TW201824983A - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種電子裝置，包括底座，所述底座由金屬材料製成；輻射體，所述輻射體部分收容或全部收容於所述底座內；以及耦合件，所述耦合件設置於所述輻射體遠離所述底座之一側；其中，所述耦合件由金屬材料製成，所述耦合件與所述輻射體間隔設置，且所述耦合件於所述底座內之底面上之投影與所述輻射體於所述底座內之底面上之投影部分重疊。

Description

電子裝置

本發明涉及一種電子裝置。

物聯網（internet of things，IOT）之興起及發展，帶動了通訊產業之蓬勃發展。任何山川、河流、土壤、溫度、濕度等大自然資訊，或者車輛、建築物等物體資訊均可被收集整合到相應之網路，即透過網路將事物聯繫起來。如此習知之智慧電子產品，例如智慧電子開關通常均內設有天線。然而，目前習知之智慧電子開關出於安全性能之考量，其底座一般為金屬材質。該金屬材質之底座容易對設置於其內之天線產生屏蔽效應，進而降低天線輻射性能。

有鑑於此，有必要提供一種輻射性能較佳之電子裝置。

一種電子裝置，包括：

底座，所述底座由金屬材料製成；

輻射體，所述輻射體部分收容或全部收容於所述底座內；以及

耦合件，所述耦合件設置於所述輻射體遠離所述底座之一側；

其中，所述耦合件由金屬材料製成，所述耦合件與所述輻射體間隔設置，且所述耦合件於所述底座內之底面上之投影與所述輻射體於所述底座內之底面上之投影部分重疊。

上述電子裝置藉由設置所述耦合件，並使得所述耦合件與所述輻射體間隔設置，進而使得兩者相互耦合，從而使得所述輻射體不易受所述底座之影響。另外，所述耦合件可有效增加所述輻射體之輻射面積並改變其輻射方向，進而使得所述電子裝置具有較佳之輻射效率、高增益以及正向輻射特性。

下面將結合本發明實施例中之附圖，對本發明實施例中之技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述之實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部之實施例。基於本發明中之實施例，所屬領域具有通常知識者於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，均屬於本發明保護之範圍。

需要說明之是，當一個元件被稱為“電連接”另一個元件，它可直接於另一個元件上或者亦可存在居中之元件。當一個元件被認為是“電連接”另一個元件，它可是接觸連接，例如，可是導線連接之方式，亦可是非接觸式連接，例如，可是非接觸式耦合之方式。

除非另有定義，本文所使用之所有之技術與科學術語與屬於所屬領域具有通常知識者通常理解之含義相同。本文中於本發明之說明書中所使用之術語僅是為描述具體之實施例之目不是旨在於限制本發明。本文所使用之術語“及/或”包括一個或多個相關之所列項目的任意之與所有之組合。

下面結合附圖，對本發明之一些實施方式作詳細說明。於不衝突之情況下，下述之實施例及實施例中之特徵可相互組合。

請參閱圖1及圖2，本發明第一較佳實施方式提供一種電子裝置100。於本實施例中，所述電子裝置100為一智慧電子開關。所述電子裝置100包括底座11、蓋體13、基板14、輻射體15以及耦合件17。所述輻射體15與耦合件17組成所述電子裝置100之天線結構。所述電子裝置100可藉由此天線結構與另一電子裝置傳遞無線訊號。

於本實施例中，所述底座11大致呈方形，其可由導電材料（例如金屬）製成。可理解，該底座11之形狀不局限於所述方形，其還可為其他形狀，例如圓形或橢圓形等。所述底座11形成有一端開口之收容空間115。所述收容空間115用以容置所述電子裝置100之基板14、處理單元等電子元件或電路模組於其內。

所述蓋體13之形狀及結構與所述底座11相對應。所述蓋體13可藉由螺釘等卡持結構組裝至所述底座11上，並部分封閉所述收容空間115，進而收容所述基板14、處理單元等電子元件或電路模組。可理解，所述蓋體13可由絕緣材料（例如塑膠或陶瓷）製成。

