TW201838212A

TW201838212A - 發光裝置

Info

Publication number: TW201838212A
Application number: TW106110657A
Authority: TW
Inventors: 葉志庭; 潘錫明
Original assignee: 宏齊科技股份有限公司
Priority date: 2017-03-30
Filing date: 2017-03-30
Publication date: 2018-10-16
Also published as: CN108695427A; CN108695427B; TWI690095B

Abstract

本發明提供一種發光裝置，其包括一發光晶片、一反射杯及一封裝體。所述發光晶片設有一第一發光面及一連接所述第一發光面的第二發光面。所述反射杯環設於所述發光晶片之第二發光面的周側。所述封裝體封裝所述發光晶片和所述反射杯。所述反射杯具有面向所述發光晶片之第二發光面的一內表面。所述反射杯之內表面設有多焦點拋物面。所述多焦點拋物面包括多段抛物面。各段抛物面對應之焦點對稱地分佈於所述發光晶片之第一發光面。

Description

發光裝置

本發明係有關於一種發光裝置。

目前，生活上已經可以看到各式各樣之發光二極體商品之應用，例如手電筒、投影儀、閃光燈、或投射燈等。這些發光二極體商品往往需要縮小發光二極體之出光角度，以使發光二極體發出之光線較為集中。傳統之發光二極體之出光角度大致為120度，其出光角度較大。其發光二極體通常搭配反射鏡結構來縮小出光角度，然而反射鏡結構之介入易造成發光二極體商品之整體體積增大而不易攜帶，且發光二極體與反射鏡結構於組裝時存於對位不準確而導致發光二極體發出之光線不集中。

目前，改進發光二極體商品中之反射結構以減小發光二極體商品之體積及解決對位問題。例如，發光二極體商主要通過於發光二極體之周側環設呈拋物面之反射結構。然，由於發光二極體不係理想之點光源，而係一發光平面，因此，具有單一焦點之拋物面之反射結構，其聚光能力仍然有限。

本發明之一目的，於於提供一種薄型、小出光角度且光線照射集中之發光裝置。

本發明提供一種發光裝置，其包括：一發光晶片，所述發光晶片設有一第一發光面及一連接所述第一發光面的第二發光面；一反射杯，環設於所述發光晶片之第二發光面的周側，所述反射杯具有面向所述發光晶片之第二發光面的一內表面，所述反射杯之內表面設有多焦點拋物面，所述多焦點拋物面包括多段抛物面，各段抛物面對應之焦點對稱地分佈於所述發光晶片之第一發光面；及一封裝體，封裝所述發光晶片和所述反射杯。

於一實施例中，所述發光晶片還包括一波長轉換層，所述波長轉換層設置於所述發光晶片之上方。

於一實施例中，所述波長轉換層設置於所述反光杯遠離所述發光晶片的端部。

於一實施例中，所述波長轉換層包覆所述發光晶片的第一發光面和第二發光面。

於一實施例中，所述反射杯之內表面係由一鏡面反射材料製成。

於一實施例中，如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述鏡面反射材料為金屬材料，所述金屬材料包括金、銀、鋁、鉻、銅、錫或鎳。

於一實施例中，各段拋物面之焦距自遠離所述發光晶片之方向逐漸增加。

於一實施例中，所述發光晶片的第一發光面係一軸對稱圖形。

於一實施例中，所述多段拋物面之焦點分別對稱且間隔地設置於所述第一發光面之對稱軸上。

於一實施例中，相鄰之拋物面呈對稱分佈。

於一實施例中，所述多段拋物面包括至少三段拋物面，所述至少三段拋物面包括第一拋物面、第二拋物面和第三拋物面，所述第一拋物面、所述第二拋物面及所述第三拋物面自遠離所述發光晶片的方向依次平滑過渡地佈置。

於一實施例中，所述第一拋物面之焦點位於所述第一發光面的對稱中心位置，所述第三拋物面之焦點位於靠近所述第一發光面之側面的中部位置，且所述第二拋物面之焦點位於所述第一拋物面之焦點和所述第三拋物面之焦點連成之線段的中間位置。

如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述反光杯的內表面自靠近所述發光晶片的端部還設有連接所述多段拋物面的一傾斜面。

