TW201901947A - 微型發光二極體裝置及顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種顯示面板，包括背板、第一接合層、多個微型發光二極體、第一絕緣層以及第二接合層。第一接合層配置於背板上。這些微型發光二極體配置於第一接合層上，並與第一接合層電性連接。第一絕緣層位於任兩相鄰的微型發光二極體之間。第一絕緣層具有高低起伏的表面。第二接合層配置於這些微型發光二極體以及第一絕緣層上，且電性連接於這些微型發光二極體。一種微型發光二極體裝置，包括基板、多個微型發光二極體以及第一絕緣層。第一絕緣層位於任兩相鄰的微型發光二極體之間。第一絕緣層具有高低起伏的表面。
Description
本發明是有關於一種發光二極體裝置及發光二極體顯示面板，且特別是有關於一種微型發光二極體裝置及微型發光二極體顯示面板（Micro LED Display Panel）。
隨著光電技術的演進，傳統的白熾燈泡以及螢光燈管由於效率以及環保的問題已經逐漸被新一代的固態光源（例如是發光二極體（Light-Emitting Diode））所替代。近年來，發光二極體已經廣泛地應用於各領域，其例如是道路照明、大型戶外看板、交通號誌燈等相關領域。在發光二極體的領域中，發展出一種比一般發光二極體尺寸縮小許多，而被稱為微型發光二極體（Micro LED）的新技術。
當微型發光二極體應用於顯示技術的領域時，以每一個微型發光二極體當做顯示面板中的子像素（Sub-Pixel），每一個子像素都可以定址化單獨驅動發光。而將這些可獨立發光的微型發光二極體所發出的光束組合成影像的顯示面板即為微型發光二極體顯示面板。由於微型發光二極體具有自發光顯示技術特性，相較於同為自發光顯示技術的有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode, OLED）技術，微型發光二極體不僅效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。因此微型發光二極體有望超越有機發光二極體而成為未來顯示技術的主流。
然而，在製作微型發光二極體顯示面板的過程中，常常衍生出以下的問題。當要製作共電極（Common Electrode）覆蓋於這些微型發光二極體上時，由於重力的關係，共電極常會在二相鄰的微型發光二極體之間產生過大的形變而斷開，上述現象會造成微型發光二極體顯示面板的製造良率下降。
本發明提供一種微型發光二極體裝置及顯示面板，其具有良好的製造良率。
本發明的一實施例提供一種顯示面板，包括背板、第一接合層、多個微型發光二極體、第一絕緣層以及第二接合層。第一接合層配置於背板上。這些微型發光二極體配置於第一接合層上，並與第一接合層電性連接。第一絕緣層位於任兩相鄰的微型發光二極體之間，且第一絕緣層具有高低起伏的表面。第二接合層配置於這些微型發光二極體以及第一絕緣層上，且電性連接於這些微型發光二極體。
在本發明的一實施例中，上述的第一絕緣層包括至少一凸起部、多個凹陷部以及多個連接部。凸起部位於任兩相鄰的凹陷部之間。連接部位於凹陷部與微型發光二極體之間。連接部連接微型發光二極體。至少一凸起部的表面、這些凹陷部的表面以及這些連接部的表面共同構成第一絕緣層的表面。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更滿足：H1＞H2＞H3。H1為至少一凸起部相對於背板的最大高度，H2為連接部與微型發光二極體的連接處相對於背板的最大高度，且H3為凹陷部相對於背板的最低高度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更滿足：H1與H3的比值大於1且小於等於2。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更滿足：(H2+H3)＞H1＞1/2*(H2+H3)。H1為至少一凸起部相對於背板的最大高度，H2為連接部與微型發光二極體的連接處相對於所述背板的最大高度，且H3為凹陷部相對於背板的最低高度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更滿足： HL
＞H2，HL
＞H3，其中H2為連接部與微型發光二極體的連接處相對於背板的最大高度，H3為凹陷部相對於背板的最低高度，且HL
