TW201732419A - 針對新圖案化裝置及現有圖案化裝置之源及頻寬之最佳化 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的方法，該方法包括：計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性之複數個設計變數之一函數；及藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者；其中，在該重組態期間，允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。

Description

針對新圖案化裝置及現有圖案化裝置之源及頻寬之最佳化
本文中之描述係關於微影設備及程序，及包括藉由允許改變照明源之頻寬來最佳化用於給定圖案化裝置之照明源的方法或設備。
微影投影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此情況下，圖案化裝置(例如，光罩)可含有或提供對應於IC之個別層之電路圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由圖案化裝置上之電路圖案而輻照已塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法來將此電路圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案由微影投影設備順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影設備中，將整個圖案化裝置上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此設備通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描設備之替代設備中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化裝置進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。將圖案化裝置上之電路圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影設備將具有放大因數M(通常＜1)，故基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化裝置之速度的因數M倍。可(例如)自以引用方式併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影裝置的更多資訊。 在將電路圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如，曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢查。此工序陣列係用作製作裝置(例如，IC)之個別層的基礎。基板可接著經歷各種程序，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，該等程序皆意欲精整裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一裝置。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，由此，可將個別裝置安裝於載體上，連接至接腳，等等。 如所提及，微影為製造IC之中心步驟，其中形成於基板上之圖案定義IC之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他裝置。 隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地縮減，同時每裝置的諸如電晶體之功能元件之量已穩固地增加，其遵循通常被稱作「莫耳定律」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影設備來製造裝置層，微影投影設備使用來自深紫外線照明源之照明而將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸遠低於100 nm之個別功能元件，亦即，尺寸小於來自該照明源(例如，193 nm照明源)之輻射之波長的一半。 供印刷尺寸小於微影投影設備之經典解析度極限之特徵的此程序係根據解析度公式CD=k1 ×λ/NA通常被稱作低k1 微影，其中λ為所採用輻射之波長(當前在大多數情況下為248 nm或193 nm)，NA為微影投影設備中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1 為經驗解析度因數。一般而言，k1 愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影投影設備及/或設計佈局。此等步驟包括(例如，但不限於)NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文中所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括(例如)折射光學件、反射光學件、孔隙及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括根據此等設計類型中之任一者而操作的組件，以用於共同地或單一地導向、塑形或控制投影輻射光束。術語「投影光學件」可包括微影投影設備中之任何光學組件，而不管光學組件定位於微影投影設備之光學路徑上之何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化裝置之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在該輻射通過圖案化裝置之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常不包括源及圖案化裝置。
本文中揭示改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的一方法，該方法包含：藉由一電腦計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬的一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬的一變數的一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性的複數個設計變數中之一者或為該複數個設計變數中之一或多者的一函數；及藉由使用一電腦調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者。 本文中揭示改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的一方法，該方法包含：藉由一電腦計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬的一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬的一變數的一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性的複數個設計變數中之一或多者的一函數；及藉由使用一電腦調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者。 本文中揭示改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的一方法，該方法包含：藉由一電腦計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性的複數個設計變數的一函數；及藉由使用一電腦調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者；其中，在該重組態期間，允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。 根據一實施例，該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。 根據一實施例，該頻寬為一半高全寬(FWHM)頻寬。 根據一實施例，該頻寬為一E95頻寬。 根據一實施例，該頻寬增加至大於該源之硬體允許之一最小值的一值。 根據一實施例，重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者改良了該設計佈局之該部分的一影像品質。 根據一實施例，重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者增加了該等設計變數中之至少一者的寬容度。 根據一實施例，該寬容度為聚焦深度或曝光寬容度。 根據一實施例，重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者增加了一程序窗之一大小。 根據一實施例，該成本函數為選自以下各者之一或多者的一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，或最佳焦點偏移。 根據一實施例，該設計佈局之該部分包含選自以下各者之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、已知為具有一臨界特徵的一設計佈局之一區段、一熱點或一溫點已被識別的該設計佈局之一區段，或一臨界特徵已被識別的該設計佈局之一區段。 根據一實施例，該終止條件包含選自以下各者之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到某一數目次迭代；達到等於或超出某一臨限值的該成本函數之一值；達到某一計算時間；達到在一可接受誤差極限內的該成本函數之一值；或最小化該微影程序中之一曝光時間。 根據一實施例，該等設計變數中之一或多者表示藉由該微影設備進行之一照明的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該設計佈局之一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該微影設備之投影光學件的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該基板之一抗蝕劑的一或多個特性，或該等設計變數中之一或多者表示一空中影像或一抗蝕劑影像之一或多個特性。 根據一實施例，該空中影像或該抗蝕劑影像為一模擬影像。 根據一實施例，該重組態包含指定該等設計變數中之至少一者之一範圍的一約束。 根據一實施例，該成本函數藉由選自由高斯-牛頓演算法、雷文柏格-馬括特演算法、布洛伊登-費萊雪-高德法伯-香農演算法、梯度下降演算法、模擬退火演算法、內在點演算法及遺傳演算法組成之一群組的一方法予以最小化或最大化。 本文中揭示一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施本文中之該等方法中之任一者。 