TW201830125A

TW201830125A - 對於覆蓋誤差校正的混合式雷射與植入處置

Info

Publication number: TW201830125A
Application number: TW106138919A
Authority: TW
Inventors: 曼格許邦加; 史林尼法斯Ｄ奈馬尼; 史帝夫Ｇ葛漢納耶; 怡利葉
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2016-11-11
Filing date: 2017-11-10
Publication date: 2018-08-16
Also published as: US10429747B2; WO2018089217A1; US20180136569A1

Abstract

本文所揭示之具體實施例，相關於用於校正基板表面上的覆蓋誤差的方法與系統。處理器在基板上執行量測處理以獲得覆蓋誤差映射。處理器基於覆蓋誤差映射判定對於基板的處置次序。處置次序包含一或更多個處置處理。處理器產生對於處置次序中的一或更多個處置處理的一處置處理的處理配方。處理器將處理配方提供至基板處置設備。

Description

對於覆蓋誤差校正的混合式雷射與植入處置

本文所說明的具體實施例一般而言相關於基板處理系統，且更特定而言，相關於在處理腔室中使用的脈衝塑形系統。

在積體電路（或晶片）的生產過程中，晶片設計者產生代表晶片的不同層的圖案（pattern）。根據這些圖案產生一系列的可再利用式遮罩（或光罩（photomask）），以在生產過程期間內將每一晶片層的設計轉移至半導體基板上。遮罩圖案產生系統使用精確雷射或電子束，以將晶片的每一層的設計成像至各別的遮罩上。遮罩隨後被像是攝影底片般使用，以將每一層的電路圖案轉移至半導體基板上。使用製程序列建置這些層，並將這些層轉譯成包含每一晶片成品的微小電晶體與電性電路。通常來說，半導體基板上的裝置係由微影處理步驟來生產，在微影處理步驟中由複數個覆蓋的層形成裝置，且每一層具有個別的圖案。一般而言，可使用一組15至100個遮罩來建置晶片，且這些遮罩可被重複使用。

在一個層以及覆蓋著前一層的下一層之間，此一個層與下一層的個別圖案必需對齊。可由計量工具獲得對於對齊標示的量測，微影工具隨後使用此量測以在曝光期間內對齊連串的層，且在微影處理之後再次對齊以再查核對齊的表現。然而，層之間的薄膜應力/應變變異（或圖案套合誤差）是無法避免的，且IC設計者計算生產過程必需符合的誤差預算。裝置結構的薄膜應力/應變變異可源自不同的誤差來源，諸如來自先前曝光工具/計量工具、當前曝光工具/計量工具的薄膜應力/應變變異、先前曝光工具/計量工具（與當前曝光工具/計量工具）的薄膜應力/應變變異之間的匹配誤差、或薄膜應力所造成的基板薄膜層形變等等。

因此，需要改良的方法，以校正覆蓋誤差（overlay errors）。

在另一具體實施例中，本文揭示了一種系統。系統包含具有第一計量裝置的第一基板處置設備、具有第二計量裝置的第二基板處置設備、以及與第一與第二基板處置設備通訊的控制器。控制器包含電腦處理器與記憶體。記憶體包含程式碼，在程式碼被執行在電腦處理器上時，執行用於校正基板的表面上的覆蓋誤差的作業。處理器在基板上執行量測處理以獲得覆蓋誤差映射。處理器基於覆蓋誤差映射判定對於基板的處置次序。處置次序包含一或更多個處置處理。處理器產生對於處置次序中的一或更多個處置處理的第一處置處理的處理配方。處理器將處理配方提供至基板處置設備。

在又另一具體實施例中，本文揭示了一種電腦可讀取儲存媒體。電腦可讀取儲存媒體上儲存有指令，指令在由處理器執行時，使處理器執行用於校正基板的表面上的覆蓋誤差的作業。電腦可讀取儲存媒體包含在基板上執行量測處理以獲得覆蓋誤差映射。基於覆蓋誤差映射判定對於基板的處置次序。基板的處置次序包含一或更多個處置處理。對於一或更多個處置處理的第一處置處理產生第一處理配方。對於一或更多個處置處理的第二處置處理產生第二處理配方。第一處理配方被提供至第一基板處置設備。第二處理配方被提供至第二基板處置設備。

