TW201715058A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置，具備：陽極單元(17)，包含第一板(23)與第二板(24)。第一板(23)包含複數個第一貫穿孔(23a)，氣體通過第一貫穿孔流動，使氣體往第一板(23)的面方向擴散。第二板(24)包含比第一貫穿孔(23a)更大的複數個第二貫穿孔(24a)。第二板(24)將通過第一貫穿孔(23a)的氣體，通過複數個第二貫穿孔(24a)，在第二板(24)與陰極平台之間流動。第二貫穿孔(24a)具有在各第二貫穿孔的內部的電漿發光強度被提升為比在第二板(24)與陰極平台之間產生的電漿的發光強度更高的形狀。

Description

基板處理裝置
本發明是關於一種進行濺鍍基板表面的處理的基板處理裝置。
已知對薄型樹脂基板進行各種處理的基板處理裝置。基板處理裝置為例如具備：洗淨基板表面的洗淨部以及在已洗淨的基板表面形成金屬膜的成膜部。洗淨部為例如藉由濺鍍基板表面來除去在基板表面的附著物。又，基板處理裝置在洗淨部與成膜部之間具備搬送基板的搬送部，搬送部是沿著大致鉛直方向站立狀態下搬送基板。
洗淨部具備接地的真空槽。在真空槽內部，被搬送部所支持的基板在接觸平台的狀態下對平台施加高頻電壓。藉此，包含基板的平台做為陰極運作，真空槽中的陰極對面的部分做為陽極來運作。然後從供給至腔內的氣體在基板周圍產生電漿，以電漿中的正離子濺鍍基板表面。藉此洗淨基板表面(例如參照專利文獻1)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】特開2014-148736號公報
然而，濺鍍基板時，搬送部接於具有接地電位的真空槽的一部份。因此，具有接地電位的搬送部與施加高頻電壓的平台電容耦合的結果，高頻電壓的一部份不貢獻於電漿產生而被消費。因此，在上述基板處理裝置，每單位電力的電漿密度難以提高，結果除去附著物的速度也難以提高。
又，不受限於以上述搬送部支持基板的基板處理裝置，即使在具備在大致水平狀態下支持基板的支持部的結構，與具備搬送部的基板 處理裝置一樣，被施加於平台的高頻電壓的一部份，不貢獻於電漿產生而被消費。又，施加於平台的電壓即使是高頻電壓以外的電壓，例如直流電壓等，與施加高頻電壓的情況一樣，電壓的一部份不貢獻於電漿產生而被消費。
本發明的目的在於提供一種可提高每單位消費電力的濺鍍效率的基板處理裝置。
一態樣的基板處理裝置，具備：接地的殼體；陰極平台，被構成為位於前述殼體內並支持基板，施加用來產生電漿的電壓；陽極單元，固定於前述殼體，包含：第一板，位於前述殼體內並包含複數個第一貫穿孔；以及第二板，位於前述第一板與前述陰極平台之間並包含比前述第一貫穿孔更大的複數個第二貫穿孔；以及氣體供給部，向前述第一板供給氣體；其中前述第一板被構成為藉由通過前述複數個第一貫穿孔流動前述氣體，使前述氣體向前述第一板的面方向擴散；前述第二板被構成為將通過前述第一貫穿孔的前述氣體，通過前述複數個第二貫穿孔在前述第二板與前述陰極平台之間流動；前述複數個第二貫穿孔具有在各第二貫穿孔內部的電漿發光強度被提昇為比前述第二板與前述陰極平台之間產生的電漿發光強度更高的形狀。
根據上述基板處理裝置，在經由第一板供給氣體到第二板的狀態下施加電壓至陰極平台時，除了陽極單元與陰極平台之間產生的電漿，也可以在形成於第二板的各第二貫穿孔的內部產生電漿。藉此，在殼體內的電漿密度提高，向著基板飛行的帶電粒子的密度也會提高。結果，每單位消費電力的濺鍍速度提高。
在一實施形態，前述第二板被配置於面對前述第一板的的位置。在此情況下，上述基板處理裝置較佳為更具備：閉塞部，遍及前述第一板的周方向整體關閉前述第一板與前述第二板之間的空間區域。
