TW201528322A - 使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制 - Google Patents

使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制 Download PDF

Info

Publication number
TW201528322A
TW201528322A TW103133992A TW103133992A TW201528322A TW 201528322 A TW201528322 A TW 201528322A TW 103133992 A TW103133992 A TW 103133992A TW 103133992 A TW103133992 A TW 103133992A TW 201528322 A TW201528322 A TW 201528322A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
variable
impedance
capacitor
predetermined
inductor
Prior art date
Application number
TW103133992A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI668725B (zh
Inventor
Bradford J Lyndaker
John C Valcore Jr
Alexei Marakhtanov
Seyed Jafar Jafarian-Tehrani
Zhi-Gang Chen
Original Assignee
Lam Res Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US14/043,525 external-priority patent/US9337000B2/en
Priority claimed from US14/043,574 external-priority patent/US9401264B2/en
Priority claimed from US14/152,729 external-priority patent/US9620334B2/en
Application filed by Lam Res Corp filed Critical Lam Res Corp
Publication of TW201528322A publication Critical patent/TW201528322A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI668725B publication Critical patent/TWI668725B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/3299—Feedback systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

描述用以達成蝕刻速率的方法。該方法包括接收與對電漿腔室內的工作件進行處理相關聯的一計算變數。該方法更包括了將該計算變數傳遞通過一模型以產生在該模型之輸出端的該計算變數之值、辨識與該值相關聯的一計算處理速率、及基於該計算處理速率而辨識一預定處理速率。該方法亦包括了基於該預定處理速率而辨識欲於該輸出端達成的一預定變數、及辨識與該預定變數的實部及虛部相關聯之特性。該方法包括控制可變電路組件來達成該等特性以進一步達成該預定變數。

Description

使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制
本實施例係關於使用模型化、回授、及阻抗匹配電路來控制蝕刻速率。
在一些電漿處理系統中，使用一射頻(RF)產生器來產生RF信號。該RF信號被供應至電漿腔室以於腔室中產生電漿。
電漿被廣泛地用於各樣的操作，例如清潔晶圓、於晶圓上沉積氧化物、蝕刻氧化物、蝕刻晶圓、等。為了達成晶圓良率，對電漿的均勻性進行控制係重要的。
在此背景下，本揭露內容中描述的實施例產生。
本揭露範圍之實施例提供了使用模型化、回授、及阻抗匹配電路來控制蝕刻速率之設備、方法、及電腦程式。吾人應了解本發明可以許多方式加以實行，例如處理、設備、系統、裝置、或電腦可讀媒體上的方法。以下描述幾個實施例。
在一些實施例中，晶圓上之均勻性控制係在一蝕刻反應器(例如300公釐(mm)晶圓蝕刻反應器、200 mm晶圓蝕刻反應器、等)內達成。影響蝕刻均勻性的一些因子包括了由與RF產生器之運作的基本頻率相關聯的諧波頻率所產生、及由互調失真(IMD)頻率所產生之駐波。
在各樣的實施例中，處理器產生一電漿系統的一部分之模型。於模型之輸出端判定一變數。基於該變數而判定一參數，例如蝕刻速率、沉積速率、伽瑪、等。對該計算的參數與一預定的參數進行比較以判定該計算的參數與預定的參數之間是否匹配。一旦判定不匹配，則改變阻抗匹配電路中的可變電容器的電容及/或阻抗匹配電路中的可變電感器的電感以達成匹配。當達成匹配時，電漿腔室中的電漿之均勻性增加。
在幾個實施例中，描述用以達成蝕刻速率的方法。該方法包括接收與對一電漿腔室內的一工作件進行處理相關聯的一計算變數。該電漿腔室經由一射頻(RF)傳輸線連接至一阻抗匹配電路。該阻抗匹配電路經由一RF纜線連接至一RF產生器。該方法更包括將該計算變數傳遞通過一電腦產生模型以產生在該電腦產生模型之輸出端的該計算變數之值、辨識與該計算變數之值相關聯的一計算處理速率、及基於該計算處理速率而辨識待達成的一預定處理速率。該方法亦包括了基於該預定處理速率而辨識欲於該電腦產生模型之輸出端達成的一預定變數、及辨識與該預定變數的一實部相關聯的一第一特性。該第一特性屬於該阻抗匹配電路內的一第一可變電路組件。該方法包括了控制該第一可變電路組件來達成該第一特性以進一步達成該預定變數的該實部、及辨識與該預定變數的一虛部相關聯的一第二特性。該第二特性屬於該阻抗匹配電路內的一第二可變電路組件。該方法包括發送一信號至該第二可變電路組件來達成該第二特性以進一步達成該預定變數的該虛部。
在一些實施例中，描述一主機控制器。該主機控制器包括用以儲存一複變數的一記憶元件、及連接至該記憶元件的一主機處理器。該該主機處理器係用以接收與對一電漿腔室內的一工作件進行處理相關聯的一計算變數、將該計算變數傳遞通過一電腦產生模型以產生在該電腦產生模型之輸出端的該計算變數之值、及辨識與該計算變數之值相關聯的一計算處理速率。該主機處理器更用以基於該計算處理速率而辨識待達成的一預定處理速率、基於該預定處理速率而辨識在該電腦產生模型之輸出端的一預定變數、及辨識與該預定變數的一實部相關聯的一第一特性。該第一特性屬於該阻抗匹配電路內的一第一可變電路組件。該主機處理器係用以發送一信號至該第一可變電路組件來達成該第一特性以進一步達成該預定變數的該實部、及辨識與該預定變數的一虛部相關聯的一第二特性。該第二特性屬於該阻抗匹配電路內的一第二可變電路組件。該方法包括發送一信號至該第二可變電路組件來達成該第二特性以進一步達成該預定變數的該虛部。
在幾個實施例中，描述一非暫態電腦可讀儲存媒體，該非暫態電腦可讀儲存媒體具有儲存於其上的可執行程式。該程式指示處理器執行以下操作。該等操作包括了接收與對一電漿腔室內的一工作件進行處理相關聯的一計算變數。該等操作更包括將該計算變數傳遞通過一電腦產生模型以產生在該電腦產生模型之輸出端的該計算變數之值、辨識與該計算變數之值相關聯的一計算處理速率、及基於該計算處理速率而辨識待達成的一預定處理速率。該等操作亦包括了基於該預定處理速率而辨識欲於該電腦產生模型之輸出端達成的一預定變數、及辨識與該預定變數的一實部相關聯的一第一特性。該第一特性屬於該阻抗匹配電路內的一第一可變電路組件。該等操作包括發送一信號至該第一可變電路組件來達成該第一特性以進一步達成該預定變數的該實部、及辨識與該預定變數的一虛部相關聯的一第二特性。該第二特性屬於該阻抗匹配電路內的一第二可變電路組件。該等操作包括發送一信號至該第二可變電路組件來達成該第二特性以進一步達成該預定變數的該虛部。
上述實施例的一些優點包括於電漿腔室中達成一電漿均勻性的程度。該均勻性的程度係藉由控制已經在一阻抗匹配電路內的一電路組件而達成。因此，與達成該均勻性相關的額外費用係不存在或極少的。在一些實施例中，均勻性係藉由在電漿腔室中添加一電路組件而達成。添加該電路組件所消耗的費用及時間不高。該電路組件係控制用以達成該均勻性。
上述實施例的其他優點包括了控制阻抗匹配電路的一電路元件來控制變數的實部、並控制阻抗匹配電路的另一電路元件來控制變數的虛部。對變數的不同部分進行分開地控制有助於達成均勻性。例如，藉由控制虛部而達成在均勻性上的輕微改變，並藉由控制實部而達成在均勻性上的巨大改變。
從以下配合隨附圖式所做出之詳細描述，將更清楚本發明的其他態樣。
下述的實施例描述使用模型化、回授、及阻抗匹配電路來控制蝕刻速率的系統及方法。顯而易見的，本發明可被實行而無須這些特定細節其中的一些或全部。在其他情況下，為了不對本發明造成不必要地混淆，眾所周知的處理操作則沒有被詳述。
圖1為系統130之實施例的方塊圖，該系統係用以藉由使用電腦產生模型140A及阻抗匹配電路134而控制一速率(例如蝕刻速率、沉積速率、在伽瑪上的變化、等)。系統130包括了RF產生器132、主機控制器224、阻抗匹配電路134、及電漿腔室122。RF產生器132之範例包括了2百萬赫茲(MHz) RF產生器、27 MHz RF產生器、及60 MHz RF產生器。
RF產生器132包括了本地控制器212、感測器214、及射頻(RF)電源供應器216。在各樣的實施例中，感測器214為一電壓及電流探針，該電壓及電流探針係用以校準RF產生器132且遵守著國家標準科技研究院(NIST)標準。例如，用以校準RF產生器132之感測器214係可追溯到NIST的。NIST標準對感測器214提供了NIST標準所指定的準確度程度。感測器214連接至RF產生器132的輸出端172。
在一些實施例中，感測器214位於RF產生器132的外面。
如本文中所使用，控制器包括一或更多處理器、及一或更多記憶元件。處理器之範例包括了中央處理單元(CPU)、微處理器、特定應用積體電路(ASIC)、可程式化邏輯裝置(PLD)、等。記憶元件之範例包括了唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、或其組合。記憶元件的其它範例包括了快閃記憶體、儲存磁碟冗餘陣列(RAID)、非暫態電腦可讀媒體、硬碟、等。
在一些實施例中，RF供應器216包括一驅動器(未顯示)及一放大器(未顯示)。該驅動器(例如信號產生器、RF信號產生器、等)連接至放大器，放大器進一步連接至RF纜線144。該驅動器連接至本地控制器212。
RF產生器132經由RF纜線144連接至阻抗匹配電路134。在幾個實施例中，阻抗匹配電路134為由一或更多電感器及/或一或更多電容器所組成之電路。阻抗匹配電路134的每一組件(例如電感器、電容器、等)以串聯、或並聯、或作為分流器而連接至阻抗匹配電路134的另一組件。
阻抗匹配電路134經由RF傳輸線168而連接至電漿腔室122的卡盤218。在各樣的實施例中，RF傳輸線168包括一圓柱(例如通道、等)，該圓柱連接至阻抗匹配網絡134。在圓柱的中空部內存在一絕緣體及一RF棒。RF傳輸線168更包括一RF匙(例如RF帶、等)，該RF匙在一端連接至該圓柱之RF棒。該RF匙在另一端連接至一垂直放置之圓柱的RF棒，且該RF棒連接至電漿腔室122 的卡盤218。