本文中揭示用於改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的一系統，該系統包含：用於計算一多變數成本函數之一構件，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬的一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬的一變數的一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性的複數個設計變數中之一者或為該複數個設計變數中之一或多者的一函數；及用於藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者的一構件。 本文中揭示用於改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的一系統，該系統包含：用於計算一多變數成本函數之一構件，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬的一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬的一變數的一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性的複數個設計變數中之一或多者的一函數；及用於藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者的一構件。 本文中揭示用於改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的一系統，該系統包含：用於計算一多變數成本函數之一構件，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性的複數個設計變數的一函數；用於藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者的一構件；其中，在該重組態期間，允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。 根據一實施例，該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。 根據一實施例，該頻寬為一半高全寬(FWHM)頻寬或一E95頻寬。 根據一實施例，該頻寬為大於該源之硬體允許之一最小值的一值。 根據一實施例，該成本函數為選自以下各者之一或多者的一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，或最佳焦點偏移。 根據一實施例，該終止條件包含選自以下各者之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到某一數目次迭代；達到等於或超出某一臨限值的該成本函數之一值；達到某一計算時間；達到在一可接受誤差極限內的該成本函數之一值；或最小化該微影程序中之一曝光時間。 根據一實施例，該等設計變數中之一或多者表示藉由該微影設備進行之一照明的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該設計佈局之一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該微影設備之投影光學件的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該基板之一抗蝕劑的一或多個特性，或該等設計變數中之一或多者表示一空中影像或一抗蝕劑影像之一或多個特性。
儘管在本文中可特定地參考IC之製造，但應明確地理解，本文之描述具有許多其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之上下文中，應認為本文對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用可分別與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。 在本文中，術語「輻射」及「光束」被用於包含所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如，波長為365、248、193、157或126 nm)及EUV(極紫外線輻射，例如，波長在約5 nm至100 nm範圍內)。 如本文所使用之術語「最佳化」指代或意謂調整微影投影設備、微影程序等，以使得微影之結果及/或程序具有更合乎需要之特性，諸如設計佈局於基板上之更高投影精確性、更大程序窗等。因此，如本文所使用之術語「最佳化」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的程序，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供在至少一個相關度量方面的改良，例如局部最佳。因此，「最佳」及其他相關術語應予以解釋。在實施例中，可迭代地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。 此外，微影投影設備可為具有兩個或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台、一基板台及一量測台、兩個或多於兩個圖案化裝置台等)之類型。在此等「多平台」裝置中，可並行地使用複數個多個台，或可在一或多個台上實行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，在以引用方式併入本文中之US 5,969,441中描述雙平台微影投影設備。 上文參考之圖案化裝置包含或可形成一或多個設計佈局。可利用CAD (電腦輔助設計)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作EDA (電子設計自動化)。大多數CAD程式遵循預定設計規則集合，以便產生功能設計佈局/圖案化裝置。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路裝置(諸如，閘、電容器等)或互連線之間的空間容許度，以便確保該等電路裝置或線彼此不會以不合需要之方式相互作用。設計規則限制中之一或多者可被稱為「臨界尺寸」(CD)。可將電路之臨界尺寸定義為線或孔之最小寬度，或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。當然，積體電路製造中之目標中之一者係(經由圖案化裝置)在基板上如實地再生原始電路設計。 如本文所使用之術語「光罩」或「圖案化裝置」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化之橫截面的通用圖案化裝置，經圖案化之橫截面對應於待在基板之目標部分中創製之圖案；術語「光閥」亦可用於此上下文中。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此等圖案化裝置之實例包括： -可程式化鏡面陣列。此裝置之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此設備所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域使入射輻射反射作為繞射輻射，而未經定址區域使入射輻射反射作為非繞射輻射。在使用適當濾波器的情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。可(例如)自以引用之方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號搜集到關於此等鏡面陣列之更多資訊。 -可程式化LCD陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,229,872號給出此構造之實例。 作為簡要介紹，圖1說明例示性微影投影設備10A。主要組件為：輻射源12A，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源的其他類型之源(如上文所論述，微影投影設備自身無需具有輻射源)；照明光學件，其定義部分相干性(被表示為西格瑪)且可包括塑形來自源12A之輻射的光學件14A、16Aa及16Ab；圖案化裝置14A；及透射光學件16Ac，其將圖案化裝置圖案之影像投影至基板平面22A上。在投影光學件之光瞳平面處之可調整的濾波器或孔隙20A可限定沖射於基板平面22A上之光束角度之範圍，其中最大可能角度定義投影光學件之數值孔徑NA= n sin(Θmax )，n為投影光學件之最後一個元件與基板之間的媒介的折射率，且Θmax 為自投影光學件射出、仍可沖射於基板平面22A上之光束的最大角度。來自輻射源12A之輻射可不必定為單波長。替代地，輻射可為一系列不同波長。不同波長之範圍可藉由在本文中可互換使用的，被稱作「成像頻寬」、「源頻寬」或簡稱為「頻寬」之數量來特徵化。小的頻寬可降低下游組件之色像差及相關聯之聚焦誤差，該等下游組件包括源中之光學件(例如，光學件14A、16Aa及16Ab)、圖案化裝置及投影光學件。然而，此情形不一定產生絕不應放大頻寬之規則。 在系統之最佳化程序中，可將該系統之優值表示為成本函數。最佳化程序歸結為發現最佳化(例如，最小化或最大化)成本函數的一組系統參數(設計變數)的程序。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何適合的形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值(亦即，最差偏差)。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統之任何特性。歸因於系統之實施的實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影投影設備之情況下，約束常常與硬體之物理屬性及特性(諸如，可調諧範圍，及/或圖案化裝置可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像上的實體點，以及諸如劑量及聚焦之非物理特性。 在微影投影設備中，源將照明(亦即，輻射)提供至圖案化裝置，且投影光學件經由該圖案化裝置將該照明導向至基板上且將照明塑形至基板上。此處，術語「投影光學件」被廣泛地定義為包括可變更輻射光束之波前的任何光學組件。舉例而言，投影光學件可包括組件14A、16Aa、16Ab及16Ac中之至少一些。空中影像(AI)為在基板位階處之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型僅關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序之效應)。微影投影設備之光學屬性(例如，源、圖案化裝置及投影光學件之屬性)指定空中影像。由於可改變用於微影投影設備中之圖案化裝置，所以需要使圖案化裝置之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影投影設備之其餘部分之光學屬性分離。 圖2中說明用於模擬微影投影設備中之微影的例示性流程圖。