TW201633522A - 藍光增強之影像感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種背側照明影像感測器，其包含具有一前側及一背側之一半導體材料。該半導體材料安置於影像感測器電路與一濾光器陣列之間。該影像感測器電路安置於該前側上，且該濾光器陣列安置成接近該背側。該影像感測器包含一第一像素，該第一像素具有自該影像感測器電路延伸一第一深度至該半導體材料中之一第一摻雜區域。該第一像素亦包含安置於該半導體材料之該背側與該第一摻雜區域之間之一第二摻雜區域。該第二摻雜區域與該第一摻雜區域電隔離。具有一第三摻雜區域之一第二像素亦包含於該影像感測器中。該第三摻雜區域自該影像感測器電路延伸一第二深度至該半導體材料中。

Description

藍光增強之影像感測器
本發明大體上係關於半導體器件。更明確言之，本發明之實例係關於具有增強藍光吸收之影像感測器。
影像感測器已變得無處不在。其等廣泛使用於數位靜物相機、蜂巢式電話、保全用攝影機中，以及廣泛使用於醫學、汽車及其它應用中。用以製造影像感測器之技術已快速地持續發展。例如，針對更高解析度及更低電力消耗之要求已促進此等器件之進一步微型化及整合。
一種類型之影像感測器，互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器在商用電子中非常流行。然而，隨著此等半導體器件已按比例向下縮小，光電二極體區亦已減小，導致在每一光電二極體上有更少之入射光子數。針對按比例縮小之CMOS影像感測器之若干挑戰係維持低光敏感度及減小影像雜訊，此兩個問題隨著降低入射光子數而惡化。
改良CMOS影像感測器效能通常接受之方式係增強量子效率且減小串擾，因為其等可導致一更有利的信號雜訊比。改良量子效率之一種方式係增加半導體厚度，使得一光電二極體可在光可滲透感測體積之前吸收更多之光。然而，藍像素量子效率並不隨著增加之半導體厚度而改良，因為就在半導體之最表面吸收此高能量(短波長)之光。另 外，典型濾光器色彩選擇(例如，紅、綠、藍)阻斷入射於CMOS器件之表面上之許多藍光，從而進一步限制藍光子吸收。
100‧‧‧背側照明影像感測器
103‧‧‧第一濾光器
105‧‧‧第二濾光器
107‧‧‧第三濾光器
109‧‧‧濾光器陣列
111‧‧‧第一摻雜區域
113‧‧‧第二摻雜區域
115‧‧‧第三摻雜區域
121‧‧‧背側
123‧‧‧前側
125‧‧‧半導體材料
131‧‧‧影像感測器電路
141‧‧‧第一深度
143‧‧‧第二深度
211‧‧‧第一摻雜區域
213‧‧‧第二摻雜區域
215‧‧‧第三摻雜區域
300‧‧‧影像感測器電路
311‧‧‧第一光電二極體
312‧‧‧讀出行
313‧‧‧第二光電二極體
322‧‧‧重設電晶體
324‧‧‧放大器電晶體
326‧‧‧列選擇電晶體
329‧‧‧浮動擴散部
333‧‧‧第一轉移電晶體
343‧‧‧第二轉移電晶體
400‧‧‧成像系統
405‧‧‧像素陣列
410‧‧‧讀出電路
415‧‧‧功能邏輯
420‧‧‧控制電路
參考以下圖式描述本發明之非限制及非詳盡實例，其中相似元件符號指代貫穿各種視圖之相似部件，除非另有說明。
圖1係根據本發明之教示之繪示一背側照明影像感測器之一項實例之一橫截面視圖。
圖2A係根據本發明之教示之繪示一背側照明影像感測器之一俯視圖之一項實例之一圖。
圖2B係根據本發明之教示之繪示如沿線A-A’切割之圖2A中之實例影像感測器之一橫截面視圖。
圖2C係根據本發明之教示之繪示如沿線B-B’切割之圖2A中之實例影像感測器之一橫截面視圖。
圖3係根據本發明之教示之繪示一影像感測器電路之一項實例之一示意圖。
圖4係根據本發明之教示之繪示一成像系統之一項實例之一圖。
所屬領域之技術人員將瞭解，出於簡單且清楚之目的繪示圖中之元件，且並不一定按比例繪製元件。例如，圖中一些元件之尺寸可相對於其它元件而被誇大以幫助改良對本發明之各種實施例之理解。同樣的，為了更方便地瞭解本發明之此等各種實施例，通常不描繪在一商業可行之實施例中有用或必要之常見但已熟知之元件。
