TW201411323A - 具有被動熱轉移之固態硬碟 - Google Patents

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Ron A Hopkinson
Derek J Yap
Eric A Knopf
William F Leggett
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Abstract

所揭示實施例係關於一種促進包括一模組之一系統中之導熱率的系統，該模組包含具有積體電路之一電路板，諸如一固態硬碟。該電路板之一側與一鄰近底板之間的一熱耦合材料用以增加該電路板與該底板之間的導熱率。此外，該模組可包括該底板與至少部分地環繞該電路板之一外殼之間的另一熱耦合材料，藉此增加該底板與該外殼之間的熱傳導。以此等方式，該底板及/或該外殼可用作減少與該等積體電路之操作相關聯之熱點的一熱轉移表面或熱散播器。

Description

具有被動熱轉移之固態硬碟 對相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C.§119(e)規定主張以下申請案之優先權：2012年6月7日申請的Jay S.Nigen、Ron A.Hopkinson、Derek J.Yap及Eric A.Knopf之題為「Solid-State Drive with Passive Heat Transfer」的美國臨時申請案第61/656,747號(代理人檔案號APL-P14991USP1)；及2012年6月8日申請的William F.Leggett、Richard H.Tan及Jay S.Nigen之題為「Thermal Coupling to a Wireless Communication Circuit Board」的美國臨時申請案第61/657,489號(代理人檔案號APL-P15188USP1)，該兩個申請案之內容以引用之方式併入本文中。
所描述實施例係關於用於使積體電路冷卻之技術。
固態硬碟為將資訊儲存於多個積體電路上的一類型之記憶體。舉例而言，積體電路可包括固態非揮發性記憶體，諸如快閃記憶體晶片或動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片。固態硬碟日益風行，此係因為不同於硬碟機，固態硬碟不含有移動部分，且因此更可靠，具有減少之功率消耗並產生較少雜訊。
然而，諸如反及(NAND)快閃器件之快閃記憶體晶片在重複的程式擦除循環之後容易受到記憶體磨損。詳言之，若超過程式擦除循環之指定的最大數目(諸如，1,000,000個程式擦除循環)，則所儲存資訊 可能遺失。可由於與在快閃記憶體晶片之操作期間產生之熱相關聯的溫度增加而加重此記憶體磨損。
更昂貴的基於DRAM晶片之固態硬碟提供減少之延時且不容易受到記憶體磨損。然而，DRAM晶片在操作期間亦產生熱。與此熱相關聯之溫度增加可不利地影響包括固態硬碟之電子器件中之其他組件。
更大體而言，積體電路之計算效能近年來已顯著增加。此增加之效能伴隨著功率消耗及相關聯之熱產生的增加。此外，此額外熱產生已使得更難以維持此等積體電路中之可接受操作溫度。
使包括無線通信電路之積體電路(其有時被稱作「無線通信積體電路」)冷卻可尤其具有挑戰性。此係因為此等積體電路常常封閉於電磁干擾屏蔽體內以減少干擾。
使無線通信積體電路冷卻之現有方法常常使用電磁干擾屏蔽體作為散熱片。因此，熱界面材料常常包括於電磁干擾屏蔽體與無線通信積體電路之間以增加其之間的導熱率。然而，存在對可經由此熱路徑遠離無線通信積體電路傳導之熱功率的限制，此可約束無線通信積體電路之效能。
所描述實施例中之一些實施例促進包括一模組之一系統中之導熱率，該模組具有具一頂表面及一底表面之一電路板及安置於該頂表面及該底表面上之積體電路。此外，該模組包括具有一頂表面及一底表面之一底板，該底板機械地耦接至該電路板之一邊緣。此外，一第一熱耦合材料機械地耦接至該電路板之該底表面及該底板之該頂表面。此第一熱耦合材料增加該電路板與該底板之間的一導熱率。
注意，該等積體電路可包括諸如快閃記憶體之記憶體。
