TW201944216A - 透明導電薄膜降低局部區域阻抗值的方法及其製成品 - Google Patents

Abstract

一種透明導電薄膜降低局部區域阻抗值的方法，包含：提供一透明導電層；在所述透明導電層上界定出至少一局部區域；以及在所述局部區域電性搭接至少一高電性傳導單元，以提升所述局部區域的導電性和降低阻抗值；所述透明導電層的材料選自於金屬氧化物薄膜；所述高電性傳導單元為金屬細導線；所述金屬細導線的線徑在5μm以下。

Description

透明導電薄膜降低局部區域阻抗值的方法及其製成品

本發明涉及透明導電薄膜，尤其是指一種可降低透明導電薄膜的局部區域阻抗值的方法及其製成品。

氧化金屬材質的導電薄膜，例如氧化銦錫(ITO)，由於這種薄膜同時兼具有透光性與導電性，因此常被製成透明導電薄膜，而廣泛被應用於各種透明觸摸屏等光電元件上；然而根據研究ITO透明導電薄膜的透光率與導電度約成反比的關係，即透光率愈高導電率就會較差；例如，當薄膜面電阻率在10Ω/sq以下時，可見光透光率可達80%，但若透光率欲達到90%以上，則面電阻將被提高至100Ω/sq以上，所以傳統的ITO透明導電薄膜在觸摸屏方面的應用，受到了透光率與導電度的雙重因素限制。

目前常見配置在顯示幕前作為輸入裝置使用的透明觸控板，大都使用ITO導電薄膜製成的，藉由在透明ITO薄膜上刻劃出多數的感應電極及其信號導路以形成觸控感應結構，然而，近年來隨著電子產品功能精密化的趨勢，觸控感應器上的觸控感應電極和信號導路的尺寸規格也都越來越細小化，而細小化的ITO感應電極和信號導路將會產生高阻抗值現象，造成傳輸信號的衰減，不利於信號的傳輸，導致在大尺寸觸控板的設計及製程開發上，面臨到難以克服的瓶頸。

本發明之主要目的，在於提供一種透明導電薄膜降低局部區域阻抗值的方法，可在不減損可瞻性的基礎下，使透明導電薄膜的局部區域降低阻抗值，提升傳導性，增益透明導電薄膜在觸控感應器範疇的應用。

為達上述目的，本發明之透明導電薄膜降低局部區域阻抗值的方法，包含：提供一透明導電層；在所述透明導電層上界定出至少一局部區域；以及在所述局部區域電性搭接一高電性傳導單元，據此提升所述局部區域的導電性，達降低所述局部區域的阻抗值之目的。

特別是，所述透明導電層的材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜等，但不限於此；所述金屬氧化物薄膜的材料選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻或聚乙撐二氧噻吩等，但不限於此。

特別是，所述局部區域為觸控感應電極或觸控信號傳導線路等，但不限於此。

特別是，所述高電性傳導單元為金屬細導線或金屬網格(Metal Mesh)等，但不限於此；優選，所述金屬細導線的線徑在25μm以下，更優選，所述金屬細導線的線徑在5μm以下；所述金屬細導線的材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金等，但不限於此。

特別是，所述金屬細導線包含一條或複數條連續性延伸的直線、波浪型曲線、規則的線條或不規則的線條等，但不限於此；所述金屬細導線是由間隔設置的多數線段所組成的。

本發明之次一目的在提供一種具局部區域低阻抗值的透明導電薄膜，在觸控感應器範疇的應用，可降低透明導電薄膜的厚度，節省材料成本，增加透明度，並可提升局部區域的導電性及信號傳導效率，以利於更大尺寸面積的觸控板的設計製作。

為達上述目的，本發明之具局部區域低阻抗值的透明導電薄膜，包含一透明導電層，其具有至少一已界定的局部區域；以及在所述局部區域電性搭接至少一高電性傳導單元，據此降低所述局部區域的阻抗值。

特別是，所述透明導電層的材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜等，但不限於此；所述金屬氧化物薄膜的材料選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻或聚乙撐二氧噻吩等，但不限於此。

特別是，所述局部區域為觸控感應電極或觸控信號傳導線路等，但不限於此。

特別是，所述高電性傳導單元為金屬細導線或金屬網格(Metal Mesh)等，但不限於此；優選，所述金屬細導線的線徑在25μm以下，更優選，所述金屬細導線的線徑在5μm以下；所述金屬細導線的材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金等，但不限於此。

