TW201920590A - 放熱構件用組成物、放熱構件、電子機器、放熱構件的製造方法 - Google Patents

放熱構件用組成物、放熱構件、電子機器、放熱構件的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明獲得一種可形成同時具有高的耐熱性與高的導熱率的放熱構件的組成物。本發明的放熱構件用組成物為含有如下成分的放熱構件用組成物：與第1矽烷偶合劑（11）的一端鍵結的第1無機填料（1）、與第2矽烷偶合劑（12）的一端鍵結的第2無機填料（2）以及二官能以上的羧酸酐（21）。

Description

放熱構件用組成物、放熱構件、電子機器、放熱構件的製造方法
本發明是有關於一種可形成用於電子基板等電子機器中的放熱構件的組成物。進而，是有關於一種可藉由效率良好地傳導、傳遞電子機器中產生的熱而進行放熱的放熱構件。
近年來，於混合動力汽車或電動汽車等的電力控制用半導體元件、或高功能電腦用的中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等中，因寬能帶隙（wide band gap）半導體的利用等，其動作溫度有所上昇。尤其於備受矚目的碳化矽（SiC）半導體等中，動作溫度成為200℃以上，因此對其封裝材料要求250℃以上的高耐熱性。進而，由於動作溫度的上昇，因封裝體內所使用的材料間的熱膨脹率的差而產生熱應變，由配線的剝離等引起的壽命的降低亦成為問題。
為了解決此種耐熱問題，開發出氮化鋁或氮化矽等的高導熱陶瓷基板、或與用以使導熱率提高的無機填料複合化而成的高耐熱的有機樹脂或矽酮樹脂，尤其是正在進行噁嗪等高耐熱樹脂、或高耐熱矽酮樹脂的開發。專利文獻1中，揭示有一種耐熱性優異的聚苯并噁嗪改質雙馬來醯亞胺樹脂，但並不具有充分的耐熱性，進而進行高耐熱的材料的開發。
作為解決此種放熱問題的方法，可列舉使高導熱性材料（放熱構件）接觸於發熱部位，將熱導出至外部而進行放熱的方法。專利文獻2中，揭示有一種放熱構件，其為使有機材料與無機材料複合化而成的放熱構件，且無機材料間由矽烷偶合劑與聚合性液晶化合物連接。藉由由矽烷偶合劑與聚合性液晶化合物連接，可極其提高無機材料間的導熱性。但是，藉由該些方法所獲得的放熱構件使用液晶化合物，因此導熱率雖高，但耐熱性並不充分。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-97207號公報 [專利文獻2]國際公開第2015/170744號
[發明所欲解決之課題] 因此，本發明的課題為提供一種可形成同時具有高的導熱率、與高的耐熱性的放熱構件的組成物及使用該組成物獲得的放熱構件。 [解決課題之手段]
本發明者等人為了解決所述課題而進行了努力研究。結果，發現若於樹脂中並不添加氮化硼等無機材料而是以將無機材料彼此連接的態樣、即、使無機材料與矽烷偶合劑等有機材料鍵結並添加至樹脂中而使用，則可形成導熱率高的放熱構件，進而可提高耐熱性，從而完成了本發明。
本發明的第1態樣的放熱構件用組成物含有：與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料、與第2矽烷偶合劑的一端鍵結的第2無機填料以及二官能以上的羧酸酐。例如，如圖2所示，為一種放熱構件用組成物，其包含：與第1矽烷偶合劑11的一端鍵結的第1無機填料1、與第2矽烷偶合劑12的一端鍵結的第2無機填料2，且藉由硬化處理，所述第1矽烷偶合劑11的另一端與所述第2矽烷偶合劑12的另一端分別與二官能以上的羧酸酐21鍵結。 所謂「一端」及「另一端」，只要為分子形狀的邊緣或端部即可，可為分子的長邊的兩端亦可不為分子的長邊的兩端。 若如此構成，則可經由矽烷偶合劑及羧酸酐使無機填料彼此鍵結而形成放熱構件。因此，可直接傳播作為導熱的主要要素的聲子（phonon），因此由放熱構件用組成物所獲得的放熱構件可具有極高的導熱性、與極高的耐熱性。
本發明的第2態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣的放熱構件用組成物，其中與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料中，所述第1矽烷偶合劑的另一端與二官能以上的羧酸酐鍵結。 若如此構成，則可容易地經由矽烷偶合劑及羧酸酐使無機填料彼此鍵結而形成放熱構件。
本發明的第3態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣或第2態樣的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自由鄰苯二甲酸酐、琥珀酸酐、馬來酸酐、乙酸酐、丙酸酐及苯甲酸酐所組成的群組中的至少一種。 若如此構成，則羧酸酐為熱硬化性且可不受填料的量影響而硬化，進而耐熱性優異。另外，分子結構具有對稱性、直線性，因此認為對聲子的傳導有利。
本發明的第4態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣或第2態樣的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式（1）、式（2）及式（3）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物。
所述式（1）、式（2）及式（3）中，R1 為獨立地選自單鍵、碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基。
本發明的第5態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣或第2態樣的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式（4）及式（5）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物。
所述式（4）及式（5）中，R2 為獨立地選自單鍵、碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基。式（4）及式（5）各式中，R3 獨立地為碳或氮。