藉由此結構，第一板與第二板之間的空間區域的周圍被閉塞部所關閉，所以可容易地提高各第二貫穿孔的內部的壓力。
在一實施形態，上述基板處理裝置，較佳為更具備：劃分部， 遍及前述第一板的周方向整體，從前述陽極單元的外部劃分前述第一板與前述陽極單元內的前述殼體的內壁之間的空間區域。
根據此結構，第一板與殼體內壁之間的空間區域的周圍被劃分部劃分，所以向第一板供給的氣體容易通過第一貫穿孔流入第一板與第二板之間的空間。此外，可容易提昇第二貫穿孔內部的壓力。
在一實施形態，前述複數個第二貫穿孔分別形成為圓形孔狀，具有3mm以上20mm以下的直徑為較佳。
根據此結構，在第二貫穿孔的內部，容易產生高密度的電漿。
在一實施形態，前述複數個第一貫穿孔分別形成為圓形孔狀，具有0.5mm以上5mm以下的直徑為較佳。
根據此結構，進入第二貫穿孔的電漿進入第一貫穿孔為止者被抑制，所以也可以減輕第一板所需要的電漿耐性。
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧搬出入腔
12‧‧‧洗淨腔
13‧‧‧濺鍍腔
14‧‧‧閘閥
15‧‧‧排氣部
16‧‧‧搬送部
17、19‧‧‧陽極單元
17a‧‧‧支持部
17a1‧‧‧第一筒端
17a2‧‧‧第二筒端
18‧‧‧陰極平台
18a‧‧‧導電部
18b‧‧‧絕緣部
21‧‧‧殼體
21a‧‧‧供給埠
22‧‧‧氣體供給部
23‧‧‧第一板
23a‧‧‧第一貫穿孔
24‧‧‧第二板
24a‧‧‧第二貫穿孔
25‧‧‧電源
Dep1‧‧‧第一深度
Dep2‧‧‧第二深度
Dia1‧‧‧第一徑
Dia2‧‧‧第二徑
G‧‧‧氬氣
L‧‧‧流路寬
P‧‧‧電漿
P1‧‧‧第一週期
P2‧‧‧第二週期
S‧‧‧基板
T‧‧‧托架
X、Y‧‧‧方向
第一圖表示一實施形態的基板處理裝置的概略結構的平面圖。
第二圖表示第一圖的基板處理裝置所具備的洗淨腔的概略結構的側面圖。
第三圖表示第二圖的洗淨腔所具備的陽極單元的擴大剖面圖。
第四圖表示第三圖的陽極單元所具備的第一板的一部份的擴大平面圖。
第五圖表示第三圖的陽極單元所具備的第二板的一部份的擴大平面圖。
第六圖是第四圖所示的第一板的部分擴大剖面圖。
第七圖是第五圖所示的第二板的部分擴大剖面圖。
第八圖是用來說明基板處理裝置的作用的洗淨腔的側面圖。
第九圖是用來說明基板處理裝置的作用的陽極單元的側面圖。
第十圖表示在變形例的各板的貫穿孔的形狀的平面圖。
第十一圖表示另一變形例的各板的貫穿孔的形狀的平面圖。
參照第一~九圖來說明基板處理裝置的一實施形態。在以下依序說明基板處理裝置的結構、基板處理裝置所具備的洗淨腔的結構，洗淨腔的作用以及實施例。
〔基板處理裝置的結構〕
參照第一圖來說明基板處理裝置的結構。
如第一圖所示，基板處理裝置10具備：搬出入腔11、洗淨腔12以及濺鍍腔13，搬出入腔11、洗淨腔12以及濺鍍腔13沿著一方向(連結方向)以此順序並列。
在連結方向，搬出入腔11與洗淨腔12之間，以及，洗淨腔12與濺鍍腔13之間，有閘閥14。各閘閥14在連結方向被連接於夾著該閘閥14的兩腔。藉由打開閘閥14，在連結方向相鄰的兩個腔形成一個內部空間，藉由關閉閘閥14，在連結方向相鄰的兩個腔形成個別的內部空間。
各腔具備排氣部15，排氣部15將對應的腔的內部空間減壓。例如排氣部15將對應的腔的內部空間做為真空。基板處理裝置10具備：搬送部16，沿著連結方向從搬出入腔11延伸至濺鍍腔13。搬送部16搬送托架T托架T支持在基板處理裝置10的處理對象(基板S)。又，搬送部16在連結方向的特定位置也可以固定托架T。
