TW201931667A - 無線電頻率裝置以及天線模組 - Google Patents
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Abstract
一種無線電頻率(RF)裝置可包括:無線電頻率積體電路(RFIC)晶片;以及天線模組,位於所述無線電頻率積體電路晶片的上表面上。所述天線模組可包括:第一補塊,與所述無線電頻率積體電路晶片平行且具有上表面,所述上表面被配置成在與所述第一補塊相對的垂直方向上自所述無線電頻率積體電路晶片發出輻射;接地板,與所述第一補塊平行,且位於所述第一補塊與所述無線電頻率積體電路晶片之間;以及第一多個饋送線,連接至所述第一補塊的下表面且被配置成自所述無線電頻率積體電路晶片向所述第一補塊供應至少一個第一差分訊號。
Description
本發明概念是有關於塊狀天線,且更具體而言,是有關於多饋送塊狀天線(multi-fed patch antenna)以及包括所述多饋送塊狀天線的裝置。
用於無線通訊的天線是一種可逆裝置且可包括導體。可藉由自導體發出電磁波而傳輸訊號,且所述訊號可由到達所述導體的電磁波誘發。天線中所包括的導體可具有各種形狀,且根據應用可使用包括具有適當形狀的導體的天線。舉例而言,作為平面型天線的塊狀天線可包括接地板、位於所述接地板上的低損耗介電材料、以及由所述低損耗介電材料形成的補塊(patch),且可用於行動應用中。
在涉及有限空間及功率的應用(如行動電話)的情形中,可能期望具有減小尺寸的天線。此外,在無線通訊應用中,可採用高傳輸功率,從而導致高功耗及產熱。因此,可期望具有高功率效率及有限大小的天線。
本發明概念提供塊狀天線以及包括塊狀天線的裝置,所述裝置基於塊狀天線的多饋送結構而具有高功率效率及減小的大小。
根據本發明概念的態樣,提供一種無線電頻率(radio frequency,RF)裝置,所述無線電頻率裝置包括無線電頻率積體電路(radio frequency integrated circuit,RFIC)晶片以及位於所述RFIC晶片的上表面上的天線模組。所述天線模組包括:第一補塊,與所述RFIC晶片平行且具有上表面,所述上表面被配置成在與所述第一補塊相對的垂直方向上自所述RFIC晶片發出輻射;接地板,與所述第一補塊平行,且位於所述第一補塊與所述RFIC晶片之間;以及第一多個饋送線,連接至所述第一補塊的下表面且被配置成自所述RFIC晶片向所述第一補塊供應至少一個第一差分訊號。
根據本發明概念的態樣,提供一種天線模組,所述天線模組包括:接地板;第一補塊,與所述接地板平行且具有上表面,所述上表面被配置成在與所述第一補塊相對的垂直方向上自所述接地板發出輻射;以及第一多個饋送線,分別連接至所述第一補塊的下表面上的第一多個饋送點,所述第一多個饋送點包括在第一水平方向上彼此分隔開的第一饋送點及第二饋送點、以及在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上彼此分隔開的第三饋送點及第四饋送點。
根據本發明概念的態樣,提供一種無線電頻率(RF)裝置,所述無線電頻率裝置包括:無線電頻率積體電路(RFIC)晶片,被配置成輸出第一差分訊號及第二差分訊號;以及天線模組,位於所述RFIC晶片的上表面上。所述天線模組包括:第一補塊,與所述RFIC晶片平行且被配置成在與所述第一補塊相對的垂直方向上自所述RFIC晶片發出輻射;接地板,與所述第一補塊平行,且位於所述第一補塊與所述RFIC晶片之間;以及第一差分饋送線及第二差分饋送線,連接至所述第一補塊的下表面且被配置成向所述第一補塊供應所述第一差分訊號及所述第二差分訊號。
圖1為根據一些示例性實施例的通訊設備10的方塊圖。如在圖1中所繪示,通訊設備10可包括天線100,可藉由經由天線100傳輸或接收訊號而與無線通訊系統中的另一通訊裝置通訊,且因此可被稱為無線通訊裝置。根據一些示例性實施例,所述無線通訊系統與以下結合圖13至圖14所論述的無線通訊系統類似或相同。
供通訊設備10與另一通訊裝置通訊的無線通訊系統作為非限制性實例可為使用蜂巢式網路的無線通訊系統(例如,第五代(5th
Generation,5G)無線系統、長期演進(Long Term Evolution,LTE)系統、進階長期演進系統、分碼多重存取(Code Division Multiple Access,CDMA)系統、或全球行動通訊系統(Global System for Mobile communications,GSM)系統)、使用無線局域網路(WLAN)系統的無線通訊系統或另一任意無線通訊系統。以下,將主要闡述使用蜂巢式網路的無線通訊系統,但一些示例性實施例並非僅限於此。
如在圖1中所繪示,通訊設備10可包括天線100、無線電頻率積體電路(RFIC)200以及訊號處理器300。天線100與RFIC 200可經由饋送線15彼此連接。在本說明書中,天線100可被稱為天線模組,且天線100與饋送線15一起可被稱為天線模組。此外,天線100、饋送線15以及RFIC 200一起可被稱為無線電頻率系統或無線電頻率裝置。
在傳輸模式中,RFIC 200可提供藉由對傳輸訊號TX進行處理而產生的訊號,其中傳輸訊號TX經由饋送線15被自訊號處理器300提供至天線100。此外,在接收模式中,RFIC 200可藉由對自天線100接收的訊號進行處理而將接收訊號RX提供至訊號處理器300。舉例而言,RFIC 200可包括發射器,且所述發射器可包括濾波器、混合器以及功率放大器(power amplifier,PA)。此外,RFIC 200可包括接收器,且所述接收器可包括濾波器、混合器以及低雜訊放大器(low noise amplifier,LNA)。在一些示例性實施例中,RFIC可包括多個發射器及接收器,且可包括其中將發射器與接收器彼此組合的收發器。