本發明的第6態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣或第2態樣的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式（6）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物。
所述式（6）中，R4 及R5 為獨立地選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基。式（6）中，n獨立地為1～4。
本發明的第7態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣～第6態樣的任一態樣的放熱構件用組成物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為氮化物、金屬氧化物、矽酸鹽化合物、或碳材料。 若如此構成，則放熱構件可含有作為無機填料而更佳的化合物。
本發明的第8態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣～第7態樣的任一態樣的放熱構件用組成物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為選自氮化硼、氮化鋁、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維、碳奈米管、氧化鋁及堇青石（cordierite）中的至少一種。 若如此構成，則可獲得導熱率高、熱膨脹率非常小或為負的放熱構件。
本發明的第9態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣至第8態樣中任一態樣的放熱構件用組成物，其進而包含具有與所述第1無機填料及所述第2無機填料不同的熱膨脹率的第3無機填料。 若如此構成，則於所述第1無機填料與所述第2無機填料為二維的板狀或一維的線狀的情況下，若僅將該些複合化，則經複合化的放熱構件用組成物的物性亦產生大的各向異性。藉由添加第3無機填料，存在第1無機填料、第2無機填料的配向性得以緩和，各向異性變少的優點。進而，於第1無機填料、第2無機填料的熱膨脹率非常小或為負時，藉由添加熱膨脹率為正的第3無機填料，利用其混合比率而可更精密地對熱膨脹率進行由負至正的控制。第3無機填料中使用的無機填料並無制約，較佳為導熱率高的無機填料。
本發明的第10態樣的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1態樣～第9態樣的任一態樣的放熱構件用組成物，其進而包含：所述第1無機填料及所述第2無機填料所未鍵結的聚合性化合物或高分子化合物。 若如此構成，則於將第1無機填料、第2無機填料直接連接而使其硬化而成的放熱構件中，隨著為了提高放熱構件的導熱率而增大填料的粒徑，空隙率將與其相對應地變高。藉由利用未鍵結的化合物來填滿其空隙，可使放熱構件的導熱率或水蒸氣阻斷性能等提高。
本發明的第11態樣的放熱構件為如下放熱構件，其是所述本發明的第1態樣至第10態樣的任一態樣的放熱構件用組成物中的放熱構件用組成物硬化而成。 若如此構成，則放熱構件於無機填料間具有鍵，且該鍵不會如通常的樹脂般引起分子振動或相變化，因此熱膨脹的直線性高，進而可具有高的導熱性。
本發明的第12態樣的電子機器為如下電子機器，其包括所述本發明的第11態樣的放熱構件中的放熱構件、及具有發熱部的電子裝置，並且所述放熱構件以與所述發熱部接觸的方式配置於所述電子裝置。 若如此構成，則放熱構件的耐熱性良好，於高溫下亦可對熱膨脹率進行控制，因此可抑制電子機器中可能產生的熱應變。
本發明的第13態樣的放熱構件用組成物的製造方法為如下放熱構件用組成物的製造方法，其包括：使第1無機填料與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的步驟、以及使第2無機填料與第2矽烷偶合劑的一端鍵結的步驟，且進而包括：使所述第1矽烷偶合劑的另一端與所述第2矽烷偶合劑的另一端分別與二官能以上的羧酸酐鍵結的步驟。 若如此構成，則可製造無機填料彼此由矽烷偶合劑與羧酸酐鍵結的放熱構件。 [發明的效果]
由本發明的放熱構件用組成物形成的放熱構件同時具有極高的導熱性與耐熱性。進而，具有熱膨脹率的控制性、化學穩定性、硬度及機械強度等優異的特性。該放熱構件例如適於放熱基板、放熱板（面狀散熱片）、放熱片（sheet）、放熱塗膜、放熱接著劑等。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。再者，於各圖中對彼此相同或者相當的部分標註相同或類似的符號，並省略重覆的說明。另外，本發明並不限制於以下的實施形態。
對本發明中使用的用語進行說明。有時將式（1）所表示的化合物表述為化合物（1）。關於其他式所表示的化合物，有時亦同樣地進行簡化指稱。關於「任意的A可被B或C取代」之表達，除了至少一個A被B取代的情況及至少一個A被C取代的情況以外，亦指於至少一個A被B取代的同時，其他的A的至少一者被C取代的情況。於實施例中，使用作為質量單位的g（克）來表示電子天秤的顯示資料。重量%或重量比為基於此種數值的資料。
[放熱構件用組成物] 本發明的放熱構件用組成物為可藉由硬化，使無機填料彼此利用矽烷偶合劑及二官能以上的羧酸酐而直接鍵結以形成放熱構件的組成物。圖1為使用氮化硼作為無機填料時的例子。若利用矽烷偶合劑對氮化硼（h-BN）進行處理，則氮化硼因於粒子的平面無反應基而僅於其周圍鍵結矽烷偶合劑。經矽烷偶合劑處理的氮化硼可與二官能以上的羧酸酐形成鍵。因此，使氮化硼所鍵結的矽烷偶合劑的另一端、與進一步鍵結於氮化硼所鍵結的矽烷偶合劑的羧酸酐的另一端鍵結（參照圖2），藉此使氮化硼彼此如圖1般彼此鍵結。 如此，藉由使無機填料彼此利用矽烷偶合劑及羧酸酐而鍵結，可直接傳播聲子，因此硬化後的放熱構件具有極高的導熱，從而可製作直接反映無機成分的熱膨脹率的複合材。
