TW201933378A - 具有用於減小微裂痕及其影響之特徵的屏蔽膠帶 - Google Patents

Abstract

在一電子電纜中，一種屏蔽膠帶防止及減小微裂痕之產生及傳播及其有害影響。在一些實施例中，該屏蔽膠帶具有定向成相對於彼此之一非零橫向關係或已處理為具有非零定向之層。其他實施例包含微裂痕傳播減小構件，諸如穿孔、脊、方格及凹窩。在一些實施例中，用一導電彈性黏合劑將該屏蔽膠帶之該等層彼此接合。在其他實施例中，該屏蔽膠帶包覆一電纜之介電質且形成一重疊間隙，由一導電彈性黏合劑填充該重疊間隙。

Description

具有用於減小微裂痕及其影響之特徵的屏蔽膠帶

本發明大體上係關於電子裝置，且更特定言之係關於在各種電纜通信產品(包含同軸電纜、HDMI電纜、電力線、乙太網路電纜及其他電子電纜及裝置)中使用之屏蔽膠帶。

在家庭及企業中及周圍使用之電子裝置及組件產生進入雜訊，從而影響透過附近同軸電纜傳輸之射頻(「RF」)信號。進入雜訊可由製造或安裝缺陷、各種電子裝置或組件或電子電纜中之瑕疵及較差或不充分屏蔽引起。隨著電子裝置之不斷增長，過去可能已經足夠之習知屏蔽變得愈來愈低效。5G頻帶中之通信產生尤其隱蔽之雜訊問題。進入雜訊已變為影響電視、語音、安全及寬頻帶服務中之信號品質之一嚴重問題。

在各種電子電纜及裝置中使用屏蔽來減小可影響透過電纜或其他裝置行進之一RF信號之外部電干擾或雜訊。屏蔽亦有助於防止信號從電纜或其他裝置輻射且接著干擾其他裝置。

習知地，一種類型之屏蔽包含鋁或其他屏蔽材料(諸如銀、銅或Mu金屬)之兩個或三個屏蔽層，其中一層壓總成之各屏蔽層由一分離層(諸如塑膠，例如聚對苯二甲酸乙二酯(「PET」)或聚烯烴，諸如聚丙烯(「PP」))分離。組合屏蔽材料層與分離層之此類型之屏蔽通常被稱為「箔」、「層壓膠帶」、「屏蔽膠帶」、「屏蔽積層膠帶」、「層壓屏蔽膠帶」(LST)及其等之組合或變化。在一些電纜(諸如同軸電纜)中，在電纜中採用屏蔽膠帶之多個層(其等之各者具有一或多個屏蔽層)。例如，「三重屏蔽」電纜包含由一編織物包圍之一內箔，該編織物繼而由一外箔包圍。「四重屏蔽」電纜包含由一內編織物包圍之一內箔，該內編織物繼而由一外箔包圍，該外箔繼而由一外編織物包圍。

屏蔽膠帶之多個層雖然提供較佳屏蔽效能，但亦增加生產電纜之成本及複雜性。隨時間過去，具有僅一個或兩個屏蔽層之習知屏蔽膠帶易於在電纜彎曲及撓曲時形成微裂痕或微裂紋。圖1A及圖1B中展示此等微裂痕。在一同軸電纜之製程期間，亦可藉由施加熱及應力至屏蔽膠帶而引起微裂痕，此係因為膠帶接合至電纜之內組件(諸如介電質材料)或應用於其等上方。此等微裂痕及微裂紋將容許RF信號進入及外出。需要減小微裂痕及微裂紋之形成之一方式或減小其等影響之一方式。

在一電子電纜中，一種屏蔽膠帶防止及減小微裂痕之產生及傳播及其有害影響。在一些實施例中，該屏蔽膠帶具有定向成相對於彼此之一非零橫向關係或已處理為具有非零定向之層。其他實施例包含微裂痕傳播減小構件，諸如穿孔、脊、方格(waffling)及凹窩(dimpling)。在一些實施例中，用一導電彈性黏合劑將該屏蔽膠帶之該等層彼此接合。在其他實施例中，該屏蔽膠帶包覆一電纜之介電質且形成一重疊間隙，由一導電或彈性黏合劑填充該重疊間隙。