搬出入腔11將支持處理前的基板S的托架T，從基板處理裝置10的外部搬入，並搬出至洗淨腔11。又，搬出入腔11將支持處理後的基板S的托架T，從洗淨腔12搬入，並搬出至基板處理裝置10的外部。
洗淨腔12具備：陽極單元17，固定於基板處理裝置10的一個內側面；以及陰極平台18，面對陽極單元17。洗淨腔12洗淨處理前的基板S來除去附著於基板S的面的附著物。
濺鍍腔13具備陽極單元19，陽極單元19具備由特定材料形成的標靶。濺鍍腔13藉由標靶的濺鍍，在洗淨處理後的基板S的面形成特定膜。
又，基板處理裝置10也可以具備進行上述三個腔11~13所進行的處理以外的處理的腔，也可以具備複數個濺鍍腔13。又，基板處理裝置10也可以具備至少洗淨腔12，也可以不具備濺鍍腔13與搬出入腔11的至少一者。
〔洗浄腔的結構〕
參照第二~七圖來說明洗淨腔12的結構。
如第二圖所示，洗淨腔12具備：接地的殼體21以及氣體供給部22。陰極平台18以及陽極單元17被配置於殼體21內。陰極平台18被構成為支持基板S，在陰極平台18施加有用來產生電漿的電壓。
陽極單元17包含第一板23及第二板24，被固定於殼體21。在第一板23形成有複數個第一貫穿孔23a(參照第四圖)。氣體供給部22向第一板23流動氣體。第一板23藉由通過第一貫穿孔23a流動氣體，使氣體向第一板23的面方向擴散。
第二板24位於第一板23與陰極平台18之間，在第二板24形成有比第一貫穿孔23a更大的複數個第二貫穿孔24a(參照第五圖)。第二板24將通過第一貫穿孔23a的氣體，通過第二貫穿孔24a在第二板24與陰極平台18之間流動。各第二貫穿孔24a具有在各第二貫穿孔的內部的電漿發光強度被提升為比在第二板24與陰極平台18之間產生的電漿的發光強度更高的形狀。又，第二板24與陰極平台18之間產生的電漿是陽極單元17與陰極平台18之間產生的電漿，即陽極單元17的外側(因此各貫穿孔24a的外側)產生的電漿。
根據洗淨腔12，當經由第一板23供給氣體至第二板24的狀態下施加電壓於陰極平台18，則陽極單元17與陰極平台18之間產生有電漿。再者，形成於第二板24的各第二貫穿孔24a的內部也可以產生電漿。
藉此，在陽極單元17的第二板24的周圍的電漿密度提高，向基板S飛行的粒子密度也提高。結果，除去附著於基板S的附著物的速度提高。
陰極平台18具備導電部18a與絕緣部18b，導電部18a具有接於基板S的接觸面，絕緣部18b覆蓋導電部18a中的接觸面以外的部分。在導電部18a連接有施加電壓的電源25。電源25為例如高頻電源，但也可以是其他電源，例如直流電源等。
陽極單元17與陰極平台18相面對的方向是對向方向，在對向方向，搬送部16位於陽極單元17與陰極平台18之間。
陰極平台18在對向方向被構成為可位於第一位置與第二位置。第一位置是在陰極平台18的導電部18a的接觸面接於基板S的位置(在 第二圖以兩點虛線表示)第二位置是陰極平台18不接於搬送部16或被搬送部16所支持的托架T(不干涉)的位置。
在殼體21形成有供給埠21a，在供給埠21a連接有氣體供給部22。氣體供給部22從供給埠21a供給氣體至陽極單元17的內部。氣體供給部22為例如配置於基板處理裝置10的外部的氣缸的質量流控制器。氣體供給部22供給做為用來在殼體21內部產生電漿的氣體，例如氬氣等稀有氣體。
參照第三~七圖來更詳細地說明陽極單元17的結構。
如第三圖所示，陽極單元17具備沿著對向方向並列的第一板23與第二板24。在對向方向，形成於殼體21的供給埠21a，第一板23以及第二板24以此順序並列，第一板23位於供給埠21a與第二板24之間。在對向方向，第一板23與第二板24之間的距離，較佳為例如10mm以上50mm以下。