訊號處理器300可藉由對包括待被傳輸的資訊的訊號進行處理而產生傳輸訊號TX,且可藉由對接收訊號RX進行處理而產生包括資訊的訊號。舉例而言,為產生傳輸訊號TX,訊號處理器300可包括編碼器、調變器以及數位-至-類比轉換器(digital-to-analog converter,DAC)。此外,為處理接收訊號RX,訊號處理器300可包括類比-至-數位轉換器(analog-to-digital,ADC)、解調器以及解碼器。訊號處理器300可產生控制訊號以控制RFIC 200,可經由所述控制訊號設定傳輸模式或接收模式,且可控制RFIC 200中所包括的構成元件的功率及增益。在一些示例性實施例中,訊號處理器300可包括至少一個核心、以及用於儲存由所述至少一個核心執行的命令的記憶體。此外,訊號處理器300的至少一部分可包括儲存於記憶體中的軟體區塊,且在本文中被闡述為由訊號處理器300執行的操作可由執行儲存於記憶體中的命令及/或軟體區塊的至少一個核心執行。在一些示例性實施例中,訊號處理器300可包括藉由邏輯合成設計的邏輯電路,且訊號處理器300的至少一部分可包括由邏輯電路達成的硬體區塊。
無線通訊系統可界定用於傳輸大量資料的高譜帶(high spectrum band)。舉例而言,由國際電信聯盟(International Telecommunication Union,ITU)官方指定為IMT-2020的5G蜂巢式系統(或5G無線系統)界定大於24 GHz的毫米波(mmWave)。毫米波使得能夠達成寬帶傳輸,且使得能夠達成無線電頻率系統(亦即,天線100以及RFIC 200)的微型化。毫米波可提供增大的方向性但亦增大了衰減,且因此可能期望減小衰減。
為了減輕由高頻帶導致的訊號衰減,可使用高傳輸功率。根據弗林斯傳輸公式(Friis transmission formula),可藉由將功率放大器的輸出功率與天線100的增益相乘而計算傳輸功率。功率放大器的功率的增大可因RFIC 200中所包括的功率放大器的低效率而導致過量產熱或功耗。因此,可期望增大天線增益以增大傳輸功率。天線增益可與天線100的有效開放區域的大小成比例。然而,在其中空間有限的行動電話應用中,有效開放區域亦可受到限制,且隨著天線增益增大,自天線100輸出的束寬(beam width)變窄,且因此天線100的通訊範圍可減小。
根據一些示例性實施例,天線100可經由至少兩個饋送線15自RFIC 200接收差分訊號。因此,如以下參照圖4所述,藉由向在天線100上分隔開的饋送點供應相位彼此直接相反的兩個訊號,可在不降低天線100的效能的情況下達成高的傳輸功率。RFIC 200可利用半導體製程進行製造,且因此對將電路進行整合以產生差分訊號的約束可相對較弱。
圖2A至圖2C示出根據一些示例性實施例圖1所示的通訊設備10的構成元件的佈局。以下,將參照圖1闡述圖2A至圖2C所示的通訊設備10的構成元件的佈局,且在闡述圖2A至圖2C所示的通訊設備10的構成元件的佈局的過程中,對重覆的說明可不再予以贅述。在本說明書中,可將彼此垂直的X軸方向及Y軸方向分別稱為第一水平方向及第二水平方向,且由X軸及Y軸形成的平面可被稱為水平平面。此外,區域可指與水平平面平行的平面上的區域,且垂直於水平平面的方向(亦即,Z軸方向)可被稱為垂直方向。相對於其他構成元件進一步設置於+Z軸方向上的構成元件可被稱為設置於所述其他構成元件上方的構成元件,且相對於其他構成元件進一步設置於-Z軸方向上的構成元件可被稱為設置於所述其他構成元件下方的構成元件。此外,在構成元件的表面中,在+Z軸方向上最遠的構成元件的表面可被稱為構成元件的上表面,且在-Z軸方向上最遠的構成元件的表面可被稱為構成元件的下表面。
在如毫米波頻帶等高頻帶中,損耗參數可變差,且因此可能難以採用在低頻帶中(例如,在低於6 GHz的頻帶中)使用的天線100及RFIC 200的佈局。舉例而言,在低頻帶中使用的天線饋送線結構可降低在毫米波頻帶中訊號的衰減特性,且可使有效等向輻射功率(Effective Isotropic Radiated Power,EIRP)及雜訊度(noise figure)降級。因此,為了藉由圖1所示饋送線15減小訊號衰減,天線100與RFIC 200可彼此接近。具體而言,在如行動電話等行動應用中,可期望高空間效率,且因此如在圖2A至圖2C中所繪示,可採用其中將天線100設置於RFIC 200上的系統級封裝(system-in-package,SIP)結構。
參照圖2A,通訊設備10a可包括無線電頻率系統20a、數位積體電路13a以及載板500a。無線電頻率系統20a以及數位積體電路13a可安裝於載板500a的上表面上。無線電頻率系統20a以及數位積體電路13a可彼此連接以能夠經由形成於載板500a中的導電圖案而彼此通訊。在一些示例性實施例中,載板500a可為印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)。數位積體電路13a可包括圖1所示的訊號處理器300,且因此可將傳輸訊號TX傳輸至RFIC 200a或可自RFIC 200a接收接收訊號RX,且亦可將控制訊號提供至RFIC 200a以控制RFIC 200a。在一些示例性實施例中,數位積體電路13a可包括至少一個核心及/或記憶體,且可控制通訊設備10a的操作。根據一些示例性實施例,在本文中被闡述為由數位積體電路13a執行的操作可由執行儲存於記憶體中的命令及/或軟體區塊的至少一個核心執行。
無線電頻率系統20a可包括天線模組100a以及RFIC 200a。天線模組100a可被稱為天線封裝,且如在圖2A中所繪示,可包括基板120a以及形成於基板120a上的導體110a。舉例而言,如以下參照圖3A及圖3B所述,天線模組100a可包括接地板以及與水平平面平行的補塊,或可包括用於自RFIC 200a向補塊供應訊號的饋送線。RFIC 200a可具有電性連接至天線模組100a的下表面的上表面且可被稱為無線電晶粒(radio die)。在一些示例性實施例中,天線模組100a與RFIC 200a可經由受控塌陷晶片連接(controlled collapse chip connection,C4)彼此連接。圖2A所示的無線電頻率系統20a對於散熱而言可為可取的且可具有穩定的結構。
