TW201240482A - Thermal acoustic device and electric device - Google Patents

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TW201240482A TW100112569A TW100112569A TW201240482A TW 201240482 A TW201240482 A TW 201240482A TW 100112569 A TW100112569 A TW 100112569A TW 100112569 A TW100112569 A TW 100112569A TW 201240482 A TW201240482 A TW 201240482A
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201240482 •六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明涉及一種熱致發聲裝置,尤其涉及一種基於石墨 烯的熱致發聲裝置及應用該熱致發聲裝置的電子裝置。 【先前技術】 [0002] 熱致發聲裝置一般由信號輸入裝置和發聲元件組成,通 過信號輸入裝置輸入信號到該發聲元件,進而發出聲音 。熱致發聲裝置為發聲裝置中的一種,其為基於熱聲效 應的一種熱致發聲裝置,請參見文獻“The Thermo- o phone”,EDWARD C. WENTE,Vol. XIX,No. 4, p333-345及 “On Some Thermal Effects of Elec-tric Currents” , William Henry Preece, Proceed i ngs of the Royal Society of London,
Vol. 30,p408-41 1 ( 1879-1881 )。其揭示一種熱致發 聲裝置,該熱致發聲裝置通過向一導體中通入交流電來 實現發聲。該導體具有較小的熱容(Heat capacity) ^ ,較薄的厚度,且可將其内部產生的熱量迅速傳導給周 ❹ 圍氣體介質的特點。當交流電通過導體時,隨交流電電 流強度的變化,導體迅速升降溫,而和周圍氣體介質迅 速發生熱交換,促使周圍氣體介質分子運動,氣體介質 密度隨之發生變化,進而發出聲波。 [0003] 另外,H. D. Arnold和 I. B. Cranda 11 在文獻 “The thermophone as a precision source of sound” ,Phys. Rev. 10,p22-38 (1917)中揭示了一種簡單 的熱致發聲裝置,其採用一鉑片作熱致發聲元件。受材 100112569 表單編號A0101 第3頁/共65頁 1002020937-0 201240482 料本身的限制,採用該鉑片作熱致發聲元件的熱致發聲 裝置,其所產生的發聲頻率最高僅可達4千赫茲,且發聲 效率較低。 【發明内容】 [0004] 有鑒於此,確有必要提供一種發聲頻率高且發聲效果好 的熱致發聲裝置。 [0005] —種熱致發聲裝置,其包括一基底,其中,該熱致發聲 裝置進一步包括至少一致熱裝置及復數個熱致發聲元件 ,該復數個熱致發聲元件分別設置於基底上,致熱裝置 用於向該熱致發聲元件提供能量使該熱致發聲元件產生 熱量,所述熱致發聲元件包括一複合膜,該複合膜包括 相互層疊設置的至少一奈米碳管層和至少一石墨烯膜。 [0006] 與先前技術相比較,本技術方案所提供的熱致發聲裝置 具有以下優點:其一,由於所述熱致發聲裝置中的熱致 發聲元件包括一由奈米碳管層和石墨烯膜組成的複合膜 ,無需磁鐵等其他複雜結構,故該熱致發聲裝置的結構 較為簡單,有利於降低該熱致發聲裝置的成本。其二, 由於複合膜的厚度較薄,熱容較低,因此,其發聲頻率 較高且具有較高的發聲效率。 【實施方式】 [0007] 以下將結合附圖詳細說明本發明實施例提供的熱致發聲 裝置。以下各實施例中將相同的元部件使用相同的標號 表示。本發明實施例中所涉及的示意圖係為了使本實施 例得到更好的說明,對實施例本身並沒有限制作用。 100112569 表單編號A0101 第4頁/共65頁 1002020937-0 201240482 • [0008] /閱圖1及圖2,本發明第_實施例提供一種熱致發聲 、置10,邊熱致發聲裝置1〇包括一熱致發聲元件1〇2及一 致熱裝置104。 [0009] ❹ 述致熱裝置1G4用於向熱致發聲it件1G2提供能量,使 Z發聲元件102產生熱量,發出聲音。本實施例中,致 i、、、置104向熱致發聲元件提供電能,使熱致發聲元件 在焦耳熱的作用下產生熱量。該致熱裝置104包括一 電極104a及—第二電極104b。所述第一電極l〇4a和 電極1〇4b分別與該熱致發聲元件102電連接。本實施 例中,第一 _ 更極104a和第二電極l〇4b分別設置於熱致發 聲疋件102的表面,並與該熱致發聲元件102的兩個相對 的邊齊平。 [0010] ❹ t &例中’該致熱裝置104中的第-電極i〇4a和第二電 聲_ 4b用於向熱致發聲元件1 02提供電信號,使該熱致發 _件102產生焦耳熱,溫度升高從而發出聲音。所述 電極l〇4a與第二電極1〇4b可為層狀(絲狀或帶狀) 棒狀、條狀、塊狀或其他形狀,其橫截面的形狀可為 方型、梯形、三角形、多邊形或其他不規則形狀 。該第一電極l〇4a與第二電極1〇4b可通過黏結劑黏結的 方式固定於熱致發聲元件1G2的表面。而為防止熱致發聲 70件102的熱量被第—電極l〇4a與第二電極104b過多吸 收而衫響發聲效果,該第一電極1〇4a及第二電極丨〇4]3與 熱致發聲元件102的接觸面積較小為好,因此,該第一電 極104a和第二電極i〇4b的形狀優選為絲狀或帶狀。該第 一電極104a與第二電極1〇4b材料可選擇為金屬、導電膠 100112569 表單編號A0101 第5頁/共65頁 1002020937-0 201240482 、導《料、銦錫氧化物(ITG)、奈米碳管或碳纖維等 〇 _] t第-電極104a和第二電極1{)4b具有—定強度時第— 電極104a和第二電極1〇41)可以起到支揮該熱致發聲元件 102的作用。如將第-電極咖和第二電極的兩端 分別固定在-個框架上,熱致發聲元件1〇2設置在第_電 極104a和第二電極10扑上,通過第一電極1〇粍和第二電 極1 04b懸空設置。 _]本實施射,第—電極1Q4a與第二電極叫⑽利用銀聚 通過印刷方式如絲網印刷形成於熱致發聲元件丨〇2上的絲 狀銀電極。 _]言玄熱致發聲裝置10進一步包括一第一電極引線(圖未示 )及-第二電極引線(圖未示),該第一電極引線與第 二電極引線分別與熱致發聲裝置1〇中的第—電極1〇栳和 第二電極104b電連接,使該第一電極1〇乜與該第一電極 引線電連接,使該第二電極1041)與該第二電極引線電連 接。所述熱致發聲裝置10通過該第一電極引線和第二電 極引線與外部電路電連接。 [0014]所述熱致發聲元件102包括一複合膜,該複合膜包括至少 —奈米碳管層及至少一石墨烯膜。所述至少—奈米碳管 層和至少一石墨烯膜相互層疊設置,即該至少一石墨烯 膜設置於該至少一奈米碳管層的表面。