TW201727391A - 測量一目標結構之一性質之方法、檢測裝置、微影系統及器件製造方法 - Google Patents

測量一目標結構之一性質之方法、檢測裝置、微影系統及器件製造方法 Download PDF

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Abstract

基於目標之一影像之強度來測量一目標結構之一性質。該方法包括：(a)獲得該目標結構之一影像；(b)界定(1204)複數個候選所關注區，每一候選所關注區包含該影像中的複數個像素；(c)至少部分地基於該所關注區內之像素之信號值而定義(1208、1216)用於該等候選所關注區之一最佳化度量值；(d)定義(1208、1216)一目標信號函數，該目標信號函數定義該影像中之每一像素對一目標信號值之一貢獻。每一像素之該貢獻取決於(i)哪些候選所關注區含有彼像素及(ii)彼等候選所關注區之最佳化度量值。

Description

測量一目標結構之一性質之方法、檢測裝置、微影系統及器件製造方法
本發明係關於可用以(例如)在藉由微影技術進行器件製造中執行度量衡的方法及檢測裝置。本發明進一步係關於用於此檢測裝置中之電腦程式產品，且係關於使用微影技術來製造器件之微影系統及方法。
微影裝置為將所要圖案應用於基板上(通常應用於基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。 在微影程序中，頻繁地需要進行所產生結構之測量，例如以用於程序控制及驗證。用於進行此等測量之各種工具為吾人所知，包括常常用以測量臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以測量疊對(器件中兩個層之對準準確度)之特殊化工具。近來，已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。此等器件將輻射光束導向至目標上且測量散射輻射之一或多個性質—例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振—以獲得可供判定目標之所關注性質之繞射「光譜(spectrum)」。 已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中所描述之類型之角度解析散射計。由此等散射計使用之目標為相對大(例如，40微米乘40微米)光柵，且測量光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。除了藉由重新建構進行特徵形狀之測量以外，亦可使用此裝置來測量以繞射為基礎之疊對，如已公佈專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像之以繞射為基礎之疊對度量衡實現對較小目標之疊對測量。可在國際專利申請案US20100328655A1及US2011069292A1中找到暗場成像度量衡之實例，該等申請案之文件之全文據此係以引用方式併入。已公佈專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步開發。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。可使用一複合光柵目標而在一個影像中測量多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用方式併入本文中。 在已知度量衡技術中，藉由在某些條件下測量目標兩次，同時使目標旋轉或改變照明模式或成像模式以分離地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度，來獲得疊對測量結果。比較用於一給定光柵之此等強度會提供光柵中之不對稱性之測量，且疊對光柵中之不對稱性可用作疊對誤差之指示符。除了疊對以外，亦可使用具有相同通式之目標且藉由與圖4中所說明相同的一般工序來測量微影程序之其他效能參數。詳言之，可設計目標之不對稱性取決於(例如)微影程序中之聚焦誤差或取決於曝光劑量誤差之目標。 由於複合光柵目標中之個別光柵之大小縮減，故暗場影像中之邊緣效應(條紋)變得顯著，且在目標內之不同光柵之影像之間可存在串擾。為了處理此問題，上文所提及之US20110027704A教示僅選擇每一光柵之影像之中心部分作為「所關注區」(region of interest, ROI)。僅使用ROI內之像素值以演算不對稱性及疊對。 然而，隨著吾人考慮愈來愈小的目標，可被定義為無邊緣效應之ROI之大小縮減至愈來愈小的數目個像素。因此，對於給定獲取時間，測量固有地較有雜訊。此外，在定位ROI時之任何變化變為經測量不對稱性中之誤差之顯著來源。 邊緣效應可極密集。若光柵之不對稱邊緣足夠大且足夠密集以在ROI內部豎起，則該光柵之該等不對稱邊緣將使強度信號誤差增加。對於在ROI置放時之小圖案辨識誤差，高強度邊緣之僅一小部分可能在ROI內部豎起。邊緣效應之小存在性沒有問題，此係因為習知1σ或2σ濾波器成功地移除此等像素。然而，對於較大圖案辨識誤差，2σ濾波器將較不良好地工作，且將引入強度信號中之較大誤差。 可由於吉佈斯(Gibbs)現象而在ROI內部發生強度之振盪。舉例而言，可在具有0.4數值孔徑(numerical aperture; NA)之光瞳濾光器用於散射計中且有限數目個傅立葉分量可用以形成光柵場影像時發生此情形。此情形引起橫越光柵影像之強度之週期性振盪。由於此效應，緊接著週期性振盪ROI之稍微不同置放將引起橫越該ROI之不同平均強度。因此最終平均化強度對ROI之置放極敏感。 橫越光柵影像之強度梯度可藉由散焦之效應結合高NA偵測而造成。最終效應為ROI必須置放於強度之斜率上。在此狀況下，定位之誤差將引起平均強度之額外誤差。可預期此等強度梯度將在未來代裝置中更嚴重，其中散射輻射之離軸照明及離軸收集使信號對聚焦誤差更敏感。亦在聚焦誤差之狀況下，一複合目標內之組件光柵之影像可在不同方向上移動以便彼此疊對。現有信號提取方法將愈來愈有挑戰性。
本發明之發明人已認識到，可改良疊對目標之暗場強度測量。本發明旨在提供一種測量一目標結構之一性質的處理上文所識別之在運用已知技術的情況下之問題中的一或多者之方法。 在一第一態樣中，本發明提供一種測量一基板上之一目標結構之一性質之方法，該方法包含如下步驟： (a)使用由該目標結構在照明下繞射之輻射之一預定部分而獲得該目標結構之一影像； (b)界定複數個候選所關注區，每一候選所關注區包含該影像中的複數個像素； (c)至少部分地基於該所關注區內之像素之信號值而定義用於該等候選所關注區之一最佳化度量值； (d)直接或間接地定義一目標信號函數，該目標信號函數定義該影像中之每一像素對一目標信號值之一貢獻，每一像素之該貢獻取決於(i)哪些候選所關注區含有彼像素及(ii)彼等候選所關注區之最佳化度量值；及 (e)根據該經定義目標信號函數使用藉由組合來自一經偵測影像的多個像素信號值而直接或間接地演算之一目標信號值來獲得該相同目標結構或一不同目標結構之該性質之一測量。 在一第二態樣中，本發明提供一種用於測量一基板上之一目標結構之一性質之檢測裝置，該裝置包含： - 用於該基板之一支撐件，該基板具有形成於其上之該目標結構； - 一光學系統，其用於照明該目標結構且使用由該目標結構繞射之輻射之一預定部分來獲得該目標結構之一影像； - 一處理器，其經配置以： 界定複數個候選所關注區，每一候選所關注區包含該影像中的複數個像素； 至少部分地基於該所關注區內之像素之信號值而定義用於該等候選所關注區之一最佳化度量值； 直接或間接地定義一目標信號函數，該目標信號函數定義該影像中之每一像素對一目標信號值之一貢獻，每一像素之該貢獻取決於(i)哪些候選所關注區含有彼像素及(ii)彼等候選所關注區之最佳化度量值；及 根據該經定義目標信號函數使用藉由組合來自一經偵測影像的多個像素信號值而直接或間接地演算之一目標信號值來獲得該相同目標結構或一不同目標結構之該性質之一測量。 在一第三態樣中，本發明提供一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用處理裝置執行根據該第一態樣之一方法之該等步驟(b)至(e)。 在一第四態樣中，本發明提供一種微影系統，其包含： 一微影裝置，其包含： 一照明光學系統，其經配置以照明一圖案； 一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及 根據該第二態樣之一檢測裝置， 其中該微影裝置經配置以使用來自該檢測裝置之測量結果以將該圖案應用於另外基板。 在一第五態樣中，本發明提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案應用於一系列基板，該方法包括:使用根據該第一態樣之一方法來檢測作為該器件圖案之部分或在該器件圖案旁形成於該等基板中之至少一者上的至少一目標結構；及根據該方法之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。 下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