參照圖2B,通訊設備10b可包括數位積體電路13b以及載板500b。RFIC 200b以及數位積體電路13b可安裝於載板500b的下表面上。RFIC 200b與數位積體電路13b可彼此連接以能夠經由形成於載板500b中的導電圖案而彼此通訊。
在圖2B所示的通訊設備10b中,無線電頻率系統20b可包括形成於載板500b中的天線模組100b以及安裝於載板500b的下表面上的RFIC 200b。如在圖2B中所繪示,天線模組100b可包括形成於載板500b上的導體110b、以及形成於載板500b中以將訊號自RFIC 200b供應至導體110b的饋送線。在圖2B所示的通訊設備10b中,可省略將無線電頻率系統20b安裝於載板500b上的製程且可省略用於天線的基板。因此,通訊設備10b可具有減小的高度,亦即在Z軸方向上減小的長度。
參照圖2C,通訊設備10c可包括無線電頻率系統20c、載板400以及數位積體電路13c。如在圖2C中所繪示,數位積體電路13c可安裝於載板400的下表面上,且無線電頻率系統20c與載板400可彼此連接以能夠經由跳線器17彼此通訊。
在圖2C所示的通訊設備10c中,無線電頻率系統20c可包括天線模組100c以及安裝於天線模組100c的下表面上的RFIC 200c。如在圖2C中所繪示,天線模組100c可包括天線板120c、形成於天線板120c上的導體110c、以及形成於天線板120c中以將訊號自RFIC 200c供應至導體110c的饋送線。在圖2C所示的通訊設備10c中,可省略用於天線的基板,且可獨立地製造無線電頻率系統20c以及載板400,且因此可更高效地且以降低的成本生產通訊設備10c。
以下,可參照圖2A所示的無線電頻率系統20a闡述一些示例性實施例。然而,應理解,所作闡述亦可不僅應用於分別在圖2B及圖2C中繪示的無線電頻率系統20b及20c,而且可應用於具有包括天線模組及RFIC的其他任意結構(例如,系統晶片(System-on-Chip,SoC)結構)的無線電頻率系統。
圖3A為根據一些示例性實施例的天線模組30的立體圖,且圖3B為根據一些示例性實施例在自y軸方向觀察包括圖3A所示的天線模組30的無線電頻率(RF)系統時所述無線電頻率系統的側視圖。圖3A及圖3B示出塊狀天線作為天線模組30的實例,且為便於闡釋,僅繪示了天線模組30的一些構成元件。
參照圖3A,天線模組30可包括在Z軸方向上彼此平行地分隔開的頂部補塊31與底部補塊32,且可在+Z軸方向上發出電磁波。頂部補塊31及底部補塊32可包含例如金屬等導電材料,且如在圖3A中所繪示,可具有矩形形狀。在一些示例性實施例中,不同於圖3A中所繪示的頂部補塊31及底部補塊32,頂部補塊31及底部補塊32中的至少一者可具有不同於矩形形狀的形狀,例如圓形形狀、橢圓形狀、菱形形狀等。儘管在圖3A中未示出,但如在圖3B中所繪示,天線模組30可更包括位於底部補塊32下方的接地板33,且在一些示例性實施例中,可省略頂部補塊31。
天線模組30可包括連接至底部補塊32的第一埠PORT1及第二埠PORT2。如在圖3A中所繪示,第一埠PORT1及第二埠PORT2可在X軸方向上分隔開且可各自包括饋送線以向底部補塊32供應訊號。如以下參照圖4所述,底部補塊32可自在X軸方向上分隔開的二個饋送點接收差分訊號,且因此可具有高功率效率。
參照圖3B,可將RFIC 200d安裝於天線模組30的下表面上。RFIC 200d可經由第一埠PORT1及第二埠PORT2中所包括的饋送線向底部補塊32提供訊號,亦即差分訊號。舉例而言,如在圖3B中所繪示,第二埠PORT2可包括連接至底部補塊32的饋送線35以及多個埋置通孔36。饋送線35可包括在Z軸方向上延伸的部分(例如,通孔)以及在X軸方向上延伸的部分(例如,金屬圖案)。其中第一埠PORT1及第二埠PORT2的饋送線35連接至底部補塊32的饋送點可在X軸方向上彼此分隔開。
埋置通孔36可設置成自饋送線35分隔開。舉例而言,如在圖3A及圖3B中所繪示,埋置通孔36可藉由在X軸方向及Y軸方向上自饋送線35分隔開而規則地設置。埋置通孔36可被配置成應用恆電位器(potentiostat),且舉例而言如在圖3B中所繪示,埋置通孔36可連接至接地板33。
第一埠PORT1可具有與第二埠PORT2相同的結構或類似的結構。在一些示例性實施例中,第一埠PORT1及第二埠PORT2可具有對稱的結構,以與由Z軸及Y軸形成的平面平行的表面作為中心。在圖3A及圖3B中所繪示的第一埠PORT1及第二埠PORT2的結構僅為實例,且因此應理解,具有與圖3A及圖3B所繪示的結構不同結構的埠可在X軸方向上分隔開以向補塊供應差分訊號。
RFIC 200d的上表面可經由多個路徑電性連接至天線模組30的下表面。在一些示例性實施例中,天線模組30以及RFIC 200d可利用覆晶方法(flip chip method)彼此連接。舉例而言,如在圖3B中所繪示,金屬化接墊37可設置於天線模組30的下表面上,且焊球38可分別設置於金屬化接墊37上。焊球38可接觸由RFIC 200d的上表面上的導體構成的連接件。藉由此種方式,RFIC 200d可經由受控塌陷晶片連接(C4)連接至饋送線35且可將差分訊號中的一者供應至饋送線35(並將差分訊號中的另一者供應至其他饋送線)。此外,RFIC 200d可連接至接地板33並可將接地電位施加至接地板33或可自接地板33接收接地電位。
圖4為根據一些示例性實施例的補塊42以及由補塊42形成的電場的示意圖。詳細而言,圖4左側上的圖式示出分別連接至補塊42的下表面上的二條饋送線的第一饋送點P1及第二饋送點P2,且圖4右側上的圖式示出在補塊42與接地板43之間產生的電場。
參照圖4左側上的圖式,補塊42可具有矩形形狀且可在X軸方向上具有長度L並在Y軸方向上具有長度W。在一些示例性實施例中,X軸方向上的長度L可為由差分訊號發出的波長的一半。二條饋送線可在第一饋送點P1及第二饋送點P2處連接至補塊42的下表面。第一饋送點P1與第二饋送點P2可在X軸方向上分隔開,且第一饋送點P1及第二饋送點P2在補塊42的下表面上的位置可藉由阻抗匹配確定。在一些示例性實施例中,第一饋送點P1及第二饋送點P2可設置於與X軸平行的第一中心線LY上或靠近第一中心線LY,並與補塊42的中心相交。
