TW201330698A - 電流控制電路及其相應的發光二極體模組 - Google Patents

Abstract

一種電流控制電路及其相應的發光二極體模組。此電流控制電路包括有：一倍壓電路，用以提供一輸出電壓；一欠電壓開關電路，用以接收上述輸出電壓，且當輸出電壓大於一預設值時，欠電壓開關電路便依據輸出電壓產生一操作電壓；一參考電壓供應電路，用以提供一參考電壓；以及一電流阱，用以電性連接於一電源電壓與一發光二極體串之間，並用以接收操作電壓與參考電壓，且當電流阱接收到操作電壓時，電流阱便依據參考電壓的大小而決定流至發光二極體串的電流的大小。

Description

電流控制電路及其相應的發光二極體模組

本發明是有關於背光模組之技術領域，且特別是有關於一種電流控制電路及其相應的發光二極體模組。

現今的背光模組一般是採用發光二極體光條(LED light-bar)來當作光源。每一發光二極體光條通常都配置有多個發光二極體串(LED string)，而每一發光二極體串又由多個發光二極體串接而成。圖1係用以說明習知的發光二極體串驅動方法。在圖1中，標示110、120與130皆表示為發光二極體串。發光二極體串110是由發光二極體112、114、116電性連接而成，而發光二極體串120是由發光二極體122、124、126串聯而成，至於發光二極體串130則是由發光二極體132、134、136串聯而成。每一發光二極體串的其中一端係電性連接電源電壓VCC，且這三個發光二極體串的另一端係分別透過電流控制電路140、150與160而電性連接接地電位GND。

上述的電流控制電路140、150與160係用以分別控制通過發光二極體串110、120與130之電流的大小，以使通過發光二極體串110、120與130的電流大小保持恆定。然而，將電流控制電路140、150與160配置在發光二極體串110、120與130與接地電位GND之間的驅動方式極不利於發光二極體光條的佈線(layout)，以圖2來說明之。

圖2為對應於圖1之驅動方式的發光二極體光條。在圖2中，標示與圖1中之標示相同者表示為相同物件。請參照圖2， 此發光二極體光條係由電路基板102、連接器170與發光二極體串110、120、130所組成。連接器170與發光二極體串110、120、130皆配置在電路基板102的其中一面，並透過電路基板102上的導線(如標示104所示)進行電性連接。連接器170具有四個訊號傳輸接腳，分別以171、172、173、174來標示。訊號傳輸接腳171係電性連接發光二極體112的陽極、發光二極體122的陽極與發光二極體132的陽極，並用以透過連接器170的接口(未繪示)來電性連接電源電壓VCC。訊號傳輸接腳172、173與174係分別電性連接發光二極體116的陰極、發光二極體126的陰極與發光二極體136的陰極，並用以透過連接器170的接口分別電性連接電流控制電路140、150與160。

由圖2的佈線方式可知，電流控制電路與發光二極體之間必須要透過多個導線104來進行電性連接，導致導線104過多而不容易佈線，並進而限制了電路基板102的設計方式。當電路基板102的寬度必須設計得較窄，使得電路基板102上的佈線空間不夠時，裁切電路基板102的安全距離就會縮小。而要是裁切的精準度不夠，因而裁切到導線104時，便容易造成短路與漏電的情形。

本發明提供一種電流控制電路，其可採用不同於以往的電性連接方式來驅動發光二極體串，進而減少發光二極體光條之電路基板上的導線數。

本發明另提供二種相應於上述電流控制電路的發光二極體模組(例如是發光二極體光條)。

本發明的一實施例提出一種電流控制電路，其適用於一發 光二極體串，而所述之發光二極體串的其中一端電性連接一參考電位。此電流控制電路包括有一倍壓電路、一欠電壓開關電路、一參考電壓供應電路與一電流阱。所述之倍壓電路用以提供一輸出電壓。所述之欠電壓開關電路用以接收上述之輸出電壓，且當輸出電壓大於一預設值時，欠電壓開關電路便依據輸出電壓產生一操作電壓。而所述之參考電壓供應電路用以提供一參考電壓。至於所述之電流阱，其用以電性連接於一電源電壓與上述發光二極體串的另一端之間，並用以接收操作電壓與參考電壓，且當電流阱接收到操作電壓時，電流阱便依據參考電壓的大小而決定流至發光二極體串的電流的大小。

