TW201346691A - 偵測觸控之簡約系統及其電容式觸控偵測方法 - Google Patents

Abstract

一種觸控偵測系統，包含：觸控表面組以及至少一觸控警示產生器。觸控表面組位於觸控面板中，包含複數觸控表面。觸控警示產生器用以分別警示位於觸控表面中，至少一第一觸控表面以及一第二觸控表面其中之一或兩者上的一觸控動作。其中觸控警示產生器用以判斷第一觸控表面之第一觸控表面電容值，判斷第一觸控表面以及第二觸控表面之觸控物體電容值，以及計算第一觸控表面電容值以及觸控物體電容值間之差距，並據以產生第二觸控表面之觸控物體電容值之近似值。

Description

偵測觸控之簡約系統及其電容式觸控偵測方法

本發明是有關於一種觸控技術，且特別是有關於一種電容式觸控偵測之系統及方法。

根據維基百科，電容偵測為根據電容耦合效應偵測位置等之技術。

美國專利號碼7797115，發明人為Tasher等人，且名稱為「Time interval measurement for capacitive detection」的專利。

美國專利公開號US 20110216038，申請號13/042,965，且名稱為「Systems and methods for using capacitive surface for detecting multiple touch points」的專利。美國專利公開號US 20120262419，申請號13/533,618，在此代稱為「單層專利文件」，且名稱為「Systems and methods for detecting multiple touch points in surface-capacitance type touch panels」的專利。

由賽伯拉斯半導體(Cypress Semiconductor)公司的Ryan Seguine提出，於下述網頁可取得：eetimes.com/design/automotive-design/4016274/Capacitive-sensing -techniques-and-considerations-The-basics的「Capacitive sensing techniques and considerations-The Basics」的文件，具有以下的敘述：「電荷轉移、連續近似、△Σ(Sigma-delta)及交互電容量測法為...常用的電容偵測方法。」電荷轉移可被視為是普遍的方法，連續近似與△Σ是由其衍生而來。電荷轉移法亦被稱為電容切換法。

在本發明說明書中被提及的公開文件及專利文件，以及直接或間接引述的公開文件及專利文件係做為參考。此些公開文件及專利文件之內容與本案的專利性無關。

以下的詞彙及代號可根據先前技藝之文件的定義、說明書內容或由以下之內容所詮釋。

按鈕：觸控螢幕之一部份，與搭配觸控螢幕運作之一應用程式相關，且此應用程式係用以得知此觸控螢幕之部份是否被觸碰而非確切的觸碰發生點。通常按鈕為便於使用者操作會標示於螢幕上。在不包含按鈕的觸控螢幕應用中，與搭配觸控螢幕運作的應用程式需知道確切的觸碰發生點，且能精確到此觸控螢幕最佳的解析度。

觸控面板：觸控板或是軌跡板或是觸控螢幕，包含複數個導電形狀，通常會覆蓋觸控板或觸控螢幕所定義的平面。

觸控表面：一個導電形狀，在接觸到觸控物體的情形下會改變電容值。可作為電容按鈕。複數個觸控表面可形成電容性滑條(slider)、滑控式觸控面板或其他類似觸控機制。需注意的 是，任何幾何形狀都可應用於其上。

間距：一個元件中預先定義的初始點到下一個元件中預先定義的初始點的距離。

觸控警示產生器：任何可用以警示觸控表面上的觸控動作的裝置或系統。

觸控偵測器：用以測量一個或多個觸控表面的電容值的單元，例如取樣邏輯。

觸控表面之觸控物體電容：觸控表面電容值的改變，由觸控物體接觸觸控表面所引發。亦在此被稱為如附加電容值及電容值增量。

走線：傳輸線、電阻或其組合，以產生與觸控表面間或是與觸控表面及觸控感測器間的電性連結。

Rn：觸控表面Cn與觸控偵測器或與觸控表面Ck間的電阻值，根據其特性不同而定，其中n及k為指數，如1、2、3，且k=n-1。

Cn：觸控表面n或未被觸控的自電容，其中n為指數，如1、2、3。

△C：觸控表面或一組觸控表面之附加電容值(由同一觸控物體的觸控動作產生)。

△T：由例如Tasher專利第12圖(本說明書第6圖)所繪示的時間間隔測量方法所測得的時間間隔。

△TTC：在觸控偵測期間的△T。

△TCn：當Cn被觸控時的△T。

△TCnCk：當Cn及Ck分別被觸控時的△T，其中n及 k分別為指數，如1、2、3。

△CMn’：由Mn計算而得的△C，其中M為量測值，n為其指數，如1、2、3。

△C’：一般狀況計算而得的△C。

△Cn”：Cn的回復△C，其中n為指數，如1、2、3。

「大多數」一詞在此之意義係為「至少大多數」，例如可包含大多數或全部。

部份本發明的實施例之目的在藉由使單一觸控偵測器對應超過一個觸控表面進行偵測，以判斷是否第一觸控表面、第二觸控表面或是兩者均被觸控，進一步達到降低觸控面板的成本、空間及複雜度中，至少其中之一。此二觸控表面可連接至同一觸控偵測器，然而其中一觸控表面至觸控偵測器的走線，其電阻值遠高於另一者至觸控偵測器的走線的電阻值。此觸控偵測器可進行兩次量測，一為長時間量測，另一則為短時間量測，以使長時間量測中，兩個觸控表面(具有高電阻值及低電阻值者)均有反應，而在短時間量測中，僅有其中一個觸控表面反應。此二量測值間的差距可被計算，以僅用單一偵測器即產生兩個觸控表面的資訊。

部份本發明的實施例之目的在降低給定的觸控面板尺寸上，所需的觸控偵測器數目。

部份本發明的實施例之目的在提供一個對應感測多個觸控表面的觸控偵測器，且其中此偵測器與各觸控表面間的電阻值有明顯地不同。

在美國專利公開號US 20120262419(申請號13/533,618) 的單層技術中，描述了觸控表面的形狀及配置。舉例來說，交錯式的觸控表面，通常可使一個觸控物體觸控到一個以上的觸控表面。

「單層技術」一詞在此係欲包含美國專利公開號US 20120262419(申請號13/533,618)中所述的各種實施態樣的變形(系統、裝置、模組或方法)：單層技術實施例1：一種多點觸控偵測模組，包含：複數導電之觸控表面，分別連接至至少一走線，其中觸控表面是排列為數目大於二之複數觸控表面行，且各觸控表面行包含數目大於二之觸控表面，其中觸控表面於觸控表面行之複數對應位置形成複數交錯列，且觸控表面均位於單一導電物質層中。

單層技術實施例2：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，其中大部份觸控表面各具有第一維度長度及第二維度長度，且第一維度長度大於第二維度長度。

單層技術實施例3：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，其中大部份走線穿越於觸控表面間而非穿越觸控表面。

單層技術實施例4：如實施例2所述之多點觸控偵測模組，其中觸控表面具有複數平面軸且觸控表面係相交錯，以使至少大部份之觸控表面之平面軸間定義出一比例，其中比例之數量級等於依觸控表面定義之交錯級數目(staggering level)。

單層技術實施例5：如實施例2所述之多點觸控偵測模組，其中導電之觸控表面之交錯級數目滿足下列式子：0.6*{交錯級數目(stagger level)}<={列距(row pitch)}/{行距(column pitch)}<=1.8*{交錯級數目}。

單層技術實施例6：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，其中交錯列具有等於2之一交錯級數目。

單層技術實施例7：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，其中觸控表面為矩形。

單層技術實施例8：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，更包含：觸控偵測裝置，包含複數觸控偵測器以偵測觸控物與至少一導電之觸控表面間之觸控；以及一處理單元，與觸控偵測裝置相連接，以讀取觸控偵測裝置之複數自電容(self-capacitance)量測值並根據自電容量測值計算與觸控表面接觸之複數物體相對應之複數觸控位置。

單層技術實施例9：如實施例8所述之多點觸控偵測模組，其中處理單元對觸控偵測裝置產生之複數觸控量測值進行調整使觸控量測值分組依序產生，以使複數觸控面板元件間相容性耦合(capacitively coupled)者不同時被測量。

單層技術實施例10：如實施例8所述之多點觸控偵測模組，其中處理單元對至少一觸控偵測器讀數進行調整，以對觸控偵測器讀數中，相鄰之複數觸控面板元件間的複數已知容性耦合效應進行補償。

單層技術實施例11：如實施例8所述之多點觸控偵測模組，其中處理單元計算觸控位置更包含對根據形成複數線性陣列之觸控表面間之交錯排列可能產生之訊號失真(distortion)，藉由轉換與觸控表面相連接之觸控偵測器之複數讀數為由觸控表面切割出之複數虛擬平面之複數計算理論(computed theoretical) 電容讀數形成之讀數矩陣，以形成複數列非交錯平面來進行補償。

單層技術實施例12：如實施例8所述之多點觸控偵測模組，其中處理單元計算觸控位置更包含辨識複數觸控面板感測峰值位置。

單層技術實施例13：如實施例12所述之多點觸控偵測模組，其中辨識觸控面板感測峰值更包含尋找代表可能根據複數觸控動作產生之複數感測峰值位置以及執行峰值位置移除測試程序以濾除並非對應至真實之觸控動作的該等感測峰值位置。

單層技術實施例14：如實施例12所述之多點觸控偵測模組，更包含執行峰值位置分離程序。

單層技術實施例15：如實施例12所述之多點觸控偵測模組，其中辨識觸控面板感測峰值位置更包含計算分別對應至一特定峰值位置之複數座標，且座標分別沿x軸及y軸定義，計算等座標更包含：根據由鄰接於特定峰值位置之觸控偵測器產生之複數觸控偵測器讀數計算加權平均值，其中各觸控偵測器讀數對應之權重包含對應於x軸及y軸上之觸控偵測器中心座標。

單層技術實施例16：如實施例8所述之多點觸控偵測模組，其中處理單元計算觸控位置更包含辨識複數觸控面板感測峰值位置，且處理單元根據由觸控表面切割出之複數虛擬平面形成形成複數列非交錯平面來計算觸控面板感測峰值位置對應之x座標以及y座標，其中用以計算x座標之虛擬平面之第一列數大於用以計算x座標之虛擬平面之第一行數，用以計算y座標之虛擬 平面之第二行數大於用以計算y座標之虛擬平面之第二列數。

單層技術實施例17：如實施例16所述之多點觸控偵測模組，其中用以計算x座標及y座標之虛擬平面中，於峰值位置周圍之至少一幾乎鄰接虛擬平面僅在幾乎鄰接虛擬平面之表面值小於或等於峰值位置周圍之較直接鄰接虛擬平面之表面值時用以計算x座標及y座標。

單層技術實施例18：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，其中走線僅於觸控面板主動區的一側延伸至觸控面板主動區外且不於其他側延伸至觸控面板主動區外。

單層技術實施例19：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，其中走線中與各至少大部份觸控表面以對應主動區端點相連接者，是以非一直線之形式設置。其中非一直線之形式包含相連接之複數直線段。

單層技術實施例20：如實施例1所述之多點觸控偵測模組，其中走線中與各至少大部份觸控表面以對應主動區端點相連接者，是以一直線之形式設置。

單層技術實施例21：一多點觸控偵測方法，應用於觸控面板，包含：提供複數導電之觸控表面，分別連接至至少一走線，其中觸控表面是排列為數目大於二之複數觸控表面行，且各觸控表面行包含數目大於二之觸控表面，其中觸控表面於觸控表面行之複數對應位置形成複數交錯列，且觸控表面均位於單一導電物質層中；以及使處理單元根據自電容量測以計算與觸控面板接觸之 複數物體相對應之複數觸控位置。

