱之飽和混合物可隨後沈積於基板上（例如藉由本文揭示之任何方法）且冷卻。冷卻可例如以至多約10℃/分鐘之速率緩慢實現。在一個實施例中，冷卻速率範圍介於約0.1℃/分鐘至約10℃/分鐘。在另一個實施例中，冷卻速率範圍介於約0.5℃/分鐘至約5℃/分鐘。在另一個實施例中，冷卻速率為約1℃/分鐘。

在基板表面上形成之多孔分子網狀結構為非反應性π系統。在一個實施例中，此類型之系統基本上為化學惰性的，且因此不會與用於用表面化學物質使基板表面功能化之多種試劑及/或活化方法反應；且因此，此類型之系統容易鈍化上面施用其之基板表面。部分由於此鈍化特性，多孔分子網狀結構可用作圖案以用表面化學物質選擇性地使基板表面功能化。下面將進一步詳細描述多孔分子網狀結構可如何用於圖案化不同流體槽的實施例。

此外，多孔分子網狀結構之非反應性π系統意謂多孔分子網狀結構不共價連接至下面的基板表面。因此，當需要時，可容易地自基板表面移除多孔分子網狀結構。為了移除多孔分子網狀結構，可使用對二醯亞胺部分具有比基板表面本身更高親和力的試劑。此試劑將改變熱力學平衡，且多孔分子網狀結構將自基板表面解吸附。移除試劑之實例包括氧化試劑，其可氧化二醯亞胺部分之環。經氧化之二醯亞胺不為平面的，且將容易自基板表面解吸附。適合之氧化試劑係選自由以下者組成之群：高錳酸鹽、過硼酸鹽、鹵素、過氯酸鹽及過氧化物。下面將進一步詳細描述何時可進行多孔分子網狀結構移除的實施例。

用於光學偵測之流體槽

在本文揭示之一個實施例中，流體槽包括基板；在基板上且界定暴露之基板區的可選擇性移除之多孔分子網狀結構；及至少一些暴露區上之定序表面化學物質，其中表面化學物質包括活化層、附接至活化層之聚合物層及附接至聚合物層之引子。

用於製備此流體槽之方法的一個實施例示意性顯示於圖1A及圖1B中。該方法包括將多孔分子網狀結構14施用於基板12以界定暴露之基板區18的圖案（圖1A）；及將表面化學物質20施用於至少一些暴露之基板區18（圖1B）。如圖2中所示，在此實施例方法中，表面化學物質20之施用包括活化暴露之基板區18以形成活化墊22；將相應的聚合物層24施用於活化墊中之每一者；及將引子26接枝至相應的聚合物層24中之每一者。

圖1A展示上面具有自組裝之多孔分子網狀結構14之基板12的頂部示意圖。

適合之基板12的實例包括環氧基矽氧烷、玻璃及改質或官能化玻璃、塑膠（包括丙烯酸樹脂、聚苯乙烯及苯乙烯與其他材料之共聚物、聚丙烯、聚乙烯、聚丁烯、聚胺基甲酸酯、聚四氟乙烯（諸如來自Chemours之TEFLON®）、環烯烴/環烯烴聚合物（COP）（諸如來自Zeon之ZEONOR®）、聚醯亞胺等）、耐綸、陶瓷/陶瓷氧化物、二氧化矽、熔融二氧化矽或基於二氧化矽之材料、矽酸鋁、矽及改質矽（例如硼摻雜之p+矽）、氮化矽（Si₃ N₄ ）、氧化矽（SiO₂ ）、五氧化鉭（TaO₅ ）或其他氧化鉭（TaO_x ）、氧化鉿（HaO₂ ）、碳、金屬、無機玻璃或其類似物。支撐物亦可為在表面具有氧化鉭或另一種陶瓷氧化物塗層之玻璃或矽。

在一個實施例中，基板12可具有範圍介於約2 mm至約300 mm之直徑，或最大尺寸達到約10呎（~3公尺）之矩形片或面板。在一個實施例中，基板為直徑範圍介於約200 mm至約300 mm之晶圓。在另一個實施例中，支撐物為寬度範圍介於約0.1 mm至約10 mm之模具。雖然已提供實施例尺寸，但應理解，可使用具有任何適合之尺寸的支撐物。另舉例而言，可使用呈矩形支撐物之面板，其具有比300 mm圓形晶圓更大的表面積。

多孔分子網狀結構14包括由自組裝之胺及二醯亞胺分子界定之圖案16，及由圖案16界定之孔。圖案16覆蓋基板12之部分，且孔對應於暴露之基板區18。多孔分子網狀結構14可如本文所述預組裝且沈積於基板12上。可在施用表面化學物質20之前進行沖洗及乾燥。

如上文所提及，此實施例方法中表面化學物質20之施用最初涉及活化暴露之基板區18。在一些實施例中，活化涉及用矽烷或矽烷衍生物使暴露之基板區矽烷化。用於矽烷化之矽烷或矽烷衍生物對多孔分子網狀結構14之延伸的π系統沒有親和力，且因此多孔分子網狀結構14有效地界定基板12上矽烷或矽烷衍生物將反應之隔離的錨定點（例如暴露之基板區18）。

當暴露之基板區18經由矽烷化活化時，可使用任何矽烷或矽烷衍生物實現矽烷化。矽烷或矽烷衍生物之選擇可部分取決於待形成之聚合物層24，因為可能需要在矽烷或矽烷衍生物與聚合物層24之間形成共價鍵。用於將矽烷或矽烷衍生物附接至暴露之基板區18的方法可使正使用的矽烷或矽烷衍生物而變化。本文闡述若干實例。

適合之矽烷化方法的實例包括氣相沈積（例如YES方法）、旋塗或其他沈積方法。

在利用YES CVD烘箱之一個實施例中，將上面具有多孔分子網狀結構14之基板12置於CVD烘箱中。可將腔室排氣且隨後開始矽烷化循環。在循環期間，矽烷或矽烷衍生物容器可維持在適合之溫度（例如對於降冰片烯矽烷約120℃），矽烷或矽烷衍生物蒸氣管線維持在適合之溫度（例如對於降冰片烯矽烷約125℃），且真空管線維持在適合之溫度（例如約145℃）。

在另一個實施例中，矽烷或矽烷衍生物（例如液體降冰片烯矽烷）可沈積於玻璃小瓶內且與上面具有多孔分子網狀結構14之基板12一起置放於玻璃真空乾燥器內。乾燥器可隨後抽空至範圍介於約15毫托至約30毫托之壓力，且置放於溫度範圍介於約60℃至約125℃之烘箱內。允許進行矽烷化，且隨後將乾燥器自烘箱移出，冷卻且在空氣中排氣。