本發明的一實施例提出一種發光二極體模組，其包括有一電路基板、一第一發光二極體串、一第二發光二極體串與一連接器。所述之電路基板具有一第一面與一第二面，且此電路基板具有一導電貫孔。所述之第一發光二極體串係由多個第一發光二極體串聯而成，這些第一發光二極體皆配置在上述電路基板的第一面，且此第一發光二極體串的其中一端電性連接上述導電貫孔。所述之第二發光二極體串係由多個第二發光二極體串聯而成，這些第二發光二極體皆配置在上述電路基板的第一面，且此第二發光二極體串的其中一端電性連接上述導電貫孔。至於所述之連接器，其亦配置在上述電路基板的第一面。此連接器具有多個訊號傳輸接腳，且其中一訊號傳輸接腳係電性連接上述第一發光二極體串的另一端，並用以電性連接一第一外接電流控制電路。而其中之另一訊號傳輸接腳係電性連接上述第二發光二極體串的另一端，並用以電性連接一第二外接電流控制電路。上述之第一外接電流控制電路與第二外接電流控制電路皆用以電性連接一電源電壓，並分別用以控制流至第 一發光二極體串之電流的大小與流至第二發光二極體串之電流的大小。

本發明的一實施例提出另一種發光二極體模組，其包括有一電路基板、一第一發光二極體串、一第二發光二極體串與一連接器。所述之電路基板具有一第一面與一第二面，且此電路基板具有一第一導電貫孔與一第二導電貫孔。所述之第一發光二極體串係由多個第一發光二極體串聯而成，這些第一發光二極體皆配置在上述電路基板的第一面，且此第一發光二極體串的其中一端電性連接上述之第一導電貫孔。所述之第二發光二極體串係由多個第二發光二極體串聯而成，這些第二發光二極體皆配置在上述電路基板的第一面，且此第二發光二極體串的其中一端電性連接上述之第二導電貫孔。至於上述之連接器，其亦配置在上述電路基板的第一面。此連接器具有多個訊號傳輸接腳，且其中一訊號傳輸接腳電性連接上述第一發光二極體串的另一端，並用以電性連接一第一外接電流控制電路。而其中之另一訊號傳輸接腳係電性連接上述第二發光二極體串的另一端，並用以電性連接一第二外接電流控制電路。上述之第一外接電流控制電路與第二外接電流控制電路皆用以電性連接一電源電壓，並分別用以控制流至上述第一發光二極體串之電流的大小與流至上述第二發光二極體串之電流的大小。

本發明的實施例提出一種電流控制電路，此種電流控制電路適於配置在電源電壓與發光二極體串之間，藉以控制流至發光二極體串之電流的大小。只要電流控制電路中之電流阱所接收的參考電壓大小固定，那麼流至發光二極體串之電流的大小也就維持恆定。因此，當採用這種電流控制電路當作發光二極體模組的外接電流控制電路時，發光二極體模組中之連接器的 每一訊號傳輸接腳都是當作電源接腳使用，而沒有任何一訊號傳輸接腳當作接地接腳使用，且每一發光二極體串的其中一端皆是電性連接一對應的導電貫孔，以便透過導電貫孔電性連接至金屬背板(當作大地使用)，或者是電性連接至其他相似的導電物以完成接地。因此，發光二極體模組中的電路基板便可減少接地用之導線的數目與佈線面積。

為讓本發明之實施例的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖3係用以說明本發明所採用的發光二極體串驅動方法。在圖3中，標示310、320與330皆表示為發光二極體串，而標示340、350與360皆表示為本發明之電流控制電路。上述之發光二極體串310是由發光二極體312、341、316串聯而成，而發光二極體串320是由發光二極體322、324、326串聯而成，至於發光二極體串330則是由發光二極體332、334、336串聯而成。每一發光二極體串的其中一端係電連接參考電位VSS，且這三個發光二極體串310、320與330的另一端係分別透過電流控制電路340、350與360而電性連接電源電壓VCC。