另外，該第一熱耦合材料可包括一熱襯墊及/或一熱凝膠。
在一些實施例中，該模組包括封閉該電路板、該底板及該第一 熱耦合材料之一外殼。此外，該模組可包括機械地耦接至該底板之該底表面的一第二熱耦合材料。此第二熱耦合材料可包括一熱襯墊。另外，該外殼可封閉該電路板、該底板、該第一熱耦合材料及該第二熱耦合材料。
此外，該底板可由金屬製成。
另一實施例提供一種攜帶型電子器件。此攜帶型電子器件可包括一外殼及該模組。在該攜帶型電子器件中，該第二熱材料可機械地耦接至該底板之該底表面及該外殼，且可增加該底板與該外殼之間的一導熱率。
另一實施例提供一種用於轉移來自積體電路之熱的方法。在該方法期間，使用該第一熱耦合材料將熱自安置於一電路板之表面上的該等積體電路轉移至機械地耦接至該電路板之該邊緣的該底板，該第一熱耦合材料安置於該電路板與該底板之間，其中該第一熱耦合材料增加該電路板與該底板之間的該導熱率。接著，使用安置於該底板與該外殼之間的該第二熱耦合材料將熱自該底板轉移至包括該電路板、該等積體電路及該底板之該攜帶型電子器件的該外殼，其中該第二熱耦合材料增加該底板與該外殼之間的該導熱率。
額外的所描述實施例促進一第二模組中之導熱率，該第二模組具有具一頂表面及一底表面之一電路板及安置於該頂表面上之一積體電路。此外，該第二模組包括具有一頂表面之一第二電路板，該第二電路板機械地耦接至該電路板。此外，該電路板之該底表面與該第二電路板之該頂表面分開一間隙，且該電路板之該底表面與該第二電路板之該頂表面之間的該間隙中之一熱界面材料熱耦接該電路板與該第二電路板，使得將在該積體電路之操作期間產生之熱傳導至該第二電路板。
在一些實施例中，該第二模組包括一電磁干擾屏蔽體，該電磁 干擾屏蔽體安置於該電路板之該頂表面上且至少部分地封閉該積體電路。舉例而言，該電路板可包括一無線通信電路板。
或者，該積體電路可包括一固態記憶體。舉例而言，該電路板可包括一固態硬碟。
注意，該熱界面材料可包括：一發泡體、一熱凝膠、一熱襯墊、熱潤滑脂，及/或一彈性材料。
在一些實施例中，該第二模組包括安置於該電路板之該底表面上的組件，其中該熱界面材料之面向該電路板之該底表面的一表面包括預先壓縮區域，使得該熱界面材料之該表面與該電路板之該底表面之間的一接觸面積相對於無該等預先壓縮區域之一熱界面材料而增加。
另一實施例提供一種包括該第二模組之第二攜帶型電子器件。
另一實施例提供一種用於轉移來自一積體電路之熱的第二方法。在該第二方法期間，將由安置於該電路板之該頂表面上的該積體電路產生之熱轉移至該電路板之該底表面。接著，將該熱傳導至該第二電路板之一頂表面，該頂表面藉由該熱界面材料熱耦接至該電路板。注意，該電路板之該底表面與該第二電路板之該頂表面分開該間隙，且該熱界面材料在該電路板之該底表面與該第二電路板之該頂表面之間的該間隙中。
100‧‧‧模組
110‧‧‧電路板
112‧‧‧頂表面
114‧‧‧底表面
116‧‧‧積體電路
118‧‧‧底板
120‧‧‧頂表面
122‧‧‧底表面
124‧‧‧邊緣
126‧‧‧熱耦合材料
128‧‧‧選用之熱耦合材料
130‧‧‧選用之外殼
200‧‧‧攜帶型電子器件
210‧‧‧外殼
300‧‧‧用於轉移來自積體電路之熱的方法
400‧‧‧模組
410‧‧‧電路板
412‧‧‧頂表面
414‧‧‧底表面
416‧‧‧積體電路
418‧‧‧選用之電磁干擾(EMI)屏蔽體
420‧‧‧電路板
422‧‧‧頂表面
424‧‧‧邊緣
426‧‧‧間隙
428‧‧‧熱界面材料
430‧‧‧厚度
432‧‧‧厚度
434‧‧‧選用之組件
436‧‧‧表面
438‧‧‧選用之預先壓縮區域
440‧‧‧厚度
500‧‧‧攜帶型電子器件
528‧‧‧熱界面材料
600‧‧‧用於轉移來自積體電路之熱的方法
圖1為說明根據本發明之實施例的模組之側視圖之方塊圖。
圖2為說明根據本發明之實施例的攜帶型電子器件中的圖1之模組之側視圖的方塊圖。
圖3為說明根據本發明之實施例的用於轉移來自積體電路之熱的方法之流程圖。
圖4為說明根據本發明之實施例的模組之側視圖之方塊圖。
圖5為說明根據本發明之實施例的攜帶型電子器件中的圖1之模組之側視圖的方塊圖。
