TW201945831A - 判定由圖案化製程形成之目標之所關注參數之值的方法 - Google Patents

判定由圖案化製程形成之目標之所關注參數之值的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201945831A
TW201945831A TW108113323A TW108113323A TW201945831A TW 201945831 A TW201945831 A TW 201945831A TW 108113323 A TW108113323 A TW 108113323A TW 108113323 A TW108113323 A TW 108113323A TW 201945831 A TW201945831 A TW 201945831A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
interest
parameter
sub
metric
value
Prior art date
Application number
TW108113323A
Other languages
English (en)
Inventor
薩米 烏爾 拉赫曼
艾納諾斯堤斯 柴特瑪司
瑟爾吉 塔拉賓
喬漢斯 吉賽 凡斯勒
亞力山卓 小野瀬
瑪利亞 維亞齊莎拉維維娜 梅德維德亞娃
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201945831A publication Critical patent/TW201945831A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Character Discrimination (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

本發明揭示一種判定一所關注參數之一值之方法。在一項配置中，導出根據照明一目標之一偵測到之光瞳表示的一對稱分量及一不對稱分量。特性化該對稱分量之一第一度量及特性化該不對稱分量之一第二度量依據該所關注參數遍及該所關注參數之值之一參考範圍非單調地變化。使用該經導出對稱分量及該經導出不對稱分量之一組合以自該所關注參數之複數個候選值識別一正確的值。

Description

判定由圖案化製程形成之目標之所關注參數之值的方法
本發明係關於判定由圖案化製程(諸如使用微影之圖案化製程)形成之目標之所關注參數之值。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
製造諸如半導體器件之器件通常涉及使用數個製造製程來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵且常常形成多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及/或特徵。可在基板上之複數個晶粒上製造多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造製程可被認為是圖案化製程。圖案化製程涉及圖案轉印步驟，諸如使用微影裝置之光學及/或奈米壓印微影，以在基板上提供圖案且通常但(視情況)涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置之抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤基板、藉由蝕刻裝置蝕刻圖案等。另外，在圖案化製程中涉及一或多個度量衡製程。
在圖案化製程期間在各種步驟下使用度量衡製程以監測及/或控制該製程。舉例而言，度量衡製程係用以量測基板之一或多個特性，諸如在圖案化製程期間形成於基板上的特徵之相對定位(例如對齊、疊對、對準等)或尺寸(例如線寬、臨界尺寸(CD)、厚度等)，使得例如可自該一或多個特性判定圖案化製程之效能。若一或多個特性係不可接受的(例如在特性之預定範圍之外)，則可例如基於該一或多個特性之量測設計或變更圖案化製程之一或多個變數，使得藉由該圖案化製程製造之基板具有可接受的特性。
幾十年來，隨著微影及其他圖案化製程技術之改進，功能性元件之尺寸已不斷地減少，而每器件功能性元件(諸如電晶體)之量已穩定地增加。同時，對在疊對、臨界尺寸(CD)等方面之準確度要求已變得愈來愈嚴格。將在圖案化製程中不可避免地產生誤差，諸如疊對中之誤差、CD中之誤差等。舉例而言，可自光學像差、圖案化器件加熱、圖案化器件誤差及/或基板加熱產生成像誤差，且可依據(例如)疊對、CD等來特性化成像誤差。另外或替代地，可在圖案化製程之其他部分中(諸如在蝕刻、顯影、烘烤等中)引入誤差，且相似地，可依據(例如)疊對、CD等來特性化該誤差。該誤差可造成在器件之運行方面之問題，包括器件運行之故障，或運行器件之一或多個電氣問題。因此，需要能夠特性化一或多個此等誤差且採取步驟以設計、修改、控制等圖案化製程以減少或最小化此等誤差中的一或多者。
各種工具可用於執行度量衡製程，包括各種形式之散射計。此等器件將輻射光束導向至度量衡目標上且量測散射輻射之一或多個屬性-例如，依據波長而變化的在單一反射角下或遍及反射角範圍之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振-以獲得可供判定目標之所關注屬性之「光譜」。可藉由各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由使用嚴密耦合波分析或有限元素方法實施之反覆途徑而進行的度量衡目標之重建構；庫搜尋；及主成份分析。
隨著功能元件之尺寸變得較小，足夠準確及明確地量測所關注參數之值變得愈來愈具有挑戰性。
需要改良用於量測目標之現有方法。
根據本發明之一態樣，提供一種判定一基板上之由一圖案化製程形成之一目標之一所關注參數的一值之方法，其包含：導出一偵測到之光瞳表示之一對稱分量及一不對稱分量，該偵測到之光瞳表示可藉由執行一量測製程獲得，該量測製程包含運用輻射照明該目標且偵測由該目標重導向之輻射，其中：該目標類型及該量測製程係使得特性化該對稱分量之一第一度量及特性化該不對稱分量之一第二度量依據該所關注參數遍及該所關注參數之值之一參考範圍非單調地變化；且該方法包含使用該經導出對稱分量及該經導出不對稱分量之一組合以：自該所關注參數之複數個候選值識別一正確的值，該複數個候選值歸因於該第一度量之該非單調變化而皆對應於該第一度量之對應於該目標之該經導出對稱分量的一值；或自該所關注參數之複數個候選值識別一正確的值，該複數個候選值歸因於該第二度量之該非單調變化而皆對應於該第二度量之對應於該目標之該經導出不對稱分量的一值。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包含：
- 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如UV輻射或DUV輻射)；
- 支撐結構(例如光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；
- 基板台(例如晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及
- 投影系統(例如折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上，該投影系統被支撐於參考框架(RF)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來支撐圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在基板之目標部分中賦予圖案之任何器件。在一實施例中，圖案化器件為可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化液晶顯示(LCD)面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
投影系統PS具有可非均一且可影響成像於基板W上之圖案之光學轉移函數。對於非偏振輻射，此等效應可由兩個純量映圖相當良好地描述，該兩個純量映圖描述依據射出投影系統PS之輻射之光瞳平面中之位置而變化的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可被稱作透射映圖及相對相位映圖之此等純量映圖表達為基底函數全集之線性組合。一特別方便集合為任尼克多項式，其形成單位圓上所定義之正交多項式集合。每一純量映圖之判定可涉及判定此展開式中之係數。由於任尼克多項式在單位圓上正交，故可藉由依次計算經量測純量映圖與每一任尼克多項式之內積且將此內積除以彼任尼克多項式之範數之平方來判定任尼克係數。
透射映圖及相對相位映圖係場及系統相依的。亦即，一般而言，每一投影系統PS將針對每一場點(亦即，針對投影系統PS之影像平面中之每一空間部位)具有一不同任尼克展開式。可藉由將輻射(例如)自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源投影通過投影系統PS且使用剪切干涉計以量測波前(亦即，具有相同相位之點之軌跡)來判定投影系統PS在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計為共同路徑干涉計，且因此，有利地，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含：繞射光柵，例如，投影系統之影像平面(亦即，基板台WT)中之二維柵格；及偵測器，其經配置以偵測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之干涉圖案。干涉圖案係與輻射之相位相對於在剪切方向上在光瞳平面中之座標的導數相關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如電荷耦合器件(CCD)。
微影裝置之投影系統PS可不產生可見條紋，且因此，可使用相位步進技術(諸如移動繞射光柵)來增強波前判定之準確度。可在繞射光柵之平面中及在垂直於量測之掃描方向的方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈之)相位步進。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，每一掃描量測係針對在x方向上之一不同位置而執行。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(z方向)上步進以校準偵測器。
可藉由將輻射(例如)自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源投影通過投影系統PS且使用偵測器來量測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之輻射強度來判定投影系統PS在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用以量測波前以判定像差的偵測器同一個偵測器。
投影系統PS可包含複數個光學(例如，透鏡)元件且可進一步包含調整機構AM，該調整機構經組態以調整該等光學元件中之一或多者以便校正像差(橫越貫穿場之光瞳平面之相位變化)。為了達成此校正，調整機構可操作而以一或多種不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如，透鏡)元件。投影系統可具有座標系，其中其光軸在z方向上延伸。調整機構可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之位移可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常出自垂直於光軸之平面藉由圍繞在x及/或y方向上之軸旋轉而進行，但對於非旋轉對稱之非球面光學元件可使用圍繞z軸之旋轉。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如，像散)及/或高頻形狀(例如，自由形式非球面)。可(例如)藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件之一或多個選定區來執行光學元件之變形。一般而言，沒有可能調整投影系統PS以校正變跡(橫越光瞳平面之透射變化)。可在設計用於微影裝置LA之圖案化器件(例如，光罩) MA時使用投影系統PS之透射映圖。使用演算微影技術，圖案化器件MA可經設計為用以至少部分地校正變跡。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台WTa、WTb、兩個或多於兩個圖案化器件台、在無專用於(例如)促進量測及/或清潔等之基板的情況下在投影系統下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角等)量測。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為單獨的實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
如圖2所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC (有時亦被稱作叢集)之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，在不同製程裝置之間移動基板且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測或判定一或多個屬性，諸如疊對(其可(例如)在上覆層中之結構之間，或在同一層中之已藉由(例如)雙重圖案化製程分離地提供至該層之結構之間)、線厚度、臨界尺寸(CD)、焦點偏移、材料屬性等。因此，微影製造單元LC位於其中之製造設施亦通常包括度量衡系統MET，度量衡系統MET接收已在微影製造單元中經處理之基板W中的一些或全部。度量衡系統MET可為微影製造單元LC之部分，例如，其可為微影裝置LA之部分。
可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢測使得該批量之一或多個其他基板仍待曝光之情況下)及/或對經曝光基板之後續曝光進行調整。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。