在詳細地描述本發明之實施例之前，呈現可供實施本發明之實施例之實例環境為有益的。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台) WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，塗佈抗蝕劑的晶圓) W，且各自連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各種組件，且用作用於設定及測量圖案化器件及基板之位置以及圖案化器件及基板上之特徵之位置的參考。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可採取許多形式。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。 本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透圖案化器件)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。術語「圖案化器件」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化器件之圖案資訊的器件。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體應用於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。 在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉測量器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M1 、M2 及基板對準標記P1 、P2 來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可在器件特徵當中包括於晶粒內，在此狀況下，需要使該等標記儘可能地小且相比於鄰近特徵無需任何不同成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。 可在多種模式中使用所描繪裝置。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之長度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂「無光罩」微影中，可程式化圖案化器件經保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站—曝光站EXP及測量站MEA—在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在測量站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此情形實現裝置之產出率之相當大增加。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來測繪基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來測量基板上之對準標記之位置。若位置感測器IF在其處於測量站以及處於曝光站時不能夠測量基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置為吾人所知且可用。舉例而言，經提供有一基板台及一測量台之其他微影裝置為吾人所知。此等基板台及測量台在執行預備測量時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。 如圖2所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以測量諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等之性質。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在檢測可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外曝光。 在度量衡系統MET內，檢測裝置係用以判定基板之性質，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之性質如何在不同層間變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為了實現最快速測量，需要使檢測裝置在曝光之後立即測量經曝光抗蝕劑層中之性質。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度—在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差—且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用測量。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取測量，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之測量--此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除--或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後進行經顯影抗蝕劑影像之測量。後者可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。 圖3之(a)中展示適合用於本發明之實施例中之暗場度量衡裝置。圖3之(b)中更詳細地說明光柵目標T及繞射射線。暗場度量衡裝置可為單機器件或(例如)在測量站處併入微影裝置LA或併入微影製造單元LC中。貫穿裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由源11 (例如，氙氣燈)發射之光係由包含透鏡12、14及接物鏡16之光學系統經由光束分裂器15而導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上，且同時地允許接取中間光瞳平面以用於空間頻率濾光。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為接物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與透鏡14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見被指定為「北」之方向之離軸。