TW201423109A - 具抗沾黏表面之測試探針及其組成之探針座裝置 - Google Patents
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Abstract
揭示一種具抗沾黏表面之測試探針及其組成之探針座裝置，在探針表面形成有以碳離子轟擊並植入之無晶碳鍍膜，而為一同時具有石墨鍵結與鑽石鍵結之類鑽碳結構。使用波長633nm之雷射光進行拉曼散射分析鑽石鍵結時，在拉曼位移1330 cm-1附近之峰值強度ID1與拉曼位移1550 cm-1附近之峰值強度IG1之原始峰值強度比值(ID1/IG1)符合小於0.45之關係，當參雜有誘導電元素，有誘導電元素之峰值強度比值與原始峰值強度比值之比例符合介於1~3之關係而具有優良的抗沾黏特性。
Description
本發明係有關於探針座裝置，特別係有關於一種具抗沾黏表面之測試探針以及由單數或複數測試探針組成之探針座裝置。
半導體積體電路、封裝電路板、光電半導體在檢查元件電性時皆需要使用測試探針來接觸電極之金屬表面，以分辨待測試物是否能正常運作。在積體電路晶片程度的測試中，有晶片測試(CP,chip probing)與封裝後最終測試(FT,final test)兩種，常見使用懸臂水平式探針卡或垂直式探針卡兩種，晶片測試中以測試探針之端部頭接觸鋁墊方式進行電性測試。晶片經過在電路板等基板上封裝製程之後以形成電子零件半成品或成品，而封裝後最終測試中係以彈簧探針接觸在銲錫上進行測試。此外，光電半導體例如發光二極體及雷射二極體及其他高速元件，在裸晶及封裝後需要以彎曲的測試探針接觸測試。不同種類或不同階段的電子零件會有不同的被測試表面，如有鋁墊、金墊、銅墊、錫球等等，也因而，也有不同設計的測試探針作對應變化，測試探針之端部頭有尖頭、平頭、皇冠等等形狀，常見地測試探針之材質或表面有電鍍金、鈹銅合金、鈀合金、鎢、錸鎢等等。近年來，為了配合積體電路微小化，高速化以及高頻率，以微機電製程(MEMS)製作的探針也不斷的發展。
探針接觸時，針尖會穿過氧化物深入被測物表面以達到良好的接觸，當探針反覆多次測試後，會刮起被測物的表面材料，並沾黏在針尖上，當沾黏之金屬材料被氧化時，則產生增大電阻，而使得測試品質變差或誤測，影響測試良率。實際操作上，若測試結果無法判定真假，會採取重新測試作法。習知為了解決此一問題，多半在測試時設計探針清潔機制，有以化學溶劑、毛刷、研磨等方法，故增加小重測以及探針清潔的頻率，並且造成測試探針耐久性的使用時間縮短、以及測試機台的使用稼動率下降等等問題。
第1圖繪示習知測試探針頭應用於晶圓測試時之產生沾黏之示意圖。習知測試探針30經組裝為所需的探針座裝置，其探針表面係形成有一抗沾黏金屬鍍膜31，其材質常見為鉑合金或電鍍金屬，其厚度介於1~3 um，使得習知測試探針30能用以多次探觸待測物電極40，例如一晶圓41上的鋁銲墊。當探觸次數到達一定次數時，即使有該抗沾黏金屬鍍膜31，習知測試探針30之探針表面亦會沾黏有由該待測物電極40刮出之沾黏物42或其他殘渣並隨著處理時間而氧化，造成習知測試探針30之阻抗值增加。由第5圖可見，習知測試探針30之可探觸上限次數為5萬次，當超過可探觸上限次數，習知測試探針30之阻抗值便會急遽增加，導致超過阻抗上限規格(100 mΩ)。並且，以習知測試探針30探觸該待測物電極40，該待測物電極40會有較大的點測痕跡，這表
示更多的沾黏物42是由該待測物電極40刮出並沾黏於習知測試探針30。