特別是，所述金屬細導線包含一條或複數條連續性延伸的直線、波浪型曲線、規則的線條或不規則的線條等，但不限於此；所述金屬細導線是由間隔設置的多數線段所組成的。

在一實施例中，本發明之具局部低阻抗值的透明導電薄膜被應用製作成一種可降低觸控感應串列面電阻值的透明電容式觸控感應器構造，主要是在觸控感應串列上電性搭接一高電性傳導單元；所述透明電容式觸控感應器構造，包含：一透明的第一感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，所述第一感應層上具有複數第一感應串列，所述第一感應串列由複數第一感應單元順沿第一方向的串列成排而組成，個別的所述第一感應串列的一端頭設一第一搭接點，且在所述第一感應串列上具有一第一高電性傳導線順沿第一方向設置，並電性搭接於所述第一搭接點以及複數所述第一感應單元，所述第一高電性傳導線為一奈米級細線，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金；一透明的第二感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，所述第二感應串列由複數第二感應單元順沿第二方向的串列成排而組成，個別的所述第二感應串列的一端頭設一第二搭接點，且在所述第二感應串列上具有一第二高電性傳導線順沿第二方向設置，並電性搭接於所述第二搭接點以及複數所述第二感應單元，所述第一高電性傳導線為一奈米級細線，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金；一透明絕緣層，被設置在所述第一感應層與所述第二感應層中間，據此將前述二感應層彼此絕緣分隔設置；以及複數所述第一感應串列與複數所述第二感應串列彼此呈交錯設置，使複數所述第一感應單元與複數所述第二感應單元呈互補對應設置，組成一連續格狀的感應單元矩陣。

在一實施例中，本發明之具局部低阻抗值的透明導電薄膜被應用製作成一種同時具有電容式觸控感應器與電磁式觸控感應器雙重功能的複合式透明觸控感應器結構，係藉由在觸控感應串列或天線串列上設置高電性傳導單元以降低其阻抗值，達兼顧高透光率與高信號傳導率之效能；所述複合式透明觸控感應器構造，包含：一透明的第一感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，其具有複數第一電容感應串列以及複數第一電磁天線串列，其中，所述第一電容感應串列由複數第一電容感應單元順沿第一方向的串列成排而組成，所述第一電容感應串列的一端設一第一電容信號搭接點，所述第一電磁天線串列順沿第一方向設置，所述第一電磁天線串列的一端設一第一電磁信號搭接點，而另一端則連接至一第一串聯線，所述第一串聯線串聯複數所述第一電磁天線串列，且在所述第一電容感應串列和所述第一電磁天線串列之上分別電性搭接有順沿第一方向的第一高電性傳導元件，所述第一高電性傳導元件由奈米級微細導線構成，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金；一透明的第二感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，其具有複數第二電容感應串列以及複數第二電磁天線串列，其中，所述第二電容感應串列由複數第二電容感應單元順沿第二方向的串列成排而組成，所述第二電容感應串列的一端設一第二電容信號搭接點，所述第二電磁天線串列順沿第二方向設置，所述第二電磁天線串列的一端設一第二電磁信號搭接點，而另一端則連接至一第二串聯線，所述第二串聯線串聯複數所述第二電磁天線串列，且在所述第二電容感應串列和所述第二電磁天線串列之上分別電性搭接有順沿第二方向的第二高電性傳導元件，所述第二高電性傳導元件由奈米級微細導線構成，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金；一透明絕緣層，其被設置在所述第一感應層與所述第二感應層中間，據此將前述二感應層彼此絕緣分隔設置；以及所述第一方向與所述第二方向彼此呈正交，複數所述第一電容感應串列與複數所述第二電容感應串列彼此呈交錯設置，使複數所述第一電容感應單元與複數所述第二電容感應單元呈互補圖形態樣對應設置，共同組成一連續格狀的電容感應單元矩陣，而複數所述第一電磁天線串列與複數所述第二電磁天線串列彼此呈正交設置，共同組成一連續格狀的電磁天線矩陣；特別是，所述第一電容感應串列與所述第一電磁天線串列彼此呈平行且間隔排列設置，以及所述第二電容感應串列與所述第二電磁天線串列彼此呈平行且間隔排列設置。