電漿腔室122包括了卡盤218、上電極220、及其它零件(未顯示)，例如圍繞上電極220的上介電環、圍繞上介電環的上電極延伸部、圍繞卡盤218之下電極的下介電環、圍繞下介電環的下電極延伸部、上電漿排除區(PEZ)環、下PEZ環、等。上電極220位於卡盤218的對面且面向該卡盤。一工作件120被支撐於卡盤218的上表面222上。工作件120之範例包括了基板、晶圓、於其上形成積體電路之基板、於其上沉積材料層之基板、於其上沉積氧化物之基板、等。下電極及上電極220其中每一者係由金屬所製成，例如鋁、鋁的合金、銅、等。該卡盤218可為靜電卡盤(ESC)或磁性卡盤。上電極220連接至基準電壓，例如接地電壓、零電壓、負電壓、等。
主機控制器224經由纜線227(例如，促成數據之並列傳輸的纜線、促成數據之串列傳輸的纜線、或通用串列匯流排(USB)纜線)而連接至RF產生器132的本地控制器212。
主機控制器224包括了電腦產生模型140A。電腦產生模型140A之範例包括了RF纜線144及阻抗匹配電路134之模型、或RF纜線144及阻抗匹配電路134及至少一部分的RF傳輸線168之模型。該部分的RF傳輸線168從阻抗匹配電路134的輸出端延伸至RF傳輸線168上的一點。
電漿系統130的一部份之電腦產生模型具有與該部份相似的結構及功能。例如，電腦產生模型140A包括複數電路元件，該等電路元件代表了電漿系統130的一部分之複數電路組件，且該等電路元件具有與該等電路組件相同之連接關係。進一步說明，當阻抗匹配電路134的可變電容器104以串聯與阻抗匹配電路134的電感器106連接時，一可變電容器(可變電容器104之電腦軟體表現形式)以串聯與一電感器(電感器106之電腦軟體表現形式)連接。如另一說明，當阻抗匹配電路134的可變分流電容器102以T形配置與可變電容器104及RF纜線144連接時，電腦產生模型140A的一可變分流電容器(可變分流電容器102之電腦軟體表現形式)以T形配置與一可變電容器(可變電容器104之電腦軟體表現形式)及一RF纜線模型(RF纜線144之電腦軟體表現形式)連接。如再另一說明，當阻抗匹配電路134的第一電容器以並聯與阻抗匹配電路134的第二電容器連接時，一電容器(第一電容器的電腦軟體表現形式)以並聯與一電容器(第二電容器的電腦軟體表現形式)連接。如另一範例，一電腦產生模型與該模型所代表的部分具有相似的特性，例如電容、電阻、電感、阻抗、複電壓及電流(complex voltage and current)、等。電感器106以串聯與RF傳輸線168及連接至RF纜線144的可變電容器104連接。
在一些實施例中，複電壓及電流包括了電流的強度、電壓的強度、及電流與電壓之間的相位。
電漿系統的一部分之範例包括了RF纜線、或連接至該RF纜線的阻抗匹配電路、或連接至該阻抗匹配電路的RF傳輸線、或連接至該RF傳輸線的卡盤、或其組合。電漿系統的一部分之電路組件的範例包括了電容器、電感器、及電阻器。電腦產生模型之電路元件的範例包括了電容器、電感器、及電阻器。
在一些實施例中，當電腦產生模型的一電路元件具有與電漿系統130的一部份之電路組件相似之特性(例如電容、阻抗、電感、或其組合、等)時，該電路元件代表了該電路組件。例如，電腦產生模型140A的一電感器具有與電感器106相同的電感。如另一範例，電腦產生模型140A的一可變電容器具有與可變電容器104相同的電容。如再另一 範例，電腦產生模型140A的可變電容器之電容具有與可變電容器102相同的電容。
電腦產生模型係由主機控制器224之處理器所產生。
主機控制器224之處理器包括了一配方，該配方係用以於電漿腔室122中產生電漿、及修改特性(例如電漿的阻抗、均勻性、等)。在一些實施例中，一配方包括了功率、及RF產生器132的運作頻率。主機控制器224之處理器經由纜線227將該功率及運作頻率發送至本地控制器212以使RF產生器232以該功率及頻率運作。當RF產生器232以該功率及頻率運作時，RF產生器232產生具有該功率及頻率的RF信號。
主機控制器224的配方226A包括了欲於RF傳輸線168上位於阻抗匹配電路134之輸出端與卡盤218之間的該點達成的一阻抗，例如一期望阻抗、等。該點位於阻抗匹配電路134的輸出端、或在RF傳輸線168上、或在卡盤222的輸入端。配方226A包括了在該點的阻抗(例如，期望阻抗、等)與電腦產生模型140A之輸出端142A的阻抗之間的一對應關係，例如一關係、一鏈結、一對一關係、一對一表格式關係、表格內的一對一關係、等。在一些實施例中，配方包括了表格或表格的一部分。
在各樣的實施例中，配方226A包括了在電腦產生模型140A之輸出端142A的另一變數的值與在該點的該另一變數的值之間的對應關係(該點位於阻抗匹配電路134與上電極220之間)，而不是在該點的阻抗與在電腦產生模型140A之輸出端142A的阻抗之間的對應關係。其它變數之範例包括了電壓、電流、蝕刻速率、伽瑪、沉積速率、複電壓及電流、等。
在一些實施例中，待達成之期望阻抗係位於該點，且電腦產生模型140A為在RF產生器132的輸出端172與RF傳輸線168上的該點之間的電漿系統130之零件的模型。例如，當待達成之期望阻抗位於RF傳輸線168之RF帶的輸入端時，電腦產生模型140A係由RF纜線144、阻抗匹配電路134、及RF傳輸線168的一部分(包括了通道)所組成。如另一範例，當待達成之期望阻抗位於卡盤218的輸入端時，電腦產生模型 140A係由RF纜線144、阻抗匹配電路134、及RF傳輸線168所組成。
主機控制器224從主機控制器224的記憶元件取得參數(例如，頻率、功率、等)並將參數提供至RF產生器132的本地控制器212。本地控制器212接收該等參數並將該等參數提供至RF電源供應器216，該RF電源供應器產生具有該等參數之RF信號(例如脈衝信號、非脈衝信號、等)。
在一些實施例中，本地控制器212包括一查閱表，該查閱表包括了該等參數與待提供至RF電源供應器216的複數參數之間的對應關係。本地控制器212查閱與所接收到的參數相對應之參數(例如頻率、功率、等)並將所查閱到的參數提供至RF電源供應器216，而不是從主機控制器 224所接收到的參數。
阻抗匹配電路134從RF產生器132接收該RF信號，並將連接至阻抗匹配電路134之負載的阻抗與連接至阻抗匹配電路104之來源的阻抗相匹配以產生一修改後RF信號。來源之範例包括RF產生器132、或RF纜線144、或其組合。負載之範例包括RF傳輸線168、或電漿腔室122、或其組合。
卡盤218經由RF傳輸線168而從阻抗匹配電路134接收該修改後RF信號，且一旦處理氣體被導入電漿腔室122內，電漿在電漿腔室122內產生。處理氣體之範例包括含氧氣體，例如O2 。處理氣體的其他範例包括含氟氣體，例如四氟化碳(CF4 )、六氟化硫(SF6 )、六氟乙烷(C2 F6 )、等。
電漿係用以處理工作件120。例如，電漿係用以蝕刻工作件120、或蝕刻沉積在工作件120上的材料、或在工作件120上沉積材料、或清潔工作件120、等。
當供應的RF信號正在對工作件120進行處理時，主機控制器224藉由將感測器214於RF產生器132的輸出端172所測得的複電壓及電流傳遞通過電腦產生模型140A而產生在電腦產生模型140A之輸出端142A的阻抗。例如，主機控制器224計算在RF產生器132的輸出端172的複電壓及電流與電腦產生模型140A的複數電路組件的複電壓及電流之方向性總和(directional sum)以產生在電腦產生模型140A的輸出端142A之複電壓及電流，並從在輸出端142A之複電壓及電流來計算在RF產生器132之輸出端172的阻抗。
在使用在輸出端142A的其他變數之實施例中，主機控制器224基於在輸出端142A的複電壓及電流來計算其它變數。
當阻抗匹配電路134從RF產生器132接收RF信號時，主機控制器224判定在阻抗匹配電路134與卡盤218之間的該點之期望阻抗是否與 在電腦產生模型140A之輸出端142A的阻抗相匹配。一旦判定在該點的期望阻抗與在輸出端142A的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變分流電容器102的電容而調整在輸出端142A之阻抗的實部。主機控制器224改變可變分流電容器102之電容以使輸出端142A之阻抗的實部與在該點之期望阻抗的實部匹配。在輸出端142A之阻抗的實部與在RF傳輸線168上的該點之期望阻抗的實部之間的匹配係發生以達成一蝕刻速率、或一沉積速率、或一伽瑪值、或其組合。下面對伽瑪進行說明。
此外，在一些實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與在輸出端142A的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電容器104的電容而調整在輸出端142A之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電容器104之電容以達成在輸出端142A之阻抗的虛部與該期望阻抗的虛部之間的匹配。 在輸出端142A之阻抗的虛部與在RF傳輸線168上的該點之期望阻抗的虛部之間的匹配係發生以達成一蝕刻速率、或一沉積速率、或其組合。
在各樣的實施例中，調整可變電容器104的電容而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使在電腦產生模型140A之輸出端142A的阻抗與在該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，在RF傳輸線168上的該點包括在連接至RF傳輸線168的阻抗匹配電路之輸出端的一點、或在卡盤218之輸入端的一點。
在一些實施例中， 將一感測器(未顯示)連接至RF傳輸線168上的該點並用以測量在該點的阻抗，而不是使用在電腦產生模型140A之輸出端142A的阻抗。感測器(未顯示)連接至主機控制器224以將所測量到的阻抗提供至主機控制器224。主機控制器224判定所測量到的阻抗是否與欲於該點達成的期望阻抗相匹配。一旦判定測量到的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變分流電容器102的電容而調整在輸出端142A之阻抗的實部。主機控制器224改變可變分流電容器102的電容以使測量到的阻抗之實部與期望阻抗之實部相匹配。在測量到的阻抗的實部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的實部之間的匹配係發生以達成一蝕刻速率、或一沉積速率、或其組合。
此外，在幾個實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與所測量到的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電容器104的電容而調整從連接至該點的感測器(未顯示)所獲得之測量到的阻抗之虛部。主機控制器224改變可變電容器104的電容以達成在從該感測器 (未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與該期望阻抗的虛部之間的匹配。在測量到的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部之間的匹配係發生以達成一蝕刻速率、或一沉積速率、或其組合。