單層技術實施例22：如實施例21所述之多點觸控偵測方法，其中大部份觸控表面各具有第一維度長度及第二維度長度，且第一維度長度大於第二維度長度。

單層技術實施例23：如實施例21所述之多點觸控偵測方法，其中走線穿越於觸控表面間而非穿越觸控表面。

單層技術實施例24：一種電腦程式產品，包含非揮發性電腦可讀取紀錄媒體，用以儲存電腦可讀取程式碼，電腦可讀取程式碼使多點觸控偵測模組執行一種多點觸控偵測方法，其中多點觸控偵測模組包含複數導電之觸控表面，分別連接至至少一走線，其中觸控表面是排列為數目大於二之複數觸控表面行，且各觸控表面行包含數目大於二之觸控表面，其中觸控表面於觸控表面行之複數對應位置形成複數交錯列，且觸控表面均位於單一導電物質層中，多點觸控偵測方法包含下列步驟：讀取複數自電容量測值並根據自電容量測值計算與觸控表面接觸之複數物體相對應之複數觸控位置；其中根據自電容量測值計算觸控位置之步驟更包含：由觸控表面切割出之複數虛擬平面，以形成複數列非交錯平面；以及藉由轉換與觸控表面相連接之觸控偵測器之複數讀數為虛擬平面之複數計算理論電容讀數形成之讀數矩陣，以對根據形成陣列之觸控表面間之交錯排列可能產生之訊號失真進行補償。

單層技術實施例25：如實施例24所述之電腦程式產 品，其中根據自電容量測值計算等觸控位置之步驟是由處理單元進行。

單層技術實施例26：如實施例21所述之多點觸控偵測方法，其中至少大部份觸控表面具有第一軸線以及長度大於第一軸線之第二軸線，當排除姆指或巨大單一物體時所偵測到之觸控偵測圖形顯示為沿第二軸線且具大斜率之長直線以及沿第一軸線之較短直線，峰值位置將被判斷為依據平行第二軸線之單一觸控表面行上之二相近觸控物體產生，而非依據單一觸控物體產生。

單層技術實施例27：如實施例13所述之多點觸控偵測模組，其中當至少一第一峰值位置鄰接至第二峰值位置且第二峰值位置之值高於第一峰值位置之值，第一峰值位置被濾除。

單層技術實施例28：如實施例8所述之多點觸控偵測模組，其中處理單元計算該等觸控位置更包含進行影像處理。

單層技術實施例29：如實施例8所述之多點觸控偵測模組，其中處理單元計算該等觸控位置更包含進行多項式逼近法。

部份本發明的實施例之目的在利用單一觸控偵測器，對各個由不同電性阻值連接的觸控表面偵測實施於其上的觸控動作。

部份本發明的實施例之目的在提供使用例如觸控偵測器及觸控表面之結構，且位於單一導電物質層上的觸控面板佈局。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在提供可偵測一個以上的觸控表面的觸控動作的單一觸控偵測器。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在進一步提供一個觸控面板，其佈局可支援可偵測一個以上的觸控表面的觸控動作的單一觸控偵測器。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在提供一個觸控面板，其特性在使單一偵測器可區別數個觸控表面，其包括至少以下部份之可區別特性：片電阻值Rs、觸控面板尺寸、觸控偵測方法、製程參數例如最小線寬及最小邊界寬度(cut width)以及走線佈局形式。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在進一步提供一個利用單層氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)的多點觸控方法，以實現可偵測由一個以上的觸控表面的觸控動作的單一觸控偵測器，其中觸控表面間可各由其電性阻值所區分。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供具有至少下列特性的裝置：具有兩行水平交錯的觸控表面，以使觸控表面較寬，並可以較少的數目覆蓋住觸控面板。

第二行C2的走線延伸至底部並與第一行C1在觸控面板邊緣，於軟性電路板(flexible Printed Circuit；FPC)或印刷電路板(Printed Circuit Board；PCB)上相接。

第二行C2的走線由交錯的列間或是兩個非交錯列間的交錯(zigzag)區經過。

對應第1c圖及第1d圖的圖樣模型。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供使用如上所述的觸控偵測器及觸控表面之結構，且位於單一導電 物質層上的觸控面板佈局。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其上的兩個觸控表面將連接至單一觸控偵測器。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其上的兩個以上的觸控表面將連接至單一觸控偵測器。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其兩個以上的偵測器將具有不同的時間間隔或時間常數。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其電阻具有不同數量級的大小，且整體系統更區分為數個小系統。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個不同的觸控面板，其係利用具有不可忽略的電阻值的物質來製造。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其包含利用透明導電物質實現的電容性觸控螢幕，且其走線的電阻值RTRACE是由等式XV所設定的走線寬度與長度而定。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其透明導電物質包含氧化銦錫，普遍具有範圍在10至800平方歐姆(Ω/Square)(數量級)的片電阻值Rs。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個方法，以使所需的控制器接腳數降低。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其係屬於下列的裝置群組：電容按鈕、軌跡桿(track point)、觸控面板、觸控板(軌跡板)、以行列陣列為基的自感電容觸控螢幕、電容式滑條、電容式滾輪(roller)，其包含可偵測一個以上的觸控表面的觸控動作的單一觸控偵測器。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其具有應用於至少部份之各觸控面板及至少部份之各量測過程的線性校正參數K11、K12、K21及K22，以產生並使用本文所述的等式IV及等式V。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其中此些校正參數是由電路模型所擷取出。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其中此些校正參數是由校正量測結果所擷取出。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其中此些校正量測結果是由電路模型利用模擬工具產生。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其中此些校正量測結果是由電路進行實際量測產生。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個校正過程，其包含以下的部份或所有步驟：

a.使C1及C2不被觸控。

b.進行短時間及長時間量測，並記錄結果。

c.僅觸控C1並重複步驟b。

d.僅觸控C2並重複步驟b。

e.觸控C1及C2並重複步驟b。

f.如需要，以不同的觸控物體重複步驟a至e。

設定校正參數K11、K12、K21及K22，以使所產生的物體附加電容值最符合其真實值。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個電容性偵測元件，其包含一觸控偵測器，透過不同的電性阻值連接至各觸控表面。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其觸控偵測器可對各觸控表面上的觸控動作強度進行評估。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其各電阻值間相差至少一個數量級。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個觸控偵測模組，其包含：數個觸控表面，由如單層氧化銦錫的物質形成，位於一絕緣表面上，並覆蓋一個觸控面板區，以偵測數個觸控物體的座標。

其中至少二觸控表面透過不同的電性阻值連接至單一觸控偵測器；且其中相連接的觸控表面與觸控偵測器形成一個偵測元件。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其各電阻值間相差至少一個數量級。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供 一個裝置，其觸控表面間的連接是位於觸控面板主動區中。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其觸控表面間是藉由位於觸控面板主動區外的金屬接橋連接。

根據本發明現揭露之標的之一目的，是在更進一步提供一個裝置，其中金屬接橋位於至少下列位置之一：面板邊緣、軟性電路板上或印刷電路板上。

本發明提供至少以下的實施例：實施例1：一種觸控偵測系統，包含：一觸控表面組，位於一觸控面板中，觸控表面組包含複數觸控表面；以及至少一觸控警示產生器，用以分別警示位於觸控表面中，至少一第一觸控表面以及一第二觸控表面其中之一或兩者上的一觸控動作；其中觸控警示產生器用以判斷第一觸控表面之第一觸控表面電容值，判斷第一觸控表面以及第二觸控表面之觸控物體電容值，以及計算第一觸控表面電容值以及觸控物體電容值間之差距，並據以產生第二觸控表面之觸控物體電容值之近似值。

實施例2：如實施例1所述之觸控偵測系統，其中第一及第二觸控表面分別透過第一電阻物以及第二電阻物連接於單一之觸控警示產生器，其中第二電阻物之第二電阻值大於第一電阻物之第一電阻值。

實施例3：如實施例1或2所述之觸控偵測系統，其中 觸控警示產生器用以於發生觸控時判斷第一觸控表面之第一觸控表面電容值，於發生觸控時判斷第一觸控表面以及第二觸控表面之觸控物體電容值，以及於發生觸控時計算第一觸控表面電容值以及觸控物體電容值間之差距，並據以產生第二觸控表面之觸控物體電容值。

實施例4：如實施例3所述之觸控偵測系統，其中觸控警示產生器用以於停止產生觸控時根據預先校正之至少一係數K校正第二觸控表面之觸控物體電容值之近似值。

實施例5：如實施例2所述之觸控偵測系統，其中各觸控表面與觸控警示產生器間之第一電阻值及第二電阻值相差至少一數量級。

實施例6：如前述所有之實施例所述之觸控偵測系統，其中觸控表面由置於絕緣表面上之單層物質形成，其中絕緣表面覆蓋觸控面板區域。

實施例7：如實施例2或5所述之觸控偵測系統，其中第一電阻值及第二電阻值至少其中之一的至少一部份阻值係由複數走線其中之一提供，且各走線用以連接至少其中之一觸控表面以及觸控警示產生器。

實施例8：如實施例7所述之觸控偵測系統，其中觸控表面組定義觸控面板主動區，且其中各用以連接至少其中之一觸控表面以及觸控警示產生器之走線係設置於觸控面板主動區內。

實施例9：如實施例7或8所述之觸控偵測系統，其中各用以連接至少其中之一觸控表面以及觸控警示產生器之走線包含透明導體。

實施例10：如實施例7或8或9所述之觸控偵測系統，其中觸控表面組包含形成陣列之觸控表面，且陣列具有垂直長度，觸控表面排列為複數行及複數列，走線係互不交錯，以建構單層觸控面板；其中至少二觸控表面形成之複數觸控表面群組中之至少一部份，係串聯至單一之觸控警示產生器；觸控表面群組各包含位於第一列之至少一第一觸控表面以及位於第一列鄰近之一列的第二觸控表面。

實施例11：如實施例10所述之觸控偵測系統，其中第二觸控表面至第一觸控表面之垂直距離，係小於垂直長度之三分之二，以降低觸控表面間之干擾。

實施例12：如實施例2或5或7-9所述之觸控偵測系統，其中各觸控表面與觸控警示產生器間之電阻值互相相差至少兩倍。

實施例13：如實施例7或8或9所述之觸控偵測系統，其中第一觸控表面以及第二觸控表面分別透過第一走線以及第二走線連接至單一之觸控警示產生器，第一觸控表面以及第二觸控表面間之電阻值差係由第一走線及第二走線間之長度差距產生。

實施例14：如實施例7或8或9或13所述之觸控偵測系統，其中第一觸控表面以及第二觸控表面分別透過第一走線以及第二走線連接至單一之觸控警示產生器，第一觸控表面以及第二觸控表面間之電阻值差係由第一走線及第二走線間之寬度差距產生。

實施例15：如實施例12所述之觸控偵測系統，其中第二走線係往復至少一次。

實施例16：如實施例3或4所述之觸控偵測系統，其中連接至同一觸控警示產生器之觸控表面更包含一第三觸控表面，且觸控警示產生器用以判斷第一觸控表面、第二觸控表面及第三觸控表面之觸控物體電容值，以計算第一觸控表面、第二觸控表面以及第三觸控表面間之觸控物體電容值之差距以及第一觸控表面以及第二觸控表面之第一觸控表面電容值以及第二觸控表面電容值，以產生第三觸控表面之觸控物體電容值之近似值。

實施例17：如實施例2或5或7-9或12所述之觸控偵測系統，其中觸控警示產生器係用以判斷不同之複數時間間隔中之複數電容值，以使觸控表面之不同之複數子集合參與判斷之過程，包含僅有第一觸控表面參與之第一電容判斷程序，以及時間較第一電容判斷程序為長且第一觸控表面及第二觸控表面均參與的第二電容判斷程序，其中第一觸控表面透過第一電阻物連接於觸控警示產生器。

