TW201903380A - 封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，包括：上負載模組、下負載模組、上膜腔模組以及下膜腔模組，其中，該上負載模組透過上伺服馬達帶動上滾珠螺桿之轉動，以使連接該滾珠螺桿之施力板向下位移並進而定位，該下負載模組之下滾珠螺桿基於下伺服馬達之運作而移動，以使連接該下滾珠螺桿之荷重接頭組產生對應之位移，該上膜腔模組連接該上負載模組，該下膜腔模組設置於該下負載模組上，該荷重接頭組之位移使該推桿向上移動，其中，該下膜腔模組透過加熱管以使其腔體內待測物維持定溫狀態，且該上膜腔模組與該下膜腔模組使該待測物處於定壓狀態，並透過光學量測器量測該待測物於單位時間內之體積變化。

Description

封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備
本發明係關於一種封裝材料檢測技術，特別是，係關於一種封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備。
近年來半導體產業發展迅速，基於多元化或輕巧化之需求，積體電路(IC)構裝也朝著高功率、高密度、輕薄以及微小化等高精密度晶片方向去研發，構裝主要目的是保護晶粒免於受到損壞、提高機械性質和物理性質、以及增加散熱性。
IC封裝技術可包括陶瓷封裝和塑膠封裝，陶瓷封裝(ceramic package)有高度穩定性與可靠度之優點，但其封裝成本相對昂貴，恐難在一般電子產品普及。反之，若以塑膠封裝(plastic package)常使用的環氧樹脂(epoxy molding compound，EMC)來說，價格相對低廉且製程成本低，較適用於生活周遭電子用品，但其氣密性和可靠度相對較差，導致封裝成品的穩定性也跟著受影響。封裝材料(Epoxy Molding Compound)為熱固性塑膠(Thermosetting Materials)，其加熱至某一溫度時會發生鍵結反應，引起塑 料分子不斷固化鏈結在一起並釋放熱量，導致溫度提高，亦即反應同時即進行固化(curing)，反應後也結束固化以變成性質不同的新物質，但無法再被軟化熔融或重複成形。
以環氧樹脂為例，分子間會進行架橋而固化並放出熱量，但在環氧樹脂固化過程，熟化度與溫度和壓力彼此之間有緊密的連動關係，亦即，溫度與壓力會影響環氧樹脂的熟化度，進而影響材料比容。然目前對封裝成品的翹曲分析都僅限於溫度差所產生之熱翹曲變形進行研究，然如前述，環氧樹脂的固化反應不僅對材料本身比容有很大影響，其固化翹曲的影響也不亞於溫度所產生的熱翹曲影響，因而若僅以溫度來考量翹曲量或翹曲方向，恐讓封裝成品與預期有一定誤差。
由上可知，如何找出一種封裝材料熟化度之量測機制，特別是，透過不同溫度、壓力下，找出封裝材料熟化度與比容之間關係，可供封裝材料封裝時之參考，將成為本技術領域人員努力追求之目標。
本發明之目的係提出一種可得到封裝材料之熟化度與比容之間關係性的量測機制，透過建立一台壓力-體積-溫度-熟化度(P-V-T-C)量測設備，將例如環氧樹脂的封裝材料於定溫定壓下，找出其熟化度對比容之影響，進而找出一套壓力-體積-溫度-熟化度(P-V-T-C)關係式，提供日後封裝材料的翹曲計算。
本發明係提出一種封裝材料之熟化度與比容關係之 量測設備，包括：上負載模組，係包括上伺服馬達、上滾珠螺桿及施力板，該上伺服馬達透過皮帶帶動該上滾珠螺桿之轉動，以使連接該滾珠螺桿之該施力板向下位移，進而定位該施力板；下負載模組，係包括下滾珠螺桿和具推桿之荷重接頭組，該下滾珠螺桿基於一下伺服馬達之運作移動，以使連接該下滾珠螺桿之該荷重接頭組產生對應之位移；上膜腔模組，係連接該上負載模組之該施力板；以及下膜腔模組，係設置於該下負載模組上且供該荷重接頭組之推桿可部分地滑設其中，以於位移該荷重接頭組時，帶使該推桿向上移動，其中，該下膜腔模組包括腔體及加熱管，該加熱管用於加熱以使放置於該腔體內之待測物維持定溫狀態，其中，該上膜腔模組基於該施力板之該向下位移以及該下膜腔模組內該推桿之該向上位移，能使位於該腔體內之該待測物處於定壓狀態，並能透過設置於該下負載模組之光學量測器量測該待測物於單位時間內之體積變化。
本發明所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備更包括控制器，用於根據該待測物之溫度、荷重值以及位移量以控制該上伺服馬達、該下伺服馬達及該加熱管之運作。
