TW201601354A - 覆晶式發光二極體封裝結構及晶圓封裝結構 - Google Patents

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Abstract

一種覆晶式發光二極體封裝結構，包括封裝基底及發光二極體。封裝基底包括第一基板、第一、第二電極及接合層。第一與第二電極配置於第一基板上。接合層配置於第一基板上。發光二極體倒覆於封裝基底且包括磊晶層、第三、第四電極、第二絕緣層及多個接合柱。第三與第四電極配置於磊晶層上，接觸第一與第二電極。第二絕緣層位於第三與第四電極之間。接合柱配置於第二絕緣層上且接觸接合層。接合層與第一及第二電極之間的最小間隙和接合柱與第三及第四電極之間的最小間隙大於接合柱的寬度。

Description

覆晶式發光二極體封裝結構及晶圓封裝結構
本發明是有關於一種覆晶式發光二極體封裝結構及晶圓封裝結構，且特別是有關於一種具有較大的對位公差容許度的覆晶式發光二極體封裝結構及晶圓封裝結構。
發光二極體常見的接合技術有打線及覆晶等。其中，覆晶接合技術具有縮小晶片封裝體積及縮短訊號傳輸路徑等優點，目前已經廣泛應用於發光二極體的封裝。
圖1是習知的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。請參閱圖1，習知的覆晶式發光二極體封裝結構10包括一封裝基底20及一發光二極體30。封裝基底20包括一第一基板21、一第一電極22、一第二電極23及一第一絕緣層24。第一電極22、第二電極23及第一絕緣層24配置於第一基板21上，且第一絕緣層24位於第一電極22與第二電極23之間。發光二極體30包括一第二基板31、一磊晶層32、一第三電極33、一第四電極34及 一第二絕緣層35。磊晶層32位於第二基板31上，第三電極33、第四電極34及第二絕緣層35位於磊晶層32上。發光二極體30倒覆於封裝基底20，第一電極22接觸第三電極33，第二電極23接觸第四電極34，而使發光二極體30與封裝基底20電性連接。
發光二極體30在對位於封裝基底20時，需要避免第一電極22接觸到第四電極34或是第二電極23接觸到第三電極33，其中一種解決方式是加大第一電極22與第二電極23之間的間隙以及第三電極33與第四電極34之間的間隙，而以提高習知的覆晶式發光二極體封裝結構10的對位公差的容許度。然而，第一電極22與第二電極23之間的間隙以及第三電極33與第四電極34之間的間隙越大會使得封裝基底20及發光二極體30之間的黏貼區域(也就是圖1的中間區域)越少，降低覆晶式發光二極體封裝結構10的結構強度，進而增加覆晶式發光二極體封裝結構10失效的風險。
本發明提供一種覆晶式發光二極體封裝結構，其可具有較大的對位公差容許度，且能夠保持封裝基底及發光二極體之間的具有一定的黏貼區域。
本發明提供一種晶圓封裝結構，其具有多個上述的覆晶式發光二極體封裝結構。
本發明的一種覆晶式發光二極體封裝結構，包括一封裝 基底及一發光二極體。封裝基底包括一第一基板、一第一電極、一第二電極及一接合層。第一電極配置於局部的第一基板上。第二電極配置於局部的第一基板上且與第一電極之間間隔一距離。接合層配置於局部的第一基板上。發光二極體倒覆於封裝基底而與封裝基底電性連接，發光二極體包括一磊晶層、一第三電極、一第四電極、至少一第二絕緣層及多個接合柱。第三電極配置於局部的磊晶層上且接觸第一電極。第四電極配置於局部的磊晶層上且接觸第二電極，第四電極與第三電極之間間隔一距離。第二絕緣層配置於局部的磊晶層上且位於第三電極與第四電極之間。接合柱配置於第二絕緣層上，至少一部分的這些接合柱接觸接合層。接合層與第一電極之間以及接合層與第二電極之間的最小間隙大於各接合柱的寬度，且這些接合柱與第三電極之間以及這些接合柱與該第四電極之間的最小間隙大於各接合柱的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的封裝基底更包括一第一絕緣層，第一絕緣層配置於第一基板與接合層之間，且位於第一電極與第二電極之間。
在本發明的一實施例中，上述的各接合柱的材料為金屬，且接合層的材料為金屬。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體更包括一第二基板，第三電極、第四電極及第二絕緣層配置於磊晶層的一表面，第二基板接觸磊晶層的另一表面。
在本發明的一實施例中，上述的至少一第二絕緣層為彼 此分離的多個第二絕緣層，各第二絕緣層連接於其中一個接合柱。