在度量衡系統MET內，度量衡裝置用以判定基板之一或多個屬性，且尤其判定不同基板之一或多個屬性如何變化或同一基板之不同層在不同層間如何變化。度量衡裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為了實現快速量測，需要使度量衡裝置緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有低對比度-在已曝光至輻射之抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射之抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差-且並非所有度量衡裝置皆具有足夠敏感度以進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後進行量測，曝光後烘烤步驟通常為對經曝光之基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光之部分與未經曝光之部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱為半潛影(semi-latent)。亦有可能對經顯影之抗蝕劑影像進行量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分抑或未經曝光部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後對經顯影抗蝕劑影像進行量測。後一可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
為了實現度量衡，可將一或多個目標提供於基板上。在一實施例中，目標經專門設計且可包含週期性結構。在一實施例中，目標為器件圖案之一部分，例如為器件圖案之週期性結構。在一實施例中，器件圖案為記憶體器件之週期性結構(例如，雙極電晶體(BPT)、位元線接點(BLC)等結構)。
在一實施例中，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性結構(例如，光柵)，其經印刷成使得在顯影之後，週期性結構特徵係由固體抗蝕劑線形成。在一實施例中，目標可包含一或多個2-D週期性結構(例如，光柵)，其經印刷成使得在顯影之後，該一或多個週期性結構係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中(例如，經蝕刻至基板上之一或多個層中)。
在一實施例中，圖案化製程之所關注參數中之一者為疊對。可使用暗場散射量測來量測疊對，其中阻擋零繞射階(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中發現暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文係特此以引用方式併入。美國專利申請公開案US2011-0027704、US2011-0043791及US2012-0242970中已描述該技術之進一步開發，該等專利申請公開案之全文係特此以引用方式併入。使用繞射階之暗場偵測的以繞射為基礎之疊對實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之器件產品結構環繞。在一實施例中，可在一個輻射捕捉中量測多個目標。
圖3A中示意性地展示適合用於實施例中以量測(例如)疊對之度量衡裝置。圖3B中更詳細地說明目標T (包含諸如光柵之週期性結構)及繞射射線。度量衡裝置可為單機器件，或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中或併入於微影製造單元LC中。貫穿該裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由輸出11 (例如，諸如雷射或氙氣燈之源，或連接至源之開口)發射之輻射係由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由稜鏡15而導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上。
在一實施例中，透鏡配置允許接取中間光瞳平面以用於空間-頻率濾光。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可(例如)藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供來自僅出於描述起見而經指定為「北」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13S用以提供相似照明，但相似照明來自被標註為「南」之相對方向。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式外部之任何不必要輻射可干涉所要量測信號。
如圖3B中所展示，目標T經置放為使得基板W大體上垂直於物鏡16之光軸O。與軸線O成一角度而照射於目標T上之照明射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。在運用填充過度之小目標T的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。由於板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，故入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，週期性結構節距及照明角度可經設計或經調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖3A及圖3B中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被較容易地區分。由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被返回導向通過稜鏡15。
返回至圖3A，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I係來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。因此，在一實施例中，藉由在某些條件下量測目標兩次(例如，在使目標旋轉或改變照明模式或改變成像模式以分離地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度之後)來獲得量測結果。針對給定目標比較此等強度會提供該目標中之不對稱性之量測，且該目標中之不對稱性可用作微影製程之參數之指示符，例如，疊對。在以上所描述之情形下，改變照明模式。
光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束而在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重建構之其他量測目的，如下文進一步所描述。
在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，將孔徑光闌21提供於與物鏡16之光瞳平面共軛之平面中。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係由-1或+1一階光束形成。將關於由感測器19及23量測之資料輸出至處理器及控制器PU，處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成週期性結構特徵(例如，光柵線)之影像。
圖3中所展示之孔徑板13及光闌21之特定形式純粹為實例。在另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將大體上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，二階光束、三階光束及高階光束(圖3中未繪示)亦可用於量測中。
為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞一圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，使用孔徑板13N或13S以量測在一個方向(取決於設置為X或Y)上定向之目標之週期性結構。為了量測正交週期性結構，可能實施達90°及270°之目標旋轉。圖3C及圖3D中展示不同孔徑板。圖3C說明離軸照明模式之另外兩種類型。在圖3C之第一照明模式中，孔徑板13E提供來自僅出於描述起見而相對於先前所描述之「北」指定為「東」之方向的離軸照明。在圖3C之第二照明模式中，孔徑板13W用以提供相似照明，但提供來自被標註為「西」之相對方向的照明。圖3D說明離軸照明模式之另外兩種類型。在圖3D之第一照明模式中，孔徑板13NW提供來自被指定為如先前所描述之「北」及「西」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13SE用以提供相似照明，但提供來自被標註為如先前所描述之「南」及「東」之相對方向之照明。舉例而言，上文所提及之先前公佈之專利申請公開案中描述裝置之此等及眾多其他變化及應用的使用。
圖4描繪形成於基板上之實例複合度量衡目標T。該複合目標包含緊密定位在一起之四個週期性結構(在此狀況下，為光柵) 32、33、34、35。在一實施例中，可使週期性結構佈局小於量測光點(亦即，週期性結構佈局填充過度)。因此，在一實施例中，週期性結構足夠接近地定位在一起，使得其皆在由度量衡裝置之照明光束形成之量測光點31內。在彼狀況下，該四個週期性結構因此皆被同時地照明且同時地成像於感測器19及23上。在專用於疊對量測之一實例中，週期性結構32、33、34、35自身為由上覆週期性結構而形成之複合週期性結構(例如，複合光柵)，亦即，週期性結構在形成於基板W上之器件之不同層中經圖案化且使得一個層中之至少一個週期性結構與不同層中之至少一個週期性結構疊對。此目標可具有在20微米×20微米內或在16微米×16微米內之外部尺寸。另外，所有週期性結構用以量測一特定層對之間的疊對。為了促進目標能夠量測多於單一層對，週期性結構32、33、34、35可具有經不同偏置之疊對偏移，以便促進經形成有複合週期性結構之不同部分的不同層之間的疊對之量測。因此，用於基板上之目標之所有週期性結構將用以量測一個層對，且用於基板上之另一相同目標之所有週期性結構將用以量測另一層對，其中不同偏置促進區分該等層對。
返回至圖4，週期性結構32、33、34、35亦可在其定向方面不同(如所展示)，以便在X及Y方向上繞射入射輻射。在一項實例中，週期性結構32及34為分別具有+d、-d之偏置之X方向週期性結構。週期性結構33及35可為分別具有偏移+d及-d之Y方向週期性結構。雖然說明四個週期性結構，但另一實施例可包括較大矩陣以獲得所要準確度。舉例而言，九個複合週期性結構之3×3陣列可具有偏置-4d、-3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等週期性結構之單獨影像。
圖5展示在使用來自圖3D之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之實例。雖然感測器19不能解析不同個別週期性結構32至35，但感測器23可解析不同個別週期性結構32至35。暗矩形表示感測器上之影像之場，在此場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。在此場內，矩形區域42至45表示週期性結構32至35之影像。並非定位於切割道中或除了定位於切割道中以外，目標亦可定位於器件產品特徵當中。若週期性結構位於器件產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可看見器件特徵。處理器及控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像，以識別週期性結構32至35之單獨影像42至45。以此方式，影像並不必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此情形極大地改良量測裝置整體上之產出率。
一旦已識別週期性結構之單獨影像，就可(例如)藉由平均化或求和經識別區域內之選定像素強度值來量測彼等個別影像之強度。可將該等影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測微影製程之不同參數。疊對效能為此參數之一實例。
在一實施例中，圖案化製程之所關注參數中之一者為特徵寬度(例如，CD)。圖6描繪可實現特徵寬度判定之高度示意性實例度量衡裝置(例如，散射計)。該度量衡裝置包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀2。重導向輻射傳遞至光譜儀偵測器4，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜10 (依據波長而變化的強度)，如(例如)在左下方的曲線圖中所展示。根據此資料，可藉由處理器PU (例如)藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與圖6之右下方所展示之經模擬光譜庫的比較來重建構導致偵測到之光譜的結構或剖面。一般而言，對於重建構，結構之一般形式為吾人所知，且根據藉以製造結構之製程之知識來假定一些變數，從而僅留下結構之幾個變數以根據經量測資料予以判定。此度量衡裝置可經組態為正入射度量衡裝置或斜入射度量衡裝置。此外，除了藉由重建構進行參數之量測以外，角度解析散射量測亦有用於產品及/或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性量測。不對稱性量測之特定應用係針對疊對之量測，其中目標包含疊置於另一組週期性特徵上的一組週期性特徵。舉例而言，全文併入本文中之美國專利申請公開案US2006-066855中描述以此方式之不對稱性量測之概念。
圖7說明適合用於本發明之實施例中的度量衡裝置100之實例。全文以引用方式併入本文中之美國專利申請案第US 2006-033921號及第US 2010-201963號中更詳細地解釋此類型之度量衡裝置的操作原理。貫穿該裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由源110 (例如，氙氣燈)發射之輻射係經由光學系統而導向至基板W上，該光學系統包含：透鏡系統120、孔徑板130、透鏡系統140、部分反射表面150及物鏡160。在一實施例中，此等透鏡系統120、140、160係以4F配置之雙重序列而配置。在一實施例中，使用透鏡系統120來準直由輻射源110發射之輻射。可視需要使用不同透鏡配置。可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡120與140之間插入合適形式之孔徑板130來進行此選擇。藉由使用不同孔徑，不同強度分佈(例如，環形、偶極等)係可能的。在徑向及周邊方向上之照明之角度分佈以及諸如輻射之波長、偏振及/或相干性之屬性可皆經調整以獲得所要結果。舉例而言，一或多個干涉濾光器130 (參見圖9)可提供於源110與部分反射表面150之間以選擇在(比如) 400奈米至900奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)範圍內之所關注波長。干涉濾光器可為可調節的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵來代替干涉濾光器。在一實施例中，一或多個偏振器170 (參見圖9)可提供於源110與部分反射表面150之間以選擇所關注偏振。偏振器可為可調節的，而非包含不同偏振器之集合。