石墨烯膜和奈米 碳管層可以相互重4設置,即,當石顯膜的面積較小 時,石墨烯膜完全附著於奈米碳管層的表面;當奈米碳 100112569 表單編號A0101 第6頁/共65頁 1002020937-0 201240482 管層的面積較小時,奈米碳管層可以完全附著於石墨烯 膜的表面。當該複合膜包括多層奈米碳管層和多層石墨 烯膜時,該多層奈米碳管層和該多層石墨烯膜交替層疊 設置。所述複合膜的厚度為10奈米至1毫米。所述複合膜 的長度和寬度不限,可以根據熱致發聲裝置10的要求進 行裁剪。 [0015] Ο 所述石墨烯膜為一個二維結構的具有一定面積的膜結構 。該石墨烯膜的厚度為0. 34奈米至10奈米。該石墨烯膜 包括至少一層石墨烯。當石墨烯膜包括多層石墨烯時, ο 該多層石墨烯可以相互搭接形成石墨烯膜,以使石墨烯 膜具有更大的面積;或者該多層石墨浠可以相互疊加形 成石墨烯膜,以使石墨烯膜的厚度增加。優選地,該石 墨烯膜為一單層石墨烯。所述石墨烯為由復數個碳原子 通過sp2鍵雜化構成的單層的二維平面結構。該石墨烯的 厚度可以為單層碳原子的厚度。石墨烯膜具有較高的透 光性,單層的石墨晞的透光率可以達到97. 7%。由於石墨 烯膜的厚度非常薄,因此具有較低的熱容,其熱容可以 小於2xl0_3焦耳每平方厘米開爾文,單層石墨烯的熱容 可以小於5. 57x10_4焦耳每平方厘米開爾文。所述石墨烯 膜為一自支撐結構,所述自支撐為石墨烯膜不需要大面 積的載體支撐,而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上 懸空而保持自身膜狀狀態,即將該石墨烯膜置於(或固 定於)間隔一固定距離設置的兩個支撐體上時,位於兩 個支撐體之間的石墨烯膜能夠懸空保持自身膜狀狀態。 實驗表明,石墨烯並非一個百分之百的光潔平整的二維 100112569 表單編號A0101 第7頁/共65頁 1002020937-0 201240482 膜,而係有大量的微觀起伏在單層石墨烯的表面上,單 層石墨烯正係借助這種方式來維持自身的自支推性及穩 定性。 [0016] 斤过不米兔官層包括復數個均勻分佈的奈米碳管。該奈 米反笞可以為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、多壁奈米 碳營中的一種或幾種。所述奈米碳管層中的奈米碳管之 間可以通過凡得瓦力緊密結合。奈米碳管層為一自支撐 的、、、Q構該奈米碳管層中的奈米碳管為無序或有序排列 這裏的無序排列指奈米碳管的排列方向無規律,這裏 的有序排列指至少多數奈米碳管的排列方向具有一定規 律。具體地,當奈米碳管層包括無序排列的奈米碳管時 ,奈米碳管可以相互纏繞或者各向同性排列;當奈米碳 管層包括有序排列的奈米碳管時,奈米碳管沿一個方向 或者復數個方向擇優取向排列。該奈米碳管層的厚度不 限,可以為0.5奈米〜1厘米,優選地,該奈米碳管層的厚 度可以為1〇〇微米〜0. 5毫米。該奈米碳管層進一步包括復 數個微孔,該微孔由奈米碳管之間的間隙形成。所述奈 米碳管層中的微孔的孔徑可以小於等於5〇微米。所述奈 米碳管層狀結構的單位面積熱容小於2χ1〇_4焦耳每平方 厘米開爾文。優選地,所述奈米碳管層狀結構的單位面 積熱容可以小於等於UXH6焦耳每平方厘米開爾文。 所述奈米碳管層可包括至少一層奈米碳管拉膜、奈米碳 管絮化膜或奈米碳管碾壓膜。 請參閱圖3,該奈米碳管拉膜包括復數個通過凡得瓦力相 互連接的奈米碳管。所述復數個奈米碳管基本沿同一方 100112569 表單編號A0101 第8頁/共65頁 1002020937-0 [0017] 201240482 述擇優取向係指在奈米碳管㈣中 ,的整體延伸方向基本朝同-方向。而且 :==:=體延::向基本平行於“ 奈米碳管係通過凡二中多數 Ο t拉財基本朝同延伸的大多數奈讀管中每 :米兔管與在延伸方向上相鄰的奈米碳管通過凡得瓦 力首尾相連。當然’所述奈米碳管拉膜中存在少數隨機 排列的奈米碳管’這些奈来碳管不會料米碳管拉膜中 冬多數奈*碳管的整體取向排列構成明顯影響。所述央 米碳管拉膜為-自支揮的膜。所述自捕為奈米碳管: 膜不而要大Φ積賴體切,H要㈣兩邊提供支樓 力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態,即將該奈米碳 管拉膜置於(或固定於)間隔一固定距離設置的兩個支 撐體上時,位於兩個支揮體之間的奈米碳管拉膜能夠懸 空保持自身膜狀狀態。所述自支撐主要通過奈米碳管拉 Ο 膜中存在連續的通過凡得瓦力首尾相連延伸排列的奈米 碳管而實現。 [0018]所述奈米碳管拉膜的厚度可以為〇. 5奈米~1〇〇微米,寬度 與長度不限,根據第二基體1〇8的大小設定。所述奈米碳 管拉膜的具體結構及其製備方法請參見范守善等人於民 國96年2月12日申請的,於民國99年7月11日公告的第 1327177號中國民國公告專利。為節省篇幅,僅引用於此 ,但所述申請所有技術揭露也應視為本發明申請技術揭 露的一部分。 100112569 表單編號A0101 第9頁/共65頁 1002020937-0 201240482 _]當奈米碳管層包括多層奈米碳管拉膜時,相鄰兩層奈米 碳管拉膜中的奈米碳管的延伸方向之間形成的交叉角度 不限。 _]冑參見圖4,所述奈米碳管絮化膜為通過一絮化方法形成 的奈米碳管膜。該奈米碳管絮化膜包括相互纏繞且均勻 分佈的奈米碳管。所述奈米碳管之間通過凡得瓦力相互 ' 吸弓丨 '纏繞,形成網路狀結構。所述奈米碳管絮化膜各 向同性。所述奈米碳管絮化膜的長度和寬度不限。由於 在奈米碳管絮化膜中,奈米碳管相互纏繞,因此該奈米 碳管絮化膜具有很好的柔韌性,且為一自支撐結構,可 乂者曲折叠成任意形狀而不破裂。所述奈米碳管絮化膜 的面積及厚度均不限,厚度為丨微米〜丨毫米◊所述奈米碳 b絮化臈及其製備方法請參見范守善等人於民國年5月 11日申請的,於民國97年11月16日公開的第2〇〇844〇41 號台灣公開專利申請“奈米碳管薄膜的製備方法,,。為 郎省篇幅,僅引用於此,但上述申請所有技術揭露也應 視為本發明申請技術揭露的一部分。 [0021]請參見圖5,所述奈米碳管碾壓膜包括均勻分佈的奈米碳 管,奈米碳管沿同一方向或不同方向擇優取向排列。奈 米碳管也可以係各向同性的◊所述奈米碳管碾壓膜中的 奈米碳管相互部分交疊,並通過凡得瓦力相互吸引,緊 密結合。所述奈米碳管碾壓膜中的奈米碳管與形成奈米 碳管陣列的生長基底的表面形成一夾角召,其中,召大 於等於0度且小於等於15度。依據礙壓的方式不同,該奈 米碳管碾壓膜中的奈米碳管具有不同的排列形式。當沿 1001I2569 表單編號A0101 第10頁/共65頁 1002020937-0 201240482 ❹ • [0022] 同一方向碾壓時,奈米碳管沿一固定方向擇優取向排列 。可以理解,當沿不同方向碾壓時,奈米碳管可沿復數 個方向擇優取向排列。該奈米碳管碾壓膜厚度不限,優 選為為1微米~1毫米。該奈米碳管碾壓膜的面積不限,由 碾壓出膜的奈米碳管陣列的大小決定。當奈米碳管陣列 的尺寸較大時,可以碾壓制得較大面積的奈米碳管碾壓 膜。所述奈米碳管碾壓膜及其製備方法請參見范守善等 人於民國96年6月29日申請的,於民國99年12月21日公 告的第1334851號台灣公告專利“奈米碳管薄膜的製備方 法”。為節省篇幅,僅引用於此,但上述申請所有技術 揭露也應視為本發明申請技術揭露的一部分。