在一實施例中，本發明之具局部低阻抗值的透明導電薄膜被應用製作成一種透明交互電容式觸控感應器構造，主要是在可瞻區內的觸控信號導路上電性搭接有高電性傳導單元，藉此降低觸控信號傳輸通路的阻抗值提升觸控信號傳導效率；所述透明交互電容式觸控感應器構造包含：在一透明基底層上設置一透明觸控感應器，所述基底層的中央區域為一可瞻區，並於其四周邊緣區域設有不透光的邊框以形成一遮蔽區，所述觸控感應器是由金屬氧化物薄膜製成，其具有複數感應陣列被設置在所述可瞻區內，個別的所述感應陣列包含一第一感應電極以及複數第二感應電極，且所述第一感應電極和各個所述第二感應電極分別通過一信號導路而電性連接至設在所述遮蔽區內的電接點，其特徵為：在所述信號導路上電性搭接有至少一高電性傳導線，所述高電性傳導元件由奈米級微細導線構成，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金。

本「發明內容」係以簡化形式介紹一些選定概念，在下文之「實施方式」中將進一步對其進行描述。本「發明內容」並非意欲辨識申請專利之標的之關鍵特徵或基本特徵，亦非意欲用於限制申請專利之標的之範圍。

以下列舉本發明之具局部低阻抗值的透明導電薄膜在透明觸控感應器範疇應用的較佳實施例；如圖1至圖5所示之實施例是一種可降低觸控感應串列面電阻值的透明電容式觸控感應器構造，主要是在觸控感應串列上電性搭接一高電性傳導單元(即以下實施例說明中所稱的微細金屬導線)。

該透明電容式觸控感應器構造包含：一基底層10、一X軸向感應層20、一絕緣層30、一Y軸向感應層40以及一覆膜層50。其中，該基底層10為一具有優良機械強度的高透光率玻璃薄板，在基底層10的表面周緣部位設有由絕緣性黑色矩陣材(Black Matrix; BM)製成的顏色邊框11，藉該顏色邊框11以在基底層10上界定出在周緣部位形成框型的遮蔽區11a以及在中央部位的可瞻區11b。

X軸向感應層20設置在前述基板的可瞻區11b內，其包含數條X軸向感應串列(Trace)21，各X軸向感應串列21由多個菱形面狀的感應單元21a順沿X軸方向的串列成排而組成，每一條X軸向感應串列21的一端頭設有一搭接點21b，另在各X軸向感應串列21具有一順沿X軸方向設置的微細金屬導線23，並且電性搭接於前述搭接點21b以及各個感應單元21a；前述搭接點21b可藉由一訊號導線24連接至一信號輸出接點25，其中，該訊號導線24是在遮蔽區11a範圍內順沿基底層10邊緣而設置，該訊號導線24的前、後二端分別電性連接前述搭接點21b與信號輸出接點25。

Y軸向感應層40設置在前述基板的可瞻區11b內，其包含數條Y軸向感應串列41，各Y軸向感應串列41由多個菱形面狀的感應單元41a順沿Y軸方向的串列成排而組成，每一條Y軸向感應串列41的一端頭設有一搭接點41b，另在各Y軸向感應串列41具有一順沿Y軸方向設置的微細金屬導線43，並且電性搭接於前述搭接點41b以及各個感應單元41a；前述搭接點41b可藉由一訊號導線44連接至一信號輸出接點45，其中，該訊號導線44是在遮蔽區11a範圍內順沿基底層10邊緣而設置，該訊號導線44的前、後二端分別電性連接前述搭接點41b與信號輸出接點45。

前述信號輸出接點25、45可與一訊號排線(未圖示)電性搭接，以將觸控信號傳送至一信號處理電路(未圖示)進行運算。

前述X軸向感應層20以及Y軸向感應層40是由透明的導電薄膜製作而成，其材質係選用金屬氧化物薄膜，例如是氧化銦錫(ITO)；另，前述微細金屬導線23、43是採用高電性傳導、低阻抗的材料，例如是銅線，由於該等微細金屬導線23、43的金屬材質較X、Y軸向感應層20、40的金屬氧化物薄膜具有更低的阻抗值，因此將該微細金屬導線23、43電性搭接該等X、Y軸向感應串列21、41上將產生具有提升觸控信號傳輸的效果，可有效降低由各個感應單元21a、41a到搭接點21b、41b之間的阻抗值，減少觸控信號在傳輸過程的衰減率，且前述微細金屬線23、43的線徑被設定在5μm以下，這種奈米級的金屬線即使它是非透明材料也不是人眼目視力所能區辨，所以適合將它被佈設在可瞻區11內使用，不會減損整體透明觸控感應器的可瞻性。

