TW201634485A - 鈍化支撐物：觸媒、方法、產品及薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於於氣相中使用支撐於鈍化無機氧化物支撐物上之基於膦亞胺之單一位點觸媒製得之乙烯共聚物。該等乙烯共聚物具有相對較窄分子量分佈及良好流變學參數。

Description

鈍化支撐物：觸媒、方法、產品及薄膜
本發明係關於使用支撐於鈍化無機氧化物支撐物上之基於膦亞胺之單一位點觸媒製備乙烯共聚物。鈍化支撐物係藉由將有機鋁化合物、且然後氯化鎂添加至(例如)二氧化矽中來形成。
具有良好加工性及良好物理性質之乙烯共聚物常藉助將兩種聚乙烯組合物摻和在一起來製得，其中一種樹脂賦予期望位準之加工性且一種樹脂賦予良好物理性質，例如當將摻合物吹塑成薄膜時良好之抗鏢錘衝擊性或抗撕裂性的性質。在避免需要聚合物摻和之努力中，已研發雙功能或混合觸媒策略以在聚合反應器中使用。在其他情形下，具有經均衡之加工性及物理性質的乙烯共聚物已使用單一觸媒於單一反應器中製得。例如，參見美國專利申請公開案第2014/0100343號，其闡述使用支撐於二氧化矽上之膦亞胺觸媒製得之聚乙烯樹脂之形成。
除諸如(例如)二氧化矽等標準惰性支撐物以外，已將單一位點觸媒支撐於所謂「鈍化支撐物」材料上，如美國專利申請公開案第2013/0172500號中所闡述。
現報導，經充分均衡之乙烯共聚物組合物可藉由利用固定化於 鈍化二氧化矽支撐物上之膦亞胺觸媒實施乙烯聚合來獲得。
提供產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
提供產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於單一氣相反應器中接觸；該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度及大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)；其中該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；且其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-R¥-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其中烷基、芳基及苄基中之每一者未經取代或經至少一個氟原子取代；且X係可活化配位體。
提供如下乙烯共聚物：其具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於40之熔融流動比(I21/I2)、2.5至4.0之分子量分佈(Mw/Mn)、小於3.0之z-平均分子量 分佈、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定之50wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50及雙峰型TREF曲線圖型；其中該乙烯共聚物係於單一氣相反應器中使用聚合觸媒製得，該聚合觸媒包含：膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；其中該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；且其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
提供包含乙烯共聚物之薄膜層，該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於40之熔融流動比(I21/I2)、2.5至4.5之分子量分佈(Mw/Mn)、小於3.0之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定之50wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50及雙峰型TREF曲線圖型；其中該乙烯共聚物係於單一氣相反應器中使用聚合觸媒製得，該聚合觸媒包含：膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；其中該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；且其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
圖1顯示根據本發明製得之乙烯共聚物以及比較性乙烯共聚物之利用折射率檢測之凝膠滲透層析(GPC)。
圖2A顯示針對根據本發明製得之乙烯共聚物獲得之利用傅裡葉變換紅外(Fourier transform infra-red，GPC-FTIR)檢測之凝膠滲透層析。顯示為每1000個碳之短支鏈數(y軸)之共聚單體含量係相對於共聚物分子量(x軸)給出。向上傾斜之線(自左至右)係藉由FTIR測定之短 鏈分支(以每1000個碳原子之短支鏈表示)。如可自該圖所見，短支鏈數在較高分子量下略微增加，且因此稱共聚單體納入為「略微反向」。
圖2B顯示針對根據本發明製得之乙烯共聚物獲得之利用傅裡葉變換紅外(GPC-FTIR)檢測之凝膠滲透層析。顯示為每1000個碳之短支鏈數(y軸)之共聚單體含量係相對於共聚物分子量(x軸)給出。向上傾斜之線(自左至右)係藉由FTIR測定之短鏈分支(以每1000個碳原子之短支鏈表示)。如可自該圖所見，短支鏈數在較高分子量下增加，且因此稱共聚單體納入為「反向」。
圖2C顯示針對根據本發明製得之乙烯共聚物獲得之利用傅裡葉變換紅外(GPC-FTIR)檢測之凝膠滲透層析。顯示為每1000個碳之短支鏈數(y軸)之共聚單體含量係相對於共聚物分子量(x軸)給出。向上傾斜之線(自左至右)係藉由FTIR測定之短鏈分支(以每1000個碳原子之短支鏈表示)。如可自該圖所見，短支鏈數在較高分子量下增加，且因此稱共聚單體納入為「反向」。
圖2D顯示針對根據本發明製得之乙烯共聚物獲得之利用傅裡葉變換紅外(GPC-FTIR)檢測之凝膠滲透層析。顯示為每1000個碳之短支鏈數(y軸)之共聚單體含量係相對於共聚物分子量(x軸)給出。向上傾斜之線(自左至右)係藉由FTIR測定之短鏈分支(以每1000個碳原子之短支鏈表示)。如可自該圖所見，短支鏈數在較高分子量下增加，且因此稱共聚單體納入為「反向」。
圖2E顯示針對根據本發明製得之比較性乙烯共聚物獲得之利用傅裡葉變換紅外(GPC-FTIR)檢測之凝膠滲透層析。顯示為每1000個碳之短支鏈數(y軸)之共聚單體含量係相對於共聚物分子量(x軸)給出。向上傾斜之線(自左至右)係藉由FTIR測定之短鏈分支(以每1000個碳原子之短支鏈表示)。如可自該圖所見，短支鏈數在較高分子量下增 加，且因此稱共聚單體納入為「反向」。
圖3顯示根據本發明製得之乙烯共聚物以及比較性乙烯共聚物之溫度升高溶析分級(TREF)分析及曲線圖型。
圖4顯示根據本發明製得之乙烯共聚物之相角對複數模數及相角對複數黏度之點圖，如藉由動力學分析(DMA)測定。
圖5顯示根據本發明製得之乙烯共聚物之相角對複數模數及相角對複數黏度之點圖，如藉由動力學分析(DMA)測定。
圖6顯示比較性乙烯共聚物之相角對複數模數及相角對複數黏度之點圖，如藉由DMA測定。
圖7顯示根據本發明製得之乙烯共聚物以及比較性乙烯共聚物之相角對複數模數之點圖，如藉由動力學分析(DMA)測定。
本發明係關於用於製造鈍化無機氧化物支撐物之方法及在採用此一支撐物時出現之聚合觸媒、聚合製程及聚合產品。
在本發明中，術語「極性溶劑」或「供體溶劑」意欲意指具有可用電子密度之具有一或多個雜原子之溶劑。雜原子可選自(例如)O、N、S、P原子。實例性極性或供體溶劑包括(例如)水、醇、二烷基醚及四氫呋喃(THF)。
在本發明中，術語「質子溶劑」意指具有反應性或易解離H+(質子)之溶劑。實例性質子溶劑包括(例如)水、醇及具有鍵結至氧或氮原子之氫之胺。如此，術語「質子溶劑」意指不具有易解離或反應H+(質子)之溶劑。
在本發明中，聚合觸媒將最低程度地包含鈍化支撐物、膦亞胺觸媒及助觸媒。
在本發明之實施例中，聚合觸媒將包含單一過渡金屬觸媒、鈍化支撐物、觸媒活化劑及視情況觸媒改質劑；其中單一過渡金屬觸媒 係膦亞胺觸媒。
鈍化支撐物
鈍化支撐物係基於無機氧化物材料。
無機氧化物包括第2族、第3族、第4族、第5族、第13族及第14族金屬氧化物，通常為二氧化矽、氧化鋁、二氧化矽-氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、二氧化鈦、黏土(例如蒙脫土(montmorillonite))及其混合物。黏聚物支撐物(例如二氧化矽及黏土之黏聚物)亦可用作本發明中之支撐物。
在本發明之實施例中，二氧化矽較佳用作無機氧化物。
支撐物通常以煅燒形式使用。無機氧化物支撐物(例如二氧化矽)將含有將與聚合觸媒反應之酸性表面羥基。在使用之前，可使無機氧化物脫水以去除水並減少表面羥基之濃度。支撐物之煅燒或脫水為業內所熟知。在本發明之實施例中，在200℃以上或300℃以上或400℃以上或500℃以上之溫度下煅燒支撐物。在其他實施例中，在約500℃至約1000℃或約600℃至約900℃下煅燒支撐物。在本發明之實施例中，所得支撐物可不含吸附水且可具有約0.1mmol/g支撐物至5mmol/g支撐物或0.5mmol/g至3mmol/g之表面羥基含量。二氧化矽支撐物中所存在之羥基之量可根據J.B.Peri及A.L.Hensley Jr.於J.Phys.Chem.,72(8),1968，第2926頁中所揭示之方法測定。
諸如二氧化矽等支撐物材料通常具有約10m2/g至約900m2/g之表面積、在約0.1cm3/g至約4.0cm3/g範圍內之孔體積及約5μm至約500μm之平均粒徑。在具體實施例中，支撐物材料具有約50m2/g至約500m2/g之表面積、在約0.5cm3/g至約3.5cm3/g範圍內之孔體積及約10μm至約200μm之平均粒徑。在另一具體實施例中，支撐物材料具有約100m2/g至約400m2/g之表面積、在約0.8cm3/g至約3.0cm3/g範圍內之孔體積及約5μm至約100μm之平均粒徑。
諸如二氧化矽等支撐物材料通常具有約10埃(Angstrom，Å)至約1000埃之平均孔徑(即孔直徑)。在具體實施例中，支撐物材料具有約50Å至約500Å之平均孔徑。在另一具體實施例中，支撐物材料具有約75Å至約350Å之平均孔徑。
支撐物之表面積及孔體積可藉由氮吸附根據B.E.T.技術來測定，該等B.E.T.技術為業內所熟知且闡述於Journal of the American Chemical Society,1938，第60卷，第309頁至第319頁中。
適用於本發明之二氧化矽支撐物具有高表面積且為非晶形的。舉例而言，有用二氧化矽係以商標Sylopol® 958,955及2408自Davison Catalysts(W.R.Grace and Company之部門)及商標ES-70W自PQ公司購得。
本發明中之「鈍化支撐物」係已經有機鋁化合物及鹵化鎂處理之無機氧化物。
為製造鈍化支撐物，先用有機鋁化合物且接著用鹵化鎂處理無機氧化物。在本發明之實施例中，鹵化鎂較佳為氯化鎂(MgCl2)。在本發明中，鹵化鎂必須藉由將二有機鎂化合物與鹵化物來源組合來原位生成。例如，氯化鎂之原位生成使得不必使用通常溶解MgCl2所需之極性或供體溶劑。不希望受理論限制，該等處理之結果係在其表面上、且主要分佈於其孔內具有鹵化鎂化合物、網絡或基質之經鈍化無機氧化物支撐物。儘管並非較佳，但使用格任亞(Grignard)試劑代替二有機鎂試劑亦涵蓋於本發明內，只要所選格任亞試劑至少部分地可溶於缺乏供體或極性基團之烴溶劑中即可。
在本發明之實施例中，鈍化支撐物係藉由依次實施以下步驟來形成：i)使無機氧化物在煅燒條件下脫水；ii)用有機鋁化合物處理經煅燒無機氧化物； iii)使步驟ii)之產物與二有機鎂化合物反應；且iv)將鹵化物來源(例如氯化物)添加至步驟iii)之產物中。
在本發明之實施例中，鈍化支撐物係藉由實施以下步驟依次來形成：i)使無機氧化物在煅燒條件下脫水；ii)用有機鋁化合物處理經煅燒無機氧化物；iii)將鹵化物來源(例如氯化物)添加至步驟ii)之產物中；且iv)使步驟iii)之產物與二有機鎂化合物反應。
在本發明之實施例中，步驟ii)、iii)及iv)係於非極性烴溶劑或稀釋劑中實施。
添加至無機氧化物中之有機鋁化合物選自具有下式之有機鋁化合物：Al4(X5)n(X6)3-n，其中(X5)係具有1個至約20個碳原子之烴基；(X6)選自烷氧化物或芳基氧化物，其任一者皆具有1個至約20個碳原子；鹵化物；或氫化物；且n為1至3且包括1及3之整數。有機鋁化合物亦可為藉由雜原子、較佳氧原子橋接之二-或多鋁種類。儘管並非較佳，但使用烷基鋁氧烷試劑作為有機鋁化合物已涵蓋於本發明內。
可用於本發明中之有機鋁化合物之一些非限制性實例包括(但不限於)三甲基鋁、三異丁基鋁、三乙基鋁、三-正己基鋁、三-正辛基鋁、氯化二甲基鋁、二氯化甲基鋁、氯化二乙基鋁、氯化乙基二鋁、乙氧化二乙基鋁及氧化雙(二-異丁基鋁)。
添加至無機氧化物(例如經煅燒二氧化矽)中之有機鋁化合物之量將取決於許多因素，例如(但不限於)無機氧化物之類型及在處理之前所使用之煅燒條件。在本發明之實施例中，添加至煅燒無機氧化物中之有機鋁化合物之量可為每克無機氧化物約0.025mmol至約4.0 mmol。在本發明之其他實施例中，添加至煅燒無機氧化物中之有機鋁化合物之量將為每克無機氧化物約0.025mmol至約3.5mmol、或每克無機氧化物約0.05mmol至約4.0mmol、或每克無機氧化物約0.05mmol至約3.0mmol、或每克無機氧化物約0.05mmol至約2.5mmol、或每克無機氧化物約0.1mmol至約4.0mmol、或每克無機氧化物約0.1mmol至約3.5mmol、或每克無機氧化物約0.1mmol至約3.0mmol、或每克無機氧化物約0.1mmol至約2.5mmol、或每克無機氧化物約0.25mmol至約3.0mmol或每克無機氧化物約0.25mmol至約2.5mmol。
在本發明之實施例中，較佳在不存在相對極性溶劑或具有供體原子之溶劑之情況下將有機鋁化合物添加至支撐物中。因此，適宜稀釋劑或溶劑通常為惰性烴。適宜之非限制性稀釋劑或溶劑可選自以下惰性烴：正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、各種異構體己烷、庚烷、正辛烷、異辛烷、具有8個至12個碳原子之烷烴之石蠟混合物、環己烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、十二烷、包括飽和或芳香族烴之工業溶劑(例如煤油、石腦油、苯、甲苯及諸如此類)及其混合物。
二有機鎂化合物可為二烴基鎂，例如二烷基鎂或二芳基鎂。在本發明之實施例中，二烷基鎂化合物較佳。在本發明之實施例中，二有機鎂化合物具有通式MgRaRb，其中Ra及Rb各自獨立地選自C1至C20烴基。在本發明之另一實施例中，二有機鎂化合物具有通式MgRaRb，其中Ra及Rb各自獨立地選自C1至C8烴基。
適宜非限制性二烷基鎂化合物包括二丁基鎂(例如二-正丁基鎂)、二異丙基鎂、二己基鎂(例如二-正己基鎂)、二乙基鎂、丙基丁基鎂(例如二-正丙基-正丁基鎂)、丁基乙基鎂(例如正丁基-乙基鎂)、丁基辛基鎂(例如正丁基-正辛基鎂)及具有通式MgRaRb之其他化合物，其中Ra及Rb各自獨立地選自C1至C8直鏈或具支鏈烷基。
適宜二芳基鎂化合物亦包括二苯基鎂及二甲苯基鎂。
具有烷基芳基之二有機鎂化合物亦預期與本發明一起使用並包括(例如)二苄基鎂。
在二有機鎂化合物不易溶於選定用於鈍化支撐物製備之溶劑或稀釋劑中之情形下，可期望在使用之前添加增溶化合物，例如有機鋁或有機鋅化合物。該等化合物係論述於(例如)美國專利第4,127,507號及第4,250,288號。另一選擇為，若二有機鎂化合物提供在選定稀釋劑中黏性過高之溶液，則可使用諸如有機鋁或有機鋅等增溶劑降低該溶液之黏度。
用於本發明中之二有機鎂化合物可用增溶劑(或黏度改良劑)處理且可於適宜烴溶劑中調配為溶液形式。該等溶液可自諸如Albemarle、Akzo Nobel等供應商購得。例如，可用於烴溶液中之二有機鎂化合物包括丁基乙基鎂或二丁基鎂之已用有機鋁化合物處理以改良溶解度及/或減少溶液黏度之溶液。
在本發明之實施例中，較佳在不存在相對極性溶劑或具有供體原子之溶劑之情況下將二有機鎂化合物添加至支撐物中。因此，適宜稀釋劑或溶劑通常為惰性烴。適宜非限制性稀釋劑或溶劑可選自以下惰性烴：正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、各種異構體己烷、庚烷、正辛烷、異辛烷、具有8個至12個碳原子之烷烴之石蠟混合物、環己烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、十二烷、包括飽和或芳香族烴之工業溶劑(例如煤油、石腦油、苯、甲苯及諸如此類)及其混合物。
在本發明之實施例中，添加至無機氧化物中之二有機鎂化合物之量可為每克無機氧化物0.025mmol至5mmol。在本發明之其他實施例中，添加至無機氧化物中之二有機鎂化合物之量可為每克無機氧化物0.025mmol至3.5mmol、或每克無機氧化物0.05mmol至3.5mmol、或每克無機氧化物0.1mmol至3.5mmol、或每克無機氧化物0.25mmol至3.5mmol、或每克無機氧化物0.5mmol至3.5mmol、或每克無機氧 化物0.5mmol至3.0mmol或每克無機氧化物0.5mmol至2.5mmol。
鹵化物(例如氯化物)離子之來源不做明確界定且可為任一適宜鹵化物來源化合物，其能夠提供用於與二有機鎂鍵反應之活性(即反應性)鹵化物離子。在本發明之實施例中，鹵化物來源能夠提供用於與二有機鎂鍵反應之氯化物離子。在本發明之實施例中，鹵化物來源較佳與二有機鎂化合物自發且完全反應，但需要轉移劑促進鹵化物轉移(例如美國專利第6,031,056號中所闡述)之鹵化物來源(例如氯化物來源)亦預期與本發明一起使用。
在本發明之實施例中，鹵化物來源將為非過渡金屬鹵化物來源，較佳為非過渡金屬氯化物化合物。在本發明之實施例中，便利氯化物來源包括(例如)HCl或第三丁基氯。
在本發明之實施例中，鹵化物來源將為有機鹵化物化合物，例如具有式(Rc)Cl之烷基氯化物，其中Rc係C1至C8烷基。