於一實施例中，所述反射杯的傾斜面與所述發光晶片的第二發光面形成一夾角，所述夾角的角度範圍為30度至45度。

於一實施例中，所述封裝體包括一面向所述發光晶片之第一發光面的出光面。

於一實施例中，所述發光晶片的側面的發光強度與所述發光晶片的第一發光面的發光強度之間的比值為1：1。

於一實施例中，所述出光面係平面、橢圓弧面或半圓弧面。

於一實施例中，所述封裝體包括一第一導光件和一第二導光件形成於所述第一導光件之上方，所述發光晶片和所述反射杯封裝於所述第一導光件。

於一實施例中，所述第一導光件包括一第一出光面，所述第一出光面為平面；所述第二導光件包括一第二出光面，所述第一出光面為橢圓弧面或半圓弧面。

於一實施例中，所述第一出光面至所述第二出光面之頂點的高度為a，所述第一出光面之寬度為b，其中，b/a的值的範圍為1.4≦b/a≦2。

相較於現有技術，本發明之發光裝置通過對反射杯設有多焦點拋物面結構，並且將所述反射杯結構與發光晶片組合運用，並使所述多焦點拋物面對應之焦點對稱地分佈於所述發光晶片之第一發光面，故所述發光裝置能夠縮小所述發光晶片發出之光線之發散角度，且所述光線能夠集中照射。此外，由於所述發光晶片發出之一部分光線經由所述發光晶片之第二發光面射出，使得所述反射杯所需之長度能夠減小，從而實現薄型發光裝置。

為了對本發明之技術特徵、目之和效果有更加清楚之理解，現結合附圖詳細說明本發明之具體實施方式。顯然，所描述之實施例係本發明之一部分實施例，而不係全部之實施例。基於本發明中之實施例，本領域普通技術人員於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，都屬於本發明之保護範圍。

請參閱圖1，其為本發明之第一實施例之發光裝置100之示意圖。所述發光裝置100包括一發光晶片10、一反射杯20及一封裝體30。所述反射杯20環設於所述發光晶片10之周側。所述封裝體30封裝所述發光晶片10和所述反射杯20。

所述發光晶片10選自水平式發光二極體、垂直式發光二極體或覆晶式發光二極體中一種。可以理解的，所述發光晶片10之使用可以依使用者之需求進行替換。

於本實施例中，所述發光晶片10為覆晶式發光二極體。

所述發光晶片10包括一底面11、正對所述底面11的一第一發光面12和連接所述底面11和所述第一發光面12的一第二發光面13。

所述發光晶片10的第一發光面12係一軸對稱圖形。所述發光晶片10具有一中心軸線A1。因此，所述發光晶片10發出的光線能夠均勻地朝所述發光裝置100的外側射出。

可以理解的，所述發光晶片10的第一發光面12的發光強度與所述發光晶片10的第二發光面13的發光強度之間的比值為1:1。因此，所述發光晶片10發出的光線能夠均勻、集中地朝所述發光裝置100的外側射出。

自所述發光晶片10之底面11相對的兩側垂直向下凸設兩連接塊111。所述兩連接塊111用於將所述發光晶體11與一外部電源（圖中未示）進行電性連接。

請參閱圖1和圖2，在本實施例中，所述發光晶片10的第一發光面12具有一第一對稱軸A2和一第二對稱軸A3，所述第一對稱軸A2垂直於所述第二對稱軸A3。所述中心軸線A1分別垂直對應的所述第一對稱軸A2與所述第二對稱軸A3。所述中心軸線A1、所述第一對稱軸A2及所述第二對稱軸A3之間的交點係為所述發光晶片10的對稱中心。

所述反射杯20係為一具有多焦點拋物面之碗形體。所述反射杯20之橫截面之寬度自遠離所述發光晶片10之方向逐漸增加，以提高所述發光装置100之出光效率。

所述反射杯20具有面向所述發光晶片10之第二發光面13的一內表面21。所述反射杯20之內表面21係由鏡面反射材料製成。所述鏡面反射材料為金屬材料。所述金屬材料例如係，但不局限於，金、銀、鋁、鉻、銅、錫或鎳等。

所述反射杯20的內表面21設有多段拋物面210。所述多段拋物面210具有複數個焦點。所述多段拋物面210對應的複數個焦點分別對稱且間隔地排列，也即所述複數個焦點互不交疊。所述多段拋物面210之複數個焦點均落於所述發光晶片10的第一發光面12上。

