TW201314194A - 物件特性量測系統 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種物件特性量測系統，用以量測半導體薄膜特性，其係由雙光梳絕對測距裝置以及兆赫波時域量測裝置組成。雙光梳絕對測距裝置係由兩個雷射模組組成，用以透過兩個雷射模組所發出的雷射脈波以決定一待測物件第一特性。而兆赫波時域量測裝置則用以發射兆赫波，以測量待測物件的第二特性。

Description

物件特性量測系統
本發明係關於一種物件特性量測系統，用以量測半導體薄膜特性，特別是一種利用一個雙光梳絕對測距系統搭配兆赫波時域量測系統，以精確量出薄膜特性參數的半導體薄膜特性量測方法及裝置。
所謂兆赫(terahertz)波段，所指的是頻率在1012 Hz附近的電磁頻譜，它包含了由部分毫米波段(~0.1 THz)到遠紅外區(~25 THz)的一段電磁頻譜。在凝態物理的研究中，兆赫波段是一個非常重要的頻譜；因為在兆赫波段中，包含了許多決定材料特性的重要能階，如半導體中受體(acceptor)、施體(donor)及光激子(exciton)等之束縛能，光模聲子(optical phonon)、超導能隙，磁場作用下Landau能譜等，也都落在這一波段中。
兆赫波光譜技術(Terahertz wave spectroscopic techniques)裡有一種兆赫時域光譜技術(terahertz time-domain spectroscopy，THz-TDS)，非常適合用來對樣品進行取像與量測。而在半導體元件產業裡，與製作元件之半導體材料之光電特性相關之折射率、吸收率、介電常數、載子密度、遷移率、電阻係數，以及導電率等之物理量，係為左右半導體元件之性能的重要因素。因此目前有利用兆赫波時域量測技術來偵測半導體元件的光電氣特性。
先前技術美國專利申請早期公開第2001029436號專利揭露了一種電氣特性評價裝置，是藉兆赫頻域的脈衝光(兆赫脈衝光)來照射於半導體材料，檢測出其穿透脈衝光或反射脈衝光，分別計算出分光穿透率或分光反射率(即分光特性)，藉而測定、評價半導體材料的電氣特性參數。
而關於雙雷射兆赫波量測系統，美國專利申請早期公開第20100277726號則揭露了這樣的技術手段，其係利用雙雷射模組耦接至一對光電導(photoconductive)開關以產生100 GHz到超過2 THz頻率範圍的訊號，並將該訊號傳送穿射至一物件或者照射該物件並由該物件反射，再透過一偵測器以從所偵測的訊號獲得頻譜資訊，並使用多頻譜單頻法(multi-spectral homodyne process)以產生可代表該物件電氣特性的電訊號。其中該光電導開關係由雙雷射模組的雷射光束驅動。
另美國第7,675,037號專利也揭露一種測量兆赫時域光譜的方法及設備，該方法包括步驟：以預定的重複頻率從第一飛秒雷射器發出第一脈衝雷射光束，用於產生兆赫脈衝；以所述重複頻率從第二飛秒雷射器發出第二脈衝雷射光束；測量在所述第一脈衝雷射光束與所述第二脈衝雷射光束之間的各個相位差處的兆赫脈衝的電場強度；以及通過對表示所述電場強度的資料進行傅立葉變換來得到兆赫時域光譜。
兆赫波時域之材料(例如薄膜)量測系統是利用兆赫脈衝之飛行時間法量測有薄膜與無薄膜(純基板)間之波形變化，可非接觸式與非破壞式的量測並推導出薄膜樣品的特性，例如折射率、載子遷移率、電導率等參數。然而如果樣品的基板是金屬或高參雜之材料時，使得基板的阻值太小，兆赫波無法穿過整個材料，因此便需用到反射式的量測法。然而一般反射式的兆赫波時域量測系統會遇到樣品在移動時，例如量測薄膜後移到基板時，樣品面時間零點無法決定的問題。
本發明提出一種物件特性量測系統，用以量測半導體薄膜特性，利用一個雙光梳絕對測距系統搭配兆赫波時域量測系統，可以精確定訂樣品面之時間零點位置，藉由調整樣品之空間位置與傾斜，修正因樣品移動時造成的時間誤差，如此可精確量出真正的波形，而導出薄膜的特性參數。