在第二照明模式中，孔徑板13S用以提供相似照明，但提供自被標註為「南」之相對方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為在所要照明模式外部之任何不必要光將干涉所要測量信號。 如圖3之(b)所展示，光柵目標T經置放成使得基板W垂直於接物鏡16之光軸O。與軸線O成一角度而照射於目標T上之照明射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈點線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標光柵的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。在提供複合光柵目標的情況下，該目標內之每一個別光柵將引起其自有繞射光譜。因為板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，光柵間距及照明角度可經設計或經調整成使得進入接物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖3之(a)及圖3之(b)所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被更容易地區分。 由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由接物鏡16收集，且被返回導向通過光束分裂器15。返回至圖3之(a)，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑而說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I係來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入接物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。 第二光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個測量分支。在第一測量分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束而在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度測量。光瞳平面影像亦可用於諸如重新建構之許多測量目的，其不為本發明之主題。 在第二測量分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二測量分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係僅由-1或+1一階光束形成。將由感測器19及23捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU，影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之測量之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，若存在-1階及+1階中之僅一者，則將不形成光柵線之影像。 圖3所展示之孔徑板13及場光闌21之特定形式純粹為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。(在彼狀況下有效地調換13及21處所展示之孔徑)。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，亦可在測量中使用二階光束、三階光束及高階光束(圖3中未繪示)。 為了使照明可適應於此等不同類型之測量，孔徑板13可包含圍繞一圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。替代地或另外，可提供及調換板13之集合，以達成相同效應。亦可使用諸如可變形鏡面陣列或透射空間光調變器之可程式化照明器件。可使用移動鏡面或稜鏡作為用以調整照明模式之另一方式。 如剛才關於孔徑板13所解釋，替代地，藉由變更光瞳光闌21，或藉由取代具有不同圖案之光瞳光闌，或藉由運用可程式化空間光調變器來替換固定場光闌，可達成用於成像之繞射階之選擇。在彼狀況下，測量光學系統之照明側可保持恆定，而成像側具有第一模式及第二模式。因此，在本發明中，實際上存在三種類型之測量方法，每一測量方法具有其自有優點及缺點。在一種方法中，改變照明模式以測量不同階。在另一方法中，改變成像模式。在第三方法中，照明模式及成像模式保持不變，但使目標旋轉達180度。在每一狀況下，所要效應相同，即，用以選擇在目標之繞射光譜中彼此對稱地相對的非零階繞射輻射之第一部分及第二部分。原則上，可藉由同時地改變照明模式及成像模式而獲得階之所要選擇，但此情形很可能由於無優點而帶來缺點，因此，將不對其進行進一步論述。 雖然在本實例中用於成像之光學系統具有受到場光闌21限定之寬入射光瞳，但在其他實施例或應用中，成像系統自身之入射光瞳大小可足夠小以限定至所要階，且因此亦用作場光闌。圖3之(c)及(d)中展示不同孔徑板，該等孔徑板可如下文進一步所描述而使用。 通常，目標光柵將與其向北-南抑或東-西延行之光柵線對準。亦即，光柵將在基板W之X方向或Y方向上對準。應注意，孔徑板13N或13S可僅用以測量在一個方向(取決於設置而為X或Y)上定向之光柵。為了測量正交光柵，可能實施達90°及270°之目標旋轉。然而，更方便地，在使用圖3之(c)中所展示之孔徑板13E或13W的情況下，在照明光學件中提供自東或西之照明。可分離地形成及互換孔徑板13N至13W，或孔徑板13N至13W可為可旋轉達90度、180度或270度之單一孔徑板。如已經提及，圖3之(c)所說明之離軸孔徑可提供於場光闌21中，而非提供於照明孔徑板13中。在彼狀況下，照明將同軸。 圖3之(d)展示可用以組合第一對及第二對之照明模式的第三對孔徑板。孔徑板13NW具有處於北及西之孔徑，而孔徑板13SE具有處於南及東之孔徑。倘若此等不同繞射信號之間的串擾不太大，則可執行X光柵及Y光柵兩者之測量，而不改變照明模式。 使用小目標之疊對測量 圖4描繪根據已知實務而形成於基板上之複合光柵目標。該複合目標包含四個個別光柵32至35，光柵32至35緊密地定位在一起，使得其將皆在由度量衡裝置之照明光束形成之測量光點31內。該四個目標因此皆被同時地照明且同時地成像於感測器19及23上。在專用於疊對測量之實例中，光柵32至35自身為由在形成於基板W上之半導體器件之不同層中圖案化之上覆光柵形成的複合光柵。光柵32至35可具有經不同偏置疊對偏移，以便促進經形成有複合光柵之不同部分之層之間的疊對之測量。光柵32至35亦可在其定向方面不同(如所展示)，以便在X方向及Y方向上繞射入射輻射。在一項實例中，光柵32及34為分別具有+d、-d之偏置之X方向光柵。此意謂光柵32使其上覆組件經配置成使得若該等上覆組件兩者確切地印刷於其標稱部位處，則該等組件中之一者將相對於另一者偏移達距離d。光柵34使其組件經配置成使得若被完美地印刷，則將存在為d但在與第一光柵等等相反之方向上之偏移。光柵33及35為分別具有偏移+d及-d之Y方向光柵。雖然說明四個光柵，但另一實施例可能需要更大矩陣以獲得所要準確度。舉例而言，九個複合光柵之3×3陣列可具有偏置-4d、-3d、-2d、-d、0、+d、+2d、+3d、+4d。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等光柵之分離影像。 圖5展示在使用來自圖3之(d)之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之實例。雖然光瞳平面影像感測器19不能解析不同個別光柵32至35，但影像感測器23可解析不同個別光柵32至35。