上文為讀者提供下文論述之一些實施例之一非常簡潔發明內容。進行簡化及省略，且發明內容不旨在以任何方式限制或定義本發明之範疇或其之關鍵態樣。實情係，此簡潔發明內容僅為讀者介紹本發明之一些態樣以為以下實施方式做準備。

相關申請案之交叉參考

本申請案主張2018年1月25日申請之美國臨時申請案第62/621,901號之權利且其亦主張2018年1月25日申請之美國臨時申請案第62/621,905號之權利，該兩案以引用的方式併入本文中。

現在參考圖式，其中遍及不同圖使用相同元件符號以指示相同元件。圖1A及圖1B係展示穿透一屏蔽膠帶形成之微裂痕10之光學顯微鏡照片。此等微裂痕10係長形的，長於其等寬度。諸如此等之微裂痕容許RF信號進入及外出。

圖2A繪示習知層壓膠帶建構技術，其等可導致此等微裂痕10之產生。圖2A展示兩個層壓膠帶層11及12。層11係一內層且層12係一外層；外層12包圍內層11。但一般技術者應理解，此處出於背景內容之目的論述習知同軸電纜建構之論述。此論述並不意謂將整個本發明限於同軸電纜；實際上，本發明應用於其他類型之適合電子電纜及電線。一般言之，大多數習知同軸電纜具有由一圓柱形介電質包圍之一中心導體。接著由屏蔽膠帶圍繞介電質，該屏蔽膠帶可包含一箔層、一層壓屏蔽膠帶層、一編織層或其等之一組合。最終，一絕緣套管(通常係一PVC套管)包圍整個總成。

層11及12係此一習知同軸電纜中之屏蔽膠帶之兩個層。在此等層11及12之製程期間，層11及12之金屬之滾軋及拉伸導致一大體上縱向晶體定向。若隨後在層11及12中產生微裂痕，則此等微裂痕傾向於同樣縱向地定向。將層11及12包覆至電纜上可產生或擴大微裂痕。圖2A展示形成於層11及12中之兩組微裂痕13及14。

頻繁地，微裂痕傳播通過一屏蔽膠帶之組件。此係圖2A中已發生之情況；可見微裂痕13及14彼此配準。當電纜內之中心導體產生外出雜訊(遍及此等圖由元件符號N指示)時，雜訊N可行進通過內層11中之微裂痕13。然而，當兩個層11及12中之微裂痕13及14彼此配準時，雜訊N將不僅行進通過層11，而且通過層12，藉此傳輸至電纜外部。應注意，雖然圖式大體上將外出雜訊N展示為從電纜向外延伸之一組箭頭線，但微裂痕亦易受進入雜訊影響。此處未特別論述或展示進入雜訊，但一般技術者將瞭解，關於透過微裂痕之傳輸，其行為類似於外出雜訊N。

圖1C繪示用屏蔽膠帶建構之一同軸電纜110，該屏蔽膠帶防止及減小微裂痕之形成及傳播且亦防止及減小透過此等微裂痕之RF信號進入及外出之有害影響。電纜110具有一中心導體111、包圍導體111之一絕緣介電質112、具有此等減小特徵之一屏蔽膠帶113、圍繞屏蔽膠帶113之一撓性編織物114及包圍全部組件之一絕緣套管115。

下文建構方法、特徵、技術及結構應用於屏蔽膠帶113，減小微裂痕形成及傳播，且亦最小化RF信號進入及外出。一般言之，描述改良屏蔽膠帶，其等減小通常由電纜及其他裝置之彎曲及撓曲所導致之微裂痕及微撕裂之發生、擴大及傳播。此不僅減小信號外出或進入，而且改良屏蔽膠帶之撓曲壽命，維持電連續性，且最小化電纜或其他裝置隨時間過去之效能降級。此外，可消除外屏蔽結構(諸如編織物)，藉此消除在將一連接器附接至電纜時移除此等結構的需要，且消除與分離且干擾連接器附接之外屏蔽結構相關聯之問題。