氣相沈積、YES方法及/或真空乾燥器可與各種矽烷或矽烷衍生物一起使用，諸如彼等包括環烯烴不飽和部分之矽烷或矽烷衍生物，該環烯烴不飽和部分諸如降冰片烯、降冰片烯衍生物（例如包括氧或氮代替碳原子之一的（雜）降冰片烯）、反式環辛烯、反式環辛烯衍生物、反式環戊烯、反式環庚烯、反式環壬烯、雙環[3.3.1]壬-1-烯、雙環[4.3.1]癸-1(9)-烯、雙環[4.2.1]壬-1(8)-烯及雙環[4.2.1]壬-1-烯。此等環烯烴中之任一者可例如經R基團取代，諸如氫、烷基、烯基、炔基、環烷基、環烯基、環炔基、芳基、雜芳基、雜脂環基、芳烷基或(雜脂環基)烷基。降冰片烯衍生物之實例包括[(5-雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]三甲氧基矽烷。作為其他實例，當矽烷或矽烷衍生物包括環炔烴不飽和部分，諸如環辛炔、環辛炔衍生物或雙環壬炔（例如雙環[6.1.0]壬-4-炔或其衍生物、雙環[6.1.0]壬-2-炔或雙環[6.1.0]壬-3-炔）時，可使用此等方法。此等環炔烴可經本文所述之R基團中之任一者取代。

矽烷或矽烷衍生物之附接在至少一些暴露之基板區18上形成活化墊22。因為矽烷或矽烷衍生物與基板12反應且不與圖案16反應，所以在暴露之基板區18上形成相應的活化墊22。在此實施例中，活化墊22藉由圖案16彼此隔離。

可隨後將聚合物層24施用於活化墊22。聚合物層24可為可透過液體及氣體之半剛性聚合材料。用於形成聚合物層24之分子可經選擇以優先與活化墊22而非多孔分子網狀結構14反應。在一些情況下，分子可對活化墊22具有很強的反應性且對多孔分子網狀結構具有極小或沒有親和力。此增強分子反應性之特異性，且使分子能夠在活化墊22上而不在多孔分子網狀結構14上形成相應的聚合物層24。

聚合物層24之實例包括丙烯醯胺共聚物，諸如聚(N-(5-疊氮基乙醯胺基戊基)丙烯醯胺-共-丙烯醯胺PAZAM。PAZAM及一些其他形式的丙烯醯胺共聚物由以下結構（I）表示：

其中： R¹ 為H或視情況經取代之烷基； R^A 係選自由以下者組成之群：疊氮基、視情況經取代之胺基、視情況經取代之烯基、視情況經取代之腙、視情況經取代之肼、羧基、羥基、視情況經取代之四唑、視情況經取代之四

、腈氧化物、硝酮及硫醇； R⁵ 、R₆ 及R₈ 各自獨立地選自由H及視情況經取代之烷基組成之群； -(CH₂ )_p -中之每一者可視情況經取代； p為1至50範圍內之整數； n為1至50,000範圍內之整數；且 m為1至100,000範圍內之整數。所屬領域中具有通常知識者應認識到，結構（I）中重複的「n」及「m」個特徵的排列為代表性的，且單體次單元可以任何順序存在於聚合物結構中（例如無規、嵌段、圖案化或其組合）。

PAZAM之分子量可在約10 kDa至約1500 kDa之範圍內或在一個具體實施例中可為約312 kDa。

在一些實施例中，PAZAM為線性聚合物。在一些其他實例中，PAZAM為輕度交聯聚合物。

在其他實施例中，聚合物層24可為結構（I）之變體。在一個實施例中，丙烯醯胺單元可經N,N-二甲基丙烯醯胺（

）置換。在此實施例中，結構（I）中之丙烯醯胺單元可經

置換，其中R₆ 、R₇ 及R₈ 各自為H，且R₉ 及R₁₀ 各自為甲基（代替H，如同丙烯醯胺之情形一樣）。在此實施例中，q可為1至100,000範圍內之整數。在另一個實施例中，除丙烯醯胺單元之外，可使用N,N-二甲基丙烯醯胺。在此實施例中，除重複的「n」及「m」個特徵之外，結構（I）可包括，其中R₆ 、R₇ 及R₈ 各自為H，且R₉ 及R₁₀ 各自為甲基。在此實施例中，q可為1至100,000範圍內之整數。

應理解，可使用其他分子來形成聚合物層24，只要其經官能化以與活化墊22及隨後施用之引子26相互作用即可。適用於形成聚合物層24之分子的其他實例包括具有膠態結構之分子，諸如瓊脂糖；或具有聚合物網狀結構之分子，諸如明膠；或具有交聯聚合物結構之分子，諸如聚丙烯醯胺聚合物及共聚物、無矽烷丙烯醯胺（SFA）或SFA之疊氮化形式。適合之聚丙烯醯胺聚合物的實例可由丙烯醯胺及丙烯酸或含有乙烯基之丙烯酸合成，或由形成[2+2]光環加成反應之單體合成。適用於形成聚合物層24之分子的其他實例包括丙烯醯胺及丙烯酸酯之混合共聚物。

如本文所提及，用於形成聚合物層24之分子對多孔分子網狀結構14之延伸的π系統沒有（或具有非常小的）親和力，且因此聚合物層24將在活化墊22而非多孔分子網狀結構14上形成。分子（例如PAZAM）可使用旋塗、或浸漬或浸塗、或在正壓或負壓下之官能化分子流或其他適合之技術來沈積。官能化分子可以混合物存在。在一個實施例中，混合物包括PAZAM水溶液或含PAZAM之乙醇及水之混合物。分子將反應以在活化墊22而非多孔分子網狀結構14上形成聚合物層24。

在塗佈之後，分子亦可暴露於固化過程以在活化墊22中之每一者上形成聚合物層24。在一個實施例中，固化官能化分子可在室溫（例如約25℃）至約95℃範圍內之溫度下進行約1毫秒至約數天範圍內之時間。在另一個實施例中，時間可在10秒至至少24小時之範圍內。在另一個實施例中，時間可在約5分鐘至約2小時之範圍內。

聚合物層24可經由共價鍵結附接至活化墊22。聚合物層24與活化墊22之共價連接有助於在各種用途期間在最終形成之流體槽的整個壽命中將表面化學物質20維持在相應的隔離區域。以下為可在活化墊22與聚合物層24之間發生的一些反應實例。

當矽烷或矽烷衍生物包括降冰片烯或降冰片烯衍生物作為不飽和部分時，降冰片烯或降冰片烯衍生物可：i）與PAZAM之疊氮化物/疊氮基進行1,3-偶極環加成反應；ii）與附接至PAZAM之四