如圖7中所展示，目標T經置放為使得基板W垂直於物鏡160之光軸O。因此，來自源110之輻射係由部分反射表面150反射且經由物鏡160聚焦至基板W上之目標T上之照明光點S (參見圖8)中。在一實施例中，物鏡160具有高數值孔徑(NA)，理想地為至少0.9且至少0.95。浸潤度量衡裝置(使用相對高折射率流體，諸如水)甚至可具有大於1之數值孔徑。
與軸線O成角度而聚焦至照明光點之照明射線170、172引起繞射射線174、176。應記住，此等射線僅僅為覆蓋包括目標T之基板區域的許多平行射線中之一者。照明光點內之每一元件係在度量衡裝置之視場內。由於板130中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，故入射射線170、172事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線174、176將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一繞射階將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。
由基板W上之目標繞射之至少0階係由物鏡160收集，且被返回導向通過部分反射表面150。光學元件180將繞射光束之至少部分提供至光學系統182，光學系統182使用零階及/或一階繞射光束在感測器190 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標T之繞射光譜(光瞳平面影像)。在一實施例中，提供孔徑186以濾除某些繞射階使得將特定繞射階提供至感測器190。在一實施例中，孔徑186允許大體上或主要僅零階輻射到達感測器190。在一實施例中，感測器190可為二維偵測器，使得可量測基板目標T之二維角度散射光譜。感測器190可為(例如) CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。感測器190可用以量測在單一波長(或窄波長範圍)下之經重導向輻射之強度、分離地在多個波長下之經重導向輻射之強度，或遍及一波長範圍而積分之經重導向輻射之強度。此外，感測器可用以分離地量測具有橫向磁偏振及/或橫向電偏振之輻射之強度，及/或橫向磁偏振輻射與橫向電偏振輻射之間的相位差。
視情況，光學元件180將繞射光束之至少部分提供至量測分支200以在感測器230 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。量測分支200可用於各種輔助功能，諸如聚焦度量衡裝置(亦即，使基板W能夠與接物鏡160焦點對準)，及/或用於引言中所提及的類型之暗場成像。
為了針對光柵之不同大小及形狀提供自訂視場，在自源110至物鏡160之路徑上在透鏡系統140內提供可調整場光闌300。場光闌300含有孔徑302且位於與目標T之平面共軛的平面中，使得照明光點變為孔徑302之影像。可根據放大因子而按比例調整影像，或孔徑與照明光點之大小之關係可為1:1。為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板300可包含圍繞一圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。替代地或另外，可提供及調換一組板300，以達成相同效應。另外或替代地，亦可使用可程式化孔徑器件，諸如可變形鏡面陣列或透射空間光調變器。
通常，目標將與其在平行於Y軸或平行於X軸而延行之週期性結構特徵對準。關於目標之繞射行為，具有在平行於Y軸之方向上延伸的特徵之週期性結構具有在X方向上之週期性，而具有在平行於X軸之方向上延伸的特徵之週期性結構具有在Y方向上之週期性。為了量測在兩個方向上之效能，通常提供兩種類型之特徵。雖然為了簡單起見將參考線及空間，但週期性結構無需由線及空間形成。此外，每一線及/或線之間的空間可為由較小子結構形成之結構。另外，週期性結構可經形成為在兩個維度上同時具有週期性(例如在週期性結構包含支柱及/或通孔的情況下)。
圖8說明典型目標T之平面圖，及圖7之裝置中之照明光點S之範圍。為了獲得無來自周圍結構之干涉的繞射光譜，在一實施例中，目標T為大於照明光點S之寬度(例如，直徑)的週期性結構(例如，光柵)。光點S之寬度可小於目標之寬度及長度。換言之，目標係由照明「填充不足」，且繞射信號基本上不含來自目標自身外部之產品特徵及其類似者之任何信號。此情形簡化目標之數學重建構，此係因為可將目標視為無限的。在其他實施例中，如下文所描述，目標可並非完全填充不足，及/或輻射光點相對於目標之未對準可致使該目標外部之特徵貢獻於信號。
圖9示意性地描繪基於使用度量衡所獲得之量測資料而進行目標圖案30'之一或多個所關注變數(亦被稱作參數)之值之判定的實例製程。由偵測器190偵測到之輻射提供用於目標30'之經量測輻射分佈108。
針對給定目標30'，可使用(例如)數值馬克士威求解程序210而自參數化數學模型206演算/模擬輻射分佈208。參數化數學模型206展示構成目標及與該目標相關聯的各種材料之實例層。參數化數學模型206可包括用於在考慮中的目標之部分之特徵及層之變數中的一或多者，其可變化且被導出。如圖9中所展示，該等變數中之一或多者可包括一或多個層之厚度t 、一或多個特徵之寬度w (例如，CD)、一或多個特徵之高度h 、一或多個特徵之側壁角α，及/或特徵之間的相對位置(本文中被認為係疊對)。儘管圖中未繪示，但變數中之一或多者可進一步包括但不限於：層中之一或多者之折射率(例如，真折射率或複折射率、折射率張量等)、一或多個層之消光係數、一或多個層之吸收率、在顯影期間之抗蝕劑損失、一或多個特徵之基腳，及/或一或多個特徵之線邊緣粗糙度。根據圖案化製程及/或其他量測製程之知識，可將1-D週期性結構或2-D週期性結構之一或多個參數之一或多個值(諸如寬度、長度、形狀或3-D剖面特性之值)輸入至重建構製程。舉例而言，變數之初始值可為針對正被量測之目標之一或多個參數之彼等預期值，諸如CD、節距等之值。
在一些狀況下，可將目標劃分成單位胞元之複數個例項。在彼狀況下，為了幫助容易演算目標之輻射分佈，可將模型206設計為使用目標之結構之單位胞元進行演算/模擬，其中重複單位胞元作為橫越完整目標之例項。因此，模型206可使用一個單位胞元進行演算且複製結果以使用適當邊界條件擬合整個目標，以便判定該目標之輻射分佈。
除了在重建構時演算輻射分佈208以外或替代在重建構時演算輻射分佈208，亦可針對在考慮中的目標部分之變數之複數個變化預演算複數個輻射分佈208以產生輻射分佈庫以在重建構時使用。
接著在212處比較經量測輻射分佈108與所演算輻射分佈208 (例如，接近彼時進行演算或自庫獲得)以判定經量測輻射分佈108與所演算輻射分佈208之間的差。若存在差，則可使參數化數學模型206之變數中的一或多者之值變化，獲得新的所演算輻射分佈208 (例如，計算或自庫獲得)且將其與經量測輻射分佈108進行比較直至在經量測輻射分佈108與輻射分佈208之間存在足夠匹配為止。彼時，參數化數學模型206之變數之值提供實際目標30'之幾何形狀的良好或最佳匹配。在一實施例中，當經量測輻射分佈108與所演算輻射分佈208之間的差在容許臨限值內時存在足夠匹配。
在此等度量衡裝置中，可在量測操作期間提供基板支撐件以固持基板W。基板支撐件可在形式上與圖1之基板台WT相似或相同。在度量衡裝置與微影裝置整合之實例中，基板支撐件可甚至為同一基板台。可提供粗略定位器及精細定位器以相對於量測光學系統準確地定位基板。提供各種感測器及致動器(例如)以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至物鏡下方之位置中。通常將對橫越基板W之不同部位處的目標進行許多量測。可在X及Y方向上移動基板支撐件以獲取不同目標，且可在Z方向上移動基板支撐件以獲得目標相對於光學系統之焦點之所要部位。舉例而言，當實務上光學系統可保持大體上靜止(通常在X及Y方向上，但可能亦在Z方向上)且僅基板移動時，方便地將操作考慮並描述為如同物鏡被帶入至相對於基板之不同部位。倘若基板及光學系統之相對位置正確，則原則上無關緊要的係，基板與光學系統中之哪一者在真實世界中移動，或其兩者皆移動，抑或光學系統之一部分之組合移動(例如，在Z方向及/或傾斜方向上)，其中光學系統之剩餘部分靜止且基板移動(例如，在X及Y方向上，且視情況亦在Z方向及/或傾斜方向上)。
在一實施例中，目標之量測準確度及/或敏感度可相對於提供至目標上的輻射光束之一或多個性質而變化，該等性質例如，輻射光束之波長、輻射光束之偏振、輻射光束之強度分佈(亦即，角度或空間強度分佈)等。因此，可選擇理想地獲得(例如)目標之良好量測準確度及/或敏感度之特定量測策略。
為了監測包括至少一個圖案轉印步驟(例如，光學微影步驟)之圖案化製程(例如，器件製造製程)，檢測經圖案化基板且量測/判定經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，一或多個參數可包括：形成於經圖案化基板中或基板上之順次層之間的疊對、(例如)形成於經圖案化基板中或基板上之特徵之臨界尺寸(CD) (例如，臨界線寬)、光學微影步驟之聚焦或聚焦誤差、光學微影步驟之劑量或劑量誤差、光學微影步驟之光學像差、置放誤差(例如，邊緣置放誤差)等。可對產品基板自身之目標及/或對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。可在抗蝕劑顯影後但在蝕刻前執行量測，或可在蝕刻後執行量測。
存在用於對在圖案化製程中形成之結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡、以影像為基礎之量測工具及/或各種特殊化工具。如上文所論述，特殊化度量衡工具之快速及非侵入性形式為輻射光束經導向至基板之表面上之目標上且量測經散射(經繞射/經反射)光束之屬性的度量衡工具。藉由評估由基板散射之輻射之一或多個屬性，可判定基板之一或多個屬性。此可被稱為以繞射為基礎之度量衡。此以繞射為基礎之度量衡之一個此類應用係在目標內之特徵不對稱性之量測中。此特徵不對稱性之量測可用作(例如)疊對之量度，但其他應用亦係已知的。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之相對部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中之-1階與+1階)來量測不對稱性。此量測可如以上所描述來完成，且如(例如)全文以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案US2006-066855中所描述來完成。以繞射為基礎之度量衡之另一應用係在目標內之特徵寬度(CD)之量測中。此等技術可使用上文關於圖6至圖9所描述之裝置及方法。
現在，雖然此等技術有效，但需要提供導出目標內之特徵不對稱性(諸如疊對、CD不對稱性、側壁角不對稱性等)之替代量測技術。此技術可有效地用於經專門設計度量衡目標或可能更顯著用於直接判定器件圖案上之特徵不對稱性。
參看圖10，在疊對實施例之內容背景中描述此量測技術之原理。在圖10A中，展示目標T之幾何學上對稱單位胞元。目標T可僅僅包含單位胞元之單一實體例項或可包含單位胞元之複數個實體例項，如圖10C中所展示。
目標T可為經專門設計之目標。在一實施例中，目標係用於切割道。在一實施例中，目標可為晶粒內目標，亦即，目標係在器件圖案當中(且因此在切割道之間)。在一實施例中，目標可具有與器件圖案特徵可相當之特徵寬度或節距。舉例而言，目標特徵寬度或節距可小於或等於器件圖案之最小特徵大小或節距的300%、小於或等於器件圖案之最小特徵大小或節距的200%、小於或等於器件圖案之最小特徵大小或節距的150%，或小於或等於器件圖案之最小特徵大小或節距的100%。
目標T可為器件結構。舉例而言，目標T可為記憶體器件之一部分(其常常具有幾何學上對稱或可在幾何學上對稱之一或多個結構，如以下進一步論述)。
在一實施例中，目標T或單位胞元之實體例項可具有小於或等於2400平方微米之面積、小於或等於2000平方微米之面積、小於或等於1500平方微米之面積、小於或等於1000平方微米之面積、小於或等於400平方微米之面積、小於或等於200平方微米之面積、小於或等於100平方微米之面積、小於或等於50平方微米之面積、小於或等於25平方微米之面積、小於或等於10平方微米之面積、小於或等於5平方微米之面積、小於或等於1平方微米之面積、小於或等於0.5平方微米之面積，或小於或等於0.1平方微米之面積。在一實施例中，目標T或單位胞元之實體例項具有平行於基板平面之小於或等於50微米、小於或等於30微米、小於或等於20微米、小於或等於15微米、小於或等於10微米、小於或等於5微米、小於或等於3微米、小於或等於1微米、小於或等於0.5微米、小於或等於0.2微米或小於或等於0.1微米的橫截面尺寸。
在一實施例中，目標T或單位胞元之實體例項具有小於或等於小於或等於5微米、小於或等於2微米、小於或等於1微米、小於或等於500奈米、小於或等於400奈米、小於或等於300奈米、小於或等於200奈米、小於或等於150奈米、小於或等於100奈米、小於或等於75奈米、小於或等於50奈米、小於或等於32奈米、小於或等於22奈米、小於或等於16奈米、小於或等於10奈米、小於或等於7奈米或小於或等於5奈米之結構節距。
在一實施例中，目標T具有單位胞元之複數個實體例項。因此，目標T通常可具有此處所列出之較高尺寸，而單位胞元之實體例項將具有此處所列出之較低尺寸。在一實施例中，目標T包含單位胞元之50,000個或更多個實體例項、單位胞元之25,000個或更多個實體例項、單位胞元之15,000個或更多個實體例項、單位胞元之10,000個或更多個實體例項、單位胞元之5,000個或更多個實體例項、單位胞元之1,000個或更多個實體例項、單位胞元之500個或更多個實體例項、單位胞元之200個或更多個實體例項、單位胞元之100個或更多個實體例項、單位胞元之50個或更多個實體例項，或單位胞元之10個或更多個實體例項。
理想地，單位胞元之該實體例項或單位胞元之該複數個實體例項集體地填充度量衡裝置之光束點。在彼狀況下，經量測結果基本上僅包含來自單位胞元之實體例項(或其複數個例項)之資訊。在一實施例中，光束點具有為50微米或更小、40微米或更小、30微米或更小、20微米或更小、15微米或更小、10微米或更小、5微米或更小或2微米或更小的橫截面寬度。