歸納上述討論，習知測試探針頭因為沾黏問題有如下幾個問題(1)電性誤判造成良率下降，(2)探針耐久性不佳，增加探針維護或採購成本，(3)測試機台使用稼動率不佳，增加製造成本。為了克服這些問題，近年來，鍍膜探針被提出解決方案，例如有機高分子材料鍍膜，然而有機材料不具耐磨以及耐溫性質，使得清潔探針時以及高電流產生的高溫問題時鍍膜容易損傷。另外，有機高分子材料鍍膜的電阻值太高會影響電子元件的測試準確性。也有業者提出鈀合金鍍膜，然而其抗沾黏特性不佳，且鍍膜成本高。
為了解決上述之問題，本發明之主要目的係在於提供一種具抗沾黏表面之測試探針及其組成之探針座裝置，該探針經表面處理使鍍膜產生無晶相鑽石鍵結，可兼具耐磨、低接觸阻抗、不易沾黏的特性，使得測試探針的使用能夠達到長時效的穩定電阻值，進而達到本發明以下功效：(1)減少電性良率的損失。(2)增加測試探針的耐久性。(3)降低探針製造成本與探針清潔處理頻率。
本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。本發明揭示之一種具抗沾黏表面之測試探針，其探針表面係形成有一無晶碳鍍膜，其特徵在於，該無晶碳鍍膜係為一同時具有石墨鍵結(sp2)與鑽石鍵
結(sp3)之類鑽碳結構，使用波長633nm之雷射光進行拉曼散射分析該類鑽碳結構之鑽石鍵結時，在拉曼位移1330 cm-1附近係具有一第一峰值強度ID1以及拉曼位移1550 cm-1附近係具有一第二峰值強度IG1，當該無晶碳鍍膜未參雜金屬時，該第一峰值強度ID1與該第二峰值強度IG1之第一峰值強度比值(ID1/IG1)係符合小於0.45之關係。本發明另揭示一種探針座裝置，其係組合一或一個以上之上述測試探針。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。
在前述之測試探針中，該無晶碳鍍膜係可為一以碳離子轟擊並植入該探針表面以鑽石鍵結之部分或全部取代探針原表面原子之置換層。
在前述之測試探針中，該無晶碳鍍膜之厚度係小於500 nm。
在前述之測試探針中，該無晶碳鍍膜之厚度係可更小於100 nm。
在前述之測試探針中，該類鑽碳結構係可參雜有m%之誘導電元素，使用波長633nm之雷射光進行拉曼散射分析該類鑽碳結構之鑽石鍵結時，在拉曼位移1330 cm-1附近係具有一第三峰值強度ID2以及拉曼位移1550 cm-1附近係具有一第四峰值強度IG2，該第三峰值強度ID2與該第四峰值強度IG2之第二峰值強度比值(ID2/IG2)係符合第二峰值強度比值除以第一峰值強度比值係符合介
於1~3之關係。
在前述之測試探針中，上述m%之誘導電元素係可介於1~30 wt%。
在前述之測試探針中，該無晶碳鍍膜係可為一以鑽石鍵結之部分或全部取代探針原表面原子之置換層，其係由以陰極電弧激發含金屬的石墨靶材使其產生高速動能的碳離子與金屬離子轟擊並植入該探針表面。
在前述之測試探針中，所述的誘導電元素係可選自於元素週期表中IB、IIB、IVB、VB、VIB、VIIB所列族群之其中之一。
在前述之測試探針中，該誘導電元素係可選自於銅、硼、鎢與鉬所構成群組之其中之一。
在前述之測試探針中，該誘導電元素係可為硼。
在前述之測試探針中，該無晶碳鍍膜係可為一物理真空沉積膜，其係為以包含誘導電元素之碳離子沉積於該探針表面以形成非晶相之鑽石鍵結，該碳離子係取自於一石墨靶材。
在前述之測試探針中，該測試探針之探針材質係可為鈹銅合金、鈀合金、鎢、碳化鎢或錸鎢，該測試探針表面可有金電鍍膜包覆。
以下將配合所附圖示詳細說明本發明之實施例，然應注意的是，該些圖示均為簡化之示意圖，僅以示意方法來說明本發明之基本架構或實施方法，故僅顯示與本案
有關之元件與組合關係，圖中所顯示之元件並非以實際實施之數目、形狀、尺寸做等比例繪製，某些尺寸比例與其他相關尺寸比例或已誇張或是簡化處理，以提供更清楚的描述。實際實施之數目、形狀及尺寸比例為一種選置性之設計，詳細之元件佈局可能更為複雜。