在各樣的實施例中，調整可變電容器104的電容而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與該期望阻抗相匹配。
吾人應注意在一些實施例中，在可變電容器104被添加到阻抗匹配電路134的時候，可變分流電容器102及電感器106位於阻抗匹配電路134中。例如，在可變電容器104被包括在阻抗匹配電路134中之前，阻抗匹配電路134藉由使用可變分流電容器102及電感器106來使連接至阻抗匹配電路134一端之負載的阻抗與連接在阻抗匹配電路134另一端之來源的阻抗相匹配。
在各樣的實施例中，本文中描述為由主機控制器224執行之操作係由主機控制器224的一或更多處理器來執行。
在一些實施例中，使用一可變電感器(未顯示)來取代可變分流電容器102，並改變該可變電感器之電感以使在電腦產生模型之輸出端的阻抗的實部與欲於RF傳輸線168上的該點達成之阻抗的實部、或與由感測器(未顯示)在該點所測得之阻抗的實部相匹配。
圖2為電漿系統150之實施例的圖式，該電漿系統係用以使用電腦產生模型140B及一阻抗匹配電路135來控制蝕刻或沉積之速率。電腦產生模型140B之範例包括了RF纜線144及阻抗匹配電路135之模型、或RF纜線144及阻抗匹配電路135及至少一部分的RF傳輸線168之模型。電腦產生模型140B係以與從阻抗匹配電路134(圖1)產生電腦產生模型140A(圖1)相似的方式而從阻抗匹配電路135產生。除了電漿系統150包括了阻抗匹配電路135(該阻抗匹配電路不包括固定電感器106(圖1)而是包括可變電感器137)、電漿系統150不包括電腦產生模型140A而是包括電腦產生模型140B、及電漿系統150不包括配方226A(圖1)而是包括配方226B之外，電漿系統150與電漿系統130(圖1)為相似的。
主機控制器224的配方226B亦包括了欲於阻抗匹配電路135之輸出端與卡盤218之間的RF傳輸線168上之該點達成的阻抗，例如期望阻抗、等。配方226B包括了在RF傳輸線168上之該點的阻抗與在電腦產生模型140B之輸出端142B的阻抗之間的一對應關係。
在一些實施例中，配方226B包括了在輸出端142B的另一變數的值與在該點的該另一變數的值之間的對應關係(該點位於阻抗匹配電路135與上電極220之間)，而不是在RF傳輸線168上的該點的阻抗與在輸出端142B的阻抗之間的對應關係。
可變電感器137以串聯與可變電容器104及RF傳輸線168連接。
此外，在一些實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與在電腦產生模型140B之輸出端142B的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器137的電感而調整在輸出端142B之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電感器137之電感以達成在輸出端142B之阻抗的虛部與在該點之期望阻抗的虛部之間的匹配。
在各樣的實施例中，調整可變電感器137的電感而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使在電腦產生模型140B之輸出端142B的阻抗與該期望阻抗相匹配。
在幾個實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與在輸出端142B的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器137的電感及改變可變電容器104的電容而調整在輸出端142B之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電感器137的電感及可變電容器104的電容而達成在輸出端142B的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部之間的匹配。
在各樣的實施例中，調整可變電感器137的電感及可變電容器104的電容而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使在電腦產生模型140B之輸出端142B的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，將一感測器(未顯示)連接至RF傳輸線168上的該點並用以測量在RF傳輸線168上之該點的阻抗，而不是使用在電腦產生模型140B之輸出端142B的阻抗。感測器(未顯示)將測量到的阻抗提供至主機控制器224。主機控制器 224判定所測量到的阻抗是否與欲於該點達成的期望阻抗相匹配。一旦判定測量到的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器137的電感而調整在輸出端142B之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電感器137的電感以使從該感測器(未顯示)所接收之測量到的阻抗之虛部與期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，調整可變電感器137的電感而不調整可變分流電容器102之電容、或與可變分流電容器102之電容一起調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與該期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，一旦判定從該感測器(未顯示)接收到的所測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器137的電感、及可變電容器104的電容而調整在該輸出端142B之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電感器137的電感及可變電容器104的電容以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，調整可變電感器137的電感及可變電容器104的電容而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的該期望阻抗相匹配。
吾人應注意在一些實施例中，在可變電容器104被添加到阻抗匹配電路135的時候，可變分流電容器102及可變電感器137位於阻抗匹配電路135中。例如，在可變電容器104被包括在阻抗匹配電路135中之前，阻抗匹配電路135藉由使用可變分流電容器102及可變電感器137來使連接至阻抗匹配電路135一端之負載的阻抗與連接在阻抗匹配電路135另一端之來源的阻抗相匹配。
圖3為電漿系統250之實施例的圖式，該電漿系統係用以使用電腦產生模型140C及阻抗匹配電路152來控制蝕刻或沉積之速率。電腦產生模型140C之範例包括了RF纜線144及阻抗匹配電路152之模型、或RF纜線144及阻抗匹配電路152及至少一部分的RF傳輸線168之模型。電腦產生模型140C係以與從阻抗匹配電路134(圖1)產生電腦產生模型140A(圖1)相似的方式而從阻抗匹配電路152產生。除了阻抗匹配電路152包括一電容器158來取代可變電容器104、包括一可變分流電容器162、及包括一電感器164之外，電漿系統250與電漿系統130(圖1)為相似的。電容器158係與電感器106串聯且係連接至RF纜線144。此外， 電感器164係以T形配置與電感器106及RF傳輸線168連接。可變電容器162以串聯與電感器164連接。
除了電漿系統250包括電腦產生模型140C而不是電腦產生模型140A、及電漿系統250包括配方226C而不是配方226A(圖1)之外，電漿系統250與電漿系統130(圖1)為相似的。
主機控制器224的配方226C亦包括了欲於阻抗匹配電路152的輸出端與卡盤218之間的RF傳輸線168上之該點達成的阻抗，例如期望阻抗、等。配方226C包括了在RF傳輸線168上之該點的阻抗與在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗之間的一對應關係。
在一些實施例中，配方226C包括了在輸出端142C的另一變數的值與在該點的該另一變數的值之間的對應關係(該點在阻抗匹配電路152與上電極220之間)，而不是在該點的阻抗與在輸出端142C的阻抗之間的對應關係。
在一些實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變分流電容器162的電容而調整在輸出端142C之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變分流電容器162的電容以達成在輸出端142C之阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部之間的匹配。
在各樣的實施例中，調整可變分流電容器162的電容而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在幾個實施例中， 使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158。調整該可變電容器(未顯示)之電容及可變分流電容器162的電容的電容以使在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158。在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對該可變電容器(未顯示)之電容及可變分流電容器162的電容進行調整以使在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。調整該可變電感器(未顯示)之電感及可變分流電容器162之電容以使在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在一些實施例中，使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對該可變電感器(未顯示)之電感及可變分流電容器162之電容進行調整以使在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158、並使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。調整該可變電容器(未顯示)之電容、該可變電感器(未顯示)之電感、及可變分流電容器162的電容以使在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗的虛部與該期望阻抗的虛部相匹配。