本發明的第1實施形態的放熱構件用組成物例如如圖2所示，包含與第1矽烷偶合劑11的一端鍵結的導熱性的第1無機填料1、及與矽烷偶合劑12的一端鍵結的導熱性的第2無機填料2。如圖2所示，若使放熱構件用組成物硬化，則第1矽烷偶合劑11的另一端與羧酸酐21的一端鍵結，第2矽烷偶合劑12的另一端與羧酸酐21的另一端鍵結。 另外，例如，如圖3所示，於第1矽烷偶合劑11的另一端鍵結有羧酸酐21的一端。然而，於第2矽烷偶合劑12的另一端未鍵結羧酸酐21的另一端。如圖3所示，若使放熱構件用組成物硬化，則第2矽烷偶合劑12的另一端與羧酸酐21的另一端鍵結。 如此，形成無機填料間的鍵。再者，於本發明中重要的是實現此種無機填料間的鍵，亦可於使矽烷偶合劑鍵結於無機填料之前，預先使用有機合成技術使矽烷偶合劑與二官能以上的羧酸酐反應。
＜二官能以上的羧酸酐＞ 二官能以上的羧酸酐為具有鄰苯二甲酸酐、琥珀酸酐、馬來酸酐、乙酸酐、丙酸酐、或苯甲酸酐的羧酸酐的至少一種。
作為此種結構的羧酸酐的具體例，可表示為化合物（1）～化合物（6）。
式（1）、式（2）及式（3）中，R1 為獨立地選自單鍵或碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基。式（1）、式（2）及式（3）各式中，該烷基的較佳的碳數為1～10。進而佳的R1 為直線性的液晶原（例如液晶性化合物）。
式（4）、及式（5）中，R2 為獨立地選自單鍵或碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基。式（4）及式（5）各式中，該烷基的較佳的碳數為1～10。R3 獨立地為碳或氮。進而佳的R2 為直線性的液晶原（例如液晶性化合物）。
式（6）中，R4 及R5 為選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基且可獨立。式（6）各式中，該烷基的較佳的碳數為1～10。n獨立地為1～4的整數。
·鄰苯二甲酸酐 作為較佳的式（1）的例子，可列舉以下所示的化合物（1-1）～化合物（1-4）。m為1～20的整數，較佳為1～10的整數，更佳為4～8的整數。n為0～6的整數，較佳為1～6的整數。q為0～4的整數，較佳為0～2的整數。R6 為選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基且可獨立。
·琥珀酸酐 作為較佳的式（2）的例子，可列舉以下所示的化合物（2-1）～化合物（2-4）。m為1～20的整數，較佳為1～10的整數，更佳為4～8的整數。n為0～6的整數，較佳為1～6的整數。q為0～4的整數，較佳為0～2的整數。R6 為選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基且可獨立。
·馬來酸酐 作為較佳的式（3）的例子，可列舉以下所示的化合物（3-1）～化合物（3-4）。m為1～20的整數，較佳為1～10的整數，更佳為4～8的整數。n為0～6的整數，較佳為1～6的整數。q為0～4的整數，較佳為0～2的整數。R6 為選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基且可獨立。
·乙酸酐 作為較佳的式（4）的例子，可列舉以下所示的化合物（4-1）～化合物（4-8）。m為1～20的整數，較佳為1～10的整數，更佳為4～8的整數。n為0～6的整數，較佳為1～6的整數。q為0～4的整數，較佳為0～2的整數。R6 為選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基且可獨立。
·丙酸酐 作為較佳的式（5）的例子，可列舉以下所示的化合物（5-1）～化合物（5-8）。m為1～20的整數，較佳為1～10的整數，更佳為4～8的整數。n為0～6的整數，較佳為1～6的整數。q為0～4的整數，較佳為0～2的整數。R6 為選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基且可獨立。
·苯甲酸酐 作為較佳的式（6）的例子，可列舉以下所示的化合物（6-1）～化合物（6-6）。
·其他的羧酸酐 作為較佳的例子，可列舉以下所示的化合物（7-1）～化合物（7-9）。m為0～2的整數。n為0～6的整數，較佳為0～4的整數，更佳為0～2的整數。R6 為選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基且可獨立。
＜無機填料＞ 作為第1無機填料及第2無機填料，可列舉氮化物、碳化物、碳材料、金屬氧化物、矽酸鹽礦物等。第1無機填料及第2無機填料可相同亦可不同。 作為第1無機填料、第2無機填料，可利用高導熱性且熱膨脹率非常小或為負的無機填料，具體可列舉：氮化硼、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維、碳奈米管。或者，可列舉：氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂、氧化鋅、氧化鐵、鐵氧體、莫來石、堇青石、氮化矽、及碳化矽。 或者，亦可於第1無機填料或第2無機填料的任一者中使用下述導熱率高且熱膨脹率為正的無機填料。 作為第3填料，可利用導熱率高、熱膨脹率為正、或者尺寸較第1無機填料、第2無機填料小等的無機填料，具體可列舉：氧化鋁、二氧化矽、碳化矽、氮化鋁、氮化矽、金剛石（diamond）、碳奈米管、石墨、石墨烯、矽、氧化鈹（beryllia）、氧化鎂、氧化鋁、氧化鋅、氧化矽、氧化銅、氧化鈦、氧化鈰、氧化釔、氧化錫、氧化鈥、氧化鉍、氧化鈷、氧化鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋁、金、銀、銅、鉑、鐵、錫、鉛、鎳、鋁、鎂、鎢、鉬、不鏽鋼（stainless）等無機填充材料及金屬填充材料。 羧酸酐的結構較佳為具有該些無機填料間可效率良好地直接鍵結的形狀及長度。無機填料的種類、形狀、大小、添加量等可根據目的而適宜選擇。於所獲得的放熱構件需要絕緣性的情況下，只要保持所期望的絕緣性，則亦可為具有導電性的無機填料。無機填料的形狀可列舉板狀、球狀、無定形、纖維狀、棒狀、筒狀等。