在本發明的一實施例中，上述的接合層在遠離第一絕緣層的一側實質上與第一電極的遠離於第一基板的一側齊平，且各接合柱在遠離第二絕緣層的一端實質上與第三電極的遠離於磊晶層的一側齊平。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極與第三電極為P型電極，且第二電極與第四電極為N型電極。
在本發明的一實施例中，上述的第一基板包括相對的一第一表面、一第二表面及貫穿第一表面與第二表面的多個導通貫孔，第一電極與第二電極配置於第一表面且連接於導通貫孔，封裝基底更包括配置於第二表面且連接於導通貫孔的一第一接墊及一第二接墊。
本發明的一種覆晶式發光二極體封裝結構，包括一封裝基底及一發光二極體。封裝基底包括一第一基板、一第一電極、一第二電極及一金屬接合層。第一電極配置於局部的第一基板上。第二電極配置於局部的第一基板上且與第一電極之間間隔一距離。金屬接合層配置於局部的第一基板上，且金屬接合層不與第一電極及第二電極接觸。發光二極體倒覆於封裝基底而與封裝基底電性連接。發光二極體包括一磊晶層、一第三電極、一第四電極、至少一第二絕緣層及多個金屬接合柱。第三電極配置於局部的磊晶層上且接觸第一電極。第四電極配置於局部的磊晶層上且接觸第二電極，第四電極與第三電極之間間隔一距離。第二絕 緣層配置於局部的磊晶層上且位於第三電極與第四電極之間。多個金屬接合柱配置於第二絕緣層上且不與第三電極及第四電極接觸。至少一部分的這些金屬接合柱接觸金屬接合層。
在本發明的一實施例中，上述的封裝基底更包括一第一絕緣層，第一絕緣層配置於第一基板與金屬接合層之間，且位於第一電極與第二電極之間。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體更包括一第二基板，第三電極、第四電極及第二絕緣層配置於磊晶層的一表面，第二基板接觸磊晶層的另一表面。
在本發明的一實施例中，上述的至少一第二絕緣層為彼此分離的多個第二絕緣層，各第二絕緣層連接於其中一個金屬接合柱。
在本發明的一實施例中，上述的金屬接合層在遠離第一絕緣層的一側實質上與第一電極的遠離於第一基板的一側齊平，且各金屬接合柱在遠離第二絕緣層的一端實質上與第三電極的遠離於磊晶層的一側齊平。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極與第三電極為P型電極，且第二電極與第四電極為N型電極。
在本發明的一實施例中，上述的第一基板包括相對的一第一表面、一第二表面及貫穿第一表面與第二表面的多個導通貫孔，第一電極與第二電極配置於第一表面且連接於導通貫孔，封裝基底更包括配置於第二表面且連接於導通貫孔的一第一接墊及 一第二接墊。
本發明的一種晶圓封裝結構，包括多個上述的覆晶式發光二極體封裝結構。
基於上述，本發明的覆晶式發光二極體封裝結構以及晶圓封裝結構藉由在封裝基底的第一絕緣層上配置接合層，在發光二極體的第二絕緣層上配置多個接合柱，第一電極與第二電極之間的距離以及第三電極與第四電極之間的距離可被加寬，而使得封裝時第一電極較不易接觸到第四電極或是第二電極較不易接觸到第三電極。換句話說，發光二極體接合於封裝基底時的對位精度要求較低，較容易被滿足。此外，當發光二極體接合於封裝基底時，由於接合層連接於至少一部分的接合柱，第一電極與第二電極以及第三電極與第四電極之間的部分區域被黏貼而使發光二極體與封裝基底之間能夠維持一定的黏貼區域，因此，兩者之間的黏貼區域面積較小使得覆晶式發光二極體封裝結構失效的機率便可被降低。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
G1~G4‧‧‧間隙
W‧‧‧接合柱寬度
10‧‧‧習知的覆晶式發光二極體封裝結構
20‧‧‧封裝基底
21‧‧‧第一基板
22‧‧‧第一電極
23‧‧‧第二電極
24‧‧‧第一絕緣層
30‧‧‧發光二極體
31‧‧‧第二基板
32‧‧‧磊晶層
33‧‧‧第三電極
34‧‧‧第四電極
35‧‧‧第二絕緣層
100、200、300、400‧‧‧覆晶式發光二極體封裝結構
110、410、510‧‧‧封裝基底
111、411‧‧‧第一基板
112、412‧‧‧第一電極
113、413‧‧‧第二電極
114‧‧‧第一絕緣層
115、315‧‧‧接合層
120、320、420、520‧‧‧發光二極體
121‧‧‧第二基板
122、322‧‧‧磊晶層
123、223、423‧‧‧第三電極
124、224、424‧‧‧第四電極
125、225‧‧‧第二絕緣層
126、226、326‧‧‧接合柱
411a‧‧‧第一表面
411b‧‧‧第二表面
411c‧‧‧導通貫孔
430‧‧‧第一接墊
440‧‧‧第二接墊
500‧‧‧晶圓封裝結構
502‧‧‧載具
504‧‧‧晶圓