邊緣放置誤差（edge placement error）已被確立為半導體產業為了遵循摩爾定律預測而演進科技所面臨的大挑戰之中的一者。覆蓋誤差佔了邊緣放置誤差的一大部分，且造成基板處理、微影系統、以及覆蓋計量產生不均勻性。在諸如3DNAND、DRAM等等的應用中，由處理所引發的覆蓋誤差已變得顯著。裝置堆疊層的高應力時常造成局部變形，而產生無法透過傳統的微影校正技術單獨解決的覆蓋誤差。此外，在裝置堆疊沈積與處理期間內的處理修改，不足以解決這迫切的問題。習知技術無法同時符合嚴格的覆蓋和邊緣放置誤差要求。

本揭示內容提供一種用於校正基板上的覆蓋誤差的改良方法。改良方法實施雷射方法與植入方法兩者，連同使用兩種方法，以本地地處理基板以校正覆蓋誤差，並改良裝置效能與良率。這使得裝置縮放能夠符合嚴格的覆蓋和邊緣放置誤差要求。

第1圖圖示說明處理平台100的簡圖，處理平台100經配置以執行下文連同第4圖所討論的方法。處理平台100包含電漿處理設備102與雷射能量設備104。電漿處理設備102可被利用以將電子或離子植入薄膜層，電子或離子可改變薄膜層的應力/應變，以校正或修復存在於半導體裝置上的覆蓋誤差及（或）EPE。在一些具體實施例中，可使用更傳統的離子植入設備（諸如束線離子植入設備）作為電漿處理設備102，以執行本文所說明的方法。一般而言，控制植入束形狀與尺寸會引入一些限制，諸如對於較小的束尺寸而言，束流受到限制，而使得產量較低。然而，植入處理能夠修改廣泛範圍的材料上的應力，相對於基於雷射或熱退火的處理。

雷射能量設備104被用於提供雷射能量至薄膜層，雷射能量可改變薄膜層的應力/應變，以校正或處理存在於半導體裝置上的薄膜應力/應變變異。雷射束能夠被以非常精細的尺寸調諧，以得到較高的解析度，而不會犧牲每單位面積的接收量。然而，雷射處理會引入一些限制，諸如限制能夠用於雷射處理的材料範圍。

在本揭示內容中，連同使用電漿處理設備102與雷射能量設備104，以本地地處理基板以校正覆蓋誤差並改良裝置效能良率。植入處理與雷射處理的結合，將提供最廣範圍的應力調變，以處理具有廣泛範圍的應力變異與不均勻性的輸入基板品質。此係因為對於所測試的大多數材料而言，植入處理產生拉伸調變，而雷射處理顯現了壓縮調變。因此，這種混合技術可在高解析度下提供高產量以及能夠處理廣泛範圍材料的能力。不僅改良了基板生產品質，這種混合技術亦將對具有處理偏移或熱點的基板提供校正能力。除了前述應用以外，此亦將解決對於半導體產業的腔室/工具匹配的「老化」問題，因此對半導體生產者提供了顯著的良率提升。

處理平台100進一步包含控制器150，控制器150經配置以執行下文連同第4圖所討論的方法。在一個具體實施例中，控制器150控制電漿處理設備102與雷射能量設備104所帶來的方法與處理兩者。在另一具體實施例中，控制器150經配置以透過計算網路（未圖示），分別經由電漿處理設備102與雷射能量設備104自身的控制器，與電漿處理設備102與雷射能量設備104通訊。

第2圖圖示說明根據一個具體實施例的電漿處理設備102。電漿處理設備的一個範例可為位於美國加州聖塔克拉拉市的應用材料公司（Applied Materials, Inc.）所販售的Varian VIISTA® Trident。

電漿處理設備102包含處理腔室202、平臺234、源206、與修改元件208。平臺234可耦接至致動器（未圖示），致動器可使平臺以掃描動作移動。掃描動作可為單一平面內的往復動作，此動作可實質平行於修改元件208。源206經配置以在處理腔室202中產生電漿240。修改元件208包含一對絕緣體212、214，絕緣體212、214可在其間界定具有水平間距（G）的一縫隙。絕緣體212、214可包含絕緣材料、半導性材料、或傳導性材料。修改元件亦包含指向性元件213，指向性元件213以相對於絕緣體212、214的一位置設置，使得離子201被提供朝向基板238。