依據本發明之一具體實施例，一種具抗沾黏表面之測試探針舉例說明於第2圖應用於半導體測試之示意圖。在本實施例中，該測試探針10係可為一皇冠型探針頭，其針端具有複數個抓爪12，在不同應用中，該測試探針10之針端亦可為尖頭、圓頭或平頭。該測試探針10之探針表面係形成有一無晶碳鍍膜11。在形成該無晶碳鍍膜11之前，該測試探針10之探針表面係可為一金電鍍膜13或鈹銅合金、鈀合金、鎢或錸鎢之底材。該測試探針10之本體係為傳統探針或可由微機電製程(MEMS)製作之高參雜矽或金屬材質。本發明之特徵在於，該無晶碳鍍膜11係為一同時具有石墨鍵結(sp2)與鑽石鍵結(sp3)之類鑽碳結構。該類鑽碳結構的碳原子之間係交錯著石墨鍵結與鑽石鍵結並為非晶相(amorphous)，其中石墨鍵結與鑽石鍵結之非晶相組合能防止由該無晶碳鍍膜11由探針表面脫落，而石墨鍵結理論上有助薄膜的低摩擦性質而抗沾黏。該無晶碳鍍膜11之厚度係可小於500 nm。更具體地，該無晶碳鍍膜11之厚度係可更小於100 nm。
如第3圖所示，使用波長633nm之雷射光進行拉曼
散射分析該類鑽碳結構之鑽石鍵結時，在拉曼位移1330 cm-1附近係具有一第一峰值強度ID1以及拉曼位移1550 cm-1附近係具有一第二峰值強度IG1。拉曼光譜是用來研究晶格及分子的振動模式的一種分光技術。收集拉曼散射信號而得到的光譜，其波長位移與散射分子的結構有關。將該類鑽碳結構以拉曼光譜來分析，經由高斯分佈函數拆解，可以看到兩個吸收峰，一個是在1550 cm-1附近出現的G(Graphitic)band，另一個是在1330 cm-1附近出現的D(Disorder)band，其峰值強度為積分強度。
因此，當該無晶碳鍍膜11未參雜金屬時，該第一峰值強度ID1與該第二峰值強度IG之第一峰值強度比值(ID1/IG1)係符合小於0.45之關係。在本實施例中，第一峰值強度ID1約為1400，第二峰值強度IG1約為3200，第一峰值強度比值(ID1/IG1)係約為0.4375，故符合小於0.45的關係。當第一峰值強度比值(ID1/IG1)越小越趨近於0但非為零則表示該類鑽碳結構偏向四面體無晶碳結構，即鑽石鍵結增多，並經試驗得證有良好抗沾黏特性；當第一峰值強度比值(ID1/IG1)向上偏移時，表示該類鑽碳結構之石墨鍵結數量超過一限定值，將使得該無晶碳鍍膜11之結構石墨化。在本實施例中，該無晶碳鍍膜11係可為一以碳離子轟擊並植入該探針表面以鑽石鍵結之部分或全部取代探針原表面原子之置換層。產生碳離子的方法主要以物理真空沉積製程，例如陰極電弧(cathodic arc)(包含過濾式陰極電弧，FCVA)、雷射激發
(laser ablation)、濺射(sputtering)或離子濺射(ion-sputtering)等低溫製程。當該無晶碳鍍膜11之接觸阻值符合規格被接受的條件下(<100 mΩ)，則不需要參雜誘導電元素。
特別注意的是，本發明之類鑽碳結構並不相同習知純類鑽碳膜(DLC)，習知純類鑽碳膜(DLC)係以化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)方式通入甲烷(CH4)或乙快(C2H2)合成，其ID/IG之值通常介於1~3.0之間，其中ID/IG之值介於0.6~1.0的純類鑽碳膜通常以高解離度PVD完成。當ID/IG大於0.5時表示碳鍵結中石墨鍵結(sp2)高於50%，石墨鍵結的不當增加將會造成不穩定的潤滑特性。石墨鍵結的增加，意外的沒有達到所預期的穩定的低摩擦性質，故必然有依目前技術不為被知悉的其他因素影響著類鑽碳石墨化(sp2)與摩擦特性之間關係。