在塊狀天線的電場分佈中,可於在中心饋送訊號的軸的兩端上形成具有彼此相反的相位的電場。因此,當二個具有相反相位的輸入訊號(亦即,差分訊號)被施加至饋送訊號的軸時,在不降低塊狀天線的效能的情形下有可能達成更高功率的傳輸。舉例而言,如在圖4的右側上所繪示,當因差分訊號而將具有相對較高電位的訊號施加至第一饋送點P1並將具有相對較低電位的訊號施加至第二饋送點P2時,可以與第一饋送點P1及第二饋送點P2相交的軸(亦即,與X軸平行的軸)作為中心在兩端上形成具有相反相位的電場。因此,相較於單饋送線結構,可保持天線增益且可使EIRP增大兩倍。以下,將參照圖5A及圖5B闡述包括用於供應差分訊號的兩條饋送線的天線模組的有利特性。
圖5A及圖5B為概括天線模組的模擬結果的圖式。詳細而言,圖5A示出經由二個埠向其饋送差分訊號的天線模組51的模擬結果以及經由單個埠向其饋送訊號的天線模組52的模擬結果。圖5B示出經由二個埠向其饋送差分訊號的天線模組53的模擬結果以及包括經由相應的單個埠向其饋送訊號的二個補塊的天線模組54的模擬結果。以下,對參照圖5A及圖5B所作闡述的重覆部分可不再予以贅述。
參照圖5A,包括第一埠PORT1及第二埠PORT2的天線模組51可被稱為雙饋送塊狀天線模組(dual-fed patch antenna module)51,且僅包括第一埠PORT1的天線模組52可被稱為單饋送塊狀天線模組(single-fed patch antenna module)52。參照圖5A所示的表格,相較於在同一功率輸入(亦即,10 毫瓦分貝(dBm))下的單饋送塊狀天線模組52,雙饋送塊狀天線模組51可具有高天線增益(亦即,6.52 dBi>5.92 dBi)。此外,EIRP以及輻射功率可在無功率結合損耗的情況下增大大於3 dB。
參照圖5B,天線模組53(亦可被稱為雙饋送塊狀天線模組53)可包括連接至單個下部補塊的第一埠PORT1及第二埠PORT2。天線模組54可包括分別連接至在Y軸方向上彼此分隔開的二個下部補塊的第一埠PORT1及第二埠PORT2,且可被稱為1對2(1by2)塊狀陣列天線。參照圖5B所示的表格,將雙饋送塊狀天線模組53與1對2天線模組54進行比較,雙饋送塊狀天線模組53可具有減小的天線增益。然而,相較於1對2天線模組54,雙饋送塊狀天線模組53佔據較小的面積(亦即,8毫米´8毫米<13毫米´8毫米),且亦可根據輻射圖案提供較寬的束寬。
圖6A為根據一些示例性實施例的天線模組60的立體圖,且圖6B示出圖6A中所繪示的天線模組60的底部補塊62的下表面。圖6A及圖6B示出塊狀天線作為天線模組60的實例,且為便於闡釋,僅繪示了天線模組60的一些構成元件。
參照圖6A,天線模組60可包括在Z軸方向上彼此平行且分隔開的頂部補塊61與底部補塊62,且可在+Z軸方向上發出電磁波。類似於圖3A所示的天線模組30,頂部補塊61及底部補塊62可包含例如金屬等導電材料,且如在圖6A中所繪示,可具有矩形形狀。儘管在圖6A中未示出,但如在圖3B中所繪示,天線模組60可更包括位於底部補塊62下方的接地板,且在一些示例性實施例中,可省略頂部補塊61。
天線模組60可包括四個埠,亦即第一埠PORT1至第四埠PORT4。如在圖6A中所繪示,第一埠PORT1與第二埠PORT2可在X軸方向上彼此分隔開,且第三埠PORT3與第四埠PORT4可在Y軸方向上彼此分隔開。在一些示例性實施例中,第一埠PORT1至第四埠PORT4分別可具有與參照圖3A所述的埠結構相同或類似的結構。
底部補塊62可經由在X軸方向上彼此分隔開的第一埠PORT1及第二埠PORT2而接收第一差分訊號,且可經由在Y軸方向上彼此分隔開的第三埠PORT3及第四埠PORT4而接收第二差分訊號。連接至天線模組60的RFIC(例如,圖2A所示的200a)可產生第一差分訊號及第二差分訊號,且可將第一差分訊號及第二差分訊號提供至天線模組60。因此,如參照圖4所述,天線模組60可因提供第一差分訊號的第一埠PORT1及第二埠PORT2以及提供第二差分訊號的第三埠PORT3及第四埠PORT4而具有高功率效率。此外,由於在X軸方向上彼此分隔開的第一埠PORT1及第二埠PORT2以及在Y軸方向上彼此分隔開的第三埠PORT3及第四埠PORT4,天線模組60可提供雙極化(dual-polarization)。
參照圖6B,底部補塊62可具有矩形形狀,在X軸方向上具有長度L1,且在Y軸方向上具有長度L2。分別包括在四個埠(亦即,第一埠PORT1至第四埠PORT4)中的四條饋送線可在四個饋送點(亦即,第一饋送點P1至第四饋送點P4)處連接至底部補塊62的下表面。亦即,第一埠PORT1的饋送線可在第一饋送點P1處連接至底部補塊62,第二埠PORT2的饋送線可在第二饋送點P2處連接至底部補塊62,第三埠PORT3的饋送線可在第三饋送點P3處連接至底部補塊62,且第四埠PORT4的饋送線可在第四饋送點P4處連接至底部補塊62。因此,如由圖6B所示的實心圓所指示,第一差分訊號可被施加至第一饋送點P1及第二饋送點P2。此外,如由圖6B中的空心圓所指示,第二差分訊號可被施加至第三饋送點P3及第四饋送點P4。
在一些示例性實施例中,底部補塊62在X軸方向上的長度L1可為由第一差分訊號產生的發射波長的一半,且底部補塊62在Y軸方向上的長度L2可為由第二差分訊號產生的發射波長的一半。第一饋送點P1至第四饋送點P4的位置可藉由阻抗匹配確定。在一些示例性實施例中,第一饋送點P1及第二饋送點P2可設置於與X軸平行的第一中心線LY上或靠近第一中心線LY,並與底部補塊62的中心相交。在一些示例性實施例中,第三饋送點P3及第四饋送點P4可設置於與Y軸平行的第二中心線LX上或靠近第二中心線LX,並與底部補塊62的中心相交。
圖7為概括天線模組的模擬結果的圖式。詳細而言,圖7示出經由四個埠向其饋送二個差分訊號的天線模組71的模擬結果以及經由單個埠向其饋送訊號的天線模組72的模擬結果。