在本發明之實施例中，將在不存在相對極性溶劑或具有供體原子之溶劑之情況下將鹵化物來源(例如氯化物)添加至支撐物中。因此，適宜稀釋劑或溶劑通常為惰性烴。適宜非限制性稀釋劑或溶劑可選自以下惰性烴：正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、各種異構體己烷、庚烷、正辛烷、異辛烷、具有8個至12個碳原子之烷烴之石蠟混合物、環己烷、甲基環己烷、二甲基環己烷、十二烷、包括飽和或芳香族烴之工業溶劑(例如煤油、石腦油、苯、甲苯及諸如此類)及其混合物。
添加至無機氧化物中之鹵化物來源之量應足以將大部分二有機鎂化合物轉化成鹵化鎂。例如，鹵化物來源中之鹵化物相對於二有機鎂化合物MgRaRb之莫耳比應為至少1.5。在另一實施例中，鹵化物來源中之鹵化物相對於二有機鎂化合物之莫耳比為至少1.75。在另一實施例中，鹵化物來源中之鹵化物相對於二有機鎂化合物之莫耳比為至 少1.85。在另一實施例中，鹵化物來源中之鹵化物相對於二有機鎂化合物之莫耳比為至少1.95。
在本發明之其他實施例中，氯化物來源中之氯化物相對於二有機鎂化合物MgRaRb之莫耳比為1.5至3.0、或1.75至2.75、或1.85至2.5、或2.0至3.0、或2.0至2.5、或1.95至2.5或1.95至2.25。
在本發明之實施例中，鈍化支撐物係於非極性烴溶劑或稀釋劑中製備。
在本發明之實施例中，包含鈍化支撐物、膦亞胺觸媒及助觸媒之最終烯烴聚合觸媒可具有基於觸媒之總重量約1重量百分比(wt%)至約20重量百分比之所存在氯化鎂。在本發明之實施例中，包含鈍化支撐物、膦亞胺觸媒及助觸媒之最終烯烴聚合觸媒可具有基於觸媒之總重量約1重量百分比(wt%)至約15重量百分比之所存在氯化鎂。在本發明之實施例中，包含鈍化支撐物、膦亞胺觸媒及助觸媒之最終烯烴聚合觸媒可具有基於觸媒之總重量約1重量百分比(wt%)至約15重量百分比之所存在氯化鎂。在本發明之實施例中，包含鈍化支撐物、膦亞胺觸媒及助觸媒之最終烯烴聚合觸媒可具有基於觸媒之總重量約1重量百分比(wt%)至約13重量百分比之所存在氯化鎂。在本發明之實施例中，包含鈍化支撐物、膦亞胺觸媒及助觸媒之最終烯烴聚合觸媒可具有基於觸媒之總重量約1重量百分比(wt%)至約10重量百分比之所存在氯化鎂。在本發明之實施例中，包含鈍化支撐物、膦亞胺觸媒及助觸媒之最終烯烴聚合觸媒可具有基於觸媒之總重量約1重量百分比(wt%)至約7.5重量百分比之所存在氯化鎂。
膦亞胺觸媒
較佳地，膦亞胺觸媒係基於來自第4族之金屬，其包括鈦、鉿及鋯。最佳膦亞胺觸媒為呈最高氧化態之第4族金屬錯合物。
本文所闡述之膦亞胺觸媒通常需要藉由一或多個助催化或活化 劑種類活化以提供來自烯烴之聚合物。
膦亞胺觸媒係基於第3族、第4族或第5族金屬且描述為具有至少一種膦亞胺配位體之化合物(通常有機金屬化合物)。具有膦亞胺配位體且展示用於乙烯(共)聚合之催化活性之任何化合物/錯合物可稱為「膦亞胺觸媒」。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒係藉由下式來定義：(L)n(PI)mMXp，其中M係選自Ti、Hf、Zr之過渡金屬；PI係膦亞胺配位體；L係環戊二烯基型配位體；X係可活化配位體；m為1或2；n為0或1；且p係藉由金屬M之化學價來確定。較佳地m為1，n為1且p為2。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒係藉由下式來定義：(L)(PI)MX2，其中M係選自Ti、Hf、Zr之過渡金屬；PI係膦亞胺配位體；L係環戊二烯基型配位體；且X係可活化配位體。
膦亞胺配位體係藉由下式來定義：R3P=N-，其中N鍵結至金屬，且其中每一R獨立地選自由以下組成之群：氫原子；鹵素原子；C1-20烴基，其未經取代或進一步經一或多個鹵素原子及/或C1-20烷基取代；C1-8烷氧基；C6-10芳基或芳基氧基(芳基或芳基氧基視情況未經取代或進一步經一或多個鹵素原子及/或C1-20烷基取代)；醯胺基；下式之矽烷基：-SiR’3，其中每一R’獨立地選自由氫、C1-8烷基或烷氧基、C6-10芳基或芳基氧基組成之群；及下式之鍺烷基：-GeR’3，其中R’係如上文所定義。
在本發明之實施例中，膦亞胺配位體係經選擇以使得每一R皆為烴基。在本發明之特定實施例中，膦亞胺配位體係三-(第三丁基)膦亞胺(即其中每一R為第三丁基)。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒係第4族化合物/錯合物，其含有一個膦亞胺配位體(如上文所闡述)及一個為環戊二烯基型配位體之配位體L。
本文中所用之術語「環戊二烯基型」配位體意欲包括含有至少一個經由η-5(或在一些情形下η-3)鍵結來鍵結至金屬之五碳環之配位體。因此，術語「環戊二烯基型」包括(例如)未經取代之環戊二烯基、經單一或多重取代之環戊二烯基、未經取代之茚基、經單一或多重取代之茚基、未經取代之茀基及經單一或多重取代之茀基。茚基及茀基配位體之氫化形式亦預期用於本發明中，只要經由η-5(或在一些情形下η-3)鍵結來鍵結至金屬之五碳環保持完整即可。環戊二烯基配位體、茚基配位體(或其氫化形式)及茀基配位體(或其氫化形式)之取代基可選自由以下組成之群：C1-30烴基(該烴基可未經取代或進一步經(例如)鹵化物及/或烴基取代；例如經適宜取代之C1-30烴基係五氟苄基，例如-CH2C6F5)；鹵素原子；C1-8烷氧基；C6-10芳基或芳基氧基(其每一者可進一步經(例如)鹵化物及/或烴基取代；例如適宜C6-10芳基係全氟芳基，例如-C6F5)；醯胺基，其未經取代或經最多兩個C1-8烷基取代；磷橋(phosphido)基團，其未經取代或經最多兩個C1-8烷基取代；式-Si(R’)3之矽烷基，其中每一R’獨立地選自由氫、C1-8烷基或烷氧基、C6-10芳基或芳基氧基組成之群；及式-Ge(R’)3之鍺烷基，其中R’係如上文所直接定義。
術語「可活化配位體」係指可藉由助觸媒(亦稱為「活化劑」)活化以促進烯烴聚合之配位體。可活化配位體X可分別自金屬中心M經由質子分解反應裂解或自金屬中心M藉由適宜酸性或親電子觸媒活化劑化合物(亦稱為「助觸媒」化合物)抽取，其實例闡述於下文中。可活化配位體X亦可轉變成自金屬中心M裂解或抽取之另一配位體(例如鹵化物可轉化成烷基)。不希望受任何單一理論限制，質子分解或抽取反應生成可使烯烴聚合之活性「陽離子」金屬中心。在本發明之實施例中，可活化配位體X獨立地選自由以下組成之群：氫原子；鹵素原子；C1-10烴基；C1-10烷氧基；C6-10芳基氧化物基團，其中該烴基、 烷氧基及芳基氧化物基團各自皆可未經取代或進一步經鹵素原子、C1-8烷基、C1-8烷氧基、C6-10芳基或芳基氧基取代；醯胺基，其未經取代或經最多兩個C1-8烷基取代；及磷橋基團，其未經取代或經最多兩個C1-8烷基取代。兩個可活化X配位體亦可彼此連接並形成(例如)經取代或未經取代之二烯配位體(即1,3-二烯)；或含有離域雜原子之基團，例如乙酸酯基團。
可活化配位體數取決於金屬之化學價及可活化配位體之化學價。較佳膦亞胺觸媒係基於呈最高氧化態(即4+)之第4族金屬。尤其適宜之可活化配位體為單陰離子的，例如鹵化物(例如氯化物)或烴基(例如甲基、苄基)。
在一些情形下，膦亞胺觸媒之金屬可不呈氧化態。例如，鈦(III)組份將僅含有一個可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有式(L)(PI)MX2，其中M係Ti、Zr或Hf；PI係具有式R3P=N-之膦亞胺配位體，其中R獨立地選自由氫、鹵素及C1-C20烴基組成之群；L係選自由環戊二烯基、經取代之環戊二烯基、茚基、經取代之茚基、茀基及經取代之茀基組成之群之配位體；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，該膦亞胺觸媒具有式：(L)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中L係選自由環戊二烯基、經取代之環戊二烯基、茚基及經取代之茚基組成之群之配位體；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，該膦亞胺觸媒具有式：(L)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中L係選自由經取代之環戊二烯基及經取代之茚基組成之群之配位體；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒含有鍵結至第4族金屬之膦亞胺配位體、環戊二烯基配位體(簡稱「Cp」)及兩個氯化物或兩個甲基配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒含有鍵結至第4族金屬之膦亞胺配位體、經取代之環戊二烯基配位體及兩個氯化物或兩個甲基配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒含有鍵結至第4族金屬之膦亞胺配位體、經全氟芳基取代之環戊二烯基配位體及兩個氯化物或兩個甲基配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒含有鍵結至第4族金屬之膦亞胺配位體、經全氟苯基取代之環戊二烯基配位體(即Cp-C6F5)及兩個氯化物或兩個甲基配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒含有經1,2-取代之環戊二烯基配位體及經三個第三丁基取代基取代之膦亞胺配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒含有經1,2取代之環戊二烯基配位體(例如1,2-(R*)(Ar-F)Cp)，其中取代基分別選自R*(即烴基)及Ar-F(即全氟化芳基、經2,6(即鄰)氟取代之苯基、經2,4,6(即鄰/對)氟取代之苯基或經2,3,5,6(即鄰/間)氟取代之苯基)。
在本發明中，經1,2取代之環戊二烯基配位體(例如1,2-(R*)(Ar-F)Cp配位體)可含有經1,3取代之類似物(例如1,3-(R*)(Ar-F)Cp配位體)作為雜質。因此，具有經1,2取代之Cp配位體之膦亞胺觸媒可含有具有經1,3取代之Cp配位體之膦亞胺觸媒作為雜質。另一選擇為，本發明涵蓋使用經1,3取代之Cp配位體以及使用不同量之經1,2及1,3取代之Cp配位體之混合物以給出具有經1,3取代之Cp配位體之膦亞胺觸媒或具有經1,2及1,3取代之Cp配位體之混合膦亞胺觸媒。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1,2-(R*)(Ar-F)Cp)M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R*係烴基；Ar-F係全氟化芳基、經2,6(即鄰)氟取代之苯基、經2,4,6(即鄰/對)氟取代之苯基或經2,3,5,6(即鄰/間)氟取代之苯基；M係Ti、Zr或Hf：且X係可活化配位體。在本發 明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1,2-(R*)(Ar-F)Cp)M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R*係烷基；Ar-F係全氟化芳基、經2,6(即鄰)氟取代之苯基、經2,4,6(即鄰/對)氟取代之苯基或經2,3,5,6(即鄰/間)氟取代之苯基；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。在本發明之實施例中，該膦亞胺觸媒具有式：(1,2-(R*)(Ar-F)Cp)M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R*係具有1個至20個碳之烴基；Ar-F係全氟化芳基；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1,2-(R*)(Ar-F)Cp)M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R*係直鏈烷基；Ar-F係全氟化芳基、經2,6(即鄰)氟取代之苯基、經2,4,6(即鄰/對)氟取代之苯基或經2,3,5,6(即鄰/間)氟取代之苯基；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有式：(1,2-(n-R*)(Ar-F)Cp)Ti(N=P(t-Bu)3)X2，其中R*係直鏈烷基；Ar-F係全氟化芳基；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1,2-(R*)(C6F5)Cp)M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R*係具有1個20個碳原子之烴基；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有式：(1,2-(n-R*)(C6F5)Cp)M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R*係直鏈烷基；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。在其他實施例中，M係Ti且R*選自由正丙基、正丁基及正己基組成之群，且X選自氯化物或甲基化物。在其他實施例中，M係Ti且R*係甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基及正辛基中之任一者。在其他實施例中，X係氯化物或甲基化物。
術語「全氟化芳基」意指如業內所眾所周知附接至芳基中之碳原子之每一氫原子已經氟原子置換(例如，全氟化苯基或取代基具有式-C6F5)。在本發明之實施例中，Ar-F選自包含全氟化苯基或全氟化萘基之基團。
可用於本發明中之一些膦亞胺觸媒包括：((C6F5)Cp)Ti(N=P(t-Bu)3)Cl2；(1,2-(正丙基)(C6F5)Cp)Ti(N=P(t-Bu)3)Cl2、(1,2-(正丁基)(C6F5)Cp)Ti(N=P(t-Bu)3)Cl2及(1,2-(正己基)(C6F5)Cp)Ti(N=P(t-Bu)3)Cl2。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一或多重取代之茚基配位體及經三個第三丁基取代基取代之膦亞胺配位體。
如本發明中所定義之茚基配位體(或簡稱「Ind」)將具有利用下文所提供之編號方案之骨架碳原子，故可容易識別取代基之位置。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一取代之茚基配位體及經三個第三丁基取代基取代之膦亞胺配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一或多重取代之茚基配位體，其中取代基選自由經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳基及經取代或未經取代之苄基(例如C6H5CH2-)組成之群。烷基、芳基或苄基之適宜取代基可選自由烷基、芳基、烷氧基、芳基氧基、烷基芳基(例如苄基)、芳基烷基及鹵化物基團組成之群。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一取代之茚基配位體R¥-茚基，其中R¥取代基係經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之苄基。R¥烷基、R¥芳基或R¥苄基之適宜取代基可選自由烷基、芳基、烷氧基、芳基氧基、烷基芳基(例如苄基)、芳基烷基及鹵化物基團組成之群。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有至少具有1位取代基(1-R¥)之茚基配位體，其中取代基R¥係經取代或未經取代之烷基、經取 代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之苄基。R¥烷基、R¥芳基或R¥苄基之適宜取代基可選自由烷基、芳基、烷氧基、芳基氧基、烷基芳基(例如苄基)、芳基烷基及鹵化物基團組成之群。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一取代之茚基配位體1-R¥-茚基，其中取代基R¥係位於茚基配位體之1位處且係經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之苄基。R¥烷基、R¥芳基或R¥苄基之適宜取代基可選自由烷基、芳基、烷氧基、芳基氧基、烷基芳基(例如苄基)、芳基烷基及鹵化物基團組成之群。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一取代之茚基配位體1-R¥-茚基，其中取代基R¥係經(部分/完全)鹵化物取代之烷基、經(部分/完全)鹵化物取代之苄基或經(部分/完全)鹵化物取代之芳基。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一取代之茚基配位體1-R¥-茚基，其中取代基R¥係經(部分/完全)鹵化物取代之苄基。