第一板23的各第一貫穿孔23a在對向方向貫穿第一板23。第二板24的各第二貫穿孔24a在對向方向貫穿第二板24。
當氣體供給部22從供給埠21a供給氣體至陽極單元17，第一板23通過複數個第一貫穿孔23a，使氣體擴散至第一板23的面方向，同時向第二板24流動氣體。然後，第二板24將通過第一貫穿孔23a的氣體通過複數個第二貫穿孔24a，在第二板24與陰極平台18之間流動。
第二板24的複數個第二貫穿孔24a，具有在第二板24的面對陰極平台18的面所產生的電漿，進入各第二貫穿孔24a的形狀。
在第二貫穿孔24a，在陽極單元17的外部產生的電漿進入，所以第二貫穿孔24a內的電漿接觸在第二貫穿孔24a流動的氣體。因此，第二板24的內部也產生新的電漿。
在從對向方向來看第二板24時的平面視角，各第二貫穿孔24a與複數個第一貫穿孔23a中的至少一個重疊。
根據這樣的陽極單元17，對於各第二貫穿孔24a容易供給氣體，所以以複數個第二貫穿孔24a全部或幾乎全部，可以在各第二貫穿孔24a的內部產生電漿。
陽極單元17具備：支持部17a，具有在對向方向延伸的筒形狀。支持部17a是閉塞部及劃分部的一例，具有第一筒端17a1與第二筒端17a2，第一筒端17a1被固定於殼體21。支持部17a支持第一板23與第二板24，在支持部17a的第二筒端17a2被第二板24封閉著。
第一板23位於以支持部17a與第二板24與殼體21內壁所包圍的陽極單元17的內部空間。第一板23與第二板24之間的空間領域，遍及第一板23的整個周方向，被支持部17a關閉。再者，在第一板23與陽極單元17內的殼體21的內壁(供給埠21a所位在的內壁)之間的空間區域也遍及第一板23的整個周方向，被支持部17a關閉。
如此，藉由支持部17a做為關閉在第一板23與第二板24之間的空間區域的周圍的閉塞部來運作，可容易提高在第二貫穿孔24a的內部的壓力。又，支持部17a做為將在第一板23與陽極單元17內的殼體21的內部之間的空間區域從陽極單元17的外部劃分的劃分部來運作。因此，向第一板23供給的氣體，通過第一貫穿孔23a，容易往第一板23與第二板24之間的空間區域流動。此外，可容易提高在第二貫穿孔24a的內部的壓力。
在陽極單元17，第一板23、第二板24以及支持部17a的形成材料為金屬。然後，因為陽極單元17的支持部17a的第一筒端17a1被固定於殼體21，所以陽極單元17的電位也是接地電位。
如第四圖所示，在從對向方向來看第一板23時的平面視角，複數個第一貫穿孔23a在第一板23的面內規則地並列。又，複數個第一貫穿孔23a在第一板23的面內在平面視角也可以不規則地並列。
例如，複數個第一貫穿孔23a在第一板23的面內，分別沿著X方向與垂直於X方向的Y方向，規則地並列。複數個第一貫穿孔23a分別沿著X方向及Y方向以特定第一週期P1並列。第一週期P1較佳為例如5mm以上15mm以下。
各第一貫穿孔23a具有圓孔形狀，各第一貫穿孔23a的直徑為第一徑Dia1，第一徑Dia1較佳為例如0.5mm以上5mm以下。
第一徑Dia1若為0.5mm以上5mm以下，則進入第二貫穿 孔24a的電漿P進入第一貫穿孔23a為止者會被抑制，所以可減輕在第一板23所需的電漿耐性。
在第一板23的面內，相對於第一板23面積的第一貫穿孔23a面積的總和的百分率為第一開口率(%)，第一開口率較佳為5%以上50%以下。
如第五圖所示，在從對向方向來看第二板24時的平面視角，複數個第二貫穿孔24a在第二板24的面內規則地並列。又，複數個第二貫穿孔24a在第二板24的面內在平面視角也可以不規則地並列。
