TW201708263A - 塗層 - Google Patents

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戴爾文 伊凡斯
安捷里奇 西歐庫
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Abstract

本發明提供一種電子裝置或電氣裝置或其組件，其包含在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上的保護性聚合物塗層，其中該聚合物塗層可藉由使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含一或多種飽和單體化合物之電漿，保持足以允許在其表面上形成該保護性聚合物塗層之時間段而獲得；其中該一或多種飽和單體化合物各自具有在標準壓力下低於45℃之熔點及在標準壓力下低於500℃之沸點。

Description

塗層
本發明係關於保護塗層。詳言之(但非排他地)，本發明係關於其上形成保護塗層之基板，以及在基板上形成保護塗層之方法。
眾所周知，電子裝置及電裝置對於由液體，諸如環境液體，特定言之水之污染引起的損害極為敏感。在正常使用過程中或由於意外暴露而與液體接觸均會導致電子組件之間短路且對電路板、電子晶片等造成無法挽回之損害。
該問題對於當在外部或在內部緊密鄰近液體使用時會暴露於顯著液體污染的小型攜帶型電子設備，諸如行動電話、智慧型電話、傳呼機、無線電、助聽器、膝上型電腦、筆記型電腦、平板電腦、平板手機及個人數位助理(PDA)特別嚴重。此類裝置亦易於意外暴露於液體，例如，落入液體中或噴濺液體。
其他類型之電子裝置或電裝置，例如戶外照明系統、無線電天線及其他形式之通信設備，主要由於其位置而易於損壞。
此項技術中已知將保護塗層施加至電子基板存在特定難處。原則上，電子基板可為包含至少一個暴露之電或電子接觸點的任何電子裝置或電氣裝置或組件。此類基板特別易受損，例如由電化學遷移引起，且常常需要在複雜表面(例如電路板表面構形)上存在針對液體之特別有效之障壁及拒液保護。
已知藉由濕式化學技術，諸如刷塗、噴霧及浸漬將保形塗層施加至電子裝置或電氣裝置以防護水分、灰塵、化學物質及極端溫度。保形塗層呈現上面形成該等塗層之基板的3D形狀且覆蓋該基板之整個表面。舉例而言，已知基於聚對二甲苯技術將相對較厚之保護塗層施加至電子基板。以此方式形成之保形塗層通常對於丙烯酸類樹脂、環氧樹脂或胺基甲酸酯樹脂具有30至130μm之厚度且對於聚矽氧樹脂具有50至210μm之厚度。
使用濕式化學技術形成此等塗層之不足之處在於對使用溶劑之需求及相關環境影響。此外，濕式化學技術僅允許塗佈裝置或組件之暴露區域，因此『隱藏的』區域，例如在組件後之凹槽無法得到保護。行動電話上此類隱藏區域之實例包括在RF屏蔽下之區域、屏蔽FOG(玻璃上撓性板)連接器、ZIF(零插拔力)連接器之內部部件。
此外，此類基板之電或電子接觸點若塗佈過厚保護層，則可能由於電阻增加而失去其功能。
由於藉由濕式化學技術形成之保形塗層相對較厚，故通常將接觸點遮蔽以防止塗層沈積於其上。然而，此導致複雜的加工，而此對於工業規模係不切實際的。此外，相對較厚之塗層會使諸如旋轉軸之區域堵塞。保護電子裝置及電氣裝置之替代方法為P2i之防濺(TM)技術，其中將超薄拒液保護塗層施加至組裝之電子裝置或電氣裝置之外部及內部。此限制液體進入，同時另外防止任何進入之液體在該裝置內擴散。因此，在第一時間防止絕大部分的任何侵入液體進入裝置中，同時在該裝置內存在不會干擾接觸點功能之某種另外的保護。然而，由於此技術係針對拒液塗層而非物理障壁，故其一般僅提供針對噴濺之防護且並無針對裝置浸入液體中之防護。
WO2007/083122揭示電子裝置及電氣裝置，其上藉由暴露於包含特定單體化合物之脈衝電漿，保持足以允許在該電氣裝置或電子裝置 之表面上形成聚合物層之時間段而形成拒液聚合物塗層。一般而言，將待處理之物品與欲沈積之氣態材料一起置放於電漿腔室內，在該腔室內點燃輝光放電且施加適合電壓，該電壓可為脈衝電壓。此專利申請案係針對一種拒液塗層而非物理障壁。
此項技術中仍需要不具有先前技術方法所施加之塗層之缺點的非常有效之保護塗層。此類塗層可進一步增強基板對液體之抗性及/或能夠更高效地製造受保護之基板，特別是在電子工業中。本發明之一個目的係提供針對此問題及/或至少一個與先前技術有關之其他問題的解決方案。
根據本發明之一態樣，提供一種電子裝置或電氣裝置或其組件，其包含在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上的保護性聚合物塗層，其中該聚合物塗層可藉由使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含一或多種飽和單體化合物之電漿，保持足以允許在其表面上形成保護性聚合物塗層之時間段而獲得；其中該一或多種飽和單體化合物各自具有在標準壓力下低於45℃之熔點及在標準壓力下低於500℃之沸點。
較佳地，各飽和單體化合物為式(I)化合物：
其中R1至R4各自獨立地選自氫、鹵素及視情況經取代之C1-C6環狀、分支鏈或直鏈烷基，且n為1至24。
本發明提供在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上的保護性聚合物塗層，其係藉由使飽和單體化合物聚合而形成。使用飽和單 體作為保護性聚合物塗層之起始物質的益處源於以下事實：其穩定性高於不飽和單體(其聚合與不飽和單體不同)，因此其可容易地儲存及運輸。出於相同原因，不需要添加自由基抑制劑(穩定劑)且不需要考慮其對儲存及聚合反應過程之影響。此外，由於相較於不飽和單體，飽和單體通常不易於官能化，故其亦可比不飽和單體便宜。
使飽和單體，亦即無諸如雙鍵或參鍵之可聚合結構之單體聚合需要高能量條件。此意謂在聚合反應過程期間，發生烴之顯著片段化，由此引起單體之交聯。使用本文所描述之飽和分子進行電漿聚合由於缺乏不飽和鍵而不具有位點特異性。此產生更多交聯之結構。聚合物中較高比例交聯之存在意味著，聚合物塗層更緻密且提供針對質量及電子傳輸之物理障壁(亦即，限制水、氧及離子之擴散)。
較佳飽和單體化合物在標準壓力下具有低於40℃，視情況低於35℃，最佳低於30℃之熔點。較佳飽和單體化合物在標準壓力下具有低於450℃，視情況低於400℃，視情況低於350℃，最佳低於300℃之沸點。
n值可為1至22、1至18、1至16，或在一個較佳實施例中，n為8至14，視情況n為12。