圖10A中之單位胞元包含實體地具現化或將實體地具現化於基板上之至少兩個結構。第一結構1000包含線且第二結構1005包含橢圓型形狀。當然，第一結構1000及第二結構1005可為不同於所描繪結構的結構。
另外，在此實例中，在第一結構1000與第二結構1005之間可存在自其預期位置之相對移位，此係歸因於其分離地轉移至基板上從而具有疊對之誤差。在此實例中，第一結構1000相比於第二結構1005位於基板上之較高層中。因此，在一實施例中，可在圖案化製程之第一執行中在第一較低層中產生第二結構1005，且可在圖案化製程之第二執行中在比第一下部層高的第二層中產生第一結構1000。現在，沒有必要使第一結構1000及第二結構1005位於不同層中。舉例而言，在雙重圖案化製程(包括(例如)作為其部分之蝕刻製程)中，可在同一層中產生第一結構1000及第二結構1005以形成基本上單一圖案，但依據其在該同一層內之相對置放仍可存在「疊對」關注點。在此單層實例中，第一結構1000及第二結構1005兩者可具有(例如)類似於針對第一結構1000之圖10A中所展示的線之形式，但已經藉由第一圖案轉印製程而提供於基板上的第二結構1005之線可與在第二圖案轉印製程中提供的結構1000之線交錯。
顯著地，單位胞元具有或能夠具有相對於軸或點之幾何對稱性。舉例而言，圖10A中之單位胞元具有相對於(例如)軸線1010之反射對稱性及相對於(例如)點1015之點/旋轉對稱性。相似地，可看到，圖10C中之單位胞元之實體例項(且因此，單位胞元之實體例項之組合)具有幾何對稱性。
在一實施例中，單位胞元具有針對某一特徵之幾何對稱性(諸如疊對)。本文中之實施例集中於當單位胞元幾何學上對稱時具有零疊對的該單位胞元。然而，取而代之，單位胞元可具有針對某一幾何不對稱性之零疊對。將接著使用適當偏移及計算以考量當單位胞元具有某一幾何不對稱性時具有零疊對的該單位胞元。適切地，單位胞元應能夠取決於某特徵值而在對稱性上改變(例如，變得不對稱，或變得進一步不對稱，或自不對稱情形變得對稱)。
在圖10A之實例中，單位胞元具有針對零疊對之幾何對稱性(但無需為零疊對)。此由箭頭1020及1025表示，其展示第一結構1000之線相對於第二結構1005之橢圓型形狀均勻地對準(且該均勻對準至少部分地使單位胞元能夠具有幾何對稱性，如圖10A中所展示)。因此，在此實例中，當單位胞元具有幾何對稱性時，存在零疊對。然而，當存在疊對之誤差(例如，非零疊對)時，單位胞元不再幾何學上對稱且按照定義，目標不再幾何學上對稱。
另外，在目標包含單位之複數個實體例項的情況下，單位胞元之該等例項週期性地配置。在一實施例中，單位胞元之該等例項以晶格形式而配置。在一實施例中，該週期性配置具有在目標內之幾何對稱性。
因此，在此技術中，如下文進一步所論述，獲得與所關注特徵不對稱性(例如，非零疊對)相關的幾何對稱性改變(例如，幾何不對稱性之改變，或一另外幾何不對稱性之改變，或自幾何不對稱性至幾何對稱性之改變)以能夠判定特徵不對稱性(例如，非零疊對)之優點。
可使用(例如)圖7之度量衡裝置運用輻射來照明包含圖10A之單位胞元之實體例項的目標。可(例如)藉由偵測器190量測由目標重導向之輻射。在一實施例中，量測重導向輻射之光瞳，亦即，傅立葉變換平面。此光瞳之實例量測被描繪為光瞳影像1030。雖然光瞳影像1030具有金剛石型形狀，但其無需具有此形狀。本文中之術語光瞳及光瞳平面包括其任何共軛物，除非內容背景另有要求(例如，在特定光學系統之光瞳平面正被識別的情況下)。光瞳影像1030實際上為依據重導向輻射之光瞳之光學特性(在此狀況下為強度)而指定之影像。
出於方便起見，本文中之論述將集中於作為所關注光學特性之強度。但本文中之技術可供一或多個替代或額外光學特性(諸如相位及/或反射率)使用。
另外，出於方便起見，本文中之論述集中於偵測及處理重導向輻射之影像(且特別是光瞳影像)。然而，可以與影像不同之方式量測及表示重導向輻射之光學屬性。舉例而言，可依據一或多個光譜(例如，依據波長而變化的強度)處理重導向輻射。因此，重導向輻射之經偵測影像可被認為係重導向輻射之光學表示之實例。因此，在光瞳平面影像之狀況下，光瞳影像為光瞳表示之實例。
另外，重導向輻射可為偏振的或非偏振的。在一實施例中，量測光束輻射為偏振輻射。在一實施例中，量測光束輻射經線性偏振。
在一實施例中，光瞳表示主要或大體上屬於自目標之重導向輻射之一個繞射階。舉例而言，輻射可為輻射之特定階的80%或更多、85%或更多、90%或更多、95%或更多、98%或更多，或99%或更多。在一實施例中，光瞳表示主要或大體上屬於零階重導向輻射。可(例如)在目標之節距、量測輻射之波長及(視情況)一或多個其他條件致使目標主要重導向零階時出現此輻射(但可存在一或多個高階之輻射)。在一實施例中，大部分光瞳表示為零階重導向輻射。在一實施例中，光瞳表示屬於零輻射且分離地屬於一階輻射，其可接著經線性組合(疊加)。圖7中之孔徑186可用以選擇輻射之特定階，例如零階。
關於對應於第一結構1000及第二結構1005之幾何學上對稱單位胞元之光瞳影像1030，可看到，該光瞳影像內之強度分佈基本上對稱(例如，具有與幾何結構所屬相同的對稱性類型)。此情形藉由自光瞳影像1030移除對稱強度分佈部分(此引起經導出光瞳影像1035)加以進一步確認。為了移除對稱強度分佈部分，特定光瞳影像像素(例如，一像素)可藉由自彼特定光瞳影像像素下之強度減去對稱定位之光瞳影像像素之強度而使對稱強度分佈部分被移除，且反之亦然。在一實施例中，該像素可對應於偵測器(例如偵測器190)之像素，但其無需如此；舉例而言，光瞳影像像素可為偵測器之複數個像素。在一實施例中，像素強度被減去所橫越之對稱點或軸對應於單位胞元之對稱點或軸。因此，舉例而言，在考慮光瞳影像1030的情況下，對稱性強度分佈部分可藉由(例如)自所展示之彼特定像素下之強度Ii 減去來自對稱定位像素(亦即，相對於軸線1032對稱地定位)之強度Ii '而移除。因此，在對稱強度部分被移除的情況下在特定像素下之強度Si 則為Si = Ii - Ii '。可針對光瞳影像之複數個像素(例如，光瞳影像中之所有像素)重複此強度。如經導出光瞳影像1035中所看到，對應於對稱單位胞元之強度分佈基本上完全對稱。因此，具有對稱單位胞元幾何形狀(且若適用，具有該單位胞元之例項之某一週期性)之對稱目標引起如藉由度量衡裝置所量測之對稱光瞳回應。
現在參看圖10B，關於圖10A中所描繪之單位胞元來描繪疊對之誤差之實例。在此狀況下，第一結構1000相對於第二結構1005在X方向上移位。詳言之，以第一結構1000之線為中心之軸線1010在圖10B中向右移位至軸線1045。因此，存在在X方向上之疊對1040之誤差；亦即，X方向疊對誤差。當然，第二結構1005可相對於第一結構1000移位，或第二結構1005與第一結構1000兩者可相對於彼此而移位。在任何情況下，結果皆為X方向疊對誤差。然而，如根據此單位胞元配置應瞭解，第一結構1000與第二結構1005之間的在Y方向上之純粹相對移位將不改變此單位胞元之幾何對稱性。但在運用適當幾何配置的情況下，在兩個方向上或在單位胞元之部分之不同組合之間的疊對可改變對稱性及亦可被判定，如下文進一步所論述。
由於單位胞元之實體組態自圖10A中之單位胞元之標稱實體組態改變且該改變由疊對1040之誤差表示，故結果為該單位胞元已變得幾何學上不對稱。此可藉由具有不同長度之箭頭1050及1055看到，其展示第二結構1005之橢圓型形狀相對於第一結構1000之線不均勻地定位。檢查相對於光瞳影像1030之對稱點或軸之對稱性，亦即，在彼狀況下，軸線1032現在被展示為軸線1034。
可使用(例如)圖7之度量衡裝置運用輻射來照明圖10B之單位胞元之實體例項。可(例如)藉由偵測器190記錄重導向輻射之光瞳影像。此光瞳影像之實例被描繪為光瞳影像1060。光瞳影像1060實際上為強度之影像。雖然光瞳影像1060具有金剛石型形狀，但其無需具有此形狀；其可為圓形形狀或任何其他形狀。此外，光瞳影像1060具有與光瞳影像1030大體上相同之軸或座標部位。亦即，在此實施例中，圖10A之單位胞元中之對稱軸1010及圖10B之單位胞元中之相同軸與光瞳影像1030、1060之對稱軸1032對準。
關於對應於第一結構1000及第二結構1005之幾何學上不對稱單位胞元之光瞳影像1060，在視覺上似乎為該光瞳影像內之強度分佈基本上對稱。然而，在該光瞳影像內存在不對稱強度分佈部分。此不對稱強度分佈部分係歸因於單位胞元中之不對稱性。此外，不對稱強度分佈之量值顯著低於光瞳影像中之對稱強度分佈部分之量值。
因此，在一實施例中，為了更有效地隔離不對稱強度分佈部分，可自光瞳影像1060移除對稱強度分佈部分，此情形引起經導出之光瞳影像1065。與獲得經導出光瞳影像1035的情況類似，特定光瞳影像像素(例如，像素)可藉由自彼特定光瞳影像像素下之強度減去對稱定位之光瞳影像像素之強度而使對稱強度分佈部分被移除，且反之亦然，如上文所論述。因此，舉例而言，在考慮光瞳影像1060的情況下，可藉由(例如)自所展示之彼特定像素下之強度Ii 減去來自對稱定位像素(亦即，相對於軸線1032對稱地定位)之強度Ii '以產生Si 而移除對稱性強度分佈部分。可針對光瞳影像之複數個像素(例如，光瞳影像中之所有像素)重複此強度。在圖10A及圖10B中，出於解釋之目的而描繪Si 之完整導出之光瞳影像。如應瞭解，圖10A或圖10B之經導出光瞳影像的一半與其另一半相同。因此，在一實施例中，來自光瞳影像之僅一半的值可用於本文中所論述之進一步處理，且因此，用於本文中之進一步處理之經導出影像光瞳可為用於光瞳之Si 值的僅一半。
如在經導出光瞳影像1065中看到，使用不對稱單位胞元之實體例項量測之強度分佈並未對稱。如在區1075及1080中看到，一旦移除對稱強度分佈部分，就可看到不對稱強度分佈部分。如上文所提及，展示完整導出之光瞳影像1065，且因此，在在兩個半邊上展示不對稱強度分佈部分(儘管其依據在其各別半邊中之量值及分佈而彼此相等)。
因此，幾何域中之不對稱性對應於光瞳中之不對稱性。因此，在一實施例中，提供一種使用週期性目標之光學回應之方法，該週期性目標擁有或能夠具有在其單位胞元之實體例項中之固有幾何對稱性以判定對應於實體組態改變之參數，該實體組態改變造成該單位胞元之實體例項之幾何對稱性改變(例如，造成不對稱性，或造成進一步不對稱性，或致使不對稱單位胞元變得對稱)。詳言之，在一實施例中，如由度量衡裝置量測之光瞳中之疊對誘發之不對稱性(或無疊對誘發之不對稱性)可用以判定疊對。亦即，光瞳不對稱性用以量測單位胞元之實體例項內及(因此)目標內之疊對。
目標T之幾何域之對稱性改變可歸因於第一結構1000與第二結構1005之間自其預期定位的相對移位而產生。該相對移位可歸因於用以形成第一結構1000之圖案化製程與用以形成第二結構1005之圖案化製程之間的疊對誤差而出現。
在其中特性化偵測到之光瞳表示之分量之度量(例如，量測光瞳影像中之不對稱性之強度的度量，如上文所論述)隨著所關注參數(例如疊對)線性變化之體系中，在該度量與該所關注參數之間將存在明確的一對一關係。該一對一關係意謂可自觀測到之信號(其提供用於度量之值)至所關注參數(其影響該觀測到之信號)執行唯一逆映射。
然而，本發明人已認識到，隨著所關注特徵變得較小及/或需要使用較長量測波長，經量測度量與所關注參數之間的線性關係可能會丟失。此亦可在目標堆疊之高階諧波變得主導的情況下發生。在一些狀況下，經量測度量可甚至以非單調方式在所關注參數之所關注範圍內變化。非單調變化可導致如下情形：其中所關注參數之複數個值全部對應於度量之所獲得之單個值。舉例而言，預期諸如疊對及目標堆疊高度變化之所關注參數產生非單調的週期性信號。圖11描繪此情形之實例。
圖11示意性地描繪作為所關注參數OV (例如疊對)之函數的特性化偵測到之光瞳表示之不對稱分量之度量(在此狀況下為信號強度Int)的變化。在此實例中，當所關注參數之值為零時(例如當不存在疊對誤差時)，度量之值為零(例如表示偵測到之光瞳表示中無不對稱性)。隨著所關注參數之值增大(例如隨著疊對誤差增大)，度量之值最初大致線性地增大。然而，隨著所關注參數之值進一步增大，度量之值開始非單調地變化，在此狀況下大致正弦地變化。自該變化可看到，若度量之量測產生例如為0.2之值，則存在關於對應於度量之此量測值的所關注參數之值是約為10奈米抑或約為40奈米之某種不確定度(如由虛線指示)。本發明之以下實施例克服此不確定度且允許獲得所關注參數之準確及可靠的值。
圖12描繪用於判定基板上之由圖案化製程形成之目標之所關注參數的值之方法的實例構架。
將量測資料400提供至步驟S1。量測資料400表示將量測製程應用至基板上之目標的結果。在一實施例中，量測製程包含運用輻射照明目標且偵測由目標重導向(例如散射)之輻射。量測製程可由以上所描述之度量衡裝置中的任一者執行。在一些實施例中，量測製程(其亦可被稱作度量衡製程)係藉由將輻射導向至目標上且偵測重導向輻射之表示來執行，如上文參看圖7至圖10C所描述。輻射之偵測到之表示可包含光瞳平面中之輻射之光學特性的偵測到之光瞳表示，如上文參看圖7至圖10C所描述。光學特性可包含輻射強度或相位。在光學特性包含輻射強度之狀況下，偵測到之光瞳表示可被稱作光瞳影像。參看圖7所描述之類型的度量衡裝置可例如用以執行度量衡製程。輻射之偵測到之表示可主要包含零階輻射，如上文所描述。在目標包含諸如器件結構之高解析度目標的情況下此可特別合乎需要。因此，在一實施例中，目標包含器件結構。在其他實施例中，目標包含在包含器件結構之基板晶粒內的非器件結構。
步驟S1包含導出偵測到之光瞳表示之對稱分量及偵測到之光瞳表示之不對稱分量兩者。在一些實施例中，導出對稱分量及不對稱分量中之任一者或兩者，如上文參看圖10A及圖10B所描述。因此，可獲得表示不對稱分量之經導出光瞳影像，諸如圖10A或圖10B之經導出光瞳影像1035或1065，或可獲得表示對稱分量之對應的經導出光瞳影像，或可使用此兩者。在一實施例中，不對稱分量及對稱分量共同含有存在於偵測到之光瞳表示中之所有資訊。在一實施例中，不對稱分量係藉由反對稱化偵測到之光瞳表示來獲得。在一實施例中，偵測到之光瞳表示之反對稱化包含移除偵測到之光瞳表示之對稱分量。在一實施例中，移除偵測到之光瞳表示之對稱分量，如上文參看圖10A及圖10B所描述。考慮光瞳影像1030，可藉由例如自所展示之彼特定像素處之強度Ii 減去來自對稱定位之像素(亦即相對於軸線1032對稱地定位)之強度Ii '來移除對稱分量。因此，在對稱強度部分被移除的情況下在特定像素下之強度Si 則為Si = Ii - Ii '。可針對偵測到之光瞳呈現之複數個像素，例如偵測到之光瞳表示中之所有像素來重複此操作，以獲得偵測到之光瞳表示之不對稱分量。可執行對應的製程以獲得偵測到之光瞳表示之對稱分量。
在一實施例中，對稱分量相對於光瞳平面中之參考點係點對稱的(例如相對於與一點相關之反射對稱)。點對稱性可對應於目標單位胞元中之點對稱性，如上文參看圖10A及圖10B所描述(參看圖10A中之點1015)。在一實施例中，對稱分量相對於光瞳平面中之參考線係鏡面對稱的。此對稱性可對應於相對於目標單位胞元中之對應線之鏡面對稱性，如上文參看圖10A及圖10B所描述(參看軸線1010)。
