TW201905230A - 包括易於清洗塗層的塗佈物件 - Google Patents

包括易於清洗塗層的塗佈物件

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Abstract

根據本文中揭示之一或多個實施例,一種塗佈物件可包括基板及光學塗層。該光學塗層可安置於該基板之主表面上且可形成空氣側表面。該光學塗層可包括光學堆疊、黏附塗層及易於清洗塗層。該黏附塗層可包含氧化鋁層及氧化矽層。本揭示案亦關於用於在基板上沉積光學塗層之方法以及包括該等塗佈物件之消費者電子產品。

Description

包括易於清洗塗層的塗佈物件
相關申請案之交互參照
本申請案根據專利法主張2017年6月23日申請之美國臨時申請案序列號第62/523,981號之優先權權益,該美國臨時申請案之內容為本案之基礎且以全文引用方式併入本文中。
本揭示案係關於塗佈物件及用於製造該塗佈物件之方法,且更特定地,係關於基板上之光學塗層。
罩蓋物件通常用以保護電子產品內之裝置,提供用於輸入及/或顯示之用戶界面,及/或諸多其他功能。此類產品包括行動裝置,諸如智慧型電話、mp3播放器及電腦平板。罩蓋物件亦包括建築物件、運輸物件(例如,汽車應用、火車、飛機、海船等中使用之物件)、電器物件,或任何可受益於一定透明度、抗刮擦性、耐磨性或其組合之物件。
對於一些罩蓋物件,罩蓋物件之光滑外表面可為所要的。舉例而言,塗覆至透明基板上之塗層可歸因於其可感知的順滑、流暢之觸感而為使用者所偏愛。另外,罩蓋物件之光滑表面可提供其他有利實體特性,諸如防止龜裂引起之實體損壞。減少龜裂可為罩蓋物件之基板提供經改良強度。
然而,光滑塗層可容易受到磨耗,且通常比上面安置此類塗層之下伏基板更容易受到磨耗。磨耗可包括來自相對面對象(例如,手指)之往復滑動接觸。另外,磨耗可產生熱量,該熱量可使膜材料中之化學鍵降級且致使成片剝落及對護罩玻璃之其他類型的破壞。由於與致使刮擦之單個事件相比在更長時期內經歷磨耗,因此經歷磨耗之塗層材料亦可氧化,此可使塗層之耐久性進一步降級。
因此,需要具有光滑感且同時提供所要光學特性及/或良好抗磨耗性的光學塗層。
根據一些實施例,一種塗佈物件可包含基板及光學塗層。該基板可具有主表面。該光學塗層可安置於該基板之該主表面上且可形成空氣側表面。該光學塗層可包含光學堆疊、黏附塗層及易於清洗塗層。該黏附塗層可定位於該光學堆疊上方。該黏附塗層可包含氧化鋁層及氧化矽層。該氧化矽層可定位於該氧化鋁層上方。該易於清洗塗層可定位於該黏附塗層上方且可界定該光學塗層之該空氣側表面。
根據額外實施例,一種消費者電子產品可包含外殼、電組件及罩蓋基板。該外殼可包含前表面、背表面及側表面。該等電組件可至少部分地在該外殼內。該等電組件可至少包含控制器、記憶體及顯示器。該顯示器可在該外殼之該前表面處或鄰近處。該罩蓋基板可安置於該顯示器上方。該外殼之部分或該罩蓋基板中之至少一者可包含如本文中所描述之塗佈物件。
根據額外實施例,光學塗層可藉由一種方法沉積在基板上,該方法可包含在基板之主表面上方沉積光學堆疊,在光學堆疊上方沉積黏附塗層,及在黏附塗層上方沉積易於清洗塗層。該黏附塗層可包含氧化鋁層及氧化鋁層上方之氧化矽層。該易於清洗塗層可界定光學塗層之空氣側表面。
在以下詳細描述中闡述本發明之額外特徵及優點,且熟習此項技術者自該描述可容易地得出該等額外特徵及優點,或藉由實踐如本文中包括以下詳細描述、申請專利範圍以及隨附圖式所描述之實施例認識該等額外特徵及優點。
應理解,前述一般描述及以下詳細描述兩者皆僅係例示性的,且意欲提供理解申請專利範圍之性質及特性的概述或框架。包括隨附圖式係為了提供進一步理解,且隨附圖式併入於本說明書中且構成本說明書之部分。圖式說明一或多個實施例,且與描述一起用來解釋各種實施例之原理及操作。
現將詳細地參考塗佈物件之各個實施例,在隨附圖式中說明該等實施例之實例。根據一或多個實施例,塗佈物件可包含基板(諸如在一些實施例中為透明基板)及光學塗層。光學塗層可包含光學堆疊、黏附塗層及易於清洗(「ETC」)塗層,其中黏附塗層處在光學堆疊與ETC塗層之間。ETC塗層可安置為光學塗層之最外層,界定光學塗層之空氣側表面。在一或多個實施例中,黏附塗層可包括氧化矽層及氧化鋁層,其中氧化矽層定位於氧化鋁層上方。舉例而言,氧化矽層可與光學堆疊直接接觸,且氧化矽層可與ETC塗層直接接觸。黏附塗層可促進ETC塗層與光學堆疊之間的接合,此可增加光學塗層之機械耐久性。舉例而言,與其中ETC塗層與光學堆疊直接接觸(即使當光學堆疊之頂層係氧化矽時)相比或與其中使用氧化矽蓋層(亦即,無氧化鋁)之光學塗層相比,具有包含氧化鋁上方氧化矽之黏附塗層的光學塗層可提供經改良機械耐久性。
參考第1圖,根據一或多個實施例之塗佈物件100可包括基板110及安置於基板110上之光學塗層120。如本文中所使用,光學塗層係指為基板提供例如抗反射、無色等有益性質的任何塗層。光學塗層120可包含將參考其他圖論述之光學堆疊、黏附塗層及ETC塗層(第1圖中未描繪)。基板110包括相對的主表面112、114及相對的次表面116、118。主表面112可在基板110之一或多個部分中係實質上平坦的。然而,在一些實施例中,主表面112可為非平面的,諸如在一或多個部分中為彎曲的或在整個主表面112中為彎曲的。光學塗層120在第1圖中示出為安置在第一相對主表面112上;然而,光學塗層120可安置在第二相對主表面114上及/或相對次表面116、118中之一者或兩者上,另外亦安置在或不安置在第一相對主表面112上。光學塗層120在其與主表面112相對之側上形成空氣側表面122。
光學塗層120包括至少一種材料之至少一個層。術語「層」可包括單層或可包括一或多個子層。此類子層可彼此直接接觸。該等子層可由相同材料形成或由兩種或更多種不同材料形成。在一或多個替代性實施例中,此類子層可具有安置於其間的不同材料之插入層。在一或多個實施例中,層可包括一或多個連續的不中斷層及/或一或多個不連續的中斷層(亦即,具有鄰近於彼此形成之不同材料的層)。層或子層可藉由此項技術中之任何已知方法包括分立沉積或連續沉積製程形成。在一或多個實施例中,該層可僅使用連續沉積製程或替代性地僅使用分立沉積製程形成。
如本文中所使用,術語「安置」包括使用此項技術中任何已知或待開發方法將材料塗佈、沉積及/或形成至表面上。經安置材料可組成如本文中所定義之層。如本文中所使用,片語「安置在……上」包括將材料形成至表面上使得材料與該表面直接接觸,或者包括其中材料形成在表面上且在材料與表面之間安置一或多個插入材料的實施例。插入材料可組成如本文中所定義之層。
本文中亦揭示用於將光學塗層沉積至基板上的方法。應理解,所揭示之所有光學塗層實施例(例如,特定厚度、材料、物理性質等)可實施於沉積製程之實施例中,其中光學塗層之各個層沉積在基板上方。
在一或多個實施例中,可藉由真空沉積技術諸如化學氣相沉積(例如,電漿增強型化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)、低壓化學氣相沉積、大氣壓力化學氣相沉積及電漿增強型大氣壓力化學氣相沉積)、物理氣相沉積(例如,反應性或非反應性濺鍍或雷射燒蝕)、熱蒸鍍或電子束蒸鍍及/或原子層沉積,將光學塗層120之單個層或多個層沉積至基板110上。亦可使用基於液體的方法,諸如噴塗、浸塗、旋塗、或縫隙塗佈(例如,使用溶膠-凝膠材料)。通常,氣相沉積技術可包括多種可用以產生薄膜之真空沉積方法。舉例而言,物理氣相沉積使用物理製程(諸如加熱或濺鍍)產生材料蒸氣,該材料蒸氣接著沉積於被塗佈之對象上。
光學塗層120可具有自約100 nm至約10微米(microns或μm)之厚度。舉例而言,光學塗層120可具有大於或等於約200 nm、300 nm、400 nm、500 nm、600 nm、700 nm、800 nm、900 nm、1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米或甚至8微米且小於或等於約10微米之厚度。如本文中所描述,塗層或層之「厚度」係指如實質上正交於基板110之上面沉積有光學塗層120之表面量測之厚度。舉例而言,在第1圖中,在實質上正交於主表面112之方向上(亦即,在垂直方向上)量測厚度。可藉由剖面之掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope; SEM)、藉由光學橢圓對稱法(例如,藉由n&k科技公司出售之分析器),或藉由薄膜反射法,量測薄膜元件(例如,抗刮擦膜/層、光學塗層、光學塗層之層、光學堆疊等)之厚度。對於多個層元件(例如,光學堆疊),藉由SEM之厚度量測可最為適合。