基團進行偶合反應；與附接至PAZAM之腙基團進行環加成反應；與附接至PAZAM之四唑基團進行光點擊反應；或與附接至PAZAM之腈氧化物基團進行環加成。

當矽烷或矽烷衍生物包括環辛炔或環辛炔衍生物作為不飽和部分時，環辛炔或環辛炔衍生物可：i）與PAZAM之疊氮化物/疊氮基進行應變促進之疊氮化物-炔烴1,3-環加成（SPAAC）反應，或ii）與附接至PAZAM之腈氧化物基團進行應變促進之炔烴-腈氧化物環加成反應。

當矽烷或矽烷衍生物包括雙環壬炔作為不飽和部分時，雙環壬炔可由於雙環系統中之應變而與附接至PAZAM之疊氮化物或腈氧化物進行類似的SPAAC炔烴環加成。

進行接枝過程以將引子26接枝至聚合物層24。引子26可為包括炔烴官能基之任何正向擴增引子或反向擴增引子，或另一種封端引子。可使用之封端引子的其他實例包括四

封端之引子、疊氮基封端之引子、胺基封端之引子、環氧基或縮水甘油基封端之引子、硫代磷酸酯封端之引子、硫醇封端之引子、醛封端之引子、肼封端之引子及三唑啉二酮封端之引子。亦可使用引子之混合物。適合之引子的具體實例包括P5及/或P7引子，其在由Illumina公司銷售之商業流體槽的表面上使用以在HISEQ™、HISEQX™、MISEQ™、MISEQDX™、MINISEQ™、NEXTSEQ™、NEXTSEQDX™、NOVASEQ™、ISEQ™、GENOME ANALYZER™等及其他儀器平台上進行定序。

在一個實施例中，接枝可藉由流通沈積（例如使用臨時結合之蓋子）、浸塗、噴塗、覆液施配或藉由將引子26附接至聚合物層24之另一種適合之方法來完成。此等實施例技術中之每一者可利用引子溶液或混合物，其可包括引子、水、緩衝劑及催化劑。

浸塗可涉及將基板12（上面具有活化墊22及聚合物層24）浸入一系列溫度控制之浴液中。浴液亦可為流動控制的及/或覆蓋有氮氣層。浴液可包括引子溶液或混合物。在各種浴液中，引子26將附接至聚合物層24之官能基。在一個實施例中，將基板12引入包括引子溶液或混合物之第一浴液中，其中發生反應以附接引子26，且隨後移至額外浴液進行洗滌。自浴液至浴液之移動可涉及機械臂或可手動進行。浸塗中亦可使用乾燥系統。

噴塗可藉由將引子溶液或混合物直接噴施於基板12（上面具有活化墊22及聚合物層24）來實現。經噴塗之晶圓可在約0℃至約70℃範圍內之溫度培育約4分鐘至約60分鐘範圍內之時間。培育後，可稀釋且使用例如旋塗器移除引子溶液或混合物。

覆液施配可根據彙集及旋拋法（pool and spin off method）進行，且因此可用旋塗器實現。引子溶液或混合物可（手動或經由自動化過程）施用至基板12（上面具有活化墊22及聚合物層24）。所施用之引子溶液或混合物可施用於或鋪展在整個表面上，包括在圖案16上。經引子塗佈之基板12可在約0℃至約80℃範圍內之溫度下培育約2分鐘至約60分鐘範圍內之時間。培育後，可稀釋且使用例如旋塗器移除引子溶液或混合物。

引子26與聚合物層24之官能基反應且對多孔分子網狀結構14之延伸的π系統沒有親和力。因此，引子26接枝至聚合物層24而非多孔分子網狀結構14上。

在該方法之另一個實施例中，表面化學物質20之施用可在多孔分子網狀結構施用之前及之後進行。在此等其他實施例中，基板表面活化在施用多孔分子網狀結構14之前進行，且聚合物層24形成及引子26接枝在施用多孔分子網狀結構之後進行。

在此實施例中，（裸）基板12之表面暴露於電漿灰化，其在基板12之表面上產生表面活化劑（例如-OH基團）。應注意，添加-OH基團可降低基板12對多孔分子網狀結構（其為疏水性的）的親和力，且因此可控制電漿灰化之條件及時機，使得表面不太親水。

在此實施例中，多孔分子網狀結構14添加於活化的基板表面上，其暴露活化的基板表面的離散區。當多孔分子網狀結構14施用於活化的基板上時，形成活化墊22。

亦在此實施例中，聚合物層24可隨後如本文所述選擇性施用於活化墊22，且引子26可如本文所述接枝至聚合物層24。

現參考圖2，描繪藉由圖1A及圖1B中所示之方法（例如圖案化且隨後添加表面化學物質20）形成之流體槽10的一個實施例。雖然顯示單一類型之引子24，但應理解，可附接兩種或更多種不同的引子24。

在此實施例中，表面化學物質20之各離散區段的X及Y尺寸實質上對應於多孔分子網狀結構14之各孔的X及Y尺寸。多孔分子網狀結構14之孔使得能夠在奈米精度下排序表面化學物質20。

在圖2所示之實施例中，可選擇性移除之多孔分子網狀結構14在整個所述方法中保留在基板12上，且隨後在後續定序操作期間作為流體槽10之一部分。當多孔分子網狀結構14之分子結構不與在定序操作期間使用之螢光團相互作用時，此可為合乎需要的。在此實施例中，分子網狀結構14之架構可幫助在定序操作期間使表面鈍化至生物分子之非特異性吸收。

在其他實施例中，可選擇性移除之多孔分子網狀結構14可在該方法期間自基板12移除，且隨後在後續定序操作期間不作為流體槽之一部分存在。此方法100之一個實施例在圖3A中示出，且所得流體槽10'之一個實施例在圖3B中示出。此方法100包括將多孔分子網狀結構14施用於基板12以界定暴露之基板區18的圖案（參照編號102）；活化暴露之基板區18以形成活化墊22（參照編號104）；移除多孔分子網狀結構14，從而使活化墊22保持完整且由間隙基板區28隔開（參照編號104）；將相應的聚合物層24施用於活化墊22中之每一者（參照編號106）；及將引子26接枝至相應的聚合物層24中之每一者（參照編號108）。當多孔分子網狀結構14之分子結構能夠與在定序操作期間使用的螢光團相互作用時，此方法100可為合乎需要的。一些螢光團可黏附於多孔分子網狀結構14之一些實例。此相互作用會破壞或以其他方式有害地影響定序，因為黏附於多孔分子網狀結構14之螢光團標記之分析物無法與定序模板相互作用。在此等實施例中，可使用方法100，其有效地利用多孔分子網狀結構14來產生活化墊22（剩餘表面化學物質20的錨定點），且隨後移除多孔分子網狀結構14以使其不干擾後續定序操作。在此等實施例中，移除多孔分子網狀結構14之指紋及潛在干擾。

