TW201621970A - Ｉｃｐ蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置和方法及ｉｃｐ蝕刻元件 - Google Patents
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Abstract
本發明係揭露一種ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置和方法，在ICP蝕刻元件中設置補償裝置，其包含至少一個補償器以及連接該補償器的驅動裝置，補償器設置在感應線圈上方，補償器產生的感應磁場抵消感應線圈產生的電磁場，根據檢測到的電漿分佈數據，藉由驅動裝置來驅動補償器在感應線圈上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率。本發明對蝕刻速率非均勻性進行補償，獲得均勻的蝕刻速率。
Description
本發明有關於一種半導體製造領域，特別是有關於一種ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置和方法及ICP蝕刻元件。
ICP（電感式耦合電漿Inductively Coupled Plasma）蝕刻元件對蝕刻結果的均勻性有很嚴格的要求，需要將不均勻性控制在1%以內。而目前使用的ICP元件由於硬體結構設置上的不對稱，影響了蝕刻結果的對稱性。
如圖1所示，是ICP蝕刻元件1的結構示意圖，該ICP蝕刻元件中包含平面螺旋感應線圈2，感應線圈2的兩端藉由引線201連接射頻源3，陶瓷射頻窗103將平面螺旋感應線圈2和真空腔101隔離開來，真空腔101內充滿反應氣體，在電磁場的作用下，氣體放電產生電漿102，對半導體基板5進行蝕刻，冷卻系統4設置在陶瓷射頻窗103上部中央位置，對感應線圈2進行冷卻。
測試結果顯示，引線201的位置會對蝕刻均勻性產生影響，距離引線201較近的和較遠位置的蝕刻速率會不均勻分佈，而且不均勻分佈的情況受射頻功率、反應氣體、天線硬體設置等因素影響，無法簡單的找到固定的蝕刻速率特別高（熱點）或者特別低的點（冷點），所以也就無法用現有的其它手段有效的補償這些導致不均一的因素。為了克服這種影響，可以將引線201的設置位置佈置成對稱結構，比如將引線201都佈置在陶瓷射頻窗103的中部位置。但是在實際應用中，要獲得引線201的對稱佈置結構具有一定難度，如圖2所示，是感應線圈2的簡單俯視示意圖，感應線圈2呈螺旋狀盤繞設置，引線201設置在陶瓷射頻窗103的一側，如果要將引線201設置在陶瓷射頻窗103的中部位置，那麼就不能將冷卻系統4同時設置在陶瓷射頻窗103上部中央位置，一旦冷卻系統4未設置在中部位置，又會因為冷卻不均帶來新的蝕刻不均勻性問題。
本發明提供一種ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置和方法及ICP蝕刻元件，採用補償裝置對蝕刻速率非均勻性進行補償，獲得均勻的蝕刻速率。
為了達到上述目的，本發明提供一種ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置，該裝置設置在ICP蝕刻元件中， ICP蝕刻元件包含：
感應線圈，感應線圈的兩端藉由引線連接射頻源；
真空腔，真空腔內的反應氣體在感應線圈產生的電磁場的作用下產生電漿，對半導體基板進行蝕刻；
陶瓷射頻窗，其將感應線圈和真空腔隔離開來；
裝置包含至少一個補償器以及連接該補償器的驅動裝置，補償器設置在感應線圈上方，補償器產生的感應磁場抵消感應線圈產生的電磁場；
根據檢測到的電漿分佈數據，藉由驅動裝置來驅動補償器在感應線圈上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率；
補償器處於電勢浮地狀態，補償器可採用導體製成的天線，或者採用導體板。
補償器為任意形狀。
補償器的設置位置呈不對稱分佈狀態。
驅動裝置是可固定補償器，並將該補償器設置在預定位置處的元件，藉由改變補償器與感應線圈的距離來調節對真空腔內磁場能量分佈的影響程度。
驅動裝置採用位於補償器上方的機械固定裝置，使補償器固定在指定位置，或者，驅動裝置直接採用ICP蝕刻元件的頂部組件。
ICP蝕刻元件更包含冷卻系統，其設置在感應線圈上部並位於陶瓷射頻窗上部中央位置，對感應線圈進行冷卻。