較佳地，該類鑽碳結構係可參雜有m%之誘導電元素，用以大幅地降低該無晶碳鍍膜11之電阻值，除了增加該測試探針10的接觸導電率，並增進該無晶碳鍍膜11對探針表面之附著力。其中，上述m%之誘導電元素係可介於1~30 wt%。當m%等於15 wt%時，該無晶碳鍍膜11之電阻值可降低至X~10-3 Ohm-cm，其中X<10，故能使該無晶碳鍍膜11成為良好的電導體，並且該無晶碳鍍膜11之摩擦係數測得低於0.08且特性穩定，故有穩定的低摩擦特性與具良好抗沾黏性質。所述的誘
導電元素係可選自於元素週期表中IB、IIB、IVB、VB、VIB、VIIB所列族群之其中之一。例如，該誘導電元素係可選自於銅、硼、鎢與鉬所構成群組之其中之一為最佳。其中，尤佳地，硼參雜對鑽石鍵結屬於有效的P型參雜，除了能有效降低電阻值，對鑽石鍵結中鑽石化的影響也最低。除了金屬石墨混合靶材的使用，硼參雜也可利用B(OCH)3之有機氣體通入真空腔完成製程。
如第4圖所示，使用波長633nm之雷射光進行拉曼散射分析該類鑽碳結構之鑽石鍵結時，在拉曼位移1330 cm-1附近係具有一第三峰值強度ID2以及拉曼位移1550 cm-1附近係具有一第四峰值強度IG2，該第三峰值強度ID2與該第四峰值強度IG2之第二峰值強度比值(ID2/IG2)係符合第二峰值強度比值除以第一峰值強度比值係符合介於1~3之關係。當該類鑽碳結構參雜的金屬原子比例太高時將會降低它的鑽石表面以及抗沾黏特性，故以1<((ID2/IG2)/(ID1/IG1))<3的條件限定之。試驗發現，當m%等於30 wt%時，第二峰值強度比值(ID2/IG2)約為1.2，約為第一峰值強度比值(ID1/IG1)之三倍值，此時該類鑽碳結構內部具有較多石墨鍵結(sp2)結構，相對並使得其內部之鑽石鍵結(sp3)被嚴重破壞，並且意外的沒有達到所預期的穩定的低摩擦性質。
當該類鑽碳結構係參雜有m%之誘導電元素，該無晶碳鍍膜11係可為一以鑽石鍵結之部分或全部取代探針原表面原子之置換層，其係由以陰極電弧激發含金屬的
石墨靶材使其產生高速動能的碳離子與金屬離子轟擊並植入該探針表面。具體製造方法係在真空腔中，製程溫度控制在攝氏150度以下，以防止鑽石鍵結的石墨化，並利用陰極電弧在參雜含銅金屬的石墨靶材亦可使用純石墨和金屬兩個獨立的靶材，在單/多靶材之表面上激發產生高速具有大於50eV動能的碳離子轟擊在探針表面，加速電壓為200到400伏特，激發電流大於1.5千安培，可增加鑽石化的程度以及加強附著力。真空壓力最低達10-5torr以下，工作電壓控制在10-3torr。其製程控制係直到該測試探針10之電鍍金表面均勻地形成小於100 nm的無晶碳鍍膜11，其表面鑽石鍵結經拉塞福分析約含有15 wt%的銅原子，此時該無晶碳鍍膜11之電阻值可降至約10-3Ohm-cm。
此外，該無晶碳鍍膜11係可為一物理真空沉積膜，其係為以包含誘導電元素之碳離子沉積於該探針表面以形成非晶相之鑽石鍵結，該碳離子係取自於一石墨靶材。參雜金屬於含鑽石鍵結鍍膜的另一方式是，除了使用純石墨靶材，在不影響離子能量以及溫度條件下在真空腔中通入有機金屬解離氣體。
因此，本發明提供之一種具抗沾黏表面之測試探針10及其組成之探針座裝置，其探針經表面處理使鍍膜產生無晶相鑽石鍵結，可兼具耐磨、低接觸阻抗、不易沾黏的特性，使得測試探針10的使用能夠達到長時效的穩定電阻值，進而達到本發明以下功效：(1)減少電性良率
的損失。(2)增加測試探針10的耐久性。(3)降低探針製造成本與探針清潔處理頻率。