當存在於茚基配位體上時，苄基可部分或完全經鹵素原子、較佳氟原子取代。苄基之芳基可分別為全氟化芳基、經2,6(即鄰)氟取代之苯基、經2,4,6(即鄰/對)氟取代之苯基或經2,3,5,6(即鄰/間)氟取代之苯基。在本發明之實施例中，苄基位於茚基配位體之1位處。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒將具有經單一取代之茚基配位體1-R¥-茚基，其中取代基R¥係五氟苄基(C6F5CH2-)。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1-R¥-(Ind))M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R¥係經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之芳基或經取代或未經取代之苄基，其中烷基、芳基或苄基之取代基選自由烷基、芳基、烷氧基、芳基氧基、烷基芳基、芳基烷基及鹵化物取代基組成之群；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1-R¥-(Ind))M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其中烷基、芳基及苄基中之每一者可未經取代或經至少一個氟原子取代；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1-R¥-(Ind))M(N=P(t-Bu)3)X2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其中烷基、芳基及苄基中之每一者可未經取代或經至少一個鹵素原子取代；M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1-R¥-(Ind))Ti(N=P(t-Bu)3)X2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其中烷基、芳基及苄基中之每一者可未經取代或經至少一個氟原子取代；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1-C6F5CH2-Ind)M(N=P(t-Bu)3)X2，其中M係Ti、Zr或Hf；且X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1-C6F5CH2-Ind)Ti(N=P(t-Bu)3)X2，其中X係可活化配位體。
在本發明之實施例中，膦亞胺觸媒具有下式：(1-C6F5CH2-Ind)Ti(N=P(t-Bu)3)Cl2。
輔觸媒
在本發明中，膦亞胺觸媒與至少一種活化劑(或「助觸媒」)組合使用以形成用於烯烴聚合之活性聚合觸媒系統。活化劑(即助觸媒)包括離子型活化劑助觸媒及烴基鋁氧烷助觸媒。
用於活化膦亞胺觸媒之活化劑可為任何適宜活化劑，其包括一或多種選自由烷基鋁氧烷及離子型活化劑、視情況連同烷化劑組成之群之活化劑。
烷基鋁氧烷係下式之複合鋁化合物：R3 2Al1O(R3Al1O)mAl1R3 2， 其中每一R3獨立地選自由C1-20烴基組成之群且m為3至50。視情況，當存在受阻酚時，可將受阻酚添加至烷基鋁氧烷中以提供2：1至5：1之Al1：受阻酚之莫耳比。
在本發明之實施例中，烷基鋁氧烷之R3係甲基且m為10至40。
烷基鋁氧烷通常以與膦亞胺觸媒中之第4族過渡金屬之量相比大量莫耳(molar)過量使用。Al1：第4族過渡金屬莫耳比為10：1至10,000：1、較佳約30：1至500：1。
在本發明之實施例中，觸媒活化劑係甲基鋁氧烷(MAO)。
在本發明之實施例中，觸媒活化劑係經改質之甲基鋁氧烷(MMAO)。
業內熟知烷基鋁氧烷可作為烷化劑及活化劑二者起雙重作用。因此，烷基鋁氧烷活化劑常與諸如鹵素等可活化配位體組合使用。
另一選擇為，本發明之活化劑可為烷化劑(其亦可起捕獲劑之作用)與能夠使膦亞胺觸媒之第4族金屬離子化之活化劑(即離子型活化劑)之組合。在此上下文中，活化劑可選自一或多個烷基鋁氧烷及/或離子型活化劑。
當存在時，烷化劑可選自由以下組成之群：(R4)pMgX2 2-p，其中X2係鹵基且每一R4獨立地選自由C1-10烷基組成之群且p為1或2；R4Li，其中R4係如上文所定義；(R4)qZnX2 2-q，其中R4係如上文所定義，X2係鹵素且q為1或2；(R4)sAl2X2 3-s，其中R4係如上文所定義，X2係鹵素且s為1至3之整數。較佳地在以上化合物中，R4係C1-4烷基，且X2係氯化物。市售化合物包括三乙基鋁(TEAL)、氯化二乙基鋁(DEAC)、二丁基鎂((Bu)2Mg)及丁基乙基鎂(BuEtMg或BuMgEt)。
離子型活化劑可選自由以下組成之群：(i)式[R5]+[B(R6)4]-之化合物，其中B係硼原子，R5係環狀C5-7芳香族陽離子或三苯基甲基陽離子，且每一R6獨立地選自由以下組成之群：未經取代或經3個至5個 選自由氟原子組成之群之取代基取代之苯基、未經取代或經氟原子取代之C1-4烷基或烷氧基及式--Si--(R7)3之矽烷基；其中每一R7獨立地選自由氫原子及C1-4烷基組成之群；及(ii)式[(R8)tZH]+[B(R6)4]-之化合物，其中B係硼原子，H係氫原子，Z係氮原子或磷原子，t為2或3，且R8選自由C1-8烷基、未經取代或經最多三個C1-4烷基取代之苯基組成之群，或一個R8連同氮原子一起可形成苯胺鎓基團且R6係如上文所定義；及(iii)式B(R6)3之化合物，其中R6係如上文所定義。
在以上化合物中，較佳地R6係五氟苯基，且R5係三苯基甲基陽離子，Z係氮原子且R8係C1-4烷基，或一個R8連同氮原子一起形成苯胺鎓基團(例如PhR8 2NH+，其經兩個R8基團(例如兩個C1-4烷基)取代)。
能夠使膦亞胺觸媒離子化之化合物之實例包括以下化合物：三乙基銨四(苯基)硼、三丙基銨四(苯基)硼、三(正丁基)銨四(苯基)硼、三甲基銨四(對-甲苯基)硼、三甲基銨四(鄰-甲苯基)硼、三丁基銨四(五氟苯基)硼、三丙基銨四(鄰,對-二甲基苯基)硼、三丁基銨四(間,間-二甲基苯基)硼、三丁基銨四(對-三氟甲基苯基)硼、三丁基銨四(五氟苯基)硼、三(正丁基)銨四(鄰-甲苯基)硼、N,N-二甲基苯胺鎓四(苯基)硼、N,N-二乙基苯胺鎓四(苯基)硼、N,N-二乙基苯胺鎓四(苯基)正丁基硼、N,N-2,4,6-對甲基苯胺鎓四(苯基)硼、二-(異丙基)銨四(五氟苯基)硼、二環己基銨四(苯基)硼、三苯基鏻四(苯基)硼、三(甲基苯基)鏻四(苯基)硼、三(二甲基苯基)鏻四(苯基)硼、四-五氟苯基硼酸鎓、四-五氟苯基硼酸三苯基甲鎓、四-五氟苯基硼酸苯(重氮鎓)、苯基三-五氟苯基硼酸鎓、苯基-三-五氟苯基硼酸三苯基甲鎓、苯基三-五氟苯基硼酸苯(重氮鎓)、四(2,3,5,6-四氟苯基)硼酸鎓、四(2,3,5,6-四氟苯基)硼酸三苯基甲鎓、四(3,4,5-三氟苯基)硼酸苯(重氮鎓)、四(3,4,5-三氟苯基)硼酸鎓、四(3,4,5-三氟苯基)硼酸苯(重氮鎓)、四(1,2,2-三氟乙烯基)硼酸鎓、四(1,2,2-三氟乙烯基)硼酸三苯 基甲鎓、四(1,2,2-三氟乙烯基)硼酸苯(重氮鎓)、四(2,3,4,5-四氟苯基)硼酸鎓、四(2,3,4,5-四氟苯基)硼酸三苯基甲鎓及四(2,3,4,5-四氟苯基)硼酸苯(重氮鎓)。
能夠使膦亞胺觸媒之第4族金屬離子化之市售活化劑包括：四-五氟苯基硼酸N,N-二甲基苯胺鎓(「[Me2NHPh][B(C6F5)4]」)；四-五氟苯基硼酸三苯基甲鎓(「[Ph3C][B(C6F5)4]」)；及三-五氟苯基硼及MAO(甲基鋁氧烷)及MMAO(經改質甲基鋁氧烷)。
離子型活化劑化合物可以提供將為1：1至1：6之第4族過渡金屬相對於硼之莫耳比之量使用。
視情況，烷基鋁氧烷及離子型活化劑之混合物可在聚合觸媒中用作活化劑。
將膦亞胺觸媒及助觸媒添加至鈍化支撐物中
本發明不限於用於支撐膦亞胺觸媒或助觸媒之任何特定程序。用於將單一位點觸媒錯合物(例如膦亞胺觸媒)及/或助觸媒沈積於支撐物上之方法為業內所熟知(對於觸媒支撐方法之一些非限制性實例，參見James H.Clark及Duncan J.Macquarrie在2002年11月15日在線發表於John Wiley & Sons公司之Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology Copyright © 2001中之「Supported Catalysts」；對於支撐單一位點觸媒之一些非限制性方法參見美國專利第5,965,677號)。例如，可藉由與支撐物材料一起共沈澱將膦亞胺觸媒添加至鈍化支撐物中。可在膦亞胺觸媒之前及/或之後或與膦亞胺觸媒一起(例如，可將膦亞胺觸媒與助觸媒混合於適宜溶劑或稀釋劑中並將該混合物添加至鈍化支撐物中)將助觸媒添加至鈍化支撐物中。視情況，可原位或在至反應器之途中將助觸媒添加至所支撐膦亞胺觸媒中。可使膦亞胺觸媒及/或助觸媒分別成漿或溶解於適宜稀釋劑或溶劑中且然後添加至鈍化支撐物中。適宜溶劑或稀釋劑包括(但不限於)烴及礦物油。可將 膦亞胺觸媒以固體、溶液或漿液形式添加至固體鈍化支撐物中，接著以固體形式或以溶液或漿液形式添加助觸媒。可將助觸媒以固體、溶液或漿液形式添加至固體鈍化支撐物中，接著以固體形式或以溶液或漿液形式添加膦亞胺觸媒。可在存在或不存在稀釋劑或溶劑之情況下將膦亞胺觸媒、助觸媒及鈍化支撐物混合在一起，但使用稀釋劑或溶劑較佳。
對鈍化支撐物上膦亞胺觸媒之裝載量不做明確界定，但藉助非限制性實例，鈍化支撐物上膦亞胺觸媒之裝載量可為每克觸媒約0.005mmol至0.1mmol、或約0.01mmol至0.05mmol、或約0.015mmol至0.04mmol或約0.015mmol至0.035mmol之膦亞胺觸媒。在本發明之其他實施例中，鈍化支撐物上膦亞胺觸媒之裝載量可為每克觸媒約0.020mmol至0.031mmol或約0.025mmol至0.03mmol之膦亞胺觸媒。
聚合製程
適合本發明之烯烴聚合製程包括氣相、漿液相及組合氣相/漿液相聚合製程。
在本發明之實施例中，與α-烯烴之乙烯共聚合係以氣相於(例如)至少一個流化床反應器中實施。
可將烯烴聚合觸媒以多種方式進給至反應器系統中。可使用乾式觸媒進給器以乾式模式將聚合觸媒進給至反應器中，該乾式觸媒進給器之實例為業內所熟知。另一選擇為，可將聚合觸媒以於適宜稀釋劑中之漿液形式進給至反應器中。適宜溶劑或稀釋劑為熟習此項技術者熟知之惰性烴且通常包括芳香族、石蠟及環石蠟族，例如苯、甲苯、二甲苯、環己烷、燃料油、異丁烷、礦物油、煤油及諸如此類。其他具體實例包括(但不限於)己烷、庚烷、異戊烷及其混合物。將不會萃取顯著量之單一位點觸媒(例如膦亞胺觸媒)或助觸媒離開惰性支 撐物之溶劑較佳。可離線並在添加至聚合區之前組合包括至少一種單一位點觸媒、至少一種鈍化支撐物及至少一種助觸媒之(烯烴)聚合觸媒組份，或其可在至聚合區之途中組合。
漿液聚合製程之詳細說明在專利文獻中有大量報導。例如顆粒形式聚合或其中保持溫度低於聚合物進入溶液中之溫度下之漿液製程係闡述於美國專利第3,248,179號中。漿液製程包括採用環式反應器之彼等及利用單一攪拌反應器或複數個串聯、平行或其組合之攪拌反應器之彼等。漿液製程之非限制性實例包括連續環式或攪拌槽製程。漿液製程之其他實例係闡述於美國專利第4,613,484號中。
漿液製程係在存在烴稀釋劑(例如烷烴(包括異烷烴)、芳香族或環烷烴)之情況下實施。稀釋劑亦可為用於共聚合中之α烯烴共聚單體。烷烴稀釋劑包括丙烷、丁烷(即正丁烷及/或異丁烷)、戊烷、己烷、庚烷及辛烷。該等單體可溶於(或與其混溶)稀釋劑中，但聚合物並非如此(在聚合條件下)。聚合溫度較佳為約5℃至約200℃、最佳小於約120℃、通常約10℃至100℃。反應溫度係經選擇，以使得產生呈固體顆粒形式之乙烯共聚物。反應壓力受稀釋劑及反應溫度之選擇影響。例如，壓力可在當使用異丁烷作為稀釋劑時之15個至45個大氣壓(約220psi至660psi或約1500kPa至約4600kPa)(例如，參見美國專利第4,325,849號)至當使用丙烷時之其大約兩倍(即30個至90個大氣壓，即約440psi至1300psi或約3000kPa至9100kPa)(參見美國專利第5,684,097號)之範圍內。漿液製程中之壓力必須保持足夠高，以保持至少一部分乙烯單體呈液相。反應通常在具有內部攪拌器(例如葉輪)及至少一個沉降腿之夾套閉環反應器中進行。將觸媒、單體及稀釋劑以液體或懸浮液形式進給至反應器中。漿液循環穿過反應器並使用夾套控制反應器之溫度。穿過一系列下泄閥，漿液進入沉降腿，且然後降低壓力以使稀釋劑及未反應之單體急驟蒸發，並通常於旋風器中回 收聚合物。回收稀釋劑及未反應之單體並將其循環返回至反應器。
氣相製程通常係在流化床反應器中實施。該等氣相製程在文獻中有大量闡述(例如，參見美國專利第4,482,687號；第4,543,399號；第4,588,790號；第5,028,670號；第5,317,036號；第5,352,749號；第5,405,922號；第5,436,304號；第5,453,471號；第5,462,999號；第5,616,661號及第5,668,228號)。一般而言，流化床氣相聚合反應器採用藉由單體及至少部分為氣體之其他可選組份之流動流化之聚合物及觸媒之「床」。藉由流動穿過該床之單體(及可選共聚單體)之聚合之焓生成熱。未經反應之單體及其他可選氣體組份離開流化床並與冷卻系統接觸以去除此熱。然後使經冷卻氣流(包括單體及可選氣體組份)(例如可冷凝液體)再循環穿過聚合區，與「補充」單體一起置換在上一道次聚合之單體。同時，自反應器取出聚合物產物。如熟習此項技術者應瞭解，聚合床之「流化」性質有助於均勻分佈/混合反應之熱並由此使局部溫度梯度之形成降至最低。
氣相製程中之反應器壓力可自約1個大氣壓變化至約600psig。在另一實施例中，壓力可在約100psig(690kPa)至約500psig(3448kPa)範圍內。在又一實施例中，壓力可在約200psig(1379kPa)至約400psig(2759kPa)範圍內。在再一實施例中，壓力可在約250psig(1724kPa)至約350psig(2414kPa)範圍內。
氣相製程中之反應器溫度可根據如上文所闡述聚合熱有所不同。在具體實施例中，反應器溫度可為約30℃至約130℃。在另一具體實施例中，反應器溫度可為約60℃至約120℃。在又一具體實施例中，反應器溫度可為約70℃至約110℃。在再一具體實施例中，氣相製程之溫度可為約70℃至約100℃。
上文所述之流化床方法極適於製備聚乙烯及聚乙烯共聚物。因此，單體及共聚單體包括乙烯及未經取代或經最多兩個C1-6烴基取代 之C3-12 α烯烴；未經取代或經最多兩個選自由C1-4烴基組成之群之取代基取代之C8-12乙烯基芳香族烯烴；及未經取代或經C1-4烴基取代之C4-12直鏈或環狀二烯烴。可與乙烯共聚合之α-烯烴之說明性非限制性實例包括丙烯、1-丁烯、1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯及1-癸烯、苯乙烯、α甲基苯乙烯、對第三丁基苯乙烯及受限環環狀烯烴(例如環丁烯、環戊烯、二環戊二烯降莰烯、經烴基取代之降莰烯、經烯基取代之降莰烯及諸如此類)(例如5-亞甲基-2-降莰烯及5-亞乙基-2-降莰烯、雙環-(2,2,1)-庚-2,5-二烯)中之一或多者。
在實施例中，本發明係關於聚合製程，該製程涉及單體及共聚單體中之一或多者之聚合，該或該等單體及共聚單體包括單獨乙烯或與一或多種具有3個至30個碳原子、較佳3個至12個碳原子、更佳4個至8個碳原子之直鏈或具支鏈共聚單體之組合。該製程尤其適於共聚合反應，其涉及乙烯與共聚單體中之一或多者之組合之聚合，該等共聚單體係例如α-烯烴：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、苯乙烯及環狀及聚環狀烯烴(例如環戊烯、降莰烯及環己烯)或其組合。與乙烯一起使用之共聚單體可包括極性乙烯基單體、二烯烴(例如1,3-丁二烯、1,4-戊二烯、1,4-己二烯、1,5-庚二烯、降莰烷二烯)及其他不飽和單體(包括乙炔及乙醛單體)。亦可使用較高α-烯烴及多烯或巨分子單體。較佳地，共聚單體係具有3個至15個碳原子、較佳4個至12個碳原子且最佳4個至10個碳原子之α-烯烴。
在本發明之實施例中，乙烯係與具有3個至8個碳原子之α烯烴共聚合且乙烯佔進入反應器之總烯烴進料之至少75wt%。
在本發明之實施例中，乙烯係與具有3個至8個碳原子之α烯烴共聚合且乙烯佔進入反應器之總烯烴進料之至少85wt%。
在本發明之實施例中，乙烯係與丙烯、1-丁烯、1-己烯或1-辛烯 共聚合。
在本發明之實施例中，乙烯係與1-丁烯共聚合且乙烯佔進入反應器之總烯烴進料之至少75重量百分比(wt%)。
在本發明之實施例中，乙烯係與共聚合1-己烯且乙烯佔進入反應器之總烯烴進料之至少75wt%。
在本發明之實施例中，乙烯係與1-己烯共聚合且乙烯佔進入反應器之總烯烴進料之至少85wt%。
氣相流化床聚合製程可在起始聚合製程之前在反應器中採用聚合物種子床。本發明涵蓋使用已用抗靜電劑或可選捕獲劑處理之聚合物種子床。另外，藉由使用本發明之觸媒及製程獲得之聚合物產物本身可用作聚合物種子床材料。
視情況，將捕獲劑添加至聚合製程。本發明可在存在任何適宜捕獲劑或捕獲劑之情況下實施。捕獲劑為業內所熟知。
在本發明之實施例中，捕獲劑係具有下式之有機鋁化合物：Al3(X3)n(X4)3-n，其中(X3)係具有1個至約20個碳原子之烴基；(X4)選自烷氧化物或芳基氧化物，其任一者皆具有1個至約20個碳原子；鹵化物；或氫化物；且n為1至3且包括1及3之整數；或具有下式之烴基鋁氧烷：R3 2Al1O(R3Al1O)mAl1R3 2，其中每一R3獨立地選自由C1-20烴基組成之群且m為3至50。可用於本發明中之一些非限制性較佳捕獲劑包括三異丁基鋁、三乙基鋁、三甲基鋁或其他三烴基鋁化合物。
捕獲劑可以適宜之量使用，但僅藉助非限制性實例，可以之量存在提供約20至約2000、或約50至約1000、或約100至約500之鋁：金屬之莫耳比(其中金屬係膦亞胺觸媒之金屬)。通常，在聚合觸媒之前並在不存在額外毒物之情況下將捕獲劑添加至反應器中且其隨時間下降至0，或連續添加。
視情況，可獨立地支撐捕獲劑。例如，可將已用有機鋁化合物 或烴基鋁氧烷處理之無機氧化物添加至聚合反應器中。對將有機鋁或烴基鋁氧烷化合物添加至支撐物中之方法不做明確界定並藉由業內熟知之程序來實施。
可使用任一適宜方式將捕獲劑進給至反應器中且可將其分別稀釋或溶解於適宜液體烴稀釋劑或溶劑中。
聚合製程可在存在任何適宜抗靜電劑之情況下實施。在氣相或漿液相聚合製程中使用抗靜電劑為業內所熟知。抗靜電劑在業內亦藉由術語「連續性添加劑」來識別。一般而言，「連續性添加劑」係當以適當量存在時可減少、防止或減輕聚合反應器中之材料之積垢、成片及靜電程度中之至少一者的物質或物質混合物。
連續性添加劑之一些非限制性實例係烷氧基化胺(亦稱為烷醇胺，例如參見歐洲專利第811,638號及美國專利第6,140,432號；第6,124,230號；第6,114,479號)、羧酸金屬鹽(例如參見美國專利第7,354,880號；第6,300,436號；第6,306,984號；第6,391,819號；第6,472,342號及第6,608,153號)、聚碸、聚合物聚胺及磺酸(例如參見美國專利第6,562,924號；第6,022,935號及第5,283,278號)。其他可能連續性添加劑係闡述於歐洲專利申請案第107,127號中，包括聚氧乙烯烷基胺。