上述的電流控制電路340、350與360係用以分別控制流至發光二極體串310、320與330之電流的大小，以使通過發光二極體串310、320與330的電流大小保持恆定。

圖4係繪示圖3所示之三個電流控制電路的其中一種實現方式與其中一種電性連接方式。在圖4中，標示與圖3中之標 示相同者表示為相同物件。請參照圖4，所述之三個電流控制電路340、350與360係由倍壓電路410、欠電壓開關電路430、參考電壓供應電路450，以及以470、490與510所標示的三個電流阱(current sink)所組成。倍壓電路410係用以提供輸出電壓VOUT。欠電壓開關電路430係用以接收上述之輸出電壓VOUT，且當輸出電壓VOUT大於一預設值時，欠電壓開關電路430便依據輸出電壓VOUT產生操作電壓VOP。而參考電壓供應電路450係用以提供參考電壓VREF。至於所述之每一電流阱，係用以電性連接於電源電壓VCC與一對應發光二極體串的其中一端之間，並用以接收操作電壓VOP與參考電壓VREF，且當這些電流阱都接收到操作電壓VOP時，每一電流阱都會依據參考電壓VREF的大小而決定流至其對應之發光二極體串的電流的大小。

在此例中，倍壓電路410係由二個運算放大器(分別以411與424來標示)、一個NPN型雙極性接面電晶體(以416來標示)、一個PNP型雙極性接面電晶體(以417來標示)、二個蕭特基二極體(分別以418與419來標示)、三個電容(分別以413、420與421來標示)以及五個阻抗(分別以412、414、415、422與423來標示)所組成。

在倍壓電路410的各構件中，阻抗412係電性連接於運算放大器411的負輸入端與運算放大器411的輸出端之間。阻抗414係電性連接於運算放大器411的正輸入端與運算放大器411的輸出端之間。阻抗415的其中一端係電性連接運算放大器411的正輸入端。電容413係電性連接於運算放大器411的負輸入端與阻抗415的另一端之間。NPN型雙極性接面電晶體416的集極係電性連接電源電壓VCC，而基極係電性連接 運算放大器411的輸出端。PNP型雙極性接面電晶體417的射極係電性連接NPN型雙極性接面電晶體416的射極，而其基極係電性連接運算放大器411的輸出端，至於其集極則電性連接接地電位GND。

而在倍壓電路410的其他構件中，蕭特基二極體418的陽極係電性連接電源電壓VCC。而蕭特基二極體419的陽極係電性連接蕭特基二極體418的陰極。電容420係電性連接於蕭特基二極體418的陰極與NPN型雙極性接面電晶體416的射極之間。電容421係電性連接於蕭特基二極體419的陰極與接地電位GND之間。阻抗422的其中一端係電性連接蕭特基二極體419的陰極，並用以輸出前述之輸出電壓VOUT。阻抗423係電性連接於阻抗422的另一端與接地電位GND之間。至於運算放大器424，其正輸入端係電性連接阻抗422的另一端，而其負輸入端與輸出端皆電性連接阻抗415的另一端。

此外，在此例中，欠電壓開關電路430係由一個稽納二極體(Zener diode)431、一個PNP型雙極性接面電晶體432與一個阻抗433所組成。稽納二極體431的陽極係電性連接電源電壓VCC。PNP型雙極性接面電晶體432的射極係用以接收輸出電壓VOUT，而其基極係電性連接稽納二極體431的陰極，至於集極則用以輸出操作電壓VOP。而阻抗433係電性連接於PNP型雙極性接面電晶體432的射極與基極之間。