實施例18：如請求項17所述之觸控偵測系統，其中連接至同一觸控警示產生器之觸控表面更包含第三觸控表面，且觸控警示產生器用以進行時間較第二電容判斷程序為長且第一觸控表面、第二觸控表面以及第三觸控表面均參與的第三電容判斷程序，且其中第二電容判斷程序為僅有第一觸控表面及第二觸控表面參與。

實施例19：如所有前述之實施例所述之觸控偵測系統， 其中觸控警示產生器用以根據時間間隔量測進行電容值之判斷，且不同之複數電流係應用於不同之觸控表面。

實施例20：如所有前述之實施例所述之觸控偵測系統，其中觸控警示產生器用以根據電荷轉移技術進行電容值之判斷。

實施例21：如實施例11所述之觸控偵測系統，其中各觸控表面與觸控警示產生器間之電阻值互相相差至少一個數量級。

實施例22：如實施例7或8或9或13或14所述之觸控偵測系統，其中至少部份成對，且串聯至單一之觸控警示產生器的第一觸控表面及第二觸控表面中，當第一觸控表面至觸控警示產生器之第一走線距離較第二觸控表面至觸控警示表面之第二走線距離為長時，第一電阻值至少為第二電阻值之兩倍。

實施例23：如實施例4所述之觸控偵測系統，其中至少一係數K係由至少一電路模型及校正量測結果擷取出。

實施例24：如實施例4或23所述之觸控偵測系統，其中至少一係數K包含各觸控面板進行長時間電容量測及短時間電容量測之至少一線性校正係數。

實施例25：一種觸控偵測方法，包含：提供位於觸控面板中之觸控表面組，觸控表面組包含複數觸控表面；以及提供至少一觸控警示產生器，用以分別警示位於觸控表面中，至少一第一觸控表面以及一第二觸控表面其中之一或兩者上的觸控動作；其中觸控警示產生器用以判斷第一觸控表面之第一觸 控表面電容值，判斷第一觸控表面以及第二觸控表面之觸控物體電容值，以及計算第一觸控表面電容值以及觸控物體電容值間之差距，並據以產生第二觸控表面之觸控物體電容值之近似值。

實施例26：如實施例3或4或23或24所述之觸控偵測系統，其中觸控警示產生器用以根據預先校正之至少一係數K校正第二觸控表面之觸控物體電容值之近似值，進一步校正觸控表面於發生觸控時以及停止產生觸控時，觸控物體電容值的差距之差距近似值。

本發明亦提供一個電腦程式，包含電腦程式碼，以執行任何所述及所示的方法，其中電腦程式碼可運作於電腦內；以及一電腦程式碼產品，包含一普遍的非揮發性電腦可用或可讀取媒體，例如非揮發性電腦可用或可讀取儲存媒介，具有內嵌之一電腦可讀取程式碼，此電腦可讀取程式碼可被執行以實現任何所述及所示的方法。需注意的是，任何或全部所述及所示的計算步驟可由電腦實現。根據本發明內容所教示的運作方式可由為特殊目的建構的電腦，或具有為特別目的建構的電腦程式的通用電腦所執行，其中此電腦程式儲存於普遍的非揮發性電腦可用或可讀取儲存媒介中。

任何合適的處理器、顯示器及輸入裝置可用以處理、顯示(如於一電腦螢幕或其他電腦輸出裝置)、儲存及接收任何本發明所述之方法與裝置所使用或所產生的資料。上述的處理器、顯示器及輸入裝置包含根據本發明部份或所有實施例中所述的電腦程式。上述的「處理」意指包含對資料進行任何形式的計算、運用或轉換，此資料可以物理現象如電子表現，並發生或儲存於 如電腦的暫存器及/或記憶體中。上述的「處理器」意指包含單處理器單元或是複數分散式或遠端處理單元。

本發明的裝置根據本發明部份實施例可包含機器可讀取記憶體包含或儲存程式指令，當由機器執行時可實現本發明所述的部份或全部的裝置、方法、特徵及功能。本發明的裝置根據本發明部份實施例可另包含或是額外包含以任何習知程式語言撰寫的上述程式碼，並選擇性地包含一個執行上述程式碼的機器，例如但不限於一個通用電腦，可選擇性地根據本發明教示的內容建構或驅動。任何本發明的教示內容在合適的情形下以不同的實體物質產生的訊號運作。

上述的實施例與其他實施例將在下個段落中有更詳細的敘述。

任何本文中的文字及圖式中出現的商標為其擁有者所有，並僅為了解釋或描述本發明的實施例如何實現而出現。

本發明為求清楚，可能會以專指特定程式語言、作業系統、瀏覽器、系統版本、特殊產品等的術語進行描述。需注意的是，此術語僅是為了清楚而簡短地表達一般的運作原則，而非用以將本發明的範圍限制在特定的程式語言、作業系統、瀏覽器、系統版本或特殊產品上。

各種於此列出的元件不必然各為獨立的元件，而可能是屬於同一結構。

任何合適的輸入裝置，例如但不限於一偵測器，可用以產生或提供本發明所述的方法或裝置接收到的資料。任何合適的輸出裝置或顯示器可用以顯示或輸出本發明所述的方法或裝置 接產生的資料。任何合適的處理器可用以計算或產生本發明所述的資料，如提供一個或多個模組以執行所述的功能。任何合適的電腦資料儲存裝置如電腦記憶體可用以儲存所述的系統所產生或接收的資料。所述的功能可以分配至伺服器電腦以及數個用戶端電腦。所述的這些或任何其他電腦元件可在其間藉由合適的電腦網路彼此進行溝通。

1-7‧‧‧步驟

10、20、30、35、40、80、90‧‧‧步驟

50a、50b、51a、51b‧‧‧步驟

102、104、106、160‧‧‧步驟

240a、240b、240c、240d‧‧‧步驟

602、604、606、608、610、612‧‧‧時序圖

614、616、618、620、626‧‧‧時間

部份本發明的實施例繪示於以下的圖式中：第1a圖為本發明一實施例之方塊圖，其中數個觸控表面連接至單一觸控偵測器。

第1b圖為第1a圖繪示的方塊模型圖的簡化電路模型。

第1c圖為本發明另一實施例中之方塊圖，其中數個觸控表面連接至單一觸控偵測器。

第1d圖為第1c圖繪示的方塊模型圖的簡化電路。

第2a圖為本發明另一實施例中之方塊圖，其中兩個觸控表面連接至單一觸控偵測器。

第2b圖為第2a圖繪示的方塊模型圖的簡化電路。

第2c圖為一範例之校正程序的簡化流程圖，其中校正程序是用以產生使電容值的近似更精準的係數；此程序可包含所繪示的步驟的部份或是全部，並以適當的順序執行，例如所繪示的順序。

第2d圖為一表格，以表示△T及△C’在不同觸控狀況下的模擬結果；此表格可包含全部或部份所繪示的單元及/或行/列。

第3a圖為本發明另一實施例中之方塊圖，其中兩個觸控表面連接至單一觸控偵測器。

第3b圖為第3a圖繪示的方塊模型圖的簡化電路。

第3c圖為一表格，以表示△T及△C’在第3a-3b圖的實施例的模擬結果，類似對應第2a-2b圖，繪示於第2d圖中的表格；此表格可包含全部或部份所繪示的單元及/或行/列。

第4a及第4b圖為本發明數個實施例中，簡化的觸控面板示意圖。在這些圖式中，C1、C2及C3代表如第1a圖中所繪示的觸控表面。

第4a、4c及4e圖繪示兩個觸控表面連接至單一觸控偵測器的結構圖。此結構對應第2a及2b圖的實施例。

第4b、4d及4f圖繪示三個觸控表面連接至單一觸控偵測器的結構圖。此結構對應第1a及1b圖的實施例。

第4g圖為一表格，以表示第4a-4f圖中所繪示的觸控面板佈局結構的部份特性；此表格可包含全部或部份所繪示的單元及/或行/列。

第5a圖為觸控面板佈局一簡化的上視圖，此觸控面板佈局包含十一個觸控表面行，各行具有十個觸控表面。

第5b圖為第5a圖的觸控面板的兩行觸控表面的放大圖。

第6圖為一合適的觸控面板佈局的範例示意圖，此些觸控面板佈局可支援偵測一個以上的觸控表面上的觸控動作的單一觸控偵測器。

第7a-7c圖繪示其他可用類似的方式使用的觸控表面，分別是冠狀、指狀以及蜂巢狀。

第8圖繪示冠狀觸控表面的觸控表面尺寸數據範例。

第9圖為一流程的簡化流程圖，此流程係用以偵測分散的觸控按鈕上的觸控動作，此些觸控按鈕可應用於例如手機、平板電腦及其他電子裝置；此流程可包含所繪示的步驟的部份或是全部，並以適當的順序執行，例如所繪示的順序。

第10圖為流程的簡化流程圖，此流程係用以偵測未具有觸控按鈕的觸控螢幕上的觸控動作，並產生觸控座標的資訊，而非分散的觸控/非觸控資訊(各按鈕)；此流程可包含所繪示的步驟的部份或是全部，並以適當的順序執行，例如所繪示的順序。

第11圖為一範例方法的簡化流程圖，此範例方法可用以執行第9圖中的步驟40；此流程可包含所繪示的步驟的部份或是全部，並以適當的順序執行，例如所繪示的順序。

第12圖(先前技術)為本文所提及的Tasher專利的第6圖。

於此所繪示及描述的計算元件可以由不同的形式實現，舉例來說，硬體電路例如，但不限於客製的超大型積體電路或邏輯閘陣列，或可程式硬體裝置例如，但不限於現場可程式邏輯閘極陣列(Field Programmable Gate Array；FPGA)，或儲存於有型或無形的電腦可讀取記錄媒體，並可至少一處理器執行的軟體程式碼，或任何以上元件合適的組合。一特定功能的元件可能由一特定順序的程式碼，或多個程式碼，以連合作動為所需的功能元件。

第1a圖為本發明一實施例之方塊圖，其中數個觸控表面連接至單一觸控偵測器。第1b圖為第1a圖繪示的方塊模型圖 的簡化電路模型。

第1c圖為本發明另一實施例中之方塊圖，其中數個觸控表面連接至單一觸控偵測器。第1d圖為第1c圖繪示的方塊模型圖的簡化電路。

在第1a-1d圖中，一般來說，標識為R的元件為電阻，標識為C的元件為電容。C0代表與觸控偵測器相耦合的寄生電容。此種電容可包含例如觸控偵測器的自電容及鄰近於觸控偵測器的電路板電容。Rn為第n個電阻且Cn為第n個觸控表面。因此，在第1a-1d圖的各圖中，對應於n個觸控表面的n個電阻可被考慮。C1至Cn代表一個觸控表面群組，各個觸控表面透過具不同電阻值的電阻連接至單一觸控偵測器。R1至Rn代表一個電阻群組，以將各個觸控表面直接地或透過其他觸控表面，連接至單一觸控偵測器。因此，各個觸控表面與觸控偵測器間的電阻值將有明顯地不同。一個獨立的觸控表面與觸控偵測器間的連接路徑的電阻值，將與其他觸控表面與同一觸控偵測器間的連接路徑的電阻值相差至少一個數量級。

為偵測各個觸控表面的電容，觸控偵測器在不同時間間隔(在此亦稱時間常數)中進行一組量測程序，以考慮觸控表面的電阻值及電容值。各個量測程序可量測不同組的觸控表面。

舉例來說，請考慮具有三個如第1c圖所繪示的電容性觸控表面C1、C2及C3，且R1<R2<R3的情形。在此情形下，可進行下述的三個量測程序：第一量測程序具有較小的時間常數，且其目標在量 測C1上的觸控動作。

第二量測程序具有中間值的時間常數，且其目標在量測C1及C2上的觸控動作。

第三量測程序具有較大的時間常數，且其目標在量測C1、C2及C3上的觸控動作。

各個量測程序的時間常數需設定為超過在此量測程序中，所被量測的觸控表面的等效RC常數。此時間常數可例如在當觸控偵測器利用電流源或電荷轉移做為觸發源時，與量測程序的估測時間相關。不同的時間常數亦可在當觸控偵測器利用交流電源為觸發源時，至少部分由量測訊號頻率及電壓梯度(voltage gradient)決定。