現參考第2圖,根據一或多個實施例,光學塗層120可包含光學堆疊130、ETC塗層170及處於光學堆疊130與ETC塗層170之間的黏附塗層150。光學堆疊130可包含複數個層,諸如氧化矽層及氮氧化鋁層,如將在下文參考第3圖詳細地解釋。在一或多個實施例中,黏附塗層150可與光學堆疊130直接接觸且與ETC塗層170直接接觸。光學堆疊130通常包含為塗佈物件提供諸如無色及/或抗反射之光學特性的複數個層。如將在下文參考第4圖詳細地解釋,光學堆疊130可包含高折射率材料與低折射率材料之交替層。根據一些實施例,光學堆疊130可經由使用特定材料及/或彼等特定材料之定位及厚度為塗佈物件100提供硬度及/或抗刮擦性。
再次參考第2圖,ETC塗層170可定位在黏附塗層150上方且可為光學塗層120之最外層(亦即,界定光學塗層120之空氣側表面122)。ETC塗層170可為包含例如氟化材料之光滑層。ETC塗層170可含有一或多個具有不同組成物之子層。
根據一或多個實施例,ETC塗層170可包含氟化材料,例如全氟聚醚(perfluoropolyether; PFPE)矽烷、全氟烷基醚、PFPE油或其他適合的氟化材料。根據一些實施例,ETC塗層170之厚度係自約1 nm至約20 nm。在其他實施例中,ETC塗層170之厚度範圍自1 nm至約200 nm、自1 nm至約100 nm、及自1 nm至約50 nm。在一些實施例中,ETC塗層170可具有自約0.5 nm至約50 nm、自約1 nm至約25 nm、自約4 nm至約25 nm或自約5 nm至約20 nm之厚度。在其他實施例中,ETC塗層170可具有自約10 nm至約50 nm之厚度。
如本揭示案之領域中之普通技術人員所理解,各種來源材料可用以形成在第1圖至第4圖中描繪之塗佈物件100之ETC塗層170。舉例而言,ETC塗層來源材料可包含全氟聚醚(PFPE)矽烷、全氟聚醚(PFPE)烷氧基矽烷、此等PFPE之共聚物及此等PFPE之混合物。在本揭示案之塗佈物件100之某些例示性實施例中,ETC塗層170可包含化學式為[CF3 CF2 CF2 O)a ]y SiX4-y 之全氟聚醚(PFPE)矽烷,其中a係自5至50,y=1或2,且X係—Cl、乙醯氧基、—OCH3 或OCH2 H3 ,其中全氟聚醚總鏈長係自矽原子至其最大長度處之鏈端的6至130個碳原子。在其他態樣中,上述化學式中之「a」可在自約10至30之範圍內。另外,應理解,上述PFPE化學式係適合在本揭示案之ETC塗層中使用之諸多適合類型之PFPE中之一者;因此,其提供為例示性化學品,且不意欲以任何方式限制適用於本揭示案之ETC塗層之化學式或化學式之混合物。因而,可在相對於上文提供之例示性形式在全氟聚醚鏈及/或附連化學之結構上變化的ETC塗層170中採用其他PFPE。舉例而言,來自大金工業(Daikin Industries)之OptoolTM UF503氟化塗層材料係可用於ETC塗層170之另一適合的PFPE。另一適合的ETC塗層可為SH-HT防指紋塗層材料(可購自韓國DON有限公司)。如本文中所使用,碳鏈之奈米(「nm」)長度係沿著鏈之最大長度之碳-碳鍵之數目乘以0.154 nm之碳-碳單鍵長度的乘積。在一些實施例中,全氟聚醚(PFPE)基團之碳鏈長度可在自約0.1 nm至約50 nm、自約0.5 nm至約25 nm或自約1 nm至約20 nm之範圍內。
亦如較早所述,ETC塗層170之實施例可包含PFPE油。根據一些實施例,ETC塗層170中採用之PFPE油可在直接鍵合至黏附塗層150之ETC組件中溶解。一般而言,PFPE油表徵為抗氧化性。在其他態樣中,ETC塗層170之PFPE油係安置在直接鍵合至黏附塗層150之ETC組件上方之分立層。在另外態樣中,ETC塗層170之PFPE油係經溶解分立層的組合。根據一些實施例,ETC塗層170中採用之PFPE油可包含Solvay Fomblin® Z型油、Fomblin® Y型油、Fomblin® K型油、來自科慕公司(The Chemours Company)之Krytox™ K型油、來自大金工業之Demnum™型油或其他類似的PFPE油。
適合的易於清洗塗層之實例描述於2012年11月30日申請之標題為「PROCESS FOR MAKING OF GLASS ARTICLES WITH OPTICAL AND EASY-TO-CLEAN COATINGS」之美國專利申請案第13/690,904號中,該美國專利申請案以全文引用之方式併入本文中。易於清洗塗層170可替代性地或另外包含低摩擦塗層或表面處理。例示性低摩擦塗層材料可包括矽烷(例如氟矽烷)、膦酸酯、烯烴及炔烴。根據一或多個實施例,ETC塗層170可包含氟化矽烷諸如全氟聚醚矽烷或基本上由氟化矽烷諸如全氟聚醚矽烷組成。舉例而言,ETC塗層170可包含50重量%或更大、60重量%或更大、70重量%或更大、80重量%或更大、90重量%或更大、95重量%或更大、或甚至99重量%或更大之氟化矽烷。
現參考第3圖,黏附塗層150可包含多個層,諸如氧化鋁層154及氧化矽層152。氧化矽層152可定位在氧化鋁層154上方且與ETC塗層170直接接觸。氧化鋁層154可直接定位在光學堆疊130上方且與光學堆疊130直接接觸。氧化鋁層154可與氧化矽層152直接接觸。氧化矽層152及氧化鋁層154可包括90莫耳%或更大、95莫耳%或更大、99莫耳%或更大,或可分別由氧化矽及氧化鋁組成。在一些實施例中,光學堆疊130之最上層可為氧化矽層,且在此類實施例中,氧化鋁層154可定位在氧化矽層之間(亦即,在光學堆疊130之最上氧化矽層與氧化矽層152之間)。
根據一或多個實施例,氧化矽層152可具有自1 nm至100 nm,諸如自2 nm至50 nm或自5 nm至30 nm之厚度。在額外實施例中,氧化矽層152可具有自2 nm至10 nm、自2 nm至20 nm、自2 nm至30 nm、自2 nm至40 nm、自10 nm至50 nm、自20 nm至50 nm、自30 nm至50 nm或自40 nm至50 nm之厚度。
根據額外實施例,氧化鋁層154可具有自1 nm至100 nm,諸如自2 nm至30 nm之厚度。舉例而言,氧化鋁層154可具有自2 nm至10 nm、自2 nm至20 nm、自10 nm至30 nm、自20 nm至30 nm之厚度。
不受理論束縛,咸信在一些實施例中,氧化鋁層154之相對小厚度(例如,30 nm或更小或甚至15 nm或更小)有益於塗佈物件100之光學性質。咸信氧化鋁層154之相對小厚度可不自光學堆疊130之專門化光學特性諸如低反射率降級。不受理論束縛,亦咸信氧化鋁之相對高硬度有助於ETC塗層170之良好耐磨性及整個光學塗層120之良好耐久性及/或抗刮擦性。在一些實施例中,氧化鋁層154可形成「承受」層,停止當暴露於諸如類似於接觸鋼絲棉引起之磨蝕力的磨蝕力時對氧化鋁層154之深度下方之損壞。另外,咸信氧化矽層152可充當光學堆疊130與ETC塗層170之材料之間的結合層。
在額外實施例中,黏附塗層150可具有自1 nm至150 nm,諸如自5 nm至50 nm或自15 nm至25 nm之厚度。不受理論束縛,咸信在一些實施例中,黏附塗層150之約20 nm厚度可適用於光學堆疊130與ETC塗層170之間的良好接合。舉例而言,約20 nm之黏附塗層150可提供對光學塗層120的良好覆蓋率且不會顯著地破壞光學堆疊130提供之所要光學性質。然而,應認識到,可在各種實施例中適用其他厚度。應理解,在一些實施例中,尤其在其中光學堆疊之頂層具有與氧化鋁層154相同或類似之組成物之實施例中,光學堆疊130之末端與黏附塗層150之開頭可基於沉積方法差異。舉例而言,光學堆疊130可藉由PVD沉積,且黏附塗層150可藉由濺鍍沉積。在具有相同或類似組成物的情況下,如本文中所描述,此兩個層可為相異的。
現參考第4圖,詳細地描繪光學堆疊130之實施例。光學堆疊130可為塗佈物件100提供增強的光學特性(例如,抗反射性及/或高透射率)。在一些實施例中,光學堆疊130可提供抗刮擦或抗其他損壞。在此類實施例中,光學堆疊130可包括相對硬及/或抗刮擦的一或多種材料。根據實施例,光學堆疊130可包括多個可為塗佈物件100提供光學特性及/或硬度的沉積材料層。在一些實施例中,光學堆疊130可包括抗刮擦層140,其可具有高硬度且有助於光學塗層120之抗刮擦性質。
在一或多個實施例中,光學堆疊130可包括複數個層(130A、130B)。光學堆疊130可包括至少一個段132,其包含兩個層,諸如低RI層130A及高RI層130B。如第4圖中所示,光學堆疊130可包括複數個段132。在其他實施例中,單個段可包括三個層,諸如低RI層、中RI層及高RI層。貫穿本揭示案,應理解,第4圖描繪具有段132之光學堆疊130之實例實施例且本文中描述之光學堆疊130之性質(例如,色彩、硬度等)及材料不應限於第4圖之實施例。