在一實施例中，不對稱分量相對於光瞳平面中之參考點係點不對稱的。該點不對稱性可對應於與目標單位胞元中之點對稱性之偏差，如上文參看圖10A及圖10B所描述。在一實施例中，不對稱分量相對於光瞳平面中之參考線係鏡面不對稱的。此不對稱性可對應於與相對於目標單位胞元中之參考線之鏡面對稱性的偏差，如上文參看圖10A及圖10B所描述。
在一實施例中，第一度量用以特性化對稱分量。舉例而言，第一度量可提供偵測到之光瞳表示中之對稱分量之相對強度的量度。舉例而言，可自偵測到之光瞳表示之對稱化版本中之像素之強度的和(視情況加權和)導出該第一度量。
在一實施例中，第二度量用以特性化不對稱分量。舉例而言，第二度量可提供偵測到之光瞳表示中之不對稱分量之相對強度的量度。舉例而言，可自偵測到之光瞳表示之反對稱化版本中之像素之強度的和(視情況加權和)導出該第二度量。
目標類型及量測製程係使得第一度量及第二度量兩者依據所關注參數遍及該所關注參數之值之參考範圍非單調地變化(例如如圖11中所描繪或其相移版本)。在一些實施例中，值之參考範圍表示在基板上之不同部位處及/或在不同時間形成的目標之例項之間的所關注參數之典型變化下，歸因於用以形成目標之一或若干圖案化製程之變化而預期會遇到的範圍。
根據本實施例，在步驟S2A中導出第一度量且在步驟S2B中導出第二度量。將經導出第一度量及經導出第二度量提供至步驟S3。
在步驟S3中，使用經導出對稱分量(例如第一度量)及經導出不對稱分量(例如第二度量)之組合以自所關注參數之複數個候選值識別正確值。將正確值作為輸出資料410輸出。因此，在圖11之特定實例中，圖12之方法之步驟S3可用以判定用於對應於為0.2之所獲得度量值之所關注參數的兩個候選值(10奈米或40奈米)中之哪一者為正確的值。經導出對稱分量及經導出不對稱分量之組合可用以自所關注參數之複數個候選值識別正確的值，該複數個候選值歸因於第一度量之非單調變化而全部對應於第一度量之對應於目標之經導出對稱分量的值。替代地或另外，經導出對稱分量及經導出不對稱分量之組合可用以自所關注參數之複數個候選值識別正確的值，該複數個候選值歸因於第二度量之非單調變化而全部對應於第二度量之對應於目標之經導出不對稱分量的值(如在圖11中)。本質上，本發明人已認識到，自對稱分量及不對稱分量中之一者獲得的所關注參數之值之模糊度可藉由使用自該對稱分量及該不對稱分量中之另一者導出之資訊予以高效地解析。所關注參數可包含以下各者中之任一者：目標中之不對稱性之量度、疊對、側壁角不對稱性、臨界尺寸、堆疊高度變化。在下文描述可如何達成此情形之特定實例。
在一實施例中，第一度量及/或第二度量之非單調變化至少大致為週期性變化。圖13中描繪此變化之一個週期之實例。實線表示作為所關注參數(例如疊對OV)之函數的第一度量(表示為強度位準Int)之變化。虛線表示作為同一所關注參數之函數的第二度量之變化。
在一實施例中，所關注參數之值之參考範圍對應於週期性變化之一個週期(如圖13中所描繪)。
在一實施例中，第一度量之週期性變化具有與第二度量之週期性變化相同的週期(如圖13中所描繪)。
在一實施例中，第一度量之週期性變化相對於第二度量之週期性變化相移。在一實施例中，該相移為90度(如圖13中所描繪)。舉例而言，此將為所關注參數表示目標中之不對稱性(諸如疊對之誤差)之狀況。
在一實施例中，週期性變化至少大致為正弦的(如圖13中所描繪)。
在一實施例中，可將週期性變化之一個週期劃分成具有相等大小之四個象限(亦即，各自為週期的四分之一)。圖13中描繪此類象限421至424之實例。該等象限可經定位以便各自在週期性變化之拐折點與轉向點(亦即局部最大或局部最小)之間延伸。
在一實施例中，在圖12之步驟S1中，針對自目標之對應集合獲得的偵測到之光瞳表示之集合中之每一者導出對稱分量及不對稱分量。在一實施例中，目標集合經定位成彼此緊鄰以便具有所關注參數之相似值。因此，舉例而言，集合中之最遠離彼此之目標可各自與不在該集合中的至少一個其他目標分離較大的量。
在一實施例中，步驟S2A包含針對目標集合中之每一目標導出對稱分量之第一度量，且使用所得經導出之第一度量及所關注參數之對應的值以估計第一度量相對於參考範圍之子區中的所關注參數之值的改變速率之至少正負號。圖13中描繪針對兩個目標之此製程之實例。針對處於位置431處之第一目標標繪第一度量及所關注參數之值。針對處於位置432處之第二目標標繪第一度量及所關注參數之值。在此實例中，可藉由在該兩個標繪點之間內插來獲得參考範圍之子區中的第一度量之改變速率之估計值。所得線之梯度近似第一度量相對於所關注參數之曲線之梯度。該梯度之正負號在此實例中為正。
在一實施例中，步驟S2B包含針對目標集合中之每一目標導出對稱分量之第二度量，且使用所得經導出之第二度量及所關注參數之對應的值以估計第二度量相對於參考範圍之子區中的所關注參數之值的改變速率之至少正負號。圖13中描繪針對兩個目標之此製程之實例。針對處於位置441處之第一目標標繪第二度量及所關注參數之值。針對處於位置442處之第二目標標繪第二度量及所關注參數之值。在此實例中，可藉由在該兩個標繪點之間內插來獲得參考範圍之子區中的第二度量之改變速率之估計值。所得線之梯度近似第二度量相對於所關注參數之曲線之梯度。該梯度之正負號在此實例中為負。
在一實施例中，使用在步驟S2A中判定之第一度量之改變速率的正負號及在步驟S2B中判定之第二度量之改變速率的正負號以識別子區位於參考範圍中之何處(例如象限421至424中之何處)。因此可解析關於所關注參數之正確值之模糊度。
在以上參看圖13所描述之類型的實例中，其中非單調變化至少大致為週期性變化且所關注參數之值之參考範圍對應於具有四個象限的週期性變化之一個週期，子區之部位可被識別如下。當第一度量之改變速率為正且第二度量之改變速率為負時，判定子區位於該四個象限中之第一象限421中。當第一度量之改變速率為正且第二度量之改變速率為正時，判定子區位於該四個象限中之第二象限422中。當第一度量之改變速率為負且第二度量之改變速率為正時，判定子區位於該四個象限中之第三象限423中。當第一度量之改變速率為負且第二度量之改變速率為負時，判定子區位於該四個象限中之第四象限424中。
在一實施例中，選擇目標集合中之目標使得所關注參數之值處於針對該集合中之所有目標之參考範圍的相同象限中。此可藉由選擇定位成在基板上接近地在一起之目標，使得所關注參數之值針對該集合中之目標中之每一者將為相似的來達成。以此方式，目標集合將一起僅對週期性變化之總週期之相對較小比例進行取樣。此增加了集合中之所有目標將處於相同象限中的機會。在發現給定集合中之目標中的一些屬於不同象限的情況下，可變更目標之取樣直至每一集合中之所有目標屬於相同象限。圖14示意性地描繪可如何達成此情形。上部矩形系列中之每一矩形表示N個目標n1，n2，…，nN之不同經取樣集合。可視需要變更集合之取樣，例如藉由使用滑動窗以改變集合之群體。此示意性地描繪於下部矩形系列中，其以與在上部矩形系列中不同之方式將目標劃分成若干集合。在一實施例中，亦可選擇目標集合使得處於足夠遠離週期性變化之變化中的轉向點之區中，從而達成高敏感度。
上述使用多個目標以建立其中所關注參數之值必須位於之參考範圍之子區之部位的途徑可被稱作資料驅動途徑。在可被稱作模型驅動途徑之替代實施例中，使用數學模型以解決相同問題且允許判定子區之部位，而未必需要使用來自多個不同目標之量測。
分別在圖15至圖17中示意性地描繪模型驅動途徑之三個實例。
在圖15之實例中，將量測資料400提供至步驟S10。量測資料400可採取以上參看圖12所描述之形式中的任一者。在步驟S10中，執行第一擬合製程。第一擬合製程包含藉由使用於數學模擬中之目標之數學模型的一或多個參數變化而將偵測到之光瞳表示之經導出不對稱分量擬合至數學上模擬之偵測到之光瞳表示的不對稱分量，直至擬合誤差得以最小化。擬合製程及數學模型可採取以上參看圖9所描述之形式中的任一者。舉例而言，可使用數值馬克士威求解程序210以自參數化數學模型206演算/模擬輻射分佈208。一或多個參數包括所關注參數。經由迴圈S11及S12重複第一擬合製程複數次。每當執行第一擬合製程時，就以參考範圍之複數個子區中之一不同子區中(例如參考範圍之不同象限中)的所關注參數之值起始該第一擬合製程。步驟S11查詢是否已在所有所需子區中起始第一擬合製程。若否，則在步驟S12中改變子區且在步驟S10中重複第一擬合製程。若是，則製程前進至步驟S13。
在步驟S13中，執行第二擬合製程。第二擬合製程包含藉由使用於數學模擬中之目標之數學模型的一或多個參數變化而將偵測到之光瞳表示之經導出對稱分量擬合至數學上模擬之偵測到之光瞳表示的對稱分量，直至擬合誤差得以最小化。擬合製程及數學模型可採取以上參看圖9所描述之形式中的任一者。舉例而言，可使用數值馬克士威求解程序210以自參數化數學模型206演算/模擬輻射分佈208。一或多個參數包括所關注參數。以與第一擬合製程(經由S11及S12)相似之方式經由迴圈S14及S15重複第二擬合製程複數次。每當執行第二擬合製程時，就以參考範圍之複數個子區中之一不同子區中(例如參考範圍之不同象限中)的所關注參數之值起始該第二擬合製程。當已完成第二擬合製程之所有所需執行時，製程前進至步驟S16。
在步驟S16中，使用由不同各別子區中之第一擬合製程及不同各別子區中之第二擬合製程中的任一者或兩者所獲得的經最小化擬合誤差，以識別所關注參數之正確的值所位於之子區。在一實施例中，此識別係藉由識別經最小化擬合誤差低於針對第一擬合製程及第二擬合製程兩者之預定臨限值的子區來達成。將所關注參數之正確的值作為輸出資料410輸出。
圖16描繪藉由使用來自用以選擇子區之子集的第一擬合製程之複數次應用之結果，以用於在第二擬合製程之後續複數次應用中進一步考慮而減少處理要求的實例製程。
在圖16之實例中，將量測資料400提供至步驟S20。量測資料400可採取以上參看圖12所描述之形式中的任一者。步驟S20、S21及S22與圖15之步驟S10、S11及S12相同。迴圈S20、S21及S22中之第一擬合製程之每一執行在擬合誤差經最小化時會產生所關注參數之擬合值。
在步驟23中，選擇子區之子集。子集中之每一子區為如下子區：其中由第一擬合製程獲得之經最小化擬合誤差低於不在該子集中之所有子區中之由第一擬合製程獲得的經最小化擬合誤差。因此，在此階段拒絕一些子區，此係基於經最小化擬合誤差相比於針對其他子區所達成之經最小化擬合誤差過大。
在步驟S24至S26中，以與在圖15之步驟S13至S15中相似之方式執行第二擬合製程複數次，其例外之處在於在此實施例中，第二擬合製程之每一執行係以在子區之選定子集之每一子區中由第一擬合製程之執行所獲得的所關注參數之擬合值中之一不同擬合值起始。針對第二擬合製程之每一執行獲得所關注參數之擬合值。
在步驟S27中，將自步驟S24至S26輸出的具有最低最小化之擬合誤差之所關注參數之擬合值作為輸出資料410輸出，該輸出資料410表示所關注參數之正確的值。
在圖16之實施例之一個特定實施中，其中非單調變化至少大致為週期性變化且所關注參數之值之參考範圍對應於具有四個象限的週期性變化之一個週期，該方法前進如下。在步驟S20至S22中執行第一擬合製程所在的子區包含：由象限中之第一象限421組成之第一子區；由象限中之第二象限422及象限中之第三象限423組成之第二子區；及由象限中之第四象限424組成之第三子區。在步驟S23中選擇之子區之子集由第一子區421、第二子區422或423及第三子區424中之兩者組成。
圖17描繪關於圖16之實施例之變化，在該圖17中在第一擬合製程之前執行第二擬合製程。
在圖17之實例中，將量測資料400提供至步驟S30。量測資料400可採取以上參看圖12所描述之形式中的任一者。步驟S30、S31及S32與圖15之步驟S10、S11及S12相同，其例外之處在於使用第二擬合製程來代替第一擬合製程。迴圈S30、S31及S32中之第二擬合製程之每一執行在擬合誤差經最小化時會產生所關注參數之擬合值。
在步驟33中，選擇子區之子集。子集中之每一子區為如下子區：其中由第二擬合製程獲得之經最小化擬合誤差低於不在該子集中之所有子區中之由第二擬合製程獲得的經最小化擬合誤差。因此，在此階段拒絕一些子區，此係基於經最小化擬合誤差相比於針對其他子區所達成之經最小化擬合誤差過大。
在步驟S34至S36中，以與在圖15之步驟S13至S15中相似之方式執行第一擬合製程複數次，其例外之處在於在此實施例中，執行第一擬合製程，且第一擬合製程之每一執行係以在子區之選定子集之每一子區中由第二擬合製程之執行所獲得的所關注參數之擬合值中之一不同擬合值起始。針對第一擬合製程之每一執行獲得所關注參數之擬合值。
在步驟S37中，將自步驟S34至S36輸出的具有最低最小化之擬合誤差之所關注參數之擬合值作為輸出資料410輸出，該輸出資料410表示所關注參數之正確的值。
參看圖18，展示電腦系統3200。電腦系統3200包括用於傳達資訊之匯流排3202或其他通信機構，及與匯流排3202耦接以用於處理資訊之處理器3204 (或多個處理器3204及3205)。電腦系統3200亦包括耦接至匯流排3202以用於儲存待由處理器3204執行之資訊及指令的主記憶體3206，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體3206亦可用於在待由處理器3204執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統3200進一步包括耦接至匯流排3202以用於儲存用於處理器3204之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 3208或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件3210，且該儲存器件耦接至匯流排3202以用於儲存資訊及指令。
電腦系統3200可經由匯流排3202耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器3212，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件3214耦接至匯流排3202以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器3204。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器3204且用於控制顯示器3212上之游標移動的游標控制件3216，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸(第一軸(例如，x)及第二軸(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件指定在平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