鹵素可為氯或溴，但為了遵守RoHS法規(危害物質限用指令(Restriction of Hazardous Substances))，較佳為氟。單體可為全氟烷烴。單體可含有1、2、3、4、5或6個氟基。
在一個實施例中，R1至R4各自獨立地選自氫及視情況經取代之C1-C6分支鏈或直鏈烷基。熟習此項技術者將瞭解C1-C6環狀、分支鏈或直鏈烷基之可能取代基。熟習此項技術者將瞭解，C1-C6環狀、分支鏈或直鏈烷基各自可經一或多個飽和官能基取代。若烷基經取代，則較佳取代基為鹵基，亦即，R1至R4中之任一者可為鹵烷基，較佳為氟烷基。烷基可經一或多個氟基取代。R1至R4中之任一者可經1、2、 3、4、5或6個氟基取代。R1至R4中之任一者可為全氟烷基。該等烷基中之任一者亦可經一或多個羥基取代。
視情況C1-C6烷基各自可獨立地選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、新戊基、正己基、異己基及3-甲基戊基。
在一個較佳實施例中，R1及R4均為甲基。
在一個較佳實施例中，R2及R3各自獨立地選自氫及甲基。在一個較佳實施例中，R2及R3各自為氫。
在一個較佳實施例中，R1及R4均為甲基且R2及R3各自為氫，亦即，該單體為直鏈烷烴。在一個尤佳實施例中，R1及R4均為甲基，R2及R3各自為氫，且n為8至14，最佳為12。
單體可為C1-C21直鏈烷烴、C1-C8直鏈烷烴、C9-C18直鏈烷烴或C13-C16直鏈烷烴。單體可為C4-C24分支鏈烷烴、C4-C8分支鏈烷烴、C9-C22分支鏈烷烴或C13-C16分支鏈烷烴。應瞭解，分支鏈烷烴單體之最大碳原子數將高於直鏈單體之最大碳原子數以滿足單體在標準壓力下熔點低於45℃且在標準壓力下沸點低於500℃之要求。
較佳地，單體係選自甲烷、乙烷、丙烷、正丁烷、異丁烷、正戊烷、異戊烷、新戊烷、正己烷、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2,2-二甲基丁烷、2,3-二甲基丁烷、正庚烷、2-甲基己烷、3-甲基己烷、2,2-二甲基戊烷、2,3-二甲基戊烷、2,4-二甲基戊烷、3,3-二甲基戊烷、3-乙基戊烷、2,2,3-三甲基丁烷、正辛烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、4-甲基庚烷、2,2-二甲基己烷、2,3-二甲基己烷、2,4-二甲基己烷、2,5-二甲基己烷、3,3二甲基己烷、3,4-二甲基己烷、3-乙基己烷、2,2,3-三甲基戊烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,3,3-三甲基戊烷、2,3,4-三甲基戊烷、3-乙基-2-甲基戊烷、3-乙基-3-甲基戊烷、2,2,3,3-四甲基丁烷、正壬烷及其異構體、正癸烷及其異構體、正十一烷及其異構體、正十 二烷及其異構體、正十三烷及其異構體、正十四烷及其異構體、正十五烷及其異構體，及正十六烷及其異構體。尤佳單體化合物為正十四烷。2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷亦為適合的。
表1提供適合直鏈烷烴單體及其在標準(大氣壓)壓力下之相應熔點及沸點之列表。
一些較佳分支鏈烷烴單體之化學結構提供於下：
電漿可包含單一單體化合物。在此情況下，塗層係由該單一單體化合物聚合形成。
或者，電漿可包含兩種不同單體化合物。在此情況下，塗層係 由該兩種不同單體化合物聚合形成共聚物而形成。舉例而言，電漿可包含單體化合物及共單體化合物，其中該單體化合物及該共單體化合物具有根據式(I)之不同化學結構。亦可涵蓋超過兩種不同單體化合物。
使用兩種或多於兩種不同單體化合物允許定製塗層特性(例如，硬度、表面修整及蝕刻，及在基板/塗層界面處之聚合物生長)。舉例而言，對於塗層中易於磨損之區域，所選共單體應與基板表面及/或在頂部之頂蓋層建立較強界面以保護該塗層。
在一個較佳實施例中，保護性聚合物塗層為物理障壁。術語物理障壁用於意謂，塗層藉由提供針對質量及電子傳輸之物理障壁，限制水、氧及離子隨時間/電壓之擴散來保護電子裝置或電氣裝置或其組件。
該塗層可形成由至少70°之靜態水接觸角(WCA)界定之表面。WCA為至少90°之塗層可描述為拒液的(通常為拒水的)。在此情況下，塗層除提供物理障壁外，亦實現拒液性。對於氟化聚合物，塗層之靜態水接觸角可為至少100°。液體在固體基板上之接觸角指示表面能，該表面能又說明基板之拒液性。接觸角可在VCA Optima接觸角分析儀上，在室溫下使用3μl去離子水液滴進行量測。
在一個尤佳實施例中，保護性聚合物塗層係在裝置或其組件之表面上的保形聚合物塗層。
當塗層為保形塗層時，此意謂其呈現電子裝置或電氣裝置或其組件之3D形狀且實質上覆蓋該裝置之整個表面。此有利於確保該塗層在該裝置或組件之整個表面上具有足夠厚度以得到最佳功能。術語「實質上覆蓋整個表面」之含義在一定程度上取決於欲覆蓋之表面之類型。舉例而言，對於一些組件，可能需要完全覆蓋表面以使該組件在浸沒於水中之後仍起作用。然而，對於其他組件或外殼，可容許覆 蓋範圍存在小間隙。
申請人已發現，形成物理障壁之保形塗層可以比先前技術所獲得之塗層低得多的厚度形成。此新的較薄塗層提供物理障壁保護，同時使用較少單體且具有較短加工時間，因此具有環境及經濟優勢。
本發明之塗層足夠薄以避免堵塞諸如旋轉軸之重要區域。
本發明之塗層足夠薄以實現與電接觸點之電連接，無需事先移除塗層，因此在塗佈製程期間無需遮蔽電接觸點。此對於諸如ZIF(零插拔力)連接器、耳機插口及SIM卡槽之組件特別有利。
不同連接器對接觸點(且因此對塗層)施加不同力且可具有不同表面型態與接觸點接觸(例如，平面、圓形或尖形)。適合連接器之實例包括ZIF連接器、RF連接器、滑擦接觸、以高殘餘接觸力接觸(插入之後之平衡力)、彈簧連接器、耳機連接器及SIM卡槽。出於本發明之目的，使用ZIF或RF連接器決定是否能經由塗層產生電連接。
保護性聚合物塗層之厚度可為50至10,000nm，視情況為50至8000nm、100至5000nm，較佳為250nm至5000nm，最佳為250nm至2000nm。低於2,000nm之塗層對於經由塗層連接耳機顯示良好結果。低於1,000nm之塗層對於經由塗層連接至彈簧連接器及SIM卡槽顯示極佳結果。
保護性聚合物塗層可在實質上該裝置之外表面及/或內表面上形成保形物理障壁。舉例而言，保護性聚合物塗層可在電子裝置或電氣裝置或其組件之實質上整個外表面上形成保形物理障壁。
