TW201826370A - 研磨裝置及研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種使研磨工序進行狀況之測定精度提高的研磨 裝置及研磨方法。 研磨裝置100將研磨對象物102按壓於研磨墊108進行研磨 對象物102之研磨。渦電流感測器210在研磨對象物102之複數個位置測定可依研磨對象物102之膜厚變化而變化的阻抗，並輸出測定信號。差分算出部222依據測定信號生成對應於膜厚之資料。進一步，差分算出部222在研磨對象物102之中心CW，於不同時刻依據渦電流感測器210輸出之測定信號算出不同時刻之資料間的差分。終點檢測部224依據差分算出部222算出之差分檢測表示研磨結束之研磨終點。

Description

研磨裝置及研磨方法
本發明係關於一種研磨裝置及研磨方法，特別是關於研磨之終點檢測者。
近年來，隨著半導體元件之高積體化、高密度化，電路配線逐漸微細化，且多層配線之層數亦增加。為了謀求電路微細化而且實現多層配線，需要將半導體元件表面實施精確之平坦化處理。
半導體元件表面平坦化技術習知有化學機械研磨(CMP(Chemical Mechanical Polishing))。用於進行CMP之研磨裝置具備：貼合有研磨墊之研磨台；及用於保持研磨對象物(例如半導體晶圓等基板，或形成於基板表面之金屬膜、障壁膜等各種膜)的上方環形轉盤。研磨裝置使研磨台旋轉，而且在研磨墊上供給研磨液(漿液)，並藉由將保持於上方環形轉盤之研磨對象物按壓於研磨墊來研磨研磨對象物。
研磨裝置為了將研磨對象物研磨成希望厚度，通常須決定研磨終點。例如，過去技術係使用渦電流式膜厚感測器檢測導電性膜之厚度。但是，要在到達目標厚度之時間點立即結束研磨程序有困難。此因，檢測膜厚時會發生檢測延誤時間，以及使導電性膜之研磨實際停止時會耽誤某種程度的時間等原因。因此，過去在研磨程序中，係算出研磨速度，並從研磨速度算出在想實際停止研磨之目標厚度加上指定的偏置值之暫定終點 膜厚。檢測出該暫定終點膜厚之後，在指定研磨時間研磨導電性膜。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開第2015-076449號
但是，過去技術有研磨工序進行狀況之測定精度不足的情況。例如，僅想正確除去金屬膜時，從研磨速度算出暫定終點膜厚之方法的精度不足。亦即，過去技術係在檢測膜厚時發生檢測延誤時間，因為檢測延誤時間造成精度不足，所以想完全除去金屬膜時即產生問題。金屬膜之除去不足時，例如會發生電性短路，為了防止短路而過度研磨時，則會過度研磨在金屬膜下層之絕緣膜。本發明一種形態係為了解決此種問題者，其目的為提供一種使研磨工序進行狀況之測定精度提高的研磨裝置及研磨方法。
為了解決上述問題，第一種形態係採用研磨裝置之構成，該研磨裝置係使支撐用於研磨研磨對象物之研磨墊的研磨台旋轉，而且將前述研磨對象物按壓於前述研磨墊，進行前述研磨對象物之研磨，且具有：感測器，其係測定可依前述研磨對象物之膜厚變化而變化的物理量，並輸出測定信號；差分算出部，其係依據前述測定信號生成對應於膜厚之資料，在前述研磨對象物之指定位置依據不同時刻前述感測器輸出之前述測定信號，算出前述不同時刻之前述資料間的差分；及終點檢測部，其係依據前 述差分算出部算出之前述差分檢測表示前述研磨結束之研磨終點。
過去檢測膜厚時發生檢測延誤時間的1個原因，為時間性移動平均了感測器輸出的測定信號。時間性移動平均的理由是為了當感測器輸出之測定信號發生異常值時降低異常值的影響。本實施形態之差分算出部並不對感測器輸出之測定信號進行時間性移動平均。差分算出部係在研磨對象物之指定位置算出不同時刻感測器輸出之測定信號的差分。因而，在檢測膜厚時不發生因移動平均造成的檢測延誤時間。可提供使研磨工序進行狀況之測定精度提高的研磨裝置。