於本實施例中，該基板14為印刷電路板（printed circuit board, PCB），其可採用環氧樹脂玻璃纖維（FR4）等介電材質製成。所述基板14設置於所述收容空間115內，其上設置有接地點141、饋入點143及淨空區145。該接地點141與所述電子裝置100之系統接地面（圖未示）電連接，進而為所述輻射體15提供接地。該饋入點143與所述接地點141間隔設置，用於電連接至一訊號源，例如射頻收發單元（圖未示），進而為所述輻射體15饋入電流。所述淨空區145設置於所述基板14之一側，且臨近所述接地點141及饋入點143設置。所述淨空區145之形狀及其於所述基板14上之位置可根據使用者具體需求進行調整。所述淨空區145是指所述電子裝置100內無導體存於之區域，用以防止外於環境中之電子元件如電池、振動器、喇叭、電荷耦合器件（Charge Coupled Device，CCD）等對所述輻射體15產生干擾，造成其工作頻率偏移或輻射效率變低。於本實施例中，所述淨空區145之尺寸大致為5*20mm² 。

所述輻射體15部分收容或全部收容於所述收容空間115內，且臨近所述淨空區145設置。於本實施例中，所述輻射體15整體設置於與所述基板14相垂直之平面內。於本實施例中，所述輻射體15為一倒F型天線，其包括接地段151、饋入段153以及輻射段155。所述接地段151大致呈矩形條狀，其一端與所述接地點141電連接，用以為所述輻射體15提供接地。所述接地段151之另一端則沿垂直且遠離所述基板14之方向延伸。所述饋入段153大致呈矩形條狀，其與所述接地段151設置於同一平面。所述饋入段153之一端電連接至所述饋入點143，用以為所述輻射體15饋入電流。所述饋入段153之另一端則沿平行所述接地段151且遠離所述基板14之方向延伸，以與所述接地段151相互平行設置。所述輻射段155大致呈矩形條狀，其與所述接地段151及饋入段153垂直設置。具體所述輻射段155之一端電連接至所述接地段151遠離所述接地點141之一端，另一端沿垂直且靠近所述饋入段153之方向延伸，直至與所述饋入段153遠離所述饋入點143之一端垂直連接。接著所述輻射段155越過所述饋入段153，以繼續沿垂直且遠離所述饋入段153之方向延伸，直至所述輻射段155之末端於所述底座11內之底面上之投影與所述耦合件17於所述底座11內之底面上之投影部分重疊，進而與所述接地段151、饋入段153共同形成所述F型結構。所述底座11內之底面與所述基板14平行。

於本實施例中，所述耦合件17由金屬材料製成，例如可是電子裝置100之金屬外觀件、液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCM）或觸控面板之接地面、液晶顯示器下方之遮蔽罩(Shielding Cover)、或者利用鐳射直接成型（Laser Direct Structuring，LDS）技術設置於所述電子裝置100之外觀件內側之金屬結構。於本實施例中，所述耦合件17為所述電子裝置100之金屬外觀件，例如所述電子裝置100之螢幕金屬外框。所述耦合件17設置於所述蓋體13上，並與所述蓋體13共同封閉所述收容空間115。於本實施例中，所述耦合件17設置於所述輻射體15遠離所述基板14之一側，且與所述輻射體15間隔設置。所述耦合件17於所述底座11內之底面上之投影與所述輻射體15中所述輻射段155於所述底座11內之底面上之投影部分重疊。

請一併參閱圖3，於本實施例中，所述接地段151之長度大於所述饋入段153之長度。所述輻射體15之高度，即所述接地段151之長度為d_o 。所述輻射段155之長度為l_a 。所述收容空間115之高度，即所述底座11遮蔽所述輻射體15之高度為d_i 。所述輻射體15與所述耦合件17之間之間距為g_c 。所述耦合件17及所述輻射體15中輻射段155於所述底座11內之底面上重疊之投影寬度為l_c 。於本實施例中，d_o =6.5mm，l_a =19mm，d_i =3.5mm，l_c =2mm，g_c = 1mm。