本發明更提供一種利用補償裝置對ICP蝕刻元件中的蝕刻速率非均勻性進行補償的方法，該方法將上述裝置中的補償器設置在感應線圈上方，補償器產生的感應磁場抵消感應線圈產生的電磁場，補償器連接驅動裝置，根據檢測到的電漿分佈數據，藉由驅動裝置來驅動補償器在感應線圈上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率。
本發明更提供一種ICP蝕刻元件，ICP蝕刻元件包含：
感應線圈，感應線圈的兩端藉由引線連接射頻源；
真空腔，真空腔內的反應氣體在感應線圈產生的電磁場的作用下產生電漿，對半導體基板進行蝕刻；
陶瓷射頻窗，其將感應線圈和真空腔隔離開來；
補償裝置，其包含至少一個補償器以及連接該補償器的驅動裝置，補償器設置在感應線圈上方，補償器產生的感應磁場抵消感應線圈產生的電磁場；
根據檢測到的電漿分佈數據，藉由驅動裝置來驅動補償器在感應線圈上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率；
補償器處於電勢浮地狀態，補償器可採用導體製成的天線，或者採用導體板。
補償器為任意形狀。
補償器的設置位置呈不對稱分佈狀態。
驅動裝置是可固定補償器，並將該補償器設置在預定位置處的元件，藉由改變補償器與感應線圈的距離來調節對真空腔內磁場能量分佈的影響程度。
驅動裝置採用位於補償器上方的機械固定裝置，使補償器固定在指定位置，或者，驅動裝置直接採用ICP蝕刻元件的頂部組件。
ICP蝕刻元件更包含冷卻系統，其設置在感應線圈上部並位於陶瓷射頻窗上部中央位置，對感應線圈進行冷卻。
本發明採用補償的裝置對蝕刻速率非均勻性進行補償，獲得均勻的蝕刻速率。
以下根據圖3具體說明本發明的較佳實施例。
如圖3所示，本發明所述的ICP蝕刻元件1包含感應線圈2，感應線圈2的兩端藉由引線201連接射頻源3，真空腔101內的蝕刻氣體在感應線圈2產生的電磁場的作用下產生電漿102，對半導體基板5進行蝕刻，陶瓷射頻窗103將感應線圈2和真空腔101隔離開來，冷卻系統4設置在感應線圈2上部並位於陶瓷射頻窗103上部中央位置，對感應線圈2進行冷卻；連接射頻源3的感應線圈2產生電磁場，下面以第一種熱點分佈情況為例說明本發明裝置的技術特點和功效。部分情況下，距離引線201較近的位置處的電磁場密度較大，形成「熱點」，真空腔101內距離引線201較近位置處的電漿102的密度也較大，對半導體基板5的蝕刻速率就較高，反之，距離引線201較遠的位置處的電磁場密度較小，形成「冷點」，真空腔101內距離引線201較遠位置處的電漿102的密度也較小，對半導體基板5的蝕刻速率就較低。
在感應線圈2附近設置補償裝置，補償裝置包含至少一個補償器6以及連接該補償器6的驅動裝置（圖中未繪示出），補償器6設置在感應線圈2上方，在感應線圈2附近蝕刻速率較高的「熱點」位置處設置補償器6，補償器6處於電勢浮地狀態（也就是沒有連接到電源或者接地），藉由驅動裝置可以驅動補償器6在感應線圈2上方的不同位置移動。補償器6的移動可以是豎直方向的移動也可以是水平方向的移動。當感應線圈2產生的電磁場穿過補償器6時，補償器6內感應形成感應電流，這些感應電流又進一步產生感應磁場，這些補償器6產生的感應磁場與感應線圈2產生並穿過補償器6的電磁場方向相反，所以可以抵消一部分感應線圈2產生的本來會向下穿過陶瓷射頻窗103進入真空腔101的電磁場，最終可以補償由於導線接入端等因素導致的蝕刻速率分佈不均。耦合到補償器6上的能量可以抵消耦合到反應腔101中的能量，而補償器6的設置位置，以及補償器6與感應線圈2之間的距離均會對這部分抵消能量的大小形成影響。藉由調節饋入到反應腔101內的能量的大小可以將蝕刻速率的不均勻性控制在1%以內。
藉由觀測真空腔內的電漿密度分佈或者檢測蝕刻完成後基板的蝕刻情況都可以獲得在半導體基板5上方的蝕刻速率分佈圖，根據檢測到的電漿分佈數據調整本發明的補償裝置中的補償器6的設置位置，就可以最終獲得較均一的基板蝕刻效果。
所有補償器6的設置位置呈不對稱分佈狀態，比如補償器6可以是平板狀導體薄片，其位置不是位於感應線圈中心位置，以實現對射頻電磁場不均勻分佈的補償。
補償器6為金屬材質，可採用導體製成的天線，或者採用導體板。
補償器6為任意形狀。補償器的形狀可以是圓形也可以是其它非中心對稱的形狀，具體形狀可以根據實際情況的需求自由選擇
在感應線圈2或者蝕刻設備固定時，驅動裝置是可固定補償器6，並將該補償器6設置在預定位置處的元件，藉由改變補償器6與感應線圈2的距離來調節對真空腔101內磁場能量分佈的影響程度。所述的驅動裝置可以是位於補償器6上方的機械固定裝置，使補償器6固定在指定位置，所述的驅動裝置也可以直接採用ICP蝕刻元件的頂部組件，如陶瓷射頻窗103，將補償器6內固定到ICP蝕刻元件的頂部組件如陶瓷射頻窗103上。