交叉影線矩形40表示感測器上之影像之場，在此場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。理想地，該場係暗的。在此暗場影像內，矩形區域42至45表示個別光柵32至35之影像。若光柵位於產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可看見產品特徵。雖然圖5之暗場影像中展示僅單一複合光柵目標，但實務上，藉由微影而製造之半導體器件或其他產品可具有許多層，且希望在不同對之層之間進行疊對測量。對於一對層之間的每一疊對測量，需要一或多個複合光柵目標，且因此，在影像場內可存在其他複合光柵目標。影像處理器及控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像以識別光柵32至35之分離影像42至45。以此方式，影像並不必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此情形極大地改良測量裝置整體上之產出率。然而，若成像程序橫越影像場經受非均一性，則繼續存在針對準確對準之需要。在本發明之一項實施例中，識別四個位置P1至P4，且使光柵與此等已知位置儘可能地對準。 一旦已識別光柵之分離影像，就可(例如)藉由對經識別區域內之選定像素強度值進行平均化或求和而測量彼等個別影像之強度。可將該等影像之強度及/或其他性質彼此進行比較。可組合此等結果以測量微影程序之不同參數。疊對效能為此參數之重要實例。 圖6說明在使用(例如)申請案US20110027704A中所描述之方法的情況下如何經由如藉由比較光柵在+1階及-1階暗場影像中之強度而揭露的該等光柵之不對稱性來測量含有組件光柵32至35之兩個層之間的疊對誤差。在步驟S1處，經由圖2之微影製造單元來處理基板(例如，半導體晶圓)一或多次，以產生包括疊對目標32至35之結構。在S2處，在使用圖3之度量衡裝置的情況下，使用一階繞射光束中之僅一者(比如-1)來獲得光柵32至35之影像。接著，無論藉由改變照明模式或改變成像模式，抑或藉由在度量衡裝置之視場中使基板W旋轉達180°，皆可使用另一一階繞射光束(+1)來獲得光柵之第二影像(步驟S3)。因此，在第二影像中捕捉+1繞射輻射。 應注意，藉由在每一影像中包括一階繞射輻射之僅一半，此處所提及之「影像」不為習知暗場顯微法影像。每一光柵將簡單地由某一強度位準之區域表示。因為存在+1階繞射輻射及-1階繞射輻射中之僅一者，所以將不解析個別光柵線。在步驟S4中，在每一組件光柵之影像內謹慎地識別所關注區(ROI)，將自該ROI測量強度位準。之所以進行此識別係因為：特別是在個別光柵影像之邊緣周圍，強度值通常可高度取決於諸如抗蝕劑厚度、組合物、線形狀以及邊緣效應之程序變數。 在已識別用於每一個別光柵之ROI且已測量其強度的情況下，可接著判定光柵結構之不對稱性且因此判定疊對誤差。此判定係藉由影像處理器及控制器PU在步驟S5中比較針對每一光柵32至35之+1階及-1階獲得之強度值以識別該等光柵之強度之任何差及(S6)自光柵之疊對偏置之知識來判定目標T附近之疊對誤差來進行。 在上文所提及之先前申請案中，揭示用於使用上文所提及之基本方法來改良疊對測量之品質之各種技術。舉例而言，影像之間的強度差可歸因於用於不同測量之光學路徑中之差，而不純粹地歸因於目標中之不對稱性。照明源11可使得照明光點31之強度及/或相位不均一。可藉由參考(例如)感測器23之影像場中之目標影像之位置而判定及應用校正以最小化此等誤差。個別組件光柵可在其週期性方向上伸長，以便最大化給定目標區域內之有用繞射信號。此等技術在先前申請案中予以解釋，且此處將不予以進一步詳細地解釋。該等技術可結合本申請案中新近所揭示之技術而使用，現在將描述該等新近所揭示之技術。 在US20130271740A中，個別光柵之邊緣部分中及周圍之特徵經修改以便縮減邊緣效應之強度及範圍。此等修改可以與用以增強微影程序中之精細特徵之印刷之光學近接校正(OPC)特徵相似的方式起作用。在US20130258310A中，提議使用三個或三個以上組件光柵以藉由圖6之方法來測量疊對。藉由測量用於具有至少三個不同偏置之光柵之不對稱性，步驟S6中之演算可經修改以便校正諸如由實務微影程序中之底部光柵不對稱性造成的目標光柵中之特徵不對稱性。相似地，此等技術在先前申請案中予以解釋，且此處將不予以進一步詳細地解釋。該等技術可結合本申請案中新近所揭示之技術而使用，現在將描述該等新近所揭示之技術。 除了疊對以外，亦可使用具有相同通式之目標且藉由與上文所說明相同的一般工序來測量微影程序之其他效能參數。詳言之，可設計目標之不對稱性取決於(例如)微影程序中之聚焦誤差或取決於曝光劑量誤差之目標。因此，上述裝置及技術可適應於以繞射為基礎之聚焦測量及以繞射為基礎之劑量測量，以及以繞射為基礎之疊對。疊對在本發明中僅用作可藉由所揭示技術測量的效能參數之一個實例。對小目標大小、偏置方案及其類似者之相似考慮因素將同樣應用於此等其他參數之測量中。 在描述本發明之實施例之前，將參看圖7描述用於測量暗場疊對目標上之強度之已知工序。 圖7說明根據已知度量衡技術的暗場疊對目標之典型影像及ROI方框在目標之光柵中之一者中之定位。自影像感測器23獲得之暗場影像被展示為大正方形702，但其可為矩形或任何形狀。點線704至708表示強度輪廓，其中強度自704、通過706增加至708。 使用圖案辨識演算法以辨識目標光柵且判定ROI之位置。辨識到四個光柵，如由四個正方形710所描繪。在此實例中，ROI方框712簡單地為正方形。此技術之準確度及精度可能變成高達幾百奈米。個別ROI方框置放於每一個別光柵之頂部上，而考量可能邊緣效應。ROI方框之部位取決於目標形狀，且每一ROI方框之大小固定。 在藉由ROI方框界限之每一ROI內部，應用諸如2σ濾波器之統計濾波器以移除外圍像素值，且針對具有剩餘像素之每一ROI演算平均強度。 如上文在背景技術章節中所論述，存在關於邊緣效應、強度之振盪及強度之梯度之問題。圖8說明嚴重遭受此等效應之暗場影像。自影像感測器23獲得之暗場影像被展示為大正方形802，但其可為矩形或任何形狀。點線804至810表示強度輪廓，其中強度自804增加至810。在兩個光柵之右側812處可看到強邊緣效應。強度之振盪814在右下光柵中顯而易見。強度梯度816在左上光柵中顯而易見。 本發明內之以下實施例提供處理此等問題之測量強度之方法。因此，可獲得不對稱性及效能參數(諸如，疊對、聚焦或劑量)之更準確測量。 原始暗場影像在經分析以提取強度位準之前經歷變換。在變換期間，考量ROI大小及位置之許多組合。移除具有不良結果的ROI方框，且僅考量具有穩定結果的ROI方框。 圖9說明根據本發明之第一實例之候選ROI的界定。該說明展示單一組件光柵之暗場影像，應理解，相同工序將應用於眾多個別影像。與圖8中一樣，點線表示暗場影像內之強度輪廓。代替使用經單一設定大小及定位之ROI方框(如圖7中之712處所展示)，不同大小及不同位置之ROI方框902之集合被認為係候選者。在最終演算中考量多個候選者。 如圖9所說明，信號提取之程序以在「硬邊界」904內部定義數個較小候選ROI方框開始。圖案辨識係用以找到硬邊界使得其粗略地與光柵影像重合，例如，圖7中被標註為710之方框可用作硬邊界。每一候選ROI方框902相對於硬邊界904之位置具有尺寸Sx、Sy及位置Px、Py。該等尺寸及位置經選擇為使得ROI方框902不與硬邊界904交叉。對於具有大小Sx、Sy及位置Px、Py之每一候選ROI方框，可使用集中趨勢量度來演算一或多個代表信號值，諸如，平均數。對於每一候選ROI方框，演算基於該候選ROI方框內之像素信號值之最佳化度量值。在此特定實施例中，平均強度I被演算為代表信號值，且標準偏差σ被演算為最佳化度量值： I(Sx,Sy,Px,Py) 3σI(Sx,Sy,Px,Py) 標準偏差σ或其他變化量度可為正規化相對值，而非ROI方框中之值之「原始」標準偏差。應牢記，不同候選ROI方框將固持不同數目個像素，可(例如)藉由將簡單標準偏差縮放達因數N- 1 / 2 (其中N為候選ROI中之像素之數目)來獲得所謂相對標準偏差。