在作業中，氣體源288可供應可離子化氣體至處理腔室202。可燃性氣體的範例可包含BF₃ 、BI₃ 、N₂ 、Ar、PH₃ 、AsH₃ 、B₂ H₆ 、H₂ 、Xe、Kr、Ne、He、CH₄ 、CF₄ 、AsF₅ 、PF₃ 、與PF₅ 等等。更特定而言，離子物質可包含He+、H₃ +、H₂ +、H+、Ne+、F+、C+、CF_x +、C_x H_y 、N+、B+、BF₂ +、B₂ H_x +、Xe+、以及分子碳、硼、或碳化硼離子。源206可藉由激發並解離提供至處理腔室202的氣體，來產生電漿240。離子201被從電漿220吸引跨過電漿鞘242。例如，偏壓源290經配置以偏壓基板238，以從電漿240吸引離子201跨過電漿鞘242。偏壓源290可為直流（DC）電源供應器以提供DC電壓偏壓訊號，或可為射頻（RF）電源供應器以提供RF偏壓訊號。

修改元件208修改電漿鞘242內的電場，以控制電漿240與電漿鞘242之間的邊界241的形狀。修改元件208包含絕緣體212、214，且指向性元件213可由諸如石英、氧化鋁、氮化硼、玻璃、氮化矽、與其他適合的材料製成。電漿240與電漿鞘242之間的邊界241，係根據指向性元件213相對於絕緣體212、214的放置，由於指向性元件213可改變電漿鞘242內的電場。

遵循軌跡路徑271的離子可約由相對於平面251法線+θ的一角度衝擊基板238。遵循軌跡路徑269的離子可約由相對於平面251法線-θ的一角度衝擊基板238。因此，入射角相對於平面251法線的範圍，可位於約+1°與約-65°之間，且第二入射角範圍可位於約-5°與約-65°之間。在一個具體實施例中，相對於平面251的第一入射角範圍，可位於約+10°與約+20°之間。此外，一些離子軌跡（諸如路徑269與271）可彼此交叉。

取決於數個因子，包含但不限於指向性元件213的位置、絕緣體212、214之間的水平間距（G）、絕緣體212、214在平面251上方的垂直間距（Z）、指向性元件213與絕緣體212、214的介電常數以及其他電漿處理參數，在一個具體實施例中入射角度（theta）的範圍可位於約+89°與約-89°之間（但不為0°）。

一般而言，提供至基板上薄膜的離子可改變薄膜的各種特性。可基於基板238上的3D特徵的深寬比，或薄膜的本地化應力輪廓，來選擇入射角的範圍。例如，溝槽244的側壁247（為了清晰圖示而誇大尺寸）可受到離子201的更均勻的處置，相較於習知的電漿處理設備與處理程序。深寬比（可界定為側壁247之間的節距，與側壁227從基板238延伸的高度之間的關係）可判定提供離子201的角度，以在側壁247上提供更均勻的處置。例如，經調適以衝擊側壁247的相對於平面251法線的第一入射角範圍，可位於約+60°與約+90°之間，而第二入射角範圍可位於約-60°與約-90°之間。在一個具體實施例中，經調適以衝擊側壁247的相對於平面251法線的第一入射角範圍，可位於約-70°與約-80°之間，經調適以衝擊側壁247的相對於平面251法線的第二入射角範圍，可位於約+70°與約+80°之間。在一個具體實施例中，可選擇提供離子201的角度，以避免接觸側壁247下方的材料，例如在一個具體實施例中為基板238，或在另一具體實施例中為絕緣體。

根據一些態樣，電漿處理設備102僅為可使用的設備的一個範例。根據一些態樣，可使用傳統的電漿處理設備，可使用圖案束、電子束（例如脈衝式或連續式）、柵格掃描、可變掃描、以及任何其他植入離子或電子的方法。根據一些態樣，一或更多個充能粒子束可包含圓柱形束、複數個鄰接的或重疊的圓柱束、或帶狀束（例如連續的矩形束）。根據一些態樣，可在處理期間內相對於基板移動一或更多個充能粒子束，及（或）可在處理期間內相對於充能粒子束移動基板。根據一些態樣，可使用不同的處理特性，諸如束能量、束角度、相對於基板移送方向的束角度、束成分（例如氣體離子）、或其他對於基板表面有用的性質。

第3圖圖示說明根據一個具體實施例的雷射能量設備104。雷射能量設備104包含雷射模組306、經配置以支撐基板（諸如基板301）的臺302、經配置以控制臺302的移動的移位機構324。雷射模組306包含雷射輻射源308與光學聚焦模組310，光學聚焦模組310設置在雷射輻射源308與臺302之間。