於一實施例中，該控制器透過溫度控制器以調整該加熱管之溫度。
於另一實施例中，該溫度控制器透過設置於該腔體處之溫度感應器，以得到該待測物之溫度。
於再一實施例中，該控制器透過分別設置於該上膜腔模組與該上膜腔模組之荷重傳感器，以得到該待測物之受力。
於又一實施例中，該控制器係將該待測物之受力轉換為電壓輸出，以藉由該電壓大小換算出該待測物之該荷重值。
本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備更包括數據處理模組，用於依據該待測物之體積變化以計算該待測物之體積收縮率，以得到該體積收縮率與該待測物之熟化度的關係。
於又另一實施例中，該光學量測器為光學尺，用於量測該待測物之高度變化。
於又一實施例中，該上負載模組更包括連接該上伺服馬達之馬達皮帶輪以及連接該上滾珠螺桿之從動皮帶輪，該皮帶環繞該馬達皮帶輪及該從動皮帶輪。
本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備更包括外部殼體，用於包覆該上負載模組、該下負載模組、該上膜腔模組以及該下膜腔模組。
於又再一實施例中，該荷重接頭組設置於該下滾珠螺桿之上端，以使該荷重接頭組基於該下滾珠螺桿之向上移動以產生向上位移；又或者，該荷重接頭組設置於該下滾珠螺桿之側邊，以使該荷重接頭組基於該下滾珠螺桿之向上移動而產生向上位移之連動。
相較於習知技術，本發明提出之封裝材料之熟化度與 比容關係之量測設備，上膜腔模組與下膜腔模組的位移可使待測物處於定壓狀態，加熱器的設置可確保待測物處於定溫狀態，透過溫度和壓力監控以量測待測物於單位時間內之體積變化，進而得到封裝材料之體積變化量，此可應用於後續P-V-T-C關係式的推得。
1‧‧‧量測設備
11‧‧‧上負載模組
110‧‧‧上伺服馬達
111‧‧‧上滾珠螺桿
112‧‧‧施力板
113‧‧‧皮帶
114‧‧‧減速機
115‧‧‧馬達皮帶輪
116‧‧‧從動皮帶輪
117‧‧‧軸承接頭
118‧‧‧軸承固定板
12‧‧‧下負載模組
121‧‧‧下滾珠螺桿
122‧‧‧荷重接頭組
1221‧‧‧推桿
123‧‧‧下伺服馬達
124‧‧‧下負載基板
125‧‧‧減速機
1251‧‧‧減速機固定板
126‧‧‧光學量測器
13‧‧‧上膜腔模組
131‧‧‧上膜部
132‧‧‧加熱管
133‧‧‧溫度感應器
134‧‧‧隔熱板
14‧‧‧下膜腔模組
141‧‧‧腔體
142‧‧‧加熱管
143‧‧‧溫度感應器
144‧‧‧隔熱板
145‧‧‧下膜部
15‧‧‧操控面板
16‧‧‧下外部機殼
17‧‧‧操作窗口
602‧‧‧控制器
603‧‧‧上伺服馬達
604‧‧‧上荷重傳感器
605‧‧‧上膜腔模組
606‧‧‧上荷重顯示器
607‧‧‧下伺服馬達
608‧‧‧施力軸
609‧‧‧下荷重傳感器
610‧‧‧待測物
611‧‧‧溫度控制器
612‧‧‧加熱管
613‧‧‧溫度感應器
614‧‧‧位移傳感器
第1A-1B圖為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備的外觀架構圖；第2A-2C圖為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之上負載模組的架構圖；第3A-3D圖為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之下負載模組的架構圖；第4A-4D圖為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之上膜腔模組的架構圖；第5A-5C圖為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之下膜腔模組的架構圖；第6圖為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備其運作的流程方塊圖；以及第7A-7C圖為本發明有關體積收縮率與熟化度之關係的實驗數據圖。
以下藉由特定的具體實施形態說明本發明之技術內容，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之優點與功效。然本發明亦可藉由其他不同的 具體實施形態加以施行或應用。