參照圖7,包括第一埠PORT1、第二埠PORT2、第三埠PORT3以及第四埠PORT4的天線模組71可被稱為雙饋送(dual-fed)/雙極化(dual-polarized)塊狀天線模組71,且僅包括第一埠PORT1的天線模組72可被稱為單饋送(single-fed)塊狀天線模組72。參照圖7所示的表格,將同一功率輸入(亦即,10 dBm)下的雙饋送/雙極化塊狀天線模組71與單饋送塊狀天線模組72進行比較,雙饋送/雙極化塊狀天線模組71可與單饋送塊狀天線模組72具有相等的面積(亦即,8毫米´8毫米),且此外,EIRP以及輻射功率可在無功率結合損耗的情況下增大大於3 dB。結果,模擬結果指示出雙饋送結構可在無功率結合損耗的情況下應用至雙極化應用。
圖8為根據一些示例性實施例的天線模組的圖式。詳細而言,圖8示出較對應於雙極化天線的天線模組81具有更有利特性的天線模組82及83。
參照圖8,天線模組81可包括第一補塊81_1至第四補塊81_4,且第一補塊81_1至第四補塊81_4中的每一者可具有單饋送/雙極化結構。舉例而言,在第一補塊81_1至第四補塊81_4中的每一者中,藉由施加至由實心圓指示的饋送點的訊號而形成大小在與X軸平行的方向上變化的電場,且此外,藉由施加至由空白圓指示的饋送點的訊號而形成大小在與Y軸平行的方向上變化的電場。
如參照圖4、圖5A及圖5B所述,具有雙饋送結構的天線模組可具有增大的EIRP,且可根據應用的約束採用具有雙饋送結構的天線模組82及83。舉例而言,在具有空間約束的通訊裝置的情形中,可使用具有包括二個補塊81_1及82_2的雙饋送/雙極化1´2塊狀陣列結構的天線模組82。將同一功率輸入下的天線模組82與天線模組81進行比較,在提供類似EIRP時天線模組82可具有減小的面積。此外,在以有限功率資源利用高發射功率的通訊裝置的情形中,可使用具有包括四個補塊83_1至83_4的雙饋送/雙極化2對2(2by2)塊狀陣列結構的天線模組83。在將同一功率輸入下的天線模組83與天線模組81進行比較時,在具有相同的面積時天線模組83可提供較高的EIRP。天線模組82及83為實例,且因此應理解,可採用具有包括根據應用以各種方式設置的補塊的雙饋送結構的天線模組。
圖9A至圖9C為根據一些示例性實施例的天線。詳細而言,圖9A示出根據比較例具有單饋送1´2補塊陣列結構的天線模組90a,圖9B示出根據一些示例性實施例具有雙饋送1´2補塊陣列結構的天線模組90b,且圖9C示出具有雙饋送單補塊結構的天線模組90c。
參照圖9A,天線模組90a中所包括的第一補塊91a及第二補塊92a可各自經由單個饋送點自單個功率放大器接收訊號。參照圖9B,天線模組90b中所包括的第一補塊91b及第二補塊92b可各自經由二個饋送點自二個功率放大器接收差分訊號。參照圖9C,天線模組90c中所包括的第一補塊91c可經由二個饋送點自二個功率放大器接收差分訊號。在圖9A至圖9C中,假定連接至補塊的饋送線的長度相等,功率放大器各自輸出6 dBm的功率,且天線模組90a、90b及90c的補塊中的每一者提供5 dBi的天線增益。
天線模組90a的EIRP可由如下方程式1計算。
[方程式1]
[方程式1]
在方程式1中,前面的10log10
2可對應於二個功率放大器,且後面的10log10
2可對應於第一補塊91a及第二補塊92a。
天線模組90b的EIRP可由如下方程式2計算。
[方程式2]
[方程式2]
在方程式2中,10log10
4可對應於四個功率放大器,且10log10
2可對應於第一補塊91b及第二補塊92b。因此,可藉由相同1´2補塊陣列中的雙饋送結構達成高EIRP。另一方面,在圖9B所示的功率放大器的輸出功率被降低至3 dBm以降低功率放大器的功耗的情形中,可如方程式3計算圖9B所示天線模組90b的EIRP,且因此可達成圖9A所示天線模組90a的相同EIRP。
[方程式3]
[方程式3]
可如以下方程式4計算圖9C所示天線模組90c的EIRP。當與圖9A所示的天線模組90a比較時,減小了EIRP。然而,利用單個補塊可達成減小大約40%的面積。
[方程式4]
[方程式4]
圖10為根據一些示例性實施例的天線100’及RFIC 200’的方塊圖。詳細而言,圖10示出包括具有雙饋送/雙極化結構的第一補塊101及第二補塊102的天線100’、以及包括第一收發器221至第八收發器228的RFIC 200’。
RFIC 200’可經由對應於天線100’的八個埠的八條饋送線15’連接至天線100’。舉例而言,如以上參照圖2A至圖2C所述,天線100’及包括饋送線15’的天線模組可設置於RFIC 200’上,且可在RFIC 200’的上表面上以及天線模組的下表面上形成至少一個連接。天線100’可經由分別連接至第一補塊101及第二補塊102上的八個饋送點的八條饋送線15’而自RFIC 200’接收四個差分訊號。對於此操作而言,RFIC 200’中所包括的每一對收發器可產生單個差分訊號,且因此第一收發器221至第八收發器228可產生四個差分訊號。
開關/雙工器220可根據傳輸模式或接收模式將第一收發器221至第八收發器228的輸出端子或輸入端子連接至八條饋送線15’或自八條饋送線15’斷開所述輸出端子或輸入端子的連接。舉例而言,在傳輸模式中,開關/雙工器220可將第一收發器221的輸出端子連接至八條饋送線15’的第一饋送線,且可斷開第一收發器221的輸入端子與第一饋送線之間的連接。此外,在接收模式中,開關/雙工器220可將第一收發器221的輸入端子連接至第一饋送線,且可斷開第一收發器221的輸出端子與第一饋送線之間的連接。以下將參照圖11闡述RFIC 200’中所包括的收發器的實例。
圖11為根據一些示例性實施例的RFIC 200’’的方塊圖。詳細而言,圖11示出在圖10所示的RFIC 200’中所包括的收發器的實例。如以上參照圖10所述,第一收發器221’及第三收發器223’可輸出差分訊號,且開關/雙工器220’可在傳輸模式中將差分訊號傳輸至饋送線。亦即,自第一收發器221’發出的第一傳輸訊號TX1以及自第三收發器223’發出的第三傳輸訊號TX3可施加至單個補塊上的二個單獨的饋送點。此外,由第一收發器221’接收的第一接收訊號RX1以及由第三收發器223’接收的第三接收訊號RX3可被單個補塊上的二個單獨的饋送點接收。