圖2B繪示防止在用於屏蔽之屏蔽膠帶中產生配準微裂痕及/或減小微裂痕之發生且最小化微裂痕之尺寸之一建構技術。用兩個單獨金屬層20及21建構圖2B中展示之屏蔽膠帶，其中由一表面處理(諸如拋光)至少部分偏壓鄰接鋁層之一或多者之鋁晶體定向的一些。此處簡要提及，由於鋁係屏蔽箔之一常見材料選擇，所以「鋁積層」有時在此描述中用於識別屏蔽膠帶。

圖2B展示分別形成於層20及21中之微裂痕22及23。如可見，微裂痕22及23相對於彼此橫向地定向。此係因為已以不同方式拋光層20及21。拋光係藉由重複地滑動與層20及21相切地接觸之一硬物件而在某一方向上摩擦或平滑化層20及21之程序。隨著拋光繼續，層20及21中之晶體本身一致地定向。此有助於確保若產生一微裂痕，則其將沿晶體之定向產生。換言之，當晶體已獲得一致定向時，微裂痕傾向於沿該特定定向形成。

在一第一方向上拋光內層20從而將晶體配置成一第一定向(在頁面上水平)，且在一第二方向上拋光外層21從而將晶體配置成一第二定向(在頁面上垂直)。圖2B將第一定向及第二定向大體上展示為彼此垂直之微裂痕22及23之方向。雖然一垂直定向可為較佳的，但任何非零橫向關係係適合的。當在製造期間將金屬層20及21彼此結合(較佳地其間具有積層)以形成應用於電纜之屏蔽膠帶時，微裂痕22及23經偏移；其等具有相對於彼此之一非零橫向定向。因此，縱向撕裂較不可能彼此配準或靠近，且因此更可能僅形成穿透屏蔽膠帶之小孔而非長撕裂。換言之，相鄰層20及21中之重疊微裂痕22及23形成小孔而非撕裂，且小孔與長撕裂相比容許發射更少RF外出雜訊N。

雖然圖2B中展示之建構技術未必減小微裂痕之發生，但其確實藉由以一偏移方式定向微裂痕而減小外出雜訊N之傳輸。因此最小化透過微裂痕22及23之RF進入及外出，且維持屏蔽有效性，儘管個別層20及21中存在微裂痕22及23。

圖3繪示另一屏蔽膠帶建構技術。屏蔽膠帶之兩個金屬層30及31各具有相對端32及33以及相對側34及35。其等亦具有一類似鋁晶體定向，即，在側34與35之間。藉由拋光或一些其他技術產生此晶體定向。採用鋁晶體之已知一致定向以減小外出雜訊N傳輸。在結合金屬層30及31以形成屏蔽膠帶之前，使層30或31之一者相對於另一者旋轉。圖3B展示偏移且大體上垂直於內層30之外層31。雖然一垂直偏移定向可為較佳的，但任何非零橫向關係係適合的。接著結合層30及31。

藉由使層30及31相對於彼此橫向地偏移或定向，最小化來自微裂痕之屏蔽損失。雖然微裂痕36及37可彼此重疊，但其等並不配準，且因此其等可僅形成小孔而非長撕裂。層壓兩個或兩個以上此等層30及31 (其等之一者已在層壓之前按多達且包含九十度之任何非零角實體地偏移)最小化可透過其發生任何RF進入或外出之開口之尺寸且藉此減小透過鋁層之一微裂痕之RF信號進入或外出之可能性。

在另一方法中，屏蔽膠帶之各層在層壓之前退火。在適當退火程序下，減小鋁晶體粒度且隨機化晶體之定向。若隨後在存在較小晶粒及隨機化晶體定向的情況下發生微裂痕，則此等微裂痕較不可能與一鄰接層中之一微裂痕平行或相連。因此，任何進入或外出雜訊必須穿透之一通道(若存在任何此通道)之大小將大幅減小。藉此保護對RF信號進入或外出之屏蔽。

習知地，用一非彈性黏合劑將屏蔽膠帶40之組件彼此結合，如圖4A中展示。當將一應力(諸如一剪切應力41)施加於屏蔽膠帶40上時，將在層之一者或兩者中產生微裂痕42，且外出雜訊N將透過此等微裂痕42傳輸。