在一些實施例中，將感測器(未顯示)連接至RF傳輸線168上的該點並用以測量在該點的阻抗，而不是使用在電腦產生模型140C之輸出端142C的阻抗。感測器(未顯示)將測量到的阻抗提供至主機控制器224。主機控制器 224判定所測量到的阻抗是否與欲於RF傳輸線168上之該點達成的期望阻抗相匹配。一旦判定測量到的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變分流電容器162的電容而調整在輸出端142C之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變分流電容器162的電容以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗之虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對可變分流電容器162的電容進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在使用可變電容器(未顯示)來取代電容器158的實施例中，一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電容器(未顯示)的電容、及可變分流電容器162的電容而調整在輸出端142C之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電容器(未顯示)的電容及可變分流電容器162的電容以使從該感測器 (未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在幾個實施例中，對取代了電容器158而連接的可變電容器(未顯示)之電容、及可變分流電容器162的電容進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在幾個實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電容器158而連接的可變電容器(未顯示)之電容、及可變分流電容器162的電容進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在使用可變電感器(未顯示)來取代電感器106的實施例中，一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電感器(未顯示)的電感、及可變分流電容器162的電容而調整在輸出端142C之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電感器(未顯示)的電感及可變分流電容器162的電容以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在幾個實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電感器106而連接的可變電感器(未顯示)之電感、及可變分流電容器162的電容進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，使用可變電感器(未顯示)來取代電感器106且使用可變電容器(未顯示)來取代電容器158。一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電感器(未顯示)的電感、該可變電容器(未顯示)的電容、及可變分流電容器162的電容而調整在輸出端142C之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電感器(未顯示)的電感、可變電容器(未顯示)的電容、及可變分流電容器162的電容以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在幾個實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電感器106而連接的可變電感器(未顯示)的電感、取代了電容器158而連接的可變電容器(未顯示)之電容、及可變分流電容器162的電容進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗之虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗之虛部相匹配。
吾人應注意在一些實施例中，在電感器164及可變分流電容器162被添加到阻抗匹配電路152的時候，可變分流電容器102、電容器158、及電感器106位於阻抗匹配電路152中。例如，在電感器164及可變分流電容器162被包括在阻抗匹配電路152中之前，阻抗匹配電路152藉由使用可變分流電容器102、電容器158、及電感器106來使連接至阻抗匹配電路152一端之負載的阻抗與連接在阻抗匹配電路152另一端之來源的阻抗相匹配。
圖4為電漿系統252之實施例的圖式，該電漿系統係用以使用電腦產生模型140D及阻抗匹配電路254來控制蝕刻或沉積之速率。電腦產生模型140D之範例包括了RF纜線144及阻抗匹配電路254之模型、或RF纜線144及阻抗匹配電路254及至少一部分的RF傳輸線168之模型。電腦產生模型140D係以與從阻抗匹配電路152(圖3)產生電腦產生模型140C(圖3)相似的方式而從阻抗匹配電路254產生。除了阻抗匹配電路254包括一可變電感器256來取代電感器164之外，電漿系統252與電漿系統250(圖3)為相似的。可變電感器256以串聯與可變電容器162連接，並與電感器106及RF傳輸線168形成T形配置。
除了電漿系統252包括電腦產生模型140D而不是電腦產生模型140C、及電漿系統252包括配方226D而不是配方226C(圖3)之外，電漿系統252與電漿系統250為相似的。
主機控制器224的配方226D包括了欲於阻抗匹配電路254的輸出端與卡盤218之間的RF傳輸線168上之該點達成的阻抗，例如期望阻抗、等。配方226D包括了在RF傳輸線168上之該點的阻抗與在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗之間的一對應關係。
在一些實施例中，配方226D包括了在輸出端142D的另一變數的值與在該點的該另一變數的值之間的對應關係(該點在阻抗匹配電路254與上電極220之間)，而不是在RF傳輸線168上之該點的阻抗與在輸出端142D的阻抗之間的對應關係。
在一些實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電感器256的電感以達成在輸出端142D之阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部之間的匹配。
在幾個實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器256的電感、及可變分流電容器162的電容而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電感器256的電感、及可變分流電容器162的電容以達成在輸出端142D之阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部之間的匹配。
在各樣的實施例中，調整可變電感器256的電感而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在幾個實施例中，一旦判定在該點的期望阻抗與在輸出端142D的阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器256的電感、可變分流電容器162的電容、及可變分流電容器102的電容而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變分流電容器162的電容、可變電感器256的電感、及可變分流電容器102的電容以達成在輸出端142D之之阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點之期望阻抗的虛部之間的匹配。
在各樣的實施例中， 使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158。調整該可變電容器(未顯示)之電容及可變電感器256的電感以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在一些實施例中， 使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158。在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對該可變電容器(未顯示)之電容及可變電感器256的電感進行調整以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在幾個實施例中，使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。調整該可變電感器(未顯示)之電感及可變電感器256之電感以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在一些實施例中，使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對該可變電感器(未顯示)之電感及可變電感器256之電感進行調整以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中， 使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158並使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。調整該可變電容器(未顯示)之電容、該可變電感器(未顯示)之電感、及可變電感器256的電感以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在一些實施例中， 使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158並使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對該可變電容器(未顯示)之電容、該可變電感器(未顯示)之電感、及可變電感器256的電感進行調整以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在各樣的實施例中，使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158。在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對該可變電容器(未顯示)之電容、可變分流電容器162之電容、及可變電感器256的電感進行調整以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中， 使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158並使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。調整該可變電容器(未顯示)之電容、該可變電感器(未顯示)之電感、可變分流電容器162之電容、及可變電感器256的電感以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在一些實施例中， 使用一可變電容器(未顯示)來取代電容器158並使用一可變電感器(未顯示)來取代電感器106。在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對該可變電容器(未顯示)之電容、該可變電感器(未顯示)之電感、可變分流電容器162之電容、及可變電感器256的電感進行調整以使在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，將感測器(未顯示)連接至RF傳輸線168上的該點並用以測量在該點的阻抗，而不是使用在電腦產生模型140D之輸出端142D的阻抗。感測器(未顯示)將測量到的阻抗提供至主機控制器224。主機控制器224判定所測量到的阻抗是否與欲於RF傳輸線168上之該點達成的期望阻抗相匹配。一旦判定測量到的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變可變電感器256的電感以使該測量的阻抗之虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，調整可變電感器256的電感而不調整可變分流電容器102的電容、或與可變分流電容器102的電容一起調整以使從該感測器所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的該期望阻抗相匹配。