例如，複數個第二貫穿孔24a在第二板24的面內，分別沿著X方向與Y方向的Y方向規則地並列。複數個第二貫穿孔24a分別沿著X方向及Y方向以特定第二週期P2並列。第二週期P2較佳為例如9mm以上60mm以下。
各第二貫穿孔24a具有圓孔形狀，各第二貫穿孔24a的直徑為第二徑Dia2，第二徑Dia2比第一徑Dia1更大，較佳為例如3mm以上20mm以下。
第二徑Dia2若為3mm以上20mm以下，則在第二貫穿孔24a的內部氣體的電離效率提高，所以可在第二板24的周圍(各第二貫穿孔24a的周圍)產生密度高的電漿P。
在第二板24的面內，相對於第二板24面積的第二貫穿孔24a面積的總和的百分率為第二開口率(%)，第二開口率較佳為20%以上99%以下。
如第六圖所示，在第一貫穿孔23a，沿著對向方向的長度為第一深度Dep1，在第一貫穿孔23a，相對於第一深度Dep1的第一徑Dia1的比為第一寬高比(aspect ratio)AR1。第一寬高比AR1較佳為例如0.1以上5以下。
如第七圖所示，在第二貫穿孔24a，沿著對向方向的長度為第二深度Dep2，在第二貫穿孔24a，相對於第二深度Dep2的第二徑Dia2的比為第二寬高比(aspect ratio)AR2。第二寬高比AR2較佳為例如0.5以上15以下。
〔洗淨腔的作用〕
參照第八及九圖來說明洗淨腔12的作用。
如第八圖所示，在洗淨腔12進行基板S的洗淨處理時，首先，搬送部16將從搬出入腔11搬入至洗淨腔12的托架T搬送到面對陽極單元17的處理位置為止，在處理位置固定托架T。又，托架T被搬入洗淨腔12內時，殼體21的內部被排氣部15減壓至特定壓力為止。
接下來，陰極平台18從第二位置移動到第一位置(第八圖的位置)，導電部18a的接觸面接於基板S的面。然後，氣體供給部22供給氬氣，使殼體21的內部壓力變成特定壓力。又，因氣體供給部22供給的氬氣，也可以比陰極平台18的移動更之前進行，也可以與陰極平台18的移動大致同時開始。
之後，藉由電源25施加電壓於陰極平台18，殼體21的內部產生電漿P。然後，電漿P所包含的正離子向基板飛行，與基板S中的面向陽極單元17的面衝突。藉此，基板S中的面向陽極單元17的面所附著的附著物從基板S被除去。
此時，殼體21的內部壓力較佳為例如0.1Pa以上30Pa以下，供給至陰極平台18的電力較佳為0.04W/cm2以上4W/cm2以下。又，電源25供給的電力的頻率較佳為1MHz以上40MHz以下。又，相對於具有1MHz以上40MHz以下的頻率的電力，也可以重疊具有100Hz以上2MHz以下的頻率的電力，在此情況下，具有100Hz以上2MHz以下的頻率的電力較佳為0.02W/cm2以上0.8W/cm2以下。
如第九圖所示，當從供給埠21a供給氬氣G至陽極單元17內，則氬氣G藉由通過形成於第一板23的複數個第一貫穿孔23a，沿著第一板23的面方向擴散。
因為各第二貫穿孔24a的內部壓力比陽極單元17的外部壓力更高，所以在陽極單元17的外部(陽極單元17與陰極平台18之間)產生並進入第二貫穿孔24a內的電漿P，容易接觸第二貫穿孔24a內流動的氣體，結果即使在第二貫穿孔24a內也產生新的電漿。
又，在殼體21的內部，陽極單元17與陰極平台18之間的 空間，在遠離第二板24之處也產生電漿。在此情況下，藉由各貫穿孔24a內產生新的電漿，包含複數個第二貫穿孔24a的第二板24的周圍所形成的電漿的發光強度，變得比第二板24與陰極平台18之間產生的電漿的發光強度更高。