請參照第1A-1B圖，係為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備的外觀架構圖。簡單來說，本發明為了得到體積收縮率與熟化度之間的關係式，以作為日後封裝材料於構裝時翹曲量的參考，故本發明希望同時考量溫度、壓力下，得到封裝材料之體積變化，最終再透過數值歸納，以推得體積收縮率與熟化度之間的關係，因而本發明提出一種量測設備，可在控制溫度、壓力下，量測封裝材料的體積變化量。
如第1A-1B圖所示，第1A圖為封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備1整體外觀，第1B圖則是封裝材料熟化度與比容之量測設備1側面視圖，本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備1可包括上負載模組11、下負載模組12、上膜腔模組13以及下膜腔模組14。
除了封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備1機體下方前側設有操控面板15以供使用者操作外，下外部機殼16內設有下負載模組12，下膜腔模組14位於下負載模組12上方，而上膜腔模組13設於上負載模組11下方，上外部機殼(圖未示)可設於下外部機殼16上方，用於包覆上負載模組11、上膜腔模組13及下膜腔模組14。當上外部機殼(圖未示)覆於下外部機殼16上時，可透過操作窗口17，將欲執行量測之待測物置入封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備1內。
上負載模組11可帶動上膜腔模組13向下位移，待測 物則置於下膜腔模組14內，透過上負載模組11與下膜腔模組14的上下緊迫，使得待測物在下膜腔模組14內受一定壓力，另外，本發明還可調整待測物周邊溫度，使得待測物可處於定溫環境，藉此待測物可在不同溫度、壓力等條件下，進而體積變化的量測。
下面將針對上負載模組11、下負載模組12、上膜腔模組13和下膜腔模組14各別說明。
請參照第2A-2C圖，係為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之上負載模組的架構圖，其中，第2A圖為上負載模組的外觀圖，第2B圖為上負載模組之右側視圖，第2C圖為上負載模組之前視圖。
如該些圖所示，上負載模組11位於封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備1整體上端，其包括上伺服馬達110、上滾珠螺桿111及施力板112。其中，上伺服馬達110透過皮帶113帶動上滾珠螺桿111之轉動，使得連接上滾珠螺桿111之施力板112向下位移，進而定位施力板112。
請參考第2B圖，馬達皮帶輪115可動地連接至上伺服馬達110，當上伺服馬達110運轉時，會帶動馬達皮帶輪115轉動，透過皮帶113以使從動皮帶輪116轉動，從動皮帶輪116與上滾珠螺桿111可動地連接，因而上伺服馬達110運轉時，上滾珠螺桿111向下轉動，上滾珠螺桿111透過軸承接頭117與軸承固定板118連接，可使施力板112向下移動，施力板112連接第1B圖之上膜腔模組13，使得上膜腔模組13可移動到所需位置，藉此達到定位 上膜腔模組13之目的。
另外，上伺服馬達110與馬達皮帶輪115之間可設有減速機114，藉此調整上伺服馬達110所輸出運轉速度。
請參照第3A-3D圖，係為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之下負載模組的架構圖，其中，第3A圖為下負載模組的外觀圖，第3B圖為下負載模組之前視圖，第3C圖為第3B圖所示之下負載模組沿著A-A線之剖面視圖。
如該些圖所示，下負載模組12包括下滾珠螺桿121和荷重接頭組122，其中，下滾珠螺桿121基於下伺服馬達123之運作而產生上下位移，使得連接下滾珠螺桿121之荷重接頭組122可產生對應移動，亦即當下滾珠螺桿121向上位移時荷重接頭組122也會向上位移。
更具體來說，荷重接頭組122設置於下滾珠螺桿121之側邊，即荷重接頭組122透過下負載基板124設置於下負載模組12上，其中，荷重接頭組122基於下滾珠螺桿121之向上移動而產生向上位移之連動。
另外，荷重接頭組122之推桿1221將會伸入第1B圖之下膜腔模組14內，藉此於推桿1221移動時，使得下膜腔模組14內產生空間以供待測物置入，或者是透過推桿1221之位移擠壓給予待測物一壓迫力。
下負載模組12還包括設於下伺服馬達123上的減速機125，可透過減速機固定板1251設於下負載模組12上，其目的用於調整下伺服馬達123所輸出運轉速度。