可理解，請一併參閱圖1及圖4，於本實施例中，所述耦合件17還包括兩個接地部，即第一接地部171及第二接地部173。其中第一接地部171及第二接地部173分別設置於所述耦合件17之兩端。所述第一接地部171整體設置於與所述耦合件17垂直之平面內。所述第一接地部171之一端垂直連接至所述耦合件17靠近所述輻射體15之一端，另一端接地，用以為所述耦合件17提供接地。所述第二接地部173整體設置於與所述耦合件17垂直之平面內。所述第二接地部173之一端垂直連接至所述耦合件17遠離所述輻射體15之一端，另一端接地，用以為所述耦合件17提供接地。

請一併參閱圖5至圖7，圖5為所述電子裝置100之S參數（散射參數）曲線圖。其中曲線S51為所述電子裝置100未設置所述耦合件17之S11值。曲線S52為所述電子裝置100設置所述耦合件17之S11值。

圖6為所述電子裝置100之輻射效率曲線圖。其中曲線S61為所述電子裝置100未設置所述耦合件17之輻射效率。曲線S62為所述電子裝置100設置所述耦合件17之輻射效率。

圖7為所述電子裝置100之總輻射效率曲線圖。其中曲線S71為所述電子裝置100未設置所述耦合件17之總輻射效率。曲線S72為所述電子裝置100設置所述耦合件17之總輻射效率。

顯然，從圖5至圖7可明顯看出，當所述電子裝置100設置所述耦合件17後，所述輻射體15與所述耦合件17相互耦合，進而使得流過所述輻射體15之電流可耦合至所述耦合件17，進而有效提高所述輻射體15之輻射性能及增益。另外，於本實施例中，所述電子裝置100工作於WIFI頻段。當然，可理解之是，所述電子裝置100不局限於工作於所述WIFI頻段，其還可設計為工作於其他頻段，例如GPS/BT/2G/3G/4G頻段。

請一併參閱圖8及圖9，圖8為所述電子裝置100未設置所述耦合件17之輻射增益圖。圖9為所述電子裝置100設置所述耦合件17之輻射增益圖。顯然，所述電子裝置100未設置所述耦合件17時之增益為-0.7dB，而設置所述耦合件17後，其增益為5.8dB，即設置所述耦合件17可有效提高所述電子裝置100之輻射增益。另外，所述耦合件17之設置可使得所述電子裝置100之輻射能量主要集中於上半球場型。即所述電子裝置100靠近所述蓋體13之方向具有較高之輻射功率，而靠近所述底座11之方向具有較低之輻射功率。亦就是說，當所述電子裝置100設置所述耦合件17後，可改變其輻射方向，使得所述電子裝置100具有高天線效率、高增益及正向輻射之特性。可理解，所述上半球場型與下半球場型構成所述電子裝置100之輻射場型。

可理解，於其他實施例中，所述接地部之數量不限於上述項所述之兩個，其具體數量及位置可根據具體情況進行調整。例如，所述耦合件17可包括多個接地部，所述耦合件17藉由所述多個接地部接地。又如，請一併參閱圖10及圖11，所述耦合件17可僅包括一個接地部，例如僅包括第一接地部171（請參圖10）或僅包括第二接地部173（請參圖11），而省略另外之接地部。當然，可理解之是，請一併參閱圖12，於其他實施例中，所述接地部還可直接省略。即所述電子裝置100不包括任何接地部，所述耦合件17與所述輻射體15間隔設置，且懸空（floating）設置。

請一併參閱圖13，為所述耦合件17於不同接地條件下所述電子裝置100之S參數（散射參數）曲線圖。其中曲線S131為所述耦合件17設置兩個接地部，即第一接地部171及第二接地部173時所述電子裝置100之S11值。曲線S132為所述耦合件17僅設置第一接地部171時所述電子裝置100之S11值。曲線S133為所述耦合件17僅設置第二接地部173時所述電子裝置100之S11值。曲線S134為所述耦合件17未設置任何接地部，即懸空設置時所述電子裝置100之S11值。