對此，上述代替上述陽極單元17，殼體21的一部份做為陽極來運作的結構，或是在面對陰極平台18的位置具備金屬製的板做為陽極的結構，在殼體21的內部產生電漿。但是，相較於具備陽極單元17的基板處理裝置10，因為在殼體21的內部，不會產生用來產生電漿的氣體的壓力被提高的部分，所以也不會產生電漿的發光強度被提高的部分。
如此，根據具備上述陽極單元17的結構，在包含貫穿孔24a的第二板24的周圍所形成的電漿的發光強度，比第二板24與陰極平台18之間產生的電漿的發光強度更高。因此，藉由搬送部16與陰極平台18的電容耦合，即使高頻電壓的一部份被消費，殼體21內的電漿密度提高。結果，可提高每單位消費電力的濺鍍效率。
〔實施例及比較例〕
以下，說明關於實施例與各種比較例。以下，為了容易理解，與上述實施形態的結構類似的結構賦予同樣符號來說明。
〔實施例1〕
在成為洗淨處理對象的處理面準備形成有SiO2的基板S，用上述洗淨腔12來洗淨處理面。洗淨處理以以下條件進行。又，使用氬氣做為在殼體21內用來產生電漿的氣體。
‧殼體內壓力 1.0Pa
‧電力 0.6W/cm2(13.56MHz)
陽極單元17做為具備：第一板23，具有第一徑Dia1為2mm的複數個第一貫穿孔23a；以及第二板24，具有第二徑Dia2為9mm的複數個第二貫穿孔24a，的結構。氬氣是從形成於殼體的供給埠21a向陽極單元17的第一板23來供給。
〔比較例1〕
將面對陰極平台18的位置所配置的金屬板，代替上述實施例1的陽極 單元17，用做為陽極來使用的洗淨腔來進行基板S的洗淨處理，與實施例1同樣條件下，進行基板S的洗淨處理。又，氬氣供給至殼體21的內部。
〔比較例2〕
在上述實施例1的陽極單元17，除了第二板24的各第二貫穿孔24a的第二深度Dep2為2mm以外，在與實施例1相同條件下進行基板S的洗淨處理。
〔比較例3〕
在陽極單元17的外部的位置，除了供給氬氣至殼體21的內部以外，在與實施例1相同條件下進行基板S的洗淨。
〔基板蝕刻速度〕
關於實施例1及各比較例1~3，算出SiO2膜的蝕刻速度來做為基板S表面所附著的附著物的除去速度。測量蝕刻前的SiO2膜的厚度與蝕刻後的SiO2膜的厚度，藉由從蝕刻前的SiO2膜的厚度減掉蝕刻後的SiO2膜的厚度的值，除以處理時間，算出蝕刻速度。蝕刻速度的算出結果表示在以下的表1。
如表1所示，在實施例1的蝕刻速度為5.8mm/分。對此，在比較例1的蝕刻速度為3.2mm/分，在比較例2的蝕刻速度為2.6mm/分，在比較例3的蝕刻速度為3.0mm/分。
如此，使用在第二板24的第二徑Dia2比在第一板23的第一徑Dia1更大的陽極單元17，藉由對第一板23供給用來產生電漿的氣體，提高基板S的蝕刻速度(即提高除去基板S表面所附著的附著物的速度)。
如以上說明，根據基板處理裝置10的一實施形態，可獲得以下列舉的效果。
(1)在經由第一板23供給氣體至第二板24的狀態下，施加電壓至陰 極平台18，則除了陽極單元17與陰極平台18之間產生的電漿P以外，在形成於第二板24的各第二貫穿孔24a的內部也可產生電漿P。藉此，在殼體21內的電漿P的密度提高，向基板S被吸引的帶電粒子的密度也提高。結果，除去附著於基板S的附著物的速度提高。
(2)因為第一板23與第二板24之間的空間區域的周圍被支持部17a關閉，所以可提高在第二貫穿孔24a的內部的壓力，促進在第二貫穿孔24a內部的電漿產生。
(3)第一板23與陽極單元17內的殼體21的內壁之間的空間區域的周圍被支持部17a從陽極單元17的外部劃分。因此，向第一板23供給的氣體，通過第一貫穿孔23a，容易流到第一板23與第二板24之間的空間區域。此外，可容易地提高在第二貫穿孔24a的內部的壓力。