優選的，所述多段拋物面210之複數個焦點對稱地分佈於所述發光晶片10之第一發光面12。因此，所述發光裝置100發出的光線能夠均勻地朝外部照射。

更優選的，所述多段拋物面210之複數個焦點對稱地分佈於所述發光晶片10之第一發光面12的對稱軸上。

在本實施例中，所述多段拋物面210之複數個焦點對稱地分佈於所述發光晶片10之第一發光面12的第一對稱軸A2和第二對稱軸A3上。

可以理解的，所述多段拋物面210之焦點係為所述發光晶片10之發光點。因此，所述發光晶片10經由所述發光平面出射之光線可以得到較好之聚光效果。

可以理解的，各段拋物面210之焦距自遠離所述發光晶片10之方向逐漸增加，以實現較好之聚光效果。

圖3展示了所述發光裝置100的剖視圖。所述多段拋物面對應的焦點環繞所述發光晶片10的中心軸線A1呈對稱分佈。各段拋物面210自所述發光晶片10的中心軸線A1和第一對稱軸A2（或第二對稱軸A3）之縱切面具有兩對稱的焦點和兩對稱之焦距。所多段拋物面210對應的各焦點於所述發光晶片之第一發光面12沿所述發光晶片10的對稱軸方向分別形成一直線。各段拋物面210對應的焦距自遠離所述測發光組件10之方向互不相同。

可以理解的，相鄰之拋物面210呈對稱分佈，且各多段拋物面210之間平滑過渡。各段拋物面210之間係一體成型。

優選的，所述內表面21包括至少三段拋物面210。如圖3所示，所述至少三段拋物面210包括一第一拋物面211、一第二拋物面212和一第三拋物面213。所述第一拋物面、所述第二拋物面212和所述第三拋物面213自遠離所述發光晶片10之方向依次平滑過渡地佈置。所述第一拋物面所述第二拋物面212和所述第三拋物面213自所述發光晶片10的中心軸線A1呈對稱分佈。

圖3展示了所述發光裝置100之剖視圖。所述發光裝置100之剖視圖是所述發光裝置100沿所述中心軸線A1和第一對稱軸A2（或第二對稱軸A3）的縱切面。所述第一拋物面211具有一焦點F1和兩對稱之焦距L1，所述第二拋物面212具有兩對稱焦點F2和兩對稱焦距L2，所述第三拋物面213具有兩對稱焦點F3和兩對稱焦距L3，其中，焦距L3＞焦距L2＞焦距L1。所述焦點F1、F2及F3均落於所述發光晶片10之第一發光面12的第一對稱軸A2和第二對稱軸A3上，且所述焦點F1、F2及F3於所述第一對稱軸A2和所述第二對稱軸A3分別呈線性排列，也即所述焦點F1、F2及F3於所述第一對稱軸A2或所述第二對稱軸A3連接成一條直線。所述直線垂直於所述發光晶片10的中心軸線A3。

在本實施例中，所述焦點F1位於所述發光晶片10之對稱中心；所述焦點F3位於靠近所述第一發光面12之側面的中部位置；且所述焦點F2位於所述焦點1和所述焦點2連成之線段之中間位置。因此，所述發光晶片10發出之光線從所述波長轉換層12之第二外側面122射出後朝所述反射杯20之多段拋物面210照射，經反射之所述光線之出光角度會變小。

可以理解的，所述多段拋物面210之形狀按照發光晶片10之位置不同和多出光不同要求來計算設計。所述多段拋物面210對應之焦點呈中性對稱，且所述發光晶片10設置在所述多段拋物面210對應之焦點的對稱中心位置，以使所述多段拋物面210對應之焦點落在所述發光晶片10的第一發光面12上。

進一步地，可以根據反光杯20之形狀選擇合適之大小和形狀之發光晶片10，從而使得光照更加均勻，並且充分利用。可以根據發光晶片10之形狀來選擇具有不同多段拋物面210，調節所需之多段拋物面210之長短和開口，以使出射光達到更好之照明效果。

所述封裝體30係為一導光件。在本實施例中，所述封裝體30填充於所述反射杯20的兩側，並將所述發光晶片10和所述反射杯20密封形成一特定的形狀，例如長方體、正方體。

所述封裝體30用於固定所述發光晶片10和所述反射杯20之相對位置，其還可用於引導所述發光晶片10發出之光線到達預設之位置，進而調節所述光線之照射範圍。

所述封裝體30所使用之材料例如係，但不局限於，矽膠。本領域技術人員能夠理解，這裡不限於矽膠，其他可以實現密封所述發光晶片10和所述反射杯20，且具有高透明度之透光材料也可以用於本發明。