根據實施例所揭露之物件特性量測系統，其係由雙光梳絕對測距裝置以及兆赫波時域量測裝置組成。其中雙光梳絕對測距系統產生一第一雷射脈衝串列與一第二雷射脈衝串列，該第二雷射脈衝串列用以照射至一參考面與一待測物件，並產生反射後之雷射脈衝串列，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣該反射後之雷射脈衝串列據以確定該待測物件之一第一特性；兆赫波時域量測系統回應該第二雷射脈衝串列以發射一兆赫波，該兆赫波係可被照射至該待測物件並反射該兆赫波，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣被反射之該兆赫波以確定該待測物件之一第二特性。
根據實施例所揭露之一種物件特性量測方法，包括有產生一第一雷射脈衝串列與一第二雷射脈衝串列，該第二雷射脈衝串列用以照射至一參考面與一待測物件，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣該反射後之該第二雷射脈衝串列據以決定該待測物件之一第一特性；以及回應該第二雷射脈衝串列以發射一兆赫波，該兆赫波係可被照射至該待測物件並反射該兆赫波，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣被反射之該兆赫波以決定該待測物件之一第二特性。根據實施例所揭露之物件特性量測系統，利用一個雙光梳絕對測距與搭配兆赫波時域量測系統，可以精確定訂樣品面之時間零點位置，如前述之第一特性，藉由調整樣品之空間位置與傾斜，修正因樣品移動時造成的時間誤差，如此可精確量出真正的波形，而導出薄膜的特性參數，如前述之第二特性。本發明所提出之雙雷射脈衝串列非同步取樣法用來判斷與控制樣品位置係為先前技術並未教示之技術手段。此外，透過回授控制系統搭配絕對測距系統，以移動與調整機台，進一步確保零點位置相同。
以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請參考『第1圖』，係為本發明所揭露之兆赫反射式量測系統之系統架構圖，本發明所揭露的兆赫反射式量測系統除了用於反射式量測外，亦可用於穿透式的測量。為了確保時間零點的一致，本提案提供了一種兆赫反射式量測系統，特別適合用於量測染料敏化太陽能板之二氧化鈦(TiO2)層的多孔性(porosity)、載子遷移率(carrier mobility)等特性。
如『第1圖』所示，本發明所揭露的兆赫反射式量測系統包括有兩個部份，其中一個部份為雙光梳絕對測距系統，另一部份為兆赫波時域量測系統，其個別組成與運作將於下面的段落中詳細說明。雙光梳絕對測距系統可藉由機台的移動與調整，以確保零點位置相同。雙光梳絕對測距系統產生一第一雷射脈衝串列與一第二雷射脈衝串列，第二雷射脈衝串列用以照射至一參考面與一待測物件，俾以根據第一雷射脈衝串列取樣該反射後之雷射脈衝串列據以確定待測物件之一第一特性，該第一特性包括有一時間零點。兆赫波時域量測系統回應第二雷射脈衝串列以發射一兆赫波，兆赫波係可被照射至待測物件並反射兆赫波，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣被反射之該兆赫波以確定該待測物件之一第二特性。在本實施例中，係以參考面到樣品面之間距來當標準定義時間零點，而參考面為『第1圖』中第一光耦合器22之一參考面27，再另一實施例中，可為第一光耦合器22本身的反射面，或另外在後面放置一個光學平板造成的反射面皆可。
雙光梳絕對測距系統包括有一第一雷射模組10以及第二雷射模組20，第一雷射模組10用以產生一第一雷射脈衝串列11，第二雷射模組20，用以產生一第二雷射脈衝串列21。此處以串列定義係指雷射脈衝串列會持續產生而為串列狀態。第一雷射脈衝串列11具有第一重複率，第二雷射脈衝串列21具有第二重複率，第一重複率與第二重複率並不相同，彼此間具有些微差距，可從1 Hz~1 MHz，一般為幾個kHz，以做為非同步取樣。