本實施例中,所述複合膜包括兩層相互交叉設置的奈米 碳管拉膜及一石墨烯膜,該石墨烯膜包括兩層石墨烯相 互重疊設置,該兩層相互交叉的奈米碳管拉膜設置於石 墨烯膜的表面。圖6為本實施例中的複合膜的掃描電鏡照 片,下面裂開的膜為石墨烯膜,上面為奈米碳管拉膜中 的奈米碳管。圖7為本實施例中複合膜的透光度測試曲線 圖。從圖7中可以看出,本實施例所提供的複合膜的透光 度可以達到60%以上,因此,當採用複合膜作為熱致發聲 元件102時,可以得到透明發聲裝置。本實施例中的複合 膜的電阻為500歐姆,具有良好的導電性。 [0023] 石墨烯膜為一整體的膜,非常緻密,但強度較差;而奈 米碳管層具有一定的強度,並存在大量的空隙,複合膜 結合了石墨烯膜更加緻密和奈米碳管層具有較大強度的 優點。複合膜作為發聲元件時,石墨烯膜設置於奈米碳 100112569 表單編號A0101 第11頁/共65頁 1002020937-0 201240482 管層上,覆蓋了奈米碳管層的空隙,使複合膜與周圍介 質的接觸面積相對於奈米碳管層變大,因此,複合膜作 為熱致發聲元件可以具有更高的發聲效率;同時,複合 膜作為熱致發聲元件時,相對於石墨烯膜具有更大的強 度,使熱致發聲元件的強度增加,具有更長的使用壽命 。所述複合膜還具有以下優點:首先,複合膜具有較好 的任性,可以彎折成任意角度,因此,該熱致發聲裝置 可以為柔性的熱致發聲裝置;其次,石墨烯膜和奈米碳 管層均可具有良好的透光性,因此,複合膜也可以為一 透明膜,熱致發聲裝置可以為透明熱致發聲裝置;再次 ,石墨烯膜和奈米碳管層均具有較小的厚度和熱容,因 此,複合膜的厚度可以較薄,具有較小的熱容,可以快 速的升降溫,因此,該熱致發聲裝置比較靈敏。 [0024] 所述石墨稀膜的致備方法可以為化學氣相沉積法、LB法 或採用膠帶從定向石墨上斯取的方法。本實施例中,採 用化學氣相沉積法製備石墨烯膜。該石墨烯膜可以採用 化學氣相沉積法生長在一個金屬基底的表面,該金屬可 以為銅箔或者鎳箔。具體地,所述石墨烯膜的製備方法 包括以下步驟: [0025] 首先,提供一金屬薄膜基底。 [0026] 該金屬薄膜可以為銅箔或者鎳箔。所述金屬薄膜基底的 大小,形狀不限,可以根據反應室的大小以及形狀進行 調整。而通過化學氣相沉積法做形成的石墨烯膜的面積 同金屬薄膜基底的大小有關,所述金屬薄膜基底的厚度 可以在12. 5微米〜50微米。本實施例中,所述金屬薄膜 100112569 表單編號A0101 第12頁/共65頁 1〇〇9〇9〇〇^7-0 201240482 [0027] 基底為銅箔,厚度12. 5〜50微米的銅箔,優選25微米, 面積為4厘米乘4厘米。 其次,將上述金屬薄膜基底放入反應室内,在高溫下通 入碳源氣體,在金屬薄膜基底的表面沉積碳原子形成石 墨烯。 [0028] 所述反應室為一英寸直徑的石英管,具體地,所述在反 應室内生長石墨烯的步驟包括以下步驟:先在氫氣的氣 氛下退火還原,氫氣流量係2sccm,退火溫度為1 000攝 Ο 氏度,時間為1小時;然後向反應室内通入碳源氣體甲烷 ,流量係2 5 s c c m,從而在金屬薄膜基底的表面沉積碳原 子,反應室的氣壓為500毫托,生長時間為10~60分鐘, 優選為30分鐘。 [0029] 可以理解,上述反應室内通入的氣體的流量跟反應室的 大小有關,本領域技術人員可以根據反應室的大小調整 氣體的流量。 [0030] 最後,在將所述金屬薄膜基底冷卻至室溫,從而在所述 金屬薄膜基底的表面形成一層石墨烯。 [0031] 金屬薄膜基底在冷卻的過程中,要繼續向反應室内通入 碳源氣與氫氣,直到金屬薄膜基底冷卻至室溫。本實施 例中,在冷卻過程中,向反應室内通入25sccm的甲烧, 2sccm的氫氣,在500毫托氣壓下,冷卻1小時,方便取 出金屬薄膜基底,該金屬薄膜基底的表面生長有一層石 墨烯。 [0032] 該碳源氣優選為廉價氣體乙炔,也可選用其他碳氫化合 100112569 表單編號A0101 第13頁/共65頁 1002020937-0 201240482 物如曱烷、乙烷、乙烯等。保護氣體優選為氬氣,也可 選用其他惰性氣體如氮氣等。石墨烯的沉積溫度在800攝 氏度至1000攝氏度。本發明的石墨烯採用化學氣相沉積 法製備,因此可以具有較大的面積,該石墨烯膜的最小 尺寸可以大於2厘米。由於該石墨烯膜具有較大的面積, 因此可以和所述奈米碳管層形成具有較大面積的複合膜 〇 [0033] 在通過化學氣相沉積法在金屬基底表面生長獲得石墨烯 膜後,可以將奈米碳管層鋪到上述石墨烯膜表面,採用 機械力將奈米碳管層與石墨烯膜壓合在一起。最後,可 以將上述金屬薄膜基底用溶液腐蝕掉,從而獲得由石墨 烯膜以及奈米碳管層組成的複合膜。 [0034] 採用上述方法所製備的石墨烯膜可以為單層的石墨烯, 也可包括幾層石墨烯。通過控制反應溫度,基底材料等 條件可以控制石墨烯膜中石墨烯層的層數。本實施例中 ,由於銅箔基底的銅材料溶解碳的能力比較低,因此, 制得的石墨烯膜僅包括一層石墨稀層。 [0035] 所述熱致發聲元件1 0 2的工作介質不限,只需滿足其電阻 率大於所述熱致發聲元件102的電阻率即可。所述介質包 括氣態介質或液態介質。所述氣態介質可為空氣。所述 液態介質包括非電解質溶液、水及有機溶劑等中的一種 或多種。所述液態介質的電阻率大於0. 01歐姆·米,優選 地,所述液態介質為純淨水。純淨水的電導率可達到1. 5 xlO7歐姆·米,且其單位面積熱容也較大,可以傳導出熱 致發聲元件102產生的熱量,從而可對熱致發聲元件102 100112569 表單編號A0101 第14頁/共65頁 1002020937-0 201240482 進仃散熱。本實施例中,所述介質為空氣。 闕本實施觸熱致發聲裝置1〇可通過第-電極购及第二 電極104b與外部電路電連接,而由此接入外部信號發聲 ° ^於熱致發聲元件1G2包括該複合膜,複合膜具有較小 的單位面積熱容以及較大的散熱面積,在致熱裝置1〇4向 熱致發聲元件102輪入信號後,所述熱致發聲元件102可 L迷升降酿,產生週期性的溫度變化,並和周圍介質快 速進行熱交換’使周圍介質的密度週期性地發生改變’ 〇 $而發出聲音。簡而言之,本發明實施例的熱致發聲元件 102係藉自電_熱_聲’,的轉換來達到發聲。另外,利用 複合膜的高透光度,該熱致發聲裝置10呈-透明熱致發 聲裝置。 _7]本實施例提供的熱致發聲^㈣聲廢級大於5Q分貝每 瓦聲壓級,發聲頻率範圍為1赫兹至1G萬赫兹(即 lHz-lOOkHz)。所述熱致發聲裝置在5〇〇赫茲_4萬赫茲 頻率範圍内的失真度可小於3%。 0 圆糾’本實_巾的複合顯純好_性和機械強度 ’所以石墨_可方便地製成各種形狀和尺寸的熱致發 聲裝置10,該熱致發聲裝置10可方便地應用於各種可發 聲的器件中’如音響、手機、MP3、MP4、電視、電腦等 可發聲的器件中。 [0039]請參閱圖8及圖9,本發明第二實施例提供一種熱致發聲 裝置20。本實施例所提供的熱致發聲裝置2〇與第一實施 例提供的熱致發聲裝置10的主要不同之處在於,本實施 100112569 表單編號Α0101 第Κ頁/共65頁 1002020937-0 201240482 例中的該熱致發聲裝置20進一步包括一基底208。所述熱 致發聲元件102設置於該基底208的表面。所述第一電極 104a和第二電極104b設置於該熱致發聲元件102的表面 。