可藉由將每一σ除以候選ROI中之像素值之平均值且乘以100來演算被表達為(例如)百分比的正規化標準偏差。對於每一個別ROI方框，可在演算以上參數中之任一者或兩者之前應用濾波器，以自資料移除外圍值。可組合使用不同濾波器。在一項實例中，1σ濾波器係用於接近硬邊界之ROI方框，且以其他方式使用2σ濾波器。在濾光之後，針對每一ROI重新演算標準偏差以用於另外演算。 遍及大小及位置之所有變化之候選ROI方框的代表信號值形成多維資料集。每一候選ROI方框可被視為多維空間內之一資料點。在以上實例中，四維資料集係由代表信號值I(Sx,Sy,Px,Py)形成。此資料集接著經處理以判定每一像素將在表示整體上之光柵影像之經最佳化信號值中作出的貢獻。在一項實例中，以對應變化量度3σI用作選擇準則及/或用作加權因數之方式來組合值I(Sx,Sy,Px,Py)。在一項實例中，忽略具有大3σI之點，且將剩餘資料點平均化，其中對應1/3σI作為加權因數。 圖10之(a)中展示資料點之實例集合，其中已在3-D曲線圖中標繪依據Sx及Sy而變化的變化3σI之量度。因此，圖10之(a)展示對於Sx (X軸)、Sy (Y軸)之不同組合之3σI (垂直軸線；以%為單位)的3-D分佈。在標繪Sx, Sy中之每一部位處，圓點行表示具有不同位置Px及Py之個別ROI方框。圖10之(b)展示兩個軸線上標繪的相同類型之資料集，其中沿著圖10之(a)中之大箭頭方向截取視圖。可設定(例如)在3σI ≥ 1%處之限度，考量低於該限度之所有點。可忽略高於1%之點。在平均化期間，1/3σI用作加權因數。圖10之(a)及(b)中表示之多維資料集可被認為是原始影像之經變換版本。代替自原始影像提取信號，與圖10之標繪圖中展示之資料集有關的分析給出較佳結果。 關於本文所揭示之方法之測試展示：在運用圖案辨識的情況下其對大誤差相對不敏感。最佳習知散射計軟體設定與本文所揭示之方法之實施例之間的比較展示：獲得相似疊對精度數，即使在相對大圖案辨識誤差(1微米至2微米)的狀況下。此情形提供在照明光點內部之目標定位足夠準確高達幾微米的情況下省略圖案辨識之可能性。 圖11為根據本發明之一實施例的展示使用圖3之散射計之疊對測量方法之步驟的流程圖。該流程圖具有與參看圖6所描述之已知方法相同，但一般而言與目標相關而非與光柵相關的步驟1102至1106及1112。步驟1102至1106對應於如下步驟：使用由目標結構在預定照明條件下繞射之輻射之一預定部分來形成及偵測該目標結構之影像。使用目標不對稱性以判定疊對或另一效能參數之步驟1112對應於測量目標結構之性質。 步驟1108及1110不同於圖6。 在步驟1108中，自步驟1104及1106中測量之影像判定目標強度值。下文參看圖12揭示用於判定目標強度值之實例工序。 在步驟1110中，演算用於每一目標之強度差以判定該目標之不對稱性。因此，已測量目標結構之不對稱性或疊對誤差之性質。 圖12為根據本發明之實施例的展示判定目標強度值之步驟的流程圖。 在選用之步驟1202中，識別經偵測影像中之界限區。界限區對應於特定目標結構。 在步驟1204中，界定複數個候選所關注區(ROI)。每一ROI在影像或界限區中具有複數個像素。該等ROI可在定義在每一ROI內含有影像之哪些像素之兩個或兩個以上參數方面彼此不同。在此實例中，參數(Sx,Sy,Px,Py)定義影像或界限區中之每一ROI之大小及位置。在使用正方形像素的情況下，ROI可為正方形或矩形。然而，像素及所關注區不限於此等形狀。舉例而言，像素可為矩形或六邊形，且ROI可具有任意形狀且可不鄰接。 可使用ROI之相同大小及形狀達多次，但其中每一ROI與一不同估計量相關聯。舉例而言，一個ROI可具有1σ濾波器臨限值，且另一ROI可具有2σ濾波器臨限值。濾波器之選擇變成資料點之多維集合之另一參數。若濾波器排除在估計量中計數某些像素，則自ROI有效地排除在1σ或2σ臨限值外部之像素。 至少一些所關注區彼此重疊使得可在候選ROI中之多於一者內含有給定像素。 在步驟1206中，取決於ROI至影像或界限區之邊緣之近接而(例如)使用1σ濾波器或2σ濾波器來對ROI內含有之像素之像素信號值進行濾波。 在一實施例中，在步驟1208處，至少部分地基於ROI內之像素之信號值而針對ROI中之每一者定義最佳化度量值。此實例中之最佳化度量值1/σI(Sx,Sy,Px,Py)係基於各別ROI內含有之像素之像素信號值的標準偏差σI(Sx,Sy,Px,Py)。如上文所論述，可使用統計分散度之除了標準偏差以外的量度。直接或間接地定義目標信號函數，目標信號函數定義影像中之每一像素對目標信號值之貢獻，每一像素之貢獻係取決於(i)哪些候選ROI含有彼像素及(ii)彼等候選ROI之最佳化度量值。 在步驟1210中，基於各別ROI內含有之像素之像素信號值的統計分散度之量度(在此實例中為標準偏差σI(Sx,Sy,Px,Py))而忽略最佳化度量值。因此，可自資料集移除具有大3σI之點，或在另外演算中忽略具有大3σI之點，或向具有大3σI之點給出零權重。 在步驟1212中，藉由自經偵測影像組合像素信號值而判定諸如強度之目標信號值。使用最佳化度量值來進行此判定，以判定給定像素對目標信號值之貢獻。因此，目標信號值被定義為影像中之像素之信號值之函數，每一像素對目標信號值之貢獻取決於(i)哪些候選所關注區含有彼像素及(ii)彼等候選所關注區之最佳化度量值。可藉由根據經界定貢獻藉由自經偵測影像組合多個像素信號值來判定目標信號值而獲得相同目標結構或不同目標結構之性質的測量。每一像素之信號值貢獻於目標信號值(用於整體上之目標之信號值)之方式可被視為目標信號函數。可將目標信號函數直接(明確)定義為程序之部分，或可取決於實施例僅間接地定義目標信號函數。 在一實施例中，藉由使用最佳化度量值以定義用於每一ROI之代表信號值之權重且使用用於不同ROI之代表信號值之加權組合以演算目標信號值來間接地判定每一像素之貢獻。代表信號值可為(例如) ROI中之像素強度之平均值或平均數，其在以上實例中被標註為I(Sx,Sy,Px,Py)。平均數為ROI內含有之像素之像素信號值之集中趨勢量度。可使用如上文所論述之其他集中趨勢量度。因此，相比於已知技術，並不直接組合像素，而是代替地組合使用經變換資料集之代表值。在表示藉由圖10之(a)及圖10之(b)之曲線圖展示之4D空間中，每一點為藉由分析每一各別ROI中之多個像素而獲得的強度或標準偏差。 可在判定給定像素對目標信號值之貢獻之前對各別ROI內含有之像素之像素信號值進行濾波。可使用1σ濾波器及2σ濾波器來進行此濾波。 在另一實施例中，直接判定每一像素之貢獻(換言之，目標信號函數)，且組合使用用於候選ROI之最佳化度量值以藉由自經偵測影像定義用於每一像素信號值之加權來定義用於每一像素至目標信號值之加權值。因此，最佳化度量值可用以產生定義個別像素在最終目標信號值中之貢獻的「加權」之「貢獻映圖」。最終結果可與在先前實施例中相同。然而，當目標信號函數被定義為貢獻映圖時，可儲存該目標信號函數且將該目標信號函數用於相同或其他光柵影像中，而不重新演算及應用最佳化度量值。每一像素之貢獻可由像素加權值表示，像素加權值為使含有像素之所有候選所關注區之加權值之組合。藉由參考候選所關注區之最佳化度量值來定義候選所關注區之加權值，恰好與在以上實例中一樣。然而，在本實施例中，並不直接執行目標信號值之演算，而是首先演算貢獻映圖。 因此，此貢獻映圖(直接表示目標信號函數)可用以自一個目標結構採取最佳化且將該最佳化應用於來自對應於另一目標結構的影像之另一部分之像素值。貢獻映圖可應用於相同或不同基板上之相似結構之其他影像。此情形節省執行最佳化演算之時間，且在相似目標在處理方面具有共同之處時適當，使得自一個目標導出之最佳化係與後續目標相關。在此狀況下，圖案辨識用以定位經受貢獻映圖之使用的其他目標。可在判定給定像素對目標信號值之貢獻之前對來自經偵測影像之像素信號值進行濾波。又，可使用1σ濾波器及2σ濾波器來進行此濾波。 可使用用以形成及偵測影像之裝置之特性來演算最佳化度量值。 在另一實施例中，代替步驟1208及1210，執行步驟1214及1216。 