第二雷射模組20所產生的第二雷射脈衝串列21係透過第一光耦合器22照射到待測物件81的表面上。待測物件81係為一種具有薄膜之物件或半導體薄膜。在一種應用態樣中，待測物件81係成長於基板80上。這個基板80通常為以矽為主要成份的半導體基板。通常在製程中，待測物件81係置於機台90，一般的情況下機台90可被控制移動與傾斜，在另一實施例中，機台90可藉由迴授控制的方式被控制移動與傾斜，以精確的確定待測物件的位置零點，以提昇量測的準確度。
如前面的說明，第二雷射模組20所產生的第二雷射脈衝串列21透過第一光耦合器22照射到待測物件81或基板80後會反射，反射的第二雷射脈衝串列21由第一光耦合器22傳送。第二光耦合器13，耦合由該第一雷射脈衝串列11及反射自第一光耦合器22端面(此即上頁所述之參考面27)與該待測物件81之該第二雷射脈衝串列23，以輸出一非同步取樣導致時域放大後的耦合雷射脈衝串列。光偵測器12用以偵測此非同步取樣後的雷射脈衝串列，光偵測器12所接收到的雷射脈衝串列則由訊號擷取裝置40(例如類比轉數位之訊號擷取卡)接收進行量測。光偵測器12所接收到反射自第一光耦合器22端面的時間紀錄為第一時間，接收到反射自該待測物件81的第二雷射脈衝串列21的時間紀錄為第二時間。第一時間與第二時間會有一時間差存在，由此時間差當基準，在機台90移動樣品時，電腦50隨時讀取此時間差，並與參考值相比較(例如將時間差與參考值相減)，其差值將藉由電腦輸出電壓訊號，此電壓訊號可與時間差具有關係，例如正相關，因此可透過電壓訊號控制機台90上之三軸旋紐，以完成回受控制時間差之目的。
例如，處理模組計算零點之距離，例如5 cm，亦計算移動到待測位置點之距離，例如5.1 cm-膜厚0.002 cm=5.098 cm。兩者相減可得0.098 cm，最後由程式控制輸出電壓推動壓控位移裝置，在一實施例中，壓控位移裝置可以為在x,y,z三軸上所裝設之步進馬達之移動台或微調旋紐。前述之第一雷射模組10及/或第二雷射模組20可為穩頻或非穩頻雷射模組，以產生穩頻或非穩頻雷射脈衝串列。
以下說明兆赫波時域量測系統。兆赫波時域量測系統主要由兆赫波輻射元件24以及兆赫波接收元件14組成。兆赫波輻射元件24回應第二雷射模組20所產生之第二雷射脈衝串列21以產生一兆赫波30，透過適當地配置，例如配置一第一反射裝置26，以使兆赫波30可以適當地照射在待測物件81上，以對待測物件81進行光學與電氣等特性的測量。兆赫波30照射到待測物件81後所反射的兆赫波，同樣地透過適當地配置，例如配置一第二反射裝置15，以使反射自待測物件81的兆赫波30可以適當地由兆赫波接收元件14所接收。兆赫波接收元件14接收到反射自待測物件81的兆赫波31後，則由訊號擷取裝置接收進行量測。
由於兆赫波具良好之薄膜穿透性，若待測物件81上為一二氧化鈦薄膜，那麼兆赫波會穿透二氧化鈦薄膜後再反射回去，因此可藉由其穿透波形來量測薄膜特性，例如膜厚等。
請參考『第2圖』，係為本發明所揭露之兆赫反射式量測系統之另一應用實施例，如圖所述，係以穿透的方式測量待測物件82。在『第2圖』之實施例，其主要架構與前述相同，所以不再贅述。不同之處在於此實施例中兆赫波時域量測系統係利用兆赫波以穿透式的方式進行量測。與前述實施例類似，兆赫波輻射元件24回應第二雷射模組20所產生之第二雷射脈衝串列21以產生一兆赫波30，透過適當地配置，例如配置一反射裝置26，以使穿透待測物件82之兆赫波可以適當地照射在機台90上，照射到機台90後所反射的兆赫波，同樣地透過適當地配置，例如配置一反射裝置15，以使反射自機台90的兆赫波31可以適當地由兆赫波接收元件14所接收。兆赫波接收元件14接收到穿透自待測物件82的兆赫波31後，則由訊號擷取裝置接收進行量測。根據本發明所提供之實施例，經實驗的驗證可以確實提高量測的精準度。