如將展示，揭示針對具有增強之藍光吸收之影像感測器之方法及裝置。在以下描述中，陳述眾多特定細節以提供對本發明之一詳盡理解。然而，所屬領域之技術人員將認識到，可無需運用該特定細節之一或多者或運用其它方法、組件、材料等等而實踐本文中描述之技 術。在其它例項中，未詳細展示或描述眾所周知之結構、材料或操作以避免使特定態樣模糊。
貫穿此說明書對「一項實施例」、「一實施例」、「一項實例」或「一實例」之參考意謂與實施例或實例相結合而描述之一特定特徵、結構或特性包含於本發明之至少一項實施例或實例中。因此，貫穿此說明書在多個地方出現片語(諸如，「在一項實施例中」或「在一項實例中」)並不一定全部指代相同實施例或實例。此外，在一或多項實施例或實例中之特定特徵、結構或特性可以任何適當方式組合。
圖1係繪示背側照明影像感測器100之一項實例之一橫截面視圖。背側照明影像感測器100包含具有一前側123及一背側121之半導體材料125、影像感測器電路131及濾光器陣列109。半導體材料125安置於影像感測器電路131與濾光器陣列109之間。影像感測器電路131可安置於半導體材料125之前側123上，且濾光器陣列109可安置成接近半導體材料125之背側121。
一第一像素安置於背側照明影像感測器100中。該第一像素包含安置於半導體材料125中之第一摻雜區域111。第一摻雜區域111自影像感測器電路131延伸一第一深度141至半導體材料125中。該第一像素亦包含安置於半導體材料125之背側121與第一摻雜區域111之間之第二摻雜區域113。第二摻雜區域113安置於半導體材料125中，使得第二摻雜區域113吸收藍光。在一項實例中，第二摻雜區域113自半導體材料125之背側121延伸0.75微米或更小至半導體材料125中以便避免吸收數量可觀之綠光及紅光。在一項實例中，第二摻雜區域113與第一摻雜區域111電隔離。
背側照明影像感測器100進一步含有包含安置於半導體材料125中之第三摻雜區域115之一第二像素。第三摻雜區域115自影像感測器電路131延伸一第二深度143至半導體材料125中。在一項實例中，第 二深度143大於第一深度141。在一項實例中，第二摻雜區域113與第三摻雜區域115電耦合。
在一或多項實例中，背側照明影像感測器100可進一步包含複數個第一摻雜區域111、第二摻雜區域113及第三摻雜區域115。在此等實例中，濾光器陣列109可包含若干非習知濾光器。濾光器陣列109中之一第一濾光器103可允許藍光及紅光通過且安置成接近第二摻雜區域113之至少一者。濾光器陣列109中之一第二濾光器105可允許藍光及綠光通過且安置成接近第二摻雜區域113之至少另一者。濾光器陣列109中之一第三濾光器107可允許藍光通過且安置成接近第三摻雜區域115中之至少一者。在另一實例或相同實例中，背側照明影像感測器100可包含一第三像素，該第三像素包含第三摻雜區域115之至少另一者及該濾光器陣列中之一第四濾光器(例如，濾光器107之一者)。該第四濾光器可安置成接近第三像素且允許藍光、紅光及綠光通過。此第三像素可充當一「白色像素」且輸出由入射藍光、綠光及紅光產生之影像電荷。
值得注意的是，半導體材料125、第一摻雜區域111、第二摻雜區域113及第三摻雜區域115可由大量半導體元件及化合物製成。在一項實例中，半導體材料125可包含矽；然而，在相同或一不同實例中，半導體材料125可包含鍺、鎵、砷或其類似物。在一項實例中，半導體材料125係p型，且第一摻雜區域111、第二摻雜區域113及第三摻雜區域115係n型。然而，在一不同實例中，半導體材料125係n型，且第一摻雜區域111、第二摻雜區域113及第三摻雜區域115係p型。