較佳為氮化硼、氮化鋁、氮化矽、碳化矽、石墨、碳纖維、碳奈米管。特佳為六方晶系的氮化硼（h-BN）或石墨。氮化硼、石墨由於平面方向的導熱率非常高，且氮化硼的介電常數亦低，絕緣性亦高，因此較佳。例如，若使用板狀結晶的氮化硼，則於成型及硬化時，因原料的流動或壓力，板狀結構容易沿模具配向，因此較佳。
無機填料的平均粒徑較佳為0.1 μm～200 μm。更佳為1 μm～100 μm。若為0.1 μm以上，則導熱率良好，若為200 μm以下，則可提高填充率。 再者，於本說明書中，平均粒徑是基於利用雷射繞射·散射法的粒度分佈測定。即，利用基於夫朗和斐（Fraunhofer）繞射理論及米氏（Mie）散射理論的分析，藉由濕式法，將粉體自某粒徑分為兩種時，將大側與小側成為等量（體積基準）的直徑設為中值粒徑。 無機填料、矽烷偶合劑及羧酸酐的比例依存於與所使用的無機填料鍵結的矽烷偶合劑的量。作為第1無機填料、第2無機填料而使用的化合物（例如氮化硼）如上所述於表面無反應基，僅於側面存在反應基。較佳為使儘可能多的矽烷偶合劑鍵結於該少的反應基，從而使具有與該反應基的數量相等或稍多的反應基的數量的羧酸酐進行鍵結。矽烷偶合劑對於無機填料的反應量主要根據無機填料的大小或所使用的矽烷偶合劑的反應性而變化。例如無機填料越大，則無機填料的側面的面積比越減小，因此修飾量少。較佳為使儘可能多的矽烷偶合劑與無機填料反應，但若減小無機填料的粒子，則產物的導熱率將變低，因此較佳為取得平衡。 作為硬化物的放熱構件中的矽烷偶合劑及羧酸酐、與無機填料的體積比率較佳為5：95～30：70的範圍，進而佳為10：90～25：75。
＜矽烷偶合劑＞ 與無機填料鍵結的矽烷偶合劑較佳為與二官能以上的羧酸酐反應，因此較佳為於末端具有胺系反應基的矽烷偶合劑。例如可列舉：捷恩智（JNC）（股）製造的塞拉艾斯（Sila-Ace）（註冊商標）S310、塞拉艾斯（Sila-Ace）S320、塞拉艾斯（Sila-Ace）S330、塞拉艾斯（Sila-Ace）S360、信越化學工業（股）製造的KBM903、KBE903等。 第1矽烷偶合劑與第2矽烷偶合劑可相同亦可不同。
第1無機填料可於經矽烷偶合劑處理後進而利用二官能以上的羧酸酐進行了表面修飾後使用。例如，使二官能以上的羧酸酐進而鍵結於經矽烷偶合劑處理的無機填料（與矽烷偶合劑鍵結的無機填料）的該矽烷偶合劑，藉此利用羧酸酐對無機填料進行表面修飾。如圖2所示，利用羧酸酐進行了表面修飾的第1無機填料可利用羧酸酐及矽烷偶合劑而與第2無機填料形成鍵，該鍵顯著有助於導熱。 再者，第1無機填料亦可使用預先利用與二官能以上的羧酸酐鍵結的矽烷偶合劑進行了偶合處理者。 二官能以上的羧酸酐較佳為所述式（1）、式（2）所表示的二官能以上的羧酸酐。然而，亦可為其以外的羧酸酐。於羧酸酐為多環的情況下，耐熱性變高，且於羧酸酐的直線性高的情況下，無機填料間的由熱所引起的延伸或波動少，進而可效率良好地傳遞熱的聲子傳導，因此較佳。再者，利用羧酸酐等的表面修飾越多則鍵越增多，因此較佳。
＜其他成分＞ 放熱構件用組成物可進而包含第1無機填料及第2無機填料所未鍵結的、即未有助於鍵結的有機化合物（例如聚合性化合物或高分子化合物），亦可包含聚合起始劑或溶媒等。
＜未鍵結的聚合性化合物＞ 放熱構件用組成物亦可含有無機填料所未鍵結的羧酸酐（該情況下可不必為二官能以上）。此種羧酸酐較佳為不會妨礙對無機填料進行修飾的有機化合物的熱硬化且不會因加熱而蒸發或滲出。或者，亦可含有無機填料所未鍵結的其他聚合性化合物。該聚合性化合物分類為不具有液晶性的化合物與具有液晶性的化合物。不具有液晶性的聚合性化合物可列舉：乙烯基衍生物、苯乙烯衍生物、(甲基)丙烯酸衍生物、山梨酸（sorbic acid）衍生物、富馬酸衍生物、衣康酸衍生物等。關於含量，較佳為首先製作不含未鍵結的化合物的放熱構件用組成物，測定其空隙率，從而添加可填埋其空隙率的量的化合物。
＜未鍵結的高分子化合物＞ 放熱構件用組成物亦可以無機填料所未鍵結的高分子化合物作為構成要素。此種高分子化合物較佳為不會使膜形成性及機械強度降低的化合物。該高分子化合物只要為不與無機填料、矽烷偶合劑、及羧酸酐反應的高分子化合物即可，例如於羧酸酐為氧雜環丙基且矽烷偶合劑具有胺基的情況下，可列舉：聚烯烴系樹脂、聚乙烯基系樹脂、矽酮樹脂、蠟等。關於含量，較佳為首先製作不含未鍵結的聚合性化合物的放熱構件用組成物，測定其空隙率，從而添加可填埋其空隙率的量的高分子化合物。
＜非聚合性的液晶性化合物＞ 放熱構件用組成物亦可含有不具有聚合性基的液晶性化合物。此種非聚合性的液晶性化合物的例子於作為液晶性化合物的資料庫（date base）的液晶資料庫（LiqCryst, LCI 出版社（Publisher GmbH）, 漢堡市（Hamburg）, 德國（Germany））等中有所記載。可藉由使含有非聚合性的液晶性化合物的該組成物聚合而獲得例如化合物（1）、化合物（2）與液晶性化合物的複合材（composite materials）。此種複合材中，於高分子網狀結構中存在非聚合性的液晶性化合物。較佳為具有如於所使用的溫度範圍中無流動性般的特性的液晶性化合物。可使無機填料硬化後，以於顯示各向同性相的溫度範圍注入其空隙的方法進行複合化，亦可於無機填料中混合預先以填埋空隙的方式計算出的分量的液晶性化合物，從而使無機填料彼此聚合。
＜溶媒＞ 放熱構件用組成物亦可含有溶媒。於該組成物中包含必須聚合的成分的情況下，聚合可於溶媒中進行，亦可於無溶媒下進行。藉由例如旋塗法（spin coat method）等將含有溶媒的該組成物塗佈於基板上後，去除溶媒後使其進行光聚合。另外，亦可於光硬化後加溫至適當的溫度，藉由熱硬化而進行後處理。 作為較佳的溶媒，例如可列舉：苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、四氫呋喃、γ-丁內酯、N-甲基吡咯啶酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、環己烷、甲基環己烷、環戊酮、環己酮、丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA）等。所述溶媒可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。 再者，限定聚合時的溶媒的使用比例並無太大意義，只要考慮聚合效率、溶媒成本（cost）、能量（energy）成本等而按各事例（case）分別決定即可。