請一併參閱圖14，為所述耦合件17於不同接地條件下所述電子裝置100之輻射效率曲線圖。其中曲線S141為所述耦合件17設置兩個接地部，即第一接地部171及第二接地部173時所述電子裝置100之輻射效率。曲線S142為所述耦合件17僅設置第一接地部171時所述電子裝置100之輻射效率。曲線S143為所述耦合件17僅設置第二接地部173時所述電子裝置100之輻射效率。曲線S144為所述耦合件17未設置任何接地部，即懸空設置時所述電子裝置100之輻射效率。

請一併參閱圖15，為所述耦合件17於不同接地條件下所述電子裝置100之總輻射效率曲線圖。其中曲線S151為所述耦合件17設置兩個接地部，即第一接地部171及第二接地部173時所述電子裝置100之總輻射效率。曲線S152為所述耦合件17僅設置第一接地部171時所述電子裝置100之總輻射效率。曲線S153為所述耦合件17僅設置第二接地部173時所述電子裝置100之總輻射效率。曲線S154為所述耦合件17未設置任何接地部，即懸空設置時所述電子裝置100之總輻射效率。

請一併參閱圖16至圖18，圖16為所述耦合件17僅設置第一接地部171時所述電子裝置100之輻射增益圖。圖17為所述耦合件17僅設置第二接地部173時所述電子裝置100之輻射增益圖。圖18為所述耦合件17未設置任何接地部，即懸空設置時所述電子裝置100之輻射增益圖。

顯然，從圖13至圖18可看出，所述耦合件17於不同之接地條件下，例如所述耦合件17藉由兩個接地部，即第一接地部171及第二接地部173接地、所述耦合件17藉由第一接地部171接地、所述耦合件17藉由第二接地部173接地、所述耦合件17懸空設置，均不影響所述電子裝置100之輻射效率、天線增益及輻射方向，即所述電子裝置100仍具有較佳之輻射效率、較高之天線增益及正向輻射特性，符合天線設計要求。

可理解，請一併參閱圖19及20，本發明第二較佳實施方式提供一種電子裝置200。所述電子裝置200包括底座11、蓋體13、基板14、輻射體25以及耦合件17。所述電子裝置200與電子裝置100之區別在於，所述輻射體25為一回路（loop）天線。具體所述輻射體25包括接地段251、饋入段253及輻射段255。所述接地段251大致呈矩形條狀，其一端與所述接地點141電連接，用以為所述輻射體25提供接地。所述接地段251之另一端則沿垂直且遠離所述基板14之方向延伸。所述饋入段253大致呈矩形條狀，其與所述接地段251設置於同一平面。所述饋入段253之一端電連接至所述饋入點143，用以為所述輻射體25饋入電流。所述饋入段253之另一端則沿平行所述接地段251且遠離所述基板14之方向延伸，以與所述接地段251相互平行設置。所述輻射段255之一端電連接至所述接地段251遠離接地點141之一端，另一端則電連接至所述饋入段253遠離所述饋入點143之一端。具體所述輻射段255為一曲折狀片體，其一端電連接至所述接地段251遠離接地點141之一端，並沿遠離所述接地段251之方向延伸，接著彎折一直角，以沿遠離所述接地段251且靠近所述耦合件17之方向延伸，直至所述輻射段255於所述底座11內之底面上之投影與所述耦合件17於所述底座11內之底面上之投影部分重疊。接著再彎折一直角，以沿靠近所述饋入段253之方向延伸，最後再彎折一直角，以沿靠近所述接地段251及饋入段253之方向延伸，直至與所述饋入段253遠離所述饋入點143之一端電連接，進而與所述接地段251、饋入段253共同形成所述回路（loop）型結構。

請一併參閱圖21，為所述電子裝置200之S參數（散射參數）曲線圖。其中，曲線S211為所述電子裝置200未設置所述耦合件17時之S11值。曲線S212為且所述電子裝置200設置所述耦合件17時之S11值。