在操作中，背側照明影像感測器100利用不同摻雜區域來接收不同波長之光。使用非習知濾光器(例如，允許藍光、藍光與紅光以及藍光與綠光通過之濾光器)及位於半導體材料125中之不同深度處之摻雜區域可改良藍光吸收。例如，在一項實例中，第一濾光器103可允 許藍光及紅光通過。一旦藍光子及紅光子穿過第一濾光器103，則由第二摻雜區域113吸收藍光。相反地，紅光穿過第二摻雜區域113且實質上由第一摻雜區域111吸收。第二摻雜區域113安置成接近半導體層125之背側121，原因在於通常利用之半導體材料中之藍光相對於紅光之較短消光長度。由於紅光具有一較長消光長度，所以其可自由穿過第二摻雜區域113且進入第一摻雜區域111中。此允許背側照明影像感測器100吸收比半導體材料125之表面區被分配到標準紅、綠及藍濾光器陣列中之情況多的藍光。此相同過程亦可用以增加藍光吸收同時量測綠光。在一項實例中，第二濾光器105允許藍光與綠光通過。一旦藍光子及綠光子穿過第二濾光器105，則由第二摻雜區域113吸收藍光。綠光穿過第二摻雜區域113且實質上由第一摻雜區域111吸收。由於在通常利用之半導體中綠光具有比藍光長之消光長度，所以其自由穿過第二摻雜區域113且進入第一摻雜區域111中。第三濾光器107允許藍光通過。藍光穿過第三濾光器107且由第三摻雜區域115吸收。
應注意，在所描繪之實例中，第二摻雜區域113在所有第一摻雜區域111之上延伸。據此，改良藍光收集，因為背側照明影像感測器100上之幾乎全部表面區都用以獲取藍光。進一步言之，藉由實質上吸收所有綠光或紅光之第一摻雜區域111仍易於量測綠信號與紅信號兩者。在一項實例中，若干第二摻雜區域113可電耦合在一起且亦耦合至第三摻雜區域115。在另一實例或相同實例中，三個第二摻雜區域電耦合在一起且耦合至第三摻雜區域115。為了防止影像電荷在未耦合之摻雜區域之間流動，在一項實例中，第一摻雜區域111通過位於所有摻雜區域或一些摻雜區域之間之半導體層125中之釘紮井(pinning wells)與第二摻雜區域113及第三摻雜區域115電隔離。另外，在另一實例中，第一摻雜區域111安置於半導體材料125中離半導體材料125之背側121至少0.75微米遠。此幫助防止藍光之意外吸收， 且在許多通常利用之半導體中作為藍光之消光長度之隨後光學串擾小於0.75微米。
圖2A係繪示一背側照明影像感測器(例如，背側照明影像感測器100)之一俯視圖之一項實例之一圖。在所描繪之實例中，該第一像素及該第二像素被佈置成一2乘2陣列。該陣列之一第一列可包含該等第一摻雜區域之兩者。該陣列之一第二列可包含該第一摻雜區域及該第三摻雜區域。該第二摻雜區域可安置於濾光器陣列與所有第一摻雜區域之間。在另一實例中，可呈現包含該濾光器陣列中之一第四濾光器之一第三像素。此濾光器允許藍光、綠光及紅光通過。據此，該第三像素可充當一「白色像素」且回應於入射藍光、綠光及紅光而產生影像電荷。
圖2B係繪示沿虛線A-A’之圖2A中之實例影像感測器之一橫截面視圖。在所描繪之實例中，第二摻雜區域213在第一摻雜區域211之上延伸。作為第二摻雜區域213在第一摻雜區域211之上延伸之一結果，藍光被阻止到達第一摻雜區域211。在一項實例中，第二摻雜區域213之橫向邊界與安置於第二摻雜區域213之下之第一摻雜區域211之橫向邊界對準。然而，在一替代實例中，第二摻雜區域213之橫向邊界可延伸超過下方第一摻雜區域211之橫向邊界，或下方第一摻雜區域211之橫向邊界可延伸超過第二摻雜區域213之橫向邊界。
圖2C係繪示沿虛線B-B’之圖2A中之實例影像感測器之一橫截面視圖。在所描繪之實例中，第一摻雜區域211安置於第二摻雜區域213下方。另外，第二摻雜區域213在第一摻雜區域211之上延伸，且第一摻雜區域211及第二摻雜區域213之橫向邊界對準。然而，在一替代實例中，第二摻雜區域213之橫向邊界可延伸超過下方第一摻雜區域211之橫向邊界，或下方第一摻雜區域211之橫向邊界可延伸超過第二摻雜區域213之橫向邊界。第三摻雜區域215安置成緊挨著第一摻雜區域 211且電耦合至第二摻雜區域213。在所描繪之實例中，第二摻雜區域213與第三摻雜區域215藉由重疊摻雜區域而電耦合。然而，在一替代實例中，第二摻雜區域213與第三摻雜區域215由未描繪之線路及/或電路之其它零件而電耦合。