在步驟1214中，在判定最佳化度量值之前使平均像素值資料I(Sx,Sy,Px,Py)及/或大小及位置資料(Sx,Sy,Px,Py)平滑。 在步驟1216中，類似於步驟1208，至少部分地基於ROI中之像素之信號值而定義用於ROI中之每一者之最佳化度量值。然而，在此實例中，最佳化度量值係基於一代表信號值相對於含有候選ROI集合之多維空間中的參數中之一或多者(例如，位置或大小)之改變速率(在此實例中為1/梯度)。在此實例中，代表信號值為自ROI內含有之像素之像素信號值而判定之I(Sx,Sy,Px,Py)。直接或間接地定義目標信號函數，目標信號函數定義影像中之每一像素對目標信號值之貢獻，每一像素之貢獻係取決於(i)哪些候選ROI含有彼像素及(ii)彼等候選ROI之最佳化度量值。 可使用此方法之多個不同實施例。共同特性為：在運作中，取決於影像特性來判定ROI之最佳位置及/或大小。一實例實施例使用來自用於四個光柵中之每一者之許多組合之單一ROI方框。然而，可分離地針對四個光柵中之每一者來最佳化ROI方框之大小、形狀及位置。可每次對一目標進行此最佳化，或可僅進行最佳化一次且可將結果用於所有其他目標。 候選ROI方框之集合之可變參數的選擇及數目為設計選擇問題。在第一實施例中，僅變化ROI之位置以產生包含用於產生經最佳化度量值的代表信號值之資料集。多維資料集可在一些或所有維度中經受平滑函數，以縮減候選ROI方框之間的隨機變化之效應。對候選ROI方框之代表信號值及經最佳化度量值之參考應被理解為係指在彼狀況下之經平滑值，且未必僅指自與所有其他ROI隔離之候選ROI獲得之值。合適平滑函數可為在與資料集相同之維度數中之多項式函數。舉例而言，多維資料集I(Sx,Sy,Px,Py)之經濾波版本可藉由參數Sx,Sy,Px,Py之多項式函數定義。可藉由諸如最小平方擬合之熟知技術將此多項式函數擬合至資料集，且接著代替資料集來使用該多項式函數。在第二實施例中，僅變化ROI之大小。在第三實施例中，同時最佳化大小及位置兩者(如上文所描述)。可在兩個維度中變化大小，如上文所描述，或僅在一維中變化大小(例如，藉由將ROI方框形狀約束為正方形或圓圈)。 在以上實施例中，可以加權平均組合之形式使用若干候選ROI方框，以判定每一像素值在總結果中做出何種程度的貢獻。在另一實施例中，可選擇並使用單一「最佳」候選ROI方框。 可針對一複合目標之每一影像中之每一光柵影像自動執行上文所描述之最佳化演算。替代地，可僅對選定目標執行全最佳化演算，且可儲存個別像素之貢獻之所得映圖且將該所得映圖再用於其他光柵影像中。因此，在另一實施例中，進行為複合目標之影像中之所有ROI所共有但針對每一個別影像而分離之最佳化，而在又一實施例中，分離地針對每一ROI進行最佳化。在預期X方向光柵及Y方向光柵在不同方向上在經捕捉影像中歸因於在影像未完美地聚焦時之像差而移動之實施例中，可針對該等X影像演算貢獻一次，且針對該等Y影像演算貢獻一次。 在最佳化程序期間，相對於最佳化度量參數來最佳化貢獻。如上文所描述，此參數可為ROI區域內之3σ變化之最小化。以更一般統計術語，參數可為統計分散度之量度，其包括多種可能性。若所有資料相同，則統計分散度之量度為零，且隨著資料變得較多樣，統計分散度之量度增加。統計分散度之量度包括：內四分位距(IQR)或內十分位距、範圍、平均差、中值絕對偏差(MAD)、平均絕對偏差(或簡單地被稱為平均偏差)、變化係數、分散度之四分位數係數、相對平均差及方差。 因此，可使用不同參數，諸如，範圍(最大值減最小值)或75%百分位值與25%百分位值之間的差。可藉由比較橫越多維資料集之維度之代表信號值而導出變化之量度，而非使用自候選ROI方框中之像素值內之變化的量度(例如，如上文所描述之σ)。舉例而言，在藉由代表信號值I(Sx,Sy,Px,Py)形成之四維資料集中，可演算I相對於參數Sx、Sy、Px、Py中之任一者之局部梯度。可藉由檢查此等梯度獲得最佳化度量。舉例而言，代替將1/3σ用作加權因數，可使用局部梯度之倒數。 除了用於最佳化之純統計度量以外，最佳化亦可包括檢測裝置之知識，諸如，攝影機之雜訊模型或光學幾何形狀。 除了最佳化度量值以外，亦可針對給定ROI方框提取信號估計量值。再一次，可選擇多個不同實施。以統計術語，諸如集中趨勢量度之代表信號值可用作信號估計量。集中趨勢量度為機率分佈之中心值或典型值。集中趨勢量度之實例包括算術平均值、中值、眾數、幾何平均數、調和平均數、加權平均數、截斷平均數、m及中列數(midrange)。 在一項實施例中，此估計量為ROI方框中之像素值之平均數。在較複雜實施例中，將平均數與濾波器(諸如，上文所描述之1σ濾波器及2σ濾波器)組合。 最後，基本上為原始影像至如圖10之(a)及(b)所展示之另一形式之變換的此方法之原理提供了導出被稱為「目標均方偏差」的新種類測量品質指示符之機會。通常自已知技術之固定ROI方框內部中之每一像素中之疊對數目演算此參數。在彼狀況下，「目標均方偏差」為ROI方框內部之疊對數目之3σ變化。其在機器效能在規範內時規則地具有高值。預期基於圖10之(a)所說明之經變換資料集之另一測量品質指示符的替代定義更穩固且與實際機器效能更好地匹配。 結論 本文所描述之方法允許在實務實施中處理序言中識別之問題中的一些或全部。有效地去掉邊緣效應，此係因為其僅對接近硬邊界之候選ROI方框起作用。此等候選者在數目上有限且具有相對高變化量度(3σI)。高變化量度引起在強度演算期間之排他運算，及/或小加權因數。又，對於接近邊緣之ROI方框之1σ濾波器之使用(而非針對整個ROI區僅使用2σ濾波器)已經改良對邊緣效應之敏感度。 因為使用ROI之大小及位置之許多組合，所以吾人預期使振盪有效地達到平均數。藉由使用具有候選ROI大小及位置之許多組合之所揭示方法，有效地最小化光柵影像內部之強度梯度之效應。可藉由如下操作來改良使用微影程序來製造器件之方法：提供如本文所揭示之檢測裝置；使用該檢測裝置以測量經處理基板以測量微影程序之效能參數；及調整程序之參數以改良或維持微影程序之效能以用於後續基板之處理。 應理解，用於以上實例中之特定參數並非可被界定之僅有參數。可根據待用於度量衡之微影裝置及檢測裝置之限制而在真實設計程序中使用額外及/或替代參數。雖然上文所描述之目標結構為出於測量之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可在為形成於基板上之器件之功能部件的目標上測量性質。許多器件具有規則的類光柵結構。本文所使用之術語「目標光柵」及「目標結構」並不要求已特定地針對正被執行之測量來提供該結構。 可在任何通用資料處理硬體(電腦)內使上文所描述之方法之步驟自動化。裝置可與現有處理器(諸如，圖3之(a)所展示之處理單元PU、圖1所展示之微影裝置控制單元LACU或總程序控制系統)整合。硬體可處於處理裝置之遠端，甚至定位於不同國家中。圖13中展示合適資料處理裝置(DPA)之組件。該裝置可經配置以載入包含電腦可執行碼之電腦程式產品。此情形可在下載電腦程式產品時啟用電腦總成，以實施如上文所描述之檢測裝置之功能。 連接至處理器1327之記憶體1329可包含數個記憶體組件，比如，硬碟1361、唯讀記憶體(ROM) 1362、電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM) 1363，及隨機存取記憶體(RAM) 1364。並不需要皆存在所有前述記憶體組件。此外，前述記憶體組件不必實體地極近接於處理器1327或彼此極近接。其可經定位成相隔一距離。 處理器1327亦可連接至某種類之使用者介面，例如，鍵盤1365或滑鼠1366。亦可使用為熟習此項技術者所知之觸控式螢幕、軌跡球、語音轉換器或其他介面。 處理器1327可連接至讀取單元1367，讀取單元1367經配置以自資料載體(比如，軟磁碟1368或CDROM 1369)讀取(例如)呈電腦可執行碼之形式的資料，且在一些情況下將資料儲存於資料載體(比如，軟磁碟1368或CDROM 1369)上。亦可使用熟習此項技術者所知之DVD或其他資料載體。 