電腦系統3200可適合於回應於處理器3204執行主記憶體3206中含有之一或多個指令之一或多個序列而充當本文中之處理單元。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件3210)讀取至主記憶體3206中。主記憶體3206中含有之指令序列之執行致使處理器3204執行本文中所描述之製程。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體3206中含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，實施例不限於硬體電路系統與軟體之任何特定組合。
如本文中所使用術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器3204以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如儲存器件3210。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體3206。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排3202之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟碟、可撓性碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器3204以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統3200本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排3202之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排3202上。匯流排3202將資料攜載至主記憶體3206，處理器3204自該主記憶體3206擷取及執行指令。由主記憶體3206接收之指令可視情況在供處理器3204執行之前或之後儲存於儲存器件3210上。
電腦系統3200亦可包括耦接至匯流排3202之通信介面3218。通信介面3218提供對網路鏈路3220之雙向資料通信耦合，網路鏈路3220連接至區域網路3222。舉例而言，通信介面3218可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面3218可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此實施中，通信介面3218發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路3220通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路3220可經由區域網路3222而向主機電腦3224或向由網際網路服務提供者(ISP) 3226操作之資料裝置提供連接。ISP 3226又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」) 3228而提供資料通信服務。區域網路3222及網際網路3228兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路3220上且經由通信介面3218之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統3200及自電腦系統3200攜載數位資料)為輸送資訊的例示性載波形式。
電腦系統3200可經由網路、網路鏈路3220及通信介面3218發送訊息及接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器3230可能經由網際網路3228、ISP 3226、區域網路3222及通信介面3218而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此類經下載應用程式提供如(例如)本文中所揭示之方法。所接收程式碼可在其被接收時由處理器3204執行，及/或儲存於儲存器件3210或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統3200可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
本發明之一實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如本文中所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。另外，可以兩個或多於兩個電腦程式來體現機器可讀指令。該兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
本文中所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
儘管在本文中可特定地參考度量衡裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之度量衡裝置及製程可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或一或多個各種其他工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管在上文可已特定地參考在光學微影之內容背景中之本發明之實施例的使用，但應理解，本發明可用於其他應用(例如，奈米壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在奈米壓印微影之狀況下，圖案化器件為壓印模板或模具。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本文中對超越或超過臨限值之參考可包括具有低於特定值或低於或等於特定值之某物、具有高於特定值或高於或等於特定值之某物、基於(例如)參數而排名高於或低於其他某物(通過(例如)分類)的某物，等。
本文中對校正誤差或誤差之校正之參考包括消除誤差或將誤差減小至容許範圍內。
如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整度量衡製程、微影裝置、圖案化製程、參數等使得度量衡、微影或圖案化處理之結果及/或製程具有較理想特性，諸如改良之準確度，例如設計佈局在基板上的投影之較高準確度、較大製程窗等。因此，如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂識別用於一或多個變數之一或多個值的製程，該一或多個值相比於用於彼等一或多個變數之一或多個值之初始集合提供在至少一個相關度量方面的改良，例如局部最佳。應相應地解釋「最佳(optimum/optimal)」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。
在一系統之最佳化製程中，可將該系統或製程之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化製程歸結為尋找最佳化(例如，最小化或最大化)成本函數之系統或製程之參數(設計變數)之集合之製程。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統或製程之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值(亦即，最差偏差)。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統或製程之任何特性。歸因於系統或製程之實施的實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置或圖案化製程之狀況下，約束常常與硬體之物理屬性及特性(諸如可調節範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像上之實體點，以及諸如劑量及焦點之非物理特性。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。
在方塊圖中，所說明之組件被描繪為離散功能區塊，但實施例不限於本文中所描述之功能性如所說明來組織的系統。由組件中之每一者提供的功能性可由軟體或硬體模組提供，該等模組以與目前所描繪之方式不同之方式組織，例如，可摻和、結合、複寫、分解、分配(例如，在資料中心內或地理上)，或以另外不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦的一或多個處理器提供。在一些狀況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部，在此狀況下，在據稱供應或以另外方式提供資訊(例如，內容)之情況下，可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊提供該資訊。
除非另有具體陳述，否則如自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「演算」、「計算」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或相似專用電子處理/演算器件之特定裝置的動作或製程。
讀者應瞭解，本申請案描述若干發明。申請人已將此等發明分組成單一文件，而非將彼等發明分離成多個經隔離專利申請案，此係因為該等發明之相關主題可在應用製程中有助於經濟發展。但不應合併此等發明之相異優點及態樣。在一些狀況下，實施例解決本文中所提及之所有缺陷，但應理解，該等發明係獨立地有用，且一些實施例僅解決此等問題之子集或提供其他未提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。歸因於成本約束，目前可不主張本文中所揭示之一些發明，且可在稍後申請案(諸如接續申請案或藉由校正本技術方案)中主張該等發明。相似地，歸因於空間約束，本發明文件之[發明摘要]及[發明內容]章節皆不應被視為含有所有此等發明之全面清單或此等發明之所有態樣。
應理解，描述及圖式並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式，而正相反，本發明意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方案。
在以下編號條項中進一步描述根據本發明之另外實施例：
1. 一種判定一基板上之由一圖案化製程形成之一目標之一所關注參數的一值之方法，其包含：
導出一偵測到之光瞳表示之一對稱分量及一不對稱分量，該偵測到之光瞳表示可藉由執行一量測製程獲得，該量測製程包含運用輻射照明該目標且偵測由該目標重導向之輻射，
其中：
該目標類型及該量測製程係使得特性化該對稱分量之一第一度量及特性化該不對稱分量之一第二度量依據該所關注參數遍及該所關注參數之值之一參考範圍非單調地變化；且
該方法包含使用該經導出對稱分量及該經導出不對稱分量之一組合以：
自該所關注參數之複數個候選值識別一正確的值，該複數個候選值歸因於該第一度量之該非單調變化而皆對應於該第一度量之對應於該目標之該經導出對稱分量的一值；或
自該所關注參數之複數個候選值識別一正確的值，該複數個候選值歸因於該第二度量之該非單調變化而皆對應於該第二度量之對應於該目標之該經導出不對稱分量的一值。
2. 如條項1之方法，其中該非單調變化至少大致為一週期性變化。
3. 如條項2之方法，其中該所關注參數之值之該參考範圍對應於該週期性變化之一個週期。
4. 如條項2或3之方法，其中該第一度量之該週期性變化具有與該第二度量之該週期性變化相同的週期。
5. 如條項4之方法，其中該第一度量之該週期性變化相對於該第二度量之該週期性變化相移。
6. 如條項5之方法，其中該相移為90度。
7. 如條項2至6中任一項之方法，其中該週期性變化至少大致為正弦的。
8. 如任一前述條項之方法，其中：
針對自目標之一對應集合獲得的偵測到之光瞳表示之一集合之每一偵測到之光瞳表示導出該對稱分量及該不對稱分量；且
該識別該所關注參數之該正確的值包含：
a) 針對該目標集合中之每一目標導出該對稱分量之該第一度量，且使用該等所得經導出之第一度量及該所關注參數之對應的值以估計該第一度量相對於該參考範圍之一子區中的該所關注參數之該值的一改變速率之至少一正負號；
b) 針對該目標集合中之每一目標導出該不對稱分量之該第二度量，且使用該等所得經導出之第二度量及該所關注參數之對應的值以估計該第二度量相對於該參考範圍之該子區中的該所關注參數之該值的一改變速率之至少一正負號；
使用在步驟(a)中判定之該第一度量之該改變速率的該至少一正負號及在步驟(b)中判定之該第二度量之該改變速率的該至少一正負號以識別該子區位於該參考範圍中之何處。
9. 如條項8之方法，其包含使用該子區之該經識別部位以自該所關注參數之該複數個候選值識別該正確的值。
10. 如條項8或9之方法，其中：
該非單調變化至少大致為一週期性變化；
該所關注參數之值之該參考範圍對應於具有四個象限的該週期性變化之一個週期；且
該子區之該部位經識別如下：
當該第一度量之該改變速率為正且該第二度量之該改變速率為負時，判定該子區位於該四個象限中之一第一象限中；
當該第一度量之該改變速率為正且該第二度量之該改變速率為正時，判定該子區位於該四個象限中之一第二象限中；
當該第一度量之該改變速率為負且該第二度量之該改變速率為正時，判定該子區位於該四個象限中之一第三象限中；且
當該第一度量之該改變速率為負且該第二度量之該改變速率為負時，判定該子區位於該四個象限中之一第四象限中。
11. 如條項10之方法，其中選擇該目標集合中之該等目標使得該所關注參數之該值處於針對該集合中之所有該等目標之該參考範圍的相同象限中。
12. 如條項1至7中任一項之方法，其進一步包含：
執行一第一擬合製程複數次，該第一擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出不對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一不對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第一擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始；及
執行一第二擬合製程複數次，該第二擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第二擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始，其中：
該使用該經導出對稱分量及該經導出不對稱分量之該組合以識別該所關注參數之該正確的值包含：使用由不同各別子區中之該第一擬合製程及不同各別子區中之該第二擬合製程中的任一者或兩者所獲得的該等經最小化擬合誤差，以識別該所關注參數之該正確的值所位於之該子區。