圖3係繪示一影像感測器電路300之一項實例之一示意圖。在所描繪之實例中，影像感測器電路300包含複數個第一光電二極體311、複數個第二光電二極體313、第一轉移電晶體333、第二轉移電晶體343、浮動擴散部329、重設電晶體322、放大器電晶體324及耦合至讀出行312之列選擇電晶體326。
在操作中，在光電二極體311及光電二極體313(其等可包含第一摻雜區域111、第二摻雜區域113及第三摻雜區域115)中積累影像電荷。當入射光進入光電二極體311/光電二極體313且被轉換成電洞-電子對時，影像電荷可被轉移至浮動擴散部329以作為影像資料而讀出。第一轉移電晶體333及第二轉移電晶體343可耦合於光電二極體311/光電二極體313與浮動擴散部329之間以選擇性地將影像電荷自光電二極體311/光電二極體313轉移至浮動擴散部329。在一項實例中，第一轉移電晶體333電耦合於第一摻雜區域(含於光電二極體311中)與浮動擴散部329之間，且第二轉移電晶體343耦合於第三摻雜區域(含於光電二極體313中)與浮動擴散部329之間。
圖3中之實例亦繪示如耦合於重設電壓VDD與浮動擴散部329之間之重設電晶體322以回應於一重設信號RST而選擇性地重設浮動擴散部329中之電荷。在所描繪之實例中，放大器電晶體324包含耦合至浮動擴散部329之一放大器閘極以放大浮動擴散部329上之信號以輸出影像資料。列選擇電晶體326耦合於讀出行312與放大器電晶體324之間以將影像資料輸出至讀出行312。
在所描繪之實例中，四個光電二極體(其中之兩者係相同的)共用 相同浮動擴散部329。在此實例中，每一光電二極體具有其自身轉移電晶體。電荷可以串聯形式或同時藉由將一電壓施加至每一轉移電晶體而自四個光電二極體轉移至浮動擴散部329。儘管圖3中描繪之實例展示連接至浮動擴散部329之四個光電二極體，但在一不同實例中，可將任何數目個光電二極體連接至浮動擴散部329。例如，在一替代實例中，每一光電二極體可耦合至其自身浮動擴散部及重設電晶體。
圖4係繪示一成像系統400之一項實例之一圖。成像系統400包含像素陣列405、讀出電路410、功能邏輯415及控制電路420。像素陣列405中之每一像素(例如，像素P1、P2......Pn)包含安置於一半導體材料(例如，半導體材料125)中之至少一個摻雜區域(例如，第一摻雜區域111、第二摻雜區域113及/或第三摻雜區域115)。在一項實例中，像素陣列405係包含列(例如，列R1至Ry)及行(例如，行C1至Cx)之個別像素(例如，像素P1、P2......Pn)之一二維(2D)陣列。在一項實例中，應瞭解，像素陣列405可由包含第一像素及第二像素之一重複2乘2陣列組成(如圖2中展示)。在相同實例中，個別2乘2陣列內之第二摻雜區域(例如，第二摻雜區域113)安置於個別2乘2陣列中之第一摻雜區域(例如，第一摻雜區域111)之上，但自其它2乘2陣列中之第二摻雜區域解耦。像素陣列405可用以獲取個人、位置、物體等等之影像資料，接著可使用該影像資料再現該個人、位置、物體等等之一2D影像。在一項實例中，在像素陣列405中之每一影像感測器像素已獲取其影像資料或影像電荷之後，接著由讀出電路410讀出影像電荷且將其轉移至功能邏輯415。在一項實例中，讀出電路410經耦合以自一浮動擴散部(例如，浮動擴散部329)讀出影像電荷，且功能邏輯415耦合至讀出電路410以在影像電荷上執行邏輯操作。
在各種實例中，讀出電路410可包含放大電路、類比至數位(ADC)轉換電路或其它。功能邏輯415可簡單儲存影像資料或甚至藉 由應用後影像效果(例如，剪裁、旋轉、消除紅眼、調整亮度、調整對比度或其它)而操縱該影像資料。在一項實例中，讀出電路410可沿讀出行線一次讀出一列影像資料(已繪示)，或可使用諸如串列讀出或同時全並行讀出所有像素之多種其它技術(未繪示)來讀出該影像資料。