本實施例的熱致發聲元件102與基底的關係可以為:第 一,該至少一奈米碳管層設置於基底2 0 8與該至少一石墨 烯膜之間;第二,該至少一石墨烯膜設置於該基底208與 該至少一奈米碳管層之間;第三,當複合膜包括多層奈 米碳管層和多層石墨烯膜相互交替設置時,奈米碳管層 直接與基底208接觸或者石墨烯膜直接與基底208接觸。 該奈米碳管層與第一實施例揭示的奈米碳管層的結構相 同。本實施例中’熱致發聲元件1 〇 2包括一層奈米碳管拉 膜和一層石墨烯,該奈米碳管拉膜設置於石墨烯與基底 208之間。由於石墨烯本身比較緻密,石墨烯位於奈米碳 管拉膜上時,可以使熱致發聲元件102與外界介質具有更 大的接觸面積。 [0040] 所述基底208的形狀、尺寸及厚度均不限,該基底208的 表面可為平面或曲面。該基底208的材料不限,可以為具 有一定強度的硬性材料或柔性材料。優選地,該基底208 的材料的電阻應大於該熱致發聲元件102的電阻,且具有 較好的絕熱性能,從而防止該熱致發聲元件102產生的熱 量過多的被該基底208吸收。具體地,所述絕緣材料可以 為玻璃、陶瓷、石英、金剛石、塑膠、樹脂或木質材料 〇 [0041] 本實施例中,所述基底208包括至少一個通孔208a。該通 孔208a的深度為所述基底208的厚度。所述通孔208a的 100112569 表單編號AOlOi 第16頁/共65頁 1002020937-0 201240482 橫截面的形狀不限,可以為圓形、正方形、長方形、三 角幵多邊形、工字形、或者不規則圖形。當該基底2 〇 8 包括復數個通孔208a時,該復數個通孔208a可均勻分佈 以—定規律分佈或隨機分佈於該基底208。每相鄰兩個 通孔208a的間距不限,優選為1〇〇微米至3毫米。本實施 例中’所述通孔208a為圓柱形,其均勻分佈於基底208。 [0042] Ο 該熱致發聲元件102設置於基底208的表面,並相對於基 底208上的通孔2〇8a懸空設置。本實施例中,由於該熱致 發聲元件102位於通孔208a上方的部分懸空設置,該部分 的熱致發聲元件102兩面均與周圍介質接觸,增加了熱致 發聲元件102與周圍氣體或液體介質接觸的面積,並且, 由於該熱致發聲元件102另一部分與該基底208的表面直 接接觸’並通過該基底208支撐,故該熱致發聲元件102 不易被破壞。 [0043] Ο 請參見圖10,本發明第三實施例提供一種熱致發聲裝置 30。本實施例所提供的熱致發聲裝置3〇與第二實施例提 供的熱致發聲裝置20的區別在於,本實施例中,該熱致 發聲裝置30的基底308包括至少一個盲槽3〇8a,該盲槽 3〇8a設置於基底308的一個表面3〇8b。所述盲槽308a使 該表面308b形成一凹凸不平的表面。該盲槽3〇8a的深度 小於所述基底308的厚度,該盲槽3〇8a的長度不限。該盲 槽308a在該基底308的表面3〇8b上的形狀可為長方形、 弓形、多邊形、扁圓形或其他不規則形狀。請參閱圖9, 本實施例中,基底308上設置有復數個盲槽308a,該盲槽 308a在基底308的表面308b上的形狀為長方形。請參見 100112569 表單編號A0101 1002020937-0 201240482 圖11,該盲槽308a在其長度方向上的橫截面為長方形, 即,該盲槽308a為一長方體結構。請參閱圖12,該盲槽 308a在其長度方向上的橫截面為三角形,即,該盲槽 308a為一三棱柱結構。當該基底308的表面308b具有復 數個盲槽時,該復數個盲槽可均勻分佈、以一定規律分 佈或隨機分佈於該基底30 8的表面308b。請參閱圖12, 相鄰兩個盲槽的槽間距可接近於0,即所述基底308與該 熱致發聲元件102接觸的區域為復數個線。可以理解,在 其他實施例中,通過改變該盲槽308a的形狀,該熱致發 聲元件102與該基底308接觸的區域為復數個點,即該熱 致發聲元件102與該基底308之間可為點接觸、線接觸或 面接觸。 [0044] 本實施例的熱致發聲裝置30中所述基底308包括至少一盲 槽308a。該盲槽可以反射所述熱致發聲元件102發出的聲 波,從而增強所述熱致發聲裝置30在熱致發聲元件102 — 侧的發聲強度。當該相鄰的盲槽之間的距離接近於0時, 該基底308既能支撐該熱致發聲元件102,又能使該熱致 發聲元件102具有與周圍介質接觸的最大表面積。 [0045] 可以理解,當該盲槽308a的深度達到某一值時,通過該 盲槽308a反射的聲波會與原聲波產生疊加,從而引起相 消干涉,影響熱致發聲元件102的發聲效果。為避免這一 現象,優選地,該盲槽308a的深度小於等於10毫米。另 外,當該盲槽308a的深度過小,通過基底308懸空設置的 熱致發聲元件102與基底308距離過近,不利於該熱致發 聲元件102的散熱。因此,優選地,該盲槽308a的深度大 100112569 表單編號A0101 第18頁/共65頁 201240482 . 於等於10微米。 [0046] 請參見圖13及圖14,本發明第四實施例提供—種熱致發 聲裝置40。本實施例所提供的熱致發聲裝置4〇與第二實 施例提供的熱致發聲裝置20的區別在於,本實施例中 該熱致發聲裝置40的基底408為一網狀結構。所述 408包括復數個第一線狀結構408a及復數個第二線狀、社構 408b。所述之線狀結構也可以為帶狀或者條狀的結構。 〇 該復數個第一線狀結構408a與該復數個第二線狀結構 408b相互交叉設置形成一網狀結構的基底4〇8。所述復數 個第一線狀結構408a可以相互平行,也可以不相互平行 ,所述復數個第二線狀結構408b可以相互平行,也可以 不相互平行,當復數個第一線狀結構408a相互平行,且 復數個第二線狀結構408b相互平行時,具體地,所述復 數個第一線狀結構408a的軸向均沿第一方向L1延伸,相 鄰的第一線狀結構408a之間的距離可以相等也可以不等 。相鄰的兩個第一線狀結構408a之間的距離不限,優選 地,其間距小於等於1厘米。本實施例中,該復數個第一 線狀結構408a之間等間距間隔設置,相鄰的兩個第一線 狀結構408a之間的距離為2厘米。所述復數個第二線狀結 構408b彼此間隔設置且其軸向均基本沿第二方向L2延伸 ,相鄰的第二線狀結構408b之間的距離可以相等也可以 不等。相鄰的兩個第二線狀結構408b之間的距離不限, 優選地,其間距小於等於1厘米。第一方向L1與第二方向 L2形成一夾角α,α大於0度小於等於90度《本實施例中 ,第一方向L1和第二方向L2之間的夾角為90。。所述復數 100112569 .表單編號Α0101 第19頁/共65頁 1002020937-0 201240482 個第一線狀結構408a與該復數個第二線狀結構4〇8b交叉 設置的方式不限。本實施例中’第一線狀結構4〇8a和第 -一線狀結構4 0 8 b相互編織形成一網狀結構。在另一實施 例中’所述復數個間隔設置的第二線狀結構4〇8b接觸設 置於所述復數個第一線狀結構408a的同一側。該復數個 第二線狀結構408b與該復數個第一線狀結構4〇8a的接觸 部可通過黏結劑固定設置,也可以通過焊接的方式固定 設置。當第一線狀結構408a的熔點較低時,也可以通過 熱壓的方式將第二線狀結構408b與第一線狀結構408a固 定設置。 [0047] 所述基底408具有復數個網孔408c。該復數個網孔408c 由相互交叉設置的所述復數個第一線狀結構408a以及復 數個第二線狀結構408b圍成。所述網孔408c為四邊形。 根據該復數個第一線狀結構408a和該復數個第二線狀結 構408b的交叉設置的角度不同,網孔408c可以為正方形 、長方形或菱形。