在一具體試驗中，經由拉曼光譜之峰值分析，該無晶碳鍍膜11係為未含誘導電元素之類鑽碳結構時，具有D峰及G峰，分別位於拉曼位移1270~1320 cm-1附近與拉曼位移1480~1520 cm-1附近，D峰與G峰之個別訊號強度係標示為第一峰值強度ID1與第二峰值強度IG1。其中，第一峰值強度比值(ID1/IG1)係介於0.15~0.3。當該無晶碳鍍膜11係為含m%誘導電元素之類鑽碳結構時，D峰與G峰之個別訊號強度係標示為第三峰值強度ID2與第四峰值強度IG2。其中，m%誘導電元素係介於10~20 wt%，隨著在m%誘導電元素的增加，第二峰值強度比值(ID2/IG2)也呈現增加。而當m%誘導電元素係不大於15 wt%時，第二峰值強度比值(ID2/IG2)亦不大於1.0。如第5圖所示，實驗顯示，多個樣本(coated samples)經過測試探針10的重複測試，結果顯示符合接觸阻值規格穩定地可達50萬針次，未超出規格100 mΩ，這個結果顯示該測試探針10能有效降低鋁金屬氧化物沾黏問題，在探針測試製程亦可以有效地減少清潔探針次數，進而達到本發明的目的，故證第二峰值強度比值(ID2/IG2)越小則有越佳抗沾黏效果。
上表係為峰值強度比值與沾黏金屬特性相關比較表。
未含誘導電元素之無晶碳鍍膜11係具有第一峰值強度比值(ID1/IG1)，在0.15與0.32皆無沾黏之問題，並且符合小於0.45之關係；當參雜誘導電元素m%<6 wt%與m%<15 wt%時，含誘導電元素之無晶碳鍍膜11係具有第二峰值強度比值(ID2/IG2)，在0.89與0.95皆無沾黏之問題，與相同成份但未含誘導電元素之空白組之第一峰值強度比值比較下，符合介於1~3之關係；又當參雜誘導電元素20 wt%<m%<30 wt%時，含有誘導電元素之峰值強度比值(ID2/IG2)會呈現大幅變大因而造成抗沾黏特性下降。一旦含有誘導電元素之峰值強度比值(ID2/IG2)等於2.1時，此時第二峰值強度比值(ID2/IG2)與相同成份但未含誘導電元素之空白組之第一峰值強度比值比較下，將超過3，即使表示探針表面具有足夠的鑽石鍵結(即未含有誘導電元素之空白組之峰值強度比值(ID1/IG1)小於0.45)，但依然可能會沾黏被測物的金屬或金屬氧化物。
因此，本發明之具抗沾黏表面之測試探針10可運用於組成各式探針座裝置，兼具耐磨、低接觸阻抗、不易沾黏的特性。
如第6圖所示，本發明之具抗沾黏表面之測試探針10在應用上被組裝成習知用於封裝測試的彈簧探針治具，一測試連接座51(test socket)上組裝有一單/雙頭彈簧式探針52(pogo pin)，其係由一或兩個之該具抗沾黏表面之測試探針10以及一組金屬桶包覆的彈簧所組成。彈簧探針治具主要應用於半導體封裝測試階段，但是近年由於3D封裝技術的提升，具有本發明之具抗沾黏表面之測試探針10且結構雷同之彈簧式探針測試座也進一步應用到晶圓級封裝測試階段。該測試探針10具體可為具有鑽石化處理的皇冠型探針頭，用以接觸半導體晶圓、晶片或封裝產品中例如錫球、凸塊或接觸墊等之待測物電極20(如第1圖所示)。
依照不同的應用與需求，本發明之具抗沾黏表面之測試探針10可被組裝成為以下各式探針座裝置以因應半導體晶圓測試，光電或高頻元件測試等。如第7圖所示，本發明之具抗沾黏表面之測試探針10係被組裝成為一懸臂式探針卡，其係由一印刷電路板61(PCB)、一絕緣隔離裝置62及複數個上述具抗沾黏表面之測試探針10所組成，其中該些測試探針10通常是由環氧黏膠(epoxy)固定在如絕緣環之絕緣隔離裝置62上。
如第8圖所示，本發明之具抗沾黏表面之測試探針10被組裝成為垂直式探針卡，其係由一印刷電路板71(PCB)、一線路空間裝置72以及複數個成組之該具抗沾黏表面之測試探針10所組成，其中探針後端部分的彎