『第3圖』為利用微波頻率計數器紀錄兩個雷射的重複率隨時間的變化、『第4圖』為利用光譜儀量測兩個雷射的光譜、『第5圖』為利用快速的訊號擷取卡(GaGe Scope，取樣速率200 MS/s)量測取樣反射自參考面與待測面間之時間差換算得到的距離(固定)隨時間的變化，縱軸值的跳動量可視為系統誤差、『第6圖』為將『第5圖』利用Igor軟體分析出來的誤差圖。請參考『第3圖』，係為測試的第一雷射脈衝串列與第二雷射脈衝串列之重複率，虛線表示前述實施例所述之第一雷射脈衝串列，實線的表示前述實施例所述之第二雷射脈衝串列。兩者光譜如『第4圖』所示，表示波長有一定程度之吻合而可做時域上之波形取樣。實際量得的絕對距離則如『第5圖』所示，精準度的提高可從『第6圖』觀察出來，其精準度確實極高。，『第6圖』係將量測得到的距離做Allan deviation時的平均的時間長短，其縱軸表示量測得到的距離的Allan deviation(單位為公尺)。
其中Allan deviation係為Allan variance的平方根，如下表示：
而Allan variance定義為(τ)=〈(2,τ,τ)〉。
為方便起見，亦可標示如下：
其中τ為觀察時間，為觀察時間τ中第n個分數頻率平均(fractional frequency average)，分數頻率y(t)係由標稱頻率(Nominal frequency) vn得到的正規化差(normalized delta)，因此y(t)表示為：『第7圖』係為本發明所揭露之物件特性量測方法之流程圖。
首先以一雙光梳絕對測距系統決定待測物件之一第一特性(步驟100)，並利用兆赫波時域量測系統決定該待測物件之一第二特性(步驟150)。在決定待測物件之一第一特性的步驟中，係產生一第一雷射脈衝串列與一第二雷射脈衝串列，該第二雷射脈衝串列用以照射至一參考面與一待測物件，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣該反射後之該第二雷射脈衝串列據以決定該待測物件之一第一特性。其中該第一雷射脈衝串列具有第一重複率，該第二雷射脈衝串列具有第二重複率，該第一重複率與該第二重複率並不相同。而在決定該待測物件之一第二特性之步驟中係回應該第二雷射脈衝串列以發射一兆赫波，該兆赫波係可被照射至該待測物件並反射該兆赫波，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣被反射之該兆赫波以決定該待測物件之一第二特性。
類似於前述關於物件特性量測系統，第一特性包括有一時間零點與其相對應之該參考面與該待測物件之表面之距離。
類似於前述關於物件特性量測系統，參考『第8圖』，在決定待測物件之一第一特性的步驟中，透過一第一雷射模組產生該第一雷射脈衝串列，並透過一第二雷射模組產生該第二雷射脈衝串列(步驟101)；其中該第一雷射模組及/或該第二雷射模組係為穩頻或非穩頻雷射模組。接著透過一第一光耦合器傳送該第二雷射脈衝串列至該待測物件，並傳送反射自該第一光耦合器之該參考面與該待測物件之該第二雷射脈衝串列(步驟102)。再透過一第二光耦合器耦合由該第一雷射脈衝串列與反射自該第一光耦合器參考面與該待測物件之該第二雷射脈衝串列，以輸出一取樣後之時間放大雷射脈衝串列(步驟103)；最後透過光偵測器偵測此非同步取樣後的雷射脈衝串列(步驟104)，其所接收到該第二雷射脈衝串列反射自該第一光耦合器之該參考端面的時間紀錄為第一時間，反射自該待測物件之該表面的時間紀錄為第二時間。
類似於前述關於物件特性量測系統，更包括有一根據該第一時間與該第二時間以回授控制該待測物件之步驟(步驟105)。
類似於前述關於物件特性量測系統，決定該待測物件之一第二特性之步驟中包括有透過一兆赫輻射元件以回應該第二雷射脈衝串列以產生一兆赫波以照射該待測物件(步驟151)；以及透過一兆赫接收元件以接收並取樣反射自該待測物件之該兆赫波(步驟152)。其中該兆赫波係由一第一反射元件反射至該待測物件，而反射自該待測物件之該兆赫波係由二第一反射元件反射至該兆赫接收元件。