前述X軸向感應層20以及Y軸向感應層40之間藉由透明絕緣層30將彼此絕緣分隔設置，並使該二感應層上的感應單元21a、41a呈互補對應設置，組成一菱形網格狀的感應單元矩陣；該透明絕緣層30為材料可為固態的光學膠膜(OCA)或液態的光學樹脂(OCR)之一，藉此可將前述二感應層20、40絕緣分隔之外，同時兼具將二者黏合成一體的功能。

該覆膜層50被組合在透明導電膜感應層40外表面上，提供保護該感應層上的線路；覆膜層50為高透光率的絕緣薄膜，例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碸(PSF)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、乙烯基系列樹脂以及三乙烯基纖維素(TAC)等，但不限定於此。

根據上述說明可知，本實施例藉由將微細金屬導線23、43搭接在X、Y軸向感應串列21、41的手段，來降低觸控信號傳輸通路的阻抗值，如此不但可提升觸控信號傳輸品質而有利於更大尺寸面積的觸控板的設計製作，也亦可減少作為觸控感應層的導電薄膜的厚度，從而既可節省材料成本更可提升觸控感應層的透光度；又，該微細金屬線23、43的線徑為奈米級的金屬線，客觀上已非一般目視力所能區辨，且其設置的分布比率占整體面積0.3%以下，遮蔽透光的比率極低，甚至微乎其微，整體觸控感應層的絕大部分面積皆為可透光的鏤空區域，具有極佳透光性，因此將該等微細金屬線布設在感應串列上，既可大幅降低感應串列的阻抗值、提升信號傳輸效率，對其可瞻性影響卻是微乎其微，可謂具有一舉數得的優點。

前面實施例作為舉例說明的該等微細金屬導線23、43為一連續性延伸的直線(參閱圖3)，但因透明觸控板通常被配置在液晶螢幕前使用，這種直線設置的微細金屬導線有可能產生干涉紋(Moire)，影響畫面顯示品質；因此本創作在實際的應用方面，該微細金屬導線也可以採用波浪型曲線(如圖6所示)、金屬網格或是其他規則、不規則連續性延伸線條的型態設置，據此將可減低光學干涉的問題。此外，在圖7之中該微細金屬導線43是由間隔設置的多數線段43a所組成，據此可依設計上的需求而彈性地調設被該微細金屬導線搭接的該感應串列的阻抗值，來調整因應信號處理電路所需設定的要求，而前述線段狀的型態設置亦有減低光學干涉問題的效果，以及提升可瞻性的優點。於其他可行方案中，亦可由複數微細金屬導線43且彼此呈平行狀地設置(如圖8所示)，據此確保高效率的信號傳輸性能。

再者，如圖9至圖13所示之另一實施例是一種同時具有電容式觸控感應器與電磁式觸控感應器雙重功能的複合式透明觸控感應器結構，係藉由在觸控感應串列或天線串列上設置高電性傳導單元(即以下實施例說明中所稱的微細金屬導線)以降低其阻抗值，達兼顧高透光率與高信號傳導率之效能。

該複合式透明觸控感應器結構包含：一基底層10、一X軸向感應層60、一絕緣層30、一Y軸向感應層70以及一覆膜層50；其中，該基底層10為一具有優良機械強度的高透光率玻璃薄板，在基底層10的表面周緣部位設有由絕緣性黑色矩陣材製成的顏色邊框11，藉該顏色邊框11以在基底層10上界定出在周緣部位形成框型的遮蔽區11a以及在中央部位的可瞻區11b。