由上述的三個量測程序，C1、C2及C3的電容值可 被擷取出。同樣地，在觸控表面之數目異於3時，亦可使用單一偵測器進行偵測。

部份量測觸控表面電容的方法已見於習知技術中，例如但不限於所述的Tasher專利(US 7797115)，其專利名稱為「Time interval measurement for capacitive detection」，在此以USP 7797115或Tasher專利稱之。「時間間隔量測(Time interval measurement)」一詞在此包含，但不限於以下的實施方式(可為系統或方法)：時間間隔量測實施例1：一種產生為電容感測器之電容之單調函數的時間間隔量測結果的方法，其包含：引起電容感測器上之電壓改變至少一次；以及藉由量測至少一時間間隔來產生為所述電容感測器之電容之單調函數的 時間間隔量測結果，在所述至少一時間間隔中之每一者期間，所述感測器上之所述改變的電壓在兩個預定的值間變動，其中若藉由量測至少兩個時間間隔來產生所述時間間隔量測結果，則所述量測為累積的，且其中對應於所述至少一時間間隔中之至少一者的所述預定的值均非零；以及分析時間間隔量測結果以偵測到或未偵測到接近電容性偵測器的物體。

時間間隔量測實施例2：一種用於產生為電容感測 器之電容之單調函數之時間間隔量測結果的模組，其包含：用於引起電容感測器上之電壓改變至少一次的構件；以及用於產生為所述電容感測器之電容之單調函數之時間間隔量測結果的構件，其包括用於量測所述感測器上之所述改變的電壓在兩個預定值間變動時之時間間隔之構件，或用於累積地量測至少兩個時間間隔的構件，在所述至少兩個時間間隔中之每一者期間，所述感測器上之所述改變的電壓在兩個預定值間變動，其中對應於至少一量測之時間間隔的所述預定值均非零；以及一時序產生器，用以產生一時序訊號，其中所述時序產生器用以選擇性地於所述產生的時序訊號提供抖動(jitter)訊號。

時間間隔量測實施例3：如上述之時間間隔量測實 施例2，其中用於產生的所述構件包括計數器，且其中所述產生的時序訊號或其函數提供至所述計數器。

時間間隔量測實施例4：一種用於產生為電容感測 器之電容之單調函數之時間間隔量測結果的模組，其包 含：用於引起電容感測器上之電壓改變至少一次的構件；以及用於產生為所述電容感測器之電容之單調函數之時間間隔量測結果的構件，其包括用於量測所述感測器上之所述改變的電壓在兩個預定值間變動時之時間間隔之構件，或用於累積地量測至少兩個時間間隔的構件，在所述至少兩個時間間隔中之每一者期間，所述感測器上之所述改變的電壓在兩個預定值間變動，其中對應於至少一量測之時間間隔的所述預定值均非零；以及一控制器，所述控制器經組態以組態可影響所述模組之操作的至少一操作參數。

時間間隔量測實施例5：一種用於產生為電容感測器之電容之單調函數之時間間隔量測結果的模組，其包含：用於引起電容感測器上之電壓改變至少一次的構件；以及用於產生為所述電容感測器之電容之單調函數之時間間隔量測結果的構件，其包括用於量測所述感測器上之所述改變的電壓在兩個預定值間變動時之時間間隔之構件，或用於累積地量測至少兩個時間間隔的構件，在所述至少兩個時間間隔中之每一者期間，所述感測器上之所述改變的電壓在兩個預定值間變動，其中對應於至少一量測之時間間隔的所述預定值均非零；以及一控制器，所述控制器經組態以接收所述產生的時間間隔量測結果，且分析所述產生的時間間隔量測結果，以偵測到或未偵測到接近所述感測器之物件的存在。

時間間隔量測實施例6：一種電容偵測方法，其包 含：引起電容感測區域中之至少一電容感測器上的每一電壓改變至少一次；針對所述至少一電容感測器中之每一者，藉由量測至少一時間間隔來產生為所述電容感測器之電容之單調函數的時間間隔量測結果，在所述至少一時間間隔中之每一者期間，所述感測器上之所述改變的電壓在兩個非零預定值間變動，其中若藉由量測至少兩個時間間隔來產生所述時間間隔量測結果，則所述量測為累積的；以及分析對應於所述至少一電容感測器之所述至少一產生的時間間隔量測結果，以偵測到或未偵測到接近所述電容感測區域之物件的存在。

時間間隔量測實施例7：如上述之時間間隔量測實 施例6，其中所述至少一電容感測器包括至少兩個電容感測器，所述方法更包含：若偵測到存在，則分析所述至少兩個電容感測器之產生的時間間隔量測結果，以偵測所述物件之位置。

時間間隔量測實施例8：一種電容偵測系統，其包 含：電容感測區域，所述電容感測區域包含至少一電容感測器；電容測定模組，所述電容測定模組經組態以引起所述電容感測區域中之至少一感測器上的每一電壓改變至少一次，且經組態以針對電壓被改變之所述至少一感測器中的每一者產生為所述電容感測器之電容之單調函數的時間間隔量測結果，所述測定模組包括至少一計數器，其中每一計數器對應於一感測器，且經組態以量測所述對應的感測器上之所述改變的電壓在兩個非零預定值間變動時之時 間間隔，或經組態以累積地量測至少兩個時間間隔，在所述至少兩個時間間隔中之每一者期間，所述對應的感測器上之所述改變的電壓在兩個非零預定值間變動；以及控制器模組，所述控制器模組經組態以分析對應於至少一電壓被改變之所述至少一感測器之所述至少一產生的時間間隔量測結果，以偵測到或未偵測到接近所述電容感測區域之物件的存在。

時間間隔量測實施例9：如上述之時間間隔量測實 施例8，其中所述至少一電容感測器包括至少兩個電容感測器，所述控制器經進一步組態為分析所述至少兩個電容感測器之產生的時間間隔量測結果，以偵測一種存在已被偵測到之物件的位置。

第2a圖為本發明另一實施例中之方塊圖，其中兩個觸 控表面連接至單一觸控偵測器。第2b圖為第2a圖繪示的方塊模型圖的簡化電路。第2a及2b圖中的觸控偵測器使用習知的時間間隔量測方法，例如Tasher專利(US 7797115)所述的技術。在第2a圖中，V代表觸控偵測器上的電壓，I代表觸控偵測器的驅動電流。為使圖式簡化及便於進行後續的敘述，觸控偵測器寄生電容係與未觸控時的自電容單一化為C1。使觸控表面電容與寄生電容單一化在觸控偵測器寄生電容與觸控表面間的電阻夠小時可成立。下列公式為在觸控偵測器以常數電流I，在t≧0的情形下觸發電路時，可描述第2b圖之電路的計算式：

以下將詳細地敘述在Tasher專利的第6圖(本發 明之第12圖)中繪示的技術可能在本發明部份實施例上的應用，並利用下列符號輔助說明：時間間隔是在V_Low_Th及V_High_Th兩個電壓臨界值間測量(例如US 7797115第6圖所繪示的608及610)。

t1=t_low_n，如US 7797115第6圖所繪示的616。

t2=t_high_n，如US 7797115第6圖所繪示的618。

△t=t2-t1

△V=V_High_Th-V_Low_Th

短時間間隔量測，在此亦稱為小時間常數量測，是在較短時間內進行的時間間隔量測，以使與單一觸控偵測器以不同電阻值連接的觸控表面中，僅有一小部份的子集合，例如一個觸控表面，在此量測的時間間隔中產生反應。

中等時間間隔量測，是在中等時間內進行的時間間隔量測，其時間未如短時間間隔量測的時間短，亦未如長時間間隔量測的時間長。

長時間間隔量測，在此亦稱為大時間常數量測，是較長時間內進行的時間間隔量測。通常長時間是指可使與單一觸控偵測器以不同電阻值連接的所有觸控表面，在此量測的時間間隔中均產生反應。

當0 t1,t2<<((R2＊C1＊C2)/(C1+C2))(於此稱為極小時間常數)，計算式(I)可由下式近似：(II)(△V/I)=(1/C1)＊△t

當t1,t2>>((R2＊C1＊C2)/(C1+C2))(於此稱為極大時 間常數)，計算式(I)可由下式近似：(III)(△V/I)=(1/(C1+C2))＊△t

因此，連接於單一偵測器的每兩個觸控表面的電容值可由兩個不同的時間間隔執行兩次量測程序量測到。其中一個滿足等式(II)的近似條件，而另一個則滿足等式(III)的近似條件。實際上，由於物性上及電性上的限制，並無法總是可以設定出滿足等式(II)及(III)的兩個量測程序。在這樣的情形下，如本文所述及的校正方法即可用以對各個觸控表面C1及C2的觸控強度的估測精確度加以改進。

方法A：在一範例中，即使估測值並非完全準確，C1’及C2’的電容值的增加仍可由等式(II)及(III)估測。在這樣的情形下，可設下一個門檻，例如一個臨界值，以使在此臨界值下偵測到對應的觸控表面上的觸控動作可被忽略，以避免在利用等式(II)及(III)時，不精準的估測造成的誤判。

舉例來說，如果在未觸控的情形下，C1及C2的電容值分別為10pF，而在觸控時則於觸控表面的電容增加了2pF，則C1及C2由等式(II)及(III)產生的回復電容值可藉由門檻值11pF的設定來進行判斷。當C1高於門檻值時，則判斷C1辨識到觸控動作，而如C2高於門檻值時，則判斷C2辨識到觸控動作。

方法B：在另一範例中，對應每個觸控表面及每個量測程序(長時間或短時間)的線性校正參數，亦稱為校 正參數，可預先進行校正並應用於量測中，以產生下列兩個等式(IV)及(V)，以取代等式(II)及(III)：(IV)(△V/I)=(1/(K11＊C1+K12＊C2))＊△t

(V)(△V/I)=(1/(K21＊C1+K22＊C2))＊△t

K11、K12、K21及K22為校正參數。此些校正參數可從對包含偵測器及觸控表面的電路的計算分析擷取出，亦或在初始設定時進行的校正量測過程擷取出。這樣的校正量測可由電路模型利用模擬工具產生，亦或由電路進行實際量測產生。以下是一個校正程序的範例，如第2c圖所示，其包含以下的部份或所有步驟：

1.使C1及C2不被觸控。

2.進行短時間及長時間間隔量測，並記錄結果。

3.僅觸控C1並重複步驟2。

4.僅觸控C2並重複步驟2。

5.觸控C1及C2並重複步驟2。

6.如需要，以不同的觸控物體重複步驟1至5。

7.設定校正參數K11、K12、K21及K22，以使所產生的物體附加電容值最符合其真實值。藉由利用極大時間常數量測程序，在一個觸控物體為僅有的觸控或接近觸控表面的物體時，量測造成附加電容值的此觸控物體，附加電容值的真實值將可被精確地估測。

方法C：根據本發明另一實施例，在未簡化下，等式(I)可用以更精確地計算C1及C2的電容值。等式可由分析(analytic)法、數值方法或多項式近似(例如維基百 科所定義的多項式內插法)或其他類似的方法求解。

上述的方法在執行第9圖中的步驟20時相當有效。

下列為第2a及2b圖中，使用如Tasher專利(US 7797115)所述的時間間隔觸控偵測器的數據範例。以下為本文所用的各符號的清單以及在此範例中所使用的參數數據。