一般反射式的兆赫波時域量測系統會遇到樣品在移動時，例如量測薄膜後移到基板時，樣品面時間零點無法決定的問題。本發明提出一個方法，利用一個雙光梳絕對測距系統搭配兆赫波時域量測系統，可以精確定訂樣品面之時間零點位置，藉由調整樣品之空間位置與傾斜，修正因樣品移動時造成的時間誤差，如此可精確量出真正的波形，而導出薄膜的特性參數。本發明所提出之雙雷射脈衝串列非同步取樣法用來判斷樣品特性與位置係為先前技術並未教示之技術手段。
本發明所揭露的量測系統係為非破壞式、非接觸式之材料製程中物性或電性平面式量測法。可用於染敏太陽能板多孔性TiO2薄膜製程時的多孔性監控或載子遷移率與導電率之即時製程監控，有些廠商的基板為金屬，藉由雙光梳反射式距離控制之THz檢測薄膜參數，可有效控制製程品質，提高良率。亦可用於一些生物科技公司在製作人工心臟時的薄膜厚度即時監控。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
10．．．第一雷射模組
11．．．第一雷射脈衝串列
12．．．光偵測器
13．．．第二光耦合器
14．．．兆赫波接收元件
15．．．第二反射裝置
20．．．第二雷射模組
21．．．第二雷射脈衝串列
22．．．第一光耦合器
23．．．第二雷射脈衝串列
24．．．兆赫波輻射元件
26．．．第一反射裝置
27．．．參考面
30．．．兆赫波
31．．．兆赫波
32．．．兆赫波
40．．．訊號擷取裝置
50．．．電腦
80．．．基板
81．．．待測物件
82．．．待測物件
90．．．機台
第1圖係為本發明所揭露之兆赫波時域量測系統之一實施例之結構示意圖。
第2圖係為本發明所揭露之兆赫波時域量測系統之另一實施例之結構示意圖。
第3圖係為測試的第一雷射脈衝串列與第二雷射脈衝串列之重複率量測圖。
第4圖係為第3圖之第一雷射脈衝串列與第二雷射脈衝串列之光譜圖。
第5圖係為實際量得的絕對距離。
第6圖係為表示利用本發明中雙光梳測距所量測之精準度。
第7圖係為本發明所揭露之物件特性量測方法之流程圖。
第8圖係為本發明所揭露之物件特性量測方法中決定待測物件之第一特性之流程圖。
第9圖係為本發明所揭露之物件特性量測方法中決定待測物件之第二特性之流程圖。
10．．．第一雷射模組
11．．．第一雷射脈衝串列
12．．．光偵測器
13．．．第二光耦合器
14．．．兆赫波接收元件
15．．．第二反射裝置
20．．．第二雷射模組
21．．．第二雷射脈衝串列
22．．．第一光耦合器
23．．．第二雷射脈衝串列
24．．．兆赫波輻射元件
26．．．第一反射裝置
27．．．參考面
30．．．兆赫波
31．．．兆赫波
40．．．訊號擷取裝置
50．．．電腦
80．．．基板
81．．．待測物件
90．．．機台

Claims (18)

  1. 一種物件特性量測系統，包括有：一雙光梳絕對測距系統，該系統產生一第一雷射脈衝串列與一第二雷射脈衝串列，該第二雷射脈衝串列用以照射至一參考面與一待測物件，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣該反射後之該第二雷射脈衝串列據以決定該待測物件之一第一特性；以及一兆赫波時域量測系統，回應該第二雷射脈衝串列以發射一兆赫波，該兆赫波係可被照射至該待測物件並反射該兆赫波，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣被反射之該兆赫波以決定該待測物件之一第二特性。
  2. 如請求項第1項所述之系統，其中該第一特性包括有一時間零點。
  3. 如請求項第1項所述之系統，其中該第一雷射脈衝串列具有一第一重複率，該第二雷射脈衝串列具有一第二重複率，該第一重複率與該第二重複率並不相同。