在一個實施例中，電子裝置或電氣裝置或其組件包含外殼且保護塗層在該外殼之實質上整個外表面及/或內表面上及/或在該外殼內之組件之表面上形成保形物理障壁。
在一個實施例中，電子裝置或電氣裝置或其組件包含外殼且保護性聚合物塗層在實質上該外殼之整個內表面及/或該外殼內之組件 之表面上形成保形物理障壁。在此實施例中，塗層對內表面提供適當保護；外殼之外表面可不具有塗層，此可對裝飾區有利且減少加工步驟。
使用電漿聚合提供具有良好厚度及品質均一之塗層且允許塗佈電子裝置或電氣裝置或其組件上之未暴露區域，例如在組件後使用濕式化學技術不可接近之凹槽。此外，使用電漿聚合之益處亦在於，其為不需要使用溶劑之潔淨技術。
該塗層可包含一或多個保護性聚合物塗層。
較佳該保護性聚合物塗層為電絕緣的。
在一個實施例中，當對電子裝置或電氣裝置或組件施加功率時，電子裝置或電氣裝置或其組件可經受住浸入多達1m之水中超過30分鐘，而無故障或腐蝕。
視情況，當將保護性聚合物塗層施加於測試印刷電路板(PCB)上時，其在浸沒於水中且施加至少16V/mm電壓(例如，跨電極之間0.5mm間隙施加8V電壓)達最少13分鐘時具有8兆歐姆或超過8兆歐姆電阻。
在一個實施例中，塗層為電絕緣的且塗層具有足夠順應性以使電連接器可接合至電子裝置或電氣裝置或其組件且在電連接器與電子裝置或電氣裝置或其組件之間產生電連接，而不需要先移除塗層。
視情況，塗層為電絕緣的且使用1mm直徑之圓形探針對塗層施加低於100g之力允許與電子裝置或電氣裝置或其組件在已施加力之局部區域中產生電連接。
視情況，塗層為電絕緣的且其厚度為150nm至1000nm，且使用1mm直徑之圓形探針對塗層施加低於65g之力允許在該塗層已施加力之局部區域中產生電連接。
視情況，該電子裝置或電氣裝置或其組件包含至少一個電接觸 且其中該至少一個接觸經塗層覆蓋。
該電子裝置或電氣裝置或其組件較佳選自行動電話；智慧型電話；傳呼機；無線電；聲音及音頻系統，諸如擴音器、麥克風、振鈴器及/或蜂音器；助聽器；個人音頻設備，諸如個人CD、卡式磁帶或MP3播放機；電視；DVD播放機，包括攜帶型DVD播放機；視頻記錄器；數位式及其他機頂盒；電腦及相關組件，諸如膝上型電腦、筆記型電腦、平板、平板手機、掌上型電腦、個人數位助理(PDA)、鍵盤或儀錶；遊戲控制台；資料儲存裝置；戶外照明系統；無線電天線及其他通信設備；及印刷電路板。
在本發明之較佳實施例中，基板可包含電子組件，例如印刷電路板(PCB)、印刷電路板陣列(PCBA)、電晶體、電阻器或半導體晶片，或由其組成。因此，電子組件可為電子裝置(例如行動電話)之內部組件。本發明之塗層對於防止此類組件中之電化學遷移特別有意義。
在另一態樣中，本發明提供一種用於處理如前述技術方案中任一項之電子裝置或電氣裝置或組件的方法，其包含： 使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含一或多種飽和單體化合物之電漿，保持足以允許在其表面上形成保護性聚合物塗層之時間段；其中該一或多種飽和單體化合物各自具有在標準壓力下低於45℃之熔點及在標準壓力下低於500℃之沸點。
較佳地，各單體為式(I)化合物：
其中R1至R4各自獨立地選自氫、鹵素及視情況經取代之C1-C6分 支鏈或直鏈烷基，且n為1至24。
單體化合物如以上詳細定義。
視情況，塗層係以連續層形式構造。
電漿可包含一種單體化合物。在此情況下，塗層係由該單一單體化合物聚合形成。
或者，電漿可包含兩種不同單體化合物。在此情況下，塗層係由該兩種不同單體化合物聚合形成共聚物而形成。舉例而言，電漿可包含單體化合物及共單體化合物，其中該單體化合物及該共單體化合物具有根據式(I)之不同化學結構。亦可涵蓋超過兩種不同單體化合物。
該塗層可包含一或多個塗層，其中該一或多個塗層之總厚度在根據第一態樣之範圍內。或者，該塗層可包含一或多個塗層，其中各塗層之厚度在根據第一態樣之範圍內。
理想地，單體在室溫下為氣體或液體，以使其能輸送至電漿腔室中。
電漿通常係藉由對該一或多種單體化合物施加射頻信號而形成。適合用於本發明之方法中的電漿包括非平衡電漿，諸如由射頻(Rf)、微波或直流電(DC)產生之電漿。如此項技術中所知，其可在大氣壓或次大氣壓力下操作。然而，特定言之，其可由射頻(Rf)產生。
電漿可為脈衝波(PW)電漿及/或連續波(CW)電漿。
塗層較佳實質上不含小孔以使其能夠提供物理障壁。較佳△Z/d<0.15，其中△Z為平均高度變化，亦即，在AFM線掃描時量測之表面輪廓且d為塗層厚度。△Z/d之值指示塗層表面上之缺陷延伸至塗層中之程度，亦即，缺陷深度相對於總塗層厚度之百分比值。舉例而言，△Z/d=0.15意謂，表面上之空隙僅向下延伸至15%之塗層厚度。△Z/d<0.15之塗層在本文中定義為實質上不含小孔。
塗層之密度可高於形成該塗層之相應單體的密度。舉例而言，密度增加可為約0.1g/cm3。密度之增加係由高度交聯之塗層解釋。塗層之高密度改善該塗層之障壁特性。
製程參數可包含例如功率、單體之流動速率及單體流量/功率比。
較佳單體流動速率在標準溫度及壓力下為0.2至50sccm，較佳為0.2至10sccm，最佳為0.25至1.0sccm。
在一個尤佳實施例中，功率與單體流動速率之比率為5至70W/sccm，視情況為40至70W/sccm，視情況為30至50W/sccm。
使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於電漿之步驟可在反應腔室中發生。
使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於電漿之步驟可包含二步製程，其中第一及第二步驟包含不同電漿條件，例如第一連續波(CW)步驟及第二脈衝(PW)步驟。
已發現連續波(CW)沈積步驟充當基板預塗佈步驟，該步驟優化塗層之效能。申請人發現，包括CW步驟使基板表面與生長之塗層之間的界面優化，由此引起基板表面之部分蝕刻及聚合物塗層之生長。包括CW沈積步驟引起塗層之均勻生長且使塗層中形成缺陷之可能性減至最小。
已發現脈衝(PW)沈積步驟對於使塗層良好進入難以接近區域中極為重要。申請人意外地發現，內表面上塗層之品質及厚度可藉由調整流量及功率參數進行優化。增加功率提供在內表面上具有所需功能之高品質塗層。增加流量提供在外表面上具有所需功能之高品質塗層。
進入腔室中之單體化合物之流動速率可低於(以腔室之體積計)不飽和單體之情形。意外地是，已發現較高的功率/單體流量比率有助 於甚至在提供低電阻之厚度下亦形成具有所需障壁特性之聚合物塗層。