源模型31表示源之光學特性(包括輻射強度分佈、頻寬及/或相位分佈)。投影光學件模型32表示投影光學件之光學特性(包括由投影光學件造成的對輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。設計佈局模型35表示設計佈局之光學特性(包括由給定設計佈局33造成的對輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)，該設計佈局為在圖案化裝置上或藉由圖案化裝置而形成之特徵之配置的表示。可自設計佈局模型35、投影光學件模型32及設計佈局模型35來模擬空中影像36。可使用抗蝕劑模型37自空中影像36模擬抗蝕劑影像38。微影之模擬可(例如)預測抗蝕劑影像中之輪廓及CD。 更具體言之，應指出源模型31可表示源之光學特性，該等光學特性包括(但不限於)數值孔徑設定、照明西格瑪(σ)設定，以及任何特定照明形狀(例如，離軸輻射源，諸如環圈、四極子、偶極子等)。投影光學件模型32可表示投影光學件之光學特性，該等光學特性包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸等。設計佈局模型35可表示實體圖案化裝置之一或多個物理屬性，如(例如)以全文引用的方式併入本文中的美國專利第7,587,704號中所描述。模擬之目標為精確地預測(例如)邊緣置放、空中影像強度斜率，及/或CD，該等預期內容可接著與預期設計比較。預期設計通常被定義為可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式提供的預OPC設計佈局。 自此設計佈局，可識別被稱作「剪輯」的一或多個部分。在實施例中，提取剪輯集合，其表示設計佈局中之複雜圖案(通常為約50個至1000個剪輯，但可使用任何數目個剪輯)。此等圖案或剪輯表示設計的小部分(亦即，電路、單元或圖案)，且更具體言之，該等剪輯通常表示需要特定注意及/或驗證的小部分。換言之，剪輯可為設計佈局的部分，或可為類似的，或具有設計佈局之部分的類似行為，其中一或多個臨界特徵係藉由經驗(包括由客戶提供之剪輯)、試誤法或執行全晶片模擬來識別。剪輯可含有一或多個測試圖案或量規圖案。 可基於設計佈局中需要特定影像最佳化之一或多個已知臨界特徵區域而先驗地由客戶提供初始較大剪輯集合。或者，在另一實施例中，可藉由使用識別該一或多個臨界特徵區域之某種自動(諸如機器視覺)或手動演算法，自整個設計佈局提取初始較大剪輯集合。 如上文所解釋，不一定將源的頻寬保持在使源之硬體可用的最小頻寬。頻寬可被用作額外設計變數，其可產生微影程序之額外靈活性或改良。由源模型31表示之光學特性可包括頻寬。將結合圖5論述加寬頻寬之效應的實例。 圖3A示意性地展示頻寬之兩個定義。其他定義係可能的。第一圖為半高全寬(FWHM)頻寬310。如其名稱所表明，FWHM頻寬為發射峰值之高度一半時之源輻射(來自輻射源)之發射峰值的寬度。此FWHM頻寬310傳達源輻射光譜及其在一半強度時之改變的一般表示，但其並不特性化光譜形狀。第二圖為E95頻寬320。E95頻寬為含有95%之源輻射之整合能量的光譜寬度。E95頻寬提供關於光譜形狀之更多資訊，且對光譜背景強度中之小的改變十分敏感。圖3B展示隨波長(水平軸)而變之標準化整合能量(垂直軸)的曲線。E95頻寬為自2.5%至97.5%源輻射之整合能量的光譜寬度。 出於多種目的，頻寬可被調整為另一設計變數。舉例而言，可調整頻寬以改良影像品質，例如，對比度(其由一或多個度量表徵，所述度量諸如影像對數斜率(ILS)及/或標準化影像對數斜率(NILS)，其中較高的ILS或NILS指示較陡的影像)，以增加另一設計變數的寬容度(例如，聚焦深度、曝光寬容度)，增加程序窗的大小，及/或改良整個基板上的臨界尺寸均一性(CDU)或基板上的局部CDU。可將頻寬增加至大於源之硬體允許之最小值的值。 在設計變數具有約束的情況下，允許調整頻寬提供更多的靈活性且改良微影程序，而不管約束。舉例而言，在已製得圖案化裝置之後，其設計佈局可能無法調整。亦即，設計變數具有約束，即在最佳化中不允許改變之圖案化裝置的任何幾何特性。如本文中所使用之術語「圖案化裝置之幾何特性」意謂圖案化裝置之設計佈局的形狀及/或大小的特性。在製得圖案化裝置且不允許調整頻寬之前，即使照明已經最佳化(例如，單獨最佳化或與圖案化裝置及/或投影光學件共同最佳化)，在製得圖案化裝置之後，結合允許頻寬改變，再優化照明、投影光學件、圖案化裝置之非幾何特性或其組合亦可改良微影程序，儘管無法再調整該圖案化裝置。 圖4展示改變頻寬之效應的實例。在此實例中，E95頻寬以50 nm之增量自200 fm改變至400 fm，其中造成NILS減小。在此實例中，劑量係不變的。圖4之水平軸展示聚焦。 圖5展示改變頻寬之效應的另一實例。在此實例中，E95頻寬以100 fm之增量自100 fm改變至400 fm；因此曝光寬容度(EL%)降低且聚焦深度(DOF)增加。此在對經改良之曝光寬容度無要求但對較高聚焦深度有要求的情況下可係有用的。加寬頻寬允許較高的聚焦深度，以損害曝光寬容度為代價。若頻寬始終固定在硬體可達到的最小值，則此靈活性可能無法獲得。 另外，偏振具有效應。舉例而言，對於在同一方向上伸長的特徵之陣列，與低頻寬(例如，200 fm)及XY偏振相比，可藉由低頻寬(例如，200 fm，相比於300 fm或更高)及TE偏振，達成最佳結果。 另外，頻寬極限不必關於標稱波長對稱。舉例而言，頻寬之邊界的一端距標稱波長的距離可比邊界的另一端更遠。因此，在最佳化中可評估(亦即，更改)頻寬極限之對稱性(例如，無論頻寬極限之一端距標稱波長的距離是否比頻寬極限之另一端更遠)。 另外，頻寬之分佈可不同於(例如)高斯分佈。因此，在最佳化中可評估(亦即，更改)頻寬環繞標稱波長之分佈(例如，改變為非高斯分佈)。 可藉由適當的調諧設備(例如)在輻射源(例如，雷射)中調諧頻寬大小、極限、分佈等。舉例而言，線窄化模組(具有(例如)移動稜鏡)及/或抖動設備可改變頻寬大小、極限、分佈等。 在微影投影設備中，作為實例，成本函數可表達為(方程式1) 其中為N 個設計變數或其值。可為設計變數的函數，諸如對於之設計變數的值集合評估點處的特性之實際值與預期值之差。為與相關聯之權重常數。可向比其他評估點或圖案更臨界之評估點或圖案指派較高的值。亦可向具有較多出現次數之圖案及/或評估點指派較高的值。評估點之實例可為基板上之任何實體點或圖案、虛擬設計佈局上之任何點，或抗蝕劑影像，或空中影像，或其組合。可為頻寬的函數，亦即變數的函數，該變數為頻寬的函數或影響頻寬，其中頻寬或變數反過來為設計變數的函數(例如，恆等函數)。可為頻寬的顯函數。可為變數的顯函數，該變數為頻寬的函數或影響頻寬。當然，不限於方程式1中之形式。可為任何其他合適之形式。 成本函數可表示微影投影設備、微影程序或基板之任何一或多個合適的特性，例如，聚焦、CD、影像移位、影像失真、影像旋轉、隨機變化、產出率、局部CD變化、程序窗，或其組合。在一個實施例中，設計變數包含自下列各者中選出之一或多個：劑量、圖案化裝置之整體偏置及/或照明之形狀。在一個實施例中，設計變數包含源之頻寬。由於抗蝕劑影像常常指定基板上之圖案，因此成本函數可包括表示抗蝕劑影像之一或多個特性的函數。舉例而言，此評估點之可僅僅為抗蝕劑影像中之一點與彼點之預期位置之間的距離(亦即，邊緣置放誤差)。設計變數可包括任何可調整參數，諸如源之可調整參數(例如，頻寬)、圖案化裝置、投影光學件、劑量、聚焦等。 微影設備可包括可用以調整波前及強度分佈之形狀及/或輻射光束之相移的總稱為「波前操控器」之組件。在實施例中，微影設備可調整沿微影投影設備之光學路徑之任何部位處的波前及強度分佈，諸如在圖案化裝置之前、在光瞳平面附近、在影像平面附近及/或在焦點平面附近。波前操控器可用以校正或補償由(例如)源、圖案化裝置、微影投影設備中之溫度變化、微影投影設備之組件之熱膨脹等所導致的波前及強度分佈及/或相移的某些失真。調整波前及強度分佈及/或相移可改變評估點及成本函數之值。可自模型模擬此等改變或實際上量測此等改變。 設計變數可具有約束，該等約束可被表達為，其中為設計變數之可能值集合。可藉由微影投影設備之所要產出率強加對設計變數之一個可能約束。在無藉由所要產出率強加之此約束的情況下，最佳化可得到不切實際的設計變數之值集合。舉例而言，若劑量為設計變數，則在無此約束之情況下，最佳化可得到使產出率經濟上不可能的劑量值。然而，約束之有用性不應被解譯為必要性。舉例而言，產出率可受光瞳填充比影響。對於一些照明設計，低光瞳填充比可捨棄輻射，從而導致較低產出率。產出率亦可受到抗蝕劑化學反應影響。較慢抗蝕劑(例如，要求適當地曝光較高量之輻射的抗蝕劑)導致較低產出率。在實施例中，對設計變數之約束使得設計變數無法具有改變圖案化裝置之任何幾何特性的值，亦即，在最佳化期間圖案化裝置上之圖案將保持不變。 因此，最佳化程序應在最佳化成本函數之約束下，尋找一或多個設計變數之值集合，例如，尋找：(方程式2) 根據實施例，最佳化之通用方法在圖6中予以說明。此方法包含定義複數個設計變數之多變數成本函數的步驟302。設計變數可包含選自表示照明之一或多個特性(300A)(例如，光瞳填充比，亦即穿過光瞳或孔隙之照明之輻射的百分比)、投影光學件之一或多個特性(300B)及/或設計佈局之一或多個特性(300C)的設計變數之任何合適組合。舉例而言，設計變數可包括表示照明之一或多個特性(300A)(例如，為或包括頻寬)及設計佈局之一或多個特性(300C)(例如，整體偏置)但不表示投影光學件之一或多個特性(300B)的設計變數，該等設計變數產生照明-圖案化裝置(例如，光罩)最佳化(「源-光罩最佳化」或SMO)。或，設計變數可包括表示照明之一或多個特性(300A)(視情況偏振)、投影光學件之一或多個特性(300B)及設計佈局之一或多個特性(300C)的設計變數，該等設計變數產生照明-圖案化裝置(例如，光罩)-投影系統(例如，透鏡)最佳化(「源-光罩-透鏡最佳化」或SMLO)。或，設計變數可包括表示照明之一或多個特性(300A)(例如，為或包括頻寬)、圖案化裝置之一或多個非幾何特性，或投影光學件之一或多個特性(300B)，但不表示圖案化裝置之任何幾何特性的設計變數。在步驟304中，同時地調整設計變數，使得成本函數移動朝向收斂。在步驟306中，判定是否滿足預定義終止條件。預定終止條件可包括各種可能性，例如選自以下各者之一或多者：視需要藉由所用之數值技術最小化或最大化成本函數，成本函數之值等於臨限值或超出臨限值，成本函數之值達到預設誤差極限內，及/或達到預設數目次迭代。若在步驟306中滿足條件，則方法結束。若在步驟中306未滿足一或多個條件，則迭代重複步驟304及306，直至獲得所要結果。最佳化無需產生用於一或多個設計變數之單一值集合，此係由於可能存在由諸如光瞳填充因數、抗蝕劑化學方法、產出率等等之因素所導致的物理限制。最佳化可提供用於一或多個設計變數之多個值集合及相關聯之效能特性(例如，產出率)，且允許微影設備之使用者選取一或多個集合。 可交替地最佳化(被稱作交替最佳化)或同時地最佳化(被稱作同時最佳化)設計變數之不同子集(例如，包括照明之特性的一個子集、包括圖案化裝置之特性的一個子集及包括投影光學件之特性的一個子集)。因此，經「同時地」或「聯合地」最佳化的設計變數之兩個子集意謂可同時改變兩個子集之設計變數。如本文中所使用之經「交替地」最佳化的設計變數之兩個子集意謂在第一最佳化中允許改變第一子集之設計變數但不允許改變第二子集之設計變數且接著在第二最佳化中允許改變第二子集之設計變數但不允許改變第一子集之設計變數。 