圖22為所述電子裝置200之輻射效率曲線圖。其中曲線S221為所述電子裝置200未設置所述耦合件17之輻射效率。曲線S222為所述電子裝置200設置所述耦合件17之輻射效率。

圖23為所述電子裝置200之總輻射效率曲線圖。其中曲線S231為所述電子裝置200未設置所述耦合件17之總輻射效率。曲線S232為所述電子裝置200設置所述耦合件17之總輻射效率。

請一併參閱圖24至圖25，圖24為所述電子裝置200未設置所述耦合件17之輻射增益圖。圖25為所述電子裝置200設置所述耦合件17之輻射增益圖。其中，所述電子裝置200未設置所述耦合件17時之增益為-0.4dB，而設置所述耦合件17後，其增益為6.1dB。顯然，當所述輻射體25為回路天線時，所述電子裝置200仍具有較佳之輻射效率、較高之天線增益及正向輻射特性，符合天線設計要求。

可理解，請一併參閱圖26，本發明第三較佳實施方式提供一種電子裝置300。所述電子裝置300包括輻射體35以及耦合件17。所述電子裝置300與電子裝置100之區別在於，所述輻射體35為一單極（Monopole）天線。具體所述輻射體35包括饋入段353及輻射段355，即所述接地段153省略。所述饋入段353之一端電連接至所述饋入點143，用以為所述輻射體35饋入訊號。所述輻射段355之一端電連接所述饋入段353遠離所述饋入點143之一端，另一端朝靠近所述耦合件17之方向延伸，直至其於所述底座11內之底面上之投影與所述耦合件17於所述底座11內之底面上之投影部分重疊。

可理解，請一併參閱圖27，本發明第四較佳實施方式提供一種電子裝置400。所述電子裝置400包括輻射體45以及耦合件17。所述電子裝置400與電子裝置100之區別在於，所述輻射體45為一耦合（couple）天線。具體所述輻射體45包括接地段451、饋入段453、輻射段455及耦合段457。所述接地段451之一端電連接至所述接地點141，用以為所述輻射體45提供接地。所述饋入段453之一端電連接至所述饋入點143，用以為所述輻射體45饋入訊號。所述輻射段455之一端電連接所述接地段451遠離所述接地點141之一端，另一端朝靠近所述耦合件17之方向延伸，直至其於所述底座11內之底面上之投影與所述耦合件17於所述底座11內之底面上之投影部分重疊。所述耦合段457之一端電連接所述饋入段453遠離所述饋入點143之一端，另一端朝靠近所述耦合件17且平行所述輻射段455之方向延伸。於本實施例中，所述耦合段457於所述底座11內之底面上之投影與所述耦合件17於所述底座11內之底面上之投影亦部分重疊。另外，所述饋入段453之長度小於所述接地段451之長度。因此，所述耦合段457設置於所述輻射段455遠離所述耦合件17之一側，且與所述輻射段455間隔設置。當電流自所述饋入點143饋入後，所述電流將流經所述耦合段457，並藉由所述耦合段457耦合至所述輻射段455，接著電流再藉由所述輻射段455耦合至所述耦合件17。

可理解，於其他實施例中，所述耦合段457於所述底座11內之底面上之投影與所述耦合件17於所述底座11內之底面上之投影亦可不重疊，僅需確保所述耦合段457與所述輻射段455間隔設置，以使得流過所述耦合段457之電流可耦合至所述輻射段455即可。

可理解，於其他實施例中，所述輻射體15/25/35/45亦不局限於上述項所述之倒F型天線、回路(loop)天線、單極（Monopole）天線以及耦合（couple）天線，其形狀及結構還可根據具體需求進行調整。

可理解，請一併參閱圖19、圖20、圖26及圖27，於本發明之第二至第四較佳實施方式中，所述電子裝置200/300/400中之耦合件17均包括第一接地部171及第二接地部173。當然，與本發明第一較佳實施方式中電子裝置100之耦合件17類似，所述電子裝置200/300/400中之耦合件17中之接地部之數量亦不限於兩個，其具體數量及位置可根據具體情況進行調整。例如，所述電子裝置200/300/400中之耦合件17可包括多個接地部、僅包括一個接地部或者直接懸空（floating）設置。