如本文中所使用,術語「低RI」、「高RI」及「中RI」係指相對於彼此之折射率(「RI」)值(亦即,低RI<中RI<高RI)。在一或多個實施例中,術語「低RI」當與低RI層一起使用時包括自約1.3至約1.7或1.75之範圍。在一或多個實施例中,術語「高RI」當與高RI層一起使用時包括自約1.7至約2.5 (例如,約1.85或更大)之範圍。在一或多個實施例中,術語「中RI」當與段之第三層一起使用時包括自約1.55至約1.8之範圍。在一些實施例中,低RI、高RI及/或中RI之範圍可重疊;然而,在大多數情況下,光學堆疊130之層具有關於RI之一般關係:低RI<中RI<高RI (其中「中RI」在三層段之情形下適用)。在一或多個實施例中,低RI層與高RI層之折射率差可為約0.01或更大,約0.05或更大,約0.1更大,或甚至約0.2或更大。
舉例而言,在第4圖中,段132可包括低RI層130A及高RI層130B。當在光學塗層120中包括複數個段時,低RI層130A (指定為「L」)及高RI層130B (指定為「H」)按以下層順序交替: L/H/L/H……或H/L/H/L……,使得低RI層與高RI層沿著光學塗層120之實體厚度交替。在第4圖中描繪之實施例中,光學堆疊130包括四個段132,其中每一段132包括低RI層130A及高RI層130B。在一些實施例中,光學堆疊130可包括高達25個段。舉例而言,光學堆疊130可包括自約2至約20個段,自約2至約15個段,自約2至約10個段,自約2至約12個段,自約3至約8個段,或自約3至約6個段。
適於在光學堆疊130中使用之實例材料包括(但不限於)SiO2 、Al2 O3 、GeO2 、SiO、AlOx Ny 、AlN、SiNx 、SiOx Ny 、Siu Alv Ox Ny 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、TiO2 、ZrO2 、TiN、MgO、MgF2 、BaF2 、CaF2 、SnO2 、HfO2 、Y2 O3 、MoO3 、DyF3 、YbF3 、YF3 、CeF3 、聚合物、含氟聚合物、電漿聚合的聚合物、矽氧烷聚合物、倍半矽氧烷、聚醯亞胺、氟化聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚碸、聚苯礬、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、丙烯酸類聚合物、胺甲酸乙酯聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、下文引述之適於在抗刮擦層中使用之其他材料,及此項技術中已知之其他材料。在一或多個實施例中,光學堆疊130可包含包含氧化矽的最上層。適於在低RI層130A中使用之材料的一些實例包括(但不限於)SiO2 、Al2 O3 、GeO2 、SiO、AlOx Ny 、SiOx Ny 、Siu Alv Ox Ny 、MgO、MgAl2 O4 、MgF2 、BaF2 、CaF2 、DyF3 、YbF3 、YF3 及CeF3 。供在低RI層130A中使用之材料之氮含量可減到最少(例如,在諸如Al2 O3 及MgAl2 O4 之材料中)。適於在高RI層130B中使用之材料的一些實例包括(但不限於)Siu Alv Ox Ny 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、AlN、Si3 N4 、AlOx Ny 、SiOx Ny 、SiNx 、SiNx :Hy 、HfO2 、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3 、Al2 O3 、MoO3 及類金剛石碳。在一或多個實施例中,高RI層130B可具有高硬度(例如,大於8 GPa之硬度),且上文列出之高RI材料可包含高硬度及/或抗刮擦性。高RI層130B之材料的氧含量可減到最少,尤其是在SiNx 或AlNx 材料中。AlOx Ny 材料可被視為氧摻雜AlNx (亦即,其可具有AlNx 晶體結構(例如,纖鋅礦)且不必具有AlON晶體結構)。
如本文中所使用,如本揭示案之領域中之普通技術人員所理解,本揭示案中之「AlOx Ny 」、「SiOx Ny 」及「Siu Alx Oy Nz 」材料包括各種氮氧化鋁、氮氧化矽及氮氧化矽鋁材料,根據某些用下標「u」、「x」、「y」及「z」表示之某些數值及範圍描述該等材料。亦即,用「整數化學式」描述式諸如Al2 O3 ,共同描述固體。亦使用等效「原子分數化學式」描述式諸如等效於Al2 O3 之Al0.4 O0.6 ,共同描述描述固體。在原子分數化學式中,化學式中之所有原子的總和係0.4 + 0.6 = 1,且化學式中之Al與O之原子分數分別係0.4與0.6。原子分數描述式描述於諸多普通教科書中,且原子分數描述式通常用以描述合金。( 參見例如 :(i) Charles Kittel,「Introduction to Solid State Physics」,第七版,John Wiley & Sons, Inc.,紐約,1996年,第611至627頁;(ii) Smart與Moore,「Solid State Chemistry, An Introduction」,Chapman & Hall University and Professional Division,倫敦,1992年,第136至151頁;及(iii) James F. Shackelford,「Introduction to Materials Science for Engineers」,第六版,Pearson Prentice Hall,新澤西州,2005年,第404至418頁。)
再次提及本揭示案中之「AlOx Ny 」、「SiOx Ny 」及「Siu Alx Oy Nz 」材料,下標允許熟習此項技術者將此等材料視為一材料類而不指定特定下標值。亦即,一般在討論合金諸如氧化鋁而不指定特定下標值時,可能是指Alv Ox 。描述式Alv Ox 可表示Al2 O3 或Al0.4 O0.6 。若v + x經選擇為加起來為1 (亦即,v + x = 1),則化學式為原子分數描述式。類似地,可描述更複雜混合物,諸如Siu Alv Ox Ny ,其中再次地,若總和u + v + x + y等於1,則為原子分數描述式情況。
又一次提及本揭示案中之「AlOx Ny 」、「SiOx Ny 」及「Siu Alx Oy Nz 」材料,此等表示法允許熟習此項技術者容易將此等材料與其他材料進行比較。亦即,原子分數化學式有時較方便在比較時使用。例如,由(Al2 O3 )0.3 (AlN)0.7 組成之實例合金接近等效於化學式描述Al0.448 O0.31 N0.241 以及Al367 O254 N198 。由(Al2 O3 )0.4 (AlN)0.6 組成之另一實例合金接近等效於化學式描述式Al0.438 O0.375 N0.188 及Al37 O32 N16 。原子分數化學式Al0.448 O0.31 N0.241 及Al0.438 O0.375 N0.188 相對易於彼此進行比較。例如,Al之原子分數減小0.01,O之原子分數增加0.065且N之原子分數減小0.053。進行更詳細計算與考量以比較整數化學式描述式Al367 O254 N198 與Al37 O32 N16 。因而,有時偏向於使用固體之原子分數化學式描述式。儘管如此,Alv Ox Ny 之使用係常見的,此係由於其涵蓋任何含有Al、O及N原子之合金。
如本揭示案之領域中之普通技術人員對用於光學膜120之前述材料(例如,AlN)中之任一者所理解,下標「u」、「x」、「y」及「z」中之任一者可自0至1變化,下標之總和將小於或等於一,且組成物之餘量係材料中之第一元素(例如,矽或鋁)。另外,熟習此項技術者可認識到「Siu Alx Oy Nz 」可經組態為使得「u」等於零且材料可描述為「AlOx Ny 」。更進一步地,用於光學膜120之前述組成物不包括將產生純元素形式(例如,純矽、純鋁金屬、氧氣等)之下標組合。然而,在一些實施例中,化學式中列出之元素中之每一者在某種程度上存在。另外,熟習此項技術者亦將認識到前述組成物可包括未明確地表示之其他元素(例如,氫),其可產生非化學計量組成物(例如,SiNx 對比Si3 N4 )。因此,用於光學膜之前述材料可指示SiO2 -Al2 O3 -SiNx -AlN或SiO2 -Al2 O3 -Si3 N4 -AlN相圖內取決於前述組成物表示中之下標值的可用空間。