在一個具體實施例中，雷射輻射源308可為由Nd：YAG、Nd：YVO4、晶體盤、或二極體幫浦光纖製成的光源，或為其他可提供並發射脈衝式或連續式輻射波（波長在約180 nm與約2000 nm之間）的光源。例如，在約260 nm與405 nm之間。在另一具體實施例中，雷射輻射源308可包含多個雷射二極體，多個雷射二極體之每一者產生具有相同波長的均勻且空間相關的光。在又另一具體實施例中，累積性雷射二極體的功率的範圍，為約10瓦至200瓦。

光學聚焦模組310使用至少一個透鏡312，將雷射輻射源308發出的輻射轉換成為線、點、或其他適合的束配置的輻射314，輻射314指向設置在半導體基板301上的薄膜層304。輻射314被選擇性地應用至薄膜層304的表面，以提供雷射能量劑量至薄膜層304的分立的預定區域。在一個具體實施例中，輻射314可被選擇性地依所需多次應用至薄膜層304的表面，直到在薄膜層304中存在的應力中獲得所需改變為止。在另一架構中，雷射可被從數位微型鏡裝置反射（諸如德州儀器的DLP晶片），雷射隨後在基板上投射雷射圖案（被放大以處置整體基板，或由小場域掃描過基板），以建置處置劑量映射。

光學聚焦模組310的透鏡312，可為能夠將輻射聚焦成線或點的任何適合的透鏡或一系列的透鏡。在一個具體實施例中，透鏡312為圓柱透鏡。或者，透鏡312可為一或多個凹透鏡、凸透鏡、平面反射鏡、凹面鏡、凸面鏡、折射透鏡、繞射透鏡、菲涅耳透鏡、梯度折射率透鏡等等。

偵測器316被設置在臺302上方的雷射能量設備104中。在一個具體實施例中，偵測器316可為光學偵測器，光學偵測器提供具有不同波長的光源，以檢查並偵測定位在臺302上的薄膜層304及（或）半導體基板301的薄膜性質。在一個具體實施例中，偵測器316與光源可形成光學顯微鏡（OM）的部分，光學顯微鏡可用於觀看薄膜層304、基板301以及其間所形成的個別裝置晶粒圖案或特徵。在另一具體實施例中，偵測器可為能夠在執行雷射能量處理之前，偵測薄膜層304及（或）基板301上的局部厚度、應力折射率、表面粗糙度或電阻率的計量工具或感測器。在又另一具體實施例中，偵測器316可包含攝影機，攝影機可擷取薄膜層304及（或）基板301的影像，以基於影像色彩對比、影像亮度對比、影像比較等等，來分析薄膜層304及（或）基板301。在另一具體實施例中，偵測器316可為任何適合的偵測器，此種偵測器可偵測不同的薄膜性質或特性，諸如基板或設置在基板上的薄膜層的應力。

偵測器316可使用由偵測器316所提供的光學輻射318線，線性掃描基板表面跨過基板301的線性區域320。偵測器316亦可幫助識別基板301的座標、對齊、或指向。偵測器316可在基板301在x方向325中行進時掃描基板301。類似的，偵測器316可在移位機構324移動臺302，而基板301在y方向327中行進時掃描基板301。在一個具體實施例中，偵測器316可耦接至控制器344，以控制移動以及從偵測器316（或其他偵測器或計算系統）至雷射能量設備104的資料傳輸。

控制器344可為高速電腦，高速電腦經配置以控制偵測器316及（或）雷射模組306，以執行光學偵測處理及（或）雷射能量處置處理。在一個具體實施例中，光學偵測處理在雷射能量處置處理之前由偵測器316執行，使得設置於雷射能量處置配方中用於執行雷射能量處理的處理參數，可基於從光學偵測處理接收來的量測資料。在一個具體實施例中，控制器344可進一步耦接至資料計算系統390，以支援判定適當的配方以在基板301的薄膜層304上執行雷射能量處置處理。

在一個具體實施例中，移位機構324可經配置以將臺302與輻射314相對於彼此移位。移位機構324可經配置以不同的方向移動臺302。在一個具體實施例中，耦接至臺302的移位機構324，經調適為將臺302相對於雷射模組306及（或）偵測器316移動。在另一具體實施例中，移位機構324耦接至雷射輻射源308及（或）光學聚焦模組310及（或）偵測器316，以移動雷射輻射源308、光學聚焦模組310、及（或）偵測器316，而使能量束相對於設置在固定臺302上的基板301移動。在又另一具體實施例中，移位機構324移動雷射輻射源308及（或）光學聚焦模組310、偵測器316、及臺302。可使用任何適合的移位機構，諸如輸送帶系統、齒條與小齒輪系統、或x/y致動器、機器人、或其他適合的機械或電機機構，以作為移位機構324。或者，臺302可經配置為固定的，而可在基板邊緣周圍設置複數個電流計頭（未圖示），以依所需將輻射從雷射輻射源308引導至基板。