圖4C及圖4D展示一屏蔽膠帶之三個層壓層50、51及52，其中一黏合劑53安置於其間。黏合劑53具有彈性性質且因此容許撓曲而不因此在層50、51或52中形成微裂痕。黏合劑53之彈性減小由彎曲或撓曲引起之應力從一個層至另一層之傳輸，藉此減小產生一微裂痕之可能性。但，若此一微裂痕確實在一個鋁層中發生(儘管接合黏合劑具有彈性)，則平行或相連微裂痕將在鄰接層中傳播或產生之可能性較小，且一個層中存在之任何微裂痕將被相鄰層之一未受損片段覆蓋或相鄰於該未受損片段之一可能性較大。

跨各層50、51及52之整個表面施加黏合劑53，使得跨整個毗鄰表面進行兩個相鄰層之間的接合。以此方式建構屏蔽膠帶且接著將其包覆電纜。雖然圖4D確實繪示三個層50、51及52，但應注意，可取決於諸如效能規格、設計限制及製造商預算之因素而使用更大或更小數目個層。

圖4E及圖4F展示彈性接合之一替代實施例。此處，屏蔽膠帶仍由三個層50、51及52建構，但以不同方式施加黏合劑53。層50、51及52各具有相對端54及55以及相對側56及57。黏合劑53僅沿側56及57施加而非跨層之一整個面施加。側56與57之間不施加黏合劑53。在一些實施例中，沿相對端55及56施加黏合劑53。

在涉及同軸電纜之應用中，屏蔽膠帶通常製造為長條，因此在此特定應用中，較佳地僅沿層50、51及52之縱向側56及57施加接合黏合劑。層50、51及52在側56與57之間的未接合區段之撓性提供減小在層50、51及52中產生微裂痕之可能性之應力消除之一量度。圖4E及圖4F展示僅沿層50、51及52之側56及57施加接合黏合劑。當施加剪切應力41時，並不產生微裂痕。在一些應用中，黏合劑放置之其他型樣可為適合或較佳的。

上文建構技術減小微裂痕發生及傳播之影響。其他建構技術直接減小微裂痕之發生及傳播。此等微裂痕傳播減小構件或特徵形成於屏蔽之金屬層中且包含穿孔或微穿孔(圖5A及圖5B)、脊(圖6C及圖6D)、方格(圖6E及圖6F)及凹窩(圖6G及6H)。

減小微裂痕之發生之一個此方法係使用穿孔或微穿孔之一陣列，如圖5A及圖5B中展示，其等展示在無應力下及在剪切應力41下之一屏蔽膠帶60。在此實施例中，將微穿孔61之一陣列應用於屏蔽膠帶60之一或多個層62、63或64。一層中之此等微穿孔61減輕所存在之任何應力且減小任何此等應力將引起一微裂痕之可能性。再者，在應力確實引起一微裂痕的情況下，此等微穿孔61防止且限制微裂痕進一步擴展超過微穿孔61。因此，微穿孔用於阻止微裂痕跨更多受影響層遷移或延伸。

微穿孔61具有一主要尺寸，其係一微穿孔之兩個邊緣之間的最長距離。主要尺寸在尺寸上小於待由其中待使用屏蔽膠帶60之特定電纜攜載之RF信號之波長之振幅。因此，RF信號無法行進通過完整微穿孔61之任一者。實際上，來自所要RF信號之雜訊透過一微穿孔61進入或外出僅可在一微穿孔處存在一撕裂的情況下發生。即便如此，雜訊進入或外出僅可在相鄰層亦已在與撕裂微穿孔61配準之微穿孔61處撕裂的情況下完全行進通過屏蔽膠帶60。

由於微穿孔61非常小，所以RF信號透過微穿孔61之任何進入或外出限於與原本可透過一較大微裂痕洩漏相比高得多之頻率及小得多之波長。再者，雜訊進入將來自在波長上不同於透過電纜傳輸之信號之RF信號。換言之，使用微穿孔61之一陣列尤其適合於其中較高頻率範圍RF信號之進入或外出並非一重要考量且可被容忍之應用。