13. 如條項1至7中任一項之方法，其包含：
a) 執行一第一擬合製程複數次，該第一擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出不對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一不對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第一擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值；
b) 選擇該等子區之一子集，該子集中之每一子區為如下一子區：其中由該第一擬合製程獲得之該經最小化擬合誤差低於不在該子集中之所有子區中之由該第一擬合製程獲得的該經最小化擬合誤差；
c) 執行一第二擬合製程複數次，該第二擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第二擬合製程之每一執行係以子區之該選定子集之每一子區中由該第一擬合製程之該執行所獲得的該所關注參數之該等擬合值中之一不同擬合值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值；及
d) 識別在步驟(c)中具有該最低最小化之擬合誤差的該所關注參數之該擬合值，作為該所關注參數之該正確的值。
14. 如條項13之方法，其中：
該非單調變化至少大致為一週期性變化；
該所關注參數之值之該參考範圍對應於具有四個象限的該週期性變化之一個週期；且
在步驟(a)中執行該第一擬合製程所在的該等子區包含：由該等象限中之一第一象限組成之一第一子區；由該等象限中之一第二象限及該等象限中之一第三象限組成之一第二子區；及由該等象限中之一第四象限組成之一第三子區；且
在步驟(b)中選擇之該等子區之該子集係由該第一子區、該第二子區及該第三子區中之兩者組成。
15. 如條項1至7中任一項之方法，其包含：
a) 執行一第二擬合製程複數次，該第二擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第二擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值；
b) 選擇該等子區之一子集，該子集中之每一子區為如下一子區：其中由該第二擬合製程獲得之該經最小化擬合誤差低於不在該子集中之所有子區中之由該第二擬合製程獲得的該經最小化擬合誤差；
c) 執行一第一擬合製程複數次，該第一擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出不對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一不對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第一擬合製程之每一執行係以子區之該選定子集之每一子區中由該第二擬合製程之該執行所獲得的該所關注參數之該等擬合值中之一不同擬合值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值；
d) 識別在步驟(c)中具有該最低最小化之擬合誤差的該所關注參數之該擬合值，作為該所關注參數之該正確的值。
16. 如任一前述條項之方法，其中該對稱分量相對於該光瞳平面中之一參考點係點對稱的或相對於該光瞳平面中之一參考線係鏡面對稱的。
17. 如任一前述條項之方法，其中該不對稱分量相對於該光瞳平面中之一參考點係點不對稱的或相對於該光瞳平面中之一參考線係鏡面不對稱的。
18. 如任一前述條項之方法，其中該所關注參數包含以下各者中之一或多者：該目標中之一不對稱性之一量度、疊對、側壁角不對稱性、臨界尺寸、堆疊高度變化。
19. 一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至18中任一項之方法。
20. 一種系統，其包含：
一電腦系統；及
一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其經組態以儲存機器可讀指令，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該電腦系統執行如條項1至18中任一項之方法。
21. 一種用於量測一基板上之一目標之度量衡裝置，該度量衡裝置經組態以執行如條項1至18中任一項之方法。
22. 一種系統，其包含：
一度量衡裝置，其經組態以將一輻射光束提供至一基板上且偵測由該基板上之一目標重導向之輻射；及
如條項19之電腦程式產品。
23. 如條項22之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上，其中該微影裝置經組態以基於使用該度量衡裝置及該電腦程式產品所獲得的資訊來控制該微影裝置之一設定。
鑒於本說明書，對於熟習此項技術者而言，本發明之各種態樣之修改及替代實施例將為顯而易見的。因此，本說明書及圖式應被理解為僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者進行本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示及描述之本發明之形式應被視為實施例之實例。元件及材料可替代本文中所說明及描述之元件及材料，部分及製程可被反轉或被省略，可獨立利用某些特徵，且可組合實施例或實施例之特徵，此皆如對熟習此項技術者在獲得本發明之本說明書之益處之後將顯而易見的。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題僅為達成組織性目的，且不意謂用以限制本說明書之範疇。
如遍及本申請案所使用，詞「可」係在許可之意義(亦即，意謂有可能)而非強制性之意義(亦即，意謂必須)予以使用。詞語「包括(include/including/includes)」及其類似者意謂包括(但不限於)。如貫穿本申請案所使用，單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數個參照物，除非上下文另有明確地指示。因此，舉例而言，對「元件(an element/a element)」之參考包括兩個或多於兩個元件之組合，儘管會針對一或多個元件使用其他術語及短語，諸如「一或多個」。除非另有指示，否則術語「或」係非獨占式的，亦即，涵蓋「及」與「或」兩者。描述條件關係之術語，例如，「回應於X，而Y」、「在X後，即Y」、「若X，則Y」、「當X時，Y」及其類似者涵蓋因果關係，其中前提為必要的因果條件，前提為充分的因果條件，或前提為結果的貢獻因果條件，例如，「在條件Y獲得後，即出現狀態X」對於「僅在Y後，才出現X」及「在Y及Z後，即出現X」為通用的。此等條件關係不限於即刻遵循前提而獲得之結果，此係由於可延遲一些結果，且在條件陳述中，前提連接至其結果，例如，前提係與出現結果之可能性相關。除非另外指示，否則複數個特質或功能經映射至複數個物件(例如，執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋所有此等特質或功能經映射至所有此等物件及特質或功能之子集經映射至特質或功能之子集兩者(例如，所有處理器各自執行步驟A至D，及其中處理器1執行步驟A，處理器2執行步驟B及步驟C之一部分，且處理器3執行步驟C之一部分及步驟D之狀況)。另外，除非另有指示，否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因子之情況及條件或值為複數個因子當中之一個因子之情況兩者。除非另外規定，否則某集合之「每一」例項具有某種屬性之陳述不應被理解為排除較大集合之一些另外相同或相似部件並不具有該屬性之狀況，亦即，各自未必意謂每個都。
在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如論文)已以引用方式併入之範圍內，此等美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述之陳述及圖式之間不存在衝突之範圍內併入。在存在此類衝突之情況下，在此類以引用方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此類衝突並不具體地以引用方式併入本文中。
以上之描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
2‧‧‧寬頻帶輻射投影儀
4‧‧‧光譜儀偵測器
10‧‧‧光譜
11‧‧‧輸出
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13E‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
13W‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧稜鏡
16‧‧‧物鏡/透鏡
17‧‧‧光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧感測器
30'‧‧‧目標圖案/目標
31‧‧‧量測光點
32‧‧‧週期性結構
33‧‧‧週期性結構
34‧‧‧週期性結構
35‧‧‧週期性結構
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
100‧‧‧度量衡裝置
108‧‧‧經量測輻射分佈
110‧‧‧輻射源
120‧‧‧透鏡系統/透鏡
130‧‧‧孔徑板/干涉濾光器
140‧‧‧透鏡系統/透鏡
150‧‧‧部分反射表面
160‧‧‧物鏡
170‧‧‧偏振器/照明射線/入射射線
172‧‧‧照明射線/入射射線
174‧‧‧繞射射線/繞射射線
176‧‧‧繞射射線/繞射射線
180‧‧‧光學元件
182‧‧‧光學系統
186‧‧‧孔徑
190‧‧‧感測器/偵測器
200‧‧‧量測分支
206‧‧‧參數化數學模型
208‧‧‧輻射分佈
210‧‧‧數值馬克士威求解程序
212‧‧‧比較
230‧‧‧感測器
300‧‧‧可調整場光闌
302‧‧‧孔徑
400‧‧‧量測資料
410‧‧‧輸出資料
421‧‧‧第一象限/第一子區
422‧‧‧第二象限/第二子區
423‧‧‧第三象限/第二子區
424‧‧‧第四象限/第三子區
431‧‧‧位置
432‧‧‧位置
441‧‧‧位置
442‧‧‧位置
1000‧‧‧第一結構
1005‧‧‧第二結構
1010‧‧‧軸線/對稱軸
1015‧‧‧點
1020‧‧‧箭頭
1025‧‧‧箭頭
1030‧‧‧光瞳影像
1032‧‧‧軸線/對稱軸
1034‧‧‧軸線
1035‧‧‧光瞳影像
1040‧‧‧疊對
1045‧‧‧軸線
1050‧‧‧箭頭
1055‧‧‧箭頭
1060‧‧‧光瞳影像
1065‧‧‧光瞳影像
1075‧‧‧區
1080‧‧‧區
3200‧‧‧電腦系統
3202‧‧‧匯流排
3204‧‧‧處理器
3205‧‧‧處理器
3206‧‧‧主記憶體
3208‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
3210‧‧‧儲存器件
3212‧‧‧顯示器
3214‧‧‧輸入器件
3216‧‧‧游標控制件
3218‧‧‧通信介面
3220‧‧‧網路鏈路
3222‧‧‧區域網路
3224‧‧‧主機電腦
3226‧‧‧網際網路服務提供者(ISP)
3228‧‧‧網際網路
3230‧‧‧伺服器
AD‧‧‧調整器
AM‧‧‧調整機構
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
h‧‧‧高度
I‧‧‧照明射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
Ii‧‧‧強度
Ii'‧‧‧強度
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
Int‧‧‧信號強度
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧支撐結構
n1‧‧‧目標
n2‧‧‧目標
nN‧‧‧目標
O‧‧‧光軸
OV‧‧‧疊對
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧處理器及控制器
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
S‧‧‧照明光點
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
S1‧‧‧步驟
S2A‧‧‧步驟
S2B‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S10‧‧‧步驟
S11‧‧‧步驟
S12‧‧‧步驟
S13‧‧‧步驟
S14‧‧‧步驟
S15‧‧‧步驟
S16‧‧‧步驟
S20‧‧‧步驟
S21‧‧‧步驟
S22‧‧‧步驟
S23‧‧‧步驟
S24‧‧‧步驟
S25‧‧‧步驟
S26‧‧‧步驟
S27‧‧‧步驟
S30‧‧‧步驟
S31‧‧‧步驟
S32‧‧‧步驟
S33‧‧‧步驟
S34‧‧‧步驟
S35‧‧‧步驟
S36‧‧‧步驟
S37‧‧‧步驟
T‧‧‧複合度量衡目標/基板目標
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
t‧‧‧厚度
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
w‧‧‧寬度
α‧‧‧側壁角
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中：
圖1示意性地描繪微影裝置之實施例；
圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之實施例；
圖3A為用於根據一實施例使用提供某些照明模式之第一對照明孔徑來量測目標之量測裝置的示意圖；
圖3B為針對給定照明方向之目標之繞射光譜的示意性細節；
圖3C為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時提供另外照明模式之第二對照明孔徑的示意性說明；
圖3D為在使用量測裝置以用於以繞射為基礎之疊對量測時組合第一對孔徑與第二對孔徑之提供另外照明模式的第三對照明孔徑的示意性說明；
圖4示意性地描繪在基板上多重週期性結構(例如多重光柵)目標之形式及量測光點之輪廓；
圖5示意性地描繪圖3之裝置中獲得的圖4之目標之影像；
圖6示意性地描繪度量衡裝置及度量衡技術之實例；
圖7示意性地描繪度量衡裝置之實例；
圖8說明度量衡裝置之照明光點與度量衡目標之間的關係；
圖9示意性地描繪基於量測資料導出一或多個所關注變數之製程；
圖10A示意性地描繪實例單位胞元、相關聯光瞳表示及相關聯導出之光瞳表示；
圖10B示意性地描繪實例單位胞元、相關聯光瞳表示及相關聯所導出之光瞳表示；