在圖6中，同時地執行所有設計變數之最佳化。此流程可被稱為同時流程或共同最佳化流程。或者，交替地執行所有設計變數之最佳化，如圖7中所說明。在此流程中，在每一步驟中，使一些設計變數固定，而最佳化其他設計變數以最小化成本函數；接著，在下一步驟中，使不同變數集合固定，而最佳化其他變數集合以最小化或最大化成本函數。交替地執行此等步驟，直至滿足收斂或某一終止條件為止。如圖7之非限制性實例流程圖中所展示，首先獲得設計佈局(步驟402)，接著執行步驟404中之照明最佳化步驟，其中最佳化照明之一或多個設計變數(例如，頻寬)(SO)以在其他設計變數固定時最小化或最大化成本函數。隨後，在下一步驟406中，執行投影光學件最佳化(LO)，其中最佳化投影光學件之設計變數以在其他設計變數固定時最小化或最大化成本函數。交替地執行此等兩個步驟，直至在步驟408中滿足某一終止條件。可使用一或多個各種終止條件，諸如成本函數之值變為等於臨限值，成本函數之值超過臨限值，成本函數之值達到預設誤差極限內，達到預設數目次迭代等。應注意SO-LO-交替最佳化用作用於替代流程的實例。作為另一實例，首先執行不允許改變頻寬的照明-圖案化裝置共同最佳化(SMO)或照明-圖案化裝置-投影光學件共同最佳化(SMLO)，接著執行允許改變頻寬的SO或照明-投影光學件共同最佳化(SLO)。最後，在步驟410中獲得最佳化結果之輸出，且程序停止。 如之前所論述之圖案選擇演算法可與同時或交替最佳化整合。舉例而言，當採納交替最佳化時，首先可執行全晶片SO，識別一或多個「熱點」及/或「溫點」，接著執行LO。鑒於本發明，次最佳化之眾多排列及組合係可能的，以便達成所要最佳化結果。 圖8A展示一個最佳化之例示性方法，其中成本函數經最小化或最大化。在步驟S502中，獲得一或多個設計變數之初始值，包括一或多個相關聯之調諧範圍(若存在)。在步驟S504中，設置多變數成本函數。在步驟S506中，在圍繞用於第一迭代步驟(i=0)之一或多個設計變數之起點值的足夠小之鄰域內展開成本函數。在步驟S508中，將標準多變數最佳化技術應用於成本函數。應注意，最佳化問題可在S508中的最佳化程序期間或在最佳化程序後期應用約束，諸如一或多個調諧範圍。步驟S520指示針對已選定以最佳化微影程序之所識別評估點，對一或多個給定測試圖案(亦被稱為「量規」)進行每一迭代。在步驟S510中，預測微影回應。在步驟S512中，比較步驟S510之結果與步驟S522中獲得之所要或理想微影回應值。若在步驟S514中滿足終止條件，亦即，最佳化產生足夠接近於所要值之微影回應值，則接著在步驟S518中輸出設計變數之最終值。輸出步驟亦可包括輸出使用設計變數之最終值的一或多個其他函數，諸如輸出光瞳平面(或其他平面)處的波前像差經調整映射、最佳化照明映射，及/或最佳化設計佈局等。若不滿足終止條件，則在步驟S516中，用第i次迭代之結果更新一或多個設計變數之值，且程序返回至步驟S506。下文詳細地闡述圖8A之程序。 在例示性最佳化程序中，不假定或近似設計變數與之間的關係，惟足夠平滑(例如，存在一階導數)除外，此通常在微影投影設備中有效。可應用諸如高斯-牛頓演算法、雷文柏格-馬括特演算法、布洛伊登-費萊雪-高德法伯-香農演算法、梯度下降演算法、模擬退火演算法、內在點演算法及遺傳演算法的演算法來尋找。 此處，將高斯-牛頓演算法用作實例。高斯-牛頓演算法為適用於一般非線性多變數最佳化問題之迭代方法。在設計變數採取值之第i 迭代中，高斯-牛頓演算法線性化附近之，且接著計算在附近之給出之最小值的值。設計變數在第(i +1)迭代中採取值。此迭代繼續直至收斂(亦即，不再縮減)或達到預設數目次迭代為止。 具體言之，在第i 迭代中，在附近，(方程式3) 在方程式3之近似下，成本函數變為： (方程式4) 成本函數為設計變數的二次函數。除設計變數外，每一項均為常數。 若設計變數不在任何約束下，則可藉由N 個線性方程式進行求解而導出：，其中。 若設計變數係在呈J 個不等式(例如，之調諧範圍)之約束下(其中)；且在K 個方程式(例如，設計變數之間的相互相依性)之約束下(其中)，則最佳化程序變為經典二次規劃問題，其中、、、為常數。可針對每一迭代來強加額外約束。舉例而言，可引入「阻尼因數」以限制與之間的差，以使得方程式3成立。此等約束可表達為。可使用(例如)Jorge Nocedal及Stephen J.Wright (Berlin New York: Vandenberghe. Cambridge University Press)之Numerical Optimization (第2版)中描述的方法來導出。 代替最小化之RMS，最佳化程序可將評估點當中之最大偏差(最差缺陷)之量值最小化至其預期值。在此做法中，可替代地將成本函數表達為(方程式5) 其中為用於之最大允許值。此成本函數表示評估點當中的最差缺陷。使用此成本函數之最佳化最小化最差缺陷之量值。迭代貪心演算法可用於此最佳化。 可將方程式5之成本函數近似為：(方程式6) 其中q為正偶數，諸如，至少為4，或至少為10。方程式6模仿方程式5之行為，同時允許藉由使用諸如最深下降方法、共軛梯度方法等之方法來分析上執行最佳化且使最佳化加速。 最小化最差缺陷大小亦可與之線性化組合。具體言之，如在方程式3中一樣，近似。接著，將對最差缺陷大小之約束書寫為不等式，其中及為指定用於之最小偏差及最大允許偏差之兩個常數。插入方程式3，將此等約束轉變為如下方程式，(其中p=1、……、P)，(方程式6') 及(方程式6'') 由於方程式3通常僅在附近有效，所以倘若在此附近不能達成所要約束(其可藉由該等不等式當中之任何衝突予以判定)，則可放寬常數及直至可達成此等約束為止。此最佳化程序最小化，i附近之最差缺陷大小。接著，每一步驟逐步地縮減最差缺陷大小，且迭代地執行每一步驟直至符合某些終止條件為止。此情形將導致最差缺陷大小之最佳縮減。 用以最小化最差缺陷之另一方式在每一迭代中調整權重。舉例而言，在第i 迭代之後，若第r 評估點為最差缺陷，則可在第(i +1)迭代中增加，以使得向彼評估點之缺陷大小之縮減給出較高優先級。 此外，可藉由引入拉格朗日乘數來修改方程式4及方程式5中之成本函數，以達成對缺陷大小之RMS之最佳化與對最差缺陷大小之最佳化之間的折衷，亦即，(方程式6''') 其中λ為指定對缺陷大小之RMS之最佳化與對最差缺陷大小之最佳化之間的取捨之預設常數。詳言之，若λ=0，則此方程式變為方程式4，且僅最小化缺陷大小之RMS；而若λ=1，則此方程式變為方程式5，且僅最小化最差缺陷大小；若0＜λ＜1，則在最佳化中考量最小化缺陷大小之RMS及最小化最差缺陷大小以上兩種情況。可使用多個方法來解決此最佳化。舉例而言，類似於先前所描述之方法，可調整每一迭代中之加權。或者，類似於自不等式最小化最差缺陷大小，方程式6'及6''之不等式可被視為在二次規劃問題之求解期間的設計變數之約束。接著，可遞增地放寬對最差缺陷大小之界限，或遞增地增加用於最差缺陷大小之權重，計算用於每一可達成最差缺陷大小之成本函數值，且選擇最小化總成本函數之設計變數值作為用於下一步驟之初始點。藉由迭代地進行此操作，可達成此新成本函數之最小化。 最佳化微影投影設備可擴展程序窗。較大程序窗在程序設計及晶片設計方面提供更多靈活性。程序窗可被定義為(例如)使抗蝕劑影像在抗蝕劑影像之設計目標之某一極限內的聚焦及劑量值集合。應注意，此處所論述之所有方法亦可延伸為可藉由除了曝光劑量及散焦以外的不同或額外基參數而建立的廣義程序窗定義。此等基參數可包括但不限於諸如NA、西格瑪、像差、偏振之光學設定，或抗蝕劑層之光學常數。舉例而言，如前所述，若程序窗(PW)亦包含不同圖案化裝置圖案偏置(光罩偏置)，則最佳化包括光罩誤差增強因數(MEEF)之最小化，該光罩誤差增強因數被定義為基板邊緣置放誤差(EPE)與感應圖案化裝置圖案邊緣偏置之間之比。關於對聚焦及劑量值所定義之程序窗在本發明中僅用作實例。 根據實施例，最大化將(例如)劑量及聚焦用作其參數的程序窗之方法在下文中予以描述。在第一步驟中，在自程序窗中之已知條件開始的情況下(其中f 0 為標稱聚焦且ε 0 為標稱劑量)，最小化在附近下方之成本函數中之一者：(方程式7) 或(方程式7') 或(方程式7'') 若允許標稱聚焦f 0 及標稱劑量ε 0 移位，則其可與設計變數聯合地被最佳化。在下一步驟中，若可找到之集合，則接受作為程序窗之部分，以使得成本函數在預設極限內。 若不允許聚焦及劑量移位，則在聚焦及劑量固定於標稱聚焦f 0 及標稱劑量ε 0 的情況下最佳化設計變數。在替代實施例中，若可找到之集合，則接受作為程序窗之部分，以使得成本函數在預設極限內。 本發明中前文所描述之方法可用以最小化方程式7、7'或7''之各別成本函數。若設計變數表示投影光學件之一或多個特性，諸如任尼克係數，則最小化方程式7、7'或7''之成本函數基於投影光學件最佳化，亦即LO而造成程序窗最大化。若設計變數表示照明及圖案化裝置之一或多個特性(除投影光學件之彼等以外)，則最小化方程式7、7'或7''之成本函數基於SMLO而造成程序窗最大化，如圖6中所說明。若設計變數表示源及圖案化裝置之一或多個特性，則最小化方程式7、7'或7''之成本函數基於SMO而造成程序窗最大化。方程式7、7'或7''之成本函數亦可包括諸如本文中所描述之至少一個，其為頻寬的函數。 圖9展示同時SMLO程序可如何使用高斯-牛頓演算法以用於最佳化的一個特定實例。在步驟S702中，識別一或多個設計變數之起始值。亦可識別每一變數之調諧範圍。在步驟S704中，使用一或多個設計變數定義成本函數。在步驟S706中，圍繞用於設計佈局中之所有評估點之起始值展開成本函數。在步驟S708中，應用合適的最佳化技術來最小化或最大化成本函數。在可選步驟S710中，執行全晶片模擬以覆蓋全晶片設計佈局中之所有臨界圖案。在步驟S714中獲得所要微影回應度量(諸如CD或EPE)，且在步驟S712中將所要微影回應度量與彼等數量之經預測值進行比較。在步驟S716中，判定程序窗。步驟S718、S720及S722類似於如關於圖8A所描述之對應步驟S514、S516及S518。如之前所提及，最終輸出可為(例如)光瞳平面中之波前像差映射，其經最佳化以產生所要成像效能。最終輸出可為(例如)最佳化照明映射及/或最佳化設計佈局。 圖8B展示用以最佳化成本函數之例示性方法，其中設計變數包括可僅假定離散值之設計變數。 該方法藉由定義照明之像素群組及圖案化裝置之圖案化裝置圖案塊而開始(步驟802)。通常，像素群組或圖案化裝置圖案塊亦可被稱作微影程序組件之劃分部。在一種例示性做法中，將照明劃分成117個像素群組，且針對圖案化裝置定義94個圖案化裝置圖案塊(實質上如上文所描述)，從而得到總共211個劃分部。 在步驟804中，選擇一微影模型作為用於光微影模擬之基礎。微影模擬產生用於一或多個微影度量之計算中的結果或回應。將一特定微影度量定義為待最佳化之效能度量(步驟806)。在步驟808中，設置用於照明及圖案化裝置之初始(預最佳化)條件。初始條件包括用於照明之像素群組及圖案化裝置之圖案化裝置圖案塊的初始狀態，以使得可參考初始照明形狀及初始圖案化裝置圖案。初始條件亦可包括圖案化裝置圖案偏置(有時被稱作光罩偏置)、NA，及/或聚焦斜率範圍。儘管步驟802、804、806及808被描繪為有序步驟，但應瞭解，在其他實施例中，可在其他序列中執行此等步驟。 在步驟810中，對像素群組及圖案化裝置圖案塊順位。可使像素群組及圖案化裝置圖案塊在順位中交錯。