R2=500 kΩ：觸控表面C1及C2間的電阻值

C1=10pF：未觸控的觸控表面的自電容

C2=10pF：未觸控的觸控表面的自電容

△C=2pF：C1或C2在觸控時產生的附加電容值

IM1=20uA：短時間間隔量測(M1)的電流I

IM2=0.5uA：長時間間隔量測(M2)的電流I

VCC=4伏特：觸控偵測器之供應電源

V_Low_Th=1伏特：如第12圖(US 7797115之第6圖)所繪示的低電壓臨界值

V_High_Th=3伏特：如第12圖(US 7797115之第6圖)所繪示的高電壓臨界值

CNT：如第12圖(US 7797115之第6圖)所繪示的計數器604

CNT_RD：M1或M2量測值的CNT讀數。

CNT_F=100MHz：如US 7797115之第6圖所繪示的CNT時脈602的頻率

△T=CNT_RD/CNT_F：由CNT讀數所得之時間間隔(△t)

△TNT：在C1及C2未被觸控時，△T=△t=t2-t1，t2及t1為未知，因此此運作定義是基於已知的CNT_RD及CNT_F。需注意的是，當觸控表面未被觸控時，△TNT為△T一個特殊例子

△TTC=在觸控偵測期間的△T

△TC1、△TC2及△TC1C2：當C1及C2分別被觸控以及同時被觸控時的△T

△CM1’、△CM2’及△C’：由M1、M2及一般狀況下計算而得的△C

△C1”及△C2”：C1及C2分別在校正後回復的△C

於本範例中，短或長時間間隔可由不同的驅動電流達成。然而需注意的是，尚有其他可能控制時間間隔的方式，例如改變高低電壓臨界值的準位。亦需注意的是，M1及M2可採用不同的CNT_F。舉例來說，由於M2通常長於M1，因此M2可採用較低的CNT_F以降低功率消耗或是減少CNT的位元數。

第2d圖的表格總結了在M1及M2量測程序中，採用上述的參數及採用不同的觸控結構並利用等式(VI)後，△T及△C’的模擬結果。其中等式(VI)根據等式(II)及(III)，可自量測結果用以回復△C。

(VI)△C'=(I/△V)＊(△T _TC -△T _NT )

由第2d圖的表格可知，在此範例中，很明顯地，M2的△C’合理的準確，而M1的△C’則有近20%的誤差。為得到更精準的結果，可使用線性校正參數。在此範例中，M2的結 果在長時間間隔量測的時間夠長時，將相當準確，因此校正參數可僅用於M1。上述的方法可藉由尋找最符合根據等式(IV)及(VI)產生的一組等式的K11及K12達成。舉例來說，下列等式是由第2d圖的表格所擷取出。在模擬更多不同的觸控結合，例如利用不同的△C值，可擷取出更多的等式：(VII)K11＊△C=(I/△V)＊(△T _C1-△T _NT )

(VIII)K12＊△C=(I/△V)＊(△T _C2-△T _NT )

(IX)K11＊△C+K12＊△C=(I/△V)＊(△T _C1C2-△T _NT )

由上述的一組等式，可藉由執行如第9圖的步驟20，使用習知的近似法如線性近似法決定出最佳的K11及K12。為求簡化，僅有等式(VII)及(VIII)用以擷取K11及K12，以產生：K11=2.3/2=1.15

K12=0.1/2=0.05

使用校正參數K11及K12後，各觸控表面上校正後的附加觸控電容(例如由觸控動作施加在各觸控表面上產生的電容值)可藉由下列等式(X)及(XI)得到：(X)△C1"=((△C _M1-K12＊△C _M2)/(K11-K12))

(XI)△C2"=((-△C _M1+K11＊△C _M2)/(K11-K12))

在一個數據範例中，可應用上述計算得到的校正參數K11及K12於△CM1、△CM2，並以如第2d圖所示的最後一列(當具有電容值C1及C2的觸控表面均被觸控時)所示，利用等式(X)及(XI)產生下列正確的結果：△C1"=((2.4-0.05＊4)/(1.15-0.05))=2

△C2"=((-2.4+1.15＊4)/(1.15-0.05))=2

代表真實生活現象的真實△C值，例如一根手指觸控到其中一觸控表面時產生的附加電容值，可被選定以進行校正參數的計算及量測，來降低偵測誤差。類似地，K11及K22亦可計算並使用以進行校正。在長時間間隔量測的時間無法足夠長時，即可採用上述的方法。有時候僅使用K11即可達到足夠精準的結果，在此情形下，將K12設為0可簡化計算過程。

第3a圖為本發明另一實施例中之方塊圖，其中兩個觸控表面連接至單一觸控偵測器。第3b圖為第3a圖繪示的方塊模型圖的簡化電路。第3a及3b圖所繪示的觸控偵測器可採用如Tasher專利(US 7707115)所述的時間間隔量測方法。第3a-3b圖的實施例大致上與第2a-2b圖的實施例相似，但增加了電阻R1。此電阻R1為觸控偵測器及觸控表面C1間的電阻。V1及V2代表C1及C2的電壓。第2a-2b圖中所採用的符號及定義亦可用於下列關於第3a-3b圖的敘述。

下列等式為用以描述第3b圖的一組微分方程式：(XII)(dV/dt)=(R1＊I-V+V1)/(R1＊C0)

(XIII)(dV1/dt)=(R2＊V-(R2+R1)＊V1+R1＊V2)/(R2＊R1＊C1)

(XIV)(dV2/dt)=(V1-V2)/(R2＊C2)

下列為第3a及3b圖的實施例中，使用如Tasher專利(US 7797115)所述的時間間隔觸控偵測器的數據範例。所用的各符號的清單以及在此範例中所使用的參數數據大致上與第2a-2b圖的相同，除下列以外：

R1=50 kΩ：觸控表面C1及C2間的電阻

C0=20pF：觸控偵測器的寄生電容

IM2=1uA：長時間間隔量測(M2)電流I

第3c圖的表格如同第2d圖的表格相對於第2a-2b圖的實施例，總結了第3a-3b圖的實施例的△T及△C’的模擬結果。如其所示，其誤差與第2a-2b圖的實施例中的誤差位於相同的數量級，因此可應用同樣的校正參數機制，以改進電容偵測的精確度。

無論如何，R1之值可設定為小於R2一個數量級。如果可能的話，即設定R2≧R1*10。如滿足此狀況，則可不需校正參數的校正。

雖然第2a、2b、3a及3b圖的實施例的觸控偵測器採用如Tasher專利所述的時間間隔量測方法，利用電流推導電容值達到電容值的量測，但於其他實施例中，其觸控偵測器亦可採用不同的電容值量測方法，例如但不限於電荷轉移方法。

舉例來說，觸控偵測器可於一預先定義的時間間隔內進行兩個電壓量測程序，以在此預先定義的時間間隔的開始及結束時，利用如類比至數位轉換器(Analog to Ditigal Converter；ADC)量測觸控偵測器的終端電壓。

在另一範例中，觸控偵測器可採用週期性(Cyclic)電壓或電流源，以如上述實施例，觸發如第1a-2b、3a-3b、4a-4f及5a-6圖所示的電路。週期性電壓或電流源可產生正弦波(sinusoidal)、方波、三角波、鋸齒波或其他波型。在 這樣的情形下，其計算方法將與第2a、2b、3a及3b圖所描述的實施例有些許不同。量測程序的快(長時間間隔)及慢(短時間間隔)區別可改由對頻率及驅動力調整達到。舉例來說，一個高頻率的訊號源、一個高驅動力的訊號源或二者兼具的訊號源可應用於M1，而相對地，一個低頻率的訊號源、一個低驅動力的訊號源或二者兼具的訊號源可應用於M2。各觸控表面與偵測器間的電阻值可調整至不同的數值，以使電容偵測可以將誤差降低至最小。

於另一實施例中，觸控偵測器可採用電荷轉移觸發法(如Sequine一文所提及的電荷轉移法)，以如上述實施例，觸發如第1a-2b、3a-3b、4a-4f及5a-6圖的電路。應用電荷轉移觸發法的觸控偵測器通常：a.對一個先前充電的參考電容進行放電；以及b.在放電後比較電壓與一底線值。舉例來說，當電壓大於此底線值超過一個預設臨界值，則判斷偵測到觸控動作。

利用觸控偵測器與觸控表面間的串聯電阻會減慢穩定時間，可有足夠的時間量測多觸控表面偵測時的轉態現象。

本發明實施例可由數個量測方法的結合達成。舉例來說，請參考第3a及3b圖，時間間隔量測方法，例如Tasher專利所述者，可被選擇以進行M1的量測。而電荷轉移方法則可被選擇以進行M2的量測。於其他實施例中亦可能採用其他的組合。

雖然第2a、2b、3a及3b圖的實施例是以兩個觸控表面連接至單一觸控偵測器為例，但本發明的部份實施例亦可以不同數目，如n>2的觸控表面連接至單一觸控偵測器的方式實現，如第1a、1b、1c及1d所示。在兩個偵測器以上的狀況下，亦可如前述的實施例所論及，採用不同的時間間隔或時間常數。如果各個電阻間的電阻值相差一個數量級，整體系統將可區分為數個小系統，各個小系統可符合第2a及2b圖的情境。舉例來說，一個如第1a、1b、1c及1d圖其中之一所隱含，包含寄生電容C0、三個觸控表面C1、C2及C3以及一組電阻R1、R2及R3的系統，可具有下列參數值：R1=20 kΩ：觸控表面C1及C2間的電阻

R2=200 kΩ：觸控表面C1及C2間的電阻

R3=2000 kΩ：觸控表面C1及C2間的電阻

C0=10 pF：未觸控的觸控表面的自電容

C1=10 pF：未觸控的觸控表面的自電容

C2=10 pF：未觸控的觸控表面的自電容

C3=10 pF：未觸控的觸控表面的自電容

△C=2 pF：在C1或C2在觸控時產生的附加電容值

IM1=50 uA：短時間間隔量測(M1)的電流I

IM2=5 uA：長時間間隔量測(M2)的電流I

I M2=0.5 uA：長時間間隔量測(M2)的電流I

VCC=4 Volt：觸控偵測器之供應電源

V_Low_Th=1伏特：如第12圖(US 7797115之第6 圖)所繪示的低電壓臨界值

V_High_Th=3伏特：如第12圖(US 7797115之第6圖)所繪示的高電壓臨界值

CNT_F=100 MHz：如US 7797115之第6圖所繪示的CNT時脈602的頻率

具有上述參數值的系統可由下列兩個子系統a及b所近似：a.一個利用I M1及I M2的子系統將近似等效於第2a圖相容的系統，並具有下列參數值：R2’=R1+R2

C1’=C0+C1

C2’=C2

需注意的是，於此子系統中，C3幾乎被其自身的高電阻值所屏蔽。

b.一個利用I M2及I M3的子系統將近似等效於第2a圖相容的系統，並具有下列參數值：R2”=R1+R2+R3

C1”=C0+C1+C2

C2”=C3

至此，可採用類似第2a及2b圖所描述的方法，以判斷各觸控表面的附加電容值。

於本發明另一實施例中，多個觸控偵測器可用以驅動具有多點觸控功能的觸控面板，此觸控面板可由單層導電物質實現。

第4a及第4b圖為使用本發明數個實施例的觸控面板的簡化示意圖。在這些圖式中，C1、C2及C3代表如第1a圖中所繪示的觸控表面。各觸控表面C1由一終端走線連接至一對應的觸控偵測器(未繪示)。對應的一組C1及C2由具有電阻值R2(未繪示)的內部走線連接。對應的一組C2及C3由具有電阻值R3(未繪示)的內部走線連接。在最右一行的偵測器C2及C3可直接由內部走線(未繪示)連接至一專用的觸控偵測器或可以透過選擇性佈建的內部走線，連接至最左一行對應的C1及C2偵測器。