曲的設計，只需要能夠吸收點測時的接觸力，不限定於設定只能是弧形。另外，垂直式探針卡的探針尖端部分接觸測試物時與測試物平面垂直。
如第9圖所示，本發明之具抗沾黏表面之測試探針10被組裝成為簡單的探針座，所謂「簡單的探針座」通常指的是探針座上的探針所測量的電性訊號直接經由訊號線傳遞至測量儀器，係由一探針座本體81、一探針固定器82、以及一個或一個以上之上述具抗沾黏表面之測試探針10所組成。其中，四點探針由四個測試探針10並排組成一種簡單的探針座裝置。
總結上述，本發明之測試探針可應用於探觸被測試物的被接觸金屬，除了鋁金屬墊，針對其他軟性易沾黏的金屬，如金，銅或銅合金的接觸，具鑽石化處理披覆的探針頭皆能有效降低金屬沾黏問題，而達到接觸電阻穩定及長時間效能，進而減少製程清潔次數，而達到本發明目的。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本項技術者，在不脫離本發明之技術範圍內，所作的任何簡單修改、等效性變化與修飾，均仍屬於本發明的技術範圍內。
10‧‧‧具抗沾黏表面之測試探針
11‧‧‧無晶碳鍍膜
12‧‧‧抓爪
13‧‧‧金電鍍膜
20‧‧‧待測物電極
30‧‧‧習知測試探針
31‧‧‧抗沾黏金屬鍍膜
40‧‧‧待測物電極
41‧‧‧晶圓
42‧‧‧沾黏物
51‧‧‧測試連接座
52‧‧‧彈簧式探針
61‧‧‧印刷電路板
62‧‧‧絕緣隔離裝置
71‧‧‧印刷電路板
72‧‧‧線路空間裝置
81‧‧‧探針座本體
82‧‧‧探針固定器
第1圖：繪示習知測試探針頭應用於晶圓測試時之產生
沾黏之示意圖。
第2圖：依據本發明之一具體實施例，一種具抗沾黏表面之測試探針應用於半導體測試之示意圖。
第3圖：依據本發明之一具體實施例，該具抗沾黏表面之測試探針未含誘導電元素時之拉曼散射分析圖。
第4圖：依據本發明之一具體實施例，該具抗沾黏表面之測試探針在含誘導電元素時之拉曼散射分析圖。
第5圖：依據本發明之一具體實施例，習知測試探針與本發明具抗沾黏表面之測試探針兩者探觸次數與阻抗值比較圖。
第6圖：依據本發明之一具體實施例，一種探針座裝置具體為彈簧探針治具且包含本發明具抗沾黏表面之測試探針之示意圖。
第7圖：依據本發明之一具體實施例，一種探針座裝置具體為懸臂式探針卡且包含本發明具抗沾黏表面之測試探針之示意圖。
第8圖：依據本發明之一具體實施例，一種探針座裝置具體為垂直式探針卡且包含本發明具抗沾黏表面之測試探針之示意圖。
第9圖：依據本發明之一具體實施例，一種探針座裝置包含本發明具抗沾黏表面之測試探針之示意圖。
10‧‧‧具抗沾黏表面之測試探針
11‧‧‧無晶碳鍍膜
12‧‧‧抓爪
13‧‧‧金電鍍膜
20‧‧‧待測物電極
Claims (15)
- 一種具抗沾黏表面之測試探針，其探針表面係形成有一無晶碳鍍膜，其特徵在於，該無晶碳鍍膜係為一同時具有石墨鍵結(sp2)與鑽石鍵結(sp3)之類鑽碳結構，使用波長633nm之雷射光進行拉曼散射分析該類鑽碳結構之鑽石鍵結時，在拉曼位移1330 cm-1附近係具有一第一峰值強度ID1以及拉曼位移1550 cm-1附近係具有一第二峰值強度IG1，當該無晶碳鍍膜未參雜誘導電元素時，該第一峰值強度ID1與該第二峰值強度IG1之第一峰值強度比值(ID1/IG1)係符合小於0.45之關係。
- 依據申請專利範圍第1項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該無晶碳鍍膜係為一以碳離子轟擊並植入該探針表面以鑽石鍵結之部分或全部取代探針原表面原子之置換層。