在使用可變電容器(未顯示)來取代電容器158的實施例中，一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電容器(未顯示)的電容、及可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電容器(未顯示)的電容及可變電感器256的電感以使從該感測器 (未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在幾個實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電容器158而連接的可變電容器(未顯示)之電容、及可變電感器256的電感進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在使用可變電感器(未顯示)來取代電感器106的實施例中，一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電感器(未顯示)的電感、及可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電感器(未顯示)的電感及可變電感器256的電感以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電感器106而連接的可變電感器(未顯示)的電感、及可變電感器256的電感進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，使用可變電感器(未顯示)來取代電感器106且使用可變電容器(未顯示)來取代電容器158。一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電感器(未顯示)的電感、該可變電容器(未顯示)的電容、及可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電感器(未顯示)的電感、可變電容器(未顯示)的電容、及可變電感器256的電感以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電感器106而連接的可變電感器(未顯示)的電感、取代了電容器158而連接的可變電容器(未顯示)的電容、及可變電感器256的電感進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與該期望阻抗相匹配。
在使用可變電容器(未顯示)來取代電容器158的實施例中，一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電容器(未顯示)的電容、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電容器(未顯示)的電容、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感以使從該感測器 (未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電容器158連接的可變電容器(未顯示)的電容、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗相匹配。
在使用可變電感器(未顯示)來取代電感器106的一些實施例中，一旦判定從該感測器(未顯示)所接收之該測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電感器(未顯示)的電感、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電感器(未顯示)的電感、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
各樣的實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電感器106而連接的可變電感器(未顯示)的電感、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與該期望阻抗相匹配。
在一些實施例中，使用可變電感器(未顯示)來取代電感器106且使用可變電容器(未顯示)來取代電容器158。一旦判定該測量的阻抗與在該點的期望阻抗不匹配，主機控制器224藉由改變該可變電感器(未顯示)的電感、該可變電容器(未顯示)的電容、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感而調整在輸出端142D之阻抗的虛部。主機控制器224改變該可變電感器(未顯示)的電感、可變電容器(未顯示)的電容、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感以使從該感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗的虛部與在RF傳輸線168上之該點的期望阻抗的虛部相匹配。
在各樣的實施例中，在調整可變分流電容器102的電容之外，另外對取代了電感器106而連接的可變電感器(未顯示)的電感、取代了電容器158而連接的可變電容器(未顯示)的電容、可變分流電容器162的電容、及可變電感器256的電感進行調整以使從感測器(未顯示)所接收之測量的阻抗與在RF傳輸線168上之該點的該期望阻抗相匹配。
吾人應注意在一些實施例中，在可變電感器256及可變分流電容器162被添加至阻抗匹配電路254中的時候，可變分流電容器102、電容器158、及電感器106位於阻抗匹配電路254中。例如，在可變電感器256及可變分流電容器162被包括在阻抗匹配電路254中之前，阻抗匹配電路254藉由使用可變分流電容器102、電容器158、及電感器106來使連接至阻抗匹配電路254一端之負載的阻抗與連接在阻抗匹配電路254另一端之來源的阻抗相匹配。
吾人更應注意在各樣的實施例中，對可變電容器102的電容進行控制以改變在該點之阻抗的實部，且該實部不受通過在RF傳輸線168上之該點的RF信號之頻率的影響。在一些實施例中，改變可變電容器104的電容、或可變電感器137(圖2)的電感、或可變分流電容器162(圖3)的電容、或可變電感器256的電感、或其組合以改變在該點之阻抗的虛部，且該虛部為在該點之諧波頻率的函數。
在一些實施例中，主機控制器224發送信號至本地控制器212以改變(例如調整、等)與RF電源供應器216之運作相關聯的一諧波頻率(例如三階諧波頻率、四階諧波頻率、五階諧波頻率、m階諧波頻率、等，其中m為大於1的整數)，而不改變可變電容器104的電容及/或可變電感器137的電感及/或可變電感器256的電感及/或可變電容器162的電容、或與改變可變電容器104的電容及/或可變電感器137的電感及/或可變電感器256的電感及/或可變電容器162的電容一起執行。該諧波頻率係改變來達成一蝕刻速率與一預定蝕刻速率之間的匹配，其中該蝕刻速率係基於在輸出端142D之複電壓及電流而計算。例如，主機控制器224發送信號至本地控制器212以調整RF電源供應器216的運作頻率(例如，運作的基本頻率、等)。基於從主機控制器224所接收到的信號，本地控制器212將一頻率值發送至RF電源供應器216以使該RF電源供應器216以該頻率值運作。一旦接收到頻率值，RF電源供應器216產生具有該頻率值之RF信號。當供應具有該頻率值之RF信號時，於RF產生器132之輸出端172測量一複電壓及電流，並基於該測量的複電壓及電流而在電腦產生模型140D之輸出端142D判定一複電壓及電流。基於在輸出端142D判定之複電壓及電流而計算一蝕刻速率，並對該蝕刻速率與預定的蝕刻速率進行比較。一旦判定該計算的蝕刻速率與預定的蝕刻速率不匹配，主機控制器224發送另一信號至本地控制器212來調整該RF電源供應器216之運作頻率。
圖5為一表格之實施例的圖式，該表格係用以說明阻抗匹配網絡的電容及電感值之判定，該判定係基於在電腦產生模型(例如，電腦產生模型140A(圖1)、電腦產生模型140B(圖2) 、電腦產生模型140C(圖3)、電腦產生模型140D(圖4)、等)之輸出端所判定的複電壓及電流而進行。圖5之表格係儲存於主機控制器224(圖1)的記憶元件內。該複電壓及電流係於電腦產生模型之輸出端所判定。
此外，主機控制器224(圖1)基於在一電腦產生模型之輸出端的複電壓及電流而辨識(例如讀取、取得、等)在該電腦產生模型之輸出端的蝕刻速率。例如，主機控制器224將一蝕刻速率ERC1辨識為與複電壓及電流V&I1相對應、基於複電壓及電流V&I2而辨識另一蝕刻速率ERC2、並以此類推直到主機控制器224基於複電壓及電流V&In而辨識一蝕刻速率ERCn，其中n為大於2的整數。複電壓及電流V&I1、V&I2、直到V&In為在電腦產生模型之輸出端的複電壓及電流。
在一些實施例中，於電腦產生模型之輸出端所計算的蝕刻速率 與欲於RF傳輸線168上的該點達成之預定蝕刻速率相關聯。例如，主機控制器 224包括了在計算的蝕刻速率ERC1與預定的蝕刻速率ERP1之間、在計算的蝕刻速率ERC2與預定的蝕刻速率ERP2之間、並以此類推直到在計算的蝕刻速率ERCn與預定的蝕刻速率ERPN之間的關聯性。在一些實施例中，蝕刻速率ERP1至ERPn全部具有相同的值。在各樣的實施例中，ERP1與其餘的預定蝕刻速率ERP2至ERPn其中一或更多者具有不同的值。
在各樣的實施例中，預定的蝕刻速率ERP1處於計算的蝕刻速率ERC1的一預定範圍內、預定的蝕刻速率ERP2處於計算的蝕刻速率ERC2的一預定範圍內、並以此類推直到預定的蝕刻速率ERPn處於計算的蝕刻速率ERCn的一預定範圍內。
在幾個實施例中，主機控制器224基於計算的蝕刻速率來辨識預定的蝕刻速率。例如，主機控制器224判定蝕刻速率ERP1與蝕刻速率ERC1相關聯、蝕刻速率ERP2與蝕刻速率ERC2相關聯、並以此類推直到主機控制器224判定蝕刻速率ERPn與蝕刻速率ERCn相關聯。
欲於該點達成的每一預定阻抗ZP與一預定蝕刻速率相對應。例如，主機控制器224從預定蝕刻速率ERP1計算出預定阻抗ZP1。如另一範例，主機控制器224從預定蝕刻速率ERP2計算出預定阻抗ZP2、並以此類推直到主機控制器224從預定蝕刻速率ERPn計算出預定阻抗ZPn 。如再另一範例，主機控制器224基於不同時間在電壓、電流、及預定蝕刻速率之間的關係而解出在不同時間的電壓及電流。進一步說明，主機控制器224解出方程式C11 VP1 + C12 IP1 = ERP1、及C11 VP2 + C12 IP2 = ERP1中的VP1、VP2、IP1、及IP2以計算電壓VP1及VP2、及電流IP1及IP2。主機控制器224基於電壓VP1與電流IP1之比率、及電壓VP2與電流IP2之比例來判定預定的複阻抗。