根據一或多個實施例,例示性AlOx Ny 高RI材料可包含自約0原子%至約20原子%氧,或自約5原子%至約15原子%氧,同時包括30原子%至約50原子%氮。例示性Siu Alv Ox Ny 高RI材料可包含自約10原子%至約30原子%或自約15原子%至約25原子%矽、自約20原子%至約40原子%或自約25原子%至約35原子%鋁、自約0原子%至約20原子%或自約1原子%至約20原子%氧、及自約30原子%至約50原子%氮。前述材料可氫化至高達約30重量%。在具有中折射率之材料係所要的情況下,一些實施例可利用AlN及/或SiOx Ny 。應理解,抗刮擦層140可包含揭示為適於在高RI層中使用之材料中之任一者。
如第4圖中所描繪,在一或多個實施例中,光學塗層120可包含整合為高RI層之抗刮擦層140,且一或多個低RI層130A及高RI層130B可定位在抗刮擦層140上方。抗刮擦層可替代性地界定為整個光學塗層120中或整個塗佈物件100中之最厚高RI層。不受理論束縛,咸信當相對薄量之材料沉積在抗刮擦層150上方時,塗佈物件100可在壓痕深度處展現增加的硬度。然而,在抗刮擦層140上方包含低RI層及高RI層可增強塗佈物件100之光學性質。在一些實施例中,相對少層(例如,僅1、2、3、4或5層)可定位在抗刮擦層140上方且此等層可各自係相對薄的(例如小於100 nm、小於75 nm、小於50 nm或甚至小於25 nm)。
抗刮擦層140與其他層相比可相對較厚,諸如大於或等於約300 nm、400 nm、500 nm、600 nm、700 nm、800 nm、900 nm、1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米或甚至8微米。舉例而言,抗刮擦層可具有自約300 nm至約10微米、或自約300 nm至約9微米、或自約300 nm至約8微米、或自約300 nm至約7微米、或自約300 nm至約6微米、或自約300 nm至約5微米、或自約300 nm至約4微米、或自約300 nm至約3微米、或自約300 nm至約2微米之厚度。
根據一或多個實施例,抗刮擦層140可包含選自Siu Alv Ox Ny 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、AlN、Si3 N4 、AlOx Ny 、SiOx Ny 、SiNx 、SiNx :Hy 、HfO2 、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3 、Al2 O3 、MoO3 、類金剛石碳或其組合之一或多個材料。抗刮擦層140中使用之例示性材料可包括無機碳化物、氮化物、氧化物、類金剛石材料或其組合。用於抗刮擦層140之適合材料的實例包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化合物、金屬碳化物、金屬碳氧化物及/或其組合。例示性金屬包括B、Al、Si、Ti、V、Cr、Y、Zr、Nb、Mo、Sn、Hf、Ta及W。可用於抗刮擦層140中之材料的特定實例可包括Al2 O3 、AlN、AlOx Ny 、Si3 N4 、SiOx Ny 、Siu Alv Ox Ny 、金剛石、類金剛石碳、Six Cy 、Six Oy Cz 、ZrO2 、TiOx Ny 及其組合。抗刮擦層140亦可包含奈米複合材料,或具有受控微結構之材料,以改良硬度、韌度或耐磨性/耐磨損性。舉例而言,抗刮擦層140可包含在自約5 nm至約30 nm之大小範圍內的奈米晶體。在實施例中,抗刮擦層140可包含相變增韌氧化鋯、部分穩定氧化鋯、或氧化鋯增韌氧化鋁。在實施例中,抗刮擦層140展現大於約1 Mpa√m之斷裂韌度值,且同時展現大於約8 GPa之硬度值。如在D.S Harding、W.C. Oliver及G.M. Pharr之Cracking During Indentation and its use in the Measurement of Fracture Toughness(Mat. Res. Soc. Symp. Proc.,第356卷,1995年,663-668)中所描述,量測薄膜之斷裂韌度。
在一或多個實施例中,抗刮擦層140可包含組成物梯度。舉例而言,抗刮擦層140可包括Siu Alv Ox Ny 之組成物梯度,其中Si、Al、O及N中之任一或多者之濃度變化以增加或減小折射率。亦可使用多孔性形成折射率梯度。此類梯度更完整地描述於2014年4月28日申請之標題為「Scratch-Resistant Articles with a Gradient Layer」之美國專利申請案第14/262,224號中,該美國專利申請案據此以全文引用之方式併入。
基板110可包括無機材料且可包括非晶形基板、晶體基板或其組合。舉例而言,基板110可包括玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、聚合物或其組合或由其組成。基板110可由人工材料及/或自然存在材料(例如,石英及聚合物)形成。舉例而言,在一些情況下,基板110可表徵為有機的且特定地可為聚合物。適合的聚合物之實例包括(但不限於):熱塑性材料,包括聚苯乙烯(polystyrene; PS) (包括苯乙烯共聚物及共混物)、聚碳酸酯(polycarbonate; PC) (包括共聚物及共混物)、聚酯(包括共聚物及共混物,包括聚乙二醇對酞酸酯及聚乙二醇對酞酸酯共聚物)、聚烯烴(polyolefins; PO)及環狀聚烯烴(環狀PO)、聚氯乙烯(polyvinylchloride; PVC)、丙烯酸類聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate; PMMA) (包括共聚物及共混物)、熱塑性胺甲酸乙酯(thermoplastic urethanes; TPU)、聚醚醯亞胺(polyetherimide; PEI)及此等聚合物與彼此之共混物。其他例示性聚合物包括環氧樹脂、苯乙烯樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂及聚矽氧樹脂。
在一些特定實施例中,基板110可特定地不包括聚合物基板、塑膠基板及/或金屬基板。基板110可表徵為包括鹼的基板(亦即,基板包括一或多種鹼)。在一或多個實施例中,基板展現在自約1.45至約1.55之範圍內的折射率。在特定實施例中,基板110可在一或多個相對主表面上的表面處展現如使用環上球(ball-on-ring)測試使用至少5個樣本所量測之0.5%或更大、0.6%或更大、0.7%或更大、0.8%或更大、0.9%或更大、1%或更大、1.1%或更大、1.2%或更大、1.3%或更大、1.4%或更大、1.5%或更大或甚至2%或更大之應變所致失效平均值。使用大於5個樣本預期將增加統計準確性。在特定實施例中,基板110可在其一或多個相對主表面上之表面處展現約1.2%、約1.4%、約1.6%、約1.8%、約2.2%、約2.4%、約2.6%、約2.8%或約3%或更大之應變所致失效平均值。
適合基板110可展現在自約30 GPa至約120 GPa之範圍內之彈性模數(或楊氏模數)。在一些情況下,基板之彈性模數可在自約30 GPa至約110 GPa、自約30 GPa至約100 GPa、自約30 GPa至約90 GPa、自約30 GPa至約80 GPa、自約30 GPa至約70 GPa、自約40 GPa至約120 GPa、自約50 GPa至約120 GPa、自約60 GPa至約120 GPa、自約70 GPa至約120 GPa之範圍以及其間的所有範圍及子範圍內。本揭示案中敘述之楊氏模數值係指藉由標題為「Standard Guide for Resonant Ultrasound Spectroscopy for Defect Detection in Both Metallic and Non-metallic Parts」之ASTM E2001-13中闡述之一般類型之共振超音波光譜技術量測之值。
在一或多個實施例中,非晶形基板可包括可經強化或未經強化之玻璃。適合玻璃之實例包括鈉鈣玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼硼矽玻璃及鹼金屬硼鋁矽酸鹽玻璃。在一些變體中,玻璃可不含氧化鋰。在一或多個替代性實施例中,基板110可包括晶體基板,諸如玻璃陶瓷基板(其可經強化或未經強化),或可包括單晶結構,諸如藍寶石。在一或多個特定實施例中,基板110包括非晶形基(例如,玻璃)及晶體覆層(例如,藍寶石層、多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2 O4 )層)。
一或多個實施例之基板110可具有小於物件之硬度的硬度(如藉由本文中描述之玻氏(Berkovich)壓頭硬度測試所量測)。亦可使用Berkovich壓頭硬度測試量測基板110之硬度。