＜其他＞ 為了使操作容易，亦可於放熱構件用組成物中添加穩定劑。此種穩定劑可無限制地使用公知者，例如可列舉：對苯二酚（hydroquinone）、4-乙氧基苯酚及3,5-二-第三丁基-4-羥基甲苯（BHT）等。 進而，亦可為了調整放熱構件用組成物的黏度或顏色而添加添加劑（氧化物等）。例如可列舉：用以形成白色的氧化鈦、用以形成黑色的碳黑（carbon black）、用以調整黏度的二氧化矽的微粉末。另外，亦可為了進一步增加機械強度而添加添加劑。例如可列舉：玻璃纖維、碳纖維（carbon fiber）、碳奈米管等無機纖維或布（cloth）、或作為高分子添加劑的聚乙烯基甲醛、聚乙烯基丁醛、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺等纖維或長分子。
＜製造方法＞ 以下，對製造放熱構件用組成物的方法及由該組成物製造放熱構件的方法進行具體說明。 （1）實施偶合處理 對第2無機填料實施偶合處理而使第2矽烷偶合劑的一端與第2無機填料鍵結，藉此製成與第2矽烷偶合劑的一端鍵結的第2無機填料。偶合處理可使用公知的方法。 作為一例，首先，將無機填料與矽烷偶合劑添加至溶媒中。使用攪拌器（stirrer）等加以攪拌後進行乾燥。於溶媒乾燥後，使用真空乾燥機等於真空條件下進行加熱處理。向該無機填料中添加溶媒，藉由超音波處理進行粉碎。使用離心分離機對該溶液進行分離精製。捨棄上清液後，添加溶媒進行多次同樣的操作。使用烘箱（oven）使精製後的實施了偶合處理的無機填料乾燥。 （2）利用羧酸酐進行修飾 實施偶合處理而使二官能以上的羧酸酐鍵結於與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料（可與藉由所述（1）獲得的與第2矽烷偶合劑的一端鍵結的第2無機填料相同，亦可不同）的矽烷偶合劑的另一端。如此，製成利用羧酸酐進行修飾且與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料。 作為一例，使用瑪瑙研缽等將經偶合處理的無機填料與二官能以上的羧酸酐混合後，使用雙軸輥等進行混練。其後，藉由超音波處理及離心分離進行分離精製。 （3）進行混合 例如以僅無機填料的重量以重量比計而成為1：1的方式量取利用羧酸酐進行修飾且與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料、和與第2矽烷偶合劑的一端鍵結的第2無機填料，並使用瑪瑙研缽等進行混合。其後，使用雙軸輥等進行混合，獲得放熱構件用組成物。 關於第1無機填料與第2無機填料的混合比例，於形成第1無機填料與第2無機填料間的鍵的鍵結基分別為胺：環氧基的情況下，僅無機填料的重量例如較佳為1：1～1：30，更佳為1：3～1：20。混合比例由形成第1無機填料與第2無機填料間的鍵的末端的鍵結基的數量決定，例如，若為二級胺，則可與2個氧雜環丙基進行反應，因此與氧雜環丙基側相比可為少量，亦有氧雜環丙基側開環的可能性，從而較佳為增大根據環氧當量所計算的量而使用。 （4）製造放熱構件 作為一例，對使用放熱構件用組成物製造作為放熱構件的膜的方法進行說明。使用壓縮成形機將放熱構件用組成物夾於加熱板中，藉由壓縮成形進行配向·硬化成形。進而，使用烘箱等進行後硬化，獲得本發明的放熱構件。再者，壓縮成形時的壓力較佳為50 kgf/cm2 ～200 kgf/cm2 ，更佳為70 kgf/cm2 ～180 kgf/cm2 。硬化時的壓力基本上以高為佳。然而，較佳為根據模具內的流動性或目標物性（重視哪一方向的導熱率等）而適宜變更，施加適當的壓力。
以下，對使用含有溶媒的放熱構件用組成物製造作為放熱構件的膜的方法進行具體說明。 首先，於基板上塗佈該組成物並將溶媒乾燥去除而形成膜厚均勻的塗膜層。塗佈方法例如可列舉：旋塗、輥塗（roll coat）、簾塗（curtain coat）、流塗（flow coat）、印刷（print）、微凹版塗佈（microgravure coat）、凹版塗佈（gravure coat）、線棒塗佈（wire bar coat）、浸漬塗佈（dip coat）、噴塗（spray coat）、彎月面塗佈法（meniscus coat method）等。 溶媒的乾燥去除例如可藉由在室溫下的風乾、利用加熱板（hot plate）的乾燥、利用乾燥爐的乾燥、溫風或熱風的吹送等進行。溶媒去除的條件並無特別限定，只要乾燥至將溶媒大致去除，塗膜層的流動性消失即可。
作為所述基板，例如可列舉：銅、鋁、鐵等金屬基板；矽、氮化矽、氮化鎵、氧化鋅等無機半導體基板；鹼玻璃（alkali glass）、硼矽酸玻璃、火石玻璃（flint glass）等玻璃基板；氧化鋁、氮化鋁等無機絕緣基板；聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯胺、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚酮、聚酮硫醚、聚醚碸、聚碸、聚苯硫醚、聚苯醚、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚縮醛、聚碳酸酯、聚芳酯、丙烯酸樹脂、聚乙烯基醇、聚丙烯、纖維素、三乙醯纖維素或其部分皂化物、環氧樹脂、酚樹脂、降冰片烯樹脂等塑膠膜（plastic film）基板等。
所述膜基板可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。所述膜基板亦可預先實施皂化處理、電暈處理（corona treatment）、電漿處理（plasma treatment）等表面處理。再者，亦可於該些膜基板上形成不會被所述放熱構件用組成物中所含的溶媒侵蝕的保護層。作為保護層而使用的材料例如可列舉聚乙烯基醇。進而，亦可形成增黏塗層（anchor coat layer）以提高保護層與基板的密接性。此種增黏塗層只要為提高保護層與基板的密接性者，則可為無機系及有機系的任一種材料。