為微型發光二極體相對於背板的最大高度。
在本發明的一實施例中，上述的每一微型發光二極體包括磊晶疊層，且磊晶疊層包括第一型半導體層、第二型半導體層以及發光層。發光層位於第一型半導體層以及第二型半導體層之間。第一電極配置於第一接合層與第一型半導體層之間，且電性連接於第一型半導體層。第二電極配置於第二接合層與第二型半導體層之間，且電性連接於第二型半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更滿足： H2＞HM
。H2為連接部相對於背板的最大高度，且HM
為發光層相對於背板的最大高度。
在本發明的一實施例中，上述的連接部連接覆蓋磊晶疊層的側表面與第一電極的側表面。
在本發明的一實施例中，由剖面觀之，每一微型發光二極體的磊晶疊層的剖面形狀為梯形，且梯形的底角的角度範圍落在45度至85度的範圍內。
在本發明的一實施例中，其中第一型半導體層為N型半導體層，且第二型半導體層為P型半導體層。
在本發明的一實施例中，背板包括多個像素。像素更包括多個子像素。至少一微型發光二極體位於一子像素中。
本發明的一實施例提供一種微型發光二極體裝置，包括基板、多個微型發光二極體以及第一絕緣層。這些微型發光二極體配置於基板上。第一絕緣層位於任兩相鄰的微型發光二極體之間。第一絕緣層具有高低起伏的表面，且包括至少一凸起部、多個凹陷部以及多個連接部。凸起部位於任兩相鄰的凹陷部之間。連接部位於凹陷部與微型發光二極體之間。連接部連接微型發光二極體。至少一凸起部的表面、這些凹陷部的表面以及這些連接部的表面共同構成第一絕緣層的表面。其中微型發光二極體裝置滿足：H1＞H2＞H3。H1為至少一凸起部相對於基板的最大高度，H2為連接部與微型發光二極體的連接處相對於基板的最大高度，且H3為凹陷部相對於基板的最低高度。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體裝置更滿足：H1與H3的比值大於1且小於等於2。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體裝置更滿足：(H2+H3)＞H1＞1/2*(H2+H3)。H1為至少一凸起部相對於背板的最大高度，H2為連接部與微型發光二極體的連接處相對於所述基板的最大高度，且H3為凹陷部相對於基板的最低高度。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體裝置更滿足： HL
＞H2，HL
＞H3，其中H2為連接部與微型發光二極體的連接處相對於基板的最大高度，H3為凹陷部相對於基板的最低高度，且HL
為微型發光二極體相對於基板的最大高度。
在本發明的一實施例中，上述的每一微型發光二極體包括磊晶疊層，且磊晶疊層包括第一型半導體層、第二型半導體層以及發光層。發光層位於第一型半導體層以及第二型半導體層之間。上述的微型發光二極體裝置更滿足： H2＞HM
。H2為連接部相對於基板的最大高度，且HM
為發光層相對於基板的最大高度。
在本發明的一實施例中，上述的連接部連接覆蓋磊晶疊層的側表面。
在本發明的一實施例中，其中第一型半導體層為N型半導體層，且第二型半導體層為P型半導體層。
基於上述，在本發明的實施例的微型發光二極體裝置以及顯示面板中，由於每一位於兩相鄰的微型發光二極體之間的第一絕緣層具有高低起伏的表面，當第二接合層設置於這些微型發光二極體以及第一絕緣層上時，第一絕緣層可降低第二接合層的形變而使第二接合層較不容易斷開。因此，本發明實施例的微型發光二極體裝置及顯示面板具有良好的製造良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是本發明的一實施例的顯示面板的局部俯視示意圖。圖1B是圖1A中剖線A-A’的剖面示意圖。
請參照圖1A以及圖1B，在本實施例中，顯示面板200具體化為微型發光二極體顯示面板。微型發光二極體裝置的一種實施態樣例如是微型發光二極體顯示面板。顯示面板200包括背板210、多個微型發光二極體100、第一絕緣層220以及第二接合層230。第一接合層212配置於背板210上。這些微型發光二極體100配置於第一接合層212上，並與第一接合層212電性連接。於此處，第一接合層212為一非連續圖案化結構，每一微型發光二極體100分別對應配置於第一接合層220上，但於未繪示出的實施例中，第一接合層212亦可為連續層結構，在此並不限制。第一絕緣層220位於任兩相鄰的微型發光二極體100之間，且第一絕緣層220具有高低起伏的表面220S。第二接合層230配置這些微型發光二極體100以及第一絕緣層220上，且例如是共型設置於這些微型發光二極體100的部分表面以及第一絕緣層220的表面220S。第二接合層230電性連接於這些微型發光二極體100。第二接合層230可被視為顯示面板200中的共電極。特別說明的是，於未繪示出的實施例中，本發明亦可為其他微型發光二極體裝置，在此並不以顯示面板為限。