在方法100中，多孔分子網狀結構14可如本文所述形成，且可使用矽烷或矽烷衍生物如本文所述進行活化。在此實施例中，各離散活化墊22（且因此表面化學物質20之各區段）之X及Y尺寸對應於多孔分子網狀結構14之各孔的X及Y尺寸，因為矽烷或矽烷衍生物活化在該等孔處暴露之基板區18。

在活化墊22形成之後，方法100隨後包括移除多孔分子網狀結構14。多孔分子網狀結構14之化學性質使其易受本文揭示之任何氧化試劑的影響。可使用任何適合之沈積技術將氧化試劑沈積於多孔分子網狀結構14上（及基板12之其餘部分上）。由於二醯亞胺之氧化，暴露於氧化試劑使多孔分子網狀結構14自基板12上升（例如經由解吸附）。氧化試劑不與活化墊22反應，且因此基板12之此等活化部分保持完整以用於後續反應。在移除多孔分子網狀結構14之後，可（例如用水）洗滌基板12及其上的活化墊22。

多孔分子網狀結構14之移除暴露基板12之部分，其在本文中稱為間隙區28。間隙區18可為連續的（且具有與多孔分子網狀結構14相同的圖案），而矽烷化區22為離散的。

在方法100中，聚合物層24可如本文所述形成。在此等實例中，用於形成聚合物層24之分子對基板12沒有親和力，且因此聚合物層24將選擇性地形成於矽烷化墊22上而非基板12之間隙區28上。在方法100中，引子接枝26亦可如本文所述進行。

本文揭示之流體槽10、10'可用於多種定序方法或技術，包括通常稱為合成定序（sequencing-by-synthesis，SBS）、循環陣列定序、連接定序、焦磷酸定序等技術。利用此等技術中之任一者，由於引子26作為表面化學物質20之一部分存在而不存在於圖案16或間隙區28上，因此定序將侷限於表面化學物質20。

作為一個實例，合成定序（SBS）反應可在諸如HISEQ™、HISEQX™、MISEQ™、MISEQDX™、MINISEQ™、NOVASEQ™、NEXTSEQDX™或NEXTSEQ™之系統或來自Illumina公司（San Diego, CA）之任何其他定序器系統上運行。在SBS中，監測定序引子沿核酸模板（亦即定序模板）的延伸，以確定模板中核苷酸之序列。基礎化學過程可為聚合（例如藉由聚合酶催化）)或連接（例如藉由連接酶催化）。

在特定的基於聚合酶之SBS方法中，將核酸文庫模板引入流體槽10、10'中，從而使核酸文庫模板與引子26雜交。多個核酸文庫模板例如與固定於流體槽10、10'上之兩種類型引子26中之一者雜交。可隨後進行叢集生成。在叢集生成之一個實施例中，使用高保真DNA聚合酶藉由3'延伸自雜交引子26複製核酸文庫模板。使原始核酸文庫模板變性，從而使複本固定於引子26所在的位置。等溫橋式擴增可用於擴增固定之複本。舉例而言，複製之模板循環以與相鄰的互補引子26雜交，且聚合酶複製經複製之模板以形成雙股橋，其變性以形成兩個單股之股。此兩股循環且與相鄰的互補引子26雜交並再次延伸以形成兩個新的雙股環。藉由等溫變性及擴增之循環在各模板複本上重複該過程以產生密集的純系叢集。使雙股橋之各叢集變性。在一個實例中，藉由特異性鹼基裂解移除反向股，從而留下正向模板股。

可阻斷模板之3'端及任何引子26以防止不需要的引發。可將定序引子引入流體槽10、10'中。因為定序引子與核酸模板股之銜接子互補，故其將與銜接子（例如模板之讀段1定序引子）雜交。

將經螢光標記之核苷酸以模板依賴性方式添加至模板中（從而延伸定序引子），使得偵測添加至引子之核苷酸的順序及類型可用於確定模板之序列。舉例而言，為了啟動第一個SBS循環，可將一或多個經標記之核苷酸、DNA聚合酶等遞送至/通過流動通道等，其容納附接有模板股之引子26之陣列。定序引子延伸使得經標記之核苷酸併入，且此併入可經由成像事件偵測。在成像事件期間，照明系統（圖中未示）可向表面化學物質20提供激發光。

在一些實施例中，核苷酸可進一步包括可逆終止特性，一旦已添加核苷酸，則終止進一步的引子延伸。舉例而言，具有可逆終止子部分之核苷酸類似物可沿模板股添加至定序引子，使得後續延伸無法進行，直至遞送去阻斷劑以移除該部分。因此，對於使用可逆終止之實施例，可將去阻斷試劑遞送至流動通道等（在偵測發生之前或之後）。

洗滌可在各種流體遞送步驟之間進行。可隨後重複SBS循環n次以使定序引子延伸n個核苷酸，從而偵測長度為n之序列。

雖然已詳細描述SBS，但應理解，本文所述之流體槽10、10'可與其他定序方案一起用於基因分型或用於其他化學及/或生物學應用。在另一個實施例中，本文揭示之流體槽10、10'可用於槽上文庫生成。

用於電偵測之流體槽

在本文揭示之另一個實施例中，流體槽包括基板；在基板上且界定暴露之基板區的可選擇性移除之多孔分子網狀結構；及至少一些暴露區上之定序表面化學物質，其中表面化學物質包括奈米結構及附接至奈米結構之酶。

用於製造此流體槽之方法的一個實施例展示於圖4及圖5A至圖5C。

如圖4中所示，方法200包括藉由將多孔分子網狀結構14施用於上面組裝有奈米結構之基板12的表面來形成經掩蔽之基板，從而使各奈米結構之至少一部分保持暴露（參照編號202）；及將經掩蔽之基板暴露於對多孔分子網狀結構14呈惰性之酶溶液，從而將相應的酶選擇性附接至奈米結構之至少一些暴露部分（參照編號204）。