下負載模組12更設有光學量測器126，可設於下負載模組12側邊，光學量測器126可為光學尺，用於量測荷重接頭組122位移大小，此目的可得到待測物之高度變化，簡單來說，透過比對荷重接頭組122的位移情況，即可推得待測物之高度變化。
另外，如第3D圖所示，為下負載模組12另一種實施例。於第3A-3C圖中，荷重接頭組122是設置於下滾珠螺桿121之側邊，但於本實施例中，荷重接頭組122是設置於下滾珠螺桿121之上端，也就是說，下滾珠螺桿121基於下伺服馬達123之運作而上下位移，位於下滾珠螺桿121上端之荷重接頭組122也會產生對應移動。上述兩種下負載模組12可基於不同需求而設計，但最終目的都是讓荷重接頭組122移動到所需位置。
請參照第4A-4D圖，係為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之上膜腔模組的架構圖，其中，第4A圖為上膜腔模組的外觀圖，第4B圖為上膜腔模組之側視圖，第4C和4D圖分別為第4B圖之上膜腔模組沿B-B和A-A線之剖面視圖。
如第4A-4D圖所示，上膜腔模組13包括上膜部131、加熱管132、溫度感應器133以及隔熱板134。上膜部131可連接至第1B圖之上負載模組11，以基於上負載模組11之移動而使上膜腔模組13位移，上膜腔模組13內部設置有加熱管132，加熱管132可提供上膜腔模組13整體保持在一定溫度，此有助於當上膜腔模組13壓迫於放置有待測 物之下膜腔模組14(第1B圖)時，待測物不會因為接近上膜腔模組13的不同溫度，使得待測物產生溫度變化而無法處於定溫狀態。加熱管132的位置、型態可隨需求設計，例如環繞整個上膜腔模組13。
上膜腔模組13四周設有隔熱板134，此可避免上膜腔模組13內熱能流失，另外，上膜腔模組13還可透過溫度感應器133進行溫度監測，溫度感應器133可例如為測溫棒，可感測上膜腔模組13之溫度，以作為調整加熱管132加熱情況之依據。
請參照第5A-5C圖，係為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備之下膜腔模組的架構圖，其中，第5A圖為下膜腔模組的外觀圖，第5B圖為下膜腔模組之側視圖，第5C圖為第5B圖之下膜腔模組沿A-A線之剖面視圖。
下膜腔模組14設置於下負載模組12上並且下負載模組12之荷重接頭組122之推桿1221部分地設置其中，如第5C圖所示。另外，下負載模組12可使荷重接頭組122之推桿1221上下移動，其中，下膜腔模組14包括腔體141及加熱管142，加熱管142之加熱可使放置於腔體141內之待測物保持一定溫度，倘若需處於定溫狀態，則同樣可透過溫度監控達到定溫效果。
加熱管142位置、態樣可隨需求設計，例如環繞整個下膜腔模組14，更佳者，加熱目的是為了保持待測物處於一定溫度，因而加熱管142也可考慮設置於待測物附近， 例如環繞待測物設置。另外，下膜腔模組14還可包括溫度感應器143，用於感測待測物所處環境的溫度，之後，可將依據溫度情況調整加熱管142的加溫大小。
下膜腔模組14四周同樣可設置隔熱板144，防止熱能經傳導後散去。另外，下膜腔模組14還包括下膜部145，主要供上膜腔模組壓而其上，下膜部145中間有一孔洞可供待測物置入，此孔洞在下膜腔模組14內即是前述的腔體141。
透過前述各構件之結合，上膜腔模組13基於施力板112之向下位移以及下膜腔模組14內推桿1221之向上位移，以使位於腔體141內之待測物處於某一壓力狀態，也就是說，上膜腔模組13提供向下壓的限位效果，下膜腔模組14內推桿1221提供一個向上壓力，如此使得設置於腔體141內之待測物可處於一個預定受壓環境。透過本發明之量測設備，將可提供不同壓力、溫度之量測情境，藉此達到不同壓力、溫度下的體積變化量之量測。關於體積變化，可透過設置於下負載模組12之光學量測器126(第3A圖)量測，藉此推算待測物於單位時間內之體積變化。
請參照第6圖，係為本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備其運作的流程方塊圖。具體來說，封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備內可設置控制器，可用以依據待測物之溫度、荷重值以及位移量，進而控制上伺服馬達、下伺服馬達及加熱管之運作。