在一些實施例中，主機控制器224基於預定的蝕刻速率ERP而辨識預定的阻抗ZP。例如，主機控制器224基於阻抗ZP1與蝕刻速率ERP1之間的對應關係來判定預定的阻抗ZP1、基於阻抗ZP2與蝕刻速率ERP2之間的對應關係來判定預定的阻抗ZP2、並以此類推直到主機控制器224基於阻抗ZPn與蝕刻速率ERPn之間的對應關係來判定預定的阻抗ZPn。
每一預定阻抗具有一實部及一虛部。例如，主機控制器224將預定阻抗ZP1分割為一實部ZPR1及一虛部ZPI1、將預定阻抗ZP2分割為一實部ZPR2及一虛部ZPI2、並以此類推直到主機控制器224將預定阻抗ZPn分割為一實部ZPRn及一虛部ZPIn。
在一些實施例中，主機控制器224使一預定阻抗的實部與電容器102(圖1-4)的一電容值、或用以取代可變電容器102之可變電感器的一電感值相關聯(例如鏈結、建立連接關係、建立對應關係、等)。例如，使實部ZPR1與電容值C1021相關聯、使實部ZPR2與電容值C1022相關聯、並以此類推直到使實部ZPRn與電容值C102n相關聯。主機控制器224更使該預定阻抗之虛部與電容器104(圖1及2)的電容值、或電容器162(圖3及4)的電容值、或電感器137(圖2)的電感值、或可變電感器256(圖4)的電感值、或用以取代電感器106(圖3,4)之可變電感器(未顯示)的電感值、或用以取代電容器158(圖3,4)之可變電容器的電容值、或其組合相關聯。例如，虛部ZPI1係與電容器104之電容值C1041、或與電感器137之電感值L1371、或與電容器C162之電容值C1621、或與電感L256之電感值L2561、或與用以取代電感器106的可變電感器(未顯示)之電感值、或與用以取代電容器158的可變電容器之電容值， 或其組合相關聯。如另一範例，虛部ZPI2係與電容器104的電容值C1042、或與電感器137的電感值L1372、或與電容器C162的電容值C1622、或與電感器L256的電感值L2562、 或與用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、或與用以取代電容器158之可變電容的電容值、或其組合相關聯。如另一範例，虛部ZPIn係與電容器104的電容值C104n、或與電感器137的電感值L137n、或與電容器C162的電容值C162n、或與電感器L256的電感值L256n、或與用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、或與用以取代電容器158之可變電容器的電容值、或其組合相關聯。
主機控制器224基於實部ZPR而辨識電容器102的電容值。例如，主機控制器224判定在實部ZPR1與電容值C1021之間存在著一對應關係，並基於該實部ZPR1來辨識電容值C1021。如另一範例，主機控制器224判定在實部ZPR2與電容值C1022之間存在著對應關係並辨識電容值C1022、並以此類推直到主機控制器224判定在實部ZPRn與電容值C102n之間存在著對應關係並辨識該電容值C102n。
相似地，主機控制器224基於虛部ZPI而判定電容器104的電容值、或電感器137的電感值、或電容器162的電容值、或電感器256的電感值、或用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、或用以取代電容器158之可變電容器的電容值、或其組合。例如，主機控制器224判定在虛部ZPI1與電容值C1041、或電感值L1371、或電容值1621、或電感值2561、或用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、或用以取代電容器158之可變電容器的電容值、或其組合之間存在著對應關係，並基於該虛部ZPI1而辨識電容值C1041、或電感值L1371、或電容值1621、或電感值2561、或用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、或用以取代電容器158之可變電容器的電容值、或其組合。如另一範例，主機控制器224判定在虛部ZPIn與電容值C104n、或電感值L137n、或電容值162n、或電感值256n、或用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、或用以取代電容器158之可變電容器的電容值、或其組合之間存在著對應關係，並基於該虛部ZPIn而辨識電容值C104n、或電感值L137n、或電容值162n、或電感值256n、或用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、或用以取代電容器158之可變電容器的電容值、或其組合。
吾人應注意在一些實施例中，主機控制器224使用沉積速率或伽瑪值，而不是蝕刻速率。例如，主機控制器224基於反射的功率與供應的功率之比率來計算及/或判定伽瑪值，其中該反射的功率係由電漿腔室122內的電漿反射向RF產生器132，且該供應的功率係由RF產生器132產生的RF信號所供應。主機控制器224使用在電腦產生模型之輸出端的複電壓及電流來計算及/或辨識在該輸出端之供應的功率及反射的功率。基於供應的功率及反射的功率，主機控制器224計算及/或辨識在電腦產生模型之輸出端的伽瑪值。主機控制器224對計算的伽瑪值與儲存於主機控制器224之記憶元件中的預定伽瑪值進行比較以判定該計算的伽瑪值是否與該預定伽瑪值相匹配。如一範例，預定伽瑪值為零或在零的範圍內。預定伽瑪值為欲於RF傳輸線168上的該點達成之伽瑪值。一旦判定計算的伽瑪值與預定的伽瑪值不匹配，主機控制器224基於該預定的伽瑪值而計算及/或辨識一阻抗。改變可變分流電容器102之電容以達成該阻抗的實部。此外，不改變可變分流電容器102之電容或在改變可變分流電容器102之電容之外，改變可變電容器104的電容、及/或可變電感器104的電感、及/或可變電容器162的電容、及/或可變電感器256之電感、及/或用以取代電感器106之可變電感器(未顯示)的電感值、及/或用以取代電容器158之可變電容器的電容值以達成該阻抗的虛部。
圖6為一控制系統280之實施例的方塊圖，該控制系統係用以控制電路組件284。控制系統280包括了驅動器138、馬達282、及電路組件284。電路組件284之範例包括電感器及電容器。電容器之範例包括了可變電容器。可變電容器之範例包括了真空可變電容器(VVC)及空氣可變電容器。在一些實施例中，馬達282係整合於該電路組件284中。驅動器138之範例包括一產生電流之電路。於施加了臨界電壓時產生電流之電路的範例包括了一包括一些電晶體的電路。
當主機控制器224發送信號至驅動器138以控制電路組件284時，驅動器138產生使馬達282之轉子相對於馬達282之定子而旋轉的電流。該旋轉導致在馬達282與電路組件284之間的一連結器286(例如，棒、螺棒、螺桿、套筒及柱塞、等)之旋轉。連結器286之旋轉導致了在電容器的板之間的距離改變、或電感器之延長或收縮。在電容器的板之間的距離之變化改變了該電容器的電容。此外，電感器的延伸或收縮改變了該電感器的電感。
在各樣的實施例中，驅動器138連接至電路組件284而不連接至馬達282。例如，一逆向偏壓半導體二極體具有隨著施加穿過該二極體之直流(DC)電壓而改變的空乏層厚度。
圖7為主機控制器224之實施例的圖式。主機控制器224包括了處理器204、記憶元件202、輸入裝置290、輸出裝置292、輸入/輸出(I/O)介面294、I/O介面296、網路介面控制器(NIC) 298、及匯流排302。處理器 204、記憶元件202、輸入裝置290、輸出裝置292、I/O介面294、I/O介面296、及NIC298經由匯流排302而互相連接。輸入裝置290的範例包括了滑鼠、鍵盤、觸控筆、等。輸出裝置292的範例包括了顯示器、揚聲器、或其組合。該顯示器可為液晶顯示器、發光二極體顯示器、陰極射線管、電漿顯示器、等。NIC 274的範例包括了網絡介面卡、網絡轉接器、等。
I/O介面的範例包括了在連接至該介面的複數硬件之間提供相容性的介面。例如，I/O介面294將從輸入裝置290接收的信號轉換為與匯流排302相容之形式、振幅、及/或速度。如另一範例，I/O介面296將從匯流排302接收的信號轉換成與輸出裝置292相容之形式、振幅、及/或速度。
圖8為曲線圖306之實施例，該曲線圖繪製了在電腦產生模型之節點的阻抗對在RF傳輸線168(圖1)上一點之RF信號的頻率之曲線，其中在RF傳輸線上的該點與該節點相對應。如圖306中所示，該阻抗隨著供應該RF信號之RF產生器132(圖1)的頻率而改變，且反之亦然。該阻抗在該RF信號之諧波頻率附近的頻率達到最小值。
圖9為曲線圖310之實施例，該曲線圖為不同程度之蝕刻速率控制繪製了蝕刻基板的蝕刻速率(相對於基板的半徑)。使用電腦產生模型來判定一蝕刻速率，並對該蝕刻速率與預定的蝕刻速率進行比較以增加在蝕刻速率上的均勻性。另外，圖310中顯示當不使用電腦產生模型時蝕刻速率上存在著非均勻性。
另外注意，雖然上述的操作係參照平行板電漿腔室而描述，例如電容耦合電漿腔室、等，但在一些實施例中，上述的操作適用於其他類型的電漿腔室，例如感應耦合電漿(ICP)反應器、變壓耦合電漿(TCP)反應器、導體工具、電子迴旋共振(ECR)反應器、等之電漿腔室。例如，RF產生器132(圖1)連接至在ICP反應器之電漿腔室中的電感器。
亦應注意，雖然上述操作被描述為由主機控制器224(圖1)來執行，但在一些實施例中，該等操作可由主機控制器224的一或更多處理器、或由多重主機系統的多重處理器、或由RF產生器的多重處理器來執行。
吾人應注意，雖然上述的實施例係關於將RF信號提供至電漿腔室之卡盤的下電極並將電漿腔室的上電極接地，但在幾個實施例中，將RF信號提供至上電極而將下電極接地。
本文中描述之實施例可以各樣的電腦系統結構實行，包括手持硬體單元、微處理器系統、基於微處理器或可程式化之消費電子產品、微電腦、大型電腦、及相似物。本發明亦可在分散式計算環境中實施，其中任務透過網路連線之遠端處理硬體單元執行。
在了解上面的實施例後，吾人應理解該等實施例可使用各樣電腦實行的操作，其中操作涉及儲存在電腦系統中的資料。這些操作為需要物理量之物理操縱的操作。本文中描述之任何構成本發明之部分的操作為有用的機械操作。該等實施例亦關於用以執行這些操作的硬體單元或設備。可特別為特殊用途電腦建構設備。當被定義為特殊用途電腦時，該電腦在仍可執行特殊用途的同時，亦可執行非特殊用途部分之其他處理、程式執行、或例行程式。在一些實施例中，操作可藉由一電腦加以處理，其中該電腦被一或更多儲存在電腦記憶體、快取記憶體、或透過網路得到的電腦程式選擇性地啟動或配置。當透過網路得到資料時，可以網路上的其他電腦處理該資料，例如，雲端的計算資源。
一或更多實施例亦可被製作為非暫態的電腦可讀媒體上的電腦可讀代碼。在一些實施例中，該非暫態的電腦可讀媒體係可儲存資料的記憶體元件，其中該記憶體元件之後可被電腦系統讀取。非暫態的電腦可讀媒體的範例包括硬碟、網路附接儲存器(NAS)、ROM、RAM、光碟唯讀記憶體(CD-ROMs)、可錄式光碟(CD-Rs)、可覆寫式光碟(CD-RWs)、磁帶、及其他光學與非光學資料儲存硬體單元。非暫態的電腦可讀媒體可包括電腦可讀的有形媒體，其中該媒體係透過連接網路的電腦系統加以散佈，俾使電腦可讀代碼被以散佈的方式被儲存及執行。