在本實施例中，第一絕緣層220的材料可為熱固化絕緣材料或是光固化絕緣材料，例如是光阻（Photo Resist）材料，但本發明並不以此為限。第一接合層212的材料包括金屬材料，例如是金（Au）、銅（Cu）、錫（Sn）、銦（In）、上述材料的合金及上述材料的組成，且第二接合層230的材料包括透明或半透明導電材料，例如是銦錫氧化物（Indium Tin Oxide, ITO）、導電高分子化合物、金屬薄層及石墨烯（Graphene）的組成，但本發明並不以此為限。
請再參照圖1A，背板210包括多個像素P（Pixel）。每一像素SP更包括多個子像素SP（Sub-Pixel）。至少一微型發光二極體100位於一子像素SP中。詳細來說，像素P包括至少三個子像素SP，但本發明並不以此為限。在本實施例中，一紅光微型發光二極體100R例如是設置於子像素SP1中，一藍光微型發光二極體100B例如是設置於子像素區域SP2中，一綠光微型發光二極體100G例如是設置於子像素區域SP3中，但本發明並不以此為限。也就是說，在顯示面板200的像素P中能夠發出紅光、綠光或藍光的組合，但本發明並不以此為限。顯示面板200更包括多個連接電極CE。每一連接電極CE沿著方向D1延伸。每一第二接合層230沿著方向D2延伸。每一連接電極P連接這些第二接合層230。請參照圖1A，此處這些第二接合層230為配置於部分這些微型發光二極體100上（例如是三個微型發光二極體100）的非連續圖案化結構，但於未繪示出的實施例中，第二接合層230亦可為同時配置於這些微型發光二極體100連續層結構，換句話說，第二接合層230是整面配置於這些微型發光二極體100上。詳細來說，在本實施例中，顯示面板200例如是透過背板210中的驅動單元（未示出）將訊號透過連接電極CE來控制各子像素SP中的微型發光二極體100發光與否，進而控制像素P所顯示的影像。顯示面板200的操作與實施方式可以由所屬技術領域的通常知識獲致足夠的教示、建議與實施說明，因此不再贅述。
在本實施例中，背板210具體化為薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板。在其他的實施例中，背板210可以是半導體（Semiconductor）基板、次黏著基台（Submount）、互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）電路基板、矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板或者是其他配置有驅動單元的基板，本發明並不以此為限制。請參照圖1B，這些微型發光二極體100的邊長尺寸W係為微米等級（Micro-sized）的微型發光二極體100，這些微型發光二極體100的邊長尺寸W的範圍例如是落在1微米至30微米的範圍內。
承上述，在本實施例的微型發光二極體裝置以及顯示面板200中，由於位於任兩相鄰的微型發光二極體100之間的第一絕緣層220具有高低起伏的表面220S，當第二接合層230設置於這些微型發光二極體100以及第一絕緣層220上時，第一絕緣層220可降低第二接合層230的形變，特別是在第二接合層230例如是使用銦錫氧化物等的較不具延展性材料時，能使第二接合層230沿著第一絕緣層220的表面220S設置時較不容易斷裂。因此，本實施例的顯示面板200具有良好的製造良率。
請再參照圖1B，由剖面觀之，在本實施例中，第一絕緣層220包括至少一凸起部222、多個凹陷部224以及多個連接部226。凸起部222位於任兩相鄰的凹陷部224之間。連接部226位於凹陷部224與微型發光二極體100之間。連接部226連接所述微型發光二極體100。至少一凸起部222的表面S1、這些凹陷部224的表面S2以及這些連接部226的表面S3共同構成第一絕緣層220的表面220S。更詳細來說，在本實施例中，第一絕緣層220例如是包括一個凸起部212、兩個凹陷部214以及兩個連接部216，但不以此為限制。由另一觀點來看，第一絕緣層220的剖面形狀例如是波浪形。在其他未示出的實施例中，第一絕緣層220的剖面形狀例如是山形，也可以例如是凹面形，只要是第一絕緣層220具有高低起伏的表面220S即可，本發明並不以第一絕緣層220的剖面形狀為限制。