圖5A及圖5B中展示之屏蔽膠帶60包含微穿孔61之一陣列，其中微穿孔61配置成列，且各列中之微穿孔61自上方列及下方列中之微穿孔水平地偏移。微穿孔61較佳地具有一圓形形狀，其等之主要尺寸係該圓形形狀之直徑，但在其他實施例中可具有其他形狀，其等之主要尺寸小於RF雜訊(尤其5G頻譜中之RF雜訊)之波長。較佳地，主要尺寸小於約12毫米以減小約24 GHz之RF頻率。更佳地，主要尺寸小於約3.5毫米以減小約86 GHz之RF頻率。仍更佳地，主要尺寸小於約3毫米以減小約95 GHz之RF頻率。在陣列中，微穿孔61較佳地隔開達至少主要尺寸。

如圖5A及圖5B中可見，屏蔽膠帶60不僅具有微穿孔61，而且其層62、63及64由彈性黏合劑53結合。當施加剪切應力41時，層62、63及64沿剪切應力41之方向拉伸，黏合劑53彈性地變形，且微穿孔61變形以獲得一長形形狀。當釋放剪切應力41時，微穿孔返回至其等原始形狀，如圖5A中。

圖6A及圖6B展示在無應力下及在剪切應力41下兩者之一習知層壓層70。如已論述，當一層壓層70放置於剪切應力41下時，將產生大體上橫向於剪切應力41之方向之微裂痕71。此容許外出雜訊N傳輸通過層70。已論述處理、對準、定向及接合層之各種方法。該等層亦可以不同方式紋理化。

圖6C及圖6D繪示屏蔽膠帶之一單一層壓金屬層73，其中該層具有一紋理。層73形成有複數個波紋或脊74。層73具有相對端75及76以及相對側77及78。一般言之，層73沿在端75與76之間且在側77與78之間延伸之一平面P對準。在側77與78之間延伸之脊74突出進出該平面。各脊74具有一第一壁80及一第二壁81，其等在其間的一鉸接點82處相接。第一壁80及第二壁81係大體上筆直且平坦的且相對於彼此傾斜地定向。層73在相對端75與76之間具有一尺寸A。當層73放置於剪切應力41下時，層73獲得一新尺寸A'。一般言之，由於剪切應力41將為正的以用於延伸層73，所以尺寸A'大於尺寸A。然而，在一些情況中，剪切應力41將為負的且將引起端75及76朝向彼此塌縮，在此情況中，尺寸A'將小於尺寸A。當層73在一正剪切應力41下時，脊74藉由變平坦且變長而回應。此適應剪切應力41對拉伸層73之影響。在不具有此適應的情況下，層73將傾向於撕裂且產生微裂痕。換言之，脊74防止或減小微裂痕之產生。

層73適合於用作一屏蔽膠帶中之唯一層，或其可在不具有類似層73的情況下使用或與本文中論述之其他不同層一起使用、以本文中描述之不同定向使用及與本文中描述之不同表面處理一起使用。

圖6E及圖6F展示一屏蔽膠帶之一金屬層84，其中藉由交叉脊86形成方格85，該等交叉脊86藉由凹陷87分離且隔開。脊86相對於層84所在之一平面垂直地定向，且存在兩組脊86：一組垂直地或端對端地對準，且另一組水平地或側對側地對準，使得兩組脊係橫向的且較佳地跨層84之兩側相對於彼此垂直。脊86在層84前面及後面兩者垂直於層84突出，且凹陷87安置於脊86之間。

脊86係層84之強化部分，表示層84之一加厚部分，而凹陷87係「薄化」部分，其中其等薄於脊86，但大體上仍與其它層(諸如層50、51、52、70等)同樣厚。當將剪切應力41施加至層84且其拉伸時，脊86藉由稍微拉伸而回應，且凹陷87藉由稍微拉伸而回應。若發生一微裂痕，則其通常形成於一凹陷87之薄化區域中，且其受限於形成其之凹陷87；其不太可能傳播通過一脊86至一相鄰凹陷87。因而，層84防止且減小微裂痕之產生。