可用於本發明中之烷氧基化胺之具體實例係可自Ciba、Akzo-Nobel或Witco Chemical公司購得之KemamineTM AS-990、ARMOSTATTM 1800及ATMERTM 163。其他適宜連續性添加劑包括硬脂酸鋁及油酸鋁。在其他具體連續性添加劑係以OCTASTATTM、STADISTM及SAFESTATTM之商標商業供應。連續性添加劑STADIS係闡述於美國專利第7,476,715號；第6,562,924號及第5,026,795號中且可自Octel Starreon購得。STADIS通常包含聚碸共聚物、聚合物胺及油溶性磺酸。
在本發明之實施例中，將連續性添加劑直接添加至聚合觸媒中。添加至觸媒中之連續性添加劑之量將取決於大量因素，例如(但不限於)連續性添加劑之類型及聚合觸媒之類型(及支撐物之類型)。因此，對所用連續性添加劑之量不做明確界定，但可基於經支撐觸媒之量為0百萬份數(例如視情況)至高達150,000百萬份數(ppm)。另一選擇為，添加至觸媒中之連續性添加劑之量可基於觸媒系統之總重量為約0.2重量百分比至10重量百分比。僅藉助非限制性實例，當與所支撐聚合觸媒組合時，使用10,000ppm至30,000ppm之STADIS連續性添加劑。
在本發明之實施例中，將觸媒改質劑直接添加至聚合觸媒中，如美國專利申請案第2012/0316297號中所闡述。
在本發明之實施例中，聚合觸媒包含：i)膦亞胺觸媒；ii)鈍化支撐物；iii)助觸媒；及iv)觸媒改質劑；其中觸媒改質劑係以基於聚合觸媒之i)、ii)及iii)之重量之0.5重量百分比至4.5重量百分比存在且包含具有下式之化合物：R1R2 xN((CH2)nOH)y，其中R1係具有5個至30個碳原子之烴基，R2係氫或具有1個至30個碳原子之烴基，x為1或0，當x為1時y為1，當x為0時y為2，當y為2時每一n獨立地為1至30之整數，且當y為1時n為1至30之整數。
在另一實施例中，可將抗靜電劑直接並與聚合觸媒單獨地添加至反應器中。存在於反應器中之連續性添加劑之總量將通常不超過250ppm或200ppm、或150ppm、或125ppm、或100ppm、或90ppm、或80ppm、或70ppm、或60ppm、或50ppm、或40ppm、或30ppm、或20或10ppm(以所產生聚合物之重量計之百萬份數)，及/或連續性添加劑之量將基於所產生聚合物之重量(通常表示為磅或公斤/時間單位)為0ppm、或大於1ppm、或3ppm、或5ppm、或7ppm、或10ppm、或12ppm、或14ppm、或15ppm、或17ppm、或20ppm。該等 下限中之任一者可與任一上限組合。連續性添加劑之該等量涵蓋一種、兩種、三種、四種或更多種連續性添加劑。反應器中之一種或兩種或更多種連續性添加劑之總量將理解為累加性的且該總量可如上文所剛揭示來闡述。可藉助專用進料管線將連續性添加劑直接添加至反應器中，及/或添加至任何便利進料流中，包括乙烯進料流、共聚單體進料流、觸媒進料管線或循環管線。若使用一種以上連續性添加劑，可將每一者以單獨進料流形式或以單獨進料流或混合物之任何組合形式添加至反應器中。將連續性添加劑添加至反應器中之方式不重要，只要將添加劑充分分散於流化床內並以提供最低程度之積垢及/或靜電之方式調節其進給速率(或濃度)即可。自觸媒之生產力，相當常規地基於觸媒進給速率確定抗靜電劑至反應器中之進給速率。
在本發明之另一實施例中，可將連續性添加劑(例如抗靜電劑)直接並與聚合觸媒單獨地添加至反應器中，並直接添加至經支撐觸媒中。
乙烯共聚物
在本發明中，術語「乙烯共聚物」可與術語「共聚物」或「聚乙烯共聚物」互換使用且全部皆意指由聚合乙烯單元及至少一個類型之經聚合α烯烴組成之聚合物。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物較佳不為聚合物摻合物，但視情況其可用作聚合物摻合物中之組份。術語聚合物「摻合物」在本文中意欲意指兩種不類似或不同聚合物之乾摻合物、由在單一反應器區中使用多觸媒或混合觸媒系統產生之反應器內摻合物及由在至少兩個於不同聚合條件下操作之反應器中使用一種觸媒導致之摻合物或涉及在一或多個反應器中在相同或不同條件下使用至少兩種不同觸媒之摻合物(例如自在各自在不同條件下或利用結構不同之觸媒運行之串聯反應器中導致之摻合物)。
在本發明之實施例中，較佳地，乙烯共聚物組合物係乙烯與選自1-丁烯、1-己烯及1-辛烯之α烯烴之共聚物。
在本發明之實施例中，基於乙烯共聚物組合物之重量，乙烯共聚物組合物將包含至少75wt%之乙烯單元、或至少80wt%之乙烯單元、或至少85wt%之乙烯單元，且其餘部分為α-烯烴單元。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有0.01g/10min至3.0g/10min、或0.1g/10min至2.5g/10min、或0.1g/10min至2.0g/10min、或0.25g/10min至2.0g/10min、或0.01g/10min至1.0g/10min、或0.1g/10min至1.0g/10min、或小於1.0g/10min、或0.1g/10min至小於1.0g/10min、或0.25g/10min至1.0g/10min、或0.25g/10min至0.9g/10min、或0.25g/10min至0.80g/10min、或0.2g/10min至0.9g/10min、或0.20g/10min至0.85g/10min、或0.25g/10min至0.85g/10min之熔融指數(I2)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有1.0g/10min至2.0g/10min、或1.0g/10min至1.75g/10min、或1.0g/10min至1.5g/10min之熔融指數(I2)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有0.916g/cc至0.936g/cc之密度，包括此範圍內之窄範圍，例如0.916g/cc至0.935g/cc、或0.916g/cc至0.932g/cc、或0.916g/cc至0.930g/cc、或0.917g/cc至0.932g/cc、或0.916g/cc至0.930g/cc、或0.917g/cc至0.930g/cc、或0.916g/cc至0.925g/cc、或0.917g/cc至0.927g/cc、或0.917g/cc至0.926g/cc、或0.917g/cc至0.925g/cc、或0.917g/cc至0.923g/cc、或0.918g/cc至0.932g/cc、或0.918g/cc至0.930g/cc、或0.918g/cc至0.928g/cc、或0.920g/cc至0.935(注意：「g」代表克；「cc」代表立方公分cm3)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有之密度0.916g/cc至0.936g/cc。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有大於0.916g/cc 至小於0.930g/cc之密度。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有0.917g/cc至0.927g/cc之密度。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有0.918g/cc至0.925g/cc之密度。
乙烯共聚物可在根據ASTM D6474-99之方法生成之凝膠滲透層析(GPC)曲線中具有單峰、寬單峰、雙峰或多峰型曲線圖型。術語「單峰」(unimodal)在本文中定義為指在GPC曲線中將僅存在一個顯著峰或明顯最大值。單峰曲線圖型包括寬單峰曲線圖型。術語「雙峰」(bimodal)意指，除第一峰以外，將存在代表更高或更低分子量組份之第二峰或肩(即可稱分子量分佈在分子量分佈曲線中具有兩個最大值)。另一選擇為，術語「雙峰」意指在根據ASTM D6474-99之方法生成之分子量分佈曲線中存在兩個兩個極大值。術語「多峰」(multi-modal)表示在根據ASTM D6474-99之方法生成之分子量分佈曲線中存在兩個或更多個最大值。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將在根據ASTM D6474-99之方法生成之凝膠滲透層析(GPC)曲線中具有單峰曲線圖型。術語「單峰」在本文中經定義意指在GPC曲線中將僅存在一個顯著峰或明顯最大值。單峰曲線圖型包括寬單峰分佈曲線或曲線圖型。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將呈現如藉由凝膠滲透層析(GPC)測定為30,000至250,000之重量平均分子量(MW)，包括此範圍內之窄範圍，例如50,000至200,000、或50,000至175,000、或75,000至150,000、或80,000至130,000。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將呈現數如藉由凝膠滲透層析(GPC)測定為5,000至100,000之量平均分子量(Mn)，包括此範圍內之窄範圍，例如7,500至100,000、或7,500至75,000、或7,500至50,000、或10,000至100,000、或10,000至75,000、或10,000至50,000。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將呈現如藉由凝膠滲透層析(GPC)測定為50,000至1,000,000之Z-平均分子量(MZ)，包括此範圍內 之窄範圍，例如75,000至750,000、或100,000至500,000、或100,000至400,000、或125,000至375,000、或150,000至350,000、或175,000至375,000、或175,000至400,000、或200,000至400,000或225,000至375,000。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由凝膠滲透層析(GPC)測定為2.3至5.5之分子量分佈(Mw/Mn)，包括此範圍內之窄範圍，例如2.3至5.0、或2.3至4.75、或2.3至4.5、或2.3至4.0、或2.5至5.5、或2.5至5.0、或2.5至4.75、或2.5至4.5、或2.6至5.0、或2.6至4.75、或2.6至4.5、或2.8至5.0、或2.8至4.5。在本發明之在其他實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由凝膠滲透層析(GPC)測定為2.3至4.25、或2.3至4.0、或2.5至4.25、或2.5至4.0、或2.75至4.25、或2.75至4.0、或2.75至3.75、或2.75至3.5之分子量分佈(Mw/Mn)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由凝膠滲透層析(GPC)測定為小於4.5、或小於4.0、或小於3.5、或小於3.0、或小於2.5之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)。在本發明之其他實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由凝膠滲透層析(GPC)測定為1.5至4.5之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)，包括此範圍內之窄範圍，例如1.75至4.5、或1.75至4.0、或1.75至3.5、或1.75至3.0、或1.75至2.5、或2.0至4.0、或2.0至3.5、或2.0至3.0、或2.0至2.5。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有平坦共聚單體納入曲線圖型，如使用凝膠滲透層析利用傅裡葉變換紅外線檢測(GPC-FTIR)量測。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有負性(即「正常」)共聚單體納入曲線圖型，如使用GPC-FTIR量測。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有逆(即「反向」)或部分逆共聚單體納入曲線圖型，如使用GPC-FTIR量測。若如使用GPC-FTIR量測共聚單體納入隨分子量而降低，則分佈係描述為「正常」或「負性」。若如使用 GPC-FTIR量測共聚單體納入隨分子量而近似恆定，則共聚單體分佈係描述為「平坦」或「均勻」。術語「反向共聚單體分佈」及「部分反向共聚單體分佈」意指在針對共聚物所獲得之GPC-FTIR數據中存在一或多個相比於一或多個較低分子量區段具有較高共聚單體納入之較高分子量組份。術語「反向共聚單體分佈」在本文中係用於意指跨越乙烯共聚物之分子量範圍，各個聚合物部分之共聚單體含量實質上並不均勻且其較高分子量部分具有比例較高之共聚單體含量(即若共聚單體納入隨分子量而升高，則分佈係描述為「反向」(「reverse」或「reversed」))。若共聚單體納入隨分子量增加而升高且然後降低，則共聚單體分佈仍視為「反向」，但亦可描述為「部分反向」。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有反向共聚單體納入曲線圖型，如使用GPC-FTIR量測。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由GPC-FTIR測定滿足以下條件之共聚單體納入曲線圖型：在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB/1000C大於0；其中「-」係減號，SCB/1000C係測定為短支鏈數/1000個碳之共聚單體含量且MW係於GPC或GPC-FTIR層析儀上之相應分子量(即絕對分子量)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由GPC-FTIR測定滿足以下條件之共聚單體納入曲線圖型：在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB/1000C大於0.5；其中SCB/1000C係測定為短支鏈數/1000個碳之共聚單體含量且MW係於GPC或GPC-FTIR層析儀上之相應分子量(即絕對分子量)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由GPC-FTIR測定滿足以下條件之共聚單體納入曲線圖型：在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB/1000C大於1.0；其中SCB/1000C係測定為短支鏈數/1000個碳之共聚單體含量且MW係於 GPC或GPC-FTIR層析儀上之相應分子量(即絕對分子量)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由GPC-FTIR測定滿足以下條件之共聚單體納入曲線圖型：在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB/1000C大於2.0；其中SCB/1000C係測定為短支鏈數/1000個碳之共聚單體含量且MW係於GPC或GPC-FTIR層析儀上之相應分子量(即絕對分子量)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由GPC-FTIR測定滿足以下條件之共聚單體納入曲線圖型：在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB/1000C為0.1至5.0，包括此範圍內之窄範圍；其中SCB/1000C係測定為短支鏈數/1000個碳之共聚單體含量且MW係於GPC或GPC-FTIR層析儀上之相應分子量(即絕對分子量)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由GPC-FTIR測定滿足以下條件之共聚單體納入曲線圖型：在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB/1000C為0.5至4.0，包括此範圍內之窄範圍；其中SCB/1000C係測定為短支鏈數/1000個碳之共聚單體含量且MW係於GPC或GPC-FTIR層析儀上之相應分子量(即絕對分子量)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由GPC-FTIR測定滿足以下條件之共聚單體納入曲線圖型：在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB/1000C為1.0至3.5，包括此範圍內之窄範圍；其中SCB/1000C係測定為短支鏈數/1000個碳之共聚單體含量且MW係於GPC或GPC-FTIR層析儀上之相應分子量(即絕對分子量)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有大於20但小於46之熔融流動比(MFR=I21/I2)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有大 於22但小於42之熔融流動比(MFR=I21/I2)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有大於22但小於40之熔融流動比(MFR=I21/I2)。在本發明之其他實施例中，乙烯共聚物將具有22至44、或22至42、或24至40、或24至38、或26至40、或26至38、或28至40、或28至38之熔融流動比。在本發明之在其他實施例中，乙烯共聚物將具有大於24但小於44、或大於24但小於40、或大於26但小於42、或大於26但小於40、或大於26但小於38、或大於26但小於36、或24至38、或26至36、或26至34之熔融流動比。