處理器1327亦可連接至印表機1370以在紙張上印出輸出資料，以及連接至熟習此項技術者所知的任何其他類型之顯示器的顯示器1371，例如，監視器或液晶顯示器(Liquid Crystal Display; LCD)。 處理器1327可藉由負責輸入/輸出(I/O)之傳輸器/接收器1373而連接至通信網路1372，例如，公眾交換式電話網路(PSTN)、區域網路(LAN)、廣域網路(WAN)等等。處理器1327可經配置以經由通信網路1372而與其他通信系統通信。在本發明之一實施例中，外部電腦(圖中未繪示)(例如，操作員之個人電腦)可經由通信網路1372而登入至處理器1327中。 處理器1327可被實施為獨立系統或被實施為並行地操作之數個處理單元，其中每一處理單元經配置以執行較大程式之子任務。亦可將處理單元劃分成一或多個主處理單元與若干子處理單元。處理器1327之一些處理單元可甚至經定位成與其他處理單元相隔一距離且經由通信網路1372而通信。可使模組之間的連接有線的或無線的。 電腦系統可為具有經配置以執行此處所論述之功能的類比及/或數位及/或軟體技術之任何信號處理系統。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 在以下編號條項中提供根據本發明之另外實施例： 1.    一種測量一基板上之一目標結構之一性質之方法，該方法包含如下步驟： (a)使用由該目標結構在照明下繞射之輻射之一預定部分而獲得該目標結構之一影像； (b)界定複數個候選所關注區，每一候選所關注區包含該影像中的複數個像素； (c)至少部分地基於該所關注區內之像素之信號值而定義用於該等候選所關注區之一最佳化度量值； (d)直接或間接地定義一目標信號函數，該目標信號函數定義該影像中之每一像素對一目標信號值之一貢獻，每一像素之該貢獻取決於(i)哪些候選所關注區含有彼像素及(ii)彼等候選所關注區之最佳化度量值；及 (e)根據該經定義目標信號函數使用藉由組合來自一經偵測影像的多個像素信號值而直接或間接地演算之一目標信號值來獲得該相同目標結構或一不同目標結構之該性質之一測量。 2.    如條項1之方法，其中該等候選所關注區在兩個或兩個以上參數方面彼此不同，該等參數定義在彼候選所關注區內含有該影像之哪些像素。 3.    如條項2之方法，其中定義在每一候選所關注區內含有該影像之哪些像素之該等參數定義該候選所關注區在該影像中之位置。 4.    如條項2或3之方法，其中定義在每一候選所關注區內含有該影像之哪些像素之該等參數定義該候選所關注區在該影像中之大小。 5.    如前述條項中任一項之方法，其中至少一些所關注區彼此重疊使得可在該等候選所關注區之多於一者內含有一給定像素。 6.    如前述條項中任一項之方法，其中在步驟(e)中，使用複數個代表信號值中之至少一者來演算該目標信號值，每一代表信號值為在該等候選所關注區中之一各別候選所關注區內含有的像素之像素信號值之一組合。 7.    如條項6之方法，其中將複數個代表信號值與取決於用於其各別候選所關注區之該等最佳化度量值之加權組合。 8.    如條項6之方法，其中使用對應於具有該最佳最佳化度量值之一候選所關注區的一單一代表信號值來演算該目標信號值。 9.    如條項6、7或8之方法，其中在演算該代表值之前對在一候選所關注區內含有之像素之像素信號值進行濾波。 10.  如條項1至5中任一項之方法，其中在步驟(d)中，以一貢獻映圖之形式來定義該目標信號函數，在該貢獻映圖中一給定像素對該目標信號值之一貢獻係藉由一加權值定義，且在步驟(e)中，根據來自該經偵測影像之像素信號值在該貢獻映圖中之各別加權值而組合該等像素信號值。 11.   如前述條項中任一項之方法，其中該最佳化度量值係基於在該各別候選所關注區內含有之像素之像素信號值的統計分散度之一量度。 12.  如條項11之方法，其進一步包含忽略具有在該各別候選所關注區內含有之像素之像素信號值之過度統計分散度的一候選所關注區。 13.  如前述條項中任一項之方法，其中該最佳化度量值係基於一代表信號值相對於含有候選所關注區之集合的一多維空間中之一或多個參數之一改變速率，該代表信號值係自該各別候選所關注區內含有之像素之像素信號值判定。 14.  如條項13之方法，其進一步包含使該代表信號值及/或兩個或兩個以上參數平滑，該等參數定義在演算該最佳化度量值之前在彼候選所關注區內含有該影像之哪些像素。 15.  如前述條項中任一項之方法，其中步驟(b)包含作為一初步步驟，在該所獲得影像中識別一界限區，該界限區對應於一特定目標結構，其中每一候選所關注區包含該界限區內的複數個像素。 16.  如前述條項中任一項之方法，其中使用用以形成及偵測該影像之裝置之一特性來演算該最佳化度量值。 17.  如前述條項中任一項之方法，其中在演算該最佳化度量值之前對在候選所關注區內含有之像素之像素信號值進行濾波。 18.  一種用於測量一基板上之一目標結構之一性質之檢測裝置，該裝置包含： -   用於該基板之一支撐件，該基板具有形成於其上之該目標結構； -   一光學系統，其用於照明該目標結構且使用由該目標結構繞射之輻射之一預定部分來獲得該目標結構之一影像； -   一處理器，其經配置以： 界定複數個候選所關注區，每一候選所關注區包含該影像中的複數個像素； 至少部分地基於該所關注區內之像素之信號值而定義用於該等候選所關注區之一最佳化度量值； 直接或間接地定義一目標信號函數，該目標信號函數定義該影像中之每一像素對一目標信號值之一貢獻，每一像素之該貢獻取決於(i)哪些候選所關注區含有彼像素及(ii)彼等候選所關注區之最佳化度量值；及 根據該經定義目標信號函數使用藉由組合來自一經偵測影像的多個像素信號值而直接或間接地演算之一目標信號值來獲得該相同目標結構或一不同目標結構之該性質之一測量。 19.  如條項18之裝置，其中該等候選所關注區在兩個或兩個以上參數方面彼此不同，該等參數定義在彼候選所關注區內含有該影像之哪些像素。 20.  如條項19之裝置，其中定義在每一候選所關注區內含有該影像之哪些像素之該等參數定義該候選所關注區在該影像中之位置。 21.  如條項19或20之裝置，其中定義在每一候選所關注區內含有該影像之哪些像素之該等參數定義該候選所關注區在該影像中之大小。 22.  如條項18至21中任一項之裝置，其中至少一些所關注區彼此重疊使得可在該等候選所關注區之多於一者內含有一給定像素。 23.  如條項18至22中任一項之裝置，其中該處理器經配置以使用複數個代表信號值中之至少一者來演算該目標信號值，每一代表信號值為在該等候選所關注區中之一各別候選所關注區內含有的像素之像素信號值之一組合。 24.  如條項23之裝置，其中該處理器經配置以將複數個代表信號值與取決於用於該複數個代表信號值之各別候選所關注區之該等最佳化度量值之加權組合。 25.  如條項23之裝置，其中該處理器經配置以使用對應於具有該最佳最佳化度量值之一候選所關注區的一單一代表信號值來演算該目標信號值。 26.  如條項23、24或25之裝置，其中該處理器經配置以在演算該代表值之前對在一候選所關注區內含有之像素之像素信號值進行濾波。 27   如條項18至22中任一項之裝置，其中該處理器經配置而以一貢獻映圖之形式來定義該目標信號函數，在該貢獻映圖中一給定像素對該目標信號值之一貢獻係藉由一加權值定義，且在步驟(e)中，根據來自該經偵測影像之像素信號值在該貢獻映圖中之各別加權值而組合該等像素信號值。 28.  如條項18至27中任一項之裝置，其中該處理器經配置以使該最佳化度量值基於在該各別候選所關注區內含有之像素之像素信號值的統計分散度之一量度。 29.  如條項28之裝置，其進一步包含忽略具有在該各別候選所關注區內含有之像素之像素信號值之過度統計分散度的一候選所關注區。 30.  如條項18至29中任一項之裝置，其中該處理器經配置以使該最佳化度量值基於一代表信號值相對於含有候選所關注區之集合的一多維空間中之一或多個參數之一改變速率，且其中處理器經配置以自該各別候選所關注區內含有之像素之像素信號值判定該代表信號值。 31.  如條項30之裝置，該處理器經配置以使該代表信號值及/或兩個或兩個以上參數平滑，該等參數定義在演算該最佳化度量值之前在彼候選所關注區內含有該影像之哪些像素。 