圖1是習知的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝 結構的示意圖。
圖3是圖2的覆晶式發光二極體封裝結構存在對位誤差的示意圖。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。
圖5是依照本發明的再一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。
圖6是依照本發明的再一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。
圖7是依照本發明的一實施例的一種晶圓封裝結構的局部示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。請參閱圖2，本實施例的覆晶式發光二極體封裝結構100包括一封裝基底110及倒覆於封裝基底110而與封裝基底110電性連接的一發光二極體120。
封裝基底110包括一第一基板111、一第一電極112、一第二電極113、一第一絕緣層114及一接合層115。第一電極112與第二電極113分別配置於局部的第一基板111上，且第一電極112與第二電極113之間間隔一距離。在本實施例中，第一電極112為P型電極，且第二電極113為N型電極。第一絕緣層114 配置於第一基板111上且位於第一電極112與第二電極113之間。接合層115配置於局部的第一絕緣層114上。在本實施例中，接合層115的材質為金屬材質，接合層115與第一電極112之間以及接合層115與第二電極113之間分別間隔一距離，而使得接合層115不導通於第一電極112以及第二電極113。
發光二極體120包括一第二基板121、一磊晶層122、一第三電極123、一第四電極124、至少一第二絕緣層125及多個接合柱126。磊晶層122配置於第二基板121上。第三電極123與第四電極124分別配置於局部的磊晶層122上，且第三電極123與第四電極124之間間隔一距離。在本實施例中，第三電極123為P型電極，第四電極124為N型電極。在本實施例中，至少一第二絕緣層125為一個第二絕緣層125。第二絕緣層125配置於局部的磊晶層122上且位於第三電極123與第四電極124之間，以隔開第三電極123與第四電極124。這些接合柱126配置於局部的第二絕緣層125上，且這些接合柱126分別與第三電極123與第四電極124之間間隔一距離，而使得任一接合柱126不導通於第一電極123以及第二電極124。
如圖2所示，在理想的對位狀態下，發光二極體120倒覆且封裝於封裝基底110之後，第一電極112只會接觸第三電極123，第二電極113只接觸第四電極124。然而，受到製程的限制，發光二極體120與封裝基底110封裝時會存在些許的對位誤差，圖3是圖2的覆晶式發光二極體封裝結構存在對位誤差的示意 圖。請參閱圖3，實際上，發光二極體120倒覆於封裝基底110時，因對位上的誤差，而使得發光二極體120與封裝基底110之間略為偏移。此處需說明的是，在圖3中，特意加大發光二極體120與封裝基底110之間的偏移關係，以明顯地表示出發光二極體120與封裝基底110之間存在對位誤差，實際上發光二極體120與封裝基底110之間的偏移關係應會小於圖3所示的誤差量。
為了避免發生因對位誤差而使得第一電極112導通於第四電極124或是第二電極113導通於第三電極123的狀況，在本實施例中，特意加大第一電極112與第二電極113之間的距離以及第三電極123與第四電極124之間的距離，以增加發光二極體120與封裝基底110之間的對位誤差的容許度。換句話說，由於第一電極112與第二電極113之間的距離以及第三電極123與第四電極124之間的距離變大，即便是發光二極體120略為偏移地封裝於封裝基底110，也不易發生第一電極112導通於第四電極124或是第二電極113導通於第三電極123的狀況。
此外，為了避免因為第一電極112與第二電極113之間的距離以及第三電極123與第四電極124之間的距離變大，而使得封裝基底110及發光二極體120之間的黏貼區域被縮減，使覆晶式發光二極體封裝結構100強度較弱，進而發生失效的狀況。在本實施例中，特意將材質為金屬的接合層115配置於第一電極112與第二電極113之間的區域，材質為金屬的接合柱126配置於第三電極123與第四電極124之間的區域，當發光二極體120封 裝於封裝基底110時，即便是對位上略有誤差，接合層115仍能接觸至少一部分的這些接合柱126，而使發光二極體120與封裝基底110之間除了第一電極112與第三電極113、第二電極123與第四電極124之外，還有接合層115與接合柱126來提供一定的黏貼區域，而使覆晶式發光二極體封裝結構100維持一定的結構強度。