單體化合物進入腔室中之確切流動速率在一定程度上可取決於所用特定單體化合物之性質、基板之性質及所需保護塗層特性。在本發明之一些實施例中，單體化合物係以在0.2至50sccm，較佳0.2至10sccm範圍內且最佳在0.25至0.5sccm範圍內之氣體流動速率引入腔室中，不過此將取決於腔室體積。對於2.5l腔室，氣體流動速率可在0.3至0.5sccm範圍內。考慮到單體在腔室中類似於理想氣體起作用，故由液體單體流量計算單體氣體流量。
對於脈衝電漿，藉由使用較高峰值功率且改變脈衝方案(亦即，接通/斷開時間)可獲得較高平均功率。
根據另一態樣，本發明在於一種在電子裝置或電氣裝置或其組件上形成塗層之方法，該方法包含：使該基板在腔室中暴露於包含單體化合物之電漿，較佳脈衝電漿，保持足以允許在該基板上形成保護性聚合物塗層之時間段，其中在該基板暴露期間，該脈衝電漿具有至少8W/1之峰值功率(例如，接通階段)。
在此類方法中，電漿之峰值功率密度大大超過WO2007/083122中所描述之峰值功率密度。已發現，此較高的電漿功率密度意外地有助於形成甚至在提供低電阻之厚度下亦具有所需拒液特性及/或障壁特性之聚合物塗層。此歸因於在較高功率下交聯及/或片段化增加。
電漿之確切峰值功率密度在一定程度上可取決於所用特定單體化合物之性質、基板之性質及所需保護塗層特性。在本發明之一些實施例中，電漿之接通階段峰值功率密度可在3至30W/1範圍內，諸如在8至22W/1範圍內。
在一個實施例中，電漿為脈衝電漿，其中脈衝係以使得接通時間：斷開時間之比率在0.5至0.001範圍內之序列施加。舉例而言，接通 時間=35-45μs且斷開時間=0.1ms至10ms，例如0.5ms。此脈衝方案產生比先前技術之技術，例如，如WO2007/083122中所揭示的技術高得多的平均功率，由此促進所得聚合物塗層之交聯及/或片段化增加。
根據另一態樣，本發明在於一種在電子裝置或電氣裝置或其組件上形成塗層之方法，該方法包含：使該基板在腔室中暴露於包含單體化合物之電漿，較佳連續電漿，保持足以允許在該基板上形成保護性聚合物塗層之時間段，其中在該基板暴露期間，該連續電漿具有至少8W/1之功率密度。
根據另一態樣，本發明在於一種在電子裝置或電氣裝置或其組件上形成塗層之方法，該方法包含：使該電子裝置或電氣裝置或其組件在腔室中暴露於包含單體化合物的電漿，較佳脈衝電漿，保持足以允許在基板上形成保護性聚合物塗層之時間段，其中在該基板暴露期間，該脈衝電漿之峰值功率與流量比在5至200W/sccm之間，更佳在40至70W/sccm之間，最佳為60W/sccm。
已發現，此功率與流量比範圍意外地有助於甚至在極低厚度下亦形成具有所需拒液特性及/或障壁特性之聚合物塗層。
根據另一態樣，本發明在於一種在電子裝置或電氣裝置或其組件上形成塗層之方法，該方法包含：使該電子裝置或電氣裝置或其組件在腔室中暴露於包含單體化合物的電漿，較佳連續電漿，保持足以允許在基板上形成保護性聚合物塗層之時間段，其中在該基板暴露期間，該連續電漿之功率與流量比在5至200W/sccm之間，更佳在40至70W/sccm之間，最佳為60W/sccm。
使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於電漿之步驟可包含脈衝(PW)沈積步驟。或者或另外，使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於電漿之步驟可包含連續波(CW)沈積步驟。
本發明之態樣各自提供有助於形成特別有效之保護塗層的方法，該等保護塗層可施加至電子基板上，而不會不利地干擾接觸點。一個益處在於，所得塗層具有足夠順應性以使得在裝置製造及組裝期間或之後塗佈該裝置之後可接合電連接器。在一個實施例中，該方法包括在施加塗層之後，將電連接器接合至電子裝置或電氣裝置或其組件之步驟。此具有的益處在於，在電子裝置或電氣裝置或其組件製造或組裝期間塗佈該裝置或組件之後，電連接器可容易地接合至該裝置或組件。在一替代性實施例中，電連接器可在施加塗層之前接合至電子裝置或電氣裝置或其組件。
值得注意的是，本發明各態樣之特徵協同起作用且當組合時產生本發明之較佳實施例。根據本發明明確地涵蓋具有或不具有本文中所述之較佳及可選特徵中之任一者的所有此類組合。
在本發明之所有態樣中，以有效方式形成保護性聚合物塗層之精確條件將取決於多種因素而變化，諸如(但不限於)單體化合物、基板之性質以及所需塗層特性。此等條件可使用常規方法，或較佳地，使用本文所描述的本發明之技術及較佳特徵測定，其與本發明以特定協同方式起作用。
適合用於本發明之方法中的電漿包括非平衡電漿，諸如由射頻(Rf)、微波或直流電(DC)產生之電漿。如此項技術中所知，其可在大氣壓或次大氣壓力下操作。然而，特定言之，其可由射頻(Rf)產生。
可以使用各種形式之設備產生氣態電漿。一般而言，此等設備包含可產生電漿之容器或電漿腔室。此類設備之特定實例描述於例如WO2005/089961及WO02/28548中，其內容以引用的方式併入本文中，但許多其他習知電漿產生設備亦為可用的。
一般而言，將待處理之基板與單體化合物一起置放於電漿腔室內，在該腔室內點燃輝光放電且施加適合電壓。該電壓可為連續波或 脈衝電壓。單體可自開始或在初始連續功率電漿一段時間後引入。
單體化合物宜在電漿中呈氣態。電漿可僅僅包含單體化合物之蒸氣(若存在)。此類蒸氣可就地形成，其中該等化合物係以液體形式引入腔室中。單體亦可與載氣，特定言之惰性氣體，諸如氦氣或氬氣組合。
在較佳實施例中，單體可藉助於氣霧劑裝置，諸如噴霧器或其類似物輸送至腔室中，如例如WO2003/097245及WO03/101621中所描述，其內容以引用的方式併入本文中。在此類佈置中，可能不需要載氣，其有利地幫助達成高流動速率。
在一些情況下，初始連續功率電漿可在腔室內例如衝擊10秒至10分鐘，例如約10至60秒。此可充當表面預處理步驟，由此確保單體化合物本身易於附著至表面，以使得在聚合反應發生時，塗層在表面上「生長」。預處理步驟可在單體引入腔室中之前，例如在惰性氣體存在下，或僅僅在殘餘氛圍中進行。接著，可將單體引入腔室中，將該電漿轉換成脈衝電漿、繼續利用連續電漿或使用連續電漿及脈衝電漿之序列以允許聚合反應進行。
在所有情況下，宜藉由施加高頻電壓，例如在13.56MHz下點燃輝光放電。此宜使用該腔室內部或外部之電極施加。
氣體、蒸氣或氣霧劑可抽取或抽吸至電漿腔室或區域中。特定言之，當使用電漿腔室時，可藉由使用抽空泵降低該腔室內之壓力將氣體或蒸氣抽取至該腔室中，或其可按照液體處理中常見方式抽吸或注入該腔室中。