圖5A示出上面組裝有奈米結構之基板12的頂部示意圖。基板12可為本文所述之任何實例。

奈米結構在圖5A中以參照編號30示出。奈米結構30為電荷感測器32之導電通道，其亦包括電極34、34'。如本文所用，術語「電荷感測器（charge sensor）」欲意謂將其表面或其周圍電場中之擾動轉換成電信號的偵測裝置。舉例而言，電荷感測器32可將反應組分之到達或離開轉換成電信號。在一些實例中，電荷感測器32亦可將兩種反應組分（例如模板核酸及核苷酸）之間的相互作用轉換成電信號。實施例電荷感測器32為場效電晶體（field effect transistor，FET），諸如基於碳奈米管（carbon nanotube，CNT）之FET、基於單壁碳奈米管（single-walled carbon nanotube，SWNT）之FET、矽奈米線（silicon nanowire，SiNW）FET、聚合物奈米線FET及石墨烯奈米帶FET（及由諸如MoS₂ 、矽烯等2D材料製成之相關奈米帶FET）。在場效電晶體中，電流沿導電路徑（導電通道/奈米結構30）流動，該導電路徑連接至兩個電極34、34'（源極及漏極）。源極與漏極之間的通道電導由第三（柵極）電極接通及斷開，該第三（柵極）電極可經由薄電介質層電容耦合。

可使用任何類型之奈米結構30，只要其可充當電荷感測器32之導電通道。適用於導電通道之實例材料包括導體（例如金屬、碳基材料、一些金屬氧化物、導電聚合物等）或半導體（例如矽、其他金屬氧化物等）。奈米結構30可具有任何適合之幾何結構，諸如管、線、帶等，且奈米結構30之至少一個尺寸（例如長度、寬度、直徑等）可為奈米級。作為實例，奈米結構30為導電通道，其包括選自由導體及半導體組成之群的材料，且具有選自由管、線及帶組成之群的幾何結構。奈米結構30之一些具體實例包括碳奈米管（CNT）、單壁碳奈米管（SWCN）、矽奈米線（SiNW）、聚合物奈米線、奈米帶（例如石墨烯奈米帶、由諸如MoS₂ 、矽烯等2D材料製成之奈米帶）或可充當電荷感測器32之導電通道的任何其他奈米結構。在一個實施例中，奈米結構30為矽奈米線。在另一個實施例中，奈米結構為碳奈米管。

如圖5A中所示，奈米結構30之相對端與相應的電極34、34'電連通。可使用任何適合之電極材料，其可化學及電附接至奈米結構30。適合之電極材料的實例包括金、鉑、碳、氧化銦錫等。

在一些實施例中，在基板12上組裝電荷感測器32可包括使用任何適合之技術製造電極34、34'及製造電極34、34'之間的奈米結構30，諸如直接生長、溶液滴落或各種印刷技術。作為一個實例，可使用電弧放電、雷射剝蝕、高壓一氧化碳歧化或化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）來產生碳奈米管。作為另一個實例，矽奈米線（SiNW）可藉由蝕刻固體或經由氣相或液相之催化生長而由聚矽氧前體產生。

各電荷感測器32可單獨佈線（且因此單獨監測）。換言之，任何單獨的電荷感測器32之電極34、34'可連接至電子電路以使其能夠操作（例如一旦連接至偵測器及電源）。電子電路可電連接至偵測器及電源。

電荷感測器32在基板12上之佈置可部分基於欲在基板12上形成之多孔分子網狀結構14之圖案16且尤其孔的幾何結構。此部分歸因於以下事實：多孔分子網狀結構14將在基板12上及在電荷感測器32上自組裝，且期望奈米結構30之至少一部分位於多孔分子網狀結構14之孔中。多孔分子網狀結構14可部分沈積於奈米結構30之表面的頂部上，以限制在奈米結構30上發生之官能化的量及/或使附接至奈米結構30之生物分子間隔開及/或鈍化電荷感測器32之部分以防止試劑（例如溶液鹽等）與鈍化部分相互作用。

如圖4之參照編號202所示，方法200包括藉由將多孔分子網狀結構14施用於上面組裝有奈米結構30之基板12的表面來形成經掩蔽之基板，從而使各奈米結構30之至少一部分保持暴露。多孔分子網狀結構14可在溶液中預組裝，且隨後如本文所述沈積於基板12上。

多孔分子網狀結構14將在基板12之表面上自組裝，且在一些情況下，在電荷感測器32之組件（30、34、34'）上自組裝，其至少部分取決於孔之尺寸及電荷感測器32之尺寸及位置。當沈積時，多孔分子網狀結構將自組裝，以使得基板12之部分及/或基板上12之電荷感測器32之部分將在孔處暴露。此形成經掩蔽之基板，如圖5B中所示。為了簡單及清楚地說明多孔分子網狀結構14及電荷感測器32，圖5B中之各電荷感測器32顯示為暴露在多孔分子網狀結構14之相應孔處。然而，應理解，多孔分子網狀結構14之個別孔小於電荷感測器32，且在一些情況下，小於奈米結構30。因此，除暴露之基板12之外，多孔分子網狀結構14可覆蓋電極34、34'及/或電荷感測器32之一些或全部奈米結構30。圖6中示出在電極34、34'及一些奈米結構30上延伸之多孔分子網狀結構14的一個實施例。應理解，多孔分子網狀結構14所覆蓋之物及在多孔分子網狀結構14之孔處暴露之物將部分取決於電荷感測器32之尺寸及定位以及多孔分子網狀結構14之自組裝。在本文揭示之實施例中，多孔分子網狀結構14之至少一些孔將暴露至少一些奈米結構30之部分，但應理解，一些奈米結構30可完全由多孔分子網狀結構14所覆蓋及/或基板12之部分亦可在一些孔處暴露。

方法200隨後包括將經掩蔽之基板暴露於對多孔分子網狀結構14呈惰性之酶溶液。「惰性（inert）」意謂酶溶液不會黏附於多孔分子網狀結構或與多孔分子網狀結構反應，因此，溶液中之酶將選擇性附接至奈米結構30之至少一些暴露部分。酶溶液之惰性可歸因於溶液之親水性及多孔分子網狀結構14之疏水性。多孔分子網狀結構14為共軛的且因此非常疏水。酶溶液為親水的（與多孔分子網狀結構14相比），且因此不會黏附於多孔分子網狀結構14或與多孔分子網狀結構14反應。因此，當經掩蔽之基板暴露於酶溶液時，溶液中之酶可吸引至奈米結構30之任何暴露部分而非多孔分子網狀結構14。由於多孔分子網狀結構14可覆蓋一些或所有奈米結構30之一些表面，故此等奈米結構30之僅小部分可在孔處暴露。小的暴露部分限制可在任何一個奈米結構30處發生之官能化，其可改良生物分子附接之特異性。在一些實例中，小的暴露奈米結構部分可附接單一酶，其可改良電荷感測器32之感測功能。