另外，在此例中，參考電壓供應電路450係由一個稽納二極體452、一個可調崩潰電壓式稽納二極體453、一個電容451，以及由454、455、456與457所標示的四個阻抗所組成。電容451係電性連接於電源電壓VCC與接地電位GND之間。稽納二極體452的陽極係電性連接接地電位GND，而陰極係 電性連接電源電壓VCC。可調崩潰電壓式稽納二極體453具有崩潰電壓設定端453-1，且此可調崩潰電壓式稽納二極體453的陰極與崩潰電壓設定端453-1皆電性連接電源電壓VCC。阻抗454的其中一端係電性連接電源電壓VCC。阻抗455的其中一端係電性連接阻抗454的另一端，並用以輸出前述之參考電壓VREF，而阻抗455的另一端係電性連接可調崩潰電壓式稽納二極體453的陽極。阻抗456的其中一端係電性連接可調崩潰電壓式稽納二極體453的陽極。阻抗457的其中一端係電性連接阻抗456的另一端、稽納二極體452的陽極與接地電位GND，而阻抗457的另一端係電性連接參考電位VSS。

至於在此例中的每一個電流阱，係皆以一個阻抗、一個運算放大器、一個MOS電晶體與一個二極體來實現之。如圖4所示，電流阱470係由阻抗472、運算放大器471、MOS電晶體473與二極體474所組成。電流阱490係由阻抗492、運算放大器491、MOS電晶體493與二極體494所組成。而電流阱510係由阻抗512、運算放大器511、MOS電晶體513與二極體514所組成。

以電流阱470的構件連接方式為例，其阻抗472的其中一端係電性連接電源電壓VCC。運算放大器471的操作電壓輸入端471-1係用以接收前述之操作電壓VOP，而其正輸入端係電性連接阻抗472的另一端，至於負輸入端則用以接收前述之參考電壓VREF。MOS電晶體473的源極係電性連接運算放大器471的正輸入端，而汲極係用以電性連接發光二極體串310的其中一端，至於閘極則電性連接運算放大器471的輸出端。二極體474的陰極係電性連接運算放大器471的正輸入端，而陽極係用以電性連接發光二極體串310的其中一端。至於電流 阱490與512，這二者的構件連接方式亦已繪示於圖4中，在此便不再贅述。此外，在圖4中，每一阻抗例如是以一電阻來實現之，而每一MOS電晶體是以一P型MOS電晶體來實現之。在另一實施例中，MOS電晶體473的汲極電性連接運算放大器471的正輸入端，而源極用以電性連接發光二極管串310的其中一端，至於閘極則電性連接運算放大器471的輸出端。

當電源電壓VCC供應至圖4所示電路時，倍壓電路410便開始工作，使得其所提供之輸出電壓VOUT的電壓值開始上升。當輸出電壓VOUT大於一預設值時，就會使得PNP型雙極性接面電晶體432導通，進而使得PNP型雙極性接面電晶體432從其集極提供運算放大器471、491與511這三者所需的操作電壓VOP。由於阻抗472、492與512這三者的阻值皆為定值，因此只要使參考電壓VREF的大小固定，那麼流至各發光二極體串310、320與330之電流的大小也就維持恆定。

僅管在圖4所示電路中，係採用三個電流阱，然本領域具有通常知識者應當知道電流阱的數目係可隨著發光二極體串的數目來做變化。

圖5為對應於圖3之驅動方式與對應於圖4之電路架構的發光二極體模組(例如是發光二極體光條)。在圖5中，標示與圖3中之標示相同者表示為相同物件。請參照圖5，此發光二極體模組係由電路基板602、連接器670與發光二極體312~336所組成。圖6為電路基板602的側視剖面圖。請參照圖6，此電路基板602具有第一面602-1與第二面602-2，且此電路基板具有導電貫孔681與682。請再參照圖5，連接器670與發光二極體312~336皆配置在電路基板602的第一面(未標示)， 並透過電路基板602上的導線(如標示604所示)進行電性連接。此外，連接器670具有四個訊號傳輸接腳，分別以671~674來標示。

上述之訊號傳輸接腳671係電性連接發光二極體332的陽極，並用以透過連接器670的接口(未繪示)來電性連接圖4中的其中一電流阱，例如是電流阱470。訊號傳輸接腳672係電性連接發光二極體312的陽極，並用以透過連接器670的接口來電性連接圖4中的另一電流阱，例如是電流阱490。而訊號傳輸接腳673係電性連接發光二極體322的陽極，並用以透過連接器670的接口來電性連接圖4中剩下的最後一個電流阱，也就是電流阱510。至於訊號傳輸接腳674，其沒有任何電性連接關係。如此一來，電路基板602上的三個發光二極體串(分別以310、320與330來標示)就可透過外接電流控制電路(如圖4所示的電流控制電路)來控制流至每一發光二極體串之電流的大小。