圖6為說明根據本發明之實施例的用於轉移來自積體電路之熱的方法之流程圖。
注意，相似參考數字貫穿圖式指代對應部分。此外，相同部分之多個例項係由藉由虛線與例項編號分開之共同字首指定。
圖1呈現說明模組100之側視圖之方塊圖。此模組包括具有頂表面112及底表面114之電路板110，及安置於頂表面112及底表面114上之積體電路116。舉例而言，積體電路116可包括記憶體，諸如快閃記憶體或動態隨機存取記憶體(DRAM)。因此，模組100可包括固態硬碟。更大體而言，模組100可包括另一類型之揮發性或非揮發性電腦可讀記憶體。
此外，模組100包括具有頂表面120及底表面122之底板118，底板118機械地耦接至電路板110之邊緣124。舉例而言，底板118可由金屬製成。此外，熱耦合材料126機械地耦接至底表面114及頂表面120。此熱耦合材料可增加電路板110與底板118之間的導熱率(其經定義為κ．A/L，其中κ為熱耦合材料126之導熱率，A為截面面積，且L為厚度)，使得底板118可用作積體電路116之熱轉移表面或熱散播器。舉例而言，熱耦合材料126可包括熱襯墊及/或熱凝膠。在例示性實施例中，熱凝膠為Gel 30(來自Chomerics North America of Woburn,Massachusetts)及/或熱襯墊為Gap Pad VO Ultra Soft(來自The Bergquist Company of Chanhassen,Minnesota)。
在一些實施例中，模組100包括至少部分地封閉電路板110、底板118及熱耦合材料126之選用之外殼130(諸如，由金屬或塑膠製成之外殼)。此外，模組100可包括機械地耦接至底表面122之選用之熱耦合 材料128。此選用之熱耦合材料可包括熱襯墊，諸如Gap Pad VO Ultra Soft。注意，選用之外殼130亦可部分地封閉選用之熱耦合材料128。
模組100可包括於電子器件(諸如，攜帶型電子器件)中。此情形展示於圖2中，圖2呈現說明攜帶型電子器件200中之模組100(圖1)之側視圖的方塊圖。詳言之，攜帶型電子器件200可包括外殼210及模組100。在攜帶型電子器件200中，熱耦合材料128可機械地耦接至底表面122及外殼210，且可增加底板118與外殼210之間的導熱率，使得外殼210可用作積體電路116之熱轉移表面或熱散播器。另外，熱耦合材料128可提供額外熱慣量或熱質量至電路板110及積體電路116。此熱慣量可減少在積體電路116之插話式操作(episodic operation)期間(諸如，在讀取或寫入操作期間)發生的電路板110及積體電路116之溫度增加。
藉由包括熱耦合材料126及/或128，可減少或消除攜帶型電子器件200中與在積體電路116之操作期間產生的熱相關聯之熱點。舉例而言，在攜帶型電子器件200之操作期間，與積體電路116相關聯之最大溫度可小於55 C。
攜帶型電子器件200可包括：儲存於選用之記憶體子系統中之一或多個程式模組或指令集(諸如，模組100)。此等指令集可由主機板(未展示)上之選用之處理子系統(諸如，一或多個處理器)執行。注意，一或多個電腦程式可構成一電腦程式機制。此外，選用之記憶體子系統中之各種模組中之指令可按以下語言來實施：高階程序語言、物件導向式程式設計語言及/或組合語言或機器語言。此外，程式設計語言可經編譯或解譯(例如，可組態或經組態)以待由選用之處理子系統執行。
在一些實施例中，此等電路、組件及器件中之功能性可實施於一或多個以下各者中：特殊應用積體電路(ASIC)、場可程式化閘陣列 (FPGA)及/或一或多個數位信號處理器(DSP)。此外，電路及組件可使用類比及/或數位電路之任何組合來實施，包括：雙極、PMOS及/或NMOS閘或電晶體。此外，此等實施例中之信號可包括具有大約離散值之數位信號及/或具有連續值之類比信號。另外，組件及電路可為單端式或差動式，且電源供應器可為單極或雙極。