酶溶液可包括酶36（單獨或與其所附接之繫鏈38組合）及酶之液體載劑。液體載劑將為基於水之溶液。在一個實例中，生理食鹽水溶液可用作液體載劑。

在本文揭示之實施例中，期望單一酶36附接至單一奈米結構30（如圖5C及圖6中所示）。為了有助於此過程，所用酶36可經選擇以在溶液中具有與可在圖案16之孔處暴露之奈米結構30之部分的尺寸類似的流體動力學半徑。「類似（similar）」意謂流體動力學半徑可比多孔分子網狀結構之孔的尺寸大或小至多50%。適合之酶36的實例為聚合酶。適合之DNA聚合酶的實例包括藉由結構同源性分類至鑑定為A、B、C、D、X、Y及RT之家族的彼等DNA聚合酶。家族A中之DNA聚合酶包括例如T7 DNA聚合酶、真核粒線體DNA聚合酶γ、大腸桿菌DNA Pol I、水生棲熱菌（Thermus aquaticus ）Pol I及嗜熱脂肪芽孢桿菌（Bacillus stearothermophilus ）Pol I。家族B中之DNA聚合酶包括例如真核DNA聚合酶α、δ及ε；DNA聚合酶ζ；T4 DNA聚合酶、Phi29 DNA聚合酶及RB69噬菌體DNA聚合酶。家族C中之實例包括例如大腸桿菌DNA聚合酶III α次單元。家族D中之實例包括例如來源於古菌之廣古菌門（Euryarchaeota）子域的聚合酶。家族X中之DNA聚合酶包括例如真核聚合酶Pol β、Pol σ、Pol λ及Pol μ，以及釀酒酵母（S. cerevisiae ）Pol4。家族Y中之DNA聚合酶包括例如Pol η、Pol ι、Pol κ、大腸桿菌Pol IV（DINB）及大腸桿菌Pol V（UmuD'2C）。DNA聚合酶之反轉錄酶（reverse transcriptase，RT）家族包括例如反轉錄病毒反轉錄酶及真核端粒酶。

酶36可直接附接至奈米結構30之暴露部分或例如經由繫鏈38（圖6中所示）間接附接至奈米結構30之暴露部分。酶36與奈米結構30之暴露部分之間，或酶36與繫鏈38之間及繫鏈38與奈米結構30之暴露部分之間的附接可為共價或非共價的，且可視奈米結構30之材料、酶36及所用之任何繫鏈38而定。在一個實施例中，使用鎳NTA/His標籤化學物質實現附接。

繫鏈38可用作酶36（例如聚合酶）之錨定物。適合之繫鏈38的實例包括聚乙二醇（PEG）、DNA鏈、肽核酸（PNA）鏈、脂族烴鏈等。在一些實施例中，繫鏈38長度足以保持酶36遠離奈米結構30至少10 nm。此可為合乎需要的，例如以便聚合酶（或其他酶36）之保形變化、聚合酶（或其他酶36）之電荷及/或由聚合酶（或其他酶36）保持之目標/模板多核苷酸鏈的電荷不干擾奈米結構30之感測操作。

當經掩蔽之基板暴露於酶溶液時，可進行加熱以將酶36或繫鏈38偶合至任何奈米結構30之暴露部分。然而，應理解，一些偶合反應（例如醯胺偶合）可在室溫（例如範圍介於約18℃至約25℃）下進行，且因此額外加熱之使用可視酶36或繫鏈38、奈米結構30及在組分36與30或38與30之間發生的偶合反應的類型而定。

作為方法200之結果，形成圖6中所示之流體槽10''的一個實施例。雖然陣列中之各奈米結構30可用酶36功能化，但應理解，在一些實施例中，偶合反應可能不在所有奈米結構30處發生，且因此陣列中之一些（而非所有）奈米結構30可用酶36功能化。在此實施例流體槽10''中，多孔分子網狀結構14可在後續定序操作期間保留在基板12上及電荷感測器32之經覆蓋部分上。由於偵測為電子的且不涉及螢光團，因此疏水性多孔分子網狀結構14可幫助將引入之試劑（其為親水性的）導引至酶功能化之奈米結構30。

儘管未在圖6中示出，但應理解，各電荷感測器32亦可包括可偵測個別感測器32之電回應的偵測器。在一個實施例中，各偵測器為安培計。

本文揭示之流體槽10''可用於聚合酶併入事件之單分子偵測（亦即，何種核苷酸已併入新生股中）。更特定言之，電荷感測器32可監測單分子反應之動力學。

對於單分子偵測，可將模板多核苷酸鏈引入流體槽10''中。模板多核苷酸鏈可為待定序之任何樣品，且可由DNA、RNA或其類似物（例如肽核酸）構成。模板（或目標）多核苷酸鏈之來源可為基因組DNA、信使RNA或來自天然來源之其他核酸。

模板多核苷酸鏈可藉由聚合酶（酶36之一個實例）保持在適當位置，該聚合酶直接地或間接地附接至奈米結構30。模板多核苷酸鏈可連同試劑，諸如欲併入沿模板多核苷酸鏈形成之新生股中的核苷酸一起引入生物學穩定之溶液中。生物學穩定之溶液可為適用於聚合酶鹼基併入反應，諸如聚合酶鏈式反應（PCR）或線性擴增之任何緩衝液。舉例而言，生物學穩定之溶液可包括pH接近7、鹽濃度高於數毫莫耳且Mg²⁺ 離子在毫莫耳濃度下之緩衝液。

引入的至少一些核苷酸可包括與模板多核苷酸鏈之目標核酸互補的鹼基。核苷酸將部分地由亦與模板多核苷酸鏈結合之聚合酶保持在適當位置。結合的核苷酸改變電荷感測器32處之信號，其在偵測器處為可檢測的。

在藉由電荷感測器32偵測到單分子（核苷酸）之後，應理解，流體槽10''可暴露於去圖案化試劑，諸如本文揭示之氧化試劑。在此實施例中，去圖案化試劑將自聚合酶移除結合的核苷酸，且亦將氧化多孔分子網狀結構14之二醯亞胺，其將使多孔分子網狀結構14自基板12脫離。

可藉由引入圖案化試劑（包括在溶液中預組裝之多孔分子網狀結構），其在電荷感測器32周圍之基板12上形成新的多孔分子網狀結構14，且隨後引入樣品，其包括待引入模板多核苷酸鏈之下一個目標核酸的核苷酸而再次使用流體槽10''。對於整個模板多核苷酸鏈，可繼續單分子偵測、去圖案化及重新圖案化。

此流體槽10''亦可在與不同模板多核苷酸鏈之其他定序操作中再次使用。

流體槽之蓋

圖2、圖3B及圖6中所示之實施例為沒有與其結合之蓋的流體槽10、10'、10''之實施例。雖然圖中未示，但流體槽10、10'、10''可具有結合至基板12之至少一部分的蓋。蓋可定位於基板12上，以使其界定單個流動通道或多個流體分離之流動通道。應理解，表面化學物質20、20'（單獨或作為陣列）存在於流動通道中。