網孔408c的大小由相鄰的兩個第一線 狀結構408a之間的距離和相鄰的兩個第二線狀結構40 8b 之間的距離決定。本實施例中,由於所述復數個第一線 狀結構408a與復數個第二線狀結構408b分別等間距平行 設置,且該復數個第一線狀結構408a與該復數個第二線 狀結構408b相互垂直,所以網孔408c為正方形,其邊長 為2厘米。 [0048] 所述第一線狀結構408a的直徑不限,優選為10微米~5毫 米。該第一線狀結構408a的材料由絕緣材料製成,該材 料包括纖維、塑膠、樹脂或矽膠等。所述第一線狀結構 100112569 表單·編號A0101 第20頁/共65頁 1002020937-0 201240482 yj ίΐ 8 9· <以為纺織材料,复" 4〇b 具體地,該第一線狀結構408a可 以包括植物纖3動物纖維、木纖維及礦物纖維中的一 糗成多種,如麟、麻線、切、蠶絲線、尼龍線或氨 綸等。優選地,該絕緣材料應具有一定的耐熱性質和柔 性’如尼龍或聚^等。另外,該第—線狀結構權a也可 為外表〇有纟&緣層的導電絲。該導電絲可以為金屬絲或 者条米^線狀結構。所述金屬包括金屬單質或者合金 ,該單質金屬可以為銘、銅、鶴、翻、金、欽、敍、纪 Ο 成錄等’該金>1合金可以為上述單f金屬任意組合的合 金^該絕緣層的材料可以為樹脂、塑膠、二氧化矽或金 屬氧化物等。本實施例中,該第一線狀結構4〇8a為表面 塗褎有二氧化矽的奈米碳管線狀結構,二氧化矽構成的 絕緣層將奈米碳管線狀結構包裹,從而構成該第—線狀 鍺媾4〇8a。 [0049] Ο [0050] 所述第二線狀結構408b的結構和材料與第一線狀結構 4〇8a的結構和材料相同◊在同一實施例中,第二線狀結 構4〇8b的結構和材料可以和第—線狀結構彻&的結構和 讨科相同,也可以不相同。本實施例中,第二線狀:構 4〇8b為表面塗覆有絕緣層的奈米料線狀結構。 所述奈米碳管線狀結構包括至少1奈米碳管線,該夺 米破管線包域數破織管。^繰管可以為單二 条米破管、雙壁奈純管、"奈米碳管中的1 禮。所述奈来碳管線可以為由復数個奈米碳管級成的純 結構。當奈米碳管線狀結構包括多拫奈米碳管線時,該 多根奈米碳管線可以相互平行設置。#奈米碳管線狀= 100112569 表單蝙號A0101 第21頁/共65頁 1002020937-0 201240482 構包括多根奈米碳管線時,該多根奈米碳管線可以相互 螺旋纏繞。奈米碳管線狀結構中的多根奈米碳管線也可 以通過黏結劑相互固定。 [0051] 所述奈米碳管線可以為非扭轉的奈米碳管線或扭轉的奈 米碳管線。請參閱圖15,該非扭轉的奈米碳管線包括復 數個沿奈米碳管線長度方向延伸並首尾相連的奈米碳管 。優選地,該非扭轉的奈米碳管線包括復數個奈米碳管 片段,該復數個奈米碳管片段之間通過凡得瓦力首尾相 連,每一奈米碳管片段包括復數個相互平行並通過凡得 瓦力緊密結合的奈米碳管。該奈米碳管片段具有任意的 長度、厚度、均勻性及形狀。該非扭轉的奈米碳管線長 度不限,直徑為0. 5奈米〜100微米。 [0052] 所述扭轉的奈米碳管線為採用一機械力將所述非扭轉的 奈米碳管線沿相反方向扭轉獲得。請參閱圖16,該扭轉 的奈米碳管線包括復數個繞奈米碳管線軸向螺旋排列的 奈米碳管。優選地,該扭轉的奈米碳管線包括復數個奈 米碳管片段,該復數個奈米碳管片段之間通過凡得瓦力 首尾相連,每一奈米碳管片段包括復數個相互平行並通 過凡得瓦力緊密結合的奈米碳管。該奈米碳管片段具有 任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該扭轉的奈米碳管 線長度不限,直徑為0. 5奈米〜100微米。所述奈米碳管線 及其製備方法請參見范守善等人於民國91年11月05曰申 請的,於民國97年11月21日公告的第130 3239號台灣公 告專利“一種奈米碳管繩及其製造方法”,專利權人: 鴻海精密工業股份有限公司,以及於民國98年7月21日公 100112569 表單編號A0101 第22頁/共65頁 1002020937-0 201240482 [0053] Ο ❹ [0054] [0055] 100112569 告的第I 31 2337號台灣公告專利“奈米碳管絲及其製作方 法” ’專利權人.鴻海精密工業股份有限公司。為節省 篇幅,僅引用於此’但上述中請所有技術揭露也應視為 本發明申請所揭露的一部分。 本實施例所提供的熱致發聲裝置4〇採用網狀結構的基底 408具有以下優點:其網狀結構包括復數個網孔,在 給熱致發聲%件102提供切的同時,可以使熱致發聲元 件102與周圍介質具有較大的接觸面積。其二,網狀結構 的基底408可以具有較好的柔韌性,因此,熱致發聲裝置 40具有較好的柔動性。其三,當第-線狀結構408a或/和 第二線狀結構4G8b包括塗覆有絕緣層的奈米碳管線狀結 構時,奈米碳管線狀結構可以具有較小的直徑,更進一 步增加了熱致發聲元件102與周圍介質的接觸面積;奈米 碳管線狀結構具有較小的密度,因此,熱致發聲裝置4〇 的質量可以較小;奈来碳管線狀結構具有較好的柔勒性 ’可以多次f折而不被破壞,因此,該熱致發聲裝置4〇 可以具有更長的使用壽命。 β貪參見圖17,本發明第五實施例提供一種熱致發聲裝置 50。本實施賴提供賴致發聲裝置5Q與第二實施例提 供的熱致發聲裝置2G的區別在於,本實施例中,該熱致 發聲裝置50的基底508為一奈米碳管複合結構。 該奈米碳管複合結構包括-奈米碳管層及塗覆在該奈米 碳管層表面的絕緣材料層。所述奈米碳管層的結構與第 -實施例所揭示的奈米碳管層的結構想同。所述絕緣材 料層位於奈米碳管層的表面’該絕緣材料層的作用為使 第23頁/共65頁 表單編號A0101 1002020937-0 201240482 奈米碳管層與熱致發聲元件1 〇 2相互絕緣。該絕緣材料層 僅分佈於奈米碳管層的表面,或者絕緣材料層包裹奈米 碳管層中的每根奈米碳管。當絕緣材料層的厚度較薄時 ,不會將奈米碳管層中的微孔堵塞,因此,該奈米%管 複合結構包括復數個微孔。復數個微孔使熱致發聲元件 102與外界接觸面積較大。 [0056] [0057] 本實施例所提供的熱致發聲裝置50採用奈米碳管複合結 構作為基底50 8 ’具有以下優點:第一,奈米碳管複合結 構包括奈米碳管層和塗覆在奈米碳管層表面的絕緣材料 層’由於奈米碳管層可以由純的奈米碳管組成的結構, 因此’奈米碳管層的密度小,質量相對較輕,因此,熱 致發聲裝置50具有較小的質量,方便應用;第二,奈米 碳管層中的微孔係由奈米碳管之間的間隙構成,分佈均 勻,在絕緣材料層較薄的情況下,奈米碳管複合結構可 以保持該均勻分佈的微孔結構,因此,熱致發聲元件1〇2 通過該基底508可以與外界空氣較均勻地接觸;第三,所 述奈米碳管層具有良好的柔韌性,可以多次彎折而不被 破壞,因此,奈米碳管複合結構具有較好的柔韌性採 用奈米碳管複合結構作為基底508的熱致發聲裝置5〇為— 柔性的發聲裝置,可以設置成任何形狀不受限制。 請參見圖18及圖19,本發明第六實施例提供一種熱致發