基板110可實質上光學上清晰透明且無光散射。在此類實施例中,基板110可展現在光波長範圍內約85%或更大、約86%或更大、約87%或更大、約88%或更大、約89%或更大、約90%或更大、約91%或更大或約92%或更大之平均光透射。在一或多個替代性實施例中,基板110可不透明或展現在光波長範圍內小於約10%、小於約9%、小於約8%、小於約7%、小於約6%、小於約5%、小於約4%、小於約3%、小於約2%、小於約1%或小於約0.5%之平均光透射。在一些實施例中,此等光反射率及透射率值可為總反射率或總透射率(考量基板之兩個主表面上之反射率或透射率)或可為基板之單側(亦即,僅在空氣側表面122上,而不考量相對表面)上的觀察值。除非另作說明,否則僅在相對於基板主表面112之0度入射照射角度處量測僅基板之平均反射率或透射率(不過,此類量測值可在45度或60度入射照射角度處提供)。基板110可視情況展現色彩,諸如白色、黑色、紅色、藍色、綠色、黃色、橙色等。
另外或替代地,基板110之實體厚度可出於美學及/或功能原因沿著其尺寸中之一或多者變化。舉例而言,基板110之邊緣與基板110之更中心區域相比可為較厚。基板110之長度、寬度及實體厚度尺寸亦可根據塗佈物件100之應用或用途而變化。
可使用多種不同製程提供基板110。例如,在基板110包括非晶形基板諸如玻璃的情況下,各種形成方法可包括浮法玻璃製程及下拉製程諸如熔融拉製及縫隙拉製。
基板110一經形成便可經強化以形成強化基板。如本文中所使用,術語「強化基板」可指已例如經由在基板之表面中較大離子對較小離子之離子交換經化學強化之基板。然而,可利用此項技術中已知之其他強化方法諸如熱回火或利用基板之部分之間的熱膨脹係數失配產生壓縮應力及中心張緊區域,形成強化基板。
在基板110藉由離子交換製程經化學強化的情況下,基板之表面層中之離子替換為或交換為具有相同原子價或氧化態之較大離子。離子交換製程通常藉由將基板浸入含有較大離子之熔鹽浴中以與基板中較小離子交換來進行。熟習此項技術者將瞭解,離子交換製程之參數包括但不限於浴液組成物及溫度、浸入時間、基板浸入於鹽浴(或多個鹽浴)中的次數、多個鹽浴之用途、額外步驟諸如退火、沖洗等,該等參數通常由基板之組成物及基板之由強化操作引起之所要壓縮應力(compressive stress; CS)、壓縮應力層之深度(或層深度)判定。以實例方式,含鹼金屬玻璃基板之離子交換可藉由浸入於含有較大鹼金屬離子之鹽諸如(但不限於)硝酸鹽、硫酸鹽及氯化物的至少一個熔浴中而達成。熔鹽浴之溫度通常在自約380℃高達約450℃之範圍內,而浸入時間在自約15分鐘高達約40小時之範圍內。然而,亦可使用不同於上文所描述之溫度及浸入時間的溫度及浸入時間。
另外,將玻璃基板浸於多個離子交換浴中且在浸入之間加入沖洗及/或退火步驟之離子交換製程之非限制性實例描述於以下各項中:Douglas C. Allan等人在2009年7月10日申請之標題為「Glass with Compressive Surface for Consumer Applications」之美國專利申請案第12/500,650號,該美國專利申請案主張來自2008年7月11日申請之美國臨時專利申請案第61/079,995號之優先權,其中玻璃基板藉由在多個連續離子交換處理中浸入於不同濃度之鹽浴中而經強化;及Christopher M. Lee等人在2012年11月20日發表之標題為「Dual Stage Ion Exchange for Chemical Strengthening of Glass」之美國專利8,312,739,該美國專利主張來自2008年7月29日申請之美國臨時專利申請案第61/084,398號的優先權,其中玻璃基板藉由以下步驟經強化:在經流出離子稀釋之第一浴中進行離子交換,接著浸入於與第一浴相比具有較小流出離子濃度的第二浴中。美國專利申請案第12/500,650號及美國專利第8,312,739號之內容以全文引用之方式併入本文中。
可基於中心張力(central tension; CT)、表面CS、壓縮深度(depth of compression; DOC)及鉀層深度(depth of potassium layer; DOL)之參數量化藉由離子交換達成之化學強化程度。可藉由表面應力計(surface stress meter; FSM)使用市售儀器諸如Orihara Industrial有限公司(日本)製造之FSM-6000量測壓縮應力(包括表面CS)。表面應力量測值可依賴應力光學係數(stress optical coefficient; SOC)之準確量測,該準確量測與玻璃之雙折射率有關。又可根據標題為「Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient」之ASTM標準C770-16中描述之過程C (玻璃盤方法)量測SOC,該標準之內容以全文引用之方式併入本文中。如本文中所使用,DOC意指本文中在一些實施例中描述之經化學強化鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃製品中之應力自壓縮應力變為拉伸應力所處之深度。可取決於離子交換處理藉由FSM或散射光偏光鏡(scattered light polariscope; SCALP)量測DOC。在藉由將鉀離子交換至玻璃製品中,在該玻璃製品中產生應力的情況下,FSM可用以量測DOC。在藉由將鈉離子交換至玻璃製品中產生應力的情況下,SCALP可用以量測DOC。在藉由將鉀離子及鈉離子兩者交換至玻璃中,在該玻璃製品中產生應力的情況下,可藉由SCALP量測DOC,此係由於咸信鈉之交換深度指示DOC且鉀離子之交換深度指示壓縮應力之量值改變(而非自壓縮應力至拉伸應力之改變);可藉由FSM量測此類玻璃製品中之鉀離子之交換深度。可使用此項技術中已知之散射光偏光鏡(SCALP)技術量測最大CT值。
在一或多個實施例中,強化基板110可具有250 MPa或更大、300 MPa或更大,例如400 MPa或更大、450 MPa或更大、500 MPa或更大、550 MPa或更大、600 MPa或更大、650 MPa或更大、700 MPa或更大、750 MPa或更大或800 MPa或更大之表面CS。強化基板可具有10 μm或更大、15 μm或更大、20 μm或更大(例如,25 μm、30 μm、35 μm、40 μm、45 μm、50 μm或更大)之DOC及/或10 MPa或更大、20 MPa或更大、30 MPa或更大、40 MPa或更大(例如,42 MPa、45 MPa、或50 MPa或更大)但小於100 MPa (例如,95 MPa、90 MPa、85 MPa、80 MPa、75 MPa、70 MPa、65 MPa、60 MPa、55 MPa或更小)之CT。在一或多個特定實施例中,強化基板具有以下各項中之一或多者:大於500 MPa之表面CS、大於15 μm之DOC及大於18 MPa之CT。
可在基板110中使用之實例玻璃可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物或鹼金屬硼鋁矽酸鹽玻璃組合物,不過預期其他玻璃組成物。此類玻璃組成物能夠藉由離子交換製程經化學強化。一個實例玻璃組成物包含SiO2 、B2 O3 及N2 O,其中(SiO2 + B2 O3 ) ≥ 66莫耳%,且Na2 O ≥ 9莫耳%。在一些實施例中,玻璃組成物包括6重量%或更大之氧化鋁。在另一實施例中,基板110包括具有一或多種鹼土氧化物之玻璃組成物,使得鹼土氧化物之含量係5重量%或更大。在一些實施例中,適合的玻璃組成物進一步包含K2 O、MgO及CaO中之至少一者。在一些特定實施例中,基板中使用之玻璃組成物可包含61莫耳%至75莫耳% SiO2 ;7莫耳%至15莫耳% Al2 O3 ;0莫耳%至12莫耳% B2 O3 ;9莫耳%至21莫耳% N2 O;0莫耳%至4莫耳% K2 O;0莫耳%至7莫耳% MgO;及0莫耳%至3莫耳% CaO。
適用於基板之另一實例玻璃組成物包含:60莫耳%至70莫耳% SiO2 ;6莫耳%至14莫耳% Al2 O3 ;0莫耳%至15莫耳% B2 O3 ;0莫耳%至15莫耳% Li2 O;0莫耳%至20莫耳% Na2 O;0莫耳%至10莫耳% K2 O;0莫耳%至8莫耳% MgO;0莫耳%至10莫耳% CaO;0莫耳%至5莫耳% ZrO2 ;0莫耳%至1莫耳% SnO2 ;0莫耳%至1莫耳% CeO2 ;小於50 ppm As2 O3 ;及小於50 ppm Sb2 O3 ;其中12莫耳% ≤ (Li2 O + Na2 O + K2 O) ≤ 20莫耳%且0莫耳% ≤ (MgO + CaO) ≤ 10莫耳%。.