更進一步地，由於接合層115與接合柱126為金屬，為了避免發生當發光二極體120略為偏移地封裝於封裝基底110時，第一電極112接觸到接合柱126且第四電極124接觸到接合層115，或是第二電極113接觸到接合柱126且第三電極123接觸到接合層115，而發生第一電極112與第四電極124之間透過接合層115與接合柱126導通，或是，第二電極113與第三電極123之間透過接合層115與接合柱126導通的狀況。在本實施例中，接合層115與第一電極112之間以及接合層115與第二電極113之間的最小間隙大於各接合柱126的寬度，且這些接合柱126與第三電極123之間以及這些接合柱126與該第四電極124之間的最小間隙大於各接合柱126的寬度。
詳細而言，當發光二極體120如圖3所示地略為偏移地封裝於封裝基底110時，第一電極112可能會接觸到接合柱126，且第四電極124接觸到接合層115，由於接合層115與第一電極112之間的間隙G1以及接合柱126與第三電極123之間的最小間隙G3大於接合柱126的寬度W，與第一電極112接觸的接合柱 126(圖3中最左方的接合柱126)並不會接觸到下方的接合層115，而可避免第一電極112與第四電極124之間透過接合層115與接合柱126導通的狀況。
值得一提的是，雖然在本實施例中，接合層115與第一電極112之間的間隙G1、接合層115與第二電極113之間的間隙G2、接合柱126與第三電極123之間的最小間隙G3以及接合柱126與第四電極124之間的最小間隙G4的寬度相同，但在其他實施例中，上述間隙G1、G2、G3、G4的寬度也可不同，只要分別大於接合柱126的寬度W即可。
此外，在本實施例中，第一絕緣層114與接合層115的總厚度實質上等於第一電極112或是第二電極113的厚度，且第二絕緣層125與各接合柱126的總厚度實質上等於第三電極123或是第四電極124的厚度，而使得接合層115在遠離第一絕緣層114的一側實質上與第一電極112或是第二電極113的遠離於第一基板111的一側齊平，且各接合柱126在遠離第二絕緣層125的一端實質上與第三電極123或是第四電極124的遠離於磊晶層122的一側齊平。但在其他實施例中，接合層115也可以在遠離第一絕緣層114的一側高於或是低於第一電極112的遠離於第一基板111的一側，且各接合柱126在遠離第二絕緣層125的一端低於或是高於第三電極123的遠離於磊晶層122的一側。只要是第一電極112接合於第三電極123且第二電極113接合於第四電極124時，接合層115接合於至少一部分的接合柱126即可。
本實施例的覆晶式發光二極體封裝結構100透過加大第一電極112與第二電極113之間的距離以及第三電極123與第四電極124之間的距離的設計，可使得發光二極體120與封裝基底110之間能夠具有較大的對位誤差容許度。此外，透過接合層115與接合柱126而使發光二極體120與封裝基底110之間能夠保有一定的黏貼區域而提供一定的結構強度，另外，透過接合層115與第一電極112之間的間隙G1、接合層115與第二電極113之間的間隙G2、接合柱126與第三電極123之間的最小間隙G3及接合柱126與第四電極124之間的最小間隙G4分別大於接合柱126的寬度W，而避免第一電極112與第四電極124之間或是第二電極113與第三電極123之間透過接合層115與接合柱126導通。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。請參閱圖4，圖4的覆晶式發光二極體封裝結構200與圖2的覆晶式發光二極體封裝結構100的主要差異在於，在圖2中，發光二極體120只有單一個第二絕緣層125，且此第二絕緣層125的兩側分別接觸第三電極123與第四電極124。在圖4中，覆晶式發光二極體封裝結構200的至少一第二絕緣層225為彼此分離的多個第二絕緣層225，各第二絕緣層225連接於其中一個接合柱226，且這些第二絕緣層225分別與第三電極223及第四電極224隔開。
圖5是依照本發明的再一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。請參閱圖5，圖5的覆晶式發光二極體封裝 結構300與圖2的覆晶式發光二極體封裝結構100的主要差異在於，圖5的覆晶式發光二極體封裝結構300的發光二極體320省去了第二基板的設計，由於磊晶層322很薄，本實施例中，接合層315與接合柱326的設計可有效地支撐覆晶式發光二極體封裝結構300的中間區域，而避免在中間區域的磊晶層322因受到應力而產生裂痕。