此外，發光二極體316的陰極係電性連接導電貫孔681，而發光二極體326的陰極與發光二極體336的陰極皆電性連接導電貫孔682。因此，每一發光二極體串可透過其對應的導電貫孔電性連接至金屬背板(當作大地使用)，或者是電性連接至其他相似的導電物以完成接地。如此一來，發光二極體模組中的電路基板602便可減少接地用之導線的數目與佈線面積。

綜上所述，本發明的實施例提出一種電流控制電路，此種電流控制電路適於配置在電源電壓與發光二極體串之間，藉以控制流至發光二極體串之電流的大小。只要電流控制電路中之電流阱所接收的參考電壓大小固定，那麼流至發光二極體串之電流的大小也就維持恆定。因此，當採用這種電流控制電路當 作發光二極體模組的外接電流控制電路時，發光二極體模組中之連接器的每一訊號傳輸接腳都是當作電源接腳使用，而沒有任何一訊號傳輸接腳當作接地接腳使用，且每一發光二極體串的其中一端皆是電性連接一對應的導電貫孔，以便透過導電貫孔電性連接至金屬背板(當作大地使用)，或者是電性連接至其他相似的導電物以完成接地。因此，發光二極體模組中的電路基板便可減少接地用之導線的數目與佈線面積。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。另外本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。

102、602‧‧‧電路基板

104、604‧‧‧導線

170、670‧‧‧連接器

171~174、671~674‧‧‧訊號傳輸接腳

110、120、130、310、320、330‧‧‧發光二極體串

112、114、116、122、124、126、132、134、136、312、314、316、322、324、326、332、334、336‧‧‧發光二極體

140、150、160、340、350、360‧‧‧電流控制電路

410‧‧‧倍壓電路

411、424、471、491、511‧‧‧運算放大器

416‧‧‧NPN型雙極性接面電晶體

417、432‧‧‧PNP型雙極性接面電晶體

418、419‧‧‧蕭特基二極體

413、420、421、451‧‧‧電容

412、414、415、422、423、433、454、455、456、457、472、492、512‧‧‧阻抗

430‧‧‧欠電壓開關電路

431、452‧‧‧稽納二極體

453‧‧‧可調崩潰電壓式稽納二極體

450‧‧‧參考電壓供應電路

453-1‧‧‧崩潰電壓設定端

470、490、510‧‧‧電流阱

471-1、491-1、511-1‧‧‧操作電壓輸入端

473、493、513‧‧‧MOS電晶體

474、494、514‧‧‧二極體

602-1‧‧‧第一面

602-2‧‧‧第二面

681、682‧‧‧導電貫孔

GND‧‧‧接地電位

VCC‧‧‧電源電壓

VOP‧‧‧操作電壓

VOUT‧‧‧輸出電壓

VREF‧‧‧參考電壓

VSS‧‧‧參考電位

圖1係用以說明習知的發光二極體串驅動方法。

圖2為對應於圖1之驅動方式的發光二極體光條。

圖3係用以說明本發明所採用的發光二極體串驅動方法。

圖4係繪示圖3所示之三個電流控制電路的其中一種實現方式與其中一種電性連接方式。

圖5為對應於圖3之驅動方式與對應於圖4之電路架構的發光二極體模組。

圖6為電路基板602的側視剖面圖。

310、320、330‧‧‧發光二極體串

312、314、316、322、324、326、332、334、336‧‧‧發光二極體

340、350、360‧‧‧電流控制電路

VCC‧‧‧電源電壓

VSS‧‧‧參考電位

Claims (10)