第二種形態係採用前述指定位置係前述研磨對象物之中心的構成。第三種形態係採用前述指定位置係前述研磨對象物之中心附近的構成。因為研磨對象物之中心及其附近與研磨對象物的周邊部比較，膜厚之變動小，所以可精確測定膜厚，所謂研磨對象物之中心附近，例如係(1)研磨輪廓穩定之範圍；或(2)感測器光點徑內整體平均化之範圍。所謂研磨輪廓穩定之範圍，係研磨時研磨表面不致產生凹凸之實質地平坦的範圍。該範圍取決於研磨條件(亦即，研磨對象物之材質、研磨時間、研磨時之壓力分布等)。所謂感測器光點徑內整體平均化之範圍，係受到感測器光點徑約束在比某個大小小之範圍內無法檢測研磨表面的凹凸，而檢測平均之研磨狀態的範圍。
第四種形態係採用前述不同時刻係前述研磨台為了旋轉1次或複數次旋轉需要之時間程度不同的時刻之構成。是研磨台為了旋轉1次或複數次旋轉需要之時間程度不同的時刻時，可測定研磨對象物之同一個位置。在研磨對象物之同一個位置測定時，因為膜厚不致因為位置不同而變 動，所以可精確測定膜厚。
第五種形態係採用具有複數個前述感測器之構成。此時，當前述研磨台旋轉1次時，就前述研磨對象物之指定位置可測定複數次。因而，可將前述不同之時刻設定成比前述研磨台旋轉1次所需時間短的時間。
第六種形態係採用前述指定位置係不同之複數個位置的構成。第七種形態係採用前述終點檢測部將前述差分算出部算出之複數個差分平均來檢測前述研磨終點的構成。
第八種形態係採用研磨方法之構成，該研磨方法係研磨研磨對象物，其特徵為：使支撐用於研磨研磨對象物之研磨墊的研磨台旋轉，而且將前述研磨對象物按壓於前述研磨墊，進行前述研磨對象物之研磨，測定可依前述研磨對象物之膜厚變化而變化的物理量，輸出測定信號，並依據前述測定信號生成對應於膜厚之資料，在前述研磨對象物之指定位置，依據在不同時刻輸出之前述測定信號算出前述不同時刻之前述資料間的差分，並依據算出之前述差分檢測表示前述研磨結束之研磨終點。
20‧‧‧絕對值
22‧‧‧期間
24‧‧‧虛擬資料
28‧‧‧平均值
30‧‧‧直線
32‧‧‧延遲時間
34‧‧‧時刻
36‧‧‧時刻
38‧‧‧差分值
40‧‧‧平均值
42、44、46‧‧‧延遲時間
48‧‧‧檢測耽誤時間
50‧‧‧絕對值
52‧‧‧時間
54‧‧‧差分值
56‧‧‧差分值
58‧‧‧時刻
100‧‧‧研磨裝置
102‧‧‧研磨對象物
108‧‧‧研磨墊
110‧‧‧研磨台
112‧‧‧第一電動馬達
116‧‧‧上方環形轉盤
118‧‧‧第二電動馬達
120‧‧‧漿液管線
140‧‧‧研磨裝置控制部
160、170‧‧‧旋轉接頭連接器
210‧‧‧渦電流感測器
222‧‧‧差分算出部
224‧‧‧終點檢測部
260‧‧‧感測器線圈
262‧‧‧交流信號源
264‧‧‧檢波電路
270‧‧‧繞線管
272‧‧‧勵磁線圈
273‧‧‧檢測線圈
274‧‧‧平衡線圈
CT‧‧‧研磨台旋轉中心
CW‧‧‧研磨對象物之中心
F‧‧‧頻率
I1‧‧‧電流
I2‧‧‧渦電流
M‧‧‧電感
Z‧‧‧阻抗
第一圖係模式顯示研磨裝置之整體構成圖。
第二圖係顯示渦電流感測器之構成圖。
第三圖係顯示在渦電流感測器中使用之感測器線圈的構成例之概略圖。
第四圖係用於與本發明一種實施形態比較之比較例的輸出說明圖。
第五圖係本發明一種實施形態之輸出的說明圖。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，以下之各種實施形態中，在同一或相當之構件上註記同一符號並省略重複之說明。
如第一圖所示，研磨裝置100具備：可將用於研磨研磨對象物(例如半導體晶圓等之基板，或形成於基板表面之金屬膜、障壁金屬等各種膜)102之研磨墊108安裝於上面的研磨台110；旋轉驅動研磨台110之第一電動馬達112；可保持研磨對象物102之上方環形轉盤116；及旋轉驅動上方環形轉盤116之第二電動馬達118。
此外，研磨裝置100具備在研磨墊108上面供給包含研磨粒(研磨劑)之研磨液的漿液管線120。研磨裝置100使支撐用於研磨研磨對象物102之研磨墊108的研磨台110旋轉，而且將研磨對象物102按壓於研磨墊108上進行研磨對象物102之研磨。研磨裝置100具備輸出關於研磨裝置100之各種控制信號的研磨裝置控制部140。