可採用各種順位方式，包括：依序地(例如，自像素群組1至像素群組117及自圖案化裝置圖案塊1至圖案化裝置圖案塊94)、隨機地、根據該等像素群組及圖案化裝置圖案塊之實體部位(例如，將較接近於照明之中心之像素群組順位得較高)，及/或根據該像素群組或圖案化裝置圖案塊之變更如何影響效能度量。 一旦將像素群組及圖案化裝置圖案塊順位，便調整照明及圖案化裝置以改良效能度量(步驟812)。在步驟812中，按順位之次序來分析像素群組及圖案化裝置圖案塊中之每一者，以判定像素群組或圖案化裝置圖案塊之變更是否將產生效能度量改良。若判定效能度量將被改良，則相應地變更像素群組或圖案化裝置圖案塊，且所得經改良效能度量及經修改照明形狀或經修改圖案化裝置圖案形成基線以供比較，以用於後續分析較低順位之像素群組及圖案化裝置圖案塊。換言之，保持改良效能度量之變更。隨著進行並及保持對像素群組及圖案化裝置圖案塊之狀態的變更，初始照明形狀及初始圖案化裝置圖案相應地改變，使得步驟812中之最佳化程序產生經修改照明形狀及經修改圖案化裝置圖案。 在其他做法中，亦在812之最佳化程序內執行像素群組及/或圖案化裝置圖案塊之圖案化裝置多邊形形狀調整及成對輪詢。 在實施例中，交錯式同時最佳化工序可包括變更照明之像素群組，且若發現效能度量之改良，則將劑量或強度向上及/或向下步進以尋找進一步改良。在另一實施例中，可藉由圖案化裝置圖案的偏置改變來替換劑量或強度的逐步升高及降低，以尋找同時最佳化工序的進一步改良。 在步驟814中，做出進行關於效能度量是否已收斂之判定。舉例而言，若在步驟810及812之最後幾次迭代中已證明效能度量之很小改良或無改良，則效能度量可視為已收斂。若效能度量尚未收斂，則在下一迭代中重複步驟810及812，其中自當前迭代之經修改照明形狀及經修改圖案化裝置係用作下一迭代之初始照明形狀及初始圖案化裝置(步驟816)。 上文所描述之最佳化方法可被用以增加微影投影設備之產出率。舉例而言，成本函數可包括為曝光時間之函數的。在實施例中，此成本函數之最佳化受頻寬之量測或其他度量約束或影響。 圖10為說明可輔助實施本文所揭示之最佳化方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及經與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104 (或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括經耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如，隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體106亦可被用於在待由處理器104執行之指令的執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括經耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存裝置。提供諸如磁碟或光碟之儲存裝置110，且該儲存裝置經耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。 電腦系統100可經由匯流排102而被耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入裝置114經耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向鍵。此輸入裝置通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該裝置指定在平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入裝置。 根據一個實施例，最佳化程序的部分可回應於執行包含於主記憶體106中之一或多個指令之一或多個序列的處理器104而由電腦系統100執行。可自諸如儲存裝置110之另一電腦可讀媒體，將此類指令讀取至主記憶體106中。包含於主記憶體106中之指令序列的執行使得處理器104執行本文中所描述之程序步驟。亦可採用多處理配置中之一或多個處理器，以執行包含於主記憶體106中的指令序列。在替代實施例中，可取代或結合軟體指令來使用硬佈線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。 如本文所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可呈許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如儲存裝置110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖，包括包含匯流排102的線。傳輸媒體亦可呈聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外(IR)資料通信期間所產生之彼等聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。 各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中攜載之資料且將該資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體擷取且執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存裝置110上。 電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦接，該網路鏈路連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供至對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電氣、電磁或光學信號。 網路鏈路120通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料裝置。舉例而言，網路鏈路120可提供經由區域網路122至主機電腦124之連接或至由網際網路服務提供者(ISP) 126操作之資料裝備的連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現通常稱作「網際網路」128)來提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128兩者使用攜載數位資料串流的電氣、電磁或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的例示性形式之載波。 電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求之程式碼。一個此類經下載之應用程式可提供(例如)實施例之照明最佳化。經接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存裝置110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波形式之應用程式碼。 圖11示意性地描繪可利用本文中所描述之方法而最佳化照明的例示性微影投影設備。該設備包含： - 一照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定情況下，照明系統亦包含輻射源SO； - 第一物件台(例如，圖案化裝置台)MT，其配備有用以固持圖案化裝置MA(例如，倍縮光罩)之圖案化裝置固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該圖案化裝置之第一定位器； - 第二物件台(基板台)WT，其配備有用以固持基板W(例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該基板之第二定位器； - 投影系統(「透鏡」)PS(例如，折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化裝置MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。 如本文中所描繪，設備為透射類型(亦即，具有透射圖案化裝置)。然而，一般而言，其亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化裝置)。設備可將不同種類之圖案化裝置用於典型光罩；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。 源SO(例如，水銀燈或準分子雷射、LPP(雷射產生電漿)EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地抑或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器)IL中。照明器IL可包含調整構件AD以用於設定光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作s外部及s內部)。此外，照明器通常將包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。以此方式，沖射於圖案化裝置MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 關於圖11應注意，源SO可在微影投影設備之外殼內(此常常為當源SO為(例如)水銀燈時之情況)，但其亦可在微影投影設備遠端，其所產生之輻射光束被導向至該設備中(例如，藉助於合適的導向鏡面)；後一情境常常為當源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F2 雷射)時之情況。 光束PB隨後截取被固持於圖案化裝置台MT上之圖案化裝置MA。橫穿圖案化裝置MA後，光束B穿過透鏡PL，透鏡PL將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT(例如)以便使不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。類似地，第一定位構件可用以(例如)在自圖案化裝置庫對圖案化裝置MA之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，將藉助於未在圖11中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之情況下，圖案化裝置台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。 所描繪工具可用於兩種不同模式中： - 在步進模式中，將圖案化裝置台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化裝置影像一次性投影(亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。接著在x方向及/或y方向上使基板台WT移位，使得不同目標部分C可由光束PB輻照； - 在掃描模式中，相同情境基本上適用，惟單次「閃光」中不曝光給定目標部分C除外。