X軸向感應層60設置在前述基板的可瞻區11b內，其包含數條X軸電容感應串列61以及X軸電磁天線串列66，X軸電容感應串列61和X軸電磁天線串列66彼此呈平行且間隔排列而設置，其中，各別X軸電容感應串列21由多個類菱形面狀的電容感應單元61a順沿X軸方向的串列成排而組成，每一條X軸電容感應串列61的一端設有一電容信號搭接點61b，另在各X軸電容感應串列61具有一順沿X軸方向設置的微細金屬導線63，並且電性搭接於前述電容信號搭接點61b以及各個電容感應單元61a；各別X軸電磁天線串列66是順沿X軸方向而設置，每一條X軸電磁天線串列66的一端設有一電磁信號搭接點67，而另一端則連接至一串聯線68，該串聯線68將該等X軸電磁天線串列66彼此串聯，另在各X軸電磁天線串列66上設有一順沿X軸方向設置的微細金屬導線69，並且電性搭接至前述電磁信號搭接點67以及串聯線68上。

Y軸向感應層40設置在前述基板的可瞻區11b內，其包含數條Y軸電容感應串列71以及Y軸電磁天線串列76，Y軸電容感應串列71和Y軸電磁天線串列76彼此呈平行且間隔排列而設置，其中，各別Y軸電容感應串列71由多個類菱形面狀的電容感應單元71a順沿Y軸方向的串列成排而組成，每一條Y軸電容感應串列71的一端設有一電容信號搭接點71b，另在各Y軸電容感應串列71具有一順沿Y軸方向設置的微細金屬導線73，並且電性搭接於前述電容信號搭接點71b以及各個電容感應單元71a；各別Y軸電磁天線串列76是順沿Y軸方向而設置，每一條Y軸電磁天線串列76的一端設有一電磁信號搭接點77，而另一端則連接至一串聯線78，該串聯線78將該等Y軸電磁天線串列76彼此串聯，另在各Y軸電磁天線串列76上設有一順沿Y軸方向設置的微細金屬導線79，並且電性搭接至前述電磁信號搭接點77以及串聯線78上。

前述X、Y軸向感應層60、70上的電容信號搭接點61b、71b以及電磁信號搭接點67、77皆設置在遮蔽區11a範圍內，它們可分別藉由訊號導線65、75連接將觸控信號傳送至一信號處理電路(未圖示)進行運算。

前述X軸向感應層60以及Y軸向感應層70是由透明的導電薄膜製作而成，其材質係選用金屬氧化物薄膜，例如是氧化銦錫(ITO)；另，前述微細金屬導線63、69、73、79是採用高電性傳導、低阻抗的材料，例如是銅線，由於該等微細金屬導線63、69、73、79的金屬材質較X、Y軸向感應層60、70的金屬氧化物薄膜具有更低的阻抗值，因此將該等微細金屬導線63、73電性搭接該等X、Y軸電容感應串列61、71以及將該等微細金屬導線69、79電性搭接該等X、Y軸電磁天線串列66、76上將可提升觸控信號傳輸的效果，從而有效降低由各個電容感應串列61、71或電磁天線串列66、76到其搭接點61b、71b、67、77之間的阻抗值，減少觸控信號在傳輸過程的衰減率，且前述微細金屬線63、73的線徑被設定在5μm以下，而這種奈米級的金屬線即使是非透明材料也不是人眼目視力所能區辨，所以適合將它被佈設在可瞻區11內使用，不會減損整體透明觸控感應器的可瞻性。

前述X軸向感應層60以及Y軸向感應層70之間藉由透明絕緣層30將彼此絕緣分隔設置。該二感應層上的X、Y軸電容感應串列61、71彼此呈正交，使電容感應單元61a、71a呈互補圖形態樣對應設置，共同組成一菱形網格狀的電容感應單元矩陣，而該等X、Y軸電磁天線串列66、76亦彼此呈正交設置，共同組成一矩形網格狀的電磁天線矩陣。該透明絕緣層30為材料可為固態的光學膠膜(OCA)或液態的光學樹脂(OCR)之一，藉此可將前述二感應層60、70絕緣分隔之外，同時兼具將二者黏合成一體的功能。