研磨裝置100研磨研磨對象物102時，從漿液管線120供給包含研磨粒之研磨液至研磨墊108上面，並藉由第一電動馬達112旋轉驅動研磨台110。而後，研磨裝置100在使上方環形轉盤116在與研磨台110之旋轉軸偏芯的旋轉軸周圍旋轉狀態下，將保持於上方環形轉盤116之研磨對象物102按壓於研磨墊108。藉此，研磨對象物102藉由保持了研磨液之研磨墊108研磨而平坦化。
如第一圖所示，研磨裝置100具備：感測器之渦電流感測器210；以及經由旋轉接頭連接器160、170而與渦電流感測器210連接之差分算出部222與終點檢測部224。渦電流感測器210在研磨對象物之複數個位置 測定可依研磨對象物之膜厚變化而變化的物理量，並輸出測定信號。本實施形態之物理量係研磨對象物102之電阻與自感。另外，本實施形態係顯示使用渦電流感測器210之例，不過不限於此，亦可係利用光之反射的光學式感測器。
差分算出部222依據在研磨對象物102中心(指定位置)之側定信號生成對應於膜厚的資料。差分算出部222將測定信號在研磨對象物102之指定位置，依據不同時刻渦電流感測器210輸出之測定信號算出不同時刻的資料間之差分。本實施形態之差分算出部222對測定信號不進行後述之移動平均。終點檢測部224依據差分算出部222算出之差分檢測表示研磨結束之研磨終點。本實施形態之指定位置係研磨對象物102的中心。
另外，指定位置不限於研磨對象物102之中心，亦可為研磨對象物102之中心附近。此外，指定位置不限於1處，亦可為複數處。指定位置係複數個位置時，終點檢測部224將差分算出部222算出之複數個差分加以平均來檢測研磨終點。或是，差分算出部222亦可在將渦電流感測器210輸出之測定信號平均後，求出平均值之差分。終點檢測部224依據差分算出部222算出之差分檢測研磨終點。本實施形態之不同時刻為研磨台110為了旋轉1次需要之時間程度不同的時刻。不同時刻亦可為研磨台110為了複數次旋轉所需時間程度不同的時刻。
首先，說明渦電流感測器210。在研磨台110中形成可將渦電流感測器210從研磨台110之背面側插入的孔。並將渦電流感測器210插入形成於研磨台110之孔中。
渦電流感測器210設置於通過保持於上方環形轉盤116之研 磨中的研磨對象物102之中心CW的位置。符號CT係研磨台110之旋轉中心。
研磨對象物102以中心CW為軸而旋轉。另外，隨著研磨台110旋轉，渦電流感測器210以中心CT為旋轉中心而旋轉。結果，在研磨研磨對象物102之研磨工序中包含渦電流感測器210不通過研磨對象物102下方，而渦電流感測器210與研磨對象物102不相對之第一狀態。此外，研磨工序中包含藉由渦電流感測器210通過研磨對象物102下方，而渦電流感測器210與研磨對象物102相對之第二狀態。第一狀態與第二狀態隨著研磨台110之旋轉而交互地出現。
此外，研磨液供給至研磨墊108上，並受到研磨台110旋轉之離心力而朝向研磨墊108的外側移動，並且隨著研磨台110之旋轉而旋轉移動。
第二圖係顯示渦電流感測器210之構成圖。第二A圖係顯示渦電流感測器210之構成的方塊圖，而第二B圖係渦電流感測器210之等效電路圖。
如第二A圖所示，渦電流感測器210具備配置於檢測對象之金屬膜等的研磨對象物102附近之感測器線圈260。感測器線圈260連接交流信號源262。此處，檢測對象之研磨對象物102例如係形成於半導體晶圓上之銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、鎢(W)等薄膜。感測器線圈260對檢測對象之研磨對象物102例如配置於0.5~5.0mm程度附近。
渦電流感測器210中有依據因研磨對象物102中產生渦電流造成交流信號源262之振盪頻率變化來檢測導電膜的頻率型。此外，渦電流感測器210中有依據因研磨對象物102中產生渦電流造成從交流信號源262 觀看之阻抗變化來檢測導電膜的阻抗型。亦即，頻率型係在第三B圖所示之等效電路中，藉由渦電流I2變化而阻抗Z變化，結果交流信號源(可變頻率振盪器)262之振盪頻率變化。渦電流感測器210以檢波電路264檢測該振盪頻率之變化，可檢測導電膜之變化。阻抗型係在第三B圖所示之等效電路中，藉由渦電流I2變化而阻抗Z變化，結果從交流信號源(固定頻率振盪器)262觀看之阻抗Z變化。渦電流感測器210以檢波電路264檢測該阻抗Z之變化，可檢測導電膜之變化。