聚合物之組成分佈可藉由短鏈分佈指數(SCDI)或組成分佈寬度指數(CDBI)表徵。組成分佈寬度指數(CDBI50)之定義可參見美國專利第5,206,075號及PCT公開案WO 93/03093。CDBI50係使用基於溶解度(且因此共聚單體含量)分離聚合物部分之技術便利地測定。例如，可採用如Wild等人，J.Poly.Sci.,Poly.Phys.編輯，第20卷，第441頁，1982或美國專利第4,798,081號中所闡述之溫度升高溶析分級(TREF)。自重量分數相對於組成分佈曲線，藉由確定共聚單體含量在中位數共聚單體含量之位於中位數各側之50%內之共聚物樣品之重量百分比來測定CDBI50。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由溫度溶析分級(TREF)測定為45重量%至80重量%、或45重量%至75重量%、或50重量%至75重量%、或50重量%至80重量%、或55重量%至75重量%、或55重量%至70重量%之組成分佈寬度指數CDBI50。
乙烯共聚物之組成分佈亦可藉由T(75)-T(25)值來表徵，其中T(25)係在TREF實驗中獲得25wt%之經溶析共聚物之溫度，且T(75)係獲得75wt%之經溶析共聚物之溫度。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由TREF測定為3℃至25℃之T(75)-T(25)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如 藉由TREF測定為3℃至22.5℃之T(75)-T(25)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由TREF測定為3℃至20℃之T(75)-T(25)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由TREF測定為5℃至20℃之T(75)-T(25)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由TREF測定為5℃至17.5℃之T(75)-T(25)。在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有如藉由TREF測定為5℃至15℃之T(75)-T(25)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有0.01至0.4、或0.05至0.4、或0.05至0.3、或0.01至0.3、或0.01至0.25、或0.01至0.20、或0.05至0.20之CY a-參數(亦稱為Carreau-Yasuda剪切指數)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有0.001至0.75、或0.001至0.6、或0.001至0.5、或0.001至0.3、或0.010至0.027、或小於0.75、或小於0.6、或小於0.5、或小於0.4、或小於0.3、或大於0.001且小於0.3、或大於0.01且小於0.3之正規化剪切稀化指數SHI @0.1rad/s(即η*0.1/η0)。
在本發明之實施例中，如藉由溫度升高溶析分級量測，乙烯共聚物將具有為多峰的且包含至少兩個溶析強度最大值或峰之TREF曲線圖型。
在本發明之實施例中，如藉由溫度升高溶析分級量測，乙烯共聚物將具有為雙峰且因此具有兩個溶析強度最大值或峰之TREF曲線圖型。
在本發明之實施例中，如藉由溫度升高溶析分級(TREF)測定，乙烯共聚物將具有小於5wt%之量之共聚物在40℃下或低於40℃之溫度下溶析。
在本發明之實施例中，如藉由溫度升高溶析分級(TREF)測定，乙烯共聚物將具有3wt%至25wt%之量之共聚物在90℃至105℃之溫度下溶析。在本發明之實施例中，在TREF曲線圖型中之90℃至105℃ 之溫度範圍內將代表5wt%至25wt%之乙烯共聚物。在本發明之實施例中，在TREF曲線圖型中之90℃至105℃之溫度範圍內將代表5wt%至22.5wt%之乙烯共聚物。在本發明之實施例中，在TREF曲線圖型中之90℃至105℃之溫度範圍內將代表7wt%至25wt%之乙烯共聚物。在本發明之另一實施例中，在TREF曲線圖型中之90℃至105℃之溫度範圍下將代表7wt%至22.5wt%之乙烯共聚物。在本發明之另一實施例中，在TREF曲線圖型中之90℃至105℃之溫度範圍下將代表7wt%至20.0wt%之乙烯共聚物。
在本發明之實施例中，在TREF分析中小於1wt%、或小於0.5wt%、或小於0.05wt%、或0wt%之乙烯共聚物將在高於100℃之溫度下溶析。
在本發明之實施例中，如藉由溫度升高溶析分級量測，乙烯共聚物將具有包含以下之TREF曲線圖型：i)多峰型TREF曲線圖型，其包含至少兩個溶析強度最大值(或峰)；ii)在40℃下或低於40℃之溫度下所代表之小於5wt%之共聚物；及iii)在90℃至105℃之溫度下所代表之5wt%至25wt%之共聚物。
在本發明之實施例中，如藉由溫度升高溶析分級量測，乙烯共聚物將具有包含以下之TREF曲線圖型：i)具有兩個溶析強度最大值(或峰)之雙峰型TREF曲線圖型；ii)在40℃下或低於40℃之溫度下所代表之小於5wt%之共聚物；及iii)在90℃至105℃之溫度下所代表之5wt%至25wt%之共聚物。
參照圖3，在本發明之實施例中，乙烯共聚物在TREF曲線圖型中將具有兩個強度最大值或溶析峰，其中第一者出現在較低溫度下且定義為T(低)，其中第二者出現在較高溫度下且定義為T(高)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由至少兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值(或峰)界定之多峰型TREF曲線圖 型，其中T(低)為75℃至90℃，且T(高)為90℃至98℃，限制條件係T(低)低於T(高)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖型，其中T(低)為75℃至90℃，且T(高)為90℃至98℃，限制條件係T(低)低於T(高)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖型，其中T(低)為75℃至89℃，且T(高)為90℃至98℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由至少兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值(或峰)界定之多峰型TREF曲線圖型，其中T(高)-T(低)為3℃至22.5℃、或3℃至20℃、或5℃至20℃、或5℃至17.5℃、或5℃至15℃、或5℃至12.5℃、或5℃至10℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖型，其中T(高)-T(低)為3℃至22.5℃、或3℃至20℃、或5℃至20℃、或5℃至17.5C、或5℃至15℃、或5℃至12.5℃、或5℃至10℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由至少兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值(或峰)界定之多峰型TREF曲線圖型，其中T(低)為70℃至90℃，且T(高)為90℃至98℃，限制條件係T(低)低於T(高)，其中T(高)-T(低)為3℃至25℃、或3℃至22.5℃、或3℃至20℃、或5℃至20℃、或5℃至17.5℃、或5℃至15℃、或5℃至12.5℃、或5℃至10℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖型，其中T(低)為70℃至90℃，且T(高)為90℃至98℃，限制條件係T(低)低 於T(高)，其中T(高)-T(低)為3℃至25℃、或3℃至22.5℃、或3℃至20℃、或5℃至20℃、或5℃至17.5℃、或5℃至15℃、或5℃至12.5℃、或5℃至10℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由至少兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值(或峰)界定之多峰型TREF曲線圖型，其中在T(低)下之峰之強度大於在T(高)下之峰之強度。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖型，其中在T(低)下之峰之強度大於在T(高)下之峰之強度。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有包含兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值(或峰)之多峰型TREF曲線圖型，其中在T(低)下之峰之強度大於在T(高)下之峰之強度，且其中T(高)-T(低)為3℃至25℃、或3℃至22.5℃、或3℃至20℃、或5℃至20℃、或5℃至17.5℃、或5℃至15℃、或5℃至12.5℃、或5℃至10℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖型，其中在T(低)下之峰之強度大於在T(高)下之峰之強度，且其中T(高)-T(低)為3℃至25℃、或3℃至22.5℃、或3℃至20℃、或5℃至20℃、或5℃至17.5℃、或5℃至15℃、或5℃至12.5℃、或5℃至10℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖型，其中在T(低)下之峰之強度大於在T(高)下之峰之強度，且其中T(低)為75℃至90℃，T(高)為90℃至98℃，限制條件係T(低)低於T(高)。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值(或峰)界定之雙峰型TREF曲線圖 型，其中在T(低)下之峰之強度大於在T(高)下之峰之強度，且其中T(低)為75℃至90℃，T(高)為90℃至98℃，限制條件係T(低)低於T(高)；且其中T(高)-T(低)為3℃至25℃、或3℃至22.5℃、或3℃至20℃、或3℃至17.5℃、或3℃至15℃、或5℃至20℃、或5℃至17.5℃、或5℃至15℃、或5℃至12.5℃、或5℃至10℃。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物將具有2.0wt%或1.5wt%或1.0wt%之己烷可萃取物含量。在本發明之實施例中，共聚物具有0.1wt%至2.0wt%、或0.15wt%至2.0wt%、或0.1wt%至1.5wt%、或0.1wt%至1.0wt%、或0.1wt%至0.75wt%、或0.1wt%至0.5wt%之己烷可萃取物含量。
在實施例中，使用本發明方法製得之乙烯共聚物將具有良好體密度。在本發明之實施例中，自聚合製程獲得之乙烯共聚物將具有至少22lb/ft3、或至少24lb/ft3、或至少26lb/ft3、或至少28lb/ft3、或至少30lb/ft3之沉降體密度。在其他實施例中，自聚合製程獲得之乙烯共聚物將具有22lb/ft3至34lb/ft3、或24lb/ft3至34lb/ft3、或26lb/ft3至34lb/ft3之沉降體密度。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物具有<80°、或小於75°、或小於70°、或小於65°或小於60°之δXO，其中δXO係自Van Gurp-Palmen(VGP)點圖如藉由動力學分析(DMA)測定之交叉相角。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物滿足以下：45°δXO 75°，其中δXO係自Van Gurp-Palmen(VGP)點圖如藉由動力學分析(DMA)測定之交叉相角。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物滿足以下：50°δXO 70°，其中δXO係自Van Gurp-Palmen(VGP)點圖如藉由動力學分析(DMA)測定之交叉相角。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物滿足以下：55°δXO 70°，其 中δXO係自Van Gurp-Palmen(VGP)點圖如藉由動力學分析(DMA)測定之交叉相角。
在本發明之實施例中，乙烯共聚物滿足以下：55°δXO 65°，其中δXO係自Van Gurp-Palmen(VGP)點圖如藉由動力學分析(DMA)測定之交叉相角。
薄膜生產
可將上文所述之乙烯共聚物轉化成薄膜。
擠出吹塑薄膜製程係用於製備塑料薄膜之熟知方法。該製程採用加熱、熔融並輸送經熔融塑料並迫使其穿過環形模具之擠出機。典型擠出溫度為330℉至500℉、尤其350℉至460℉。
可將聚乙烯共聚物薄膜自該模具拉伸並形成為管狀並最終穿過一對拉伸輥或軋輥。然後自心軸引入內部壓縮空氣，使得該管直徑增加，從而形成期望大小之「氣泡」。因此，將吹塑薄膜在兩個方向上伸展，即在氣泡之軸向上(藉由使用將氣泡之直徑「吹脹」之強制空氣)及縱向上(藉由牽拉氣泡穿過機器之繞組元件之作用)。亦在熔體離開該模具時，在氣泡圓周附近引入外部空氣以冷卻該熔體。薄膜寬度係藉由將或多或少內部空氣引入至氣泡中從而增加或降低氣泡大小來改變。薄膜厚度主要係藉由增加或降低拉伸輥或軋輥之速度以控制下拉速率來控制。
然後使氣泡在穿過拉伸輥或軋輥後立即塌陷。然後可進一步藉由切割或密封來加工經冷卻薄膜以產生各種消費品。儘管不希望受理論限制，但熟習吹塑薄膜技術者通常相信製造最終薄膜之物理性質受乙烯共聚物之分子結構及加工條件二者影響。例如，認為加工條件影響分子定向度(沿機器方向及軸向或橫向二者)。
通常認為「機器方向」(「MD」)及「橫向方向」(「TD」-其垂直於MD)分子定向之平衡對於與本發明相關之薄膜係合意的(例 如，可影響鏢錘衝擊強度、機器方向及橫向撕裂性質)。
因此，應瞭解，「氣泡」上之該等伸展力可影響最終薄膜之物理性質。特定而言，已知「吹開比」(即吹塑氣泡之直徑相對於環形模具之直徑之比)可對最終薄膜之鏢錘衝擊強度及撕裂強度具有顯著影響。
以上闡述與單層薄膜之製備相關。多層薄膜可藉由以下來製備：1)允許將一個以上經熔融聚合物流引入至環形模具中從而導致多層薄膜之「共擠出」製程或2)將薄膜層層壓在一起之層壓製程。
在本發明之實施例中，使用上文所述之吹塑薄膜製程製備薄膜。
替代製程係所謂之澆鑄薄膜製程，其中將聚乙烯於擠出機中熔融，然後被迫穿過線性狹縫模具，從而「澆鑄」薄型平坦薄膜。澆鑄薄膜之擠出溫度通常比吹塑薄膜製程中所用溫度(其中通常操作溫度為450℉至550℉)稍熱。一般而言，澆鑄薄膜比吹塑薄膜冷卻(淬火)得更快。
在本發明之實施例中，使用澆鑄薄膜製程製備薄膜。
僅藉助非限制性實例，薄膜或薄膜層可具有在0.5密耳(mil)至4密耳範圍內之總厚度(注意：1密耳=0.0254mm)，其將取決於(例如)薄膜澆鑄或薄膜吹塑期間所採用之模具間隙。
以上闡述適用於單層薄膜。然而，該薄膜可用於多層薄膜中。多層薄膜可使用共擠出製程或層壓製程來製得。在共擠出中，將複數個經熔融聚合物流進給至環形模具(或平坦鑄件)中，從而在冷卻時產生多層薄膜。在層壓中，使用(例如)添加劑、用熱及壓力聯結及諸如此類將複數個薄膜結合在一起。多層薄膜結構可含有(例如)黏結層及/或密封劑層。
薄膜可為表皮層或核心層且可用於多層薄膜中之至少一個或複 數個層中。術語「核心」或片語「核心層」係指多層薄膜中之任何內部薄膜層。片語「表皮層」係指多層薄膜之最外層(例如，如生產包裝之生產中所用)。片語「密封劑層」係指涉及將薄膜密封至自身或多層薄膜中之另一層之薄膜。「黏結層」係指將兩個層彼此黏附之任何內部層。
僅藉助實例，多層薄膜之厚度可為約0.5密耳至約10密耳總厚度。
薄膜可用於耐用袋、收縮薄膜、農用薄膜、垃圾袋及購物袋。薄膜可藉由吹塑擠出、澆鑄擠出、共擠出來產生並亦納入層壓結構中。
添加劑
上文所述之乙烯共聚物亦可含有添加劑，例如一級抗氧化劑(例如受阻酚，包括維生素E)；二級抗氧化劑(尤其亞磷酸酯及膦酸酯)；成核劑、增塑劑或聚合物加工助劑PPA(例如含氟彈性體及/或聚乙二醇結合製程助劑)、酸捕獲劑、穩定劑、防蝕劑、發泡劑、其他紫外光吸收劑(例如斷鏈抗氧化劑等)、淬滅劑、抗靜電劑、爽滑劑、抗結塊劑、顏料、染料及填充劑及固化劑(例如過氧化物)。
聚烯烴工業中之該等及其他常見添加劑可以在一個實施例中0.01wt%至50wt%、及在另一實施例中0.1wt%至20wt%、及在又一實施例中1wt%至5wt%存在於共聚物組合物中，其中期望範圍可包含任何wt%上限與任何wt%下限之任何組合。
在本發明之實施例中，抗氧化劑及穩定劑(例如有機亞磷酸酯及酚系抗氧化劑)可以在一個實施例中0.001wt%至5wt%、及在另一實施例中0.01wt%至0.8wt%、及在又一實施例中0.02wt%至0.5wt%存在於乙烯共聚物組合物中。適宜之有機亞磷酸鹽之非限制性實例係亞磷酸叄(2,4-二-第三丁基苯基)酯(IRGAFOS 168)及亞磷酸叄(壬基苯 基)酯(WESTON 399)。酚系抗氧化劑之非限制性實例包括3,5二-第三丁基-4-羥基氫化桂皮酸十八烷基酯(IRGANOX 1076)及四(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸新戊四醇基酯(IRGANOX 1010)；及1,3,5-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)-異氰尿酸酯(IRGANOX 3114)。
填充劑可以在一個實施例中0.1wt%至50wt%、及在另一實施例中0.1wt%至25wt%之組合物、及在又一實施例中0.2wt%至10wt%存在於乙烯共聚物中。填充劑包括(但不限於)二氧化鈦、碳化矽、二氧化矽(及矽之其他氧化物，沈澱或未沈澱)、氧化銻、碳酸鉛、鋅白、鋅鋇白、鋯石、金剛砂、尖晶石、磷灰石、重晶石粉、硫酸鋇、菱鎂礦、碳黑、白雲石、碳酸鈣、滑石及離子Mg、Ca或Zn與Al、Cr或Fe及CO3及/或HPO4之水滑石化合物(水合或未水合)；石英粉、鹽酸碳酸鎂(hydrochloric magnesium carbonate)、玻璃纖維、黏土、氧化鋁及其他金屬氧化物及碳酸鹽、金屬氫氧化物、鉻、含磷及溴化阻燃劑、三氧化銻、二氧化矽、聚矽氧及其摻合物。該等填充劑可包括任何其他填充劑及業內已知之多孔填充劑及支撐物。