(4)因為第二徑Dia2為3mm以上20mm以下，所以在第二貫穿孔24a的內部氣體的電離效率提高，可在第二板24周圍產生密度高的電漿P。
(5)因為第一徑Dia1為0.5mm以上50mm以下，所以進入第二貫穿孔24a的電漿P進入第一貫穿孔23a者被抑制。因此，可減輕在第一板23所需要的電漿耐性。
再者，上述的實施形態，也可以如以下適當變更來實施。
‧各第一貫穿孔23a及各第二貫穿孔24a不為圓形孔狀，也可以具有其他形狀。
例如，如第十圖所示，在各板23、24的平面視角，各貫穿孔23a、24a也可以具有正方形形狀。在如此結構，在各板23、24的平面視角，在各貫穿孔23a、24a的最大長度的流路寬L，即在各各貫穿孔23a、24a的對角線的長度，若為第一貫穿孔23a，也可以是包含在上述第一徑Dia1的範圍的大小，若為第二貫穿孔24a，也可以是包含在上述第二徑Dia2的範圍的大小。藉此，可獲得根據上述(4)或(5)的效果。
又，在各板23、24的平面視角，各貫穿孔23a、24a也可以具有正方形形狀以外的四角形形狀，也可以具有四角形形狀以外的多角形形狀，例如五角形形狀或六角形形狀等。
又，如第十一圖所示，各貫穿孔23a、24a在各板23、24的平面視角也可以具有橢圓形狀。即使是如此結構，在貫穿孔23a、24a的流路寬L若為第一貫穿孔23a，也可以是包含在上述第一徑Dia1的範圍的大小，若為第二貫穿孔24a，也可以是包含在上述第二徑Dia2的範圍的大小。藉此，可獲得根據上述(4)或(5)的效果。
‧若各第一貫穿孔23a的第一徑Dia1為包含在上述範圍的的大小，且比各第二貫穿孔24a的第二徑Dia2更小，則各第一貫穿孔23a的第一徑Dia1的大小也可以彼此不同。
‧若各第二貫穿孔24a的第二徑Dia2為包含在上述範圍的的大小，則各第二貫穿孔24aa的第二徑Dia2的大小也可以彼此不同。
‧若各第一貫穿孔23a的第一徑Dia1係可沿著第一板23的面方向擴散氣體，且比各第二貫穿孔24a的第二徑Dia2更小，則可以比0.5mm更小，也可以比5mm更大。
‧若各第二貫穿孔24a的第二徑Dia2係在第二貫穿孔24a的內部的電漿的發光強度比第二板24與陰極平台18之間產生的電漿的發光強度更高，且比各第一貫穿孔23a的第一徑Dia1更大，則可以比3mm更小，也可以比20mm更大。
‧在第二板24的平面視角，複數個第二貫穿孔24a中的至少一部份，也可以與任一第一貫穿孔23a不重疊。
‧第二貫穿孔24a也可以不是第二板24與陰極平台18之間所形成的電漿進入第二貫穿孔24a內部的形狀。即使是如此結構，若第二貫穿孔24a具有在第二貫穿孔24a的內部的電漿的發光強度比在第二板24與陰極平台18之間產生電漿的發光強度更高的形狀，則可獲得根據上述(1)的效果。
‧在上述實施形態，雖然閉塞部及劃分部雙方是由同一部件(支持部17a)所形成，但閉塞部及劃分部也可以分別由個別部件所構成。例如，支持部17a也可以由兩個部件所構成。
‧第一板23與第二板24之間的空間區域的周圍也可以不被閉塞部(支持部17a)所閉塞而開放。即使是如此結構，只要是通過第一板 23的第一貫穿孔23a供給的氣體，通過第二板24的第二貫穿孔24a向陰極平台18流動，則可以將在第二貫穿孔24a的內部的壓力比在第二板24與陰極平台18之間的壓力更提高。因此，可提高每單位消費電力的濺鍍效率。
‧第一板23與陽極單元17內的殼體21的內壁之間的空間區域的周圍也可以不被劃分部(支持部17a)所劃分而開放。即使是如此結構，只要是通過第一板23的第一貫穿孔23a供給的氣體，通過第二板24的第二貫穿孔24a向陰極平台18流動，則可以將在第二貫穿孔24a的內部的壓力比在第二板24與陰極平台18之間的壓力更提高。因此，可提高每單位消費電力的濺鍍效率。