替代地，圖案化裝置台MT可在給定方向(所謂「掃描方向」，例如，y方向)上以速率v移動，使得引起投影光束B遍及圖案化裝置影像進行掃描；並行地，基板台WT以速率V=Mv在相同或相反方向上同時移動，其中M為透鏡PL之放大率(通常，M=1/4或=1/5)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對大的目標部分C。 圖12示意性地描繪可利用本文中所描述之方法而最佳化照明的另一例示性微影投影設備1000。 微影投影設備1000包含： - 源收集器模組SO； - 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)； - 支撐結構(例如，圖案化裝置台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩或倍縮光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化裝置之第一定位器PM； - 基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及 - 投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 如此處所描繪，設備1000具有反射類型(例如，採用反射圖案化裝置)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化裝置可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可藉由X射線微影來產生甚至更小的波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，所以圖案化裝置構形上之經圖案化吸收材料之薄片件(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)定義特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。 參看圖12，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於藉由運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一個元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此方法(常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料的小液滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖12中未展示)的EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發出輸出輻射，例如，EUV輻射，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器來收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離的實體。 在此等情況下，不認為雷射形成微影設備之部件，且輻射光束係藉助於包含(例如)合適的導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他情況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。 照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明器可被用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，圖案化裝置台)MT上之圖案化裝置(例如光罩)MA上，且由圖案化裝置而圖案化。在自圖案化裝置(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。可藉助於第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)來準確地移動基板台WT，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，光罩)MA。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，光罩)MA及基板W。 所描繪設備1000可用於以下模式中之至少一者中： 1.  在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化裝置台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。 2.  在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，圖案化裝置台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，圖案化裝置台)MT之速度及方向。 3.  在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之逐次輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 圖13更詳細地展示設備1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置以使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源而形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如，Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜的EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由引起至少部分地離子化電漿之放電而產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如) 10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。 由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的可選氣體障壁或污染物截留器230(在一些情況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中為吾人所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。 收集器腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可由光柵光譜濾波器240反射，以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦在虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且配置源收集器模組，以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。 隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24經配置以提供在圖案化裝置MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化裝置MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處的輻射光束21之反射後，就形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。 照明光學件單元IL及投影系統PS中通常存在比所展示之元件更多的元件。視微影設備之類型而定，可視情況存在光柵光譜濾波器240。另外，可存在比諸圖中所展示之彼等鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖13所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。 如圖13中所說明，收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為採集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱安置，且此類型之收集器光學件CO可與常常被稱作DPP源之放電產生電漿源組合使用。 或者，源收集器模組SO可為如圖14所展示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十eV之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。 美國專利申請公開案第US 2013-0179847號的全部內容特此以引用之方式併入。 可使用以下條項進一步描述本發明： 1.    一種改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的方法，該方法包含： 藉由一電腦系統計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬的一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬的一變數的一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性的複數個設計變數中之一或多者的一函數；及 藉由一電腦系統調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者。 2.    一種改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的方法，該方法包含： 藉由一電腦系統計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性的複數個設計變數的一函數；及 藉由一電腦系統調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者， 其中，在該重組態期間允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。 3.    如條項1或條項2之方法，其中該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。 4.    如條項1至條項3中任一項之方法，其中該頻寬為一半高全寬(FWHM)頻寬。 5.    如條項1至條項3中任一項之方法，其中該頻寬為一E95頻寬。 6.    如條項1至條項5中任一項之方法，其中該頻寬增加至大於該源之硬體允許之一最小值的一值。 7.    如條項1至條項6中任一項之方法，其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者改良了該設計佈局之該部分的一影像品質。 8.    