第4a、4c及4e圖繪示兩個觸控表面連接至單一觸控偵測器的結構圖。此結構對應第2a及2b圖的實施例。

第4b、4d及4f圖繪示三個觸控表面連接至單一觸控偵測器的結構圖。此結構對應第1a及1b圖的實施例。

第4g圖為一表格，以表示第4a-4f圖中所繪示的觸控面板佈局結構的部份特性。

觸控面板可例如為觸控螢幕或觸控板。觸控板通常設置於印刷電路板上，且觸控板通常由如第4a及4b圖所示的單一金屬層繞線實現。在印刷電路板繞線通常具有較低電阻值的情形下，可額外加入電阻實現R2及R3阻值。

其他觸控面板可由具不可忽略之電阻值的物質實現。一個常見的電容線觸控面板可利用透明導電物質實現，舉例來說，氧化銦錫通常具有約100~800平方歐姆(的數量級)的片電阻。因此，走線的電阻值RTRACE可根據下列等式(等式XV)調整其寬度與長度來控制： RTRACE=((trace length)/(trace width))*Rs

此電阻值RTRACE可用以實現如R2及R3之電阻值。

需注意的是，雖然在第4a-4f圖的範例中，所有的終端走線均繞至面板的一側，在本發明的部份實施例中可不為其限制，舉例來說，可在上述圖式中，設置一個佈局方式與其成垂直顛倒的另一佈局，以產生高度為兩倍的觸控面板，並具有上下終端。這樣的設計可降低各行觸控表面間的平行走線的數目、降低總走線面積以及降低終端走線的電阻值。

第5a圖為觸控面板佈局一簡化的上視圖，此觸控面板佈局包含十一個觸控表面行，各行具有十個觸控表面。觸控表面與觸控偵測器間的連接線可根據第4a圖及其相關敘述形成。當具有偶數個觸控表面時，以類似結構驅動觸控面板所需的偵測器數目可由下式導出：{Numberoftouchsensors}={Numberofcolumns}＊{Touchsurfacespercolumn}/2

當觸控表面及觸控偵測器間的連線結構採用第4a圖所繪示的方式時，第5a圖的觸控面板需要55個觸控偵測器來驅動。觸控表面及走線是由單層且具有不可忽略的片電阻值的導電物質形成，並形成於絕緣基板上。在觸控面板的情形下，此導電物質可為例如氧化銦錫，且走線與觸控表面的形成可受到例如光顯影技術、雷射蝕刻技術或濕式蝕刻技術的影響。第5a圖可代表一個觸控面板的主動區。

第5b圖可為第5a圖的觸控面板的兩行觸控表面的放大圖。在第5b圖中，各C1及C2觸控表面被獨立標記，可各自 被參照。C1及C2的符號仍代表其他圖式中常見的觸控表面，意即C1為具有較低的串聯電阻的觸控表面，C2則為具有較高電阻的觸控表面。

在此導電物質可指氧化銦錫，且於第5b圖中以白色區域或圖樣區域表示。圖樣區域意指如填充於C1_1、C1_2、C2_1及C2_2觸控表面及其對應走線的圖樣。圖樣區域僅是為使其在圖式上易於觀看而繪。粗黑線代表於氧化銦錫層上，形成觸控表面及走線的區隔邊界。最小可能邊寬及最小可能走線寬通常是由觸控面板製造商所決定。在此範例中，最小走線寬是40um，且各邊寬是40um。在觸控螢幕中，可採用大約40um或更小的細邊寬，否則觸控螢幕的邊線圖樣將容易為人眼所看見。於本範例中，終端走線均繞線至觸控面板主動區域的底部。從此處，終端走線可更進一步被繞線至軟性面板端、晶片端或其他端。在第5b圖中，氧化銦錫的片電阻係假設為150平方歐姆。並且，如圖中所示，連接C1及C2的內部走線隨著蜿蜒徑(Snake path)，亦即繞線路徑，較一個最短繞線為長，其中此最短繞線為根據特定圖樣，如電阻降低圖樣，範圍涵蓋連接點間的距離的繞線。第5b圖的內部走線圖樣將由C1延伸至C2並在例如C1_1及C2_1間往復三次。這樣的方式可使R2電阻值產生或提供精確的附加電容值△C。在不同最小走線寬及片電阻值的條件下，此蜿蜒徑可被部份或全部忽略。

在這樣的實施例中，將可能有未使用的氧化銦錫區域，例如並非屬於走線及觸控表面的區域。舉例來說，如第5b圖中的一個標示為未使用的區域。未使用的氧化銦錫 區可接地或可由邊界線分隔為數個小部份。此些未使用區可與觸控表面的邊界對齊，且可位於邊界及/或觸控表面主動區內。

雖然僅繪示一個範例的內部走線佈局，但當然有許多其他方式可利用觸控表面行間的空間，利用觸控表面C2周圍的空間(例如用蝸殼狀的圖樣)或甚至觸控螢幕主動區外的空間產生蜿蜒徑。舉例來說，在第5b圖中，兩行觸控面板間上部的空間並未形成有蜿蜒徑。此區域可用以設計可降低Bx，增加觸控面板的寬度Cx，並維持同樣的行間距Ax的繞線。為滿足終端走線的低電阻，連接至較遠的觸控面板C1的終端走線可較連接至較近的觸控面板C1的終端走線為寬。

第5b圖並未依尺寸繪示。一可能的尺寸可由下列參數得到：Ax=5 mm：行距

Bx=1.24 mm：行間估測空間

Cx=3.76 mm：觸控表面寬

Dx=0 mm：冗餘(redundant)區，為使圖式易於觀看而繪

Ex=40 um：C1_10終端走線寬

Fx=40 um：C1_9終端走線寬

Gx=60 um：C1_8終端走線寬

Hx=90 um：C1_7終端走線寬

Jx=120 um：C1_6終端走線寬

Kx=40 um：獨立邊界線寬，適用於整個圖式

Lx=40 um：C1_5終端走線寬

Mx=40 um：C1_4終端走線寬

Nx=45 um：C1_3終端走線寬

Px=75 um：C1_2終端走線寬

Rx=105 um：C1_1終端走線寬

Ay=95 mm：觸控面板總高度

By=10 mm：觸控面板整體高度間距

Cy=5 mm：觸控面板整體高度間距

Ky=40 um：獨立邊界線寬，適用於整個圖式

需注意的是，由第5b圖及以上的敘述中，電阻值R1約為50 kΩ，而電阻值R2約為500 kΩ。因此，第3a及3b圖的實施例所述的觸控偵測方法，可用以偵測第5a及5b圖的觸控面板的各觸控表面上的觸控動作。

不同的參數組合亦可適用。舉例來說，較小的Cx及Cy值可用以進行更精確的觸控座標偵測，特別是針對較小的觸控物體，然而其代價即是需要以更多的觸控表面覆蓋觸控面板。較大的Cx及Cy可應用在不需過度注重觸控精確度的情形時。並且，雖然會影響到應盡量保持寬度較小的Bx，但較寬的終端走線可用以降低C1及其對應的觸控偵測器間的電阻值。

雖然觸控表面C1及C2的電容值以及由於觸控產生的附加電容值△C會隨不同的系統而有所不同，且雖然各走線具有其各自的電容值，但使用合適的驅動電流與電 壓臨界值的組合，將可產生範圍較大的電容值。

在至少部份圖式中，觸控表面是繪示為矩形。然而一般來說，觸控表面可為任何合適的形狀，例如並非矩形的四邊形或非四邊形的形狀，如三邊、超過四邊、橢圓或圓形。在這樣的觸控面板中，偵測演算法仍可適用，以藉由附加電容值△C的讀數尋找一或多個觸控物體的位置。用不同觸控表面形狀與觸控面板佈局達到觸控物體定位偵測方法的範例，可在例如美國專利申請號20120262419、申請號13/533,618，名稱為「Layouts for detecting multiple touch points in surface-capacitance type touch panels,and methods for providing and using such」的專利找到。

許多包含觸控表面的系統可由本發明的部份實施例獲益，例如可降低所需的控制器接腳數與邏輯閘數。這樣的系統包含，但不限於電容性按鈕、軌跡桿、觸控面板、觸控板(軌跡板)、以行列陣列為基的自感電容觸控螢幕、電容式滑條、電容式滾輪。

本發明可支援任何具有可偵測多個觸控表面的單一觸控偵測器的合適觸控面板佈局，並非必需由上述的特定實施例所限。具有可使數個觸控表面各自獨立被識別的特性，如電阻、觸控面板尺寸、觸控偵測方法及製程參數如最小線寬與最小邊界寬的觸控面板(通常為觸控螢幕)模組，將包含於本發明的範圍中。

其他支援具有可偵測多個觸控表面的單一觸控偵測器的合適觸控面板佈局，可包含第6圖中所繪示的範例。

第6圖的範例及與其相關的變化，其與例如第4a-4f圖的範例的差異在以下的幾方面可見：具有成對的水平交錯觸控表面行。

C2的走線延伸至底部並與第一列C1在觸控面板邊緣，於軟性電路板或印刷電路板上相接。

第二列C2的走線由交錯的列間或是兩個非交錯列間的交錯(zigzag)區經過。

對應第1c圖及第1d圖的圖樣模型，以使同樣的等式可用以對電路進行計算。

由於具有成對的水平交錯觸控表面行，因此本實施例中的觸控表面可設計為較寬，並可以較少的數目覆蓋住觸控面板。並且，觸控面板可以較少的觸控偵測器來驅動。

第7a-7c圖繪示其他可用類似的方式使用的觸控表面，分別是冠狀、指狀以及蜂巢狀。

第8圖繪示冠狀觸控表面的觸控表面尺寸數據範例。其中：X1=4：各左及右側行觸控表面的實體部份寬度

X2=0：觸控表面間的邊界寬

X3=5.5：行間的交錯區

X4=13.5：二交錯行的寬度

X5=1.5：估測總線寬

X6=15：兩行間距

在上述範例中，C1及C2的走線將經過X5的空間。X5可隨各線邊界寬度及各行的觸控表面數而改變。對應的 一組C1及C2在觸控面板的主動區外側相連接，例如在觸控表面邊緣、軟性電路板、印刷電路板上或類似的位置相接。

任何本文先前技術中的段落所述，Seguine文件中提及的電容偵測方法(例如電荷轉移、連續近似、△Σ(Sigma-delta)及交互電容量測法)，或是如Tasher專利的時間間隔量測法，可應用於本發明的部份實施例中。以下即是本發明的實施例如何利用如上述方法(使用如下列所述各偵測器對應兩個觸控表面的範例)的組合，來實現觸控偵測的範例。

在以下的範例中，係假設兩個觸控表面連接至單一偵測器，其中一個透過較大電阻值的電阻物質，另一者透過較小電阻值的電阻物質。這些偵測器可相當於Seguine文件中第2圖及第4圖中的Csensor。

參照一般的電荷轉移法，短時間量測包含對時間如下的限制：「在頭兩個未交錯相位中」「觸控偵測器電容連接至一電壓源，以累積電荷於其上」。通常，Seguine文件所述的偵測器電容與具不同電阻的兩個觸控表面相似。短時間量測將受到影響，即觸控表面中具有小電阻者將在第一個相位被電壓源所影響。在長時間量測中，相對地，在第一個相位中具有足夠長的時間使兩個觸控表面上的電壓達到穩定(達到大致等於電壓源的準位)。特別地，如Seguine文件的第2圖所示，短時間量測可由使SW1在夠短的時間內關閉(即成短路狀態)實現，以使具高電阻的觸控表面來不及對連接VDD電源時造成的電壓改變反應。 在此情形下，將VDD電源連接至Csensor即為量測的觸發源。