利用驅動裝置調節補償器6與感應線圈2的距離，來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率。
本發明還提供一種利用所述補償的裝置對ICP蝕刻元件中的蝕刻速率非均勻性進行補償的方法，該方法將補償裝置中的補償器6設置在感應線圈2上方，補償器6產生的感應磁場抵消感應線圈2產生的電磁場，補償器6連接驅動裝置，根據蝕刻速率分佈圖，藉由驅動裝置來驅動補償器6在感應線圈2上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率；
藉由觀測真空腔101內的電漿體密度分佈或者檢測蝕刻完成後基板5的蝕刻情況都可以獲得在半導體基板5上方的蝕刻速率分佈圖。
本發明更提供一種ICP蝕刻元件， ICP蝕刻元件1包含：
感應線圈2，感應線圈2的兩端藉由引線201連接射頻源3；
真空腔101，真空腔101內的反應氣體在感應線圈2產生的電磁場的作用下產生電漿102，對半導體基板5進行蝕刻；
陶瓷射頻窗103，其將感應線圈2和真空腔101隔離開來；
冷卻系統4，其設置在感應線圈2上部並位於陶瓷射頻窗103上部中央位置，對感應線圈2進行冷卻；
補償裝置，其包含至少一個補償器6以及連接該補償器6的驅動裝置，補償器6設置在感應線圈2上方，補償器6產生的感應磁場抵消感應線圈2產生的電磁場；
根據蝕刻速率分佈圖，藉由驅動裝置來驅動補償器6在感應線圈2上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率；
藉由觀測真空腔101內的電漿密度分佈或者檢測蝕刻完成後基板5的蝕刻情況都可以獲得在半導體基板5上方的蝕刻速率分佈圖。
補償器6為金屬材質，可採用導體製成的天線，或者採用導體板。
補償器6處於電勢浮地狀態。
補償器6為任意形狀。
補償器6可以包含複數個導體天線，這些導體天線的設置位置與垂直穿過線圈2中心的軸線呈不對稱分佈狀態，不對稱分佈的多個導體天線能更加好的補償多個電漿濃度分佈不均勻點。
驅動裝置是可固定補償器6，並將該補償器6設置在預定位置處，藉由改變補償器6與感應線圈2的距離來調節對真空腔101內磁場能量分佈的影響程度的元件。
驅動裝置採用位於補償器6上方的機械固定裝置，使補償器6固定在指定位置，或者，驅動裝置直接採用ICP蝕刻元件的頂部組件。
儘管本發明的內容已經藉由上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
1‧‧‧ICP蝕刻元件
101‧‧‧真空腔
102‧‧‧電漿
103‧‧‧陶瓷射頻窗
2‧‧‧感應線圈
201‧‧‧引線
3‧‧‧射頻源
4‧‧‧冷卻系統
5‧‧‧半導體基板
6‧‧‧補償器
101‧‧‧真空腔
102‧‧‧電漿
103‧‧‧陶瓷射頻窗
2‧‧‧感應線圈
201‧‧‧引線
3‧‧‧射頻源
4‧‧‧冷卻系統
5‧‧‧半導體基板
6‧‧‧補償器
圖1是先前技術中ICP蝕刻元件的結構示意圖。 圖2是感應線圈的俯視圖。 圖3是本發明提供的ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置的結構示意圖。
1‧‧‧ICP蝕刻元件
101‧‧‧真空腔
102‧‧‧電漿
103‧‧‧陶瓷射頻窗
2‧‧‧感應線圈
201‧‧‧引線
3‧‧‧射頻源
4‧‧‧冷卻系統
5‧‧‧半導體基板
6‧‧‧補償器
Claims (13)
- 一種ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置，該裝置設置在一ICP蝕刻元件中，該ICP蝕刻元件（1）包含： 一感應線圈（2），該感應線圈（2）的兩端藉由一引線（201）連接一射頻源（3）；以及 一真空腔（101），該真空腔（101）內的反應氣體在該感應線圈（2）產生的電磁場的作用下產生一電漿（102），對一半導體基板（5）進行蝕刻； 一陶瓷射頻窗（103），其將該感應線圈（2）和該真空腔（101）隔離開來； 其中，該裝置包含至少一個補償器（6）以及連接該補償器（6）的一驅動裝置，該補償器（6）設置在該感應線圈（2）上方，該補償器（6）產生的感應磁場抵消該感應線圈（2）產生的電磁場； 根據檢測到的該電漿分佈數據，藉由該驅動裝置來驅動該補償器（6）在該感應線圈（2）上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使該ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率； 該補償器（6）處於電勢浮地狀態，該補償器（6）可採用導體製成的天線，或者採用導體板。