參照圖11,第一收發器221’可包括功率放大器221_1、低雜訊放大器221_3以及移相器221_2及221_4。類似於第一收發器221’,第三收發器223’可包括功率放大器223_1、低雜訊放大器223_3以及移相器223_2及223_4。在傳輸模式中,第一收發器221’及第三收發器223’的功率放大器221_1及223_1可分別輸出第一傳輸訊號TX1及第三傳輸訊號TX3。在接收模式中,第一收發器221’及第三收發器223’的低雜訊放大器221_3及223_3可分別接收第一接收訊號RX1及第三接收訊號RX3。
第一收發器221’的移相器221_2及221_4以及第三收發器223’的移相器223_2及223_4可提供180度的相位差。舉例而言,第一收發器221’的傳輸移相器221_2可提供相對於指向功率放大器221_1的輸入訊號具有為零度的相位差的輸出訊號,且第三收發器223’的傳輸移相器223_2可提供相對於指向功率放大器223_1的輸入訊號具有為180度的相位差的輸出訊號,其中所述輸入訊號與被提供至第一收發器221’的傳輸移相器221_2的輸入訊號相同。因此,第一傳輸訊號TX1及第三傳輸訊號TX3可具有180度的相位差,且可對應於差分訊號。此外,第一收發器221’的接收移相器221_4可輸出相對於低雜訊放大器221_3的輸出訊號具有為零度的相位差的訊號,且第三收發器223’的接收移相器223_4可輸出相對於低雜訊放大器223_3的輸出訊號具有為180度的相位差的訊號。
圖12為根據一些示例性實施例的天線模組100’’的圖式。如以上參照圖式所述,天線模組100’’可包括分別連接至供應差分訊號的多條饋送線的塊狀天線111至114。此外,為達成雙極化塊狀天線,可將二個差分訊號施加至塊狀天線111至114中的每一者。
參照圖12,除塊狀天線111至114以外,天線模組100’’亦可包括偶極(dipole)天線121至124。如此一來,可藉由向塊狀天線111至114添加不同種類的天線而擴展天線模組100’’的覆蓋範圍。圖12所示的塊狀天線111至114以及偶極天線121至124僅為實例,且因此應理解,可以與圖12所示的天線的設置不同的方式設置天線。
圖13為根據一些示例性實施例包括天線的通訊裝置的方塊圖。詳細而言,圖13示出在無線通訊系統600中基站610與使用者設備620之間的無線通訊的實例。基站610及使用者設備620中的一者或二者可包括多饋送結構天線,且可包括提供差分訊號的RFIC。
基站610可為與使用者設備620及/或另一基站通訊的固定站。舉例而言,基站610可被稱為節點B、演進節點B(evolved-Node B,eNB)、扇區(sector)、站(site)、基站收發系統(Base Transceiver System,BTS)、存取點(access pint)、中繼節點(relay node)、遠端無線電頭(Remote Radio Head,RRH)、無線電台(Radio Unit,RU)、小區(small cell)等。使用者設備620可為固定的或可移動的,且可藉由與基站610通訊而傳輸及接收資料及/或控制資訊。舉例而言,使用者設備620可被稱為終端設備、行動站(mobile station,MS)、行動終端(mobile terminal,MT)、使用者終端(user terminal,UT)、用戶站(subscriber station,SS)、無線裝置、手持式裝置等。
如在圖13中所繪示,基站610及使用者設備620可各自包括多個天線,且可經由多輸入多輸出通道630執行無線通訊。根據一些示例性實施例,所述天線中的每一者可具有多饋送結構及/或雙極化結構。差分訊號可藉由RFIC被提供至天線,且基站610及/或使用者設備620的相應天線可根據特定應用的約束進行配置。舉例而言,可藉由使無線電頻率路徑增加兩倍而增大EIRP,且因此天線的面積(或形狀因數)可減小至一半。此外,經改良的EIRP使得能夠達成寬的束、將DC功率耗散減小至一半、並減小相位解析度的複雜性。此外,由於可使用RFIC的增大數目的無線電頻率路徑,因此可利用減小的傳輸功率輕易地達成毫米波天線模組。此外,根據一些示例性實施例,可藉由將二對差分饋送結構應用至單個塊狀天線而輕易地達成雙極化塊狀天線。
圖14為示出根據一些示例性實施例包括天線的通訊裝置的圖式。詳細而言,圖14示出使用無線局域網路的無線通訊系統中的各種無線通訊裝置的互相通訊的實例。在圖14中所繪示的各種無線通訊裝置分別可包括多饋送天線,且可包括將差分訊號提供至多饋送天線的RFIC。
家用小工具721、家用電器722、娛樂裝置723以及存取點(Access Point,AP)710可構成物聯網(Internet of Things,IoT)。家用小工具721、家用電器722、娛樂裝置723以及存取點710各自可包括根據一些示例性實施例的收發器作為其一部分。家用小工具721、家用電器722以及娛樂裝置723可經由存取點710而彼此進行無線通訊。
如上所述,已在圖式及說明書中揭露了一些示例性實施例。在本說明書中,利用一些具體用語闡述了一些示例性實施例,但所用的用語僅用於闡述本發明概念的技術範圍的目的,且並非旨在限制在申請專利範圍中闡述的技術範圍的含義。因此,熟習此項技術者應理解,在不背離由隨附申請專利範圍界定的本發明概念的精神及範圍的條件下可作出各種形式及細節上的變化。因此,本發明概念的範圍不由本發明概念的詳細說明界定而是由隨附申請專利範圍界定。
10、10a、10b、10c‧‧‧通訊設備
13a、13b、13c‧‧‧數位積體電路
15、15’‧‧‧饋送線
17‧‧‧跳線器
20a、20b、20c‧‧‧無線電頻率系統
30‧‧‧天線模組
31‧‧‧頂部補塊
32‧‧‧底部補塊
33‧‧‧接地板
35‧‧‧饋送線
36‧‧‧埋置通孔
37‧‧‧金屬化接墊
38‧‧‧焊球
42‧‧‧補塊
43‧‧‧接地板