移位機構324可經耦接至控制器344以控制掃描速度，臺302、輻射線314、與光學輻射線318以此掃描速度相對於彼此移動。控制器344可接收來自偵測器316的資料或來自資料計算系統390的資料，以產生最佳化雷射能量配方，此配方用於控制雷射模組306以執行最佳化雷射劑量圖案化處理。臺302與輻射314及（或）光學輻射318相對於彼此移動，使得能量被傳遞至薄膜層304的分立的所需區域322。在一個具體實施例中，移位機構324以固定速度移動。在另一具體實施例中，臺302的移位以及輻射線314及（或）光學輻射線318的移動，遵循由控制器344控制的不同路徑。

第4圖為圖示說明根據一個具體實施例的用於校正覆蓋誤差的方法400的流程圖。結合第4圖所討論的方法，可經由控制器150來執行。在一個具體實施例中，控制器150可控制電漿處理設備102與雷射能量設備104的處理參數。在另一具體實施例中，控制器150可與執行方法400的每一各別的控制器通訊，同時允許一個控制器控制電漿處理設備102的處理參數，並允許另一控制器控制雷射能量設備104的處理參數。

方法400開始於方塊402。在方塊402，控制器150在半導體基板上執行量測處理，以從基板獲得裝置形變資料。可藉由利用計量工具與控制器150通訊，以掃描半導體基板而判定覆蓋誤差映射，來獲得裝置形變資料。第5圖圖示說明覆蓋誤差映射500的範例。在第5圖的具體實施例中，圖示在基板放大部分502中的一些圖案，被移位或移離他們所被設計的位置。如所討論的，圖案的移離或未對齊，產生薄膜應力/應變變異，這些變異可有害於裝置效能。

返回參照第4圖，可利用計量工具以掃描半導體基板並判定覆蓋誤差映射或基板變形，這種計量工具可為美國加州的KLA-Tencor®所提供的計量工具。在曝光之前，控制器可使用諸如KLA Wafer Sense或Ultratec Superfast 3G的計量工具，來量測平面內變形。在微影術之後，吾人可使用習知的覆蓋工具，以量測實際的層與層間圖案覆蓋與套合。注意到，亦可利用來自其他生產者的其他適合的計量工具，以執行掃描與量測處理。

在一個具體實施例中，可藉由量測設置在半導體基板上的薄膜層的薄膜應力，來判定覆蓋映射或基板變形。分佈在基板表面上的薄膜應力中的偏離，可反映存在於基板上的薄膜/應力變異或圖案移離/移位的程度。

在決策方塊404處，控制器150判定處置順序。處理程序的次序界定基板將經受的一或更多個處置程序，以校正覆蓋誤差。控制器150基於在方塊402收集到的資料，判定處理程序的次序。在一個範例中，處理程序的次序，包含雷射處置處理與植入處理的一些結合。在另一具體實施例中，處理次序包含高解析度雷射處置處理與低解析度雷射處置處理的一些結合。在又另一具體實施例中，處理程序次序包含高解析度植入處理與低解析度植入處理的一些結合。例如，高解析度雷射處置接續低解析度植入處理，可提供基板位準、晶粒內、與高局部（亦即熱點）覆蓋校正能力，且具有非常大的處理視窗與材料相容性。

在一個具體實施例中，在控制器150判定處置次序後，控制器150基於處理程序次序與覆蓋映射產生一或更多個處理配方（方塊406）。

例如，在其中一或更多個處置處理之一者為雷射能量處置處理的情況中，控制器150基於覆蓋誤差映射判定適當的雷射能量處置配方，以對基板薄膜層執行而減少薄膜應力/應變變異。資料計算系統可比較在方塊402從基板量測處理獲得的資料以及儲存在控制器150中的資料庫或演算法，產生可由雷射能量設備104的控制器X讀取的指令，以判定要在基板上執行的適當雷射能量處置配方。雷射能量處置配方可改變、釋放、或消除薄膜層的分立區域中的本地化殘留應力。這幫助本地地改變薄膜層中的平面內應變（或圖案移位，或基板翹曲）。藉此，變形的投射場域（一或多個晶粒）可被改變或修改，並在基板表面上呈現實質上線性且均勻的薄膜圖案。拉直的特徵允許減少隨後微影曝光處理中的薄膜應力/應變變異，增強微影曝光處理期間內的對齊精確度。