- 依據申請專利範圍第2項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該無晶碳鍍膜之厚度係小於500 nm。
- 依據申請專利範圍第2項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該無晶碳鍍膜之厚度係小於100 nm。
- 依據申請專利範圍第1項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該類鑽碳結構係參雜有m%之誘導電元素，使用波長633nm之雷射光進行拉曼散射分析該類鑽碳結構之鑽石鍵結時，在拉曼位移1330 cm-1附近係具有一第三峰值強度ID2以及拉曼位移1550 cm-1 附近係具有一第四峰值強度IG2，該第三峰值強度ID2與該第四峰值強度IG2之第二峰值強度比值(ID2/IG2)係符合第二峰值強度比值除以第一峰值強度比值係符合介於1~3之關係。
- 依據申請專利範圍第5項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該無晶碳鍍膜係為一以碳離子轟擊並植入該探針表面以鑽石鍵結之部分或全部取代探針原表面原子之置換層，其係為一物理真空沉積膜，其係由含誘導電元素的石墨靶材或分別的純石墨靶材及金屬靶材使其產生高速動能的碳離子與誘導電元素離子轟擊並植入該探針表面以形成非晶相之鑽石鍵結，該碳離子係取自於一石墨靶材。
- 依據申請專利範圍第5項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該誘導電元素係可選自於元素週期表中IB、IIB、IVB、VB、VIB、VIIB所列族群之其中之一，更可選自於銅、硼、鎢與鉬所構成群組之其中之一。
- 依據申請專利範圍第5項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該誘導電元素係為硼。
- 依據申請專利範圍第1項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該無晶碳鍍膜係為一物理真空沉積膜，其係為以包含誘導電元素之碳離子沉積於該探針表面以形成非晶相之鑽石鍵結，該碳離子係取自於一石墨靶材。
- 依據申請專利範圍第1項之具抗沾黏表面之測試探針，其中該測試探針之探針材質係為一鈹銅合金、鈀合金、鎢、碳化鎢或錸鎢之底材，該測試探針表面可有電鍍膜包覆。該測試探針之本體係為傳統探針或由半導體微製程或微機電製程(MEMS)製作之高參雜矽或金屬材質。
- 一種探針座裝置，係包含至少一如申請專利範圍第1項所述之具抗沾黏表面之測試探針以及一結合治具，該結合治具係選自於一彈簧探針治具、一探針測試座、一懸臂式探針卡與一垂直式探針卡之其中之一之探針座主體。
- 依據申請專利範圍第11項之探針座裝置，其中該彈簧探針治具或該探針測試座係具有一單/雙頭彈簧式探針，其係由一或兩個之該具抗沾黏表面之測試探針以及一組金屬桶包覆的彈簧所組成。
- 依據申請專利範圍第11項之探針座裝置，其中該懸臂式探針卡係由一印刷電路板(PCB)、一絕緣隔離裝置以及複數個之該具抗沾黏表面之測試探針所組成。
- 依據申請專利範圍第11項之探針座裝置，其中該垂直式探針卡係由一印刷電路板(PCB)、一線路空間裝置以及複數個成組之該具抗沾黏表面之測試探針所組成。
- 依據申請專利範圍第11項之探針座裝置，其中該 探針座本體係以一或一個以上探針固定器結合該具抗沾黏表面之測試探針。
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