雖然以特定順序描述上述方法操作，吾人應理解可在操作之間執行其他庶務操作，或可調整操作使得其在略為不同之時間發生，或可將其分散在系統中，其中只要重疊之操作的處理被以期望的方式執行則該系統允許處理操作發生在與處理有關的不同區間。
可將任何實施例的一或更多特徵與任何其他實施例的一或更多特徵結合而不超出本揭露內容中描述之各樣實施例所描述的範圍。
雖然為了清楚理解的目的已對前述的實施例進行詳細地描述，顯而易見的，仍可在隨附申請專利範圍的範圍內實行某些改變及修改。因此，本發明之實施例應被認為係說明性的而非限制性的，且本發明之實施例不受限於本文中所提供的細節，而係可在隨附申請專利範圍的範圍及均等物內修改。
102‧‧‧可變分流電容器
104‧‧‧可變電容器
106‧‧‧電感器
120‧‧‧工作件
122‧‧‧電漿腔室
130‧‧‧電漿系統
132‧‧‧RF產生器
134‧‧‧阻抗匹配電路
135‧‧‧阻抗匹配電路
137‧‧‧可變電感器
138‧‧‧驅動器
140A‧‧‧電腦產生模型
140B‧‧‧電腦產生模型
140C‧‧‧電腦產生模型
140D‧‧‧電腦產生模型
142A‧‧‧輸出端
142B‧‧‧輸出端
142C‧‧‧輸出端
142D‧‧‧輸出端
144‧‧‧RF纜線
150‧‧‧電漿系統
152‧‧‧阻抗匹配電路
158‧‧‧電容器
162‧‧‧可變分流電容器
164‧‧‧電感器
168‧‧‧RF傳輸線
172‧‧‧輸出端
202‧‧‧記憶元件
204‧‧‧處理器
212‧‧‧本地控制器
214‧‧‧感測器
216‧‧‧RF電源供應器
218‧‧‧卡盤
220‧‧‧上電極
222‧‧‧上表面
224‧‧‧主機控制器
226A‧‧‧配方
226B‧‧‧配方
226C‧‧‧配方
226D‧‧‧配方
227‧‧‧纜線
250‧‧‧電漿系統
252‧‧‧電漿系統
254‧‧‧阻抗匹配電路
256‧‧‧可變電感器
280‧‧‧控制系統
282‧‧‧馬達
284‧‧‧電路組件
286‧‧‧連結器
290‧‧‧輸入裝置
292‧‧‧輸出裝置
294‧‧‧I/O介面
296‧‧‧I/O介面
298‧‧‧網路介面控制器(NIC)
302‧‧‧匯流排
306‧‧‧曲線圖
310‧‧‧曲線圖
參考以下配合隨附圖式所做的詳細描述可以最好地理解本發明。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖1為一系統之方塊圖，該系統係用以使用電腦產生模型及阻抗匹配電路來控制一速率。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖2為一電漿系統之圖式，該電漿系統係用以使用電腦產生模型及阻抗匹配電路來控制蝕刻或沉積之速率。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖3為一電漿系統之圖式，該電漿系統係用以使用電腦產生模型及阻抗匹配電路來控制蝕刻或沉積之速率。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖4為一電漿系統之圖式，該電漿系統係用以使用電腦產生模型及阻抗匹配電路來控制蝕刻或沉積之速率。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖5為一表格之圖式，該表格係用以說明阻抗匹配網絡的電容及電感值之判定，該判定係基於在電腦產生模型之輸出端所判定的複電壓及電流(complex voltage and current)而進行。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖6為一控制系統之方塊圖，該控制系統係用以控制電路元件。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖7為圖1至4中之系統的一主機控制器的圖式。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖8為一曲線圖，該曲線圖繪製了在電腦產生模型之節點的阻抗對在RF傳輸線上一點之RF供應信號的諧波頻率之曲線，其中在RF傳輸線上的該點與該節點相對應。
根據本揭露內容中所描述之實施例，圖9為一曲線圖，該曲線圖為不同程度之蝕刻速率控制繪製了蝕刻基板的蝕刻速率(相對於基板的半徑)。
102‧‧‧可變分流電容器
104‧‧‧可變電容器
106‧‧‧電感器
120‧‧‧工作件
122‧‧‧電漿腔室
130‧‧‧電漿系統
132‧‧‧RF產生器
134‧‧‧阻抗匹配電路
140A‧‧‧電腦產生模型
142A‧‧‧輸出端
144‧‧‧RF纜線
168‧‧‧RF傳輸線
172‧‧‧輸出端
212‧‧‧本地控制器
214‧‧‧感測器
216‧‧‧RF電源供應器
218‧‧‧卡盤
220‧‧‧上電極
222‧‧‧上表面
224‧‧‧主機控制器
226A‧‧‧配方
227‧‧‧纜線

Claims (23)

  1. 一種達成蝕刻速率的方法，包含： 接收與對一電漿腔室內的一工作件進行處理相關聯的一計算變數，該電漿腔室經由一射頻(RF)傳輸線連接至一阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路經由一RF纜線連接至一RF產生器； 將該計算變數傳遞通過一電腦產生模型以產生在該電腦產生模型之輸出端的該計算變數之值； 辨識與該計算變數之該值相關聯的一計算處理速率； 基於該計算處理速率而辨識欲達成的一預定處理速率； 基於該預定處理速率而辨識欲於該電腦產生模型之該輸出端達成的一預定變數 ； 辨識與該預定變數的一實部相關聯的一第一特性， 該第一特性屬於該阻抗匹配電路內的一第一可變電路組件； 控制該第一可變電路組件來達成該第一特性以進一步達成該預定變數的該實部； 辨識與該預定變數的一虛部相關聯的一第二特性，該第二特性屬於該阻抗匹配電路內的一第二可變電路組件；及 發送一信號至該第二可變電路組件來達成該第二特性以進一步達成該預定變數的該虛部。
  2. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該計算變數包括一複電壓及電流(complex voltage and current)。
  3. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該第一可變電路組件包括一電容器且該第一特性包括該電容器的一電容。
  4. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該第二可變電路組件包括一電容器且該第二特性包括該電容器的一電容。
  5. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該第一可變電路組件包括一電感器且該第一特性包括該電感器的一電感。
  6. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該第二可變電路組件包括一電感器且該第二特性包括該電感器的一電感。
  7. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，更包含： 發送一信號至該RF產生器的一控制器來改變該RF產生器之運作頻率以達成該預定處理速率。
  8. 如申請專利範圍第7項之達成蝕刻速率的方法，其中對該工作件進行處理包括了蝕刻該工作件或於該工作件上沉積材料。
  9. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該第二可變電路組件連接至該阻抗匹配電路的一電感器。
  10. 如申請專利範圍第9項之達成蝕刻速率的方法，其中該電感器連接至該電漿腔室。
  11. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該RF產生器連接至該第一及該第二可變電路組件。
  12. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該第一可變電路組件及第二可變電路組件其中每一者連接至該RF產生器之輸出端。
  13. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該第一可變電路組件連接至該第二可變電路組件。
  14. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該方法係用來處理半導體晶圓以製造積體電路。
  15. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中將該計算變數傳遞通過一電腦產生模型之步驟包含了計算一或更多變數與該計算變數之值的一方向性總和(directional sum)，該一或更多變數為該電腦產生模型的電路元件之特性。
  16. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該計算處理速率包含一蝕刻速率或一沉積速率，其中當該計算變數之達成促成了該計算處理速率之達成時，該計算處理速率與該計算變數之該值相關聯。
  17. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該預定處理速率包含一蝕刻速率或一沉積速率，其中當該預定變數之達成促成了該預定處理速率之達成時，該預定處理速率與該預定變數相關聯。
  18. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該預定變數包含一阻抗。
  19. 如申請專利範圍第1項之達成蝕刻速率的方法，其中該實部為一常數，該常數不受該RF產生器之運作頻率改變的影響，且該第二部分係取決於該RF產生器之運作頻率。
  20. 一種主機控制器，包含： 一記憶元件，用以儲存一複變數； 一主機處理器，連接至該記憶元件，該主機處理器係用以： 接收與對一電漿腔室內的一工作件進行處理相關聯的一計算變數，該電漿腔室經由一射頻(RF)傳輸線連接至一阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路經由一RF纜線連接至一RF產生器； 將該計算變數傳遞通過一電腦產生模型以產生在該電腦產生模型之輸出端的該計算變數之值； 辨識與該計算變數之該值相關聯的一計算處理速率； 基於該計算處理速率而辨識欲達成的一預定處理速率； 基於該預定處理速率而辨識在該電腦產生模型之該輸出端的一預定變數； 辨識與該預定變數的一實部相關聯的一第一特性， 該第一特性屬於該阻抗匹配電路內的一第一可變電路組件； 發送一信號至該第一可變電路組件來達成該第一特性以進一步達成該預定變數的該實部； 辨識與該預定變數的一虛部相關聯的一第二特性，該第二特性屬於該阻抗匹配電路內的一第二可變電路組件；及 發送一信號至該第二可變電路組件來達成該第二特性以進一步達成該預定變數的該虛部。
  21. 如申請專利範圍第20項之主機控制器，其中該第一變數包含一複電壓及電流。
  22. 一種非暫態電腦可讀儲存媒體，該非暫態電腦可讀儲存媒體具有儲存於其上的一可執行程式，其中該程式指示一處理器執行以下操作： 接收與對一電漿腔室內的一工作件進行處理相關聯的一計算變數，該電漿腔室經由一射頻(RF)傳輸線連接至一阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路經由一RF纜線連接至一RF產生器； 將該計算變數傳遞通過一電腦產生模型以產生在該電腦產生模型之輸出端的該計算變數之值； 辨識與該計算變數之該值相關聯的一計算處理速率； 基於該計算處理速率而辨識欲達成的一預定處理速率； 基於該預定處理速率而辨識在該電腦產生模型之該輸出端的一預定變數； 辨識與該預定變數的一實部相關聯的一第一特性， 該第一特性屬於該阻抗匹配電路內的一第一可變電路組件； 發送一信號至該第一可變電路組件來達成該第一特性以進一步達成該預定變數的該實部； 辨識與該預定變數的一虛部相關聯的一第二特性，該第二特性屬於該阻抗匹配電路內的一第二可變電路組件；及              發送一信號至該第二可變電路組件來達成該第二特性以進一步達成該預定變數的該虛部。