氣體、蒸氣或混合氣體宜以至少0.04sccm，較佳0.2至50sccm，較佳0.2至10sccm且最佳在0.25至0.5sccm範圍內之速率供應，不過此將取決於腔室體積。根據本文中之教示，基於腔室體積，此等量可按比例擴大至較大系統。
聚合反應宜使用壓力維持在0.1至200毫托，適宜地維持在約15至150毫托，較佳30至60毫托，最佳大約40毫托的單體化合物之蒸氣實現。
施加之電場較佳可提供相對較高的峰值功率密度，例如，如上文在本發明方法中所定義。或者，該等脈衝可以產生較低平均功率之序列，例如以使得接通時間：斷開時間之比率在20：100至20：20000範圍內之序列施加。斷開時間段較短之序列對於維持良好功率密度可為較佳的。序列之一個實例為使得功率接通20至50微秒，例如30至40微秒，諸如約36微秒，且斷開5至30毫秒，例如5至15毫秒，諸如6毫秒之序列。已發現當單體為式(I)化合物時，此特別有益。
在三公升腔室中以此方式獲得的平均功率較佳在0.05至25W範圍內。在一些實施例中，在三公升腔室中相對較低之平均功率較佳，例如在0.1至5W，諸如0.15至0.5W範圍內。已發現，較高的平均功率，例如高於5W具有幫助單體片段化之益處。此等範圍可基於較大或較小腔室之體積按比例擴大或縮小，且將取決於所選峰值功率及脈衝序列。
製程溫度(例如在腔室內量測)可為環境溫度，或較佳略高於環境溫度，諸如在25至60℃，例如35至55℃範圍內。在一些實施例中，保持製程溫度低於40℃。較佳塗層沈積製程中溫度保持在不會損害電子裝置或電氣裝置或其組件之範圍內。舉例而言，對於行動電話，保持溫度低於50℃。
所用電漿腔室宜具有足夠體積以容納多個基板，特定言之，當此等基板尺寸較小時，利用恰當尺寸之設備可容易地同時加工例如多達20,000個PCB。特別適合用於產生製造根據本發明之經塗佈基板之設備及方法描述於WO2005/089961中，其內容以引用的方式併入本文中。
腔室之尺寸經選擇以便容納整個經處理之特定基板。舉例而言，大體上呈長方體之腔室可適於多種應用，但必要時，可構造細長或矩形，或實際上呈圓柱形，或具有任何其他適合形狀之腔室。腔室之體積可例如為至少1公升，較佳為至少8公升。在一些應用中，體積為至多13公升或至多25公升的相對較小之腔室較佳。對於大規模製造，腔室之體積宜達到400公升或超過400公升。腔室可為可密封容器，以允許分批製程，或其可包含用於基板之入口及出口，以使其能夠用於連續製程中。特別是在後一情形中，在腔室內產生電漿放電所需之壓力條件係使用大容量泵維持，此為例如具有「鳴笛排氣(whistling leak)」之裝置中常用的。然而，亦可在大氣壓下或接近大氣壓下加工某些基板，以消除對於「鳴笛排氣」之需求。
有利地，基板之電子或電接觸點在暴露期間不必遮蔽，特別是對於厚度低於5μm，更佳低於2μm之塗層而言。實際上，在本發明之一個實施例中，在藉由如本文中所描述之方法中之任一種形成塗層期間，不遮蔽此類接觸，由此有利地簡化製程。
更一般而言，根據另一態樣，本發明在於一種基板，其具有藉由本文所描述之方法中之任一種形成的聚合物塗層。本發明亦包含可藉由本文所描述之方法中之任一種獲得的經塗佈基板。
本發明之一個特別益處在於，可藉由僅塗佈內部組件，諸如PCB，使電子裝置或電氣裝置整體甚至在完全浸入液體期間亦對液體具有抗性，且不再需要外部塗層。因此，根據另一態樣，本發明在於一種電子裝置或電氣裝置，例如行動電話，其包含外殼及上面藉由本文所描述之方法中之任一種形成塗層的一或多個內部電子組件或電氣組件。有利地，該外殼不必包含塗層。該裝置可有利地通過標準IEC 60529 14.2.7(IPX7)。
更一般而言，本文所描述之經塗佈電子基板中之任一種甚至在 完全浸入水中至少2分鐘，較佳至少5分鐘之後較佳仍可繼續起作用。電子基板較佳繼續起作用至少30分鐘或更佳至少兩天。
與在電子裝置或電氣裝置或其組件上形成塗層之方法有關的本發明之態樣可使用關於本發明之第一態樣所列之單體進行。
如本文所使用，表述「呈氣態」係指單獨或呈混合物形式之氣體或蒸氣，以及視情況使用之氣霧劑。
如本文所使用，表述「保護性聚合物塗層」係指例如藉由形成障壁且具有拒液性(諸如拒油性及/或拒水性)而針對液體損害提供某種防護的聚合物層。影響基板之液體的來源可包括環境液體，諸如水，特定言之雨，以及可能意外灑落之液體。
如本文所使用，表述「在基板暴露期間」係指基板與電漿一起處於腔室內之時間段。在本發明之一些實施例中，該表述可以指基板與電漿一起處於腔室內之整個時間段。
在本說明書之說明及申請專利範圍通篇，詞語「包含」及「含有」及該等詞之變化形式意謂「包括(但不限於)」且不排除其他部分、添加劑、組件、整數或步驟。此外，除非上下文另外需要，否則單數形式涵蓋複數形式；特定言之，在使用不定的製品之情況下，本說明書應理解為涵蓋複數個以及單數個，除非上下文另外需要。
本發明各態樣之較佳特徵可如結合其他態樣中之任一者所描述。自以下實例將對本發明之其他特徵變得顯而易知。大體而言，本發明擴展至在說明書(包括任何所附申請專利範圍及圖式)中所揭示之任一新穎特徵或任何新穎特徵組合。因此，結合本發明之特定態樣、實施例或實例描述的特徵、整數、特性、化合物、化學部分或基團應理解為適用於本文所述之任何其他態樣、實施例或實例，除非與之不相容。此外，除非另外說明，否則本文揭示之任何特徵可經用於相同或類似目的之替代性特徵替換。
在針對一種特性，例如單體濃度引述上限及下限之情況下，則亦可暗含由上限中之任一者與下限中之任一者的組合界定的一系列值。
現將參照以下非限制性實例及說明性附圖進一步描述本發明，在附圖中：圖1說明用於測定塗層之電阻的電氣測試設備。
圖2顯示在1×1μm2視野(左上圖)、5×5μm2視野(右上圖)內如實例1中所描述製備之1700nm厚塗層的輕敲模式圖像、指示塗層之高度變化(z軸)的代表性等高線(左下圖)及指示完全基板覆蓋之相位圖像(右下圖)；塗層之RMS粗糙度為0.4nm且△z/d=0.0006。
實例1 製程設定及參數
電漿聚合實驗係在體積為2.5公升之圓柱形玻璃反應器容器中進行。該容器分兩部分，在真空下用Viton O型環耦合以將該兩部分密封在一起。該反應器之一端連接至在70℃下加熱之液體流量控制器，且其用於以經控制之流動速率輸送單體。
該反應器之另一端連接至配備有壓力錶、壓力控制閥、液氮捕集器及真空泵之金屬泵管線。銅線圈電極纏繞於反應器外部周圍(11匝5mm直徑管)且其經由L-C匹配網路連接至RF功率單元。對於脈衝電漿沈積，RF功率單元係藉由一脈衝發生器控制。
所用單體為正十四烷(CAS編號16646-44-9)，一種根據本發明之飽和單體。