脂肪酸鹽亦可存在於乙烯共聚物中。該等鹽可在一個實施例中以共聚物組合物之0.001wt%至2wt%及在另一實施例中以0.01wt%至1wt%存在。脂肪酸金屬鹽之實例包括月桂酸、硬脂酸、琥珀酸、硬脂醯基乳酸、乳酸、鄰苯二甲酸、苯甲酸、羥基硬脂酸、蓖麻油酸、環烷酸、油酸、棕櫚酸及芥酸，適宜金屬包括Li、Na、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Al、Sn、Pb等等。期望脂肪酸鹽選自硬脂酸鎂、硬脂酸鈣、硬脂酸鈉、硬脂酸鋅、油酸鈣、油酸鋅及油酸鎂。
關於產生乙烯共聚物與一或多種添加劑之摻合物之物理方法，應進行充分混合以確保將在轉變成最終產品之前產生均勻摻合物。當用於與一或多種添加劑摻和時，乙烯共聚物可呈任何物理形式。在一個實施例中，使用定義為自聚合反應器分離之聚合物顆粒之反應器顆 粒與添加劑摻和。反應器顆粒具有10μm至5mm及在另一實施例中50μm至10mm之平均直徑。另一選擇為，乙烯共聚物係呈丸粒形式，例如具有1mm至6mm之平均直徑且自反應器顆粒之熔融擠出形成。
摻和添加劑與乙烯共聚物之一個方法係使組份於滾打機或其他物理摻和工具中接觸，該共聚物呈反應器顆粒形式。然後，若期望，此之後可於擠出機中熔融摻和。摻和組份之另一方法係將乙烯共聚物丸粒與添加劑直接熔融摻和於擠出機或任何氣體熔融摻和工具中。
薄膜性質
本發明之薄膜或薄膜層係自如上文所定義之乙烯共聚物製得。通常，在薄膜生產之前將如上文所闡述之添加劑與乙烯共聚物混合。
在本發明之實施例中，薄膜將具有180g/密耳、或190g/密耳、或200g/密耳之鏢錘衝擊強度。
在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa、或180MPa、或190MPa、或200Mpa、或210MPa之在1%應變下之MD(機器方向)正割模數。
在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa、或180MPa、或190MPa、或200Mpa、或210MPa、或220Mpa、或230MPa、或240MPa之在1%應變下之TD(橫向)正割模數。
在本發明之實施例中，薄膜將具有小於0.75、或0.70、或0.60、或0.50、或0.45、或0.40、或0.35、或0.30、或0.25、0.20之MD撕裂相對於TD撕裂之比(MD撕裂/TD撕裂)。在本發明之另一實施例中，薄膜將具有0.010至0.75之MD撕裂相對於TD撕裂之比。在本發明之又一實施例中，薄膜將具有0.05至0.6之MD撕裂相對於TD撕裂之比。在本發明之再一實施例中，薄膜將具有0.05至0.55之MD撕裂相對於TD撕裂之比。在本發明之再其他實施例中，薄膜將具有0.1至0.50或0.1至0.35之MD撕裂相對於TD撕裂之比。
在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有140MPa、或150MPa、或160MPa、或175MPa、或180MPa190MPa、或200Mpa、或210MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有130MPa至300MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有140MPa至300MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有140MPa至275MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有140MPa至250MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有150MPa至260MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有160MPa至260MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有160MPa至250MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之另一實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa至250MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之又一實施例中，1密耳薄膜將具有140MPa至230MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之又一實施例中，1密耳薄膜將具有180MPa至280MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之又一實施例中，1密耳薄膜將具有190MPa至280MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。在本發明之又一實施例中，1密耳薄膜將具有180MPa至260MPa之在1%應變下之機器方向(MD)正割模數。
在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa、或180MPa、或190MPa、或200MPa、或210MPa、或220MPa或230Mpa、或240Mpa、或250MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa至310MPa之 在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa至300MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa至290MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有170MPa至280MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之另一實施例中，1密耳薄膜將具有180MPa至300MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之另一實施例中，1密耳薄膜將具有180MPa至290MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之又一實施例中，1密耳薄膜將具有190MPa至300MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之另一實施例中，1密耳薄膜將具有190MPa至290MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。在本發明之另一實施例中，1密耳薄膜將具有200MPa至290MPa之在1%應變下之橫向(TD)正割模數。
在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有具有小於20%、或小於15%、或15%、或12.5%、或10%、或3%至25%、或5%至20%、或5%至27%、或5%%至25%、或3%至15%、或5%至15%之值。
在本發明之實施例中，1密耳薄膜將具有大於30、或35、或40或45、或50、或55、或30至60、或32至60、或32至55、或32至50、或32至45之45°光澤值。
僅藉助非限制性實例，薄膜或薄膜層可具有在0.5密耳至4密耳範圍內之總厚度(注意：1密耳=0.0254mm)，其將取決於(例如)在薄膜澆鑄或薄膜吹塑期間所採用之模具間隙。
上文闡述適用於單層薄膜。然而，本發明薄膜可用於多層薄膜中。多層薄膜可使用共擠出製程或層壓製程製得。在共擠出中，將複數個經熔融聚合物流進給至環形模具(或平坦鑄件)中，從而在冷卻時產生多層薄膜。在層壓中，使用(例如)添加劑、用熱及壓力聯結及諸 如此類將複數個薄膜結合在一起。多層薄膜結構可含有(例如)黏結層及/或密封劑層。
本發明薄膜可為表皮層或核心層且可用於多層薄膜中之至少一個或複數個層。術語「核心」或片語「核心層」係指多層薄膜中之任何內部薄膜層。片語「表皮層」係指多層薄膜之最外層(例如，如生產包裝之生產中所用)。片語「密封劑層」係指涉及將薄膜密封至自身或多層薄膜中之另一層之薄膜。「黏結層」係指將兩個層彼此黏附之任何內部層。
僅藉助實例，多層薄膜之厚度可為約0.5密耳至約10密耳總厚度。
薄膜可用於耐用袋、收縮薄膜、農用薄膜、垃圾袋及購物袋。薄膜可藉由吹塑擠出、澆鑄擠出、共擠出來產生並亦納入層壓結構中。
實例
在氮下使用標準Schlenk及套管技術或於手套箱中實施涉及空氣敏感及/或水分敏感化合物之所有反應。使用Pangborn等人於Organometallics 1996，第15卷，第1518頁中所闡述之系統純化反應溶劑或在4Å活性分子篩上儲存後直接使用。所用甲基鋁氧烷為由Albemarle供應之以接受狀態使用之存於甲苯中之10% MAO溶液。
在140℃下藉由凝膠滲透層析(GPC)、使用以商標名「Waters 150c」出售之儀器並利用1,2,4-三氯苯作為流動相分析分子量資訊(Mw、Mn及Mz，以g/mol表示)及分子量分佈(Mw/Mn)及z-平均分子量分佈(MZ/MW)。藉由將聚合物溶解於此溶劑中來製備樣品並不過濾即運行。分子量係表示為聚乙烯當量，且對於數量平均分子量(「Mn」)而言相對標准偏差為2.9%且對於重量平均分子量(「Mw」)而言為5.0%。藉由於烘箱中在150℃下加熱於1,2,4-三氯苯(TCB)中之聚合物 並在輪子上旋轉4小時來製備聚合物樣品溶液(1mg/mL至2mg/mL)。將抗氧化劑2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚(BHT)添加至該混合物中以使聚合物針對氧化降解穩定。BHT濃度為250ppm。在140℃下於配備有四個Shodex管柱(HT803、HT804、HT805及HT806)之PL 220高溫層析單元上、使用TCB作為流動相以1.0mL/分鐘之流速、利用示差折射率(DRI)作為濃度檢測器對樣品溶液進行層析。將BHT以250ppm之濃度添加至流動相中以保護管柱免於氧化降解。樣品注射體積為200mL。利用Cirrus GPC軟體加工原始數據。利用窄分佈聚苯乙烯標準物校準各管柱。如ASTM標準測試方法(例如ASTM-D6474-99)中所闡述使用Mark-Houwink等式將聚苯乙烯分子量轉化成聚乙烯分子量。
藉由使用TA Instrument DSC Q1000熱分析儀以10℃/min測定聚合物之熔點(包括峰值熔點(Tm))及結晶度百分比。在DSC量測中，將自室溫至200℃之加熱-冷卻-加熱循環或反之亦然應用至聚合物以使與其相關之熱機械歷程降至最短。分別藉由來自第二次加熱數據之主峰溫度及總DSC曲線下面積測定熔點及結晶度百分比。當在雙峰DSC曲線圖型(通常亦具有最高峰高度)中呈現兩個峰時，峰值熔融溫度Tm係較高溫度峰。
使用溶析液之高溫凝膠滲透層析(GPC)及FT-IR實施之測定隨分子量(及由此共聚單體分布曲線圖型)而變之分支頻率。使用具有已知支鏈含量之聚乙烯標準物、聚苯乙烯及具有已知分子量之烴用於校準。
共聚物樣品之短鏈分支頻率(每1000個碳原子之SCB)及由此共聚單體含量(以重量百分比表示)係如藉由傅裡葉變換紅外線光譜學(FTIR)根據ASTM D6645-01方法測定。使用配備有OMNIC 7.2a版軟體之Thermo-Nicolet 750 Magna-IR分光光度計用於量測。
根據ASTM D1238(當在190℃下分別使用2.16kg、5kg及21kg重 量實施時)量測聚乙烯組合物之熔融指數I2、I5及I21。依照ASTM D1238 F條件在190℃下利用10公斤重量測定熔融指數I10。
根據ASTM D792量測聚乙烯組合物密度(g/cm3)。
一般依照ASTM D1895-96(2003)量測聚乙烯體密度(報導為lb/ft3)。
根據ASTM D5227測定使用壓縮模製斑塊之己烷可萃取物。
為測定CDBI，首先生成聚乙烯組合物之溶解度分佈曲線。此係使用自TREF技術獲得之數據來實現。此溶解度分佈曲線係隨溫度變化而溶解之共聚物之重量分數之點圖。將此轉化成重量分數相對於共聚單體含量之累積分佈曲線，自該曲線圖型，藉由確定共聚單體含量在中位數共聚單體含量之位於中位數各側之50%內之共聚物樣品之重量百分比來測定CDBI(參見美國專利第5,376,439號)。
本文所用之具體溫度升高溶析分級(TREF)方法係如以下。將聚合物樣品(50mg至150mg)引入至結晶-TREF單元(Polymer ChARTM)之反應器容器中。向反應器容器中填充20ml至40ml 1,2,4-三氯苯(TCB)，並加熱至期望溶解溫度(例如150℃)並持續1小時至3小時。然後將該溶液(0.5ml至1.5ml)裝載至填充有不銹鋼珠粒之TREF管柱中。在給定穩定溫度(例如110℃)下平衡30分鐘至45分鐘後，以自穩定溫度至30℃(0.1℃/分鐘或0.2℃/分鐘)之溫度下降使聚合物溶液結晶。在30℃下平衡30分鐘後，利用TCB(0.5mL/分鐘或0.75mL/分鐘)以自30℃至穩定溫度(0.25℃/分鐘或1.0℃/分鐘)之溫度升高溶析經結晶樣品。在運行結束時在溶解溫度下將TREF管柱清潔30分鐘。使用內部研發之Polymer ChAR軟體、Excel試算表及TREF軟體加工數據。
上文所闡述之TREF程序為熟習此項技術者所熟知且可用於測定TREF曲線圖型之峰性、CDBI50、在40℃下或低於40℃下溶析之共聚物wt%、在高於100℃下溶析之共聚物wt%、在90℃至105℃下溶析之 共聚物wt%、T(75)-T(25)值以及出現溶析強度最大值(溶析峰)之溫度或溫度範圍。
在190℃下於Rosand RH-7毛細管流變儀(筒體直徑=15mm)上利用2-mm直徑且L/D比10：1之平模量測聚合物之熔融強度。壓力Transducer：10,000psi(68.95MPa)。活塞速度：5.33mm/min。牽引角：52°。牽引增量速度：50m/min2至80m/min2或65±15m/min2.將聚合物熔融以恆定速率擠出穿過毛細管模具，且然後以漸增牽引速度拉伸聚合物股直至其斷裂為止。力相對於時間曲線之平線區中力之最大穩定值係定義為聚合物之熔融強度。
動力學分析(DMA)。於具有25mm直徑平行板之動態Rheometrics SR5 Stress旋轉流變儀上以掃頻模式在完全氮氣覆蓋下實施流變學量測(例如小應變(10%)振盪剪切量測)。利用抗氧化劑添加劑使聚合物樣品適當穩定，且然後插入至測試夾具中進行至少一分鐘預加熱，以確保法向力降至0。在10%應變、0.05rad/s至100rad/s及190℃下實施所有DMA實驗。使用Orchestrator軟體測定包括儲存模數(G’)、損耗模數(G”)、相角(δ)、複數模數(G*)及複數黏度(η*)之黏彈性參數。
然後使用經修改三參數Carreau-Yasuda(CY)經驗模型對複數黏度|η*(ω)|相對於頻率(ω)數據進行曲線擬合以獲得零剪切黏度η0、特徵性黏度鬆弛時間τη及流變學參數-a之寬度。所用之簡化Carreau-Yasuda(CY)經驗模型係如以下：|η*(ω)|=η0/[1+(τη ω)a](1-n)/a
其中：|η*(ω)|=複數剪切黏度之量級；η0=零剪切黏度；τη=特徵性鬆弛時間；a=流變學參數之「寬度」(其在本發明中亦稱為「Carreau-Yasuda剪切指數」或「CY a-參數」或簡稱「a-參數」)；n=固定最終冪律斜率，固定為2/11；且ω=振盪剪切變形之角頻率。CY模型及所衍生參數之意義及解釋之細節之可參見：C.A.Hieber及 H.H.Chiang,Rheol.Acta,28,321(1989)；C.A.Hieber及H.H.Chiang,Polym.Eng.Sci.,32,931(1992)；及R.B.Bird、R.C.Armstrong及O.Hasseger,Dynamics of Polymeric Liquids，第1卷，Fluid Mechanics，第2版，John Wiley & Sons(1987)；其每一者皆以引用方式全文併入本文中。
根據美國專利申請案第2011/0212315號中所提供之方法測定剪切稀化指數(SHI)：針對用於動態黏度量測之任何給定頻率(ω)，SHI係定義為SHI(ω)=η*(ω)/η0，其中η0係經由經驗Cox-Merz定律測定之190℃下零剪切黏度。η*係在共聚物之動態(正弦)剪切或變形後可測定之190℃下複數黏度，如於Rheometrics SR5 Stress旋轉流變儀上使用平行板幾何結構測定。根據Cox-Merz定律，當頻率(ω)係以輻射輻射單元表示時，在低剪切速率下，基於低剪切毛細管量測，η*之數值等於習用固有黏度之數值。熟習流變學技術者極精通以此方式測定η0。
目前實例之薄膜係於由Battenfeld Gloucester Engineering Company of Gloucester,Mass製造之吹塑薄膜生產線上使用4英吋之模具直徑及35密耳或50密耳之模具間隙製得。在薄膜吹塑中將3%之Ingenia 1150 PPA母料添加至樣品1*及樣品5*中。乙烯共聚物6*之分析顯示，存在約250ppm之含氟彈性體型PPA。此吹塑薄膜生產線具有超過100磅/小時之標準輸出且配備有50馬力電動機。螺桿速度為35RPM至50RPM。螺桿具有24/1之長度/直徑(L/D)比。熔融溫度及冰凍線高度(FLH)分別為430℉至440℉及16英吋。空氣冷卻吹塑薄膜氣泡。於此生產線上製備之吹塑薄膜之典型吹開比(BUR)為1.5/1至4/1。使用具有35密耳之間隙之環形模具用於該等實驗。此實例之薄膜係使用2.5：1之BUR照準點及1.0密耳之薄膜厚度照準點製備。
依照ASTM D 1003-07中所詳述之程序使用BYK-Gardner霾度計(Model Haze-gard plus)量測霾度(%)。
於Kayeness公司製造之鏢錘衝擊測試器(Model D2085AB/P)上依照ASTM D-1709-04(方法A)量測鏢錘衝擊強度。
於Thwing-Albert Instrument公司製造之ProTearTM撕裂測試器上依照ASTM D-1922量測機器(MD)及橫向(TD)方向艾門朵夫(Elmendorf)撕裂強度。
於MTS廣用測試器(型號SMT(高)-500N-192)使用0.75英吋直徑之圓形Teflon塗佈探針以20in/min之速率量測TEF及潤滑油抗刺紮性。在該測試中，將4.25×4.25平方英吋之薄膜樣品夾緊於固持器中且然後將大約1cm3之潤滑油施加至薄膜中心。自即時負荷-位移曲線下面積測定斷裂處刺紮能量。