以上，對由經偶合處理的無機填料與經偶合處理進而利用羧酸酐進行修飾的無機填料構成無機填料彼此的鍵的情況進行了說明。具體而言，例如利用具有胺基的矽烷偶合劑對第2無機填料進行偶合處理。利用具有胺基的矽烷偶合劑對第1無機填料進行偶合處理後，使胺基與於兩末端具有羧酸酐的化合物的一端鍵結。最後，使第2無機填料側的胺基與第1無機填料側的羧酸酐所具有的COO基的另一者鍵結。再者，亦可為無機填料側具有環氧基、羧酸酐側具有羧酸的組合。
或者，作為其他方法，亦可將經矽烷偶合劑處理的第1無機填料、第2無機填料與根據矽烷偶合劑的修飾量所計算出的二官能以上的羧酸酐混合並進行壓製。藉由在加壓的狀態下進行加溫，首先，羧酸酐具有流動性而滲入無機填料的間隙。藉由進一步進行加溫，羧酸酐與矽烷偶合劑鍵結，可形成第1無機填料與第2無機填料間的鍵（即進行硬化）。
如此，亦可藉由矽烷偶合劑彼此的鍵來形成無機填料間的鍵。例如利用具有胺基的矽烷偶合劑對第1無機填料進行偶合處理。利用具有羧酸的矽烷偶合劑對第2無機填料進行偶合處理。最後，使第1無機填料側的胺基與第2無機填料側的環氧基鍵結。如此，鍵結於第1無機填料的矽烷偶合劑與鍵結於第2無機填料的矽烷偶合劑分別具有使矽烷偶合劑彼此鍵結的官能基。第1無機填料側的官能基與第2無機填料側的官能基只要可形成矽烷偶合劑彼此的鍵，則可為不同官能基的組合，亦可為相同官能基的組合。 作為形成矽烷偶合劑彼此的鍵的官能基的組合，例如可列舉氧雜環丙基與胺基、乙烯基彼此、甲基丙烯醯氧基彼此、羧基或羧酸酐殘基與胺基、咪唑基與氧雜環丙基等組合，但並不限於該些。更佳為耐熱性高的官能基的組合。
於藉由矽烷偶合劑彼此的鍵而於無機填料間形成鍵的態樣中，較佳為矽烷偶合劑的至少任一者於其結構中包含羧酸酐。
如此，藉由適宜選擇矽烷偶合劑及羧酸酐，可連接第1無機填料與第2無機填料，可由本發明的放熱構件用組成物獲得具有極高的導熱性與熱膨脹率的控制性的放熱構件。再者，所述官能基為例示，只要可獲得本發明的效果則並不限定於所述官能基。
[放熱構件] 本發明的放熱構件是使放熱構件用組成物硬化並根據用途進行成形而成的硬化物。該硬化物因同時具有高的導熱性與高的耐熱性而可作為放熱構件適宜地使用。進而，硬化物可使熱膨脹率為負或為非常小的正，且化學穩定性、硬度及機械強度等優異。再者，所述機械強度是指楊氏係數（Young's modulus）、拉伸強度、撕裂強度、彎曲強度、彎曲彈性係數、衝擊強度等。放熱構件可用於放熱板、放熱片、放熱膜、放熱接著材、放熱成形品等。
於本發明中，導熱性可藉由垂直方向的導熱率而進行評價。此處，所謂垂直方向，通常是表示試樣的厚度方向。關於本發明的放熱構件的垂直方向的導熱率，於使用氮化硼的情況下，較佳為5（W/mK）以上，更佳為9（W/mK）以上。若為該範圍，導熱優異，因此可適宜用於放熱板等。 另外，於本發明中，耐熱性可藉由5%重量減少溫度的測定而進行評價。本發明的放熱構件的5%重量減少溫度較佳為280℃以上，更佳為290℃以上，最佳為300℃以上。若為該範圍，則可適宜用於面向高功率的放熱構件中的用途。 於本發明中，熱膨脹性可藉由熱膨脹率而進行評價。此處，所謂熱膨脹率，是表示50℃～200℃的範圍內的試樣的平面方向上的伸長率。本發明的放熱構件的熱膨脹率較佳為-20～50（ppm/K），更佳為-5～20（ppm/K）。若為該範圍，則非熱膨脹性優異，因此可適宜用於對於發熱的金屬基板的晶粒黏著（die attachment）等。
作為藉由熱聚合而使放熱構件用組成物硬化的預硬化的條件，熱硬化溫度為室溫～350℃、較佳為室溫～300℃、更佳為120℃～250℃的範圍，硬化時間為5秒～10小時、較佳為1分鐘～5小時、更佳為5分鐘～1小時的範圍。聚合後較佳為進行緩冷以抑制應力應變等。另外，亦可進行再加熱處理而緩和應變等。
放熱構件以片、膜、薄膜、纖維、成形體等形狀使用。較佳的形狀為板、片、膜及薄膜。再者，本說明書中的片的膜厚為1 mm以上，膜的膜厚為5 μm以上，較佳為10 μm～500 μm，更佳為20 μm～300 μm，薄膜的膜厚小於5 μm。膜厚只要根據用途而適當變更即可。放熱構件用組成物亦可直接作為接著劑或填充劑而使用。
[電子機器] 本發明的電子機器包括：本發明的放熱構件、及具有發熱部或冷卻部的電子裝置。放熱構件是以與所述發熱部接觸的方式配置於電子裝置。放熱構件的形狀可為放熱電子基板、放熱板、放熱片、放熱膜、放熱接著材、放熱成形品等的任一種。 例如，作為電子裝置，可列舉半導體模組。本發明的放熱構件除了低熱膨脹性以外還具有高導熱性、高耐熱性、高絕緣性，因此，半導體元件中，對於因高電力而需要更有效率的放熱機構的絕緣閘雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）特別有效。IGBT是半導體元件之一，是將金氧半導體場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）組入至閘極（gate）部而成的雙極電晶體（bipolar transistor），可用於電力控制的用途。具備IGBT的電子機器可列舉大電力反相器（inverter）的主轉換元件、無停電電源裝置、交流電動機的可變電壓可變頻率控制裝置、鐵道車輛的控制裝置、混合動力汽車、電車（electric car）等的電動輸送機器、感應加熱（induction heat，IH）調理器等。
以上，以如下方式對本發明進行了說明：使經偶合處理的第2無機填料與經偶合處理後進而利用羧酸酐進行了修飾的第1無機填料鍵結，於無機填料間形成鍵，從而獲得具有低的熱膨脹性、高的導熱性及高的耐熱性的放熱構件，但本發明並不限定於此。亦可使經偶合處理後進而利用羧酸酐進行了修飾的第2無機填料與經偶合處理的第1無機填料鍵結，於無機填料間形成鍵。 進而，可僅使用經偶合處理後進而利用羧酸酐進行了修飾的無機填料，藉由適當的聚合起始劑等使羧酸酐彼此鍵結，於無機填料間形成鍵。 即，本發明為於無機材料與有機材料的複合化中，利用有機化合物於無機材料間形成鍵，從而使導熱性顯著提高，進而使耐熱性提高者。 [實施例]