在本實施例中，顯示面板200更滿足以下方程式： H1＞H2＞H3 H1為至少一凸起部222相對於背板210的最大高度，H2為連接部226與微型發光二極體100的連接處相對於背板210的最大高度（此處以連接部226與微型發光二極體100G的連接處為例），且H3為凹陷部224相對於背板210的最低高度。透過第一絕緣層220中間高兩側低的設計可使在後續製作第二接合層230時能有較大的接合空間，使第二接合層230沿著第一絕緣層220的表面220S設置可降低第二接合層230的形變率而使第二接合層230較不容易斷裂。此處，H1與H3的比值（H1/H3）較佳大於1且小於等於2，使高低起伏不至於落差太大，較佳的，H1與H3的比值（H1/H3）大於1且小於等於1.2，能使起伏度較低適於後續的製程。特別說明的是，顯示面板200更滿足以下方程式：(H2+H3)＞H1＞1/2*(H2+H3)，以使第二接合層230能夠沿著第一絕緣層220的表面220S設置時，顯示面板200可具較佳的製作良率。
在本實施例中，微型發光二極體100具體化為垂直型發光二極體（Vertical Type LED）。微型發光二極體100包括磊晶疊層10以及第一電極140以及第二電極150。磊晶疊層10包括第一型半導體層110、第二型半導體層120以及發光層130。發光層130位於第一型半導體層110以及第二型半導體層120之間。第一電極140與第二電極150分別位於磊晶疊層10的兩相對側。第一電極140配置於第一接合層212與第一型半導體層110之間，且電性連接於第一型半導體層110。第二電極150配置於第二接合層230與第二型半導體層120之間，且電性連接於第二型半導體層120。
在本實施例中，第一型半導體層110例如是N型半導體層，且例如是N型氮化鎵層（N-GaN），本發明並不以此為限。第二型半導體層120例如是P型半導體層，且例如是P型氮化鎵層（P-GaN），本發明並不以此為限。發光層130例如是多重量子井層（Multiple Quantum Well, MQW），且例如是由多層氮化鎵層以及多層氮化銦鎵層交替堆疊（InGaN/GaN）的多重量子井層，本發明並不以此為限。第一電極140的材料包括透明或半透明導電材料，例如是銦錫氧化物（ITO）、導電高分子化合物及石墨烯（Graphene），且第二電極150的材料包括金屬材料，例如是鉑（Pt）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、金（Au）、鉻（Cr）、上述之合金及上述材料之組合，但本發明並不以此為限。特別說明的是，第二電極150的厚度大於第二型半導體層120的厚度，可增加兩者間的歐姆接觸亦可避免第二型半導體層120過厚吸光。
請再參照圖1B，在本實施例中，由剖面觀之，每一微型發光二極體100的磊晶疊層10的剖面形狀為梯形，由於梯形的底角θ的位置是鄰近於背板210，因此可避免後續製作第一絕緣層220和第二接合層230於微型發光二極體100上時受到微型發光二極體100角度落差影響，將可有更佳的製作良率，梯形的底角θ係為銳角，底角θ的角度範圍落在45度至80度的範圍內，但本發明並不以此為限。
在本實施例中，顯示面板200更滿足以下方程式： H2＞HM
H2為連接部226與微型發光二極體100的連接處相對於背板210的最大高度（此處以連接部226與微型發光二極體100G的連接處為例），且HM
為發光層130相對於210背板的最大高度。換句話說，第一絕緣層220的連接部226覆蓋發光層130，因而可有較佳的絕緣及保護效果。較佳地，第一絕緣層220的連接部226覆蓋磊晶疊層10的側表面10S與第一電極140的側表面140S。換句話說，連接部226與微型發光二極體100的連接處為第二電極150與磊晶疊層10的交界處，可完全露出第二電極150，使後續的第二接合層230與第二電極150連接面積增加以有較佳的歐姆接觸，並兼具對磊晶疊層10和第一電極140有較佳的絕緣及保護效果。