另外，該覆膜層50被組合在透明導電膜感應層40外表面上，提供保護該感應層上的線路；覆膜層50為高透光率的絕緣薄膜。

根據上述說明可知，本實施例以透明導電層為基材，並藉由將微細金屬導線63、69、73、79搭接在X、Y軸電容感應串列61、71以及X、Y軸電磁天線串列66、76的手段，來降低觸控信號傳輸通路的阻抗值，使電磁式觸控感應器得以與電容式觸控感應器整合一起，形成一種可配置於螢幕前方使用且具備雙重觸控功能的透明觸控感應器結構，此外，提升觸控信號傳輸品質將有利於更大尺寸面積的觸控板的設計製作，也亦可減少作為觸控感應層的導電薄膜的厚度，從而既可節省材料成本更可提升觸控感應層的透光度；又，該微細金屬線63、69、73、79的線徑為奈米級的金屬線，客觀上已非一般目視力所能區辨，且其設置的分布比率占整體面積0.3%以下，遮蔽透光的比率極低，甚至微乎其微，整體觸控感應層的絕大部分面積皆為可透光的鏤空區域，具有極佳透光性，因此將該等微細金屬線布設在感應串列上，既可大幅降低感應串列的阻抗值、提升信號傳輸效率，對其可瞻性影響卻是微乎其微，再者，由於本創作是在導電薄膜上電性搭接微細金屬導線，因此即便是所搭接的微細金屬導線產生斷線或連線不良的狀況，但藉由該導電薄膜本身所具備導電性能，所以仍可維持良好的信號傳輸效率，可確保高良率的產品製造品質。

又，如同前一實施例的說明，該等微細金屬導線63、69、73、79，除了可以是一連續性延伸的直線之外，亦可選用波浪型曲線、其他規則或不規則連續性延伸線條，在其他可行方案中，該等微細金屬導線亦可由間隔設置的多數線段所組成，或是由複數微細金屬導線且彼此呈平行狀地設置。

再者，如圖14至圖15所示之再一實施例是一種透明交互電容式觸控感應器構造，主要是在可瞻區內的觸控信號導路上電性搭接有高電性傳導單元(即以下實施例說明中所稱的微細金屬導線)，藉此降低觸控信號傳輸通路的阻抗值提升觸控信號傳導效率。

該透明交互電容式觸控感應器構造包含一基底層10，在基底層10周緣部位設有顏色邊框11，將基底層10劃分出遮蔽區11a及可瞻區11b；在前述可瞻區11b內設有複數排的感應陣列81。感應陣列81由一感應電極82及多數的驅動電極83共同組成，感應電極82與驅動電極83彼此呈互補圖案對應設置，感應電極82與各個驅動電極83分別通過一信號導路84而電性連接至設在所述框型遮蔽區11b內的電接點85，且在該等信號導路84上分別電性搭接一微細金屬導線89，使該微細金屬導線89的一端電性搭接至前述電接點85，而另一端搭接至感應電極82或是驅動電極83上；該微細金屬導線89電性搭接該信號導路84上，可有效降低由感應電極82、驅動電極83到電接點85之間的阻抗值，減少觸控信號在傳輸過程的衰減率，且前述微細金屬線89的線徑被設定在5μm以下，這種奈米級的金屬線即使是非透明材料也不是人眼目視力所能區辨，所以適合將它被佈設在可瞻區11b內使用，不會減損其可瞻性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技術者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之發明申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧基底層