攜帶型電子器件200可包括多種器件(其可包括記憶體)中之一者，該等器件包括：膝上型電腦、媒體播放器(諸如，MP3播放器)、器具、小筆記型電腦/迷你筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機、蜂巢式電話、網路器具、個人數位助理(PDA)、玩具、控制器、數位信號處理器、遊戲控制台、器件控制器、器具內之計算引擎、消費型電子器件、攜帶型計算器件、個人組合管理器及/或另一電子器件。
雖然攜帶型電子器件200用作前述論述中之說明，但在其他實施例中，模組100包括於電子器件(諸如，伺服器、桌上型電腦、大型電腦及/或刀鋒電腦)中。此外，替代被動熱轉移組件及/或材料可用於熱耦合材料126及/或128中。在一些實施例中，電路板110僅包括頂表面112上之積體電路116及/或熱耦合機構126係以對應於背表面114上之組件的空腔來加預應力，使得熱耦合機構126與背表面114之間的接觸面積得以最大化。此外，在一些實施例中，在圖2中在選用之熱耦合材料128與外殼210之間存在間隙，使得藉由經由間隙中之空氣進行之輻射或傳導將熱轉移至外殼210。
另外，該等組件中之一或多者可能不呈現於圖1及圖2中。在一些實施例中，前述實施例包括圖1及圖2中未展示之一或多個額外組件。又，儘管在圖1及圖2中展示單獨組件，但在一些實施例中，給定組件中之一些或全部可整合至其他組件中之一或多者中及/或可改變組件之位置。
現在描述可使用前述實施例執行的方法之實施例。圖3呈現說明 用於轉移來自積體電路(諸如，模組100(圖1)中之積體電路)之熱的方法300之流程圖。在該方法期間，使用第一熱耦合材料將熱自安置於電路板之表面上的積體電路轉移至機械地耦接至電路板之邊緣的底板(操作310)，該第一熱耦合材料安置於電路板與底板之間，其中第一熱耦合材料增加電路板與底板之間的導熱率。接著，使用第二熱耦合材料將熱自底板轉移至攜帶型電子器件(其包括電路板、積體電路及底板)之外殼(操作312)，該第二熱耦合材料安置於底板與外殼之間，其中第二熱耦合材料增加底板與外殼之間的導熱率。
在方法300之一些實施例中，可存在額外或較少操作。此外，可改變操作之次序，及/或可將兩個或兩個以上操作組合成單一操作。
現在描述用於無線通信積體電路之熱管理技術之實施例。圖4呈現說明模組400之側視圖的方塊圖。此模組包括具有頂表面412及底表面414之電路板410，及安置於頂表面412上之至少一積體電路416。舉例而言，積體電路416可包括無線通信積體電路，且電路板410可包括無線通信電路板。因此，在一些實施例中，積體電路416可至少部分地藉由選用之電磁干擾(EMI)屏蔽體418來封閉。或者，積體電路416可包括固態記憶體，諸如，快閃記憶體，動態隨機存取記憶體(DRAM)或，更大體而言，另一類型之揮發性或非揮發性電腦可讀記憶體。因此，電路板410可包括固態硬碟。
此外，模組400包括具有頂表面422之電路板420，電路板420機械地耦接至電路板410之邊緣424。電路板410之底表面414可與電路板420之頂表面422分開間隙426，且間隙426中之熱界面材料428可熱耦接電路板410及電路板420，使得將在積體電路416之操作期間產生的熱傳導至電路板420。電路板420中之接地平面及銅跡線接著可充當電路板110及積體電路116之散熱片。另外，熱界面材料428可提供額外熱慣量或熱質量至電路板410及積體電路416。此熱慣量可減少在積體 電路416之插話式操作期間(諸如，在讀取或寫入操作期間)發生的電路板410及積體電路416之溫度增加。
詳言之，熱界面材料428可增加電路板410與電路板420之間的導熱率(其經定義為κ．A/L，其中κ為熱界面材料428之導熱率，A為截面面積，且L為厚度)，使得電路板420可用作積體電路416之熱轉移表面或熱散播器。舉例而言，熱界面材料428可包括：發泡體、熱凝膠、熱襯墊、熱潤滑脂，及/或彈性材料。在例示性實施例中，熱凝膠為Gel 30(來自Chomerics North America of Woburn,Massachusetts)及/或熱襯墊為Gap Pad VO Ultra Soft(來自The Bergquist Company of Chanhassen,Minnesota)。
在一例示性實施例中，電路板410具有0.8mm之厚度430，間隙426具有1.6mm之厚度432，且電路板420具有1.0mm之厚度440。此外，在操作期間，積體電路416可具有大約3.5W之功率消耗。