圖6是依照本發明的再一實施例的一種覆晶式發光二極體封裝結構的示意圖。請參閱圖6，圖6的覆晶式發光二極體封裝結構400與圖2的覆晶式發光二極體封裝結構100的主要差異在於，在圖6的覆晶式發光二極體封裝結構400中，第一基板411包括相對的一第一表面411a、一第二表面411b及貫穿第一表面411a與第二表面411b的多個導通貫孔411c。第一電極412與第二電極413配置於第一表面411a且連接於411c導通貫孔，封裝基底410更包括配置於第二表面411b且連接於411c導通貫孔的一第一接墊430及一第二接墊440。發光二極體420的第三電極423與第四電極424分別與第一電極412與第二電極413接觸，且透過導通貫孔411a電性連接至第一接墊430與第二接墊440，以與外部電路(未繪示)連接。
需說明的是，上述只是舉出其中四種實施例的覆晶式發光二極體封裝結構100、200、300、400，覆晶式發光二極體封裝結構的形式並不以上述為限制。
圖7是依照本發明的一實施例的一種晶圓封裝結構的局 部示意圖。請參閱圖7，圖7僅繪示出局部的晶圓封裝結構500作為示意。本實施例的晶圓封裝結構500包括一載具502及倒覆於載具502上的晶圓504。有別於傳統以單一晶片(die)為加工標的的封裝技術，晶圓級封裝以晶圓504(wafer)為封裝處理的對象，以簡化晶片之封裝製程，節省時間及成本。
詳細而言，在本實施例中，在晶圓504上之積體電路製作完成以後，晶圓502上具有多個發光二極體520，且載具502上具有多個封裝基底510。封裝時只要將晶圓504上的這些發光二極體520對位於載具502上的這些封裝基底510，以直接對整片晶圓504進行封裝製程，其後再進行晶圓504切割(wafer saw)的動作，以分別形成多個覆晶式發光二極體封裝結構100。在本實施例中，晶圓封裝結構500是以製作出多個圖2的覆晶式發光二極體封裝結構100為例，當然，在其他實施例中，晶圓封裝結構500也可製作出如其他實施例的覆晶式發光二極體封裝結構200、300、400，並不以此為限制。
綜上所述，本發明的覆晶式發光二極體封裝結構以及晶圓封裝結構藉由在封裝基底的第一絕緣層上配置接合層，在發光二極體的第二絕緣層上配置多個接合柱，第一電極與第二電極之間的距離以及第三電極與第四電極之間的距離可被加寬，而使得封裝時第一電極較不易接觸到第四電極或是第二電極較不易接觸到第三電極。換句話說，發光二極體接合於封裝基底時的對位精度要求較低，較容易被滿足。此外，當發光二極體接合於封裝基 底時，由於接合層連接於至少一部分的接合柱，第一電極與第二電極以及第三電極與第四電極之間的部分區域被黏貼而使發光二極體與封裝基底之間能夠維持一定的黏貼區域，因此，兩者之間的黏貼區域面積較小使得覆晶式發光二極體封裝結構失效的機率便可被降低。另外，透過接合層與第一電極之間的間隙、接合層與第二電極之間的間隙、接合柱與第三電極之間的最小間隙及接合柱與第四電極之間的最小間隙分別大於接合柱的寬度，而避免第一電極與第四電極之間或是第二電極與第三電極之間透過接合層與接合柱導通。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
G1~G4‧‧‧間隙
W‧‧‧接合柱寬度
100‧‧‧覆晶式發光二極體封裝結構
110‧‧‧封裝基底
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第一電極
113‧‧‧第二電極
114‧‧‧第一絕緣層
115‧‧‧接合層
120‧‧‧發光二極體
121‧‧‧第二基板
122‧‧‧磊晶層
123‧‧‧第三電極
124‧‧‧第四電極
125‧‧‧第二絕緣層
126‧‧‧接合柱

Claims (17)

  1. 一種覆晶式發光二極體封裝結構，包括：一封裝基底，包括：一第一基板；一第一電極，配置於局部的該第一基板上；一第二電極，配置於局部的該第一基板上且與該第一電極之間間隔一距離；；以及一接合層，配置於局部的該第一基板上；以及一發光二極體，倒覆於該封裝基底而與該封裝基底電性連接，該發光二極體包括：一磊晶層；一第三電極，配置於局部的該磊晶層上且接觸該第一電極；一第四電極，配置於局部的該磊晶層上且接觸該第二電極，該第四電極與該第三電極之間間隔一距離；至少一第二絕緣層，配置於局部的該磊晶層上且位於該第三電極與該第四電極之間；以及多個接合柱，配置於該至少一第二絕緣層上，至少一部分的該些接合柱接觸該接合層，其中：該接合層與該第一電極之間以及該接合層與該第二電極之間的最小間隙大於各該接合柱的寬度，且該些接合柱與該第三 電極之間以及該些接合柱與該第四電極之間的最小間隙大於各該接合柱的寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該封裝基底更包括一第一絕緣層，該第一絕緣層配置於該第一基板與該接合層之間，且位於該第一電極與該第二電極之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中各該接合柱的材料為金屬，且該接合層的材料為金屬。