1. 一種電流控制電路，適用於一發光二極體串，而該發光二極體串的其中一端電性連接一參考電位，該電流控制電路包括：一倍壓電路，用以提供一輸出電壓；一欠電壓開關電路，用以接收該輸出電壓，且當該輸出電壓大於一預設值時，該欠電壓開關電路便依據該輸出電壓產生一操作電壓；一參考電壓供應電路，用以提供一參考電壓；以及一電流阱，用以電性連接於一電源電壓與該發光二極體串的另一端之間，並用以接收該操作電壓與該參考電壓，且當該電流阱接收到該操作電壓時，該電流阱便依據該參考電壓的大小而決定流至該發光二極體串的電流的大小。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電流控制電路，其中該電流阱包括：一阻抗，其一端電性連接該電源電壓；一運算放大器，其操作電壓輸入端用以接收該操作電壓，其正輸入端電性連接該阻抗之另一端，而負輸入端則用以接收該參考電壓；一MOS電晶體，其源極電性連接該運算放大器之正輸入端，其汲極用以電性連接該發光二極體串之另一端，而其閘極電性連接該運算放大器之輸出端；以及一二極體，其陰極電性連接該運算放大器之正輸入端，而其陽極用以電性連接該發光二極體串之另一端。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電流控制電路，其中該電流阱包括：一阻抗，其一端電連接該電源電壓；一運算放大器，其操作電壓輸入端用以接收該操作電壓，其正輸入端電性連接該阻抗之另一端，而負輸入端則用以接收該參考電壓；一MOS電晶體，其汲極電性連接該運算放大器之正輸入端，其源極用以電性連接該發光二極管串之另一端，而其閘極電性連接該運算放大器之輸出端；以及一二極體，其陰極電性連接該運算放大器之正輸入端，而其陽極用以電性連接該發光二極體串之另一端。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電流控制電路，其中該欠電壓開關電路包括：一稽納二極體，其陽極電性連接該電源電壓；一PNP型雙極性接面電晶體，其射極用以接收該輸出電壓，其基極電性連接該稽納二極體之陰極，而其集極用以輸出該操作電壓；以及一阻抗，電性連接於該PNP型雙極性接面電晶體的射極與基極之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電流控制電路，其中該參考電壓供應電路包括：一電容，電性連接於該電源電壓與一接地電位之間；一稽納二極體，其陽極電性連接該接地電位，而其陰極電 性連接該電源電壓；一可調崩潰電壓式稽納二極體，具有一崩潰電壓設定端，該可調崩潰電壓式稽納二極體之陰極與該崩潰電壓設定端皆電性連接該電源電壓；一第一阻抗，其一端電性連接該電源電壓；一第二阻抗，其一端電性連接該第一阻抗之另一端，並用以輸出該參考電壓，而該第二阻抗之另一端電性連接該可調崩潰電壓式稽納二極體之陽極；一第三阻抗，其一端電性連接該可調崩潰電壓式稽納二極體之陽極；以及一第四阻抗，其一端電性連接該第三阻抗之另一端、該稽納二極體之陽極與該接地電位，而該第四阻抗之另一端電性連接該參考電位。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電流控制電路，其中該倍壓電路包括：一第一運算放大器；一第一阻抗，電性連接於該第一運算放大器之負輸入端與該第一運算放大器之輸出端之間；一第二阻抗，電性連接於該第一運算放大器之正輸入端與該第一運算放大器之輸出端之間；一第三阻抗，其一端電性連接該第一運算放大器之正輸入端；一第一電容，電性連接於該第一運算放大器之負輸入端與該第三阻抗之另一端之間；一NPN型雙極性接面電晶體，其集極電性連接該電源電 壓，而其基極電性連接該第一運算放大器之輸出端；一PNP型雙極性接面電晶體，其射極電性連接該NPN型雙極性接面電晶體之射極，其基極電性連接該第一運算放大器之輸出端，而其集極電性連接一接地電位；一第一蕭特基二極體，其陽極電性連接該電源電壓；一第二蕭特基二極體，其陽極電性連接該第一蕭特基二極體之陰極；一第二電容，電性連接於該第一蕭特基二極體之陰極與該NPN型雙極性接面電晶體之射極之間；一第三電容，電性連接於該第二蕭特基二極體之陰極與該接地電位之間；一第四阻抗，其一端電性連接該第二蕭特基二極體之陰極，並用以輸出該輸出電壓；一第五阻抗，電性連接於該第四阻抗之另一端與該接地電位之間；以及一第二運算放大器，其正輸入端電性連接該第四阻抗之另一端，而其負輸入端與輸出端皆電性連接該第三阻抗之另一端。