在一些實施例中，模組400包括安置於電路板410之底表面414上的選用之組件434(諸如，電容器)，其中熱界面材料428之面向底表面414的表面436包括選用之預先壓縮區域438，使得表面436與底表面414之間的接觸面積相對於無選用之預先壓縮區域438之熱界面材料而增加。另外，選用之預先壓縮區域438可確保藉由熱界面材料428施加至選用之組件434之應力不超過電路板410之應變極限，使得選用之組件434不會與底表面414拆離。
模組400可包括於電子器件(諸如，攜帶型電子器件)中。此情形展示於圖5中，圖5呈現說明攜帶型電子器件500中之模組400(圖4)之側視圖的方塊圖。
藉由包括熱界面材料428，可減少或消除攜帶型電子器件500中與在積體電路416之操作期間產生的熱相關聯的熱點。舉例而言，在攜帶型電子器件500之操作期間，與積體電路416相關聯之最大溫度可 小於55 C。
攜帶型電子器件500可包括：儲存於選用之記憶體子系統中之一或多個程式模組或指令集(諸如，模組500)。此等指令集可由主機板(諸如，電路板420)上之選用之處理子系統(諸如，一或多個處理器)執行。注意，該一或多個電腦程式可構成一電腦程式機制。此外，選用之記憶體子系統中之各種模組中的指令可按以下語言來實施：高階程序語言、物件導向式程式設計語言及/或組合或機器語言。此外，程式設計語言可經編譯或解譯(例如，可組態或經組態)以待由選用之處理子系統執行。
在一些實施例中，此等電路、組件及器件中之功能性可實施於一或多個以下各者中：特殊應用積體電路(ASIC)、場可程式化閘陣列(FPGA)及/或一或多個數位信號處理器(DSP)。此外，電路及組件可使用類比及/或數位電路之任何組合來實施，包括：雙極、PMOS及/或NMOS閘或電晶體。此外，此等實施例中之信號可包括具有大約離散值之數位信號及/或具有連續值之類比信號。另外，組件及電路可為單端式或差動式，且電源供應器可為單極或雙極。
攜帶型電子器件500可包括多種器件(其可包括記憶體)中之一者，該等器件包括：膝上型電腦、媒體播放器(諸如，MP3播放器)、器具、次筆記型電腦/迷你筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機、蜂巢式電話、網路器具、個人數位助理(PDA)、玩具、控制器、數位信號處理器、遊戲控制台、器件控制器、器具內之計算引擎、消費型電子器件、攜帶型計算器件、個人組合管理器及/或另一電子器件。
雖然攜帶型電子器件500用作前述論述中之說明，但在其他實施例中，模組400包括於電子器件(諸如，伺服器、桌上型電腦、大型電腦及/或刀鋒電腦)中。此外，替代被動熱轉移組件及/或材料可用於熱界面材料528中。
另外，該等組件中之一或多者可能不呈現於圖4及圖5中。在一些實施例中，前述實施例包括圖4及圖5中未展示之一或多個額外組件。又，儘管在圖4及圖5中展示單獨組件，但在一些實施例中，給定組件中之一些或全部可整合至其他組件中之一或多者中及/或可改變組件之位置。
現在描述可使用圖4及圖5中之實施例執行的方法之實施例。圖6呈現說明用於轉移來自積體電路(諸如，模組400(圖4)中之積體電路)之熱的方法600之流程圖。在該方法期間，將由安置於電路板之頂表面上的積體電路產生之熱轉移至電路板之底表面(操作410)。接著，將熱傳導至第二電路板之頂表面，第二電路板藉由熱界面材料熱耦接至電路板(操作412)。注意，電路板之底表面與第二電路板之頂表面分開間隙，且熱界面材料在電路板之底表面與第二電路板之頂表面之間的間隙中。
在方法600之一些實施例中，可存在額外或較少操作。此外，可改變操作之次序，及/或可將兩個或兩個以上操作組合成單一操作。
在前述描述中，參考「一些實施例」。注意，「一些實施例」描述所有可能實施例之子集，但並不始終指定實施例之相同子集。