適用於基板之另一實例玻璃組成物包含:63.5莫耳%至66.5莫耳% SiO2 ;8莫耳%至12莫耳% Al2 O3 ;0莫耳%至3莫耳% B2 O3 ;0莫耳%至5莫耳% Li2 O;8莫耳%至18莫耳% Na2 O;0莫耳%至5莫耳% K2 O;1莫耳%至7莫耳% MgO;0莫耳%至2.5莫耳% CaO;0莫耳%至3莫耳% ZrO2 ;0.05莫耳%至0.25莫耳% SnO2 ;0.05莫耳%至0.5莫耳% CeO2 ;小於50 ppm As2 O3 ;及小於50 ppm Sb2 O3 ;其中14莫耳% ≤ (Li2 O + Na2 O + K2 O) ≤ 18莫耳%且2莫耳% ≤ (MgO + CaO) ≤ 7莫耳%。
在一些特定實施例中,適用於基板110之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物包含氧化鋁、至少一個鹼金屬以及在一些實施例中,大於50莫耳% SiO2 、在其他實施例中,58莫耳%或更大SiO2 ,及在又其他實施例中,60莫耳%或更大SiO2 ,其中比值(Al2 O3 + B2 O3 )/Σ改質劑(亦即,改質劑之總和)大於1,其中在該比值中,組分用莫耳%表達且改質劑係鹼金屬氧化物。在特定實施例中,此玻璃組成物包含:58莫耳%至72莫耳% SiO2 ;9莫耳%至17莫耳% Al2 O3 ;2莫耳%至12莫耳% B2 O3 ;8莫耳%至16莫耳% Na2 O;且0莫耳%至4莫耳% K2 O,其中比值(Al2 O3 + B2 O3 )/Σ改質劑(亦即,改質劑之總和)大於1。
在又額外實施例中,基板可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物,其包含:64莫耳%至68莫耳% SiO2 ;12莫耳%至16莫耳% Na2 O;8莫耳%至12莫耳% Al2 O3 ;0莫耳%至3莫耳% B2 O3 ;2莫耳%至5莫耳% K2 O;4莫耳%至6莫耳% MgO;及0莫耳%至5莫耳% CaO。在替代性實施例中,基板110可包含鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物,其包含:2莫耳%或更大之Al2 O3 及/或ZrO2 ,或4莫耳%或更大之Al2 O3 及/或ZrO2
在基板110包括晶體基板之情況下,該基板可包括單晶體,該單晶體可包括Al2 O3 。此類單晶基板被稱為藍寶石。用於晶體基板之其他適合材料包括多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2 O4 )。
視情況,晶體基板110可包括可經強化或未經強化之玻璃陶瓷基板。適合玻璃陶瓷之實例可包括Li2 O-Al2 O3 -SiO2 系(亦即,LAS系)玻璃陶瓷、MgO-Al2 O3 -SiO2 系(亦即,MAS系)玻璃陶瓷及/或包括主導結晶相之玻璃陶瓷,該結晶相包括β石英固溶體、β鋰輝石ss、堇青石及焦矽酸鋰。玻璃陶瓷基板可使用本文中揭示之化學強化製程經強化。在一或多個實施例中,MAS系玻璃陶瓷基板在Li2 SO4 熔鹽中經強化,藉此可發生2Li+ 對Mg2+ 之交換。
根據一或多個實施例之基板110可在基板110之各個部分中具有自約100 µm至約5毫米(millimeter; mm)之範圍內的實體厚度。實例基板110實體厚度在自約100 µm至約500 µm之範圍內(例如,100 µm、200 µm、300 µm、400 µm或500 µm)。另一實例基板110實體厚度在自約500 µm到約1000 µm之範圍內(例如,500 µm、600 µm、700 µm、800 µm、900 µm或1000 µm)。基板110可具有大於約1 mm (例如,約2 mm、3 mm、4 mm或5 mm)之實體厚度。在一或多個特定實施例中,基板110可具有2 mm或更小、或小於1 mm之實體厚度。基板110可經酸拋光或以其他方式經處理以移除或減小表面裂紋之效應。
在一或多個實施例中,本揭示案之塗佈物件100包括表徵為高耐久性之ETC塗層170。因此,塗佈物件100在ETC塗層170之空氣側表面122處之一些實施例包含在根據鋼絲棉測試(亦即,如下所述)在1 kg負載下經歷3500個往復式循環之後與水95度或更大之平均接觸角。ETC塗層170之暴露表面亦可包含在根據鋼絲棉測試在1 kg負載下經歷5000個往復式循環之後與水95度或更大之平均接觸角。在其他態樣中,在根據鋼絲棉測試之3000、或3500、7000、或甚至10000個此類循環之後藉由ETC塗層170之暴露表面保持與水之95度或更大、100度、105度、110度或甚至115度之平均接觸角(包括介於此等角度之間的所有平均接觸角)。
如本文中所使用,「鋼絲棉測試」係用以判定安置在本揭示案之物件(例如,在第1圖至第4圖中描繪之塗佈物件)中採用之基板110上方的ETC塗層170之耐久性的測試。在鋼絲棉測試開始時,在特定樣本上量測水接觸角一或多次,以獲得可靠的初始水接觸角。可使用Krüss GmbH DSA100滴狀分析器或類似儀器進行此等水接觸角量測。在量測初始水接觸角之後,將Bonstar #0000鋼絲棉襯墊附著至Taber® Industries 5750線性磨耗儀器之臂。接著允許鋼絲棉襯墊在1 kg負載下接觸樣本(ETC塗層上)且設定為以60循環/分鐘進行往復運動。接著在2000個循環、3500個循環及/或另一指定持續時間之後,在樣本上量測平均接觸角。
根據額外實施例,在第1圖至第4圖中描繪之塗佈物件採用具有10 GPa或更大之最大硬度的光學塗層120或光學堆疊130。在一些實施例中,此等膜之最大硬度可為約11 GPa或更大、12 GPa或更大、13 GPa或更大、14 GPa或更大、15 GPa或更大、16 GPa或更大、17 GPa或更大、18 GPa或更大、19 GPa或更大、20 GPa或更大,以及此等值之間的所有最大硬度值。如本文中所使用,光學塗層120之「最大硬度值」報告為使用Berkovich壓頭硬度測試在光學塗層120之空氣側表面122上量測,且光學堆疊130之「最大硬度值」報告為使用Berkovich壓頭硬度測試在光學堆疊130之頂部表面上量測(在應用黏附塗層150及ETC塗層170之前)。更特定地,根據Berkovich壓頭硬度測試,使用廣泛接受之奈米壓痕實務判定如本文中報告之薄膜塗層之硬度。參見:Fischer-Cripps A.C.,Critical Review of Analysis and Interpretation of Nanoindentation Test Data,Surface & Coatings Technology,200,4153 - 4165 (2006) (在下文中稱為「Fischer-Cripps」);及Hay J.、Agee P及Herbert E.,Continuous Stiffness measurement During Instrumented Indentation Testing,Experimental Techniques,34 (3) 86 - 94 (2010) (在下文中稱為「Hay」)。對於塗層,典型做法係依據壓痕深度量測硬度及模數。只要塗層具有足夠厚度,便有可能將塗層之性質與所得之回應分佈曲線分離開。應認識到,若塗層太薄(例如,小於約500 nm),則可能就會沒有可能完全分離出塗層性質,此係因該等性質可因接近可具有不同機械性質之基板而受到影響。參見Hay。用以報告本文中之性質的方法表示塗層本身。製程係量測硬度及模數對接近1000 nm之深度中之壓痕深度。在較軟玻璃上具有硬塗層的情況下,回應曲線將顯示相對小壓痕深度(小於或等於約200 nm)下之硬度及模數之最大位準。在較深壓痕深度處,由於回應受較軟玻璃基板影響,硬度及模數兩者將逐漸變小。在此情況下,塗層硬度及模數呈現為與展現最大硬度及模數之區域相關聯。在較硬玻璃基板上具有軟塗層的情況下,將藉由相對小壓痕深度處存在之最低硬度及模數位準指示塗層性質。在較深壓痕深度處,硬度及模數將歸因於較硬玻璃之影響而逐漸增加。可使用傳統Oliver及Pharr方法(如在Fischer-Cripps中描述)或藉由更有效連續剛度方法(參見Hay)獲得硬度及模數對深度之此等分佈曲線。