如條項1至條項6中任一項之方法，其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者增加了該等設計變數中之至少一者的寬容度。 9.    如條項8之方法，其中該寬容度為聚焦深度或曝光寬容度。 10.  如條項1至條項9中任一項之方法，其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者增加了一程序窗之一大小。 11.  如條項1至條項10中任一項之方法，其中該成本函數為選自以下各者之一或多者的一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，或最佳焦點偏移。 12.  如條項1至條項11中任一項之方法，其中該設計佈局之該部分包含選自以下各者之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、已知為具有一臨界特徵的一設計佈局之一區段、一熱點或一溫點已被識別的該設計佈局之一區段，或一臨界特徵已被識別的該設計佈局之一區段。 13.  如條項1至條項12中任一項之方法，其中該終止條件包含選自以下各者之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到某一數目次迭代；達到等於或超出某一臨限值的該成本函數之一值；達到某一計算時間；達到在一可接受誤差極限內的該成本函數之一值；或最小化該微影程序中之一曝光時間。 14.  如條項1至條項13中任一項之方法，其中該等設計變數中之一或多者表示藉由該微影設備進行之一照明的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該設計佈局之一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該微影設備之投影光學件的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該基板之一抗蝕劑的一或多個特性，或該等設計變數中之一或多者表示一空中影像或一抗蝕劑影像之一或多個特性。 15.  如條項14之方法，其中空中影像或該抗蝕劑影像為一模擬影像。 16.  如條項1至條項15中任一項之方法，其中該重組態包含指定該等設計變數中之至少一者之一範圍的一約束。 17.  如條項1至條項16中任一項之方法，其中該成本函數藉由選自由高斯-牛頓演算法、雷文柏格-馬括特演算法、布洛伊登-費萊雪-高德法伯-香農演算法、梯度下降演算法、模擬退火演算法、內在點演算法及遺傳演算法組成之一群組的一方法予以最小化或最大化。 18.  一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施一方法以改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上的一微影程序，該方法包含： 藉由一電腦計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬的一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬的一變數的一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性的複數個設計變數中之一或多者的一函數；及 藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者。 19.  一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施一方法以改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上的一微影程序，該方法包含： 藉由一電腦系統計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性的複數個設計變數的一函數；及 藉由一電腦系統調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者， 其中，在該重組態期間允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。 20.  如條項18或條項19之電腦程式產品，其中該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。 21.  如條項18至條項20中任一項之電腦程式產品，其中該頻寬為一半高全寬(FWHM)頻寬。 22.  如條項18至條項20中任一項之電腦程式產品，其中該頻寬為一E95頻寬。 23.  如條項18至條項22中任一項之電腦程式產品，其中該頻寬增加至大於該源之硬體允許之一最小值的一值。 24.  如條項18至條項23中任一項之電腦程式產品，其中其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者改良了該設計佈局之該部分的一影像品質。 25.  如條項18至條項24中任一項之電腦程式產品，其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者增加了該等設計變數中之至少一者的寬容度。 26.  如條項25之電腦程式產品，其中該寬容度為聚焦深度或曝光寬容度。 27.  如條項18至條項26中任一項之電腦程式產品，其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者增加了一程序窗之一大小。 28.  如條項18至條項27中任一項之電腦程式產品，其中該成本函數為選自以下各者之一或多者的一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，或最佳焦點偏移。 29.  如條項18至條項28中任一項之電腦程式產品，其中該設計佈局之該部分包含選自以下各者之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、已知為具有一臨界特徵的一設計佈局之一區段、一熱點或一溫點已被識別的該設計佈局之一區段，或一臨界特徵已被識別的該設計佈局之一區段。 30.  如條項18至條項29中任一項之電腦程式產品，其中該終止條件包含選自以下各者之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到某一數目次迭代；達到等於或超出某一臨限值的該成本函數之一值；達到某一計算時間；達到在一可接受誤差極限內的該成本函數之一值；或最小化該微影程序中之一曝光時間。 31.  如條項18至條項30中任一項之電腦程式產品，其中該等設計變數中之一或多者表示藉由該微影設備進行之一照明的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該設計佈局之一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該微影設備之投影光學件的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該基板之一抗蝕劑的一或多個特性，或該等設計變數中之一或多者表示一空中影像或一抗蝕劑影像之一或多個特性。 32.  如條項31之電腦程式產品，其中空中影像或該抗蝕劑影像為一模擬影像。 33.  如條項18至條項32中任一項之電腦程式產品，其中該重組態包含指定該等設計變數中之至少一者之一範圍的一約束。 34.  如條項18至條項33中任一項之電腦程式產品，其中該成本函數藉由選自由高斯-牛頓演算法、雷文柏格-馬括特演算法、布洛伊登-費萊雪-高德法伯-香農演算法、梯度下降演算法、模擬退火演算法、內在點演算法及遺傳演算法組成之一群組的一方法予以最小化或最大化。 35.  一種改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的系統，該系統包含： 用於計算一多變數成本函數之一構件，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬的一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬的一變數的一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性的複數個設計變數中之一者或為該複數個設計變數中之一或多者的一函數；及 用於藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者的一構件。 36.  一種改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的系統，該系統包含： 用於計算一多變數成本函數之一構件，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性的複數個設計變數的一函數； 用於藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中之一或多者的一構件，其中，在該重組態期間，允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。 37.  如條項36或條項37之系統，其中該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。 38.  如條項35至條項37中任一項之系統，其中該頻寬為一半高全寬(FWHM)頻寬或一E95頻寬。 39.  如條項35至條項38中任一項之系統，其中該頻寬為大於該源之硬體允許之一最小值的一值。 40.  如條項35至條項39中任一項之系統，其中該成本函數為選自以下各者之一或多者的一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，或最佳焦點偏移。 41.  如條項35至條項40中任一項之系統，其中該終止條件包含選自以下各者之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到某一數目次迭代；達到等於或超出某一臨限值的該成本函數之一值；達到某一計算時間；達到在一可接受誤差極限內的該成本函數之一值；或最小化該微影程序中之一曝光時間。 42.  如條項35至條項41中任一項之系統，其中該等設計變數中之一或多者表示藉由該微影設備進行之一照明的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該設計佈局之一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該微影設備之投影光學件的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該基板之一抗蝕劑的一或多個特性，或該等設計變數中之一或多者表示一空中影像或一抗蝕劑影像之一或多個特性。 本文所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於成像子波長特徵之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193 nm波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157 nm波長之EUV(極紫外線)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由使用高能電子來撞擊材料(固體抑或電漿)而產生20 nm至5 nm範圍內之波長，以便產生此範圍內之光子。 雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示概念可用於任何類型之微影成像系統，例如，用於成像於除矽晶圓外之基板上的彼等微影成像系統。 除非上下文需要，否則詞「或」不應視為不包括所列項目之任何組合。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。