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該發光二極體更包括一第二基板，該第三電極、該第四電極及該第二絕緣層配置於該磊晶層的一表面，該第二基板接觸該磊晶層的另一表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該至少一第二絕緣層為彼此分離的多個第二絕緣層，各該第二絕緣層連接於其中一個該接合柱。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該接合層在遠離該第一絕緣層的一側實質上與該第一電極的遠離於該第一基板的一側齊平，且各該接合柱在遠離該至少一第二絕緣層的一端實質上與該第三電極的遠離於該磊晶層的一側齊平。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該第一電極與該第三電極為P型電極，且該第二電極與 該第四電極為N型電極。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該第一基板包括相對的一第一表面、一第二表面及貫穿該第一表面與該第二表面的多個導通貫孔，該第一電極與該第二電極配置於該第一表面且連接於該些導通貫孔，該封裝基底更包括配置於該第二表面且連接於該些導通貫孔的一第一接墊及一第二接墊。
  9. 一種覆晶式發光二極體封裝結構，包括：一封裝基底，包括：一第一基板；一第一電極，配置於局部的該第一基板上；一第二電極，配置於局部的該第一基板上且與該第一電極之間間隔一距離；以及一金屬接合層，配置於局部的該第一基板上，且該金屬接合層不與該第一電極及該第二電極接觸；以及一發光二極體，倒覆於該封裝基底而與該封裝基底電性連接，該發光二極體包括：一磊晶層；一第三電極，配置於局部的該磊晶層上且接觸該第一電極；一第四電極，配置於局部的該磊晶層上且接觸該第二電極，該第四電極與該第三電極之間間隔一距離； 至少一第二絕緣層，配置於局部的該磊晶層上且位於該第三電極與該第四電極之間；以及多個金屬接合柱，配置於該至少一第二絕緣層上且不與該第三電極及該第四電極接觸，其中至少一部分的該些金屬接合柱接觸該金屬接合層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該封裝基底更包括一第一絕緣層，該第一絕緣層配置於該第一基板與該金屬接合層之間，且位於該第一電極與該第二電極之間。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該發光二極體更包括一第二基板，該第三電極、該第四電極及該第二絕緣層配置於該磊晶層的一表面，該第二基板接觸該磊晶層的另一表面。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該至少一第二絕緣層為彼此分離的多個第二絕緣層，各該第二絕緣層連接於其中一個該金屬接合柱。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該金屬接合層在遠離該第一絕緣層的一側實質上與該第一電極的遠離於該第一基板的一側齊平，且各該金屬接合柱在遠離該至少一第二絕緣層的一端實質上與該第三電極的遠離於該磊晶層的一側齊平。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的覆晶式發光二極體封裝結 構，其中該第一電極與該第三電極為P型電極，且該第二電極與該第四電極為N型電極。
  15. 如申請專利範圍第9項所述的覆晶式發光二極體封裝結構，其中該第一基板包括相對的一第一表面、一第二表面及貫穿該第一表面與該第二表面的多個導通貫孔，該第一電極與該第二電極配置於該第一表面且連接於該些導通貫孔，該封裝基底更包括配置於該第二表面且連接於該些導通貫孔的一第一接墊及一第二接墊。
  16. 一種晶圓封裝結構，其包括多個如申請專利範圍第1項所述的覆晶式發光二極體封裝結構。
  17. 一種晶圓封裝結構，其包括多個如申請專利範圍第9項所述的覆晶式發光二極體封裝結構。
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