51、52、53、54‧‧‧天線模組
60‧‧‧天線模組
61‧‧‧頂部補塊
62‧‧‧底部補塊
71、72、81‧‧‧天線模組
81_1‧‧‧第一補塊
81_2‧‧‧第二補塊
81_3‧‧‧第三補塊
81_4‧‧‧第四補塊
82‧‧‧天線模組
82_1、82_2‧‧‧補塊
83‧‧‧天線模組
83_1、83_2、83_3、83_4‧‧‧補塊
90a、90b、90c‧‧‧天線模組
91a、91b、91c‧‧‧第一補塊
92a、92b‧‧‧第二補塊
100、100’‧‧‧天線
100’’、 100a、100b、100c‧‧‧天線模組
101‧‧‧第一補塊
102‧‧‧第二補塊
110a、110b、110c‧‧‧導體
111、112、113、114‧‧‧塊狀天線
120a‧‧‧基板
120c‧‧‧天線板
121、122、123、124‧‧‧偶極天線
200、200’、 200’’、 200a、200b、200c、200d‧‧‧無線電頻率積體電路(RFIC)
220、220’‧‧‧開關/雙工器
221、221’‧‧‧第一收發器
221_1‧‧‧功率放大器
221_2‧‧‧移相器
221_3‧‧‧低雜訊放大器
221_4‧‧‧移相器
222‧‧‧第二收發器
223‧‧‧第三收發器
223’‧‧‧第三收發器
223_1‧‧‧功率放大器
223_2‧‧‧移相器
223_3‧‧‧低雜訊放大器
223_4‧‧‧移相器
224‧‧‧第四收發器
225‧‧‧第五收發器
226‧‧‧第六收發器
227‧‧‧第七收發器
228‧‧‧第八收發器
300‧‧‧訊號處理器
400、500a、500b‧‧‧載板
600‧‧‧無線通訊系統
610‧‧‧基站
620‧‧‧使用者設備
630‧‧‧多輸入多輸出通道
710‧‧‧存取點(AP)
721‧‧‧家用小工具
722‧‧‧家用電器
723‧‧‧娛樂裝置
L、L1、L2‧‧‧長度
LX‧‧‧第二中心線
LY‧‧‧第一中心線
P1‧‧‧第一饋送點
P2‧‧‧第二饋送點
P3‧‧‧第三饋送點
P4‧‧‧第四饋送點
PA‧‧‧功率放大器
PORT1‧‧‧第一埠
PORT2‧‧‧第二埠
PORT3‧‧‧第三埠
PORT4‧‧‧第四埠
Pout‧‧‧功率輸出
Pout_total‧‧‧總功率輸入
RX‧‧‧接收訊號
RX1‧‧‧第一接收訊號
RX3‧‧‧第三接收訊號
TX‧‧‧傳輸訊號
TX1‧‧‧第一傳輸訊號
TX3‧‧‧第三傳輸訊號
W‧‧‧長度
X、Y、Z‧‧‧方向軸
為便於理解,在本說明書所附的圖式中,可誇大或減小構成元件的大小。
藉由結合附圖閱讀以下詳細描述,將更清楚地理解一些示例性實施例,在附圖中:
圖1為根據一些示例性實施例的通訊裝置的方塊圖。
圖2A至圖2C示出根據一些示例性實施例圖1所示的通訊裝置的構成元件的佈局。
圖3A為根據一些示例性實施例的2-埠(2-port)天線模組的立體圖,且圖3B為根據一些示例性實施例在自y軸方向觀察包括圖3A所示的天線模組的無線電頻率(RF)系統時所述無線電頻率系統的側視圖。
圖4為示出根據一些示例性實施例的補塊以及由所述補塊形成的電場的圖式。
圖5A及圖5B為概括2-埠天線模組的模擬結果的圖式。
圖6A為根據一些示例性實施例的4-埠(4-port)天線模組的立體圖,且圖6B示出圖6A所示的下部補塊的下表面。
圖7為概括4-埠天線模組的模擬結果的圖式。
圖8為根據一些示例性實施例的天線模組的圖式。
圖9A至圖9C為根據一些示例性實施例的天線。
圖10為根據一些示例性實施例的天線及無線電頻率積體電路(RFIC)的方塊圖。
圖11為根據一些示例性實施例的RFIC的方塊圖。
圖12為根據一些示例性實施例包括偶極(dipole)及塊狀天線的天線模組的圖式。
圖13為根據一些示例性實施例的無線通訊系統的方塊圖。
圖14為示出根據一些示例性實施例包括無線局域網路(Wireless Local Area Network,WLAN)的無線通訊系統的圖式。
Claims (25)
- 一種無線電頻率(RF)裝置,包括: 無線電頻率積體電路(RFIC)晶片;以及 天線模組,位於所述無線電頻率積體電路晶片的上表面上,所述天線模組包括: 第一補塊,與所述無線電頻率積體電路晶片平行且具有上表面,所述上表面被配置成在與所述第一補塊相對的垂直方向上自所述無線電頻率積體電路晶片發出輻射, 接地板,與所述第一補塊平行,且位於所述第一補塊與所述無線電頻率積體電路晶片之間;以及 第一多個饋送線,連接至所述第一補塊的下表面且被配置成自所述無線電頻率積體電路晶片向所述第一補塊供應至少一個第一差分訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述的無線電頻率裝置,其中 所述第一多個饋送線包括第一饋送線及第二饋送線,所述第一饋送線及所述第二饋送線分別連接至所述第一補塊的所述下表面上的第一饋送點及第二饋送點且被配置成將所述至少一個第一差分訊號中的一者供應至所述第一補塊,且 所述第一饋送點與所述第二饋送點在第一水平方向上分隔開。
- 如申請專利範圍第2項所述的無線電頻率裝置,其中所述第一饋送點及所述第二饋送點接近在所述第一水平方向上與所述第一補塊的中心相交的第一中心線。
- 如申請專利範圍第2項所述的無線電頻率裝置,其中所述第一饋送點與所述第二饋送點相等地接近所述第一補塊的中心。
- 如申請專利範圍第2項所述的無線電頻率裝置,其中 所述第一饋送線包括在所述第一水平方向上延伸的第一部分以及在所述垂直方向上延伸的第二部分,且 所述第二饋送線包括在所述第一水平方向上延伸的第一部分以及在所述垂直方向上延伸的第二部分。
- 如申請專利範圍第2項所述的無線電頻率裝置,其中所述第一補塊的所述上表面及所述第一補塊的所述下表面中的每一者具有矩形形狀,所述矩形形狀包括一對與所述第一水平方向平行的側邊。
- 如申請專利範圍第2項所述的無線電頻率裝置,其中 所述第一多個饋送線更包括第三饋送線及第四饋送線,所述第三饋送線及所述第四饋送線分別連接至所述第一補塊的所述下表面上的第三饋送點及第四饋送點且被配置成將所述至少一個第一差分訊號中的另一者供應至所述第一補塊,且 所述第三饋送點與所述第四饋送點在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上分隔開。