層84適合於用作一屏蔽膠帶中之唯一層，或其可在不具有類似層84的情況下使用或與本文中論述之其他不同層一起使用、以本文中描述之不同定向使用及與本文中描述之不同表面處理一起使用。

圖6G及圖6H展示一屏蔽膠帶之另一金屬層90，其具有形成於其中且配置成一陣列之複數個凹坑或凹腔91。此等凹腔91減輕所存在之任何應力且減小應力將引起一微裂痕之可能性。再者，在應力確實引起一微裂痕的情況下，此等凹腔91防止且限制微裂痕進一步擴展超過凹腔91。因此，凹腔91用於阻止微裂痕跨更多層90遷移或延伸。

各凹腔91係延伸至層90之主體中之一半球形凹陷。凹腔91皆具有對應於半球形凹陷之直徑之一主要尺寸。在層90中之凹腔91陣列中，凹腔91配置成列，且各列中之凹腔91自上方列及下方列中之凹腔水平地偏移。凹腔91較佳地但未必隔開達至少主要尺寸。凹腔91較佳地具有一圓形形狀，其等之主要尺寸係一直徑，但在其他實施例中可具有其他形狀。當施加剪切應力41時，層90沿剪切應力41之方向拉伸且凹腔91變形。由於凹腔91係半球形的，所以其等可擴展。其等具有大於其等橫截面圓形輪廓外接之表面積，且當層90在剪切應力41下拉伸時，該表面積向外拉伸。當釋放剪切應力41時，凹腔91恢復至其等原始形狀，如圖6G中。

層90適合於用作一屏蔽膠帶中之唯一層，或其可在不具有類似層90的情況下使用或與本文中論述之其他不同層一起使用、以本文中描述之不同定向使用及與本文中描述之不同表面處理一起使用。

如上文提及，可在屏蔽膠帶之層之間使用一彈性黏合劑。彈性黏合劑具有彈性特性。然而，可替代地配製黏合劑以包含金屬固體。含有金屬固體之一黏合劑可為彈性或非彈性的。

在圖7A中，展示三個層94、95及96，其等各具有安置於其間的一導電黏合劑97。黏合劑97較佳地但未必包含彈性黏合劑98及分散遍及黏合劑98之小金屬固體99。在一些實施例中，黏合劑97包含金屬固體99及一非彈性黏合劑98。金屬固體99包含鋁、鎳、銅、碳、石墨烯或其他相似金屬，其等具有良好導電性質且大小範圍小至僅幾微米，諸如尺寸僅為2或3微米，但僅為清楚起見，其等在此等圖式中繪示為大得多。金屬固體99均勻地分散且在黏合劑97內具有一高密度以防止非常高頻率RF進入或外出信號之傳輸，且透過量子穿隧效應，黏合劑97之導電性(及因此雜訊減小性質)隨著金屬固體99之較大密度而改良。藉由導電黏合劑97有效地最小化透過層94、95及96之間的黏合劑接合之RF信號或雜訊進入或外出。金屬固體99在黏合劑97中之分散增強屏蔽有效性，且藉此使黏合劑97本身充當對RF信號之一障壁，有時無需一額外積層材料層或金屬層。若層94、95及96中產生微裂痕或在層94、95及96中產生微裂痕的情況下，導電黏合劑97減小進入雜訊N之傳輸。

亦在另一背景內容中使用導電黏合劑97。圖7B及圖7C繪示一例示性電子電纜100，其具有一中心導體101、包圍中心導體101之一介電質絕緣體102及包覆絕緣體102之屏蔽膠帶103。屏蔽膠帶103具有相對邊緣104及105。邊緣104及105稍微重疊以形成一重疊間隙106。導電黏合劑97安置於此重疊間隙106中。分散有金屬固體99之黏合劑97將邊緣104及105彼此接合以防止屏蔽膠帶103分離。然而，導電黏合劑97亦防止間隙106變為使RF信號或雜訊進入或外出之一隧道。