10A‧‧‧微影投影設備
12A‧‧‧輻射源
14A‧‧‧光學件/圖案化裝置/組件
16Aa‧‧‧光學件/組件
16Ab‧‧‧光學件/組件
16Ac‧‧‧透射光學件/組件
20A‧‧‧濾波器/孔隙
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面裝置
22A‧‧‧基板平面
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面裝置
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
31‧‧‧源模型
32‧‧‧投影光學件模型
33‧‧‧給定設計佈局
35‧‧‧設計佈局模型
36‧‧‧空中影像
37‧‧‧抗蝕劑模型
38‧‧‧抗蝕劑影像
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存裝置
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入裝置
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧區域網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務提供者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
210‧‧‧EUV輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧可選氣體障壁/污染物截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾波器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
300A‧‧‧照明之一或多個特性
300B‧‧‧投影光學件之一或多個特性
300C‧‧‧設計佈局之一或多個特性
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟
310‧‧‧半高全寬(FWHM)頻寬
320‧‧‧E95頻寬
402‧‧‧步驟
404‧‧‧步驟
406‧‧‧步驟
408‧‧‧步驟
410‧‧‧步驟
802‧‧‧步驟
804‧‧‧步驟
806‧‧‧步驟
808‧‧‧步驟
810‧‧‧步驟
812‧‧‧步驟
814‧‧‧步驟
816‧‧‧步驟
1000‧‧‧微影投影設備
AD‧‧‧調整構件
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器/輻射收集器/收集器光學件
Ex‧‧‧光束擴展器
F‧‧‧速度
IF‧‧‧干涉量測構件/虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧雷射
M‧‧‧放大因數
M1‧‧‧圖案化裝置對準標記
M2‧‧‧圖案化裝置對準標記
MA‧‧‧圖案化裝置
MT‧‧‧第一物件台/圖案化裝置台/支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧光束
PL‧‧‧透鏡
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧項目/投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
S502‧‧‧步驟
S504‧‧‧步驟
S506‧‧‧步驟
S508‧‧‧步驟
S510‧‧‧步驟
S512‧‧‧步驟
S514‧‧‧步驟
S516‧‧‧步驟
S518‧‧‧步驟
S520‧‧‧步驟
S522‧‧‧步驟
S702‧‧‧步驟
S704‧‧‧步驟
S706‧‧‧步驟
S708‧‧‧步驟
S710‧‧‧步驟
S712‧‧‧步驟
S714‧‧‧步驟
S716‧‧‧步驟
S718‧‧‧步驟
S720‧‧‧步驟
S722‧‧‧步驟
SO‧‧‧輻射源/源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧第二物件台/基板台
圖1為微影系統之各種子系統的方塊圖。 圖2為對應於圖1中之子系統之模擬模型的方塊圖。 圖3A展示頻寬之兩個定義。 圖3B展示隨波長(水平軸)而變之標準化整合能量(垂直軸)的曲線。 圖4展示改變頻寬之效應的實例。 圖5展示改變頻寬之效應的另一實例。 圖6為說明聯合最佳化/共同最佳化之實例方法之態樣的流程圖。 圖7展示根據實施例之另一最佳化方法的實施例。 圖8A、圖8B及圖9展示各種最佳化程序之實例流程圖。 圖10為實例電腦系統之方塊圖。 圖11為微影投影設備之示意圖。 圖12為另一微影投影設備之示意圖。 圖13為圖12中之設備的更詳細視圖。 圖14為圖12及圖13之設備之源收集器模組SO的更詳細視圖。
300A‧‧‧照明之一或多個特性
300B‧‧‧投影光學件之一或多個特性
300C‧‧‧設計佈局之一或多個特性
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟

Claims (15)

  1. 一種改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的方法，該方法包含： 藉由一電腦系統來計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬之一函數，或為該頻寬之一函數，或為影響該頻寬的一變數之一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性之複數個設計變數中之一或多者之一函數；及 藉由一電腦系統調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中的一或多者。
  2. 如請求項1之方法，其中該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。
  3. 如請求項1之方法，其中該頻寬為一半高全寬(FWHM)頻寬，或其中該頻寬為一E95頻寬。
  4. 如請求項1之方法，其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者改良了該設計佈局之該部分之一影像品質。
  5. 如請求項1之方法，其中重組態該微影程序之該等特性中之該一或多者增加了該等設計變數中之至少一者的寬容度。
  6. 如請求項5之方法，其中該寬容度為聚焦深度或曝光寬容度。
  7. 如請求項1之方法，其中該成本函數為選自以下各者之一或多者之一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，或最佳焦點偏移。
  8. 如請求項1之方法，其中該設計佈局之該部分包含選自以下各者之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、已知為具有一臨界特徵之一設計佈局之一區段、一熱點或一溫點已被識別之該設計佈局之一區段，或一臨界特徵已被識別之該設計佈局之一區段。
  9. 如請求項1之方法，其中該終止條件包含選自以下各者之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到某一數目次迭代；達到等於或超出某一臨限值之該成本函數之一值；達到某一計算時間；達到在一可接受誤差極限內之該成本函數之一值；或最小化該微影程序中之一曝光時間。
  10. 如請求項1之方法，其中該等設計變數中之一或多者表示藉由該微影設備進行之一照明的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該設計佈局的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該微影設備之投影光學件的一或多個特性，該等設計變數中之一或多者表示該基板之一抗蝕劑的一或多個特性，或該等設計變數中之一或多者表示一空中影像或一抗蝕劑影像的一或多個特性。
  11. 一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施一方法以改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序，該方法包含： 藉由一電腦計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為該微影設備之一輻射源之一頻寬之一函數，或為該頻寬之一函數或影響該頻寬之一變數之一函數，該頻寬或該變數為表示該微影程序之一或多個特性之複數個設計變數中之一或多者之一函數；及 藉由調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中的一或多者。
  12. 一種電腦程式產品，其包含其上記錄有指令之一電腦非暫時性可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施一方法以改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序，該方法包含： 藉由一電腦系統計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性之複數個設計變數之一函數；及 藉由一電腦系統調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中的一或多者， 其中，在該重組態期間，允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。
  13. 如請求項12之電腦程式產品，其中該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。
  14. 一種改良藉由使用一微影設備將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的方法，該方法包含： 藉由一電腦系統計算一多變數成本函數，該多變數成本函數為表示該微影程序之特性之複數個設計變數之一函數；及 藉由一電腦系統調整該等設計變數中之一或多者直至滿足某一終止條件為止來重組態該微影程序之該等特性中的一或多者， 其中，在該重組態期間，允許改變該微影設備之一輻射源之一頻寬。
  15. 如請求項14之方法，其中該重組態之一約束為不允許改變包含該設計佈局之一圖案化裝置的任何幾何特性。
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