亦以10英吋/min之標準速率、使用0.75英吋直徑梨形TFE-氟碳化物塗佈探針、於MTS廣用測試器上、遵循ASTM D5748測試聚乙烯薄膜之抗刺紮性。使用MTS Testworks 4軟體分析刺紮數據，其中最大刺紮力、斷裂伸長率及斷裂處總刺紮能量係自力位移曲線量測。
於儀器5頭廣用測試器(型號TTC-102)上、以0.2in/min直至10%應變為止之十字頭速度、依照ASTM D-882-10量測MD或TD正割模數。MD或TD正割模數係藉由自原點至1%應變之應力-應變曲線之初始斜率確定。
於儀器5頭廣用測試器(型號TTC-102)上依照ASTM D-882-10實施薄膜抗拉測試。
於BYK-Gardner 45° Micro-Gloss單元上依照ASTM D2457-03量測光澤。
藉由將兩個2.0密耳薄膜條帶夾緊於Lako Tool製造之SL-5密封器上之經加熱上密封條及下密封條之間並持續0.5秒來製備密封，對於在自密封開始至熔融穿透範圍內之每一溫度密封條夾壓為40psi。於儀器5-Head萬能測試器(型號TTC-102)上依照ASTM F88-09量測密封 強度或密封性參數隨密封溫度之變化。
於Dynatup 9250型號衝擊測試器上對5×5平方英吋之薄膜樣品在10.9ft/s之衝擊速度及室溫溫度下遵循ASTM D7192實施儀器化落錘衝擊測試。自衝擊負荷-位移曲線使用Dynatup脈衝資料獲取系統(Impulse Data Acquisition System)軟體確定最大衝擊負荷、總衝擊能量及最大衝擊負荷處能量。
於MTS廣用測試器上、使用0.75英吋直徑梨形TFE-氟碳化物塗佈探針、以10英吋/min.之速率依照ASTM D5748量測抗刺紮性。自負荷-位移曲線使用MTS Testworks 4.11版軟體確定最大刺紮力、斷裂伸長率及總刺紮能量。
觸媒合成 概述
在氮下使用標準Schlenk技術或於手套箱中實施涉及空氣敏感及/或水分敏感化合物之所有反應。使用Pangborn等人於Organometallics 1996，第15卷，第1518頁中所闡述之系統純化甲苯(EMD；DriSolv)及戊烷(Sigma-Aldrich；無水)並儲存在4Å活性分子篩(在360℃下煅燒至少18小時)上。四氯化鈦(IV)及正丁基鋰(於己烷中之1.6M溶液)係購自Sigma-Aldrich，且未經進一步純化即使用。2,3,4,5,6-五氟苄基溴係購自Oakwood products且未經進一步純化。茚及乙醇鈦(IV)係購自Sigma-Aldrich並藉由此文件中概述之程序進行純化。二異丙胺係購自Sigma-Aldrich並於4Å活性分子篩上儲存。氘化溶劑係購自Sigma-Aldrich(甲苯-d 8、二氯甲烷-d 2、四氫呋喃-d 8)並於4Å活性分子篩上儲存。於Bruker光譜儀(對於1H而言400.1MHz，對於31P而言162MHz，對於19F而言376MHz)上記錄NMR光譜。對工業級茚(223g，1.74mol，藉由GC為>90%純)進行蒸餾(500毫托(mTorr)之受控動態真空；60℃之加熱浴溫度)並儲存於手套箱中。
(1-(C 6 F 5 CH 2 )Ind)(t-Bu 3 PN)TiCl 2 之合成
在室溫下經由滴液漏斗向茚(19.60g,169.0mmol)之甲苯溶液(600mL)中逐滴添加正丁基鋰(於己烷中之1.6M溶液；105mL，168.0mmol，1.0當量)。在室溫下將該反應混合物攪拌3h，並逐滴添加2,3,4,5,6-五氟苄基溴(44.04g，8.9mmol，0.9當量)，同時維持50℃之溫度。在50℃下將該反應混合物攪拌2h且然後在室溫下再攪拌18h。過濾該漿液，並在真空下濃縮淡黃色濾液，從而得到呈略粉之灰白色粉末之產物(47.20g，141.9mmol，84%產率，藉由GCMS為89%純度)。
在室溫下經由套管將無水乙醇(經NaOEt乾燥並蒸餾；8.25g；179.07mmol)存於甲苯(於小瓶中大約50mL)中之溶液緩慢添加至TiCl4(33.97g；179.07mmol)之甲苯溶液(100mL)中。維持添加速率，以便該反應在控制之下並將HCl排放至起泡器。將該反應加熱至100℃並保持45分鐘。該溶液之顏色自紅色變成淺橙色。在手套箱中，在室溫下經20分鐘將固體t-Bu3PNSiMe3以批次形式添加至TiCl3(OEt)之以上溶液中。在110℃下將所得深紅色溶液攪拌約18小時。將該反應混合物冷卻至室溫，然後冷卻至0℃並持續3小時，且然後藉助中等孔玻璃料過濾。將固體用甲苯/庚烷之1：1混合物(2×30mL)、然後戊烷(30mL)洗滌，且然後在真空下乾燥，從而得到呈自由流動之淡黃色至淺棕色固體且藉由NMR為>95%純度之期望產物(t-Bu3PN)TiCl3(57g；154mmol；86%)。1H NMR(甲苯-d 8)：δ 1.11(d,J=14Hz)。相對於H3PO4/D2O在0ppm下，31P{1H}NMR(甲苯-d 8)：δ 55.3(s)。
在室溫下將n-BuLi之己烷溶液(1.6M；32mmol；20mL)添加至二異丙胺(32mmol；3.24g)之戊烷溶液(150ml)中。攪拌1小時後，在真空下濃縮所得澄清溶液，直至觀測到形成固體產物為止。在那時終 止溶劑之去除並使結晶繼續進行3小時。將固體二異丙基醯胺鋰(LDA)藉由過濾分離，用戊烷洗滌，然後在真空下乾燥(2.8g；26mmol；81%)。
向固體LDA(1.19g；11mmol)之甲苯漿液(50mL)中添加1-(C6F5CH2)Ind(3.28g,11mmol)之甲苯溶液(40mL)。在室溫下將該反應溶液攪拌3小時，且然後經20分鐘緩慢添加至t-Bu3PNTiCl3(4.10g,11mmol)之甲苯溶液(50mL)中。在室溫下將該反應混合物攪拌過夜(約18h)。使該反應混合物沉降並傾倒出上清液。將其餘固體溶解於CH2Cl2(30mL)中並藉助中等孔玻璃料過濾該漿液。濃縮經合併之甲苯及CH2Cl2濾液以去除CH2Cl2及大部分甲苯，使體積降至大約25mL，並將漿液在室溫下保持18小時。藉助中等孔玻璃料過濾該漿液，並用甲苯與庚烷之1：1混合物(2×20mL)、且然後戊烷(20ml)洗滌固體。分離期望產物(1-(C6F5CH2)Ind)(t-Bu3PN)TiCl2，呈亮橙黃色結晶固體(6.09g；9.7mmol；88%)且具有>95%純度(NMR)。1H NMR(甲苯-d 8)：δ 7.96(m,1H),7.61(m,1H),7.15(m,2H),6.89(m,1H),6.50(m,1H),4.57(dm,J=15.2Hz,1H),4.09(dm,J=15.2Hz,1H),1.21(d,J=13.6Hz,27H)。19F NMR(甲苯-d 8)：δ -145.2(m,2F),-159.6(t,J=22.6Hz,1F),-164.5(m,2F)。相對於H3PO4/D2O在0ppm下，31P{1H}NMR(甲苯-d 8)：δ 45.9(s)。
觸媒1：藉由經8小時在氮流動(約0.4 slpm)下將二氧化矽自室溫加熱至高達600℃(1.2℃/min之升溫速率)，在600℃下保持4小時，且然後在氮流動下冷卻至室溫，來使原始SylopolTM 2408二氧化矽(Grace Davison)脫水(「煅燒」)。經5分鐘使用滴液漏斗向經煅燒二氧化矽(75.35g；0.84mmol OH/g二氧化矽)存於無水庚烷(400mL)中之漿液中逐滴添加AlEt3(TEAL)存於己烷中之溶液(14.28g之25wt%溶液，31.3mmol)，同時利用頂置式機械攪拌(約260rpm)，並將所得漿 液攪拌30分鐘。然後藉由滴液漏斗逐滴添加丁基乙基鎂(29.02g之20wt%溶液，52.5mmol)之庚烷溶液(15mL)，並將該漿液攪拌2小時。然後經7min之時期經由注射器將第三丁基氯(9.72g,105mmol)存於無水庚烷(10mL)中之溶液逐滴添加至該漿液中，且在添加結束時漿液之溫度自27℃升高至44℃。攪拌2小時後，該將漿液藉助中等孔隙度玻璃料過濾，並用兩份之庚烷(2×200mL份)洗滌。在約250rpm之機械攪拌下使經洗滌固體支撐物於甲苯(450mL)中再成漿，且經5分鐘藉由移液管逐滴添加甲基鋁氧烷(152.68g之10wt% MAO；Albemarle)之甲苯溶液，並將所得漿液攪拌1小時。經5分鐘以多份添加固體(1-(C6F5CH2)Ind)(t-Bu3PN)TiCl2(1.76g；2.8mmol)，並將漿液再攪拌2小時。然後藉助中等孔玻璃料過濾漿液，並將固體用甲苯(200mL)、然後戊烷(2×200mL份)洗滌並在真空下乾燥(達<400毫托)。期望觸媒組合物係顯示於表1中。
觸媒2：經2分鐘向實例1中所述觸媒(49.0g)之戊烷漿液(230mL)中添加ArmostatTM 1800(8.367g於甲苯中之15wt%溶液)之甲苯溶液，同時以約250rpm攪拌。將漿液攪拌30分鐘且然後藉助中等孔玻璃料過濾，並將固體用戊烷(3×100mL份)洗滌並在真空下乾燥(達<400毫托)。期望觸媒組合物係顯示於表1中。
觸媒3：經5分鐘使用滴液漏斗向經煅燒SylopolTM 2408二氧化矽(39.12g；0.84mmol OH/g二氧化矽)存於無水庚烷(200mL)中之漿液中逐滴添加AlEt3(TEAL)存於己烷中之溶液(7.41g之25wt%溶液，16.2mmol)，同時利用頂置式機械攪拌(約260rpm)，並將所得漿液攪拌30分鐘。然後藉由滴液漏斗逐滴添加丁基乙基鎂(5.80g之20wt%溶液，10.5mmol)之庚烷溶液(15mL)，並將漿液攪拌2小時。然後經7min之時期經由注射器將第三丁基氯(1.95g,21.1mmol)存於無水庚烷(10mL)中之溶液逐滴添加至漿液中，且在添加結束時漿液之溫度自 27℃升高至33℃。攪拌2小時後，將該漿液藉助中等孔隙度玻璃料過濾並用兩份庚烷(2×100mL份)洗滌。在約250rpm之機械攪拌下使經洗滌固體支撐物於甲苯(225mL)中再成漿，並經5分鐘藉由移液管逐滴添加甲基鋁氧烷(76.34g之10wt% MAO；Albemarle)之甲苯溶液，並將所得漿液攪拌1小時。經3分鐘以多份添加固體(1-(C6F5CH2)Ind)(t-Bu3PN)TiCl2(0.88g；1.4mmol)，並將漿液再攪拌2小時。然後藉助中等孔玻璃料過濾漿液，並將固體用甲苯(100mL)、然後戊烷(2×100mL份)洗滌並在真空下乾燥(達<400毫托)。期望觸媒組合物係顯示於表1中。
觸媒4：經5分鐘使用滴液漏斗向經煅燒SylopolTM 2408二氧化矽(39.12g；0.84mmol OH/g二氧化矽)存於無水戊烷(200mL)中之漿液中逐滴添加AlEt3(TEAL)存於己烷中之溶液(7.41g之25wt%溶液，16.2mmol)，同時利用頂置式機械攪拌(約260rpm)，並將所得漿液攪拌30分鐘。然後藉由滴液漏斗逐滴添加丁基乙基鎂(5.81g之20wt%溶液；10.5mmol)之庚烷溶液，並將漿液攪拌2小時。然後經9min之時期經由注射器將第三丁基氯(1.94g,21.0mmol)存於無水庚烷(10mL)中之溶液逐滴添加至漿液中，且在添加結束時漿液之溫度自27℃升高至30℃。攪拌2小時後，將該漿液藉助中等孔隙度玻璃料過濾並用兩份之戊烷(2×100mL份)洗滌。在約250rpm之機械攪拌下使經洗滌固體支撐物於戊烷(225mL)中再成漿，並經5分鐘藉由移液管逐滴添加甲基鋁氧烷(76.34g之10wt% MAO；Albemarle)之甲苯溶液，並將所得漿液攪拌1小時。經3分鐘以多份添加固體(1-(C6F5CH2)Ind)(t-Bu3PN)TiCl2(0.88g；1.4mmol)，並將漿液再攪拌2小時。然後藉助中等孔玻璃料過濾漿液，並將固體用戊烷(3×100mL份)洗滌並在真空下乾燥(達<400毫托)。期望觸媒組合物係顯示於表1中。注意：相對於觸媒3，觸媒4之合成順序在某些添加及洗滌步驟中採用戊烷。
觸媒5(比較性)：使用滴液漏斗以35mL/min之速率向以約250rpm攪拌之經煅燒SylopolTM 2408二氧化矽(399.0g；0.84mmol OH/g二氧化矽)存於無水甲苯(1.5L)中之漿液中添加甲基鋁氧烷(844.6g之10wt% MAO；Albemarle)之溶液。將所得漿液攪拌2小時。使用粉末添加漏斗以約0.35g/min之速率添加固體(1-(C6F5CH2)Ind)(t-Bu3PN)TiCl2(8.82g；14.0mmol)。將漿液攪拌2小時。然後以約10mL/min之速率將ArmostatTM 1800(12.57g)之甲苯溶液(60mL)添加至漿液中，並將漿液攪拌30分鐘。終止攪拌，並藉由傾倒去除澄清上清液(約2L)，並使經支撐觸媒於無水甲苯(700mL)中再成漿並攪拌30分鐘。終止攪拌並藉由傾倒去除約700mL之上清液。添加無水戊烷(750mL)，並重新開始攪拌30分鐘。終止攪拌並藉由傾倒去除約700mL之上清液。將固體觸媒洗滌並使用750mL之戊烷以此方式再次傾倒出。在室溫下在真空下乾燥固體達<400毫托。期望觸媒組合物係顯示於表1中。
聚合
聚合運行1號至5號(連續乙烯/1-己烯共聚合)：於56.4L工業規模反應器(TSR)中在連續氣相操作中實施連續乙烯/1-己烯氣相共聚合實驗。在80℃下以300磅/平方英吋表(psig)之總操作壓力運行乙烯聚合。經由閉環式製程控制將乙烯及1-己烯之氣相組成控制至對於本發明觸媒而言分別50.0莫耳%及0.34莫耳%至0.62莫耳%且對於比較性觸媒而言分別58.0莫耳%及0.67莫耳%之值。在聚合期間將氫以相對於乙烯進料在0.0008至0.0013範圍內之莫耳進料比計量至反應器中。氮構成氣相混合物之其餘部分。該等條件之典型生產速率為每小時2.0kg至3.0kg之聚乙烯。
用於將觸媒投與至反應器中之觸媒計量裝置配備有探針，其量測穿過將觸媒導向反應器之所監測管之固體材料所攜帶的靜電荷。
粒狀樹脂之造粒：在造粒之前將500ppm之Irganox 1076及1000ppm之Irgafos 168與粒狀樹脂乾摻和。在氮氛圍下以使聚合物降解降至最低並於螺桿直徑為38mm且L/D比為33/1之Leistritz雙螺桿擠出機上擠出所得粉末摻合物。將擠出機之造粒條件設定於210℃之熔融溫度、15lb/hr至20lb/hr之輸出速率、120rpm之螺桿速度及30rpm至40rpm之造粒機速度下。冷卻成丸粒樹脂且然後收集用於樹脂表徵及薄膜評價。
連續聚合結果及條件係顯示於表2中。聚合物性質係顯示於表3中。本發明聚合係分別採用觸媒1、2、3及4分別製備乙烯共聚物1至4之聚合運行1、2、3及4。比較性聚合運行5採用比較性觸媒5製備乙烯共聚物5，乙烯共聚物5係比較性的。為了進一步比較目的，據信為代表EnableTM 20-05(其自ExxonMobil購得)之樹脂之聚合物包括在表3中作為乙烯聚合物6，乙烯聚合物6係比較性的。
表1及2顯示，觸媒1至4(其涉及膦亞胺觸媒於鈍化支撐物上之固定化)具有甚至當採用較低量之甲基鋁氧烷(MAO)助觸媒用於觸媒1至4時高於觸媒5(其係比較性的且涉及膦亞胺觸媒於非鈍化支撐物上之固定化)之生產力。儘管聚合運行1至4在存在低於聚合運行5之乙烯分壓之情況下操作，亦同樣如此。
所用觸媒位於鈍化支撐物上之聚合運行1及2之比較顯示，當聚合觸媒中包括或不包括ArmostatTM 1800觸媒改質劑時之聚合數據基本上相同(參見1及2)。聚合物亦類似，惟當聚合觸媒中存在ArmostatTM 1800時，多分散性指數Mw/Mn以及MFR(I21/I2)增加(參見表3)。
表2中之數據顯示，在80℃之溫度下與比較性觸媒5相比，觸媒1至4具有增加之共聚單體響應。亦即，當使用觸媒1至4時，達到某一密度(例如大約0.922g/cc)所需要之1-己烯之量相對於當使用比較性觸媒5時所需要之量較低：將需要0.0167或0.0168之C6/C2莫耳比之聚合運行1號至4號分別與需要0.0232之C6/C2莫耳比之聚合運行5號比較。自經濟觀點來看，進給至反應器中以生成給定密度之聚合物之共聚單體之量之降低可為有利的。
利用與鈍化支撐物一起調配之觸媒製得之聚合物之體密度亦顯著高於利用與未經處理支撐物一起調配之觸媒製得之聚合物之體密度(參見表2)。將於聚合運行1號至4號(分別使用觸媒1至4)中獲得之聚合物之體密度(其提供25lb/ft3至32lb/ft3之聚合物)與於聚合運行5號(使用比較性觸媒5)中獲得之聚合物之體密度(其為22.0lb/ft3)比較。所形成聚合物之體密度之增加可允許每單位反應器體積之聚合物生產速率增加並改良聚合物儲存容量。
在類似聚合條件下產生所有乙烯共聚物。熟習此項技術者將自表3中所提供之數據瞭解到，使用固定化於鈍化支撐物上之膦亞胺單一位點觸媒獲得之乙烯/1-己烯共聚物具有相對於使用固定化於傳統 (即未鈍化)支撐物上之膦亞胺觸媒獲得之乙烯/1-己烯共聚物略微更均勻之共聚單體分佈。此係反映在類似或略微較高CDBI50值中以及顯示共聚單體納入曲線圖型對於鈍化支撐物上之觸媒而言較平坦之GPC-FTIR數據中。當將膦亞胺觸媒固定化於鈍化支撐物上時相對於當使用未經處理支撐物時，在200,000之MW下之SCB/1000C-在50,000之MW下之SCB之值亦有所減少：將具有0.3至2.4之值之聚合物1至4與具有6.9之值之比較性聚合物5比較。
另外，且參照表3，相對於具有5.95之Mw/Mn之比較性觸媒5，所有利用觸媒1至4製得之共聚物顯示較窄分子量分佈(例如，3.07至4.21之Mw/Mn範圍)。若乙烯共聚物係使用於鈍化支撐物上但未經Armostat-1800處理之觸媒製得，此尤其如此：參見分別具有3.07、3.10及3.26之Mw/Mn值之乙烯共聚物1、3及4。亦在對於觸媒1至4而言較小(例如在30至36範圍內)且對於比較性觸媒5而言較高(例如43)之熔融流動比(MFR)數據I21/I2中證實該等較窄組合物。與利用觸媒5(例如0.22)製得之產物相比，針對利用觸媒1至4(例如在0.11至0.18範圍內)製得之產物所觀測到之較小CY-α參數亦指示較好熔融流變學性質。亦即，CY-α參數愈低，共聚物之剪切稀化性質通常愈好。
如表3中所顯示，相比於利用比較性觸媒5製得之聚合物，使用觸媒1至4製得之聚合物皆顯示較低己烷可萃取物(在0.37至0.47範圍內)，此可改良感官性質及其他性質。
乙烯共聚物1至4中之每一者皆具有單峰分子量分佈，如圖1中所顯示。