以下，使用實施例對本發明進行詳細說明。然而，本發明並不限定於以下實施例中所記載的內容。
本發明的實施例中所使用的構成放熱構件的材料如下所述。
＜羧酸酐＞ ·1,3-異苯并呋喃二酮,5,5'-(1,4-丁烷二基)雙-5,5'-(1,4-丁烷二基)雙[1,3-異苯并呋喃二酮]：下述式（8-1）所表示的化合物（捷恩智（JNC）（股）製造）
·1,3-異苯并呋喃二酮,5,5'-(1,8-辛烷二基)雙-5,5'-(1,8-辛烷二基)雙[1,3-異苯并呋喃二酮]：下述式（8-2）所表示的化合物（捷恩智（JNC）（股）製造）
·四氫-[3,3'-聯呋喃]-2,2',5,5-四酮：下述式（8-3）所表示的化合物（新日本理化（股）製造）（商品名）理家德（Rikacid）BT-100
·4,4'-(乙烷-1,2-二基)雙(嗎啉-2,6-二酮)：下述式（8-4）所表示的化合物（捷恩智（JNC）（股）製造）
＜聚合性液晶化合物＞ ·液晶性環氧化合物：下述式（9-1）所表示的化合物（捷恩智（JNC）（股）製造）。 可利用日本專利第5084148號公報中所記載的方法來合成該化合物。
＜無機填料＞ ·氮化硼：h-BN粒子（日本邁圖高新材料（Momentive Performance Materials Japan）（合）製造，（商品名）帕拉姆（PolarTherm）PTX-25）
＜矽烷偶合劑＞ ·矽烷偶合劑1：下述式（10-1）所表示的N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（捷恩智（JNC）（股）製造，（商品名）塞拉艾斯（Sila-Ace）S320）
·矽烷偶合劑2：下述式（10-2）所表示的3-胺基丙基三甲氧基矽烷（信越化學（股）製造，（商品名）KBM-903）
[實施例1] ＜放熱構件的製備＞ 以下，示出放熱構件的製備例。 ·經矽烷偶合劑處理的氮化硼粒子的準備 將氮化硼粒子（日本邁圖高新材料（Momentive Performance Materials Japan）製造的PTX-25）15 g與矽烷偶合劑1 2.25 g添加至甲苯100 mL中，使用攪拌器以500 rpm攪拌1小時，將所獲得的混合物於40℃下乾燥4小時。進而，於溶媒乾燥後使用設定為120℃的真空乾燥機在真空條件下進行5小時加熱處理。將所獲得的粒子設為第2無機填料（BN）。
將第2無機填料與式（8-1）所表示的化合物分別各量取1.0 g，並使用雙輥（井元製作所（股）製造的IMC-AE00型）於120℃下混合10分鐘。該重量比為第2無機填料所具有的胺基充分進行反應的酸酐基的個數及於雙輥上兩者充分融合的量。將所獲得的混合物添加至四氫呋喃45 mL中，充分攪拌後，利用離心分離機（日立工機（股）製造的高速冷卻離心機CR22形，4,000轉×10分鐘×25℃）使不溶成分沈降，利用傾析除去包含溶解有未反應的酸酐的成分的溶液。其後，添加丙酮45 mL，並進行與所述相同的操作。進而，按照四氫呋喃、丙酮的順序重覆同樣的操作。將對不溶成分進行乾燥而獲得的粒子設為第1無機填料。
第1無機填料及第2無機填料的矽烷偶合劑或酸酐對BN的被覆量是使用熱重/差熱測定裝置（理學（Rigaku）（股）製造的TG-8121）並根據其於900℃下的加熱減量而算出。
·第1無機填料與第2無機填料的混合及成形·硬化 量取所製作的第2無機填料0.10 g與第1無機填料0.26 g，並進行混合。
將所獲得的混合物以不發生氧化的方式使用金屬框夾於不鏽鋼製板中，使用設定為150℃的壓縮成形機（井元製作所（股）製造的IMC-19EC）加壓至30 MPa，持續15分鐘加熱狀態，藉此進行配向處理與預硬化。即，於使混合物在不鏽鋼板之間擴展時，因BN為板狀粒子，因此以粒子與不鏽鋼板平行的方式進行配向。以試樣的厚度成為約500 μm的方式調整金屬框與試樣的量。進而，使用真空烘箱於80℃下進行3小時硬化，且於200℃下進行14小時硬化。將該操作中所獲得的試樣設為放熱構件。
·熱重量（TG）的測定 所獲得的試樣的對無機填料的被覆量是使用熱重·差熱測定裝置（理學（Rigaku）（股）製造的TG-8121）並根據其於900℃下的加熱減量而算出。 另外，放熱構件的5%重量減少溫度是使用所述測定裝置並根據將140℃至900℃的減少量設為100重量%時的5重量%減少時的溫度而算出。
·熱膨脹率的評價 自所獲得的試樣切出4 mm×20 mm的試驗片，於50℃～200℃的範圍下求出熱膨脹率（利用SII（股）的TMA-SS6100熱機械分析裝置進行測定）。試驗片的長度或溫度的範圍是根據所測定的試樣的形狀或耐熱性而適宜調整。
·導熱率的評價 關於導熱率，預先求出放熱構件的比熱（利用理學（Rigaku）（股）的DSC-8231、DSC型輸入補償型示差掃描熱量測定裝置進行測定）、與比重（利用梅特勒-托利多（Mettler Toledo）製造的比重計AG204密度測定套組進行測定），並用該值乘以藉由艾菲茲（ai-Phase）（股）製造的艾菲茲（ai-Phase）移動（Mobile）1u熱擴散率測定裝置而求出的熱擴散率，藉此求出垂直方向的導熱率。
[實施例2] 使用式（8-2）來代替式（8-1），除此以外，與實施例1同樣地製作試樣，進行測定。
[實施例3] 使用式（8-3）來代替式（8-1），除此以外，與實施例1同樣地製作試樣，進行測定。
[實施例4] 使用式（8-4）來代替式（8-1），除此以外，與實施例1同樣地製作試樣，進行測定。
[比較例1] 使用式（9-1）來代替式（8-1），除此以外，與實施例1同樣地製作試樣，進行測定。於預硬化後，使用真空烘箱於150℃下進行5小時硬化。
將實施例1、實施例2、實施例4、比較例1的利用熱機械分析裝置的測定結果匯總於圖4～圖7中。於各測定中，第1次與第2次的行為均大致相同。得知耐熱溫度或溫度循環的重覆穩定性良好。
將實施例1～實施例4、比較例1的5重量%減少溫度、導熱率及熱膨脹率的測定結果匯總於表1中。
[表1]