對於流體槽10、10'（其利用光學感測），蓋可為對於指向表面化學物質20之激發光透明的任何材料。作為實例，蓋可為玻璃（例如硼矽酸鹽、熔融二氧化矽等）、塑膠或其類似物。適合之硼矽酸鹽玻璃的市售實例為可購自Schott North America公司之D 263®。適合之塑膠材料（亦即環烯烴聚合物）的市售實例為可購自Zeon Chemicals有限公司之ZEONOR®產品。對於流體槽10''（其利用電子感測），蓋可為任何材料，包括透明材料或任何其他所需材料。蓋可使用任何適合之技術結合，諸如雷射結合、擴散結合、陽極結合、共晶結合、電漿活化結合、玻璃料結合或所屬領域中已知的其他方法。

感測系統

本文揭示之感測系統40的一個實施例在圖7中示出。此系統40包括流體槽10''且為電子感測系統40。在此實施例中，流體槽10''稱為可移除之流體槽10''，但應理解，此流體槽10''可永久地封裝在系統40中或可自系統40移除。在可移除之實施例中，可移除之流體槽10''可移除且用新的可移除流體槽10''替換，以例如用於不同的定序操作。感測系統40為一個實施例，且應理解，可使用系統之其他組態。

實施例感測系統40為電子感測系統，其包括殼體42，殼體42含有各種固定組件，包括例如電組件、計算組件、電源、風扇及其類似物。螢幕44存在於例如殼體42之前表面上，且可充當圖形用戶界面，其可提供各種類型之資訊，諸如操作狀態、所進行之分析程序（例如定序運行）的狀態、向裝置40或自裝置40傳輸數據之狀態、使用說明、警告或其類似物。容器46亦存在於殼體42之前表面上。容器46可包括兩個區段，亦即流體槽容器部分及試劑盒容器部分。容器46之流體槽部分可永久地容納可移除之流體槽10''或可接收（及釋放）可移除之流體槽10''。當容器46之流體槽部分永久地容納可移除之流體槽10''時，容器46可包括單個槽50以接收試劑盒容器部分中之試劑盒。當容器46之流體槽部分接收可更換之流體槽10''時，容器46可包括兩個槽48、50，其中之一者將接收可移除之流體槽10''且其中之另一者將接收試劑盒。槽48、50可具有防護門。

感測系統40可包括狀態指示器52，其在此實施例中在容器46之框架上呈指示燈之形式。狀態指示器52可指示試劑盒及/或可更換之流體槽10''的存在或不存在。

如圖所示，流體槽10''包括基板12及蓋54。無論是永久的抑或是可更換的，可移除之流體槽10''亦可包括輸入及輸出流體端口56、58，其能夠遞送大量試劑至可移除之流體槽10''的電荷感測器32（圖5A）。

定序系統40亦可包括試劑遞送系統，以選擇性地將試劑引入在感測器32上方可移除之流體槽10''的輸入流體端口56，且隨後自可移除之流體槽10''的流體輸出端口58引出。試劑遞送系統可包括可永久地或可移除地附接至端口56、58之管道或其他流體元件。試劑遞送系統亦可包括可操作地連接至試劑盒60之管道或其他流體元件。試劑遞送系統亦可包括泵或其他適合之設備以自試劑盒60取回試劑，且根據定序及去圖案化/圖案化方案（例如根據本文關於使用可移除之流體槽10''所述之方法）將其遞送至輸入流體端口56。

試劑盒60可提供各種試劑至可移除之流體槽10''。試劑盒60包括殼體，其保護各種流體組件，諸如儲集器、流體連接件、泵、閥及其類似物。在一個實施例中，試劑盒60包括流體儲存系統，其包括去圖案化試劑容器62及去圖案化試劑容器62內所含之去圖案化試劑（例如氧化試劑）；圖案化試劑容器包括兩個單獨的隔室64、66，其中圖案化試劑之第一組分（例如三聚氰胺或其類似物）包含於兩個單獨的隔室中之第一個64中，且其中圖案化試劑之第二組分（例如PTCDI或其類似物）包含於兩個單獨的隔室中之第二個66中。試劑盒60亦可包括樣品隔室68，其可包括用於模板多核苷酸鏈（待定序）及用於包括核苷酸之樣品（待引入沿模板多核苷酸鏈形成之新生股中）之子隔室。試劑盒60可經程式化以在定序期間釋放模板多核苷酸鏈及樣品，釋放去圖案化試劑以移除結合之核苷酸及多孔分子網狀結構14，及釋放圖案化試劑以形成新的多孔分子網狀結構14。試劑盒60亦可包括混合腔室，其中引入圖案化試劑且使其在引入可移除之流體槽10''的基板12上之前預組裝。

其他註釋

應瞭解，涵蓋以上概念及下文更詳細論述之額外概念的所有組合（假設此等概念並不相互矛盾）作為本文所揭示之本發明主題的一部分。特定言之，在本發明結尾處出現之所主張主題的全部組合預期為本文所揭示之本發明主題的一部分。亦應瞭解，本文明確採用之術語亦可出現在以引用的方式併入之任何揭示內容中，應符合與本文揭示之特定概念最一致的含義。

本說明書通篇對「一個實施例（one example）」、「另一個實施例（another example）」、「一個實例（an example）」等之引用意謂結合實施例描述之特定元素（例如特徵、結構及/或特性）包括於本文所述之至少一個實施例中，且可或可不存在於其他實施例中。另外，應理解，除非上下文另外明確規定，否則關於任何實施例所述之元素可以任何適合方式組合於各種實施例中。

在本揭示內容（包括申請專利範圍）中使用之術語「實質上（substantially）」及「約（about）」用於描述及解釋小的波動，諸如因處理中之變化所致。舉例而言，其可指小於或等於±5%，諸如小於或等於±2%，諸如小於或等於±1%，諸如小於或等於±0.5%，諸如小於或等於±0.2%，諸如小於或等於±0.1%，諸如小於或等於±0.05%。

此外，應理解，本文所提供之範圍包括所述範圍及所述範圍內之任何值或子範圍，如同其被明確列舉一般。舉例而言，由1至50表示之範圍應解釋為不僅包括明確列舉之1至50之限值，且亦包括個別值，諸如約15、22.5、45等，及子範圍，諸如約20至約48等。

雖然已詳細描述若干實施例，但應理解，所揭示之實施例可加以修改。因此，前述描述應視為非限制性的。

藉由參考以下實施方式及圖式，本揭示案之實施例的特徵將變得顯而易見，其中相同的參照編號對應於相似但可能不同的組件。為簡潔起見，具有前述功能之參照編號或特徵可或可不結合出現該等參照編號或特徵的其他圖式來描述。