阻抗型之渦電流感測器係取出阻抗Z之實部、虛部的信號輸出X、Y、阻抗Z之相位、阻抗Z之絕對值。從頻率F或信號輸出X、Y等獲得導電膜之測定資訊。渦電流感測器210如第一圖所示，可內建於研磨台110內部之表面附近的位置。渦電流感測器210對研磨對象物102經由研磨墊相對而配置時，可從流入研磨對象物102之渦電流檢測導電膜之變化。
以下，具體說明阻抗型之渦電流感測器。交流信號源262係1~50MHz程度之固定頻率的振盪器，例如使用水晶振盪器。而後，藉由交流信號源262供給之交流電壓而在感測器線圈260中流入電流I1。藉由電流流入配置在研磨對象物102附近之感測器線圈260，從感測器線圈260產生之磁束與研磨對象物102交鏈。結果，在感測器線圈260與研磨對象物102之間相互形成電感M，渦電流I2流入研磨對象物102中。此處，R1係包含感測器線圈260之一次側電阻，L1同樣地係包含感測器線圈260之一次側自感。研磨對象物102側之R2係相當於渦電流損失的電阻，L2係研磨對象物102之自感。從交流信號源262之端子a、b觀看感測器線圈260側之阻抗Z受到藉由渦電流I2產生之磁力線的影響而變化。
第三圖係顯示在渦電流感測器中使用之感測器線圈的構成例之概略圖。如第三圖所示，渦電流感測器之感測器線圈260具備捲繞於繞線管270之3個線圈272、273、274。線圈272係連接於交流信號源262之勵磁線圈。勵磁線圈272藉由從交流信號源262供給之交流電流而勵磁，並在配置於附近之研磨對象物102中形成渦電流。在繞線管270之研磨對象物102側配置檢測線圈273，檢測因形成於研磨對象物102之渦電流產生的磁場。夾著勵磁線圈272在與檢測線圈273之相反側配置有平衡線圈274。
研磨對象物102存在於檢測線圈273附近時，藉由形成於研磨對象物102中之渦電流產生的磁束與檢測線圈273及平衡線圈274交鏈。此時，由於檢測線圈273配置於靠近導電膜的位置，因此兩線圈273、274產生之感應電壓的平衡瓦解，藉此，可檢測藉由導電膜之渦電流而形成的交鏈磁束。
其次，藉由第四、五圖說明研磨終點之檢測。第四圖係顯示用於與本實施形態比較之比較例的圖。第四(a)圖之橫軸係時間，縱軸例如係相當於從渦電流感測器210輸出之測定信號獲得的膜厚之阻抗的絕對值20。第四(b)圖之橫軸係時間，縱軸係將相當於從渦電流感測器210輸出之測定信號獲得的膜厚之阻抗的絕對值差分後的值。比較例係將阻抗之絕對值20在整個研磨台110旋轉2次之期間22進行移動平均。
在研磨台110旋轉1次之期間有前述之第一狀態與第二狀態。第一狀態不從渦電流感測器210輸出研磨對象物之測定信號，僅在第二狀態從渦電流感測器210輸出來自研磨對象物之測定信號。求出移動平均時，在第一狀態之插補資料使用虛擬資料24。虛擬資料24例如係在虛擬資 料24之前存在的第二狀態下之絕對值20的平均值。因此，虛擬資料24在本比較例係研磨台110旋轉1次期間，亦即在旋轉1次中之第一狀態下係一定值。
第二狀態係渦電流感測器210輸出複數個測定信號，例如輸出100個測定信號。在研磨台110旋轉1次期間，第一狀態之期間長度為第二狀態之期間長度的數倍至10倍程度。第四圖中，第二狀態下之複數個絕對值20為了清楚起見以1個實心圓表示，不過，實際上集合了100個絕對值20。第一狀態下之虛擬資料24為了清楚起見以3個虛線圓表示，不過，實際上集合了數百個以上的虛擬資料24。
求移動平均時，係將此等絕對值20與虛擬資料24在整個期間22加以平均。期間22係研磨台110旋轉2次之期間22。期間22在第四(a)圖與第四(b)圖中為相同長度，不過並不需要相同長度。移動平均從藉由渦電流感測器210進行測定的時刻起，使用期間22長度部分之過去絕對值20與虛擬資料24進行。因而，在期間22內圖示2個實心圓與6個虛線圓。如第四(a)圖所示，將期間22逐漸錯開而且進行算出平均之處理。獲得之平均值28在到達研磨終點前，於第四圖之比較例時，係在右下之直線30上。