所述封裝體30包括一面向所述發光晶片10之第一出光面12的出光面301及一底面302。所述封裝體30的底面302與所述發光晶片10的底面11齊平。所述封裝體30包覆所述發光晶片10及所述反射杯20。

為了進一步提高所述發光裝置100之出光效率，所述出光面301例如係，但不局限於，平面、橢圓弧面或半圓弧面。

優選的，所述出光面301為橢圓弧面或半圓弧面，以使所述發光晶片10發出且未接觸所述反射杯20之光線發生折射，從而能夠使所述發光裝置100發出之光線更為集中。

可以理解的，所述封裝體30之出光面301與所述反射杯20的頂部齊平或是高於所述反射杯20的頂部。因此，所述發光晶片10發出的光線能夠通過所述封裝體30準確地到達所述反射杯20的多段拋物面210的預設位置，從而使得所述發光裝置100出射的光更集中。所述反射杯20和所述發光晶片10經由所述封裝體30封裝，從而實現所述反射杯20與所述發光晶片10之間的準確對位。

於本實施例中，所述出光面301為一平面，所述出光面210與所述反射杯20的頂部齊平。

請參閱圖3，本發明提供之第一實施例的發光裝置100。所述發光晶片10發出的一部分光線經由所述發光晶片10之第一發光面12射出，並且朝向所述反射杯20的多段拋物面219照射，再經由所述反射杯20的多段拋物面210聚焦反射，經所述多段拋物面210反射之光線從所述封裝體30之出光面301射出。因此，所述發光裝置能夠縮小所述發光晶片10發出之光線之發散角度，且所述光線能夠集中照射。所述發光晶片10發出的另一部分光線經由所述發光晶片10之第二發光面13射出，再經由所述反射杯20的內表面21反射，經所述反射杯20的內表面21反射的光線經由所述封裝體30導向所述出光面301。

請參閱圖4，其為本發明之第二實施例之發光裝置200之示意圖。本實施例提供之發光裝置200與第一實施例之結構基本一致。所述發光裝置200包括一發光晶片10、一反射杯20及一封裝體30。所述發光晶片10所述反射杯20和封裝體30與所述第一實施例之結構基本一致，於此不再贅述。不同的是，所述反射杯20的內表面21自靠近所述發光晶片10的一端設有連接所述多段拋物面210的一傾斜面214。

所述反射杯20的傾斜面214所述封裝體30的底面302形成背向所述發光晶片10的一夾角α。所述夾角α的角度範圍為30度至45度。因此所述發光晶片10發出的光線能夠發生反射並於所述封裝體30的內部發生折射，以使得所述光線朝所述出光面301照射，從而增加所述發光裝置100的出光集中效果，並進一步縮短所述封裝體30的厚度。

請參閱圖5，其為本發明之第三實施例之發光裝置300之示意圖。本實施例提供之發光裝置300與第一實施例之結構基本一致。所述發光裝置200包括一發光晶片10、一反射杯20及一封裝體30。所述發光晶片10所述反射杯20和封裝體30與所述第一實施例之結構基本一致，於此不再贅述。不同的是，所述發光裝置300還包括一波長轉換層40，且所述波長轉換層40設置於所述反光杯20遠離所述發光晶片10的端部。

可以理解的，所述波長轉換層40與所述反射杯20連接形成一密封端41，因此，所述發光晶片10發出之光線能夠轉換為特定之波長。

所述波長轉換層40用於將所述發光晶片10發出之光線轉換為特定之波長。可以理解的，所述波長轉換層40可以依使用者之需求將所述光線進行波長調節。

可以理解的，於本實施例中，所述反射杯20設置適用於第二實施例中的反射杯20的傾斜面214。

請參閱圖6，其為本發明之第四實施例之發光裝置400之示意圖。本實施例提供之發光裝置400與第一實施例之結構基本一致。所述發光裝置400包括一發光晶片10、一反射杯20及一封裝體30。所述發光晶片10與所述反射杯20和封裝體30與所述第一實施例之結構基本一致，於此不再贅述。不同的是，所述發光裝置400還包括一波長轉換層40，且所述波長轉換層40包覆所述發光晶片10的第一發光面12和第二發光面13。