將該反應器抽空至基礎壓力(通常<10毫托)。使用流量控制器將單體輸送至腔室中，單體氣體流量值為0.4sccm。將該腔室加熱至45℃。反應器內部之壓力維持在30毫托。使用RF，以13.56MHz產生電漿且 該製程通常由兩個主要步驟組成：連續波(CW)電漿及脈衝波(PW)。CW電漿持續2分鐘且PW電漿之持續時間在不同實驗中不同。峰值功率設置為30W，且脈衝條件為接通時間(Ton)=37μs且斷開時間(Toff)=0.5ms。在沈積結束時，斷開RF功率，停止流量控制器且將腔室抽吸降至基礎壓力。接著使腔室通氣至大氣壓且移出經塗佈樣品。
對於各實驗，使用兩個測試PCB及兩個Si晶圓。Si晶圓允許量測所形成之塗層的物理特性，例如，針對表面形態之AFM。測試PCB之金屬跡線為經金塗佈之銅。將Si晶圓置放於PCB之頂部前側。
該等實驗之製程參數示於表2中。
實例2 在固定電壓下電阻隨時間之變化
設計此測試方法以評價不同塗層在印刷電路板上提供電障壁之能力且預測智慧型手機通過IEC 60529 14.2.7(IPX7)測試之能力。該方法經設計以用於自來水。此測試涉及量測標準化印刷電路板(PCB)於水中之電流電壓(IV)特徵。已設計出在電極之間具有0.5mm間距之PCB以允許評估在水中電化學遷移跨過跡線何時發生。藉由量測電流對電化學活性程度進行定量；低電流指示高品質塗層。經證實，該方法在區分不同塗層方面極其有效。塗層之效能可例如以在4V、8V及21V下之電阻定量。當施加8V電壓時，在未處理之測試裝置上之電阻量測值為約100歐姆。
如圖1所示，將待測試的經塗佈PCB置放於具有水之燒杯中且連接至電氣測試設備。使板10在水平方向及垂直方向上位於具有水14之燒杯12的中心以使局部離子濃度之影響減到最小(該板之垂直位置極重要；水位應達到藍線)。當連接PCB時，電源設定成所需電壓且立即監測電流。施加之電壓為8V且PCB在該設定電壓下保持13分鐘，且在此時間段期間連續地監測電流。
測試根據表2中所示的製程參數形成之塗層且結果示於表3中。已發現，當塗層之電阻值高於8兆歐姆時，經塗佈裝置將成功地通過IPX7測試。經塗佈裝置之性質(例如智慧型手機之類型)將例如由於材料、進入點、功率消耗等之變化而影響該測試。
臨界力(Fc)
當對塗層施加壓縮應力時，該塗層之電導率可顯著地變化。電導率之變化將取決於塗層所經歷之應變的幅值、缺陷量及塗層中聚合物基質之類型。此行為係基於導電網路之形成或破壞進行解釋，導電網路之形成或破壞進一步取決於聚合物基質之黏度(硬度)。為了評價塗層在相對較低之力下提供電接觸之能力，進行接觸力測試。
接觸力測試係涉及量測須經由平探針施加至絕緣塗層的用於經塗層發生電擊穿之臨界力(Fc)或壓力(Pc)的一種電測試程序。該測試可用於智慧型電話之PCB或在製程期間作為核查用樣品置放之帶狀板(測試PCB)。
該測試使用1mm直徑之平探針(或2mm直徑之球狀探針)，接觸平坦膜表面。將探針安放在支架上且佈置係使得由探針施加至樣品表面之力的變化立即由上面置放樣品之秤(或測力計)記錄。利用此佈置，施加之壓力之解析度為約15KPa(5g力)。
標準程序係藉由探針對樣品之平坦表面手動施加勻變力，同時觀測探針與導電基板之間之電阻。將力手動或自動增加至使電流擊穿膜之點(Fc)。
此測試允許在整個表面上之多個不同點分析樣品之電絕緣特徵，由此提供表面層之均一性的觀點。
實例1中形成之經塗佈PCB塗層的Fc值示於表3中。
塗層厚度
使用光譜反射量測設備(Filmetrics F20-UV)，使用藉由光譜橢圓 偏振測量法驗證之光學常數量測在實例1中形成之塗層的厚度。
光譜反射量測法
使用Filmetrics F20-UV光譜反射量測設備量測塗層之厚度。此儀器(F20-UV)藉由自塗層反射光且分析在一定波長範圍內之所得反射光譜來量測塗層之特徵。自塗層之不同界面反射之光可為同相或異相的，因此該等反射取決於入射光之波長以及塗層之厚度及折射率而增加或消減。結果為在反射光譜中該塗層特有之強度振盪。
為了測定塗層之厚度，Filmetrics軟體計算儘可能接近地匹配所量測之光譜的理論反射光譜。基於標稱塗層疊層(層狀結構)，其以有關反射光譜外表特徵之初始猜測開始。此包括有關構成該樣品之不同層及基板之厚度(精度為0.2nm)及折射率的資訊(折射率值可由光譜橢圓偏振測量法得出)。接著藉由調整塗層特性，直至發現與所量測之光譜最佳擬合，來調整理論反射光譜。所量測之塗層必須為光學光滑的且在1奈米至40μm之厚度範圍內。
表面形態
塗層之表面形態係使用原子力顯微鏡檢查(AFM)量測。分析係用以輕敲成像模式操作之Veeco Park Autoprobe AFM儀器，使用Ultrasharp NSC12(彈簧常數在4至14N/m範圍內且共振頻率在150至310kHz範圍內之跳水板式控制桿(diving-board lever))進行。使用在頂端具有<10nm之曲率半徑及<20°開張角的高縱橫比探針。在5×5及1×1μm2視野內獲取圖像，其中較大視野具有較多資訊。藉由標準軟體計算各視野之表面粗糙度，RMS(均方根)。在所有情況下，所得圖像為256×256像素。
藉由塗層之AFM形態分析，可獲取兩個參數；(a)塗層之RMS粗糙度(r)及b)比率△Z/d，而d為塗層之厚度且△Z於下文解釋。
圖2顯示根據實例1製備之試樣實例(厚度d=1700nm)在1×1μm2視 野內之輕敲模式圖像(左手側)及顯示用於計算RMS粗糙度之資料的等高線(右手側)。在該曲線上指示之△Z值係在該圖中代表大部分塗層之區域內取得。在△Z範圍上方之峰指示大粒子且在△Z範圍下方之谷顯示塗層中之空隙或小孔。峰之寬度亦指示粒度。
對於表3中之樣品，RMS粗糙度(r)為0.4nm且△Z=1±0.2nm，由此得出△Z/d=0.0006。
經顯示，△Z/d<0.15指示不含小孔之塗層。形態參數係不含小孔之塗層的良好指標。然而，僅此特性不能引起塗層之高效能。
檢查時，發現塗層為保形塗層且所有塗層均超過IPX7測試或接近該測試之事實表明其形成物理障壁。使用電漿聚合沈積塗層之益處在於，可製備厚度足以提供物理障壁，同時明顯薄於先前技術保形塗層的塗層。此厚度範圍之益處在於，其足夠厚以形成物理障壁，又足夠薄以允許產生電連接，而無需先將其移除。
使用電漿聚合之益處亦在於，在電漿聚合技術期間，單體之良好進入確保塗層覆蓋所有所需區域，例如整個外表面。在電子裝置或電氣裝置包含外殼之情況下，外殼之整個內表面可經塗佈(藉由使敞開之外殼暴露於電漿)以在組裝該裝置後，保護外殼內部之電子組件。

Claims (47)