可理解，於其他實施例中，所述電子裝置100/200/300/400不局限于智慧電子開關，其還可為其他產品，例如穿戴式裝置（如智慧手錶、手環等）、手機、平板電腦等電子產品。當所述電子裝置100/200/300/400應用於穿戴式裝置時，所述耦合件17之設置還可有效降低人體、手或其他外於環境對所述輻射體15/25/35/45之影響。

本發明之電子裝置100/200/300/400藉由設置所述耦合件17，並使得所述耦合件17與所述輻射體15/25/35/45間隔設置，進而使得兩者相互耦合，從而使得所述輻射體15不易受所述底座11之影響。另外，所述耦合件17可有效增加所述輻射體15之輻射面積並改變其輻射方向，進而使得所述電子裝置100/200/300/400具有較佳之輻射效率、高增益以及正向輻射特性。

以上所述，僅為本發明的較佳實施例，並非是對本發明作任何形式上的限定。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化，當然，這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。

100、200、300、400‧‧‧電子裝置
11‧‧‧底座
115‧‧‧收容空間
13‧‧‧蓋體
14‧‧‧基板
141‧‧‧接地點
143‧‧‧饋入點
145‧‧‧淨空區
15、25、35、45‧‧‧輻射體
151、251、451‧‧‧接地段
153、253、353、453‧‧‧饋入段
155、255、355、455‧‧‧輻射段
457‧‧‧耦合段
17‧‧‧耦合件
171‧‧‧第一接地部
173‧‧‧第二接地部

圖1為本發明第一較佳實施例之電子裝置之分解示意圖。 圖2為圖1所示電子裝置之組裝示意圖。 圖3為沿圖2所示電子裝置中III-III線之截面圖。 圖4為圖1所示電子裝置之平面示意圖。 圖5為圖1所示電子裝置之S參數（散射參數）曲線圖。 圖6為圖1所示電子裝置之輻射效率圖。 圖7為圖1所示電子裝置之總輻射效率圖。 圖8為圖1所示電子裝置未設置耦合件之輻射增益圖。 圖9為圖1所示電子裝置設置耦合件之輻射增益圖。 圖10為圖1所示電子裝置中耦合件僅設置第一接地部之示意圖。 圖11為圖1所示電子裝置中耦合件僅設置第二接地部之示意圖。 圖12為圖1所示電子裝置中耦合件未設置接地部之示意圖。 圖13為圖1所示耦合件於不同接地條件下電子裝置之S參數（散射參數）曲線圖。 圖14為圖1所示耦合件於不同接地條件下電子裝置之輻射效率圖。 圖15為圖1所示耦合件於不同接地條件下電子裝置之總輻射效率圖。 圖16為圖10所示耦合件僅設置第一接地部之輻射增益圖。 圖17為圖11所示耦合件僅設置第二接地部之輻射增益圖。 圖18為圖12所示耦合件未設置接地部之輻射增益圖。 圖19為本發明第二較佳實施例之電子裝置之整體示意圖。 圖20為圖19所示電子裝置之平面示意圖。 圖21為圖19所示電子裝置之S參數（散射參數）曲線圖。 圖22為圖19所示電子裝置之輻射效率圖。 圖23為圖19所示電子裝置之總輻射效率圖。 圖24為圖19所示電子裝置未設置耦合件之輻射增益圖。 圖25為圖19所示電子裝置設置耦合件之輻射增益圖。 圖26為本發明第三較佳實施例之電子裝置之平面示意圖。 圖27為本發明第四較佳實施例之電子裝置之平面示意圖。

無

Claims (10)