為了求出移動平均之處理，係在藉由渦電流感測器210進行測定之時刻與獲得移動平均的時刻之間產生延遲時間32。圖示之延遲時間32係完全除去金屬膜之時刻34；與使用在時刻34所測定之絕對值20求出移動平均之處理結束的時刻36之差。
第四(b)圖顯示將從渦電流感測器210輸出之測定信號獲得的平均值28差分後的差分值38、與將差分值38移動平均所獲得的平均值 40。差分值38係某個時間點之平均值28與比該時間點提前研磨台110旋轉1次期間的平均值28之差。平均值40係在整個與求出平均值28之期間22相同長度的期間，將差分值38移動平均而算出。
比較例之情況，係藉由此等處理產生以下之檢測耽誤時間。 此處，所謂檢測耽誤時間係實際研磨終點時刻之時刻34、與獲得差分之平均值40而檢測出研磨終點的時刻58之差。檢測耽誤時間包含：求出平均值28之移動平均處理的延遲時間32、求出差分值38之差分處理的延遲時間42、因差分係研磨台110旋轉1次期間部分之差造成的延遲時間46、及求出平均值40之移動平均處理的延遲時間44。此等時間合計之檢測耽誤時間48在比較例之情況相當於研磨台110旋轉3次的期間。
比較例之情況，使用虛擬資料24之理由係因研磨台110旋轉1次時獲得之渦電流感測器210的輸出資料少(亦即，第一狀態之期間的長度為第二狀態之期間長度的數倍至10倍程度)，且輸出資料中發生異常值時加以修正。研磨台110旋轉1次時加入虛擬資料24，如前述，求出平均值28及平均值40時，藉由移動平均使異常值之影響降低。
比較例之情況，可藉由平均值28檢測膜剩餘量。此外，依屬於微分值之平均值40是否為「0」，可檢測是否已全部除去金屬膜，亦即是否已清除金屬。
藉由提高感測器性能及研磨中程序之穩定等，輸出資料中發生異常值的可能性低時，或是，即使輸出資料中發生異常值但其影響小等情況下，不宜有移動平均之延遲時間。比較例之情況，在2個計算處產生耽誤時間。亦即，係求出平均值28之移動平均處理的延遲時間32、及求出平 均值40之移動平均處理的延遲時間44。因為藉由此等延遲時間產生過度研磨(凹狀扭曲研磨、腐蝕(Erosion)等)，所以宜縮短該時間。特別是在對研磨後之剩餘膜厚要求高精度之清除金屬中不宜有此等延遲時間。
第五圖所示之本發明一種實施形態，係就渦電流感測器210之測定值，進行某個時間點之測定值與從該時間點提前研磨台110旋轉1次之測定值的比較(差分)，獲得之差分的絕對值小於一定值時表示已清除金屬。藉此不進行移動平均即可檢測終點。
另外，亦可不進行差分且不進行移動平均，而係平均研磨台110每旋轉1次取得之晶圓中心部的資料(或僅使用中心部附近之1點)，再從獲得之資料檢測研磨終點。
以下說明第五圖所示之實施形態。第五(a)圖之橫軸為時間，縱軸為相當於從渦電流感測器210輸出之測定信號獲得的膜厚之阻抗的絕對值20。第五(b)圖之橫軸為時間，縱軸為將相當於從渦電流感測器210輸出之測定信號獲得的膜厚之阻抗的絕對值加以差分之差分值54。本實施形態不進行移動平均。僅使用研磨台110每旋轉1次取得之研磨對象物102的中心資料，僅使用就研磨對象物102之一處所獲得的資料，並從獲得之資料檢測已清除金屬。
差分算出部222依據渦電流感測器210輸出之測定信號生成相當於對應於膜厚之資料的膜厚之阻抗的絕對值50。絕對值50如第五(a)圖所示，係在各個不同時刻生成。所謂不同時刻，係研磨台110旋轉1次需要之時間52程度的不同時刻。差分算出部222不將絕對值50加以移動平均，而係在不同時刻依據渦電流感測器210輸出之測定信號算出不同時刻之資料 間的差分值54。本實施形態在與比較例對比時，不產生因移動平均造成之延遲時間32及延遲時間44。因而，已清除金屬等之研磨終點的檢測精度提高。本實施形態僅產生因差分為研磨台110旋轉1次期間的差造成研磨台110旋轉1次需要之時間52的延遲。