前述描述意欲使熟習此項技術者能夠製造並使用本發明，且在特定應用及其要求之情形下提供前述描述。此外，僅為說明及描述之目的呈現本發明之實施例的前述描述。前述描述不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之形式。因此，熟習此項技術之實踐者將顯而易見許多修改及變化，且在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，本文中界定之一般原理可應用於其他實施例及應用。另外，前述實施例之論述不意欲限制本發明。因此，本發明不意欲限制本發明。因此，本發明不意欲限於所展示之實施例，而應符合與本文中所揭示之原理及特徵一致的最廣泛範疇。
100‧‧‧模組
110‧‧‧電路板
112‧‧‧頂表面
114‧‧‧底表面
116‧‧‧積體電路
118‧‧‧底板
120‧‧‧頂表面
122‧‧‧底表面
124‧‧‧邊緣
126‧‧‧熱耦合材料
128‧‧‧選用之熱耦合材料
130‧‧‧選用之外殼

Claims (20)

  1. 一種模組，其包含：一電路板，其具有一頂表面及一底表面，其中積體電路安置於該頂表面及該底表面上；一底板，其具有一頂表面及一底表面，該底板機械地耦接至該電路板之一邊緣；及一第一熱耦合材料，其機械地耦接至該電路板之該底表面及該底板之該頂表面，其中該第一熱耦合材料增加該電路板與該底板之間的一導熱率。
  2. 如請求項1之模組，其中該等積體電路包括記憶體。
  3. 如請求項2之模組，其中該記憶體包括快閃記憶體。
  4. 如請求項1之模組，其中該第一熱耦合材料包括以下各者中之一者：一熱襯墊；及一熱凝膠。
  5. 如請求項1之模組，其進一步包含封閉該電路板、該底板及該第一熱耦合材料之一外殼。
  6. 如請求項1之模組，其進一步包含機械地耦接至該底板之該底表面的一第二熱耦合材料。
  7. 如請求項6之模組，其中該第二熱耦合材料包括一熱襯墊。
  8. 如請求項6之模組，其進一步包含封閉該電路板、該底板、該第一熱耦合材料及該第二熱耦合材料之一外殼。
  9. 如請求項1之模組，其中該底板為金屬。
  10. 一種用於轉移來自積體電路之熱的方法，其中該方法包含：使用一第一熱耦合材料將熱自安置於一電路板之表面上的該等積體電路轉移至機械地耦接至該電路板之一邊緣的一底板，該第一熱耦合材料安置於該電路板與該底板之間，其中該第一 熱耦合材料增加該電路板與該底板之間的一導熱率；及使用一第二熱耦合材料將熱自該底板轉移至包括該電路板、該等積體電路及該底板的一攜帶型電子器件之一外殼，該第二熱耦合材料安置於該底板與該外殼之間，其中該第二熱耦合材料增加該底板與該外殼之間的一導熱率。
  11. 如請求項10之方法，其中該等積體電路包括快閃記憶體。
  12. 如請求項10之方法，其中該第一熱耦合材料包括以下各者中之一者：一熱襯墊；及一熱凝膠。
  13. 如請求項10之方法，其中該第二熱耦合材料包括一熱襯墊。
  14. 一種模組，其包含：一電路板，其具有一頂表面及一底表面，其中一積體電路安置於該頂表面上；一第二電路板，其具有一頂表面，其中該第二電路板機械地耦接至該電路板，且其中該電路板之該底表面與該第二電路板之該頂表面分開一間隙；及一熱界面材料，其在該電路板之該底表面與該第二電路板之該頂表面之間的該間隙中，其中該熱界面材料熱耦接至該電路板及該第二電路板，使得將在該積體電路之操作期間產生的熱傳導至該第二電路板。
  15. 如請求項14之模組，其進一步包含一電磁干擾屏蔽體，該電磁干擾屏蔽體安置於該電路板之該頂表面上且至少部分地封閉該積體電路。
  16. 如請求項15之模組，其中該電路板包括一無線通信電路板。
  17. 如請求項14之模組，其中該積體電路包括一固態記憶體。
  18. 如請求項14之模組，其中該電路板包括一固態硬碟。
  19. 如請求項21之模組，其中該熱界面材料包括以下各者中之一 者：一發泡體，一熱凝膠，一熱襯墊，熱潤滑脂，及一彈性材料。
  20. 如請求項14之模組，其進一步包含安置於該電路板之該底表面上的組件，其中該熱界面材料之面向該電路板之該底表面的一表面包括預先壓縮區域，使得該熱界面材料之該表面與該電路板之該底表面之間的一接觸面積相對於無該等預先壓縮區域之一熱界面材料而增加。
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