7. 一種發光二極體模組，包括：一電路基板，具有一第一面與一第二面，且該電路基板具有一導電貫孔；一第一發光二極體串，由多個第一發光二極體串接而成，該些第一發光二極體皆配置在該電路基板之該第一面，且該第一發光二極體串之其中一端電性連接該導電貫孔；一第二發光二極體串，由多個第二發光二極體串聯而成， 該些第二發光二極體皆配置在該電路基板之該第一面，且該第二發光二極體串之其中一端電性連接該導電貫孔；以及一連接器，配置在該電路基板之該第一面，該連接器具有多個訊號傳輸接腳，且其中一訊號傳輸接腳電性連接該第一發光二極體串之另一端，並用以電性連接一第一外接電流控制電路，而其中之另一訊號傳輸接腳電性連接該第二發光二極體串之另一端，並用以電性連接一第二外接電流控制電路，其中該第一外接電流控制電路與該第二外接電流控制電路皆用以電性連接一電源電壓，並分別用以控制流至該第一發光二極體串之電流的大小與流至該第二發光二極體串之電流的大小。
8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體模組，其中每一外接電流控制電路包括：一倍壓電路，用以提供一輸出電壓；一欠壓開關電路，用以接收該輸出電壓，且當該輸出電壓大於一預設值時，該欠壓開關電路便依據該輸出電壓產生一操作電壓；一參考電壓供應電路，用以提供一參考電壓；以及一電流阱，用以電性連接於該電源電壓與該第一發光二極體串的另一端之間，或是電性連接於該電源電壓與該第二發光二極體串的另一端之間，該電流阱還用以接收該操作電壓與該參考電壓，且當該電流阱接收到該操作電壓時，該電流阱便依據該參考電壓的大小而決定流至該第一發光二極體串或該第二發光二極體串的電流的大小。
9. 一種發光二極體模組，包括：一電路基板，具有一第一面與一第二面，且該電路基板具有一第一導電貫孔與一第二導電貫孔；一第一發光二極體串，由多個第一發光二極體串聯而成，該些第一發光二極體皆配置在該電路基板之該第一面，且該第一發光二極體串之其中一端電性連接該第一導電貫孔；一第二發光二極體串，由多個第二發光二極體串聯而成，該些第二發光二極體皆配置在該電路基板之該第一面，且該第二發光二極體串之其中一端電性連接該第二導電貫孔；以及一連接器，配置在該電路基板之該第一面，該連接器具有多個訊號傳輸接腳，且其中一訊號傳輸接腳電性連接該第一發光二極體串之另一端，並用以電性連接一第一外接電流控制電路，而其中之另一訊號傳輸接腳電性連接該第二發光二極體串之另一端，並用以電性連接一第二外接電流控制電路，其中該第一外接電流控制電路與該第二外接電流控制電路皆用以電性連接一電源電壓，並分別用以控制流至該第一發光二極體串之電流的大小與流至該第二發光二極體串之電流的大小。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體模組，其中每一外接電流控制電路包括：一倍壓電路，用以提供一輸出電壓；一欠壓開關電路，用以接收該輸出電壓，且當該輸出電壓大於一預設值時，該欠壓開關電路便依據該輸出電壓產生一操作電壓；一參考電壓供應電路，用以提供一參考電壓；以及 一電流阱，用以電性連接於該電源電壓與該第一發光二極體串的另一端之間，或是電性連接於該電源電壓與該第二發光二極體串的另一端之間，該電流阱還用以接收該操作電壓與該參考電壓，且當該電流阱接收到該操作電壓時，該電流阱便依據該參考電壓的大小而決定流至該第一發光二極體串或該第二發光二極體串的電流的大小。