進一步縮短時間52之方法為在研磨台110內配置複數個渦電流感測器210的方法。將複數個渦電流感測器210配置於通過研磨對象物102之中心CW的位置。例如配置在關於第一圖所示之渦電流感測器210與旋轉中心CT點對稱的位置。如此，在研磨台110內配置2個渦電流感測器210時，當研磨台110旋轉半圈時獲得下一個測定信號。該實施形態之差分可為研磨台110旋轉半圈期間之差。因此，因差分係研磨台110旋轉半圈期間之差造成的延遲時間與第五圖所示之時間52比較減半。藉由延遲時間減半，終點檢測之精度提高。
終點檢測部224依據差分算出部222算出之差分值54，檢測對應於表示研磨結束之研磨終點的差分值56。終點檢測部224檢測研磨對象物102之研磨終點時，將表示其要旨之信號輸出至研磨裝置控制部140。研磨裝置控制部140從終點檢測部224接收表示研磨終點之信號時，使研磨裝置100結束研磨。
亦可將藉由膜厚感測器檢測出之研磨對象物102的膜厚或相當於膜厚之信號傳送至上階主電腦(與複數個半導體製造裝置連接進行管理的電腦)，並儲存在主電腦中。而後，依從研磨裝置側傳送之研磨對象物102的膜厚或相當於膜厚之信號，以主電腦算出不同時刻之資料間的差分值54，依據差分值54檢測研磨對象物102之研磨終點時，將表示其要旨之信號 傳送至該研磨裝置控制部140。
以上，係說明本發明實施形態之例，不過上述之發明實施形態係為了容易理解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣下可變更、改良，並且本發明當然包含其等價物。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍，或達到效果之至少一部分的範圍內，申請專利範圍及說明書中記載之各元件可任意組合或省略。

Claims (8)

  1. 一種研磨裝置，係使支撐用於研磨研磨對象物之研磨墊的研磨台旋轉，而且將前述研磨對象物按壓於前述研磨墊，進行前述研磨對象物之研磨，其特徵為具有：感測器，其係測定可依前述研磨對象物之膜厚變化而變化的物理量，並輸出測定信號；差分算出部，其係依據前述測定信號生成對應於膜厚之資料，在前述研磨對象物之指定位置依據不同時刻前述感測器輸出之前述測定信號，算出前述不同時刻之前述資料間的差分；及終點檢測部，其係依據前述差分算出部算出之前述差分，檢測表示前述研磨結束之研磨終點。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中前述指定位置係前述研磨對象物之中心。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨裝置，其中前述指定位置係前述研磨對象物之中心附近。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之研磨裝置，其中前述不同時刻係前述研磨台為了旋轉1次或複數次旋轉需要之時間程度不同的時刻。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之研磨裝置，其中具有複數個前述感測器。
  6. 如申請專利範圍第1、4及5項中任一項之研磨裝置，其中前述指定位置係不同之複數個位置。
  7. 如申請專利範圍第6項之研磨裝置，其中前述終點檢測部將前述差分 算出部算出之複數個差分平均來檢測前述研磨終點。
  8. 一種研磨方法，係研磨研磨對象物，其特徵為：使支撐用於研磨研磨對象物之研磨墊的研磨台旋轉，而且將前述研磨對象物按壓於前述研磨墊，進行前述研磨對象物之研磨，測定可依前述研磨對象物之膜厚變化而變化的物理量，輸出測定信號，依據前述測定信號生成對應於膜厚之資料，在前述研磨對象物之指定位置，依據在不同時刻輸出之前述測定信號算出前述不同時刻之前述資料間的差分，並依據算出之前述差分檢測表示前述研磨結束之研磨終點。
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