如Seguine文件的第2圖所示，長時間量測可由使SW1在夠長的時間內關閉(即成短路狀態)實現，此時間的長到足以確保兩個觸控表面均有時間產生反應。

假如校正參數(例如K係數)未被使用，C1、C2、R1及R2在短時間量測中對C2變化的影響需夠小，以符合系統的噪訊比需求。當此方法應用在電容性按鈕鈕時，此需求將會被判斷為觸控動作的最小電容改變，以及不會被判斷為觸控動作的最大電容改變相關。舉例來說，如一個觸控表面的結構為具有兩個(第一及第二)電容性按鈕鈕(觸控表面)，並連接至單一觸控偵測器，如第1a圖所示，但僅具有第1a圖中的觸控偵測器、C0、C1、C2、R1及R2。C0及R1將代表電路的寄生電容及電阻。C1代表與觸控偵測器間具有較低電阻值的第一按鈕，C2代表與觸控偵測器間具有較高電阻值的第二按鈕。R2代表第二按鈕相對第一電阻額外的電阻值。

T_M1為M1量測初始(意即當量測觸發源開始施加於觸控表面)後，直到量測結果被取樣時經過的時間。舉例來說，在Tasher專利(US 7797115)，T_M1代表其第6圖中，時間點614及618間的時間間隔。在Seguine文件中第2圖的電荷轉移範例，T_M1所指的是SW1關閉的時間。T_M2定義則與T_M1相同，但是數值是與M2量測過程相關。

並且：C2/2<C0+C1<C2*2

R1<R2/10

T_M1<(R2＊(C0+C1)＊C2/((C0+C1+C2)＊4))，其中此狀況與滿足本文中等式(II)的狀況類似，而等式(II)中的C1相當於此式的(C1+C0)T_M2>(R2＊(C0+C1)＊C2＊2/(C0+C1+C2)+T_M1)，其中此狀況與滿足本文中等式(III)的狀況類似，而等式(III)中的C1相當於此式的(C1+C0)

藉由設定等式(II)及(III)的△V及I，可以分別控制在Tasher專利(US 7797115)中的T_M1及T_M2。需注意的是，可使用多個上述的按鈕以類似的排列方式形成觸控面板。

並且，其他的按鈕可由類似的方式連接，舉例來說，請再參照第1b圖，此結構可再增加一個由C3及附加於C2上的電阻R3所模擬的第三按鈕，以藉由時間常數T_M3額外進行量測，其中：T_M3定義則與T_M1相同，但是數值是與M3量測過程相關。

C3/2<C0+C1<C3*2

R2<R3/10

除上述T_M2需滿足的情形，T_M2於此更需滿足：T_M2<(R3＊(C0+C1+C2)＊C3/((C0+C1+C2+C3)＊4))，其中此狀況與滿足本文中等式(II)的狀況類似，而等式(II)中的C1相當於此式的(C2+C1+C0)T_M3>(R2＊(C0+C1+C2)＊C3＊2/(C0+C1+C2+C3)+T_M2 第9圖為一流程的簡化流程圖，此流程係用以偵測分散的觸控按鈕上的觸控動作，此些觸控按鈕可應用於例如手機、平板電腦及其他電子裝置；此流程可包含所繪示的步驟的部份或是全部，並以適當的順序執行，例如所繪示的順序。

步驟10：連接觸控偵測器至兩個或兩個以上的觸控表面，且觸控表面各具有不同的電阻值。

步驟20：選擇性地，校正並找尋校正參數(K係數)，可用做估測電容變化的權重參數。

步驟30：在觸控表面未被觸控時進行短時間量測，例如M1，並記錄其結果做為參考。

步驟35：在觸控表面未被觸控時進行長時間量測，例如M2，並記錄其結果做為參考。

步驟40：在特定時刻判斷觸控動作是否發生，可使用第11圖的方法進行判斷。

步驟50a：利用步驟240c計算的不同準位，如等式(X)所述計算一觸控表面的回復附加電容值(△C1”)。

步驟50b：利用步驟240d計算的不同準位，如等式(XI)所述計算另一觸控表面的回復附加電容值(△C2”)。

關於步驟50a及50b，如步驟51a及51b被省略，即相當於K11=1且K12=0。意即第一觸控表面的回復附加電容值，即為短時間常數量測(△CM1)所量測的附加電容值，而第二觸控表面的回復附加電容值，即為長時間常數與短時間常數量測(△CM1)所量測的附加電容值之相減(△CM2-△CM1)。

△C1”=△CM1

△C2”=△CM2-△CM1

步驟51a：選擇性地，利用K值代入等式X以改進步驟50a所計算的回復附加電容值。

步驟51b：選擇性地，利用K值代入等式XI以改進步驟50b所計算的回復附加電容值。

步驟80：當步驟50a或51a計算的回復附加電容值超過一臨界值時，回報第一觸控表面產生觸控動作。

步驟90：當步驟50b或51b計算的回復附加電容值超過一臨界值時，回報第二觸控表面產生觸控動作。

關於步驟10、30、240a及240c，至少連接至第一及第二觸控表面的電容偵測器可被用以測量短時間間隔內的電流I，其中此偵測器係利用第一驅動電流及/或第一電壓範圍在短時間間隔內進型量測。舉例來說，可設計此電容偵測器與各觸控表面間的電阻均有明顯地不同，並在僅使具較小電阻值的觸控表面反應以提供電容估測值的短時間內進行量測。

關於步驟10、35、240b及240d，至少連接至第一及第二觸控表面的電容偵測器可被用以測量長時間間隔內的電流I，其中此偵測器係利用第二驅動電流及/或第二電壓範圍在長時間間隔內進型量測。並且，第二驅動電流及第二電壓範圍分別小於第一驅動電流及第一電壓範圍。舉例來說，可設計此電容偵測器與各觸控表面間的電阻均有明顯地不同，並在可使第一及第二觸控表面均反應以提供 總電容估測值的長時間內進行量測。

關於步驟30-204d，需注意的是，US 7797115專利的第6圖在諸多已知的方法中，僅述及一種可能的方法，以將原始量測值轉換為電容值。

關於步驟50a，第一觸控表面相對其他連接至同一電容偵測器的觸控表面的電容變化可被估測。其中此第一觸控係直接連接至電容偵測器，或以相對其他觸控表面為低的電阻物質連接至電容偵測器。

關於步驟50b，第二觸控表面電容變化可由計算兩個觸控表面的總電容變化(步驟240b)與第一觸控表面的電容變化的差值(步驟240a)進行估測。

關於步驟51a，第一觸控表面(步驟50a)的電容變化，可由在校正程序5計算得的校正參數(K係數)，利用等式X將第一觸控表面的權重考慮進去，來進一步改進其精確度。

關於步驟51b，第二觸控表面(步驟50b)的電容變化，可由在校正程序5計算得的校正參數(K係數)，利用等式XI將第一及第二觸控表面(步驟30)的權重，以及第一觸控表面(步驟40)的權重考慮進去，來進一步改進其精確度。

一般來說，步驟10-50是利用單一偵測器量測二個或兩個以上的觸控表面的電容值。測得的電容數值可進一步轉換為：a.電容按鈕是/否產生觸控的提示訊號，例如利用第 9圖所述的方法；或b.觸控螢幕上的觸控位置，利用第10圖所述的方法。

第10圖為流程的簡化流程圖，此流程係用以偵測未具有觸控按鈕的觸控螢幕上的觸控動作，並產生觸控座標的資訊，而非分散的觸控/非觸控資訊(各按鈕)；此流程可包含所繪示的步驟的部份或是全部，並以適當的順序執行，例如所繪示的順序。

步驟102：將大部份觸控螢幕上的觸控表面區分為數個群組，以使各群組內的觸控表面均連接至單一偵測器，並且各群組中的觸控表面不會連接至其他群組對應的偵測器。

步驟104：將各群組分別連接至一個觸控偵測器，以使其中一個觸控表面與偵測器間的電阻值較另一者與偵測器間的電阻值顯著地大。例如，將其中一觸控表面透過長且窄的走線與偵測器連接，另一觸控表面則透過短且寬的走線與偵測器連接(如第5b圖的範例)。

步驟106：執行第9圖中的步驟10-50b(步驟51a及51b可選擇性執行)。

步驟160：計算觸控位置，例如藉由申請號13/533,618專利所述之單層技術中提及的方法，其中此專利名稱為「Layouts for Detecting Multiple Touch Points in Surface-capacitance Type Touch Panels...」，並於2012年10月18日以US 2012/0262419的公開號公開。

第11圖為一範例方法的簡化流程圖，此範例方法可用 以執行第9圖中的步驟40；此流程可包含所繪示的步驟的部份或是全部，並以適當的順序執行，例如所繪示的順序。

步驟240a：在特定時刻進行短時間量測M1，並計算量測值及於第9圖步驟30儲存之參考值的差值。

步驟240b：在特定時刻進行長時間量測M2，並計算量測值及於第9圖步驟35儲存之參考值的差值。

步驟240c：由M1將步驟240a計算的差值(△TTC-△TNT)代入等式VI以根據例如Tasher專利的方法計算電容值差值等級(△CM1’)。

步驟240d：由M2將步驟240b計算的差值(△TTC-△TNT)代入等式VI以根據例如Tasher專利的方法計算電容值差值等級(△CM2’)。

關於第11圖的步驟204a-240b，任何以下的方法(i)-(iv)可適用以進行電容值判斷：

(i)利用如Tasher專利(US 7797115)所述的時間間隔量測法做輸入，以進行由電流推導電容值的方法，如Tasher專利第6圖所繪示。

(ii)觸控偵測器可採用週期性(Cyclic)電壓或電流源，以觸發上述實施例中的電路。週期性電壓或電流源可產生正弦波(sinusoidal)、方波、三角波、鋸齒波或其他波型。在這樣的情形下，其計算方法將與第2a、2b、3a及3b圖所描述的實施例有些許不同，但可應用在類似的偵測方法上。量測程序的快(長時間間隔)及慢(短時間間隔)區別可改由對頻率及驅動力調整達到。舉例來說，一個高 頻率的訊號源、一個高驅動力的訊號源或二者兼具的訊號源可應用於M1，而相對地，一個低頻率的訊號源、一個低驅動力的訊號源或二者兼具的訊號源可應用於M2。各觸控表面與偵測器間的電阻值可調整至不同的數值，以使電容偵測可以將誤差降低至最小，亦或：

(iii)(電荷轉移法)觸控偵測器可採用電荷轉移觸發法(如Sequine一文所提及的電荷轉移法)，以觸發上述實施例中的電路。這樣的觸控偵測器通常對一個先前充電的參考電容進行放電，並將放電後的網路電壓與至一底線值相比較。利用觸控偵測器與觸控表面間的串聯電阻會減慢穩定時間，並有足夠的時間量測多觸控表面偵測時的轉態現象。或：

(iv)由(i)、(ii)或(iii)的量測方法的結合達成。

需注意的是，在觸控按鈕的應用中，觸控臨界值通常僅與一觸控表面進行比較。在無按鈕的觸控螢幕應用中，觸控臨界值可與數個觸控表面比較。如觸控螢幕包含單層觸控螢幕，則所有的偵測器與觸控表面通常在單層導電層中繞線，以節省成本。

「短時間量測」、「快速量測」、「短時間間隔量測」或、「在短時間間隔內量測電流I」及其他類似的詞彙，是指於此量測中，在連接至單一電容偵測器的多個觸控表面中，僅有較低或最低容阻時間常數的觸控表面(容阻電路)可在此量測時間間隔中產生反應(僅有此觸控表面的電容值的改變實際的影響量測結果)。在此揭露的標的中，由於 所有與同一偵測器連接的觸控表面的電容值均為同一數量級，能做為分辨其時間常數的因素，即為其與偵測器間的電阻值。

「長時間量測」、「慢速量測」、「長時間間隔量測」 或、「在長時間間隔內量測電流I」及其他類似的詞彙，是指於此量測中，所有的電路元件(連接至單一電容偵測器的所有觸控表面)均在此量測時間間隔中產生反應。

中等時間間隔量測則指在此時間間隔中，超過一個 但少於全部的電路元件(連接至單一電容偵測器的觸控表面)在此量測時間間隔中產生反應。

本發明部份實施例之優點在於，由於各個觸控偵測 器均會佔空間、需要製造成本並會受良率影響，利用單一觸控警示產生器連接至多個觸控表面的方式，不論是空間運用及/或製造成本及/或良率都可下降。