在一項實例中，控制電路420經耦合以控制像素陣列405中之像素(例如，P1、P2、P3等等)之操作。例如，控制電路420可產生用於控制影像獲取之快門信號。在一項實例中，該快門信號係一全域快門信號，其用於同時啟用像素陣列405內之全部像素以在一單獲取窗期間同時捕獲其各自影像資料。在另一項實例中，該快門信號係一滾動快門信號，使得在連續獲取窗期間循序地啟用像素之每一列、行或群組。在另一實例中，影像獲取與光照效果(諸如一閃光)同步。
在一項實例中，成像系統400可包含於一數位相機、手機、膝上型電腦或其類似物中。另外，成像系統400可耦合至其它硬體元件，諸如，一處理器、記憶體元件、輸出(USB埠、無線發射器、HDMI埠等等)、照明設備/閃光、電子輸入(鍵盤、觸控顯示器、追蹤墊、滑鼠、麥克風等等)及/或顯示器。其它硬體元件可將指令傳送至成像系統400，自成像系統400提取影像資料或操縱由成像系統400供應之影像資料。
本發明所繪示之實例之上文描述，包含摘要中所描述之內容，不意欲為詳盡的或被限制於所揭示之精確形式。雖然出於闡釋之目的，本文中描述本發明之特定實施例及實例，但在不背離本發明之更廣泛精神及範圍之情況下，多種等效修改係可能的。事實上，應瞭解，出於闡釋目的提供特定實例結構、材料及使用案例等，且亦可在根據本發明之教示之其它實施例及實例中利用取代。
鑒於上文詳細描述，可對本發明之實例做出此等修改。隨附申 請專利範圍中所使用之術語不應被解釋為將本發明限制於說明書及申請專利範圍中揭示之特定實施例。而是，該範圍將完全由隨附申請專利範圍決定，該隨附申請專利範圍應根據建立之申請專利範圍解釋之公認原則來解釋。據此，本說明書及圖被認為係說明性的而非限制性的。
100‧‧‧背側照明影像感測器
103‧‧‧第一濾光器
105‧‧‧第二濾光器
107‧‧‧第三濾光器
109‧‧‧濾光器陣列
111‧‧‧第一摻雜區域
113‧‧‧第二摻雜區域
115‧‧‧第三摻雜區域
121‧‧‧背側
123‧‧‧前側
125‧‧‧半導體材料
131‧‧‧影像感測器電路
141‧‧‧第一深度
143‧‧‧第二深度

Claims (21)

  1. 一種背側照明影像感測器，其包括：一半導體材料，其具有一前側及一背側；影像感測器電路及一濾光器陣列，其中該半導體材料安置於該影像感測器電路與該濾光器陣列之間，且其中該影像感測器電路安置在該半導體材料之該前側上，且該濾光器陣列安置成接近該半導體材料之該背側；一第一像素，其包含：一第一摻雜區域，其安置於該半導體材料中，其中該第一摻雜區域自該影像感測器電路延伸一第一深度至該半導體材料中；及一第二摻雜區域，其安置於該半導體材料中，其中該第二摻雜區域安置於該半導體材料之該背側與該第一摻雜區域之間，且其中該第二摻雜區域與該第一摻雜區域電隔離；及一第二像素，其包含安置於該半導體材料中之一第三摻雜區域，其中該第三摻雜區域自該影像感測器電路延伸一第二深度至該半導體材料中。
  2. 如請求項1之背側照明影像感測器，其中該第二摻雜區域與該第三摻雜區域電耦合。
  3. 如請求項2之背側照明影像感測器，其中該第一像素與該第二像素被配置成一2乘2陣列，其中該陣列之一第一列包含該等第一摻雜區域之兩者，且其中該陣列之一第二列包含該第一摻雜區域及該第三摻雜區域，且其中該第二摻雜區域安置於該濾光器陣列與該等第一摻雜區域之間。
  4. 如請求項3之背側照明影像感測器，其中該2乘2陣列重複其自 身，且其中該等個別2乘2陣列內之該第二摻雜區域自其它2乘2陣列中之該第二摻雜區域解耦。
  5. 如請求項1之背側照明影像感測器，其進一步包括：複數個該第一摻雜區域、該第二摻雜區域及該第三摻雜區域；一第一濾光器，其在該濾光器陣列中，其允許藍光及紅光通過且安置成接近該等第二摻雜區域之至少一者；一第二濾光器，其在該濾光器陣列中，其允許藍光及綠光通過且安置成接近該第二摻雜區域中之至少另一者；及一第三濾光器，其在該濾光器陣列中，其允許藍光通過且安置成接近該等第三摻雜區域之至少一者。