11‧‧‧顏色邊框

11a‧‧‧遮蔽區

11b‧‧‧可瞻區

20‧‧‧X軸向感應層

21‧‧‧X軸向感應串列

21a‧‧‧感應單元

21b‧‧‧搭接點

23‧‧‧微細金屬導線

24‧‧‧訊號導線

25‧‧‧信號輸出接點

30‧‧‧透明絕緣層

40‧‧‧Y軸向感應層

41‧‧‧Y軸向感應串列

41a‧‧‧感應單元

41b‧‧‧搭接點

43‧‧‧微細金屬導線

43a‧‧‧線段

44‧‧‧訊號導線

45‧‧‧信號輸出接點

50‧‧‧覆膜層

60‧‧‧X軸向感應層

61‧‧‧X軸電容感應串列

61a‧‧‧電容感應單元

61b‧‧‧電容信號搭接點

63‧‧‧微細金屬導線

65‧‧‧訊號導線

66‧‧‧X軸電磁天線串列

67‧‧‧電磁信號搭接點

68‧‧‧串聯線

69‧‧‧微細金屬導線

70‧‧‧Y軸向感應層

71‧‧‧Y軸電容感應串列

71a‧‧‧電容感應單元

71b‧‧‧電容信號搭接點

73‧‧‧微細金屬導線

73a、79a‧‧‧波浪型曲線

73b、79b‧‧‧線段

75‧‧‧訊號導線

76‧‧‧Y軸電磁天線串列

77‧‧‧電磁信號搭接點

78‧‧‧串聯線

79‧‧‧微細金屬導線

81‧‧‧感應陣列

82‧‧‧感應電極

83‧‧‧驅動電極

84‧‧‧信號導路

85‧‧‧電接點

89‧‧‧微細金屬導線

圖1為第一實施例之觸控板的疊層架構簡示圖。 圖2為第一實施例之觸控板的正面視圖。 圖3為第一實施例之觸控板的背面視圖。 圖4為第一實施例之X軸向感應層的平面圖。 圖5為第一實施例之Y軸向感應層的平面圖。 圖6為第一實施例之另一種Y軸向感應層的平面圖，描述在感應串列上搭接有曲線狀的微細金屬導線。 圖7為第一實施例之另一種Y軸向感應層的平面圖，描述在感應串列上搭接有呈多數間隔線段設置的微細金屬導線。 圖8為第一實施例之另一種Y軸向感應層的平面圖，描述在感應串列上搭接有多條彼此呈平行狀設置的微細金屬導線。 圖9為第二實施例之觸控板的疊層架構簡示圖。 圖10為第二實施例之觸控板的正面視圖。 圖11為第二實施例之觸控板的背面視圖。 圖12為第二實施例之X軸向感應層的平面圖。 圖13為第二實施例之Y軸向感應層的平面圖。 圖14為第三實施例之觸控感應電路佈局示意的平面圖。 圖15為第三實施例之感應陣列構造的放大示意圖，描述在信號導路上搭接有微細金屬導線。

Claims (22)