聲裝置60,該熱致發聲裝置60包括一基底6〇8、— X 至夂熱| 置104及一熱致發聲元件1〇2。該致熱裝置ι04包括復數、 個第一電極l〇4a及後數個第二電極i〇4b ,所述復數個第 一電極104a和復數個第二電極104b分別和熱致發聲元件 100112569 表單編號A0101 第24頁/共65頁 1002020937-0 201240482 ι〇2電連接。該熱致發聲元件1〇2包括一石墨烯膜。 [0058] Ο 所述復數個第一電極l〇4a與復數個第二電極i〇4b交替間 隔設置於基底608。所述熱致發聲元件1〇2設置於該復數 個第一電極104a與復數個第二電極1〇4b上,使該復數個 第一電極104a與復數個第二電極i〇4b位於基底608與熱 致發聲元件102之間’該熱致發聲元件1〇2相對於基底 608部分懸空。即,復數個第一電極1〇4a、復數個第二電 極104b、熱致發聲元件1〇2以及基底608共同形成有復數 個間隙601,從而使該熱致發聲元件1〇2與周圍空氣產生較 大的接觸面積。各個相鄰的第一電極l〇4a與第二電極 104b之間的距離可以相等也可以不相等。優選地,各個 相鄰的第一電極104a與第二電極104b之間的距離相等》 相鄰的第一電極1 04a與第二電極104b之間的距離不限, 優選為10微米~1厘米。 [0059] ❹ 所述基底608主要起承載第一電極l〇4a與第二電極l〇4b 的作用。該基底608的形狀與大小不限,材料為絕緣材料 或導電性差的材料。另外,該基底608的材料應具有較好 的絕熱性能,從而防止該熱致發聲元件〗〇2產生的熱量被 該基底608吸收,而無法達到加熱周圍介質進而發聲的目 的。在本實施例中,該基底608的材料可為玻璃、樹脂或 陶瓷等。本實施例中,所述基底608為一正方形的玻璃板 ,其邊長為4. 5厘米,厚度為1毫米。 該間隙601由一個第一電極l〇4a、一個第二電極l〇4b與 基底608定義,該間隙601的高度取決於第一電極104a與 第二電極104b的高度。在本實施例中,第一電極104a與 100112569 表單編號A0101 第25頁/共65頁 1002020937-0 [0060] 201240482 第二電極104b的高度範圍為1微米〜1厘米。優選地,第 一電極104a和第二電極104b的高度為15微米。 [0061] 所述第一電極104a與第二電極104b可為層狀(綵狀或帶 狀)、棒狀、條狀、塊狀或其他形狀,其橫截面的形狀 可為圓型、方型、梯形、三角形、多邊形或其他不規則 形狀。該第一電極104a與第二電極104b可通過螺栓連接 或黏結劑黏結等方式固定於基底608。而為防止熱致發聲 元件102的熱量被第一電極104a與第二電極104b過多吸 收而影響發聲效果,該第一電極104a及第二電極104b與 熱致發聲元件102的接觸面積較小為好,因此,該第一電 極104a和第二電極104b的形狀優選為絲狀或帶狀。該第 一電極104a與第二電極104b材料可選擇為金屬、導電膠 、導電漿料、銦錫氧化物(ITO)、奈米碳管或碳纖維等 。當第一電極l〇4a或第二電極104b的材料為奈米碳管時 ,該第一電極104a或第二電極104b可以為一奈米碳管線 狀結構。該奈米碳管線狀結構的結構與第四實施例提供 的奈米碳管線狀結構相同。由於奈米碳管線狀結構中的 奈米碳管首尾相連,因此,奈米碳管線狀結構具有良好 的導電性,可以用作電極。 [0062] 該熱致發聲裝置60進一步包括一第一電極引線610及一第 二電極引線612,該第一電極引線610與第二電極引線 61 2分別與熱致發聲裝置60中的第一電極104a和第二電 極104b連接,使復數個第一電極104a分別與該第一電極 引線610電連接,使復數個第二電極104b分別與該第二電 極引線61 2電連接。所述熱致發聲裝置60通過該第一電極 100112569 表單編號A0101 第26頁/共65頁 1002020937-0 201240482 [0063] Ο [0064]
[0065] 引線610和第二電極引線612與外部電路電連接。這種連 接方式可二使第—電極引線61味第二電極引線612之間 的熱致發聲元件102的方塊電阻大大減小,可以提高熱致 發聲兀件1〇2的發聲效率。 本實施例中,復數個第—電極l〇4a和復數個第二電極 104b可以起到支標熱致發聲元件1〇2的作用,因此,基底 6〇8並非必_元件。當本實施例中的熱致發聲裝 置60不 i括基底608時’第—電極1〇4a和第二電極1〇化在使熱 致發聲元件102與外部電路電連接的同時,還可以保護和 支撐熱致發聲元件1〇2。 本實施例中,第—電極l〇4a與第二電極l〇4b為用絲網印 刷方法形成的絲狀銀電極。第一電極1〇4a數量為四個, 第一電極104b數量為四個,該四個第一電極1〇4a與四個 第二電極104b交替且等間距設置於基底6〇8。每個第一電 極104a與第二電極l〇4b的長度均為3厘米,高度為15微 求’相鄰的第一電極104a與第二電極i〇4b之間的距離為 5毫米。 本實施例提供的熱致發聲裝置6〇中,熱致發聲元件1〇2通 過復數個第一電極丨04a和復數個第二電極1〇4b懸空設置 ’增加了熱致發聲元件1〇2與周圍空氣的接觸面積,有利 於熱致發聲元件1〇2與周圍空氣熱交換,提高了發聲效率 〇 請參見圖20和圖21 ’本發明第七實施例提供一種熱致發 聲襄置70。該熱致發聲裝置70包括一基底608、一致熱裝 100112569 表單編號A0101 第27頁/共65頁 1002020937-0 [0066] 201240482 置104及一熱致發聲元件1〇2。該致熱裝置1〇4包括復數 個第一電極l〇4a及復數個第二電極1〇4b,所述復數個第 黾極104a和復數個弟一電極l〇4b分別和熱致發聲元件 102電連接。該熱致發聲元件1〇2包括一石墨烯膜。本實 施例所提供的熱致發聲裝置7〇與第六實施例所提供的熱 致發聲裝置6 0的結構基本相同,其區別在於,本實施例 中,相鄰的兩個第一電極1043和第二電極1〇4b之間進_ 步包括至少一個間隔元件714。 [0067] [0068] 所述間隔疋件714與基底608可以為分離的元件,該間隔 兀件714通過例如螺栓連接或黏結劑黏結等方式固定於基 底608。另外,該間隔元件714也可以與基底6〇8 一體成 型,即間隔元件714的材料與基底6〇8的材料相同。該間 隔元件714的形狀不限,可為球形、絲狀或帶狀結構。為 保持熱致發聲元件102具有良好的發聲效果,該間隔元件 714在支撐熱致發聲元件1〇2的同時應與熱致發聲元件 102具有較小的接觸面積,優選為該間隔元件714與熱致 發聲元件102之間為點接觸或線接觸。 在本實施例中,該間隔元件714的材料不限,可為玻璃、 陶瓷或樹脂等的絕緣材料,也可為金屬、合金或銦錫氧 化物等的導電材料。當間隔元件714為導電材料時,其與 第一電極104a和第二電極i〇4b電性絕緣,且,優選地, 間隔元件714與第一電極i〇4a和第二電極i〇4b平行。該 間隔元件714的高度不限,優選為1〇微米〜1厘米。本實施 例中,該間隔元件714為採用絲網印刷方法形成的絲狀銀 ,該間隔元件714的高度與所述第一電極1〇切及第二電極 100112569 表單編號A0101 第28頁/共65頁 1002020937 201240482 104b的高度相同,為20微米。間隔元件714與第一電極 104a和第二電極l〇4b平行設置。由於間隔元件714的尚 度與第一電極l〇4a和第二電極l〇4b的高度相同,因此’ 所述熱致發聲元件102位於同一平面。 [0069] Ο 所述熱致發聲元件102設置於間隔元件714、第一電極 104a及第二電極l〇4b。