如圖所示，當啟動測試時，可由控制器602進行相關 組件之操控，此時將要求上伺服馬達603運轉以對上膜腔模組605提供向下移動的能量並形成位移效果，在此同時可透過上荷重傳感器604感測施加之重量，必要時可透過上荷重顯示器606來顯示重量，且於必要時調整上伺服馬達603之運轉以改變施加力大小。
在控制器602進行操控上伺服馬達603時，也可同時控制下伺服馬達607，控制器602可控制施力軸608(即前述之下滾珠螺桿)對待測物610施力，以使待測物610受到壓迫，此時也可透過下荷重傳感器609感測施加之重量，即待測物610之受力。
具體來說，控制器602可將待測物610之受力轉換為電壓輸出，透過電壓大小換算出待測物610之荷重值。因此，透過上伺服馬達603和下伺服馬達607的運作，使得位於下膜腔模組內之待測物610在上膜腔模組605下壓限位以及伸入下膜腔模組內之推桿的上下施壓，進而達到維持一定壓力之狀態。
控制器602可透過溫度控制器611來控制加熱管612對待測物610周邊進行加熱，使其達到預定溫度以及溫度之維持，並且可透過溫度感應器613來量測該待測物所處位置之溫度，並回報給溫度控制器611，溫度控制器611可據此調整加熱管612之加熱溫度高低。
待測物610可透過位移傳感器614量測待測物610之位移量，亦即感測待測物610的高度變化，具體來說，在下膜腔模組內容置待測物610為固定的圓柱狀空間下，此 圓柱狀空間即前述腔體，高度變化將可推得待測物610的體積變化。
另外，封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備內更可設置數據處理模組，例如可執行運作之處理器，用於根據待測物之體積變化情況計算待測物之體積收縮率，本發明將待測物之體積收縮率與熟化度進行分析，以得到兩者之關係式。須說明者，數據處理模組可設於設備內或獨立於設備外，若為設置於設備外之型態，可例如電腦內安裝數據處理程式，以將來自設備之量測數值進行分析計算。
下面將對如何取得體積收縮率與熟化度之關係式進行說明。
首先，要透過待測物的溫度量測找出熟化反應動力學模式，可使用差示掃描量熱法(DSC)的熱分析技術，量測封裝材料於熟化反應時之放熱量，利用熟化反應正比於熟化反應之熱量變化的概念，在不同升溫速率下，透過實驗取得封裝材料於三種不同升溫速率下，封裝材料隨溫度改變之熟化度曲線圖，即熟化反應速率在不同溫度下隨時間改變之曲線圖。
在取得熟化反應中熟化度、反應速率及溫度關係之曲線圖後，藉由將數據帶入反應動力學模式並利用非線性迴歸分析(Nonlinear Regression Analyze)，以求出反應動力學模式中之參數。之後，可利用這些參數求得封裝材料在等溫狀態下熟化度隨時間變化之關係圖，如第7A圖所示。
接著，以數個定壓和定溫差下進行實驗，當封裝材料 放入腔體後需一段時間預熱，此步驟是防止溢料情況。當封裝材料在腔體內受擠壓而有體積收縮情況時，因須維持等壓，故會在等壓後才擷取數據。體積收縮率可以利用下列式(1)來計算出封裝材料隨時間變化之體積收縮量。
其中，VSi為任意時間的體積收縮率，Vo為初始體積Vi為任意時間的體積，ho為初始高度，hi為任意時間的高度。如第7B圖所示，為某一封裝材料於145℃下配合不同壓力之體積收縮率與時間的關係圖。
最後，將時間與體積收縮率之關係圖，結合反應動力學模式的時間與熟化度關係圖之後，即可以得到體積收縮率與熟化度之間的關係，即P-V-T-C關係式。
於本實施例中，可對某一種封裝材料建立出P-V-T-C關係式，如下面式(2)所示，其中，式(2)中的各項函數如式(3)~式(8)所示，透過P-V-T-C關係式可得到封裝材料之體積收縮率與熟化度的關係，且在不同製程情形下，可推得各製程下的體積收縮率。
VS(P,T,C)=F 1 (P,T)．C F2(P-T) 式(2)
其中，F 1 (P,T)與F 2 (P,T)為壓力(kgf/cm2)與溫度(℃)覇的函數。
F 1 (P,T)=f a (T)P+f b (T) 式(3)
F 2(P,T)=f c (T)P+f d (T) 式(4)
f a (T)=a 2 T 2 +a 1 T+a 0 式(5)
f b (T)=b 2 T 2 +b 1 T+b 0 式(6)
f c (T)=c 2 T 2 +c 1 T+c 0 式(7)
f d (T)=d 2 T 2 +d 1 T+d 0 式(8)
其中，a 2 、a 1 、a 0 、b 2 、b 1 、b 0 、c 2 、c 1 、c 0 、d 2 、d 1 、d 0 均為材料常數，如第7C圖所示，為此封裝材料在145℃下的體積收縮與溫度、壓力、熟化度之關係圖，前述P-V-T-C關係式將可應用於封裝材料之翹曲計算中。