在另一範例中，對於其中一或更多個處置處理之一者為植入處理的情況，控制器150判定要對基板執行的植入/摻雜處置處理。例如，可使用電漿束、電子束、帶狀束或粒子束之至少一者，來執行植入/摻雜處置。植入/摻雜處置處理可包含本地地或全域地改變設置在基板上的薄膜層中的薄膜應力，及（或）校正在基板上找到的所判定的覆蓋誤差或基板變形。在一些具體實施例中，可回應於在基板上偵測到的薄膜應力、基板翹曲、平面內變形、或圖案移位，來判定摻雜維修配方。

在方塊408，控制器150提供第一處理配方至第一處理腔室，以開始第一處置處理。基於所判定的處理程序次序來選定第一處理腔室。例如，第一處置處理可為電漿處理設備（諸如電漿處理設備102）中的低解析度植入處理或高解析度植入處理。在另一範例中，第一處置處理可為在雷射能量設備（諸如雷射能量設備104）中執行的低解析度雷射處理或高解析度雷射處理。

在方塊410，在基板經受第一處理腔室中的第一處置處理之後，控制器150提供第二處理配方至第二處理腔室，以開始第二處置處理。基於所判定的處理程序次序來選定第二處理腔室。例如，第二處置處理可為在雷射能量設備（諸如雷射能量設備104）中執行的低解析度雷射處理或高解析度雷射處理。這種混合式多重處置處理方法，提供了要高得多的應力調變處理視窗、較佳的薄膜相容性、高解析度與合理的產量，相較於每一個別的作法。

在一些具體實施例中，在方塊410之前，控制器150可產生第二覆蓋映射（可選的方塊412）。例如，控制器150在半導體基板上執行第二量測處理，以從基板獲得第二組裝置形變資料。處理類似於方塊402中的處理。獲得第二覆蓋映射並產生對於第二處置處理的第二處理配方，可提升覆蓋校正處理的可靠性。

在決策方塊414處，控制器150判定在處置次序中是否還有任何處置處理。若在處置次序中有額外的處置處理，則在方塊414，方法400回到方塊406以產生額外的處理配方。若在處置次序中沒有任何額外的處置處理，則方法400結束。

在另一具體實施例中，在控制器150判定處置次序後，控制器150基於處理程序次序與覆蓋映射產生單一處理配方（方塊416）。例如，控制器150判定基板是否將經受雷射處置處理或植入處理。在方塊418，控制器150提供單一處理配方至處理腔室，以開始處置處理。例如，處理腔室可為實施高解析度或低解析度的植入處理的電漿處理設備，或實施低解析度或高解析度雷射處理的雷射能量設備。

第6圖圖示說明根據一個實施例的電腦系統600，諸如控制器150。電腦系統600包含處理器604、記憶體606、儲存器608、與網路介面610。處理器可為能夠執行本文所述功能的任何處理器。電腦系統600可使用網路介面610連接至網路601。再者，如在本發明技術領域中具有通常知識者將瞭解到的，可使用任何能夠執行本文所述功能的電腦系統。

處理器604包含覆蓋誤差監測系統612與處理配方代理614。覆蓋誤差監測系統612經配置以基於裝置形變資料產生一或更多個覆蓋映射，可藉由利用與電腦系統600通訊的輸入輸出裝置620中的計量工具622來獲得裝置形變資料。計量工具622掃描半導體基板，以獲得裝置形變資料。處理配方代理614經配置以基於形變資料判定處理程序次序。例如，處理配方代理614經配置以判定基板將經受的一或更多個處置處理。此外，處理配方代理614可經配置以基於裝置形變資料判定對於每一各別處置處理的一或更多個處理配方。

在所繪製的具體實施例中，記憶體606包含作業系統616與程式碼618。雖然記憶體606被圖示為單一個體，但記憶體606可包含具有相關連於實體位址的記憶體區塊的一或更多個記憶體裝置，諸如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、快閃記憶體、或其他類型的揮發性及（或）非揮發性記憶體。程式碼618一般而言經配置以執行上文結合第4圖所討論的覆蓋校正方法。記憶體606為有形媒體的一種範例，經配置以儲存資料，諸如所產生的覆蓋誤差映射、處理程序次序、以及處理配方。其他類型的有形媒體包含磁碟、可移除式硬碟、光學儲存媒體（諸如CD-ROM與DVD）、與條碼等等。