  1. 一種電子裝置或電氣裝置或其組件，其包含在該電子裝置或電氣裝置或其組件之表面上的保護性聚合物塗層，其中該聚合物塗層可藉由使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含一或多種飽和單體化合物之電漿，保持足以允許在其表面上形成該保護性聚合物塗層之時間段而獲得；其中該一或多種飽和單體化合物各自具有在標準壓力下低於45℃之熔點及在標準壓力下低於500℃之沸點。
  2. 如請求項1之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中各飽和單體化合物為式(I)化合物： 其中R1至R4各自獨立地選自氫、鹵素及視情況經取代之C1-C6環狀、分支鏈或直鏈烷基，且n為1至24。
  3. 如請求項1或2之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該電漿包含單一飽和單體化合物。
  4. 如請求項1或2之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該等飽和單體化合物包含單體化合物及共單體化合物，其中該單體化合物及共單體化合物具有根據式(I)之不同化學結構。
  5. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中n為1至16。
  6. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中n為8至14。
  7. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該鹵素為氟。
  8. 如請求項1至6中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R1至R4各自獨立地選自氫及視情況經取代之C1-C6環狀、分支鏈或直鏈烷基。
  9. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中C1-C6烷基各自獨立地選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、新戊基、正己基、異己基及3-甲基戊基。
  10. 如請求項8之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R1及R4均為甲基。
  11. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R2及R3各自獨立地選自氫及甲基。
  12. 如請求項11之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R2及R3各自為氫。
  13. 如請求項12之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中R1及R4均為甲基，R2及R3各自為氫，且n為1至18。
  14. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該單體係選自甲烷、乙烷、丙烷、正丁烷、異丁烷、正戊烷、異戊烷、新戊烷、正己烷、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2,2-二甲基丁烷、2,3-二甲基丁烷、正庚烷、2-甲基己烷、3-甲基己烷、2,2-二甲基戊烷、2,3-二甲基戊烷、2,4-二甲基戊烷、3,3-二甲基戊烷、3-乙基戊烷、2,2,3-三甲基丁烷、正辛烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、4-甲基庚烷、2,2-二甲基己烷、2,3-二甲基己烷、2,4-二甲基己烷、2,5-二甲基己烷、3,3二甲基己烷、3,4-二甲基己烷、3-乙基己烷、2,2,3-三甲基戊烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,3,3- 三甲基戊烷、2,3,4-三甲基戊烷、3-乙基-2-甲基戊烷、3-乙基-3-甲基戊烷、2,2,3,3-四甲基丁烷、正壬烷及其異構體、正癸烷及其異構體、正十一烷及其異構體、正十二烷及其異構體、正十三烷及其異構體、正十四烷及其異構體、正十五烷及其異構體，及正十六烷及其異構體。
  15. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該保護性聚合物塗層為拒液層。
  16. 如請求項15之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該保護性聚合物塗層係由至少90°之靜態水接觸角(WCA)界定。
  17. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該保護性聚合物塗層為針對質量及/或電子傳輸之物理障壁。
  18. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該保護性聚合物塗層為在該裝置或其組件之表面上的保形聚合物塗層。
  19. 如請求項18之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該保護性聚合物塗層在該電子裝置或電氣裝置或其組件之實質上整個外表面上形成保形聚合物塗層。
  20. 如請求項18或19之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該電子裝置或電氣裝置或其組件包含外殼且其中該塗層在該外殼之實質上整個外表面及/或內表面上形成保形聚合物塗層。
  21. 如請求項18至20中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該電子裝置或電氣裝置或其組件包含外殼且其中該保護性聚合物塗層在該外殼內之組件的實質上整個外表面上形成保形物理障壁。
  22. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該塗層包含兩個或多於兩個保護性聚合物塗層。
  23. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或組件，其中該保護性聚合物塗層之厚度為50nm至10,000nm。
  24. 如請求項23之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該塗層之厚度在100nm至5000nm範圍內。