在本實施例中，顯示面板200更滿足以下的方程式： HL
＞H2，HL
＞H3 HL
為微型發光二極體100相對於背板210的最大高度。在本實施例中，HL
例如是以微型發光二極體100的第一電極140最遠離背板210的表面至背板210之間的距離。較佳的，HL
≥H1。由於第一絕緣層220的起伏皆不超過於微型發光二極體100相對於背板210的最大高度，因此可有較佳的製作良率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的部分內容，省略了相同技術內容的說明，關於相同的元件名稱可以參考前述實施例的部分內容，下述實施例不再重複贅述。
圖2為本發明之另一實施例之顯示面板的局部剖面示意圖。請參照圖2，本實施例之顯示面板200’大致類似於與圖1A以及圖1B之顯示面板200，而兩者的主要差異如下所述。圖2的顯示面板200’更包括一第二絕緣層240。第二絕緣層240配置於第二接合層230上，可保護顯示面板200’，增加顯示面板200’的使用壽命。
綜上所述，在本發明的實施例的微型發光二極體裝置與顯示面板中，由於位於兩相鄰的微型發光二極體之間的絕緣層具有高低起伏的表面，當第二接合層設置於這些微型發光二極體以及第一絕緣層上時，第一絕緣層可降低第二接合層的形變而使第二接合層沿著第一絕緣層高低起伏的表面設置而較不容易斷開。因此，本發明實施例的微型發光二極體裝置與顯示面板具有良好的製造良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧磊晶疊層
10S、140S‧‧‧側表面
100、100R、100G、100B‧‧‧微型發光二極體
110‧‧‧第一型半導體層
120‧‧‧第二型半導體層
130‧‧‧發光層
140‧‧‧第一電極
150‧‧‧第二電極
200、200’‧‧‧顯示面板
210‧‧‧背板
212‧‧‧第一接合層
220‧‧‧第一絕緣層
222‧‧‧凸起部
224‧‧‧凹陷部
226‧‧‧連接部
220S、S1、S2、S3‧‧‧表面
230‧‧‧第二接合層
240‧‧‧第二絕緣層
A-A’‧‧‧剖線
D1、D2‧‧‧方向
H1、H2、H3、HM、HL‧‧‧高度
P‧‧‧像素
CE‧‧‧連接電極
SP、SP1、SP2、SP3‧‧‧子像素
W‧‧‧邊長尺寸
θ‧‧‧底角
圖1A是本發明的一實施例的顯示面板的局部俯視示意圖。 圖1B是圖1A中剖線A-A’的剖面示意圖。 圖2是本發明的另一實施例的顯示面板的局部剖面示意圖。
Claims (19)
- 一種顯示面板，包括： 背板； 第一接合層，配置於所述背板上； 多個微型發光二極體，配置於所述第一接合層上，並與所述第一接合層電性連接； 第一絕緣層，位於任兩相鄰的所述微型發光二極體之間，且所述第一絕緣層具有高低起伏的表面；以及 第二接合層，配置於所述多個微型發光二極體以及所述第一絕緣層上，且電性連接於所述多個微型發光二極體。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中所述第一絕緣層包括： 至少一凸起部； 多個凹陷部，所述凸起部位於任兩相鄰的所述凹陷部之間；以及 多個連接部，所述連接部位於所述凹陷部與所述微型發光二極體之間，且所述連接部連接所述微型發光二極體， 其中，所述至少一凸起部的表面、所述多個凹陷部的表面以及所述多個連接部的表面共同構成所述第一絕緣層的所述表面。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中所述顯示面板更滿足：H1＞H2＞H3，其中H1為所述至少一凸起部相對於所述背板的最大高度，H2為所述連接部與所述微型發光二極體的連接處相對於所述背板的最大高度，且H3為所述凹陷部相對於所述背板的最低高度。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中所述顯示面板更滿足：H1與H3的比值大於1且小於等於2。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中所述顯示面板更滿足：(H2+H3)＞H1＞1/2*(H2+H3)，其中H1為所述至少一凸起部相對於所述背板的最大高度，H2為所述連接部與所述微型發光二極體的連接處相對於所述背板的最大高度，且H3為所述凹陷部相對於所述背板的最低高度。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中所述顯示面板更滿足：HL ＞H2，HL ＞H3，其中H2為所述連接部與所述微型發光二極體的連接處相對於所述背板的最大高度， H3為所述凹陷部相對於所述背板的最低高度，且HL 為所述微型發光二極體相對於所述背板的最大高度。