- 如申請專利範圍第1項所述之ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置，其中該補償器（6）為任意形狀。
- 如申請專利範圍第2項所述之ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置，其中該補償器（6）的設置位置呈不對稱分佈狀態。
- 如申請專利範圍第1-3項中任意一項所述之ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置，其中該驅動裝置是固定補償器（6），並將該補償器（6）設置在一預定位置處的元件，藉由改變該補償器（6）與該感應線圈（2）的距離來調節對該真空腔（101）內磁場能量分佈的影響程度。
- 如申請專利範圍第4項所述之ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置，其中該驅動裝置採用位於該補償器（6）上方的機械固定裝置，使該補償器（6）固定在指定位置，或者，該驅動裝置直接採用該ICP蝕刻元件的頂部組件。
- 如申請專利範圍第5項所述之ICP蝕刻中對蝕刻速率非均勻性進行補償的裝置，其中該ICP蝕刻元件（1）更包含一冷卻系統（4），其設置在該感應線圈（2）上部並位於該陶瓷射頻窗（103）上部中央位置，對該感應線圈（2）進行冷卻。
- 一種利用如申請專利範圍第6項所述之裝置對ICP蝕刻元件中的蝕刻速率非均勻性進行補償的方法，其中該方法將該裝置中的該補償器（6）設置在該感應線圈（2）上方，該補償器（6）產生的感應磁場抵消該感應線圈（2）產生的電磁場，該補償器（6）連接該驅動裝置，根據檢測到的該電漿分佈數據，藉由該驅動裝置來驅動該補償器（6）在該感應線圈（2）上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使該ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率。
- 一種ICP蝕刻元件，該ICP蝕刻元件（1）包含： 一感應線圈（2），該感應線圈（2）的兩端藉由該引線（201）連接該射頻源（3）； 一真空腔（101），該真空腔（101）內的反應氣體在該感應線圈（2）產生的電磁場的作用下產生一電漿（102），對一半導體基板（5）進行蝕刻； 一陶瓷射頻窗（103），其將該感應線圈（2）和該真空腔（101）隔離開來；以及 一補償裝置，其包含至少一個補償器（6）以及連接該補償器（6）的一驅動裝置，該補償器（6）設置在該感應線圈（2）上方，該補償器（6）產生的感應磁場抵消該感應線圈（2）產生的電磁場； 其中，根據檢測到的該電漿分佈數據，藉由該驅動裝置來驅動補償器（6）在該感應線圈（2）上方移動來調節電磁場的密度，從而調節蝕刻速率，使該ICP蝕刻元件得到均勻的蝕刻速率； 該補償器（6）處於電勢浮地狀態，該補償器（6）可採用導體製成的天線，或者採用導體板。
- 如申請專利範圍第8項所述之ICP蝕刻元件，其中該補償器（6）為任意形狀。
- 如申請專利範圍第9項所述之ICP蝕刻元件，其中該補償器（6）的設置位置呈不對稱分佈狀態。
- 如申請專利範圍第8-10項中任意一項所述之ICP蝕刻元件，其中該驅動裝置是固定該補償器（6），並將該補償器（6）設置在一預定位置處的元件，藉由改變該補償器（6）與該感應線圈（2）的距離來調節對該真空腔（101）內磁場能量分佈的影響程度。
- 如申請專利範圍第11項所述之ICP蝕刻元件，其中該驅動裝置採用位於該補償器（6）上方的機械固定裝置，使該補償器（6）固定在指定位置，或者，該驅動裝置直接採用該ICP蝕刻元件的頂部組件。
- 如申請專利範圍第12項所述之ICP蝕刻元件，其中該ICP蝕刻元件（1）更包含一冷卻系統（4），其設置在該感應線圈（2）上部並位於該陶瓷射頻窗（103）上部中央位置，對該感應線圈（2）進行冷卻。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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