該熱致發聲元件102通過該間隔 元件714與基底608間隔設置,且與該基底608形成有一 空間701,該空間701係由所述第一電極l〇4a或所述第二 電極104b、所述間隔元件714、基底608以及熱致發聲元 件102共同形成。進一步地,為防止熱致發聲元件102產 生駐波,保持熱致發聲元件102良好的發聲效果,該熱致 發聲元件102與基底608之間的距離優選為1〇微米厘米 。本實施例中’由於第一電極l〇4a、第二電極i〇4b及間 隔元件714的高度為2〇微米,所述熱致發聲元件1〇2設置 於第一電極l〇4a、第二電極l〇4b及間隔元件714,因此 ’該熱致發聲元件1〇2與基底608之間的距離為20微米。 〇 [0070] 可以理解,第一電極1〇4a和第二電極1〇4b對熱致發聲元 件102也有一定的支撐作用,但當第一電極l〇4a和第二電 極104b之間的距離較大時,對熱致發聲元件1〇2的支撐效 果不佳’在第一電極1〇4a和第二電極1〇4b之間設置間隔 70件714 ’可起到較好支撐熱致發聲元件102的作用,使 熱致發聲元件102與基底608間隔設置並與基底608形成 有一空間701 ’從而保證熱致發聲元件102具有良好的發 聲效果。 [0071] 100112569 請參見圖22 ’本發明第八實施例提供一種熱致發聲裝置 表單編號A0101 第29頁/共65頁 1002020937-0 201240482 80。該熱致發聲裝置80包括至少一個致熱裝置和復數個 熱致發聲元件。所述復數個熱致發聲元件的情況包括兩 種:第一,該復數個熱致發聲元件的數量為至少兩個, 熱致發聲元件之間沒有相互接觸;第二,該復數個熱致 發聲元件的數量為一個,該熱致發聲元件設置於一具有 曲面的基底上’使其法線方向為復數個或者該熱致發聲 元件彎折後設置於不同的平面上。致熱裝置可以與熱致 發聲元件一一對應,也可以一個致熱裝置對應復數個熱 致發聲元件。該致熱裝置也可以為由對應所述復數個熱 致發聲元件的復數個部位組成的一整體結構。本實施例 中,該熱致發聲裝置80包括一第一致熱裝置、一第二 致熱裝置806、一基底208、一第一熱致發聲元件802a及 一第二熱致發聲元件802b ◊ [0〇72] 所述基底208包括一第一表面8〇8a及一第二表面808b。 所述基底208的形狀、尺寸及厚度均不限《所述第一表面 808a和第二表面808b可為平面、曲面或凹凸不平的表面 。第一表面808a和第二表面8〇8b可以為相鄰的兩個表面 ,也可以為相對的兩個表面。本實施例中,所述基底208 為一長方體結構’第一表面808a和第二表面808b為兩個 相對的表面。所述基底208進一步包括復數個通孔810, 該通孔810貫穿於第一表面8〇8a和第二表面808b,從而 使第一表面808a和第二表面8〇8b成為凹凸不平的表面。 所述復數個通孔2 0 8 a可以相互平行設置。 [0073]所述第一熱致發聲元件802a設置於基底208的第一表面 808a上,並相對於該第一表面8〇8a至少部分懸空設置。 100112569 表單編號A0101 第30頁/共65頁 1002020937-0 201240482 [0074] Ο
[0075] 所述第二熱致發聲元件802b設置於第二表面808b上,並 相對於第二表面808b至少部分懸空設置。所述第一熱致 發聲元件802a為一複合膜,該複合膜與第一實施例所揭 示的複合膜的性質相同。所述第二熱致發聲元件802b為 一石墨稀膜、一奈米碳管層或該複合膜。所述奈米碳管 層的結構與第一實施例中所揭示的奈米碳管層的結構相 同。 所述第一致熱裝置804包括一第一電極104a及一第二電極 104b。所述第一電極104a和第二電極104b分別與該第一 熱致發聲元件802a電連接。本實施例中,第一電極104a 和第二電極104b分別設置於第一熱致發聲元件802a的表 面,並與該第一熱致發聲元件802a的兩個相對的邊齊平 。所述第二致熱裝置806包括一第一電極104a及一第二電 極104b。所述第一電極104a和第二電極104b分別與該第 二熱致發聲元件802b電連接。本實施例中,第一電極 104a和第二電極104b分別設置於第二熱致發聲元件802b 的表面,並與該第一熱致發聲元件802a的兩個相對的邊 齊平。 本實施例所提供的熱致發聲裝置80為雙面發聲裝置,通 過在兩個不同的表面上設置熱致發聲元件,可以使熱致 發聲元件所發出的聲音傳播範圍更大且更清晰。可以通 過控制致熱裝置選擇讓任何一個熱致發聲元件發出聲音 ,或者同時發出聲音,使該熱致發聲裝置的使用範圍更 加廣泛。進一步地,當一個熱致發聲元件出現故障時, 另一個熱致發聲元件可以繼續工作,提高了該熱致發聲 100112569 表單編號A0101 第31頁/共65頁 1002020937-0 201240482 裝置的使用壽命。 [0076] 請參見圖23,本發明第九實施例提供一種熱致發聲裝置 90。所述熱致發聲裝置90包括一基底908,復數個熱致發 聲元件102及復數個致熱裝置104。所述基底908包括復 數個表面(圖未標),每個熱致發聲元件102對應設置於 一個表面上,熱致發聲元件102和致熱裝置104為——對 應關係。本實施例所提供的熱致發聲裝置90與第八實施 例提供的熱致發聲裝置80的結構基本相同,其區別在於 ,本實施例所提供的熱致發聲裝置90為一多面發聲裝置 〇 [0077] 本實施例中,所述基底908為一長方體結構,其包括四個 不同的表面,該四個不同的表面為凹凸不平的表面。所 述熱致發聲裝置90包括四個熱致發聲元件102,其中至少 一個熱致發聲元件102為一複合膜,另外的熱致發聲元件 102可以為石墨烯膜或者奈米碳管層。 [0078] 每個致熱裝置104分別包括一個第一電極104a和一個第二 電極104b。第一電極104a和第二電極104b分別與一個熱 致發聲元件102電連接。 [0079] 本實施例所提供的熱致發聲裝置90可以實現向復數個方 向傳播聲音。 [0080] 請參見圖24,本發明第十實施例提供一種熱致發聲裝置 100。該熱致發聲裝置100包括一熱致發聲元件102、一 基底208及一致熱裝置1 004。所述熱致發聲元件102設置 於所述基底208。本實施例所提供的熱致發聲裝置100與 100112569 表單編號A0101 第32頁/共65頁 1002020937-0 201240482 第實知例提供的熱致發聲裝置20的結構基本相同,其 區別在於,本實施例所提供的熱致發聲裝置100中,致熱 裝置1004為w射器’或其他電磁波信號發聲裝置。從 該致熱裝置1GG4發出的電磁波信則㈣傳遞至該熱致發 聲元件1〇2,該熱致發聲元件1〇2發聲。 [0081] 邊致熱裝置1GG4可正對該熱致發聲元件1()2設置。當致熱 裝置1_為-雷射II時’當該基底2()8為透明基板時,該 雷射益可對應於該基底208遠離該熱致發聲元件1〇2的表 面設置,從而使從雷射器發出的雷射穿過基底208傳遞至 s玄熱致發聲元件102。另外,當該致熱裝置1〇〇4發出的係 一電磁波信號時,該電磁波信號可透過基底208傳遞至該 熱致發聲元件102,此時,該致熱裝置1〇〇4也可以對應於 該基底208遠離該熱致發聲元件1〇2的表面設置。 [0082] ❹ 本實施例的熱致發聲裝置1〇〇中,當熱致發聲元件1〇2受 到如雷射等電磁波的照射時’該熱致發聲元件1〇2因吸收 電磁波的能量而受激發,並通過非輻射使吸收的光能全 部或部分轉變為熱。該熱致發聲元件102溫度根據電磁波 信號1 020頻率及強度的變化而變化,並和周圍的空氣或 其他氣體或液體介質進行迅速的熱交換,從而使其周圍 介質的溫度也產生等頻率的變化,造成周圍介質迅速的 膨脹和收縮,從而發出聲音。 [0083] 由於該熱致發聲装置的工作原理為將一定形式的能量以 極快的速度轉換為熱量,並和周圍氣體或液體介質進行 快速的熱交換,從而使該介質膨脹及收縮,從而發出聲 100112569 音。可以理解 表單編號A0101 ,所述能量形式不局限於電能或光能,該 第 33 頁/共 65 頁 1002020937-0 201240482 致熱裝置也不局限於上述實施例中的電極或電磁波信號 發生器,任何可以使該熱致發聲元件發熱,並按照音頻 變化加熱周圍介質的裝置均可看作一致熱裝置,並在本 發明保護範圍内。 [0084] 本發明中的複合膜具有較好的韌性和機械強度,所以複 合膜可方便地製成各種形狀和尺寸的熱致發聲裝置。本 發明的熱致發聲裝置不僅單獨可以作為揚聲器使用,也 可方便地應用於各種需要發聲裝置的電子裝置中。該熱 致發聲裝置可以内置於電子裝置殼體中或者殼體外表面 ,作為電子裝置的發聲單元。該熱致發聲裝置可以取代 電子裝置的傳統的發聲單元,也可以與傳統發聲單元組 合使用。該熱致發聲裝置可以與電子裝置的其他電子元 件公用電源或公用處理器等,也可以通過有線或無線的 方式與電子裝置連接,有線的方式比如通過信號傳輸線 與電子裝置的USB介面等結合,無線的方式比如通過藍牙 方式與電子裝置連接。該熱致發聲裝置也可以安裝或集 成在電子裝置的顯示幕上,作為電子裝置的發聲單元。 該電子裝置可以為音響、手機、MP3、MP4、遊戲機、數 碼相機、數碼攝像機、電視或電腦等。例如,當電子裝 置為手機時,由於本實施例提供的熱致發聲裝置為一透 明的結構,該熱致發聲裝置可以通過機械固定方式或者 黏結劑貼合在手機顯示幕的表面。當電子裝置為MP3時, 該熱致發聲裝置可以内置於MP3中,與MP3内部的電路板 電連接,當MP3通電時,該熱致發聲裝置可以發出聲音。 可以理解,本發明所提供的熱致發聲發聲裝置也可以直 100112569 表單編號A0101 第34頁/共65頁 1002020937-0 201240482 接替代先前電子I置中 J赞聲το件應用於電子裴置中, 由於本發明的熱致發聲*于衮置干 積和重量,因此,^替2無磁結構,具有較小的體 置中時,… 前的發聲裴置用在電子裝 置中時了以使電子裝置 [0085] Ο [0086] 重$減輕,同時也可以使電 '、〜的體積或具備超薄的結構。 出專利申、本:明確已符合發明專利之要件,遂依法提 , ,卩上所述者僅為本發明之較佳實施例 不^此限制本案之_請專㈣圍。舉凡熟悉本案 技货之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化, 皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明第一實施例提供的熱致發聲裝置的俯視示意 圖0 剛圖2係沿圖ltI卜n線剖開的剖面示意圖。 [0088] ® 3係本發明第—實施例熱致發聲|置所採用的奈米碳管 拉膜的掃描電鏡照片。 [0089] 圖4係本發明第一實施例熱致發聲裝置所採用的奈米碳管 絮化膜的掃描電鏡照片。 [0090] 圖5係本發明第一實施例熱致發聲裝置所採用的奈米碳管 儀壓膜的掃描電鏡照片。 [0091] 圖6係本發明第一實施例熱致發聲裝置所採用的複合膜的 掃描電鏡照片^ [0092] 圖 7係本發明圖6中熱致發聲元件透明度的測試曲線圖 100112569 表單編號A0101 第35頁/共65頁 1002020937-0 201240482 [0093] 圖8係本發明第二實施例提供的熱致發聲裝置的俯視示意 圖。 [0094] 圖9係沿圖8中IX-IX線剖開的剖面示意圖。 [0095] 圖1 0係本發明第三實施例提供的熱致發聲裝置的俯視示 意圖。 [0096] 圖11係第三實施例中一種情況下沿圖1 0中X I - XI線剖開 的剖面示意圖。 [0097] 圖12為第三實施例中另一種情況下沿圖10中XI-XI線剖 開的剖面示意圖。 [0098] 圖13係本發明第四實施例提供的熱致發聲裝置的俯視示 意圖。 [0099] 圖14係沿圖13中XIV-XIV線剖開的剖面示意圖。 [0100] 圖15係本發明第四實施例熱致發聲裝置所採用的非扭轉 的奈米碳管線狀結構的掃描電鏡照片。 [0101] 圖16係本發明第四實施例熱致發聲裝置所採用的扭轉的 奈米碳管線狀結構的掃描電鏡照片。 [0102] 圖17係本發明第五實施例提供的採用表面塗有絕緣層的 奈米碳管層作為基底的熱致發聲裝置的侧視剖面示意圖 〇 [0103] 圖18係本發明第六實施例提供的熱致發聲裝置的俯視示 意圖。 [0104] 圖1 9係沿圖1 8中XIX-XIX線剖開的剖面示意圖。 100112569 表單編號A0101 第36頁/共65頁 1002020937-0 201240482 ' .[0105] 圖20係本發明第七實施例提供的熱致發聲裝置的俯視示 意圖。 [0106] 圖21係沿圖20中XXI -XXI線剖開的剖面示意圖。 [0107] 圖2 2係本發明第八實施例提供的熱致發聲裝置的側視剖 面示_意圖。 [0108] 圖2 3係本發明第九實施例提供的熱致發聲裝置的侧視剖 面示意圖。 & [0109] 圖24為本發明第十實施例提供的熱致發聲裝置的側視示 〇 意圖。 【主要元件符號說明】 [0110]熱致發聲裝置:10 ; 20 ; 30 ; 40 ; 50 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90 ; 100 [0111] 熱致發聲元件:102 [0112] 致熱裝置:104 ; 1004 1 [0113] 第一電極:104a [0114] 第二電極:104b [0115] 基底:208 ; 308 ;408 ; 508 ; 608 ; 908 [0116] 通孔:208a [0117] 盲槽:308a [0118] 表面:308b [0119] 第一線狀結構:408a 100112569 表單編號A0101 第37頁/共65頁 1002020937-0 201240482 [0120] 第二線狀結構:408b [0121] 網孔:408c [0122] 間隙:601 [0123] 第一電極引線:610 [0124] 第二電極引線:612 [0125] 間隔元件:714 [0126] 第一熱致發聲元件:802a [0127] 第二熱致發聲元件:802b [0128] 第一致熱裝置:804 [0129] 第二致熱裝置:806 [0130] 第一表面:808a [0131] 第二表面:808b [0132] 電磁波信號:1020 100112569 表單編號A0101 第38頁/共65頁_ 1002020937-0

Claims (1)

  1. 201240482 七、申請專利範圍: 1 . 一種熱致發聲裝置,其包括: 一基底,該基底為一網狀結構; -熱致發聲元件設置於該基底的表面; -致熱裝置用於向該熱致發聲元件提供能量使該熱致發聲 元件產生熱量; 其改良在於,所述基底包括至少一線狀結構,所述至少— 線狀結構包括一奈米碳管線狀結構及設置於該奈米碳管線 0 狀結構表面的絕緣層,所述熱致發聲元件包括一複合膜, 該複合膜包括相互層疊設置的至少一奈米碳管層和至少— 