應注意，可組合此等方法、特徵、結構及建構技術。例如，圖1C之屏蔽膠帶113可具有帶方格之一層，該層可在邊緣處彈性地接合，且當屏蔽膠帶113包覆介電質112時，可在一重疊間隙內使用一導電黏合劑。亦預期上文減小特徵之其他組合。

上文充分且清楚地描述一較佳實施例，以便使熟習此項技術者能夠理解、製作及使用該實施例。熟習此項技術者將認知，在不脫離本發明之精神的情況下可對上文描述作出修改，且一些實施例僅包含所描述之彼等元件及特徵或其等之一子集。在修改不脫離本發明之精神之程度上，其等旨在包含於本發明之範疇內。

10‧‧‧微裂痕

11‧‧‧層壓膠帶層/內層

12‧‧‧層壓膠帶層/外層

13‧‧‧微裂痕

14‧‧‧微裂痕

20‧‧‧層

21‧‧‧層

22‧‧‧微裂痕

23‧‧‧微裂痕

30‧‧‧金屬層/內層

31‧‧‧金屬層/外層

32‧‧‧相對端

33‧‧‧相對端

34‧‧‧相對側

35‧‧‧相對側

36‧‧‧微裂痕

37‧‧‧微裂痕

40‧‧‧屏蔽膠帶

41‧‧‧剪切應力

42‧‧‧微裂痕

50‧‧‧層壓層

51‧‧‧層壓層

52‧‧‧層壓層

53‧‧‧黏合劑

54‧‧‧相對端

55‧‧‧相對端

56‧‧‧相對側

57‧‧‧相對側

60‧‧‧屏蔽膠帶

61‧‧‧微穿孔

62‧‧‧層

63‧‧‧層

64‧‧‧層

70‧‧‧層壓層

71‧‧‧微裂痕

73‧‧‧層壓金屬層

75‧‧‧相對端

76‧‧‧相對端

77‧‧‧相對側

78‧‧‧相對側

80‧‧‧第一壁

81‧‧‧第二壁

82‧‧‧鉸接點

84‧‧‧金屬層

85‧‧‧方格

86‧‧‧脊

87‧‧‧凹陷

90‧‧‧金屬層

91‧‧‧凹腔

94‧‧‧層

95‧‧‧層

96‧‧‧層

97‧‧‧導電黏合劑

98‧‧‧彈性黏合劑/非彈性黏合劑

99‧‧‧金屬固體

100‧‧‧電子電纜

101‧‧‧中心導體

102‧‧‧介電質絕緣體

103‧‧‧屏蔽膠帶

104‧‧‧邊緣

105‧‧‧邊緣

106‧‧‧重疊間隙

110‧‧‧同軸電纜

111‧‧‧中心導體

112‧‧‧絕緣介電質

113‧‧‧屏蔽膠帶

114‧‧‧撓性編織物

115‧‧‧絕緣套管

N‧‧‧進入雜訊/外出雜訊

參考圖式：

圖1A及圖1B係電子電纜中之微裂痕之照片；

圖1C係具有一屏蔽膠帶之一電子電纜；

圖2A係習知屏蔽膠帶之兩個層之一圖，其繪示透過微裂痕之RF雜訊外出；

圖2B係一屏蔽膠帶之兩個層之一圖，其繪示減小透過微裂痕之RF雜訊外出；

圖3係一屏蔽膠帶之兩個層之一圖，其繪示減小透過微裂痕之RF雜訊外出；

圖4A及圖4B係習知屏蔽膠帶之兩個接合層之圖，其等繪示透過微裂痕之RF雜訊外出；

圖4C及圖4D係屏蔽膠帶之兩個彈性接合層之圖，其等繪示防止RF雜訊外出；

圖4E及圖4F係屏蔽膠帶之兩個彈性接合層之圖，其等繪示防止RF雜訊外出；

圖5A及圖5B係屏蔽膠帶層之圖，該等層之至少一者形成有微穿孔；

圖6A及圖6B係在放置於應力下時產生微裂痕之一習知屏蔽膠帶層之圖；

圖6C及圖6D係具有脊之一屏蔽膠帶層之圖，其防止在放置於應力下時產生微裂痕；

圖6E及圖6F係具有方格之一屏蔽膠帶層之圖，其防止在放置於應力下時產生微裂痕；

圖6G及圖6H係具有凹窩之一屏蔽膠帶層之圖，其防止在放置於應力下時產生微裂痕；

圖7A係具有安置於層之間的導電黏合劑之屏蔽膠帶層之一圖；及

圖7B及圖7C係一同軸電纜之截面視圖及詳細視圖，其等展示安置於屏蔽膠帶中之一重疊間隙內之導電黏合劑。

Claims (22)