1. 一種電子裝置，包括： 底座，所述底座由金屬材料製成； 輻射體，所述輻射體部分收容或全部收容於所述底座內；以及 耦合件，所述耦合件設置於所述輻射體遠離所述底座之一側； 其中，所述耦合件由金屬材料製成，所述耦合件與所述輻射體間隔設置，且所述耦合件於所述底座內之底面上之投影與所述輻射體於所述底座內之底面上之投影部分重疊。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述耦合件為所述電子裝置之金屬外觀件、液晶顯示器或觸控面板之接地面、液晶顯示器下方之遮蔽罩、或者利用鐳射直接成型技術設置於所述電子裝置之外觀件內側之金屬結構。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述輻射體為一倒F型天線，包括接地段、饋入段以及輻射段，所述接地段一端與一接地點電連接，用以為所述輻射體提供接地，所述饋入段與所述接地段設置於同一平面，所述饋入段之一端電連接至一饋入點，用以為所述輻射體饋入電流，所述饋入段之另一端則沿平行所述接地段之方向延伸，以與所述接地段相互平行設置，所述輻射段之一端電連接至所述接地段遠離所述接地點之一端，另一端沿垂直且靠近所述饋入段之方向延伸，直至與所述饋入段遠離所述饋入點之一端垂直連接，接著所述輻射段越過所述饋入段，以繼續沿垂直且遠離所述饋入段之方向延伸，直至所述輻射段之末端於所述底座內之底面上之投影與所述耦合件於所述底座內之底面上之投影部分重疊。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述輻射體為一回路天線，所述輻射體包括接地段、饋入段及輻射段，所述接地段一端與一接地點電連接，用以為所述輻射體提供接地，所述饋入段與所述接地段設置於同一平面，所述饋入段之一端電連接至一饋入點，用以為所述輻射體饋入電流，所述饋入段之另一端則沿平行所述接地段之方向延伸，以與所述接地段相互平行設置，所述輻射段為一曲折狀片體，所述輻射段一端電連接至所述接地段遠離接地點之一端，並沿遠離所述接地段之方向延伸，接著彎折一直角，以沿遠離所述接地段且靠近所述耦合件之方向延伸，直至所述輻射段於所述底座內之底面上之投影與所述耦合件於所述底座內之底面上之投影部分重疊，接著再彎折一直角，以沿靠近所述饋入段之方向延伸，最後再彎折一直角，以沿靠近所述接地段及饋入段之方向延伸，直至與所述饋入段遠離所述饋入點之一端電連接。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述輻射體為一單極天線，所述輻射體包括饋入段及輻射段，所述饋入段之一端電連接至一饋入點，用以為所述輻射體饋入訊號，所述輻射段之一端電連接所述饋入段遠離所述饋入點之一端，另一端朝靠近所述耦合件之方向延伸，直至其於所述底座內之底面上之投影與所述耦合件於所述底座內之底面上之投影部分重疊。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述輻射體為一耦合天線，所述輻射體包括接地段、饋入段、輻射段及耦合段，所述接地段一端與一接地點電連接，用以為所述輻射體提供接地，所述饋入段之一端電連接至一饋入點，用以為所述輻射體饋入電流，所述輻射段之一端電連接所述接地段遠離所述接地點之一端，另一端朝靠近所述耦合件之方向延伸，直至所述輻射段於所述底座內之底面上之投影與所述耦合件於所述底座內之底面上之投影部分重疊，所述耦合段之一端電連接所述饋入段遠離所述饋入點之一端，另一端朝靠近所述耦合件且平行所述輻射段之方向延伸。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述耦合件包括多個接地部，所述耦合件藉由所述多個接地部接地。
8. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述耦合件包括兩個接地部，所述兩個接地部分別設置於所述耦合件之兩側，所述耦合件藉由所述兩個接地部接地。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述耦合件包括一個接地部，所述接地部設置於所述耦合件靠近所述輻射體之一側或所述耦合件遠離所述輻射體之一側，所述耦合件藉由所述接地部接地。
10. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中所述電子裝置還包括蓋體，所述蓋體由絕緣材料製成，所述蓋體與所述耦合件共同封閉所述底座。