  23. 如申請專利範圍第22項之非暫態電腦可讀儲存媒體，其中該第一變數包括一複電壓及電流。
TW103133992A 2013-10-01 2014-09-30 使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制 TWI668725B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/043,525 2013-10-01
US14/043,574 2013-10-01
US14/043,525 US9337000B2 (en) 2013-10-01 2013-10-01 Control of impedance of RF return path
US14/043,574 US9401264B2 (en) 2013-10-01 2013-10-01 Control of impedance of RF delivery path
US14/152,729 2014-01-10
US14/152,729 US9620334B2 (en) 2012-12-17 2014-01-10 Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201528322A true TW201528322A (zh) 2015-07-16
TWI668725B TWI668725B (zh) 2019-08-11

Family

ID=52793582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103133992A TWI668725B (zh) 2013-10-01 2014-09-30 使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102313223B1 (zh)
CN (1) CN104518753B (zh)
TW (1) TWI668725B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9720022B2 (en) * 2015-05-19 2017-08-01 Lam Research Corporation Systems and methods for providing characteristics of an impedance matching model for use with matching networks
KR102571772B1 (ko) * 2015-05-19 2023-08-25 램 리써치 코포레이션 매칭 네트워크 모델을 결정하도록 다양한 플라즈마 조건들을 적용하기 위해 복수의 유도성 픽스처 및 용량성 픽스처를 사용하기 위한 시스템들 및 방법들
US10386828B2 (en) * 2015-12-17 2019-08-20 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for etch profile matching by surface kinetic model optimization
KR102460246B1 (ko) * 2016-03-04 2022-10-27 램 리써치 코포레이션 단계적 방식으로 임피던스 매칭 네트워크를 튜닝하기 위한 시스템들 및 방법들
US10197908B2 (en) 2016-06-21 2019-02-05 Lam Research Corporation Photoresist design layout pattern proximity correction through fast edge placement error prediction via a physics-based etch profile modeling framework
US9978621B1 (en) * 2016-11-14 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Selective etch rate monitor
KR102080115B1 (ko) * 2016-11-24 2020-04-23 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치의 제어방법
US10572697B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Lam Research Corporation Method of etch model calibration using optical scatterometry
US11921433B2 (en) 2018-04-10 2024-03-05 Lam Research Corporation Optical metrology in machine learning to characterize features
WO2019199697A1 (en) 2018-04-10 2019-10-17 Lam Research Corporation Resist and etch modeling
US10977405B2 (en) 2019-01-29 2021-04-13 Lam Research Corporation Fill process optimization using feature scale modeling

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265831B1 (en) * 1999-03-31 2001-07-24 Lam Research Corporation Plasma processing method and apparatus with control of rf bias
US6528751B1 (en) * 2000-03-17 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma
KR100708313B1 (ko) * 2002-10-31 2007-04-17 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US7795153B2 (en) * 2003-05-16 2010-09-14 Applied Materials, Inc. Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters
CN101297480B (zh) * 2005-10-31 2012-08-08 Mks仪器股份有限公司 用于向动态负载传递功率的系统和方法
US20080179948A1 (en) * 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
KR100915613B1 (ko) * 2007-06-26 2009-09-07 삼성전자주식회사 펄스 플라즈마 매칭시스템 및 그 방법
JP2011525682A (ja) * 2008-05-14 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｒｆ電力供給のための時間分解チューニングスキームを利用したパルス化プラズマ処理の方法及び装置
JP5632626B2 (ja) * 2010-03-04 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 自動整合装置及びプラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150039125A (ko) 2015-04-09
KR102313223B1 (ko) 2021-10-15
TWI668725B (zh) 2019-08-11
CN104518753A (zh) 2015-04-15
CN104518753B (zh) 2018-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10381201B2 (en) Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match
TW201528322A (zh) 使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制
US20190318919A1 (en) Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match
US10707056B2 (en) Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system
US9652567B2 (en) System, method and apparatus for improving accuracy of RF transmission models for selected portions of an RF transmission path
US10340127B2 (en) Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system
US20160189937A1 (en) Determining a value of a variable on an rf transmission model
US9620337B2 (en) Determining a malfunctioning device in a plasma system
US20160117425A1 (en) System, Method and Apparatus for Refining RF Transmission System Models
JP6465579B2 (ja) チャンバ内整合及びチャンバ間整合のための、複数パラメータを使用したエッチング速度モデル化及びその使用
KR102223863B1 (ko) 이중 제어 모드
JP2014195044A5 (zh)
CN108447759B (zh) 使用模型确定与等离子体系统关联的离子能量的方法和系统
JP6055537B2 (ja) プラズマ処理方法
JP2015029093A5 (zh)
TWI639182B (zh) 電漿蝕刻腔室中之rf功率補償用系統、方法、及設備
TWI650563B (zh) 用於虛擬量測之電纜功率損失決定
TW201511075A (zh) 將電漿系統內之模型加以分段
TWI784989B (zh) 基於電漿系統狀態使用變數的電漿系統及控制變數的方法及電腦系統