  4. 如請求項第1項所述之系統，其中該雙光梳絕對測距系統包括有：一第一雷射模組，用以產生該第一雷射脈衝串列；一第二雷射模組，用以產生該第二雷射脈衝串列；一第一光耦合器，用以傳送該第二雷射脈衝串列至該待測物件，並傳送反射自該第一光耦合器之該參考面與該待測物件之該第二雷射脈衝串列；一第二光耦合器，用以耦合由該第一雷射脈衝串列與反射自該第一光耦合器之該參考面與該待測物件之該第二雷射脈衝串列，以輸出一取樣後之時間放大雷射脈衝串列；以及一光偵測器，用以偵測此非同步取樣後的雷射脈衝串列，其所接收到該第二雷射脈衝串列反射自該第一光耦合器之該參考端面的時間紀錄為一第一時間，反射自該待測物件之該表面的時間紀錄為一第二時間。
  5. 如請求項第4項所述之系統，更包括有一回授控制裝置，該回授控制裝置根據該第一時間與該第二時間以控制該待測物件。
  6. 如請求項第4項所述之系統，其中該第一雷射模組及/或該第二雷射模組係為穩頻或非穩頻雷射模組。
  7. 如請求項第1項所述之系統，其中該兆赫波時域量測系統包括有：一兆赫輻射元件，回應該第二雷射脈衝串列以產生一兆赫波以照射該待測物件；以及一兆赫接收元件，用以接收並取樣反射自該待測物件之該兆赫波。
  8. 如請求項第7項所述之系統，其中該兆赫波係由一第一反射元件反射至該待測物件。
  9. 如請求項第7項所述之系統，其中反射自該待測物件之該兆赫波係由二第一反射元件反射至該兆赫接收元件。
  10. 一種物件特性量測方法，包括有：產生一第一雷射脈衝串列與一第二雷射脈衝串列，該第二雷射脈衝串列用以照射至一參考面與一待測物件，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣該反射後之該第二雷射脈衝串列據以決定該待測物件之一第一特性；以及回應該第二雷射脈衝串列以發射一兆赫波，該兆赫波係可被照射至該待測物件並反射該兆赫波，俾以根據該第一雷射脈衝串列取樣被反射之該兆赫波以決定該待測物件之一第二特性。
  11. 如請求項第10項所述之方法，其中該第一特性包括有一時間零點與其相對應之該參考面與該待測物件之表面之距離。
  12. 如請求項第10項所述之方法，其中該第一雷射脈衝串列具有一第一重複率，該第二雷射脈衝串列具有一第二重複率，該第一重複率與該第二重複率並不相同。
  13. 如請求項第10項所述之方法，其中該決定該待測物件之一第一特性之步驟中包括有：透過一第一雷射模組產生該第一雷射脈衝串列；透過一第二雷射模組產生該第二雷射脈衝串列；透過一第一光耦合器傳送該第二雷射脈衝串列至該待測物件，並傳送反射自該第一光耦合器之該參考面與該待測物件之該第二雷射脈衝串列；透過一第二光耦合器耦合由該第一雷射脈衝串列與反射自該第一光耦合器參考面與該待測物件之該第二雷射脈衝串列，以輸出一取樣後之時間放大雷射脈衝串列；以及透過光偵測器偵測此非同步取樣後的雷射脈衝串列，其所接收到該第二雷射脈衝串列反射自該第一光耦合器之該參考端面的時間紀錄為一第一時間，反射自該待測物件之該表面的時間紀錄為一第二時間。
  14. 如請求項第13項所述之方法，更包括有一根據該第一時間與該第二時間以回授控制該待測物件之步驟。
  15. 如請求項第13項所述之方法，其中該第一雷射模組及/或該第二雷射模組係為穩頻或非穩頻雷射模組。
  16. 如請求項第10項所述之方法，其中該決定該待測物件之一第二特性之步驟中包括有：透過一兆赫輻射元件以回應該第二雷射脈衝串列以產生一兆赫波以照射該待測物件；以及透過一兆赫接收元件以接收並取樣反射自該待測物件之該兆赫波。
  17. 如請求項第16項所述之方法，其中該兆赫波係由一第一反射元件反射至該待測物件。
  18. 如請求項第16項所述之方法，其中反射自該待測物件之該兆赫波係由二第一反射元件反射至該兆赫接收元件。
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