綜上所述，本發明之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，透過機台設計，使得待測物可處於各種不同溫度和壓力環境，進而量測封裝材料的體積變化量，之後可透過該些數據得到P-V-T-C關係式，此關係式將可用於日後封裝材料封裝時其翹曲量之參考依據，且可優於目前僅考量溫度對於封裝材料之翹曲量影響的結果。
上述實施形態僅例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施形態進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

Claims (12)

  1. 一種封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，包括：上負載模組，係包括上伺服馬達、上滾珠螺桿及施力板，該上伺服馬達透過皮帶帶動該上滾珠螺桿之轉動，以使連接該滾珠螺桿之該施力板向下位移，進而定位該施力板；下負載模組，係包括下滾珠螺桿和具推桿之荷重接頭組，該下滾珠螺桿基於一下伺服馬達之運作移動，以使連接該下滾珠螺桿之該荷重接頭組產生對應之位移；上膜腔模組，係連接該上負載模組之該施力板；以及下膜腔模組，係設置於該下負載模組上且供該荷重接頭組之推桿可部分地滑設其中，以於位移該荷重接頭組時，帶使該推桿向上移動，其中，該下膜腔模組包括腔體及加熱管，該加熱管用於加熱以使放置於該腔體內之待測物維持定溫狀態，其中，該上膜腔模組基於該施力板之該向下位移以及該下膜腔模組內該推桿之該向上位移，能使位於該腔體內之該待測物處於定壓狀態，並能透過設置於該下負載模組之光學量測器量測該待測物於單位時間內之體積變化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，更包括控制器，用於根據該待測物之溫度、荷重值以及位移量以控制該上伺服馬達、該下 伺服馬達及該加熱管之運作。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該控制器透過溫度控制器以調整該加熱管之溫度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該溫度控制器透過設置於該腔體處之溫度感應器，以得到該待測物之溫度。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該控制器透過分別設置於該上膜腔模組與該上膜腔模組之荷重傳感器，以得到該待測物之受力。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該控制器係將該待測物之受力轉換為電壓輸出，以藉由該電壓大小換算出該待測物之該荷重值。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，更包括數據處理模組，用於依據該待測物之體積變化以計算該待測物之體積收縮率，藉此得到該體積收縮率與該待測物之熟化度的關係。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該光學量測器為光學尺，用於量測該待測物之高度變化。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該上負載模組更包括連接該 上伺服馬達之馬達皮帶輪以及連接該上滾珠螺桿之從動皮帶輪，該皮帶環繞該馬達皮帶輪及該從動皮帶輪。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，更包括外部殼體，用於包覆該上負載模組、該下負載模組、該上膜腔模組以及該下膜腔模組。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該荷重接頭組設置於該下滾珠螺桿之上端，且該荷重接頭組基於該下滾珠螺桿之向上移動以產生向上位移。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之熟化度與比容關係之量測設備，其中，該荷重接頭組設置於該下滾珠螺桿之側邊，且該荷重接頭組基於該下滾珠螺桿之向上移動而產生向上位移之連動。
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