‧陰極平台18若不干涉托架T的搬送，則也可以被固定在殼體21內的特定位置。
‧藉由在殼體21內的陰極平台18的位置被固定，且搬送部16沿著陽極單元17與陰極平台18相面對的對向方向移動，托架T的位置也可以在第一位置與第二位置之間改變。在此情況下，第一位置與第二位置是在對向方向彼此不同的位置。其中，第一位置是不干涉托架T與陰極平台18，搬送部16可搬送托架T的位置，第二位置是陰極平台18與基板S相接的位置。
‧雖然陰極平台18被形成為導電部18a之中的接於基板S的部分從絕緣部18b露出，但若可施加電壓於基板S，則整個導電部18a也可以被絕緣部18b覆蓋。
‧基板處理裝置10也可以是在沿著大致水平方向配置托架T的狀態下在基板S進行洗淨處理的裝置。例如，如上述實施形態，基板處理裝置10若為具備複數個腔11~13的結構，則搬送部16也可以是例如在遍及複數個腔11~13沿著大致水平方向配置托架T的狀態下搬送。或者是，基板處理裝置10若為僅具備搬出入腔11與洗淨腔12的結構，則搬出入腔11也可以具備：搬送電動機，從搬出入腔11的外部接受托架T，搬送該托架T至洗淨腔12。
‧即使沒有因托架T造成的基板S的支持，若可以搬送基板S及處理基板S則也可以省略托架T。
17‧‧‧陽極單元
17a‧‧‧支持部
17a1‧‧‧第一筒端
17a2‧‧‧第二筒端
21‧‧‧殼體
21a‧‧‧供給埠
23‧‧‧第一板
23a‧‧‧第一貫穿孔
24‧‧‧第二板
24a‧‧‧第二貫穿孔

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，具備：接地的殼體；陰極平台，被構成為位於前述殼體內並支持基板，施加用來產生電漿的電壓；陽極單元，固定於前述殼體，包含：第一板，位於前述殼體內並包含複數個第一貫穿孔；以及第二板，位於前述第一板與前述陰極平台之間並包含比前述第一貫穿孔更大的複數個第二貫穿孔；以及氣體供給部，向前述第一板供給氣體；其中前述第一板被構成為藉由通過前述複數個第一貫穿孔流動前述氣體，使前述氣體向前述第一板的面方向擴散；前述第二板被構成為將通過前述第一貫穿孔的前述氣體，通過前述複數個第二貫穿孔在前述第二板與前述陰極平台之間流動；前述複數個第二貫穿孔具有將在各第二貫穿孔內部的電漿發光強度提昇為比前述第二板與前述陰極平台之間產生的電漿發光強度更高的形狀。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中前述第二板被配置於面對前述第一板的的位置；前述基板處理裝置更具備：閉塞部，遍及前述第一板的周方向整體關閉前述第一板與前述第二板之間的空間區域。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的基板處理裝置，更具備：劃分部，遍及前述第一板的周方向整體，從前述陽極單元的外部劃分前述第一板與前述陽極單元內的前述殼體的內壁之間的空間區域。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述的基板處理裝置，其中前述複數個第二貫穿孔分別形成為圓形孔狀，具有3mm以上20mm以下的直徑。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中前述複數個第一貫穿孔分別形成為圓形孔狀，具有0.5mm以上5mm以下的直徑。
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