乙烯共聚物2、3、4及比較性乙烯共聚物5中之每一者皆具有反向共聚單體分布曲線圖型，如分別於圖2B、2C、2D及2E中所顯示。令人感興趣地，乙烯共聚物1為僅極其略微反向的，如圖2A中所顯示。相比於使用採用鈍化支撐物之聚合觸媒製得之乙烯共聚物，比較 性乙烯共聚物5具有極為反向共聚單體納入：將圖2E與圖2A至2D比較。
乙烯共聚物1至4中之每一者皆具有雙峰型TREF曲線圖型，如圖3中所顯示。如下事實同樣顯而易見：在T(低)下之峰值溶析強度(即兩個溶析峰中之較低者)在強度上高於在T(高)下之強度(即兩個溶析峰中之較高者)。相比之下，比較性乙烯共聚物5之TREF曲線圖型相比於嚴格雙峰係較寬且較為多峰的。
van Gurp-Palmen(VGP)分析係研究如藉由聚合物熔融形態反映之聚合物結構(例如分子量分佈、線性等)之方式。VGP曲線簡單地為相角(δ)相對於複數模數(G*)之點圖，其中該兩個流變學參數係在動力學分析(DMA)中使用頻率掃描測試獲得。VGP曲線自基線曲線之位移或複數模數中程數處之相角之降低可指示聚合物熔融形態之變化。
VGP點圖允許確定定義為在相角(δ)相對於複數模數(G*)點圖與相角(δ)相對於複數黏度(η*)點圖之間獲得之交點之交叉流變學參數。基於線性黏彈性理論，VGP交叉流變學參數或「交叉相角」(δXO)出現在等於一之頻率(ω)處。其係G*及η*在數值上相當之相角。因此，可在單一DMA測試中測定VGP交叉流變學參數。
乙烯共聚物1及2之VGP交叉點圖係包括在圖4中。乙烯共聚物3及4之VGP交叉點圖係包括在圖5中。比較性乙烯共聚物5之VGP交叉點圖係顯示於圖6中。
VGP交叉點取決於共聚物結構。通常，對於較易於加工之樹脂(例如乙烯共聚物1至4(但尤其1及2)以及比較性乙烯共聚物5)而言，定義為δXO之出現交叉之VGP相角低於對於較難以加工之樹脂而言者。例如參見ExceedTM 1018聚乙烯樹脂之VGP曲線，該ExceedTM 1018聚乙烯樹脂包括作為比較性乙烯共聚物7在圖6中。對於Exceed樹脂而言，交叉相角δXO大於80，而對於乙烯共聚物1至4而言，交叉相 角(δXO)屬約58至約64範圍內。對於易於加工之樹脂，相對於針對較難以加工之樹脂所獲得之曲線(再次參見ExceedTM 1018比較性乙烯共聚物7之曲線，其包括在圖6中)，相角-複數黏度曲線之形狀及相角-複數模數曲線之形狀係略微偏離且彼此更密切類似之鏡像(參見圖4及5)。
令人感興趣的，且參照圖4及5，相比於使用於具有2wt%之MgCl2之鈍化支撐物上之觸媒製得之乙烯共聚物，使用具有5wt%之MgCl2之鈍化支撐物製得之乙烯共聚物具有甚至更偏離之曲線及甚至更低之交叉相角。將分別具有58.8及58.2之交叉相角之乙烯共聚物1及2之曲線與分別具有63.2及63.9之交叉相角之乙烯共聚物3及4之曲線比較。此顯示，鈍化支撐物中所存在之MgCl2之量可對所得乙烯共聚物之流變學及加工性質具有影響。
出於吹塑薄膜之目的，另一乙烯共聚物乙烯共聚物1*係以類似於乙烯共聚物1之方式使用相同觸媒製備，且被吹塑成1密耳薄膜。其他比較性乙烯共聚物乙烯共聚物及5*及6*(其分別與比較性乙烯共聚物5及6類似)亦吹塑成1密耳薄膜用於比較目的。乙烯共聚物1*及比較性乙烯共聚物5*及6*之薄膜數據(以及有限之聚合物數據)係提供於表4中。
如可自表4看出，當吹塑成薄膜時，乙烯共聚物1*(自固定化於鈍化支撐物上之膦亞胺觸媒製備)具有相對於自比較性乙烯共聚物5*(自於非鈍化支撐物上之膦亞胺觸媒製備)製得之薄膜經改良之薄膜刺紮性質(最大力、伸長率及能量)。乙烯共聚物1*亦給出具有當與自共聚物6*(即EnableTM 20-05級)製得之薄膜相比時略微較好或相當薄膜刺紮性質之薄膜。
乙烯共聚物1*提供與乙烯共聚物6*相比在機器(MD)及橫向(TD)二者方向上之模數、抗拉強度及伸長率方面經改良之薄膜。乙烯共聚物1*亦顯示好於乙烯共聚物5*之MD抗拉性質。此外，自乙烯共聚物1*製得之薄膜具有相對於自乙烯共聚物5*製得之薄膜經改良之光學性質。例如，霾度值為10.2%對17.4%，且45°光澤值為46對30。
本發明實施例可包括以下實施例A至S中之一或多者之任何組合。為清晰起見，以下實施例中之任何一或多者可與以下實施例中之任何一或多者組合。
實施例A：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使 乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
實施例B：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有50%至75wt%之CDBI50。
實施例C：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有2.6至4.6之分子量分佈(Mw/Mn)。
實施例D：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有24至40之熔融流動比(I21/I2)。
實施例E：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有雙峰型TREF曲線圖型。
實施例F：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有1.75至3.0之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)。
實施例G：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸，其中該α-烯烴係1-己烯。
實施例H：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有包含兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值之雙峰型TREF曲線圖型；其中T(低)出現在75℃至90℃下且T(高)出現在90 ℃至98℃下，限制條件係T(低)低於T(高)。
實施例I：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值界定之雙峰型TREF曲線圖型；其中T(低)出現在75℃至89℃下，T(高)出現在90℃至98℃下，且其中T(高)-T(低)為3℃至15℃。
實施例J：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，其中該乙烯共聚物具有26lb/ft3或更大之體密度。
實施例K：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；其中該鈍化支撐物係於非極性烴溶劑或稀釋劑中製備。
實施例L：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物 及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；其中該聚合觸媒系統進一步包含觸媒改質劑。
實施例M：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-R¥-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其中該烷基、該芳基及該苄基中之每一者未經取代或經至少一個氟原子取代；且X係可活化配位體。
實施例N：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處 理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-R¥-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中R¥係經至少一個氟原子取代之苄基；且X係可活化配位體。
實施例O：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-C6F5CH2-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中X係可活化配位體。
實施例P：一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合製程，該製程包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於單一氣相反應器中接觸；該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度及大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)；其中該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；且其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-R¥-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其 中該烷基、該芳基及該苄基中之每一者未經取代或經至少一個氟原子取代；且X係可活化配位體。
實施例Q：一種乙烯共聚物，其具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於40之熔融流動比(I21/I2)、2.5至4.5之分子量分佈(Mw/Mn)、小於3.0之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定之50wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50及雙峰型TREF曲線圖型；其中該乙烯共聚物係於單一氣相反應器中使用聚合觸媒製得，該聚合觸媒包含：膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；其中該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；且其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
實施例R：一種包含乙烯共聚物之薄膜層，該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於40之熔融流動比(I21/I2)、2.5至4.5之分子量分佈(Mw/Mn)、小於3.0之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定之50wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50及雙峰型TREF曲線圖型；其中該乙烯共聚物係於單一氣相反應器中使用聚合觸媒製得，該聚合觸媒包含：膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；其中該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；且其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
實施例S：一種薄膜層，其具有在1密耳厚度下小於15%之霾度及在1密耳厚度下至少35之45°光澤。

Claims (19)

  1. 一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合方法，該方法包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於氣相反應器中接觸；其中該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)、2.3至5.0之分子量分佈(Mw/Mn)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定之45wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50；該聚合觸媒包含膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
  2. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有50%至75wt%之CDBI50。
  3. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有2.6至4.6之分子量分佈(Mw/Mn)。
  4. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有24至40之熔融流動比(I21/I2)。
  5. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有雙峰型TREF曲線圖型。
  6. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有1.75至3.0之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)。
  7. 如請求項1之方法，其中該α-烯烴係1-己烯。
  8. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有包含兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之強度最大值之雙峰型TREF曲線圖型；其中T(低)出現在75℃至90℃下且T(高)出現在90℃至98℃下，限制條件係T(低)低於T(高)。
  9. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有藉由兩個出現在溶析溫度T(低)及T(高)下之溶析強度最大值界定之雙峰型TREF曲線圖型；其中T(低)出現在75℃至89℃下，T(高)出現在90℃至98℃下，且其中T(高)-T(低)為3℃至15℃。
  10. 如請求項1之方法，其中該乙烯共聚物具有26lb/ft3或更大之體密度。
  11. 如請求項1之方法，其中該鈍化支撐物係於非極性烴溶劑或稀釋劑中製備。
  12. 如請求項1之方法，其中該聚合觸媒進一步包含觸媒改質劑。
  13. 如請求項1之方法，其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-R¥-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其中該烷基、該芳基及該苄基中之每一者未經取代或經至少一個氟原子取代；且X係可活化配位體。
  14. 如請求項13之方法，其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-R¥-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中R¥係經至少一個氟原子取代之苄基；且X係可活化配位體。
  15. 如請求項14之方法，其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-C6F5CH2-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中X係可活化配位體。
  16. 一種產生乙烯共聚物之烯烴聚合方法，該方法包含使乙烯及至少一種具有3個至8個碳原子之α烯烴與聚合觸媒於單一氣相反應器中接觸；該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度及大於22但小於42之熔融流動比(I21/I2)；其中該聚合觸媒包含膦亞 胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；且該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物；且其中該膦亞胺觸媒具有式：(1-R¥-茚基)((t-Bu)3P=N)TiX2，其中R¥係烷基、芳基或苄基且其中該烷基、該芳基及該苄基中之每一者未經取代或經至少一個氟原子取代；且X係可活化配位體。
  17. 一種乙烯共聚物，其具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於40之熔融流動比(I21/I2)、2.5至4.5之分子量分佈(Mw/Mn)、小於3.0之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定之50wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50及雙峰型TREF曲線圖型；其中該乙烯共聚物係於單一氣相反應器中使用聚合觸媒製得，該聚合觸媒包含：膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；其中該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；且其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
  18. 一種包含乙烯共聚物之薄膜層，該乙烯共聚物具有0.916g/cm3至0.936g/cm3之密度、0.1g/10min至2.0g/10min之熔融指數(I2)、大於22但小於40之熔融流動比(I21/I2)、2.5至4.5之分子量分佈(Mw/Mn)、小於3.0之z-平均分子量分佈(Mz/Mw)、如藉由GPC-FTIR測定之反向共聚單體分布曲線圖型及如藉由TREF測定之50wt%至80wt%之組成分佈寬度指數CDBI50及雙峰型TREF曲線圖型；其中該乙烯共聚物係於單一氣相反應器中使用聚合觸媒製 得，該聚合觸媒包含：膦亞胺觸媒、鈍化支撐物及助觸媒；其中該鈍化支撐物包含已用i)有機鋁化合物及ii)氯化鎂處理之二氧化矽；且其中該氯化鎂係藉由將二有機鎂化合物及氯化物來源添加至經有機鋁處理之二氧化矽中來生成，限制條件係該氯化物來源不為過渡金屬氯化物。
  19. 如請求項18之薄膜層，其具有在1密耳厚度下小於15%之霾度及在1密耳厚度下至少35之45°光澤。
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