- 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中每一所述微型發光二極體包括： 磊晶疊層，包括 第一型半導體層； 第二型半導體層；以及 發光層，位於所述第一型半導體層以及所述第二型半導體層之間； 第一電極，配置於所述第一接合層與所述第一型半導體層之間，且電性連接於所述第一型半導體層；以及 第二電極，配置於所述第二接合層與所述第二型半導體層之間，且電性連接於所述第二型半導體層。
- 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中所述顯示面板更滿足：H2＞HM ，其中H2為所述連接部與所述微型發光二極體的連接處相對於所述背板的最大高度，且HM 為所述發光層相對於所述背板的最大高度。
- 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中所述連接部連接覆蓋所述磊晶疊層的側表面與所述第一電極的側表面。
- 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，由剖面觀之，其中每一所述微型發光二極體的所述磊晶疊層的剖面形狀為梯形，且所述梯形的底角的角度範圍落在45度至80度的範圍內。
- 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中所述第一型半導體層為N型半導體層，且所述第二型半導體層為P型半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中所述背板包括多個像素，每一所述像素更包括多個子像素，其中，至少一所述微型發光二極體位於一所述子像素中。
- 一種微型發光二極體裝置，包括： 基板； 多個微型發光二極體，配置於所述基板上；以及 第一絕緣層，位於任兩相鄰的所述微型發光二極體之間，其中所述第一絕緣層具有高低起伏的表面，且包括: 至少一凸起部； 多個凹陷部，所述凸起部位於任兩相鄰的所述凹陷部之間；以及 多個連接部，所述連接部位於所述凹陷部與所述微型發光二極體之間，且所述連接部連接所述微型發光二極體，其中，所述至少一凸起部的表面、所述多個凹陷部的表面以及所述多個連接部的表面共同構成所述第一絕緣層的所述表面，且所述微型發光二極體裝置更滿足：H1＞H2＞H3，其中H1為所述至少一凸起部相對於所述基板的最大高度，H2為所述連接部與所述微型發光二極體的連接處相對於所述基板的最大高度，且H3為所述凹陷部相對於所述基板的最低高度。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光二極體裝置，其中所述微型發光二極體裝置更滿足：H1與H3的比值大於1且小於等於2。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光二極體裝置，其中所述微型發光二極體裝置更滿足：(H2+H3)＞H1＞1/2*(H2+H3)。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光二極體裝置，其中所述微型發光二極體裝置更滿足：HL ＞H2，HL ＞H3，其中HL 為所述微型發光二極體相對於所述基板的最大高度。
- 如申請專利範圍第13項所述的微型發光二極體裝置，其中每一所述微型發光二極體包括： 磊晶疊層，包括 第一型半導體層； 第二型半導體層；以及 發光層，位於所述第一型半導體層以及所述第二型半導體層之間，其中所述微型發光二極體裝置更滿足：H2＞HM ，其中HM 為所述發光層相對於所述基板的最大高度。
- 如申請專利範圍第17項所述的微型發光二極體裝置，其中所述連接部連接覆蓋所述磊晶疊層的側表面。
- 如申請專利範圍第17項所述的微型發光二極體裝置，其中所述第一型半導體層為N型半導體層，且所述第二型半導體層為P型半導體層。
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