圖1A及1B為描繪形成本文揭示之流體槽的一個實施例之方法的一個實施例的頂部示意圖；

圖2為沿圖1B之線2-2截取之流體槽的截面視圖；

圖3A為說明本文揭示之方法的另一個實施例的流程圖；

圖3B為藉由圖3A中所示之方法形成之流體槽的一個實施例的截面視圖；

圖4為說明本文揭示之方法的另一個實施例的流程圖；

圖5A至5C為描繪圖4之方法的一個實施例的頂部示意圖；

圖6為沿圖5C之線6-6截取的截面視圖，不同之處在於圖6中所示之多孔分子網狀結構為與圖5C中所示不同的實施例；及

圖7為本文揭示之實施例定序系統之一部分的透視圖。

10:流體槽

12:基板

14:多孔分子網狀結構

16:圖案

20:表面化學物質

22:活化墊

24:聚合物層

26:引子

Claims

一種流體槽，其包含：基板；在所述基板上且界定暴露之基板區的可選擇性移除之多孔分子網狀結構；及該等暴露區中之至少一些上之定序表面化學物質，該表面化學物質選自由以下者組成之群： i）活化墊、附接至該活化墊之聚合物層及附接至該聚合物層之引子；或 ii）奈米結構及附接至該奈米結構之酶。
如請求項1所述之流體槽，其中該可選擇性移除之多孔分子網狀結構為胺及二醯亞胺之平面超大分子網狀結構。
如請求項2所述之流體槽，其中該胺為三聚氰胺或其類似物且其中該二醯亞胺為苝四甲酸二醯亞胺或其類似物。
如請求項1所述之流體槽，其中：該表面化學物質為ii）該奈米結構及附接至該奈米結構之酶；及在ii）中：該奈米結構為導電通道，其包括選自由導體及半導體組成之群的材料，且具有選自由管（tube）、線（wire）及帶（ribbon）組成之群的幾何結構；及該酶為聚合酶。
如請求項4所述之流體槽，其中一種聚合酶附接至一種奈米結構。
如請求項4所述之流體槽，其中該奈米結構電連接至兩個電極。
如請求項4所述之流體槽，其進一步包含將該聚合酶附接至該奈米結構之繫鏈。
如請求項4所述之流體槽，其中該奈米結構係選自由矽奈米線及碳奈米管組成之群。
如請求項1所述之流體槽，其中：該表面化學物質為i）該活化層、該聚合物層及該引子；及在i）中，該聚合物層為：
其中： R¹ 為H或視情況經取代之烷基； R^A 係選自由以下者組成之群：疊氮基、視情況經取代之胺基、視情況經取代之烯基、視情況經取代之腙、視情況經取代之肼、羧基、羥基、視情況經取代之四唑、視情況經取代之四
、腈氧化物、硝酮及硫醇； R⁵ 、R₆ 及R₈ 各自獨立地選自由H及視情況經取代之烷基組成之群； -(CH₂ )_p -中之每一者可視情況經取代； p為1至50範圍內之整數； n為1至50,000範圍內之整數；且 m為1至100,000範圍內之整數。
一種定序系統，其包含：可移除之流體槽，該可移除之流體槽包括：基板；在所述基板上且界定暴露之基板區的可選擇性移除之多孔分子網狀結構；附接至該等暴露之基板區中之每一者的奈米結構；附接至該等奈米結構中之至少一些的酶；及輸入及輸出流體端口；容器，該容器i）永久地容納該可移除之流體槽或ii）接收該可移除之流體槽；及流體系統，該流體系統將去圖案化試劑（de-patterning reagent）選擇性地遞送至該可移除之流體槽以自該基板移除該可選擇性移除之多孔分子網狀結構，及將圖案化試劑（patterning reagent）選擇性地遞送至該可移除之流體槽以將新的可選擇性移除之多孔分子網狀結構施用於該基板。
如請求項10所述之定序系統，其中：該等奈米結構中之每一者為導電通道，其包括選自由導體及半導體組成之群的材料，且具有選自由管、線及帶組成之群的幾何結構；及該等奈米結構中之每一者為可單獨電定址的（electrically addressable）。
如請求項10所述之定序系統，其中該流體系統包括接收試劑盒（Reagent cartridge）之盒容器，該試劑盒至少包括該去圖案化試劑及該圖案化試劑。
如請求項12所述之定序系統，其進一步包含該試劑盒，該試劑盒包括：流體儲存系統，該流體儲存系統包括：去圖案化試劑容器；該去圖案化試劑容器內所含之去圖案化試劑；包括兩個單獨的隔室的圖案化試劑容器；該兩個單獨的隔室中之第一個內所含之該圖案化試劑的第一組分；及該兩個單獨的隔室中之第二個內所含之該圖案化試劑的第二組分。
如請求項13所述之定序系統，其中：該去圖案化試劑包括氧化試劑；該圖案化試劑之第一組分為苝四甲酸二醯亞胺或其類似物；及該圖案化試劑之第二組分為三聚氰胺或其類似物。
如請求項14所述之定序系統，其中該氧化試劑係選自由以下者組成之群：高錳酸鹽、過硼酸鹽、鹵素、過氯酸鹽及過氧化物。
一種方法，其包含：藉由將多孔分子網狀結構施用於具有奈米結構位於其上之基板的表面來形成經掩蔽之基板，從而使各奈米結構之至少一部分保持暴露；及將該經掩蔽之基板暴露於對該多孔分子網狀結構呈惰性之酶溶液，從而將相應的酶選擇性附接至該等奈米結構之至少一些暴露部分。
如請求項16所述之方法，其中該多孔分子網狀結構之施用涉及：加熱苝四甲酸二醯亞胺或其類似物及三聚氰胺或其類似物之飽和混合物；將該飽和混合物沈積於附接有奈米線之該基板上；及冷卻經沈積之飽和混合物。
一種方法，其包含：將多孔分子網狀結構施用於基板以界定暴露之基板區的圖案；活化該暴露之基板區以形成活化墊；移除該多孔分子網狀結構，從而使該等活化墊保持完整且由間隙基板區隔開；將相應的聚合物層施用於該等活化墊中之每一者；及將引子接枝至該等相應的聚合物層中之每一者。
如請求項18所述之方法，其中移除該多孔分子網狀結構涉及將該多孔分子網狀結構暴露於氧化試劑。
如請求項18所述之方法，其中該多孔分子網狀結構之施用涉及：加熱苝四甲酸二醯亞胺或其類似物及三聚氰胺或其類似物之飽和混合物；將該飽和混合物沈積於附接有奈米線之該基板上；及冷卻經沈積之飽和混合物。