1. 一種屏蔽膠帶，其在一電子電纜中，該屏蔽膠帶包括： 一金屬層；及 微裂痕傳播減小構件，其形成於該金屬層中。
2. 如請求項1之屏蔽膠帶，其中該微裂痕傳播減小構件包含穿透該金屬層形成之穿孔。
3. 如請求項2之屏蔽膠帶，其中該等穿孔具有小於約12毫米之一主要尺寸。
4. 如請求項3之屏蔽膠帶，其中該主要尺寸小於約3毫米。
5. 如請求項2之屏蔽膠帶，其中該等穿孔在跨該金屬層之一陣列中隔開。
6. 如請求項5之屏蔽膠帶，其中該等穿孔具有小於約12毫米之一主要尺寸且在該陣列中彼此隔開達至少該主要尺寸。
7. 如請求項6之屏蔽膠帶，其中該主要尺寸小於約3毫米。
8. 如請求項1之屏蔽膠帶，其中該微裂痕傳播減小構件包含形成於該金屬層中之脊。
9. 如請求項8之屏蔽膠帶，其中： 該金屬層中之各脊包括一第一壁及相對於該第一壁傾斜地配置之一第二壁，且 該第一壁及該第二壁各突出進出該金屬層延伸所沿之一平面。
10. 如請求項1之屏蔽膠帶，其中該微裂痕傳播減小構件包含形成於該金屬層中之方格。
11. 如請求項10之屏蔽膠帶，其中該方格藉由該金屬層上之交叉脊形成，該等交叉脊藉由該等脊之間之凹陷隔開。
12. 如請求項1之屏蔽膠帶，其中該微裂痕傳播減小構件包含形成於該金屬層中之凹窩。
13. 如請求項12之屏蔽膠帶，其中該凹窩由至該層中之半球形凹陷形成。
14. 如請求項13之屏蔽膠帶，其中該等凹陷在跨該金屬層之一陣列中隔開。
15. 如請求項14之屏蔽膠帶，其中該等凹陷各具有一主要尺寸，且該等凹陷在該陣列中彼此隔開達至少該主要尺寸。
16. 一種屏蔽膠帶，其在一電子電纜中，該屏蔽膠帶包括： 一第一金屬層，其具有一第一定向，微裂痕傾向於沿該第一定向形成； 一第二金屬層，其具有一第二定向，微裂痕傾向於沿該第二定向形成；及 該第一定向及該第二定向具有相對於彼此之一非零橫向關係。
17. 如請求項16之屏蔽膠帶，其中藉由拋光該第一金屬層及該第二金屬層而形成該第一金屬層及該第二金屬層中之該第一定向及該第二定向。
18. 如請求項16之屏蔽膠帶，其中該第一金屬層經配置具有相對於該第二金屬層之一非零橫向定向。
19. 一種屏蔽膠帶，其在一電子電纜中，該屏蔽膠帶包括： 一第一層； 一第二層； 一黏合劑，其安置於該第一層與該第二層之間；及 金屬固體，其等分散遍及該黏合劑，從而界定具有導電材料特性之該黏合劑。
20. 如請求項19之屏蔽膠帶，其中該黏合劑係一彈性黏合劑。
21. 一種電子電纜，其包括： 一導體； 一絕緣體，其包圍該導體； 屏蔽膠帶，其包覆該絕緣體，該屏蔽膠帶具有重疊邊緣，從而在其間形成一重疊間隙； 一黏合劑，其安置於該重疊間隙中；及 金屬固體，其等分散遍及該黏合劑，從而界定具有導電材料特性之該黏合劑。
22. 如請求項21之電纜，其中該黏合劑係一彈性黏合劑。