  6. 如請求項5之背側照明影像感測器，其進一步包括：一第三像素，其包含該等第三摻雜區域之至少另一者；及一第四濾光器，其在該濾光器陣列中，其中該第四濾光器安置成接近該第三像素且允許藍光、紅光及綠光通過。
  7. 如請求項1之背側照明影像感測器，其中該第二摻雜區域安置於該半導體材料中，使得該第二摻雜區域吸收藍光。
  8. 如請求項7之背側照明影像感測器，其中該第二摻雜區域自該半導體材料之該背側延伸0.75微米或更少至該半導體材料中。
  9. 如請求項1之背側照明影像感測器，其中該第一摻雜區域安置於該半導體材料中離該半導體材料之該背側至少075微米遠。
  10. 如請求項1之背側照明影像感測器，其中該半導體材料係p型，且其中該第一摻雜區域、該第二摻雜區域及該第三摻雜區域係n型。
  11. 如請求項1之背側照明影像感測器，其中該半導體材料係n型，且其中該第一摻雜區域、該第二摻雜區域及該等第三摻雜區域 係p型。
  12. 如請求項1之背側照明影像感測器，其中該第一摻雜區域藉由釘紮井而與該第二摻雜區域及該第三摻雜區域電隔離。
  13. 如請求項1之背側照明影像感測器，其中該第二深度大於該第一深度。
  14. 一種成像系統，該成像系統包括：一像素陣列，其包含一半導體材料，其中該半導體材料具有一前側及一背側；影像感測器電路及一濾光器陣列，其中該半導體材料安置於該影像感測器電路與該濾光器陣列之間，且其中該影像感測器電路安置在該半導體材料之該前側上，且該濾光器陣列安置成接近該半導體材料之該背側；一第一像素，其包含：一第一摻雜區域，其安置於該半導體材料中，其中該第一摻雜區域自該影像感測器電路延伸一第一深度至該半導體材料中；及一第二摻雜區域，其安置於該半導體材料中，其中該第二摻雜區域安置於該半導體材料之該背側與該第一摻雜區域之間，且其中該第二摻雜區域與該第一摻雜區域電隔離；及一第二像素，其包含安置於該半導體材料中之一第三摻雜區域，其中該第三摻雜區域自該影像感測器電路延伸一第二深度至該半導體材料中，且其中該第三摻雜區域電耦合至該第二摻雜區域。
  15. 如請求項14之成像系統，其進一步包括：複數個該第一摻雜區域、該第二摻雜區域及該第三摻雜區域； 一第一濾光器，其在該濾光器陣列中，其允許藍光及紅光通過且安置成接近該等第二摻雜區域之至少一者；一第二濾光器，其在該濾光器陣列中，其允許藍光及綠光通過且安置成接近該等第二摻雜區域之至少另一者；及一第三濾光器，其在該濾光器陣列中，其允許藍光通過且安置成接近該等第三摻雜區域之至少一者。
  16. 如請求項15之成像系統，其進一步包括一第三像素，其中該第三像素包含在該濾光器陣列中之一第四濾光器，該第四濾光器允許藍光、綠光及紅光通過，且其中該第三像素回應於入射藍光、綠光及紅光而產生影像電荷。
  17. 如請求項14之成像系統，其中該第一摻雜區域藉由釘紮井而與該第二摻雜區域及該第三摻雜區域電隔離。
  18. 如請求項14之成像系統，其進一步包括一浮動擴散部，其中該第一像素及該第二像素電耦合至該浮動擴散部。
  19. 如請求項18之成像系統，其進一步包括電耦合於該第一摻雜區域與該浮動擴散部之間之一第一轉移電晶體及電耦合於該第三摻雜區域與該浮動擴散部之間之一第二轉移電晶體。
  20. 如請求項14之成像系統，其中該像素陣列包括像素之列及行。
  21. 如請求項14之成像系統，其中該影像感測器電路包含：讀出電路，其耦合至該像素陣列，其中該讀出電路經耦合以自該像素陣列讀出影像電荷；功能邏輯，其耦合至該讀出電路以操縱自該像素陣列讀出之該影像電荷；及控制電路，其控制像素陣列之操作。
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