1. 一種透明導電薄膜降低局部區域阻抗值的方法，包含： 提供一透明導電層； 在所述透明導電層上界定出至少一局部區域；以及 在所述局部區域電性搭接至少一高電性傳導單元，以提升所述局部區域的導電性，降低所述局部區域的阻抗值。
2. 如請求項1所述的方法，其中，所述透明導電層的材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜之一。
3. 如請求項2所述的方法，其中，所述金屬氧化物薄膜的材料選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻或聚乙撐二氧噻吩之一。
4. 如請求項1所述的方法，其中，所述局部區域為觸控感應電極或觸控信號傳導線路。
5. 如請求項1所述的方法，其中，所述高電性傳導單元為金屬細導線或金屬網格。
6. 如請求項5所述的方法，其中，所述金屬細導線材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金之一。
7. 如請求項5所述的方法，其中，所述金屬細導線的線徑在5μm以下。
8. 如請求項5所述的方法，其中，所述金屬細導線包含一條或複數條連續性延伸的直線、波浪型曲線、規則的線條或不規則的線條。
9. 如請求項5所述的方法，其中，所述金屬細導線是由間隔設置的多數線段所組成的。
10. 一種具局部區域低阻抗值的透明導電薄膜，包含： 一透明導電層，其具有至少一已界定的局部區域；以及 在所述局部區域電性搭接至少一高電性傳導單元，以降低所述局部區域的阻抗值。
11. 如請求項1所述的透明導電薄膜，其中，所述透明導電層的材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜之一。
12. 如請求項11所述的透明導電薄膜，其中，所述金屬氧化物薄膜的材料選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻或聚乙撐二氧噻吩之一。
13. 如請求項1所述的透明導電薄膜，其中，所述局部區域為觸控感應電極或觸控信號傳導線路。
14. 如請求項1所述的透明導電薄膜，其中，所述高電性傳導單元為金屬細導線或金屬網格。
15. 如請求項14所述的透明導電薄膜，其中，所述金屬細導線材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金之一。
16. 如請求項14所述的透明導電薄膜，其中，所述金屬細導線的線徑在5μm以下。
17. 如請求項14所述的透明導電薄膜，其中，所述金屬細導線包含一條或複數條連續性延伸的直線、波浪型曲線、規則的線條或不規則的線條。
18. 如請求項14所述的透明導電薄膜，其中，所述金屬細導線是由間隔設置的多數線段所組成的。
19. 一種透明電容式觸控感應器構造，包含： 一透明的第一感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，所述第一感應層上具有複數第一感應串列，所述第一感應串列由複數第一感應單元順沿第一方向的串列成排而組成，個別的所述第一感應串列的一端頭設一第一搭接點，且在所述第一感應串列上具有一第一高電性傳導線順沿第一方向設置，並電性搭接於所述第一搭接點以及複數所述第一感應單元，所述第一高電性傳導線為一奈米級細線，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金； 一透明的第二感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，所述第二感應串列由複數第二感應單元順沿第二方向的串列成排而組成，個別的所述第二感應串列的一端頭設一第二搭接點，且在所述第二感應串列上具有一第二高電性傳導線順沿第二方向設置，並電性搭接於所述第二搭接點以及複數所述第二感應單元，所述第一高電性傳導線為一奈米級細線，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金； 一透明絕緣層，被設置在所述第一感應層與所述第二感應層中間，據此將前述二感應層彼此絕緣分隔設置；以及 複數所述第一感應串列與複數所述第二感應串列彼此呈交錯設置，使複數所述第一感應單元與複數所述第二感應單元呈互補對應設置，組成一連續格狀的感應單元矩陣。
20. 一種複合式透明觸控感應器構造，包含： 一透明的第一感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，其具有複數第一電容感應串列以及複數第一電磁天線串列，其中，所述第一電容感應串列由複數第一電容感應單元順沿第一方向的串列成排而組成，所述第一電容感應串列的一端設一第一電容信號搭接點，所述第一電磁天線串列順沿第一方向設置，所述第一電磁天線串列的一端設一第一電磁信號搭接點，而另一端則連接至一第一串聯線，所述第一串聯線串聯複數所述第一電磁天線串列，且在所述第一電容感應串列和所述第一電磁天線串列之上分別電性搭接有順沿第一方向的第一高電性傳導元件，所述第一高電性傳導元件由奈米級微細導線構成，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金； 一透明的第二感應層，其材料選自於金屬氧化物薄膜或石墨烯薄膜，其具有複數第二電容感應串列以及複數第二電磁天線串列，其中，所述第二電容感應串列由複數第二電容感應單元順沿第二方向的串列成排而組成，所述第二電容感應串列的一端設一第二電容信號搭接點，所述第二電磁天線串列順沿第二方向設置，所述第二電磁天線串列的一端設一第二電磁信號搭接點，而另一端則連接至一第二串聯線，所述第二串聯線串聯複數所述第二電磁天線串列，且在所述第二電容感應串列和所述第二電磁天線串列之上分別電性搭接有順沿第二方向的第二高電性傳導元件，所述第二高電性傳導元件由奈米級微細導線構成，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金； 一透明絕緣層，其被設置在所述第一感應層與所述第二感應層中間，據此將前述二感應層彼此絕緣分隔設置；以及 所述第一方向與所述第二方向彼此呈正交，複數所述第一電容感應串列與複數所述第二電容感應串列彼此呈交錯設置，使複數所述第一電容感應單元與複數所述第二電容感應單元呈互補圖形態樣對應設置，共同組成一連續格狀的電容感應單元矩陣，而複數所述第一電磁天線串列與複數所述第二電磁天線串列彼此呈正交設置，共同組成一連續格狀的電磁天線矩陣。
21. 如請求項20所述的複合式透明觸控感應器構造，其中，所述第一電容感應串列與所述第一電磁天線串列彼此呈平行且間隔排列設置，以及所述第二電容感應串列與所述第二電磁天線串列彼此呈平行且間隔排列設置。
22. 一種透明交互電容式觸控感應器構造，包含在一透明基底層上設置一透明觸控感應器，所述基底層的中央區域為一可瞻區，並於其四周邊緣區域設有不透光的邊框以形成一遮蔽區，所述觸控感應器是由金屬氧化物薄膜製成，其具有複數感應陣列被設置在所述可瞻區內，個別的所述感應陣列包含一第一感應電極以及複數第二感應電極，且所述第一感應電極和各個所述第二感應電極分別通過一信號導路而電性連接至設在所述遮蔽區內的電接點，其特徵為：在所述信號導路上電性搭接有至少一高電性傳導線，所述高電性傳導元件由奈米級微細導線構成，且其材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金。