所述波長轉換層40用於將所述發光晶片10發出之光線轉換為特定之波長。

可以理解的，於本實施例中，所述反射杯20設置適用於第二實施例中的反射杯20的傾斜面214。所述波長轉換層40的設置適用於第三和第四實施例中的波長轉換層40的設置方式。

請參閱圖7，其為本發明之第五實施例之發光裝置500之示意圖。本實施例提供之發光裝置500與第四實施例之結構基本一致。所述發光裝置500包括一發光晶片10、一反射杯20、一封裝體30及一波長轉換層40。所述發光晶片10、所述反射杯20、所述封裝體30和所述波長轉換層40與所述第四實施例之結構基本一致，於此不再贅述。不同的是，所述封裝體30的出光面301為一半圓弧面。

所述半圓弧面之底部與所述反射杯20的頂部齊平或是高於所述反射杯20的頂部。所述半圓弧面之底部至所述半圓弧面之頂點之度高度為a，所述半圓弧面之底部之寬度為b，其中，b/a為2。

請參閱圖8，其為本發明之第六實施例之發光裝置600之示意圖。本實施例提供之發光裝置600與第四實施例之結構基本一致。所述發光裝置600包括一發光晶片10、一反射杯20、一封裝體30及一波長轉換層40。所述發光晶片10、所述反射杯20、所述封裝體30和所述波長轉換層40與所述第四實施例之結構基本一致，於此不再贅述。不同的是，所述封裝體30的出光面301為一半橢圓弧面。

所述半橢圓弧面之底部與所述反射杯20的頂部齊平或是高於所述反射杯20的頂部。所述半橢圓弧面之底部至所述半橢圓弧面之頂點之高度為a，所述半橢圓弧面之底部之寬度為b，其中，b/a的值介於1.4至2之間（1.4≦b/a＜2）。

請參閱圖9，其為本發明之第七實施例之發光裝置700之示意圖。本實施例提供之發光裝置700與第五實施例之結構基本一致。所述發光裝置700包括一發光晶片10、一反射杯20、一封裝體30及一波長轉換層40。所述發光晶片10、所述反射杯20、所述封裝體30和所述波長轉換層40與所述第五實施例之結構基本一致，於此不再贅述。不同的是，所述封裝體30包括一第一導光件31和一第二導光件33，且所述第二導光件33設置於所述第一導光件31之上方。

所述第一導光件31包括一第一出光面311。所述第一出光面311例如係，但不局限於一平面。

所述第二導光件33包括一第二出光面321，所述第二出光面321的兩對對應連接所述第一出光面311的兩端。所述第二出光面321例如係，但不局限於，一半橢圓弧面或一半圓弧面。

可以理解的，所述第一出光面311與所述反射杯20的頂部齊平。所述第一出光面311至所述第二出光面321之頂點之高度為a，所述第一出光面311之寬度為b，其中，b/a的值介為1.4至2之間（1.4≦b/a≦2）。

請參閱圖10，本發明第一實施例中之發光裝置100之出光角度測試圖。本發明的發光裝置100於0度和90度角度方向模擬測試出光角度，其中，0度表示測試者以所述側發光組件10的某一側面(第一測量位置)進行出光角度模擬測試，90度表示相較於第一測量位置旋轉90度後進行出光角度的模擬測試。測試結果表明所述發光裝置的出光角度小於20度。由於所述發光裝置的出光角度縮小，故所述發光裝置發射的光線更集中，從而所述發光裝置100發射的光線能夠照射至更遠的距離。進一步的，所述發光裝置可以運用於遠光燈。

如上面所顯示和描述之實施例僅為舉例。因此，許多這樣之細節既未示出也未描述。儘管於前面之描述中已經闡述了本發明之許多特徵和優點，連同本發明之結構和功能之細節，但係本發明僅係說明性之，並且可以於細節上進行改變，包括形狀和元件排列，於本公開之原理範圍內，並且包括通過於權利要求中使用之術語之廣義含義建立之全部範圍。因此，可以理解，上述實施例可以於權利要求書之範圍內進行修改。