圖10C示意性地描繪包含單位胞元之一或多個實體例項的實例目標；
圖11為示意性地描繪作為所關注參數之值之函數的偵測到之光瞳表示之不對稱分量之度量的預期變化的曲線圖；
圖12描繪描述用於根據一實施例判定所關注參數之值之方法的流程圖；
圖13為示意性地描繪作為在週期性變化之四個象限內的所關注參數之值之函數的偵測到之光瞳表示之對稱分量之第一度量及偵測到之光瞳表示之不對稱分量之第二度量的預期變化的曲線圖；
圖14描繪用於根據一實施例之資料驅動方法之替代的目標取樣方案；
圖15描繪描述用於根據一實施例判定所關注參數之值之模型驅動途徑之第一實例的流程圖；
圖16描繪描述用於根據一實施例判定所關注參數之值之模型驅動途徑之第二實例的流程圖；
圖17描繪描述用於根據一實施例判定所關注參數之值之模型驅動途徑之第三實例的流程圖；及
圖18描繪可實施本發明之實施例之電腦系統。

Claims (15)

  1. 一種判定一基板上之由一圖案化製程形成之一目標之一所關注參數的一值之方法，其包含： 導出一偵測到之光瞳表示之一對稱分量及一不對稱分量，該偵測到之光瞳表示可藉由執行一量測製程獲得，該量測製程包含運用輻射照明該目標且偵測由該目標重導向之輻射， 其中： 該目標類型及該量測製程係使得特性化該對稱分量之一第一度量及特性化該不對稱分量之一第二度量依據該所關注參數遍及該所關注參數之值之一參考範圍非單調地變化；且 該方法包含使用該經導出對稱分量及該經導出不對稱分量之一組合以： 自該所關注參數之複數個候選值識別一正確的值，該複數個候選值歸因於該第一度量之該非單調變化而皆對應於該第一度量之對應於該目標之該經導出對稱分量的一值；或 自該所關注參數之複數個候選值識別一正確的值，該複數個候選值歸因於該第二度量之該非單調變化而皆對應於該第二度量之對應於該目標之該經導出不對稱分量的一值。
  2. 如請求項1之方法，其中該非單調變化至少大致為一週期性變化。
  3. 如請求項2之方法，其中該所關注參數之值之該參考範圍對應於該週期性變化之一個週期。
  4. 如請求項2或3之方法，其中該第一度量之該週期性變化具有與該第二度量之該週期性變化相同的週期。
  5. 如請求項4之方法，其中該第一度量之該週期性變化相對於該第二度量之該週期性變化相移。
  6. 如請求項5之方法，其中該相移為90度。
  7. 如請求項2或3之方法，其中該週期性變化至少大致為正弦的。
  8. 如請求項1至3中任一項之方法，其中： 針對自目標之一對應集合獲得的偵測到之光瞳表示之一集合之每一偵測到之光瞳表示導出該對稱分量及該不對稱分量；且 該識別該所關注參數之該正確的值包含： a) 針對該目標集合中之每一目標導出該對稱分量之該第一度量，且使用該等所得經導出之第一度量及該所關注參數之對應的值以估計該第一度量相對於該參考範圍之一子區中的該所關注參數之該值的一改變速率之至少一正負號； b) 針對該目標集合中之每一目標導出該不對稱分量之該第二度量，且使用該等所得經導出之第二度量及該所關注參數之對應的值以估計該第二度量相對於該參考範圍之該子區中的該所關注參數之該值的一改變速率之至少一正負號； 使用在步驟(a)中判定之該第一度量之該改變速率的該至少一正負號及在步驟(b)中判定之該第二度量之該改變速率的該至少一正負號以識別該子區位於該參考範圍中之何處。
  9. 如請求項8之方法，其包含使用該子區之該經識別部位以自該所關注參數之該複數個候選值識別該正確的值。
  10. 如請求項8之方法，其中： 該非單調變化至少大致為一週期性變化； 該所關注參數之值之該參考範圍對應於具有四個象限的該週期性變化之一個週期；且 該子區之該部位經識別如下： 當該第一度量之該改變速率為正且該第二度量之該改變速率為負時，判定該子區位於該四個象限中之一第一象限中； 當該第一度量之該改變速率為正且該第二度量之該改變速率為正時，判定該子區位於該四個象限中之一第二象限中； 當該第一度量之該改變速率為負且該第二度量之該改變速率為正時，判定該子區位於該四個象限中之一第三象限中；且 當該第一度量之該改變速率為負且該第二度量之該改變速率為負時，判定該子區位於該四個象限中之一第四象限中。
  11. 如請求項10之方法，其中選擇該目標集合中之該等目標使得該所關注參數之該值處於針對該集合中之所有該等目標之該參考範圍的相同象限中。
  12. 如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含： 執行一第一擬合製程複數次，該第一擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出不對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一不對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第一擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始；及 執行一第二擬合製程複數次，該第二擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第二擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始，其中： 該使用該經導出對稱分量及該經導出不對稱分量之該組合以識別該所關注參數之該正確的值包含：使用由不同各別子區中之該第一擬合製程及不同各別子區中之該第二擬合製程中的任一者或兩者所獲得的該等經最小化擬合誤差，以識別該所關注參數之該正確的值所位於之該子區。
  13. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含： a) 執行一第一擬合製程複數次，該第一擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出不對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一不對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第一擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值； b) 選擇該等子區之一子集，該子集中之每一子區為如下一子區：其中由該第一擬合製程獲得之該經最小化擬合誤差低於不在該子集中之所有子區中之由該第一擬合製程獲得的該經最小化擬合誤差； c) 執行一第二擬合製程複數次，該第二擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第二擬合製程之每一執行係以子區之該選定子集之每一子區中由該第一擬合製程之該執行所獲得的該所關注參數之該等擬合值中之一不同擬合值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值；及 d) 識別在步驟(c)中具有該最低最小化之擬合誤差的該所關注參數之該擬合值，作為該所關注參數之該正確的值。
  14. 如請求項13之方法，其中： 該非單調變化至少大致為一週期性變化； 該所關注參數之值之該參考範圍對應於具有四個象限的該週期性變化之一個週期；且 在步驟(a)中執行該第一擬合製程所在的該等子區包含：由該等象限中之一第一象限組成之一第一子區；由該等象限中之一第二象限及該等象限中之一第三象限組成之一第二子區；及由該等象限中之一第四象限組成之一第三子區；且 在步驟(b)中選擇之該等子區之該子集係由該第一子區、該第二子區及該第三子區中之兩者組成。
  15. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含： a) 執行一第二擬合製程複數次，該第二擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第二擬合製程之每一執行係以該參考範圍之複數個子區中之一不同子區中的該所關注參數之一值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值； b) 選擇該等子區之一子集，該子集中之每一子區為如下一子區：其中由該第二擬合製程獲得之該經最小化擬合誤差低於不在該子集中之所有子區中之由該第二擬合製程獲得的該經最小化擬合誤差； c) 執行一第一擬合製程複數次，該第一擬合製程之每一執行包含藉由使用於數學模擬中之該目標之一數學模型的一或多個參數變化而將該偵測到之光瞳表示之該經導出不對稱分量擬合至一數學上模擬之偵測到之光瞳表示的一不對稱分量，直至一擬合誤差得以最小化，該一或多個參數包括該所關注參數，其中該第一擬合製程之每一執行係以子區之該選定子集之每一子區中由該第二擬合製程之該執行所獲得的該所關注參數之該等擬合值中之一不同擬合值起始，且在該擬合誤差最小化時產生該所關注參數之一擬合值； d) 識別在步驟(c)中具有該最低最小化之擬合誤差的該所關注參數之該擬合值，作為該所關注參數之該正確的值。
TW108113323A 2018-04-18 2019-04-17 判定由圖案化製程形成之目標之所關注參數之值的方法 TW201945831A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18168041.4 2018-04-18
EP18168041.4A EP3557327A1 (en) 2018-04-18 2018-04-18 Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201945831A true TW201945831A (zh) 2019-12-01

Family

ID=62025739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108113323A TW201945831A (zh) 2018-04-18 2019-04-17 判定由圖案化製程形成之目標之所關注參數之值的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10585048B2 (zh)
EP (1) EP3557327A1 (zh)
CN (2) CN111989620B (zh)
IL (1) IL277980B2 (zh)
TW (1) TW201945831A (zh)
WO (1) WO2019201697A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021130315A1 (en) * 2019-12-24 2021-07-01 Asml Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
US11487929B2 (en) 2020-04-28 2022-11-01 Kla Corporation Target design process for overlay targets intended for multi-signal measurements

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036459A1 (nl) * 2008-02-13 2009-08-14 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
JP5545782B2 (ja) 2009-07-31 2014-07-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の焦点測定方法、散乱計、リソグラフィシステム、およびリソグラフィセル
EP2470960A1 (en) 2009-08-24 2012-07-04 ASML Netherlands BV Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
WO2012062501A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
US9910366B2 (en) * 2013-08-07 2018-03-06 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2017300A (en) * 2015-08-27 2017-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method
US10546790B2 (en) * 2016-03-01 2020-01-28 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter

Also Published As

Publication number Publication date
US20190323972A1 (en) 2019-10-24
IL277980B1 (en) 2023-03-01
IL277980A (en) 2020-11-30
CN116560196A (zh) 2023-08-08
CN111989620A (zh) 2020-11-24
US10585048B2 (en) 2020-03-10
EP3557327A1 (en) 2019-10-23
CN111989620B (zh) 2023-05-12
IL277980B2 (en) 2023-07-01
WO2019201697A1 (en) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI711891B (zh) 判定關於圖案化製程資訊的方法，減少量測資料中的誤差的方法，校準度量衡製程的方法，選擇度量衡目標的方法
US11506566B2 (en) Method of processing data, method of obtaining calibration data
TWI686677B (zh) 用於判定圖案化製程之參數之方法
TW201940984A (zh) 用於判定敏感度參數之調整之方法與裝置
TWI659257B (zh) 控制圖案化程序之方法、器件製造方法
TW201921149A (zh) 判定圖案化製程參數的方法及設備
TWI691806B (zh) 用於判定一度量衡裝置之一最佳聚焦高度之方法
TWI712870B (zh) 最佳化度量衡製程之方法
US10585048B2 (en) Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
TW201921140A (zh) 判定圖案轉印程序之參數之方法及器件製造方法
CN110582729B (zh) 测量光学量测的性能的方法、衬底和设备
WO2021130315A1 (en) Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process