32.  如條項18至31中任一項之裝置，其中該處理器經配置以作為用以界定複數個候選所關注區之一初步步驟而在該所獲得影像中識別一界限區，該界限區對應於一特定目標結構，其中每一候選所關注區包含該界限區內的複數個像素。 33.  如條項18至32中任一項之裝置，其中該處理器經配置以使用用以形成及偵測該影像之裝置之一特性來演算該最佳化度量值。 34.  如條項18至33中任一項之裝置，其中該處理器經配置以在演算該最佳化度量值之前對在候選所關注區內含有之像素之像素信號值進行濾波。 35.  一種包含機器可讀指令之電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一通用處理裝置執行以上一如條項1至17中任一項之方法的該等步驟(b)至(e)。 36.  一種微影系統，其包含： 一微影裝置，其包含： 一照明光學系統，其經配置以照明一圖案； 一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及 一如條項18至34中任一項之檢測裝置， 其中該微影裝置經配置以使用來自該檢測裝置之測量結果以將該圖案應用於另外基板。 37.  一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案應用於一系列基板，該方法包括：使用一如條項1至17中任一項之方法來檢測作為該器件圖案之部分或在該器件圖案旁形成於該等基板中之至少一者上的至少一目標結構；及根據該方法之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。 本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
11‧‧‧照明源
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13E‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
13W‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧光束分裂器
16‧‧‧接物鏡/透鏡
17‧‧‧第二光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌/場光闌/光瞳光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧影像感測器
31‧‧‧測量光點/經照明光點/照明光點
32‧‧‧組件光柵/疊對目標
33‧‧‧組件光柵/疊對目標
34‧‧‧組件光柵/疊對目標
35‧‧‧組件光柵/疊對目標
40‧‧‧交叉影線矩形
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
702‧‧‧暗場影像
704‧‧‧強度輪廓
706‧‧‧強度輪廓
708‧‧‧強度輪廓
710‧‧‧光柵
712‧‧‧所關注區(ROI)方框
802‧‧‧暗場影像
804‧‧‧強度輪廓
806‧‧‧強度輪廓
808‧‧‧強度輪廓
810‧‧‧強度輪廓
812‧‧‧強邊緣效應
814‧‧‧強度之振盪
816‧‧‧強度梯度
902‧‧‧候選所關注區(ROI)方框
904‧‧‧硬邊界
1102‧‧‧步驟
1104‧‧‧步驟
1106‧‧‧步驟
1108‧‧‧步驟
1110‧‧‧步驟
1112‧‧‧步驟
1202‧‧‧步驟
1204‧‧‧步驟
1206‧‧‧步驟
1208‧‧‧步驟
1210‧‧‧步驟
1212‧‧‧步驟
1214‧‧‧步驟
1216‧‧‧步驟
1327‧‧‧處理器
1329‧‧‧記憶體
1361‧‧‧硬碟
1362‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
1363‧‧‧電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)
1364‧‧‧隨機存取記憶體(RAM)
1365‧‧‧鍵盤
1366‧‧‧滑鼠
1367‧‧‧讀取單元
1368‧‧‧軟磁碟
1369‧‧‧CDROM
1370‧‧‧印表機
1371‧‧‧顯示器
1372‧‧‧通信網路
1373‧‧‧傳輸器/接收器
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
EXP‧‧‧曝光站
I‧‧‧照明射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元/微影裝置控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MEA‧‧‧測量站
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧圖案化器件支撐件或支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
P1‧‧‧位置
P2‧‧‧位置
P3‧‧‧位置
P4‧‧‧位置
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧影像處理器及控制器/處理單元
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
ROI‧‧‧所關注區
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧光柵目標/度量衡目標
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置； 圖2描繪其中可使用根據本發明之檢測裝置的微影製造單元或叢集； 圖3包含(a)用於根據本發明之實施例而使用第一對照明孔徑來測量目標之暗場散射計的示意圖、(b)用於給定照明方向之目標光柵之繞射光譜的細節、(c)在使用散射計以用於以繞射為基礎之疊對測量時提供另外照明模式之第二對照明孔徑，及(d)組合第一對孔徑與第二對孔徑之第三對照明孔徑； 圖4描繪基板上的已知形式之多重光柵目標及測量光點之輪廓； 圖5描繪圖3之散射計中獲得的圖4之目標之影像； 圖6為展示使用圖3之散射計之已知疊對測量方法之步驟的流程圖； 圖7說明根據習知度量衡技術的暗場疊對目標之影像及所關注區(ROI)在目標之光柵中之一者中之定位； 圖8說明遭受邊緣效應以及強度振盪及梯度的暗場影像； 圖9說明根據本發明之一實施例之ROI置放； 圖10展示以3-D之形式展示對於Sx (X軸)、Sy (Y軸)、Px及Py之不同組合之實例最佳化度量3σI(以%為單位)之分佈的曲線圖； 圖11為根據本發明之一實施例的展示使用圖3之散射計之疊對測量方法之步驟的流程圖； 圖12為根據本發明之實施例的展示判定目標強度值之步驟的流程圖；及 圖13示意性地說明可程式化以實施本發明之實施例之處理器的資料處理硬體。
902‧‧‧候選所關注區(ROI)方框
904‧‧‧硬邊界

Claims (1)

  1. 一種測量一基板上之一目標結構之一性質之方法，該方法包含如下步驟： (a)使用由該目標結構在照明下繞射之輻射之一預定部分而獲得該目標結構之一影像； (b)界定複數個候選所關注區，每一候選所關注區包含該影像中的複數個像素； (c)至少部分地基於該所關注區內之像素之信號值而定義用於該等候選所關注區之一最佳化度量值； (d)直接或間接地定義一目標信號函數，該目標信號函數定義該影像中之每一像素對一目標信號值之一貢獻，每一像素之該貢獻取決於(i)哪些候選所關注區含有彼像素及(ii)彼等候選所關注區之最佳化度量值；及 (e)根據該經定義目標信號函數，使用藉由組合來自一經偵測影像的多個像素信號值而直接或間接地演算之一目標信號值來獲得該相同目標結構或一不同目標結構之該性質之一測量。
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