- 如申請專利範圍第7項所述的無線電頻率裝置,其中所述第三饋送點及所述第四饋送點接近在所述第二水平方向上與所述第一補塊的中心相交的第二中心線。
- 如申請專利範圍第7項所述的無線電頻率裝置,其中所述第三饋送點與所述第四饋送點相等地接近所述第一補塊的中心。
- 如申請專利範圍第7項所述的無線電頻率裝置,其中 所述第三饋送線包括在所述第二水平方向上延伸的第一部分以及在所述垂直方向上延伸的第二部分,且 所述第四饋送線包括在所述第二水平方向上延伸的第一部分以及在所述垂直方向上延伸的第二部分。
- 如申請專利範圍第7項所述的無線電頻率裝置,其中所述天線模組更包括: 第二補塊,在所述第一水平方向上自所述第一補塊分隔開;以及 第二多個饋送線,連接至所述第二補塊的下表面且被配置成自所述無線電頻率積體電路晶片向所述第二補塊供應至少一個第二差分訊號。
- 如申請專利範圍第11項所述的無線電頻率裝置,其中所述天線模組更包括: 第三補塊,在所述第二水平方向上自所述第一補塊分隔開; 第四補塊,在所述第二水平方向上自所述第二補塊分隔開; 第三多個饋送線,分別連接至所述第三補塊及所述第四補塊的下表面且被配置成自所述無線電頻率積體電路晶片向所述第三補塊及所述第四補塊供應至少一個第三差分訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述的無線電頻率裝置,其中所述天線模組更包括頂部補塊,所述頂部補塊在所述第一補塊的所述上表面上方平行於所述第一補塊。
- 如申請專利範圍第1項所述的無線電頻率裝置,其中所述無線電頻率積體電路晶片包括: 至少一個移相器,被配置成產生所述至少一個第一差分訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述的無線電頻率裝置,其中 所述第一補塊的所述上表面被進一步配置成經由所述第一多個饋送線接收輻射並將相應的訊號提供至所述無線電頻率積體電路晶片,且 所述無線電頻率積體電路晶片包括至少一個移相器,所述至少一個移相器被配置成處理經由所述第一多個饋送線接收的所述訊號。
- 一種天線模組,包括: 接地板; 第一補塊,與所述接地板平行且具有上表面,所述上表面被配置成在與所述第一補塊相對的垂直方向上自所述接地板發出輻射,以及 第一多個饋送線,分別連接至所述第一補塊的下表面上的第一多個饋送點,所述第一多個饋送點包括在第一水平方向上彼此分隔開的第一饋送點及第二饋送點、以及在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上彼此分隔開的第三饋送點及第四饋送點。
- 如申請專利範圍第16項所述的天線模組,其中 所述第一饋送點及所述第二饋送點接近在所述第一水平方向上與所述第一補塊的中心相交的第一中心線,且 所述第三饋送點及所述第四饋送點接近在所述第二水平方向上與所述第一補塊的所述中心相交的第二中心線。
- 如申請專利範圍第16項所述的天線模組,其中 所述第一饋送點與所述第二饋送點相等地接近所述第一補塊的中心,且 所述第三饋送點與所述第四饋送點相等地接近所述第一補塊的所述中心。
- 如申請專利範圍第16項所述的天線模組,其中所述第一補塊的所述上表面及所述第一補塊的所述下表面中的每一者具有矩形形狀,所述矩形形狀包括與所述第一水平方向平行的第一對側邊以及與所述第二水平方向平行的第二對側邊。
- 如申請專利範圍第16項所述的天線模組,更包括: 第二補塊,在所述第一水平方向上自所述第一補塊分隔開;以及 第二多個饋送線,分別連接至所述第二補塊的下表面上的第二多個饋送點。
- 如申請專利範圍第20項所述的天線模組,更包括: 第三補塊,在所述第二水平方向上自所述第一補塊分隔開; 第四補塊,在所述第二水平方向上自所述第二補塊分隔開;以及 第三多個饋送線,分別連接至所述第三補塊及所述第四補塊的下表面上的第三多個饋送點。
- 一種無線電頻率(RF)裝置,包括: 無線電頻率積體電路(RFIC)晶片,被配置成輸出第一差分訊號及第二差分訊號;以及 天線模組,位於所述無線電頻率積體電路晶片的上表面上,所述天線模組包括: 第一補塊,與所述無線電頻率積體電路晶片平行且被配置成在與所述第一補塊相對的垂直方向上自所述無線電頻率積體電路晶片發出輻射, 接地板,與所述第一補塊平行,且位於所述第一補塊與所述無線電頻率積體電路晶片之間;以及 第一差分饋送線及第二差分饋送線,連接至所述第一補塊的下表面且被配置成向所述第一補塊供應所述第一差分訊號及所述第二差分訊號。
- 如申請專利範圍第22項所述的無線電頻率裝置,其中 所述第一差分饋送線連接至所述第一補塊的所述下表面上的第一饋送點及第二饋送點,所述第一饋送點與所述第二饋送點在第一水平方向上分隔開,且 所述第二差分饋送線連接至所述第一補塊的所述下表面上的第三饋送點及第四饋送點,所述第三饋送點與所述第四饋送點在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上分隔開。
- 如申請專利範圍第22項所述的無線電頻率裝置,其中所述天線模組更包括: 第二補塊,在第一水平方向上自所述第一補塊分隔開;以及 第二多個饋送線,連接至所述第二補塊的下表面且被配置成自所述無線電頻率積體電路晶片向所述第二補塊供應二個差分訊號。
- 如申請專利範圍第24項所述的無線電頻率裝置,其中所述天線模組更包括: 第三補塊,在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上自所述第一補塊分隔開; 第四補塊,在所述第二水平方向上自所述第二補塊分隔開;以及 第二多個饋送線,分別連接至所述第三補塊及所述第四補塊的下表面且被配置成自所述無線電頻率積體電路晶片向所述第三補塊供應二個差分訊號以及向所述第四補塊供應二個差分訊號。
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