舉例而言,第7圖說明隨塗層之壓痕深度及厚度變化之所量測硬度值的改變。如第7圖中所示,在中間壓痕深度處(硬度接近且維持在最高位準下所處位置)且在較深壓痕深度處量測之硬度取決於材料或層之厚度。第7圖說明具有不同厚度之AlOx Ny 之四個不同層的硬度回應。使用Berkovich壓頭硬度測試量測每一層之硬度。500 nm厚層在自約100 nm至180 nm之壓痕深度處展現其最大硬度,隨後在自約180 nm至約200 nm之壓痕深度處,硬度急劇減小,此指示基板之硬度影響硬度量測。1000 nm厚層在自約100 nm至約300 nm之壓痕深度處展現最大硬度,隨後在大於約300 nm之壓痕深度處,硬度急劇減小。1500 nm厚層在自約100 nm至約550 nm之壓痕深度處展現最大硬度,且2000 nm厚層在自約100 nm至約600 nm之壓痕深度處展現最大硬度。雖然第7圖說明厚單層,但在較薄塗層及包括多個層諸如本文中描述之實施例之光學堆疊130的塗層中觀測到相同行為。
如上所述,藉由Berkovich金剛石壓頭尖端,使用金剛石奈米壓痕方法量測本文中報告之此類薄膜之彈性模數及硬度值。
根據一或多個實施例,本文中描述之塗佈物件100可具有相對高光透射率及/或相對低反射率。舉例而言,根據實施例,塗佈物件100可具有對於自450 nm至800 nm之所有波長之75%或更大、80%或更大、85%或更大、或甚至90%或更大之光透射率。在額外實施例中,塗佈物件100可具有對於自450 nm至800 nm之所有波長之25%或更小、20%或更小、15%或更小、或甚至10%或更小之光反射率。
本文中揭示之塗佈物件可併入至諸如以下各項之另一物件中:具有顯示器(或顯示物件)之物件(例如,消費者電子裝置,包括行動電話、平板、電腦、導航系統等)、建築物件、運輸物件(例如,汽車、火車、飛機、海船等)、電器物件、或任何受益於一定透明度、抗刮擦性、耐磨性或其組合的物件。在第8圖及第9圖中示出併入有本文中揭示之塗佈物件中之任一者的例示性物件。特定地,第8圖及第9圖示出消費者電子裝置200,其包括:外殼202,其具有前表面204、背表面206及側表面208;電組件(未示出),其至少部分地在外殼內部或完全在外殼內且至少包括控制器、記憶體及在外殼之前表面處或鄰近處之顯示器210;及罩蓋基板212,其在外殼之前表面處或上方以便亦在顯示器上方。在一些實施例中,罩蓋基板212或外殼202之部分中之至少一者可包括本文中揭示之塗佈物件中之任一者。 實例
將藉由以下實例進一步闡明塗佈物件之各種實施例。該等實例性質上係說明性,且不應被理解為限制本揭示案之標的物。
如表1中所示,光學塗層沉積在玻璃基板上。樣本A利用僅氧化矽黏附塗層,而樣本2及3在黏附塗層中利用氧化鋁及氧化矽。玻璃基板由具有如下以莫耳%表示之標稱組成物之玻璃製成:57.4% SiO2 ;16.1% Al2 O3 ;17% Na2 O;2.8% MgO及6.5% P2 O5 。玻璃基板係0.5 mm厚。藉由濺鍍沉積光學堆疊。藉由PVD沉積僅氧化矽黏附塗層或氧化鋁及氧化矽黏附塗層。ETC塗層由PVD沉積之SH-HT防指紋塗層材料(可購自韓國DON有限公司)組成。如第5圖及第6圖中所示,分別量測樣本A、B及C之透射率及反射率。樣本A係藉由第5圖及第6圖中標記為182的線表示,樣本B係藉由第5圖及第6圖中標記為184的線表示,且樣本C係藉由第5圖及第6圖中標記為186的線表示。在黏附塗層中含有相對薄層之氧化鋁之樣本B及C展示良好光學特性,諸如高透射率及低反射率,類似於樣本A之透射率及反射率。 1
藉由(上文所描述之)鋼絲棉測試來測試樣本A至C之耐磨性,其中磨耗樣本且接著量測水接觸角。根據測試,藉由具有1 kg負載及50 mm (約2吋)之行程長度的鋼絲棉磨耗樣本。Bonstar #0000鋼絲棉用於測試。磨耗速度係60循環/分鐘。測試利用磨耗循環之變化量,如表2中示出。
使用蒸餾水作為Krüss GmbH DSA100滴狀分析器上之液滴介質,判定接觸角。表2上之接觸角表示來自多輪測試之平均接觸角。自至少6個樣本判定每一平均接觸角。 2
如表2之資料中所示,含有包括氧化鋁層及氧化矽層之黏附塗層的樣本B及C與僅含有氧化矽黏附層之樣本A相比,在磨耗循環之後,維持更佳平均接觸角。舉例而言,在3500個磨耗循環之後,樣本B及C維持98度或更大之接觸角,而樣本A不能。另外,在500個磨耗循環之後,樣本A與B維持至少95度之接觸角,而樣本A不能。
如本文中所使用,除非上下文清楚地指明,否則單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數指示物。因此,舉例而言,除非上下文另有明確表示,否則述及一「組件」包括具有兩個或更多個此類組件之態樣。
如本文中所使用之方向性術語例如上、下、左、右、前、後、頂部、底部僅參考諸圖進行繪製且不意欲暗示絕對定向。
如本文中所使用之術語「實質」、「實質上」及其變化形式意欲指出所描述之特徵等於或近似等於值或描述。舉例而言,「實質上平坦」表面意欲表示平坦或大致平坦之表面。此外,「實質上」意欲表示兩個值相等或大致相等。在一些實施例中,「實質上」可表示在彼此之約10%內,諸如在彼此之約5%內或在彼此之約2%內的值。
範圍可在本文中表示為自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。如本文中所使用,術語「約」意指量、大小、配方、參數及其他數量及特性不精確且不必精確,但可根據需要為近似的及/或較大或較小,其反映公差、轉算因數、捨入、量測誤差等,以及熟習此項技術者已知之其他因數。當在描述值或範圍端點時使用術語「約」的情況下,本揭示案應理解為包括所述及之特定值或端點。不管說明書中之範圍數值或端點是否敘述「約」,範圍數值或端點皆意欲包括兩個實施例:被「約」修飾者及不被「約」修飾者。應進一步理解,該等範圍中之每一者之端點顯著與另一端點有關,且獨立於另一端點。
應理解,在本說明書中及在圖式中揭示之各種特徵可以任何及所有組合形式使用。藉助於非限制性實例,如在以下實施例中所闡述,各種特徵可與彼此組合。
實施例1.一種塗佈物件,其包含: 基板,其具有主表面; 光學塗層,其安置於該基板之該主表面上且形成空氣側表面,該光學塗層包含: 光學堆疊; 黏附塗層,其在該光學堆疊上方,該黏附塗層包含氧化鋁層及在該氧化鋁層上方之氧化矽層;及 易於清洗塗層,其在該黏附塗層上方且界定該光學塗層之該空氣側表面。
實施例2.如實施例1所述之塗佈物件,其中該易於清洗塗層包含一或多種氟化化合物。
實施例3.如實施例1所述之塗佈物件,其中該易於清洗塗層包含一或多個氟化矽烷化合物。
實施例4.如實施例1至3中任一項所述之塗佈物件,其中該易於清洗塗層與該黏附塗層之該氧化矽層直接接觸。
實施例5.如實施例1至4中任一項所述之塗佈物件,其中該黏附塗層之該氧化鋁層與該光學堆疊直接接觸。
實施例6.如實施例1至5中任一項所述之塗佈物件,其中: 該黏附塗層之該氧化矽層具有自2 nm至50 nm之厚度;及 該黏附塗層之該氧化鋁層具有自2 nm至30 nm之厚度。
實施例7.如實施例1至6中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含高折射率材料與低折射率材料之交替層。
實施例8.如實施例1至7中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含SiO2 、Al2 O3 、GeO2 、SiO、AlOx Ny 、AlN、SiNx 、SiOx Ny 、Siu Alv Ox Ny 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、TiO2 、ZrO2 、TiN、MgO、MgF2 、BaF2 、CaF2 、SnO2 、HfO2 、Y2 O3 、MoO3 、DyF3 、YbF3 、YF3 或CeF3 中之一或多者。
實施例9.如實施例1至7中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含AlOx Ny 材料、Siu Alx Oy Nz 材料或兩者。