需注意的是，「被指派以」、「需要」、「需求」與「必 需」所指的，僅是為清楚描述在特定實施情形或應用下的選擇，而非用以限制。在其他實施方式中，同一個元件可能並非必需，甚至可省略。

需注意的是，本發明的軟體元件可能包括實現在唯 讀記憶體(read only memory；ROM)、光碟片(Compact Disc Read Only Memory；CD-ROM)、抹除式可複寫唯讀記憶體(electrically-erasable programmable read only；EEPROM)以及電子抹除式可複寫唯讀記憶體(electrically-erasable programmable read only；EEPROM)的程式或資料，或儲 存於但不限定於不同的非暫態可讀取記錄媒體及動態隨機存取記憶體(random access memory；RAM)中。本發明所述軟體的元件在需要時可部份或全部以習知技術的硬體實現。相反地，本發明所述硬體的元件在需要時可部份或全部以習知技術的軟體實現。

在本發明的範圍中包括由電磁訊號所傳遞的電腦 可讀取指令，並以任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的方法中的任何步驟；包含機器可讀取指令，並以任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的方法中的任何步驟；包含可由機器讀取的程式儲存裝置，以實體形式儲存可由機器執行的程式指令，並以任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的方法中的任何步驟；包含具有電腦可用媒體且內含電腦可讀取程式碼如可執行碼的電腦程式產品，其具有電腦可讀取程式碼，並以任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的方法中的任何步驟；包含任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的任何方法中的任何步驟所產生的任何技術功效；包含被組態以任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的任何方法中的任何步驟的任何合適的裝置或器件或是其組合；包含具有處理器及相配的輸入及/或輸出裝置的電子裝置，並以軟體執行任何或全部本發明所述的步驟；包含資訊儲存裝置或實體記錄裝置如碟片或硬碟，以使一個電腦或其他裝置被組態以任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的方法中的任何步驟；包含一個預先儲存的程式碼，儲存於如記憶體或是 於一個資訊網路如網際網路，不論是在下載前或下載後，此程式碼包含任何合適的順序的任何或全部本發明所述的方法中的任何步驟，用以上傳或下載此程式碼的方法以及包含使用此程式碼的伺服器及用戶端的系統；以及包含以任何合適的順序執行任何或全部本發明所述的方法中的任何步驟的硬體，不論是單獨運作或搭配軟體運作。任何本發明所述的電腦可讀取或機器可讀取媒體意指非揮發性電腦或機器可讀媒體。

任何本發明所述的計算或其他形式的分析，可由合適的電腦化方法。任何本發明所述的步驟可由電腦實現。本發明所述的技術包含(a)使用一個電腦化方法，以實現任何所述的問題與標的的解決方法，此解決方法可選擇性地包含至少一個決定、一個動作、一個產物、一個服務或其他所述的資訊，以對問題或標的造成正面的影響；以及(b)輸出這個解決方法。

本發明各實施例所述的各種特徵可能結合於單一實施例中。相反地，本發明中為簡化而以單一實施例敘述或是依一特定順序的特徵，包括方法的步驟，亦可分別實施、以其他合適的子組合實施或是以不同順序實施。「例如」一詞是指一個特定的範例，而非用以限定本發明之範圍。任何圖示中所繪示相連接的裝置、器件或系統可能在部份實施例中整合在單一個平台中，也可能經過任何合適的有線或是無線形式相連接，例如但不限於光纖、以太網路、無線區域網路、家用電話網路聯盟(Home Person Network Access；Home PNA)、電力線通信(Power Line Communication；PLC)、手機、個人數位行動助理、黑莓機、通用封包無線服務技術(General Packet Radio Service；GPRS)、包含全球定位系統的衛星或其他的行動通訊技術。需注意的是，在本發明所述的任何敘述及圖式中，繪示為系統及次單元的功能，亦可由方法及步驟實現。在本發明所述的任何敘述及圖式中，繪示為方法及步驟的功能，亦可由系統及次單元實現。圖式中各元件的繪示比例僅為一個範例及/或是適度地表達清楚，並非用以限定本發明之範圍。

1-7‧‧‧步驟

Claims (25)

1. 一種觸控偵測系統，包含：一觸控表面組，位於一觸控面板中，該觸控表面組包含複數觸控表面；以及至少一觸控警示產生器，用以分別警示位於該等觸控表面中，至少一第一觸控表面以及一第二觸控表面其中之一或兩者上的一觸控動作；其中該觸控警示產生器用以判斷該第一觸控表面之一第一觸控表面電容值，判斷該第一觸控表面以及該第二觸控表面之一觸控物體電容值，以及計算該第一觸控表面電容值以及該觸控物體電容值間之一差距，並據以產生該第二觸控表面之該觸控物體電容值之一近似值；且其中該第一及該第二觸控表面分別透過一第一電阻物以及一第二電阻物連接於單一之該觸控警示產生器，其中該第二電阻物之一第二電阻值大於該第一電阻物之一第一電阻值，該第一電阻值至少為0歐姆。
2. 一種觸控偵測方法，包含：提供位於一觸控面板中之一觸控表面組，該觸控表面組包含複數觸控表面；以及提供至少一觸控警示產生器，用以分別警示位於該等觸控表面中，至少一第一觸控表面以及一第二觸控表面其中之一或兩者上的一觸控動作；其中該觸控警示產生器用以判斷該第一觸控表面之一第一觸控表面電容值，判斷該第一觸控表面以及該第二觸控表面之一觸控物體電容值，以及計算該第一觸控表面電容值 以及該觸控物體電容值間之一差距，並據以產生該第二觸控表面之該觸控物體電容值之一近似值；且其中該第一及該第二觸控表面分別透過一第一電阻物以及一第二電阻物連接於單一之該觸控警示產生器，其中該第二電阻物之一第二電阻值大於該第一電阻物之一第一電阻值，該第一電阻值至少為0歐姆。
3. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中該觸控警示產生器用以於發生觸控時判斷該第一觸控表面之該第一觸控表面電容值，於發生觸控時判斷該第一觸控表面以及該第二觸控表面之該觸控物體電容值，以及於發生觸控時計算該第一觸控表面電容值以及該觸控物體電容值間之該差距，並據以產生該第二觸控表面之該觸控物體電容值。
4. 如請求項3所述之觸控偵測系統，其中該觸控警示產生器用以在未觸控時根據預先校正之至少一係數K校正該第二觸控表面之該觸控物體電容值之該近似值。
5. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中各該等觸控表面與該觸控警示產生器間之該第一電阻值及該第二電阻值相差至少一數量級。
6. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中該等觸控表面由置於一絕緣表面上之一單層物質形成，其中該絕緣表面覆蓋一觸控面板區域。
7. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中該第一電阻值及該第二電阻值至少其中之一的至少一部份阻值係由複數走線其中之一提供，且各該等走線用以連接至少其中之一該等觸控表面以及該觸控警示產生器。
8. 如請求項7所述之觸控偵測系統，其中該觸控表面組定義一觸控面板主動區，且其中各用以連接至少其中之一該等觸控表面以及該觸控警示產生器之至少一該等走線係設置於該觸控面板主動區內。
9. 如請求項7所述之觸控偵測系統，其中各用以連接至少其中之一該等觸控表面以及該觸控警示產生器之該等走線包含一透明導體。
10. 如請求項7所述之觸控偵測系統，其中該觸控表面組包含形成一陣列之該等觸控表面，且該陣列具有一垂直長度，該陣列之該等觸控表面排列為複數行及複數列，該等走線係互不交越(crossing)，以建構一單層觸控面板；其中至少二觸控表面形成之複數觸控表面群組中之至少一部份，係串聯至單一之該觸控警示產生器，以由該觸控警示產生器伺服；該等觸控表面群組各包含位於一第一列之至少一該第一觸控表面以及位於該第一列鄰近之一列的該第二觸控表面。
11. 如請求項10所述之觸控偵測系統，其中該第二觸控 表面至該第一觸控表面之一垂直距離，係小於該垂直長度之三分之二，以降低該等觸控表面間之干擾。
12. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中各該等觸控表面與該觸控警示產生器間之一電阻值互相相差至少兩倍。
13. 如請求項7所述之觸控偵測系統，其中該第一觸控表面以及該第二觸控表面分別透過一第一走線以及一第二走線連接至單一之該觸控警示產生器，並由該觸控警示產生器伺服，該第一觸控表面以及該第二觸控表面間之一電阻值差係由該第一走線及該第二走線間之長度差距產生。
14. 如請求項7所述之觸控偵測系統，其中該第一觸控表面以及該第二觸控表面分別透過一第一走線以及一第二走線連接至單一之該觸控警示產生器，並由該觸控警示產生器伺服，該第一觸控表面以及該第二觸控表面間之一電阻值差係由該第一走線及該第二走線間之寬度差距產生。
15. 如請求項12所述之觸控偵測系統，其中該第二走線係往復至少一次。
16. 如請求項3所述之觸控偵測系統，其中連接至同一該觸控警示產生器，並由該觸控警示產生器伺服之該等觸控表面更包含一第三觸控表面，且該觸控警示產生器用以判斷該第一觸控表面、該第二觸控表面及該第三觸控表面之該觸控物體電容值，以計算該第一觸控表面、該第二觸控表面以 及該第三觸控表面間之該觸控物體電容值之差距以及該第一觸控表面以及該第二觸控表面之該電容值，以產生該第三觸控表面之該觸控物體電容值之一近似值。
17. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中該觸控警示產生器係用以判斷不同之複數時間間隔中之複數電容值，以使該等觸控表面之不同之複數子集合參與判斷之過程，包含僅有該第一觸控表面參與之一第一電容判斷程序，以及時間較該第一電容判斷程序為長且該第一觸控表面及該第二觸控表面均參與的一第二電容判斷程序，其中該第一觸控表面透過具較低之該第一電阻值之該第一電阻物連接於該觸控警示產生器。
18. 如請求項17所述之觸控偵測系統，其中連接至同一該觸控警示產生器之該等觸控表面更包含一第三觸控表面，且該觸控警示產生器用以進行時間較該第二電容判斷程序為長且該第一觸控表面、該第二觸控表面以及該第三觸控表面均參與的一第三電容判斷程序，且其中該第二電容判斷程序為僅有該第一觸控表面及第二觸控表面參與。
19. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中該觸控警示產生器用以根據一時間間隔量測進行電容值之判斷，且不同之複數電流係應用於不同之該等觸控表面。
20. 如請求項1所述之觸控偵測系統，其中該觸控警示產生器用以根據一電荷轉移技術進行電容值之判斷。
21. 如請求項11所述之觸控偵測系統，其中各該等觸控表面與該觸控警示產生器間之一電阻值互相相差至少一個數量級。
22. 如請求項7所述之觸控偵測系統，其中至少部份成對，且串聯至單一之該觸控警示產生器，並由該觸控警示產生器伺服之該第一觸控表面及該第二觸控表面中，當該第一觸控表面至該觸控警示產生器之一第一走線距離較該第二觸控表面至該觸控警示表面之一第二走線距離為長時，該第一電阻值至少為該第二電阻值之兩倍。
23. 如請求項4所述之觸控偵測系統，其中該至少一係數K係由至少一電路模型及校正量測結果擷取出。
24. 如請求項4所述之觸控偵測系統，其中該至少一係數K包含各該等觸控面板進行一長時間電容量測及一短時間電容量測之至少一線性校正係數。
25. 如請求項3所述之觸控偵測系統，其中該觸控警示產生器用以根據預先校正之至少一係數K校正該第二觸控表面之該觸控物體電容值之該近似值，進一步校正該等觸控表面於發生觸控時以及未觸控時，該觸控物體電容值的差距之一差距近似值。