雖然前述內容係關於特定具體實施例，但可發想其他與進一步的具體實施例而不脫離前述內容的基板範圍，且前述內容的範圍係由下列申請專利範圍判定。

100‧‧‧處理平台

102‧‧‧電漿處理設備

104‧‧‧雷射能量設備

150‧‧‧控制器

201‧‧‧離子

202‧‧‧處理腔室

206‧‧‧源

208‧‧‧修改元件

212‧‧‧絕緣體

213‧‧‧指向性元件

214‧‧‧絕緣體

220‧‧‧電漿

227‧‧‧側壁

234‧‧‧平臺

238‧‧‧基板

240‧‧‧電漿

241‧‧‧邊界

242‧‧‧電漿鞘

244‧‧‧溝槽

247‧‧‧側壁

251‧‧‧平面

269‧‧‧路徑

271‧‧‧路徑

288‧‧‧氣體源

290‧‧‧偏壓源

301‧‧‧半導體基板

302‧‧‧臺

304‧‧‧薄膜層

306‧‧‧雷射模組

308‧‧‧雷射輻射源

310‧‧‧光學聚焦模組

312‧‧‧至少一個透鏡

314‧‧‧輻射

316‧‧‧偵測器

318‧‧‧光學輻射

320‧‧‧線性區域

322‧‧‧分立的所需區域

324‧‧‧移位機構

325‧‧‧x方向

327‧‧‧y方向

344‧‧‧控制器

390‧‧‧資料計算系統

400‧‧‧方法

402‧‧‧方塊

404‧‧‧決策方塊

406‧‧‧方塊

408‧‧‧方塊

410‧‧‧可選的方塊

500‧‧‧覆蓋誤差映射

502‧‧‧放大部分

600‧‧‧電腦系統

601‧‧‧網路

604‧‧‧處理器

606‧‧‧記憶體

608‧‧‧儲存器

610‧‧‧網路介面

612‧‧‧覆蓋誤差監測系統

614‧‧‧處理配方代理

616‧‧‧作業系統

618‧‧‧程式碼

620‧‧‧輸入輸出裝置

622‧‧‧計量工具

可參考多個具體實施例以更特定地說明以上簡要總結的本公開內容，以更詳細瞭解本公開內容的上述特徵，附加圖式圖示說明了其中一些具體實施例。然而應注意到，附加圖式僅圖示說明本公開內容的典型具體實施例，且因此不應被視為限制本公開內容的範圍，因為公開內容可允許其他等效的具體實施例。

第1圖圖示說明處理平臺的簡圖，此處理平臺經配置以執行下文連同第4圖所討論的方法。

第2圖圖示說明根據一個具體實施例的電漿處理設備。

第3圖圖示說明根據一個具體實施例的雷射能量設備。

第4圖為圖示說明根據一個具體實施例的用於校正覆蓋誤差的方法的流程圖。

第5圖圖示說明根據一個具體實施例的覆蓋誤差映射的範例。

第6圖圖示說明根據一個實施例的電腦系統。

為了清楚說明，已儘可能使用相同的元件符號來標定圖式之間共有的相同元件。此外，一個具體實施例的元件可被有益地調適，以利用在本文說明的其他具體實施例中。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims

一種用於校正一基板的一表面上的覆蓋誤差的方法，包含以下步驟：執行量測步驟，在一基板上執行一量測處理，以獲得一覆蓋誤差映射；判定步驟，基於該覆蓋誤差映射判定對於該基板的一處置次序，其中該基板的該處置次序包含一或更多個處置處理；產生配方步驟，產生對於該處置次序中的該一或更多個處置處理的一處置處理的一處理配方；以及提供步驟，提供該處理配方至一基板處置設備。
如請求項1所述之方法，其中在該基板上執行一量測處理以獲得該覆蓋誤差映射的該執行量測步驟，包含以下步驟：使用掃描該基板的該表面的一計量工具，來獲得裝置形變資料。
如請求項1所述之方法，其中提供該處理配方至該基板處置設備的該提供步驟，包含以下步驟：基於經判定以校正基板覆蓋誤差的一雷射能量劑量，來提供一雷射能量處置配方至一雷射能量設備。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：產生第二處理配方步驟，產生對於該處置次序中的該一或更多個處置處理的一第二處置處理的一第二處理配方；以及提供第二處理配方步驟，提供該第二處理配方至一第二基板處置設備。
如請求項4所述之方法，其中提供該第二處理配方至該第二基板處置設備的該提供第二處理配方步驟，包含以下步驟：基於該第二處理配方，提供一摻雜配方至一植入處置設備，以校正基板覆蓋誤差。
如請求項4所述之方法，其中提供該第二處理配方至該第二基板處置設備的該提供第二處理配方步驟，包含以下步驟：基於經判定以校正基板覆蓋誤差的一第二雷射能量劑量，來提供一第二雷射能量處置配方至一第二雷射能量設備。
如請求項4所述之方法，其中提供該處理配方至該基板處置設備的該提供步驟，包含以下步驟：基於該第一處理配方，提供一摻雜配方至一植入處置設備，以校正基板覆蓋誤差。
如請求項7所述之方法，其中提供該第二處理配方至該第二基板處置設備的該提供第二處理配方步驟，包含以下步驟：基於經判定以校正基板覆蓋誤差的一雷射能量劑量，來提供一雷射能量處置配方至一雷射能量設備。
一種系統，包含：一第一基板處置設備，該第一基板處置設備具有一第一計量裝置；一第二基板處置設備，該第二基板處置設備具有一第二計量裝置；一控制器，該控制器與該第一與第二基板處置設備兩者通訊，該控制器包含：一電腦處理器；以及一記憶體，該記憶體包含程式碼，在該程式碼被執行在該電腦處理器上時，執行用於校正一基板的一表面上的覆蓋誤差的一作業，該作業包含：在一基板上執行一量測處理，以獲得一覆蓋誤差映射；基於該覆蓋誤差映射判定對於該基板的一處置次序，其中該基板的該處置次序包含一或更多個處置處理；產生對於該處置次序中的該一或更多個處置處理的一處置處理的一處理配方；以及提供該處理配方至該基板處置設備。
如請求項9所述之系統，其中在該基板上執行一量測處理以獲得該覆蓋誤差映射包含：使用掃描該基板的該表面的一計量工具，來獲得裝置形變資料。
如請求項9所述之系統，其中提供該處理配方至該基板處置設備包含：基於經判定以校正基板覆蓋誤差的一雷射能量劑量，來提供一雷射能量處置配方至一雷射能量設備。
如請求項9所述之系統，該系統進一步包含：產生對於該處置次序中的該一或更多個處置處理的一第二處置處理的一第二處理配方；以及提供該第二處理配方至一第二基板處置設備。
如請求項12所述之系統，其中提供該第二處理配方至該第二基板處置設備包含：基於該第二處理配方，提供一摻雜配方至一植入處置設備，以校正基板覆蓋誤差。
如請求項12所述之系統，其中提供該第二處理配方至該第二基板處置設備包含：基於經判定以校正基板覆蓋誤差的一第二雷射能量劑量，來提供一第二雷射能量處置配方至一第二雷射能量設備。
如請求項12所述之系統，其中提供該處理配方至該基板處置設備包含：基於該第一處理配方，提供一摻雜配方至一植入處置設備，以校正基板覆蓋誤差。
如請求項15所述之系統，其中提供該第二處理配方至該第二基板處置設備包含：基於經判定以校正基板覆蓋誤差的一雷射能量劑量，來提供一雷射能量處置配方至一雷射能量設備。
一種電腦可讀取儲存媒體，其上儲存有指令，該等指令在由一處理器執行時，使該處理器執行用於校正一基板的一表面上的覆蓋誤差的一作業，該作業包含：執行量測步驟，在一基板上執行一量測處理，以獲得一覆蓋誤差映射；基於該覆蓋誤差映射判定對於該基板的一處置次序，其中該基板的該處置次序包含一或更多個處置處理；產生處理配方步驟，產生對於該處置次序中的該一或更多個處置處理的一處置處理的一處理配方；以及提供步驟，提供該處理配方至一基板處置設備。
如請求項17所述之電腦可讀取儲存媒體，其中在該基板上執行一量測處理以獲得該覆蓋誤差映射包含：使用掃描該基板的該表面的一計量工具，來獲得裝置形變資料。
如請求項17所述之電腦可讀取儲存媒體，其中提供該第一處理配方至該第一基板處置設備的該提供步驟，包含以下步驟：基於經判定以校正基板覆蓋誤差的一雷射能量劑量，來提供一雷射能量處置配方至一雷射能量設備。
如請求項17所述之電腦可讀取儲存媒體，進一步包含：產生第二處理配方步驟，產生對於該處置次序中的該一或更多個處置處理的一第二處置處理的一第二處理配方；以及提供第二處理配方步驟，提供該第二處理配方至一第二基板處置設備。