  25. 如請求項24之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該塗層之厚度在250nm至2000nm範圍內。
  26. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該塗層為電絕緣的。
  27. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中在對該電子裝置或電氣裝置或組件施加功率時，該電子裝置或電氣裝置或其組件可經受住浸入多達1m之水中超過30分鐘，而無故障或腐蝕。
  28. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中當浸沒於水中且施加至少16V/mm電壓達最少13分鐘時，該塗層之電阻為8兆歐姆或超過8兆歐姆。
  29. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或組件，其中該塗層為電絕緣的且其中該塗層具有足夠順應性以使得電連接器可接合至該電子裝置或電氣裝置或其組件且在該等電連接器與電子裝置或電氣裝置或其組件之間產生電連接，而無需先移除該塗層。
  30. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或組件，其中該塗層為電絕緣的且其中使用1mm直徑之圓形探針對該塗層施加低於100g之力允許與該電子裝置或電氣裝置或其組件在已施加該力之局部區域中產生電連接。
  31. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或組件，其中該塗層為電絕緣的且其厚度為150nm至1000nm，且其中使用1mm 直徑之圓形探針對該塗層施加低於65g之力允許在該塗層之已施加該力之局部區域中產生電連接。
  32. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該電子裝置或電氣裝置或其組件包含至少一個電接觸且其中該至少一個接觸經該塗層覆蓋。
  33. 如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或其組件，其中該電子裝置或電氣裝置或其組件係選自行動電話；智慧型電話；傳呼機；無線電；聲音及音頻系統，諸如擴音器、麥克風、振鈴器及/或蜂音器；助聽器；個人音頻設備，諸如個人CD、卡式磁帶或MP3播放機；電視；DVD播放機，包括攜帶型DVD播放機；視頻記錄器；數位式及其他機頂盒；電腦及相關組件，諸如膝上型電腦、筆記型電腦、平板、平板手機、掌上型電腦、個人數位助理(PDA)、鍵盤或儀錶；遊戲控制台；資料儲存裝置；戶外照明系統；無線電天線及其他通信設備；及印刷電路板。
  34. 一種用於處理如前述請求項中任一項之電子裝置或電氣裝置或組件的方法，其包含：使該電子裝置或電氣裝置或其組件暴露於包含一或多種飽和單體化合物之電漿，保持足以允許在其表面上形成保護性聚合物塗層之時間段；其中該一或多種飽和單體化合物各自具有在標準壓力下低於45℃之熔點及在標準壓力下低於500℃之沸點。
  35. 如請求項34之方法，其中各飽和單體化合物為式(I)化合物： 其中R1至R4各自獨立地選自氫、鹵素及視情況經取代之C1-C6環狀、分支鏈或直鏈烷基，且n為1至24。
    35.如請求項34或35之方法，其中該電漿包含單一單體化合物。
  36. 如請求項34或35之方法，其中該電漿包含單體化合物及共單體化合物，其中該單體化合物及共單體化合物具有根據式(I)之不同化學結構。
  37. 如請求項34至36中任一項之方法，其中n為1至16，視情況n為8至14。
  38. 如請求項34至36中任一項之方法，其中該鹵素為氟。
  39. 如請求項34至38中任一項之方法，其中R1至R4各自獨立地選自氫及視情況經取代之C1-C6環狀、分支鏈或直鏈烷基。
  40. 如請求項34至39中任一項之方法，其中C1-C6烷基各自獨立地選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、新戊基、正己基、異己基及3-甲基戊基。
  41. 如請求項40之方法，其中R1及R4均為甲基。
  42. 如請求項34至41中任一項之方法，其中R2及R3各自獨立地選自氫及甲基。
  43. 如請求項42之方法，其中R2及R3各自為氫。
  44. 如請求項34至43中任一項之方法，其中各單體獨立地選自甲烷、乙烷、丙烷、正丁烷、異丁烷、正戊烷、異戊烷、新戊烷、正己烷、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2,2-二甲基丁烷、2,3-二甲基丁烷、正庚烷、2-甲基己烷、3-甲基己烷、2,2-二甲基戊烷、2,3-二甲基戊烷、2,4-二甲基戊烷、3,3-二甲基戊烷、3-乙基戊烷、2,2,3-三甲基丁烷、正辛烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、4-甲基庚烷、2,2-二甲基己烷、2,3-二甲基己烷、2,4-二甲基己烷、 2,5-二甲基己烷、3,3二甲基己烷、3,4-二甲基己烷、3-乙基己烷、2,2,3-三甲基戊烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,3,3-三甲基戊烷、2,3,4-三甲基戊烷、3-乙基-2-甲基戊烷、3-乙基-3-甲基戊烷、2,2,3,3-四甲基丁烷、正壬烷及其異構體、正癸烷及其異構體、正十一烷及其異構體、正十二烷及其異構體、正十三烷及其異構體、正十四烷及其異構體、正十五烷及其異構體，及正十六烷及其異構體。
  45. 如請求項34至44中任一項之方法，其中單體流動速率在標準溫度及壓力下為0.2至50sccm。
  46. 如請求項34至45中任一項之方法，其中功率與單體流動速率之比率為5至70W/sccm。
  47. 如請求項34至46中任一項之方法，其中該塗層係以連續層形式構造。
    46.如請求項34至47中任一項之方法，其中該電漿係藉由對該一或多種單體化合物施加射頻信號來形成，其中該一或多種單體化合物係呈氣態。
    47.如請求項34至46中任一項之方法，其中該電漿為脈衝波電漿及/或連續波電漿。
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