實施例10.如實施例1至9中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含最上層,該最上層包含氧化矽。
實施例11.如實施例1至10中任一項所述之塗佈物件,其中該光學塗層具有10 GPa或更大之最大硬度。
實施例12.如實施例1至11中任一項所述之塗佈物件,其中該塗佈物件具有對於自450 nm至800 nm之所有波長之25%或更小之光反射率。
實施例13.如實施例1至12中任一項所述之塗佈物件,其中該塗佈物件具有對於自450 nm至800 nm之所有波長之75%或更大之光透射率。
實施例14.如實施例1至13中任一項所述之塗佈物件,其中該空氣側表面處之該易於清洗塗層在根據鋼絲棉測試,在1 kg之負載下經歷3500往復式循環之後,包含與水98度或更大之平均接觸角。
實施例15.如實施例1至13中任一項所述之塗佈物件,其中該易於清洗塗層之暴露表面在根據鋼絲棉測試,在1 kg之負載下經歷5000往復式循環之後,包含與水95度或更大之平均接觸角。
實施例16.一種消費者電子產品,其包含: 外殼,其包含前表面、背表面及側表面; 電組件,其至少部分地在該外殼內,該等電組件至少包含控制器、記憶體及顯示器,該顯示器在該外殼之該前表面處或鄰近處;及 罩蓋基板,其安置於該顯示器上方, 其中該外殼之一部分或該罩蓋基板中之至少一者包含如實施例1至15中任一項所述之塗佈物件。
實施例17.一種用於在基板上沉積光學塗層的方法,該方法包含: 在該基板之主表面上方沉積光學堆疊; 在該光學堆疊上方沉積黏附塗層,該黏附塗層包含氧化鋁層及該氧化鋁層上方之氧化矽層;及 在該黏附塗層上方沉積易於清洗塗層,其中該易於清洗塗層界定該光學塗層之空氣側表面。
實施例18.如實施例17所述之方法,其中該易於清洗塗層包含一或多種氟化化合物。
實施例19.如實施例17或實施例18所述之方法,其中該易於清洗塗層與該黏附塗層之該氧化矽層直接接觸。
實施例20.如實施例17至19中任一項所述之方法,其中該黏附塗層之該氧化鋁層與該光學堆疊直接接觸。
100‧‧‧塗佈物件
110‧‧‧基板
112‧‧‧基板主表面
114‧‧‧基板主表面
116‧‧‧次表面
118‧‧‧次表面
120‧‧‧光學塗層
122‧‧‧空氣側表面
130‧‧‧光學堆疊
130A‧‧‧低RI層
130B‧‧‧高RI層
132‧‧‧段
140‧‧‧抗刮擦層
150‧‧‧黏附塗層
152‧‧‧氧化矽層
154‧‧‧氧化鋁層
170‧‧‧ETC塗層
182‧‧‧線
184‧‧‧線
186‧‧‧線
200‧‧‧消費者電子裝置
202‧‧‧外殼
204‧‧‧前表面
206‧‧‧背表面
208‧‧‧側表面
210‧‧‧顯示器
212‧‧‧罩蓋基板
第1圖係根據本文中描述之一或多個實施例的包括基板上之光學塗層之塗佈物件的剖面側視圖;
第2圖係根據本文中描述之一或多個實施例的塗佈物件之剖面側視圖,其描繪光學塗層之光學堆疊、黏附塗層及易於清洗(easy-to- clean; ETC)塗層;
第3圖係根據本文中描述之一或多個實施例之塗佈物件之剖面側視圖,其描繪黏附塗層之詳細視圖;
第4圖係根據本文中描述之一或多個實施例之塗佈物件之剖面側視圖,其描繪光學堆疊之詳細視圖;
第5圖係示出根據本文中描述之一或多個實施例的塗佈物件之樣本之光透射率的圖表;及
第6圖係示出根據本文中描述之一或多個實施例的塗佈物件之樣本之光反射率的圖表;
第7圖係描繪根據本文中描述之一或多個實施例的光學塗層之硬度回應對比層厚度之圖表;
第8圖係根據本文中描述之一或多個實施例的併入有塗佈物件之電子裝置的平面視圖;及
第9圖係根據本文中描述之一或多個實施例根據本文中描述之一或多個實施例的第8圖之電子裝置的透視圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (15)

  1. 一種塗佈物件,其包含: 一基板,其具有一主表面;一光學塗層,其安置於該基板之該主表面上且形成一空氣側表面,該光學塗層包含:一光學堆疊;一黏附塗層,其在該光學堆疊上方,該黏附塗層包含氧化鋁層及在該氧化鋁層上方之氧化矽層;及一易於清洗塗層,其在該黏附塗層上方且界定該光學塗層之該空氣側表面。
  2. 如請求項1所述之塗佈物件,其中該易於清洗塗層包含一或多種氟化化合物。
  3. 如請求項1所述之塗佈物件,其中該易於清洗塗層與該黏附塗層之該氧化矽層直接接觸。
  4. 如請求項1所述之塗佈物件,其中該黏附塗層之該氧化鋁層與該光學堆疊直接接觸。
  5. 如請求項1所述之塗佈物件,其中: 該黏附塗層之該氧化矽層具有自2 nm至50 nm之一厚度;及該黏附塗層之該氧化鋁層具有自2 nm至30 nm之一厚度。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含一高折射率材料與一低折射率材料之交替層。
  7. 如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含SiO2 、Al2 O3 、GeO2 、SiO、AlOx Ny 、AlN、SiNx 、SiOx Ny 、Siu Alv Ox Ny 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、TiO2 、ZrO2 、TiN、MgO、MgF2 、BaF2 、CaF2 、SnO2 、HfO2 、Y2 O3 、MoO3 、DyF3 、YbF3 、YF3 或CeF3 中之一或多者。
  8. 如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含一AlOx Ny 材料、一Siu Alx Oy Nz 材料或兩者。
  9. 如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件,其中該光學堆疊包含一最上層,該最上層包含氧化矽。
  10. 如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件,其中該光學塗層具有10 GPa或更大之一最大硬度。
  11. 如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件,其中該塗佈物件具有以下各項中之至少一者: (i)對於自450 nm至800 nm之所有波長之25%或更小之一光反射率;及(ii)對於自450 nm至800 nm之所有波長之75%或更大之一光透射率。
  12. 如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件,其中以下各項中之至少一者: (i)該空氣側表面處之該易於清洗塗層在根據一鋼絲棉測試,在1 kg之一負載下經歷3500往復式循環之後,包含與水98度或更大之一平均接觸角;及(ii)該易於清洗塗層之一暴露表面在根據一鋼絲棉測試,在1 kg之一負載下經歷5000往復式循環之後,包含與水95度或更大之一平均接觸角。
  13. 一種消費者電子產品,其包含: 一外殼,其包含一前表面、一背表面及側表面;電組件,其至少部分地在該外殼內,該等電組件至少包含一控制器、一記憶體及一顯示器,該顯示器在該外殼之該前表面處或鄰近處;及一罩蓋基板,其安置於該顯示器上方,其中該外殼之一部分或該罩蓋基板中之至少一者包含如請求項1至5中任一項所述之塗佈物件。
  14. 一種用於在一基板上沉積一光學塗層的方法,該方法包含以下步驟: 在該基板之一主表面上方沉積一光學堆疊;在該光學堆疊上方沉積一黏附塗層,該黏附塗層包含一氧化鋁層及該氧化鋁層上方之一氧化矽層;及在該黏附塗層上方沉積一易於清洗塗層,其中該易於清洗塗層界定該光學塗層之一空氣側表面。
  15. 如請求項14所述之方法,其中該易於清洗塗層包含一或多種氟化化合物,其中該易於清洗塗層與該黏附塗層之該氧化矽層直接接觸,且其中該黏附塗層之該氧化鋁層與該光學堆疊直接接觸。
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