100，200，300，400，500，600，700‧‧‧發光裝置

10‧‧‧發光晶片

11，302‧‧‧底面

A1‧‧‧中心軸線

A2‧‧‧第一對稱軸

A3‧‧‧第二對稱軸

12‧‧‧第一發光面

13‧‧‧第二發光面

20‧‧‧反射杯

21‧‧‧内表面

210‧‧‧多线抛物面

211‧‧‧第一抛物面

212‧‧‧第二抛物面

213‧‧‧第三抛物面

F1，F2，F3‧‧‧焦點

L1，L2，L3‧‧‧焦距

214‧‧‧傾斜面

α‧‧‧夾角

30‧‧‧封裝體

301‧‧‧出光面

31‧‧‧第一導光件

311‧‧‧第一出光面

32‧‧‧第二導光件

312‧‧‧第二出光面

40‧‧‧波長轉換層

41‧‧‧封閉端

本發明將以例子之方式結合附圖進行說明。

圖1係本發明第一實施例中之發光裝置之示意圖，其中，所述發光裝置包括一發光晶片和一反射杯，所述發光晶片包括一第一發光面。

圖2係本發明第一實施例中之第一發光面和反射杯的透視圖。

圖3係本發明第一實施例中之發光裝置之光線路徑示意圖。

圖4係本發明第二實施例中之發光裝置之示意圖。

圖5係本發明第三實施例中之發光裝置之示意圖。

圖6係本發明第四實施例中之發光裝置之示意圖。

圖7係本發明第五實施例中之發光裝置之示意圖。

圖8係本發明第六實施例中之發光裝置之示意圖。

圖9係本發明第七實施例中之發光裝置之示意圖。

圖10係本發明第一實施例中之發光裝置之出光角度測試圖。

無

Claims

一種發光裝置，其包括：一發光晶片，所述發光晶片設有一第一發光面及一連接所述第一發光面的第二發光面；一反射杯，環設於所述發光晶片之第二發光面的周側，所述反射杯具有面向所述發光晶片之第二發光面的一內表面，所述反射杯之內表面設有多焦點拋物面，所述多焦點拋物面包括多段抛物面，各段抛物面對應之焦點對稱地分佈於所述發光晶片之第一發光面；及一封裝體，封裝所述發光晶片和所述反射杯。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述發光装置還包括一波長轉換層，所述波長轉換層設置於所述發光晶片之上方。
如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中，所述波長轉換層設置於所述反光杯遠離所述發光晶片之端部。
如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中，所述波長轉換層包覆所述發光晶片的第一發光面和第二發光面。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述反射杯係由一鏡面反射材料製成。
如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中，如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述鏡面反射材料為金屬材料，所述金屬材料包括金、銀、鋁、鉻、銅、錫或鎳。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，各段拋物面之焦距自遠離所述發光晶片之方向逐漸增加。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述發光晶片的第一發光面係一軸對稱圖形。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述多段拋物面之焦點分別對稱且間隔地設置於所述第一發光面之對稱軸上。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，相鄰之拋物面呈對稱分佈。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述多段拋物面包括至少三段拋物面，所述至少三段拋物面包括第一拋物面、第二拋物面和第三拋物面，所述第一拋物面、所述第二拋物面及所述第三拋物面自遠離所述發光晶片的方向依次平滑過渡地佈置。
如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中，所述第一拋物面之焦點位於所述第一發光面的對稱中心位置，所述第三拋物面之焦點位於靠近所述第一發光面之側面的中部位置，且所述第二拋物面之焦點位於所述第一拋物面之焦點和所述第三拋物面之焦點連成之線段的中間位置。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述反光杯的內表面自靠近所述發光晶片的端部還設有連接所述多段拋物面的一傾斜面。
如申請專利範圍第13項所述之發光裝置，其中，所述反射杯的傾斜面與所述發光晶片之第二發光面形成一夾角，所述夾角的角度範圍為30度至45度。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述封裝體包括一面向所述發光晶片之第一發光面的出光面。
如申請專利範圍第15項所述之發光裝置，其中，所述出光面係平面、橢圓弧面或半圓弧面。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述發光晶片之第一發光面的發光強度與所述發光晶片的第二發光面的發光強度之間的比值為1：1。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，所述封裝體包括一第一導光件和一第二導光件形成於所述第一導光件之上方，所述發光晶片和所述反射杯封裝於所述第一導光件。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置，其中，所述第一導光件包括一第一出光面，所述第一出光面為平面；所述第二導光件包括一第二出光面，所述第一出光面為橢圓弧面或半圓弧面。
如申請專利範圍第19項所述之發光裝置，其中，所述第一出光面至所述第二出光面之頂點的高度為a，所述第一出光面之寬度為b，其中，b/a的值的範圍為1.4≦b/a≦2。