於通常的使高導熱填料分散於環氧樹脂與硬化劑中的方法中，例如如比較例1般，於玻璃轉移溫度的前後熱膨脹率大幅變化。比較例1中使用耐熱性與熱膨脹性優異的液晶性環氧化合物，因此示出相對較高的熱膨脹率與耐熱溫度，但認為於通常的雙酚型環氧化合物與二氧化矽及二胺系硬化劑的複合材中其熱膨脹率為50×10-6 /K左右，耐熱溫度亦為120℃左右。與此相比，於本發明的使羧酸酐基利用矽烷偶合劑而直接鍵結於BN的情況下，未確認到明確的玻璃轉移點，熱膨脹率相對於溫度的變化非常小。另外，熱膨脹率自身亦具有非常小的特徵。認為原因在於：相比於環氧基與胺的鍵，鄰苯二甲酸酐與胺反應而形成的醯亞胺鍵的耐熱性高。因此得知，於特別要求耐熱性的用途中，此外亦較佳為使用馬來醯亞胺等耐熱性高的鍵。 [產業上之可利用性]
由本發明的放熱構件用組成物形成的放熱構件同時具有極高的導熱性與耐熱性，因此例如可用於放熱基板、放熱板（面狀散熱片）、放熱片、放熱塗膜、放熱接著劑等。
1‧‧‧第1無機填料
2‧‧‧第2無機填料
3‧‧‧第1矽烷偶合劑與二官能以上的羧酸酐及第2矽烷偶合劑鍵結的部位
11‧‧‧第1矽烷偶合劑
12‧‧‧第2矽烷偶合劑
21‧‧‧二官能以上的羧酸酐
圖1是於本發明的放熱構件中，以氮化硼為例來表示無機填料彼此的鍵結的概念圖。 圖2是表示藉由放熱構件用組成物的硬化處理而羧酸酐21的兩個端部與第1矽烷偶合劑11及第2矽烷偶合劑12鍵結的概念圖。 圖3是表示藉由放熱構件用組成物的硬化處理而第1矽烷偶合劑11所鍵結的羧酸酐21的另一端與第2矽烷偶合劑12的另一端鍵結的概念圖。 圖4是表示實施例1的利用熱機械分析裝置的測定結果的圖表。 圖5是表示實施例2的利用熱機械分析裝置的測定結果的圖表。 圖6是表示實施例4的利用熱機械分析裝置的測定結果的圖表。 圖7是表示比較例1的利用熱機械分析裝置的測定結果的圖表。

Claims (13)

  1. 一種放熱構件用組成物，其含有：與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料、與第2矽烷偶合劑的一端鍵結的第2無機填料以及二官能以上的羧酸酐。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的放熱構件用組成物，其中與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的第1無機填料中，所述第1矽烷偶合劑的另一端與二官能以上的羧酸酐鍵結。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為作為選自由鄰苯二甲酸酐、琥珀酸酐、馬來酸酐、乙酸酐、丙酸酐及苯甲酸酐所組成的群組中至少一種的羧酸酐。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式（1）、式（2）及式（3）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物；所述式（1）、式（2）及式（3）中， R1 為獨立地選自單鍵、碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式（4）及式（5）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物；所述式（4）及式（5）中， R2 為獨立地選自單鍵、碳數1～20的烷基、碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基；式（4）及式（5）各式中，R3 獨立地為碳或氮。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放熱構件用組成物，其中所述二官能以上的羧酸酐為選自式（6）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物；所述式（6）中， R4 及R5 為獨立地選自碳數4～8的環烷基、芳基及碳數7～20的芳基烷基中的基；式（6）中，n獨立地為1～4。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的放熱構件用組成物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為氮化物、金屬氧化物、矽酸鹽化合物、或碳材料。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的放熱構件用組成物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為選自氮化硼、氮化鋁、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維、碳奈米管、氧化鋁及堇青石中的至少一種。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的放熱構件用組成物，其進而包含具有與所述第1無機填料及所述第2無機填料不同的熱膨脹率的第3無機填料。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的放熱構件用組成物，其進而包含所述第1無機填料及所述第2無機填料所未鍵結的聚合性化合物或高分子化合物。
  11. 一種放熱構件，其是如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的放熱構件用組成物硬化而成。
  12. 一種電子機器，其包括： 如申請專利範圍第11項所述的放熱構件、以及 具有發熱部的電子裝置，並且 所述放熱構件是以與所述發熱部接觸的方式配置於所述電子裝置。
  13. 一種放熱構件用組成物的製造方法，其包括： 使第1無機填料與第1矽烷偶合劑的一端鍵結的步驟、以及 使第2無機填料與第2矽烷偶合劑的一端鍵結的步驟，且進而包括： 使所述第1矽烷偶合劑的另一端與所述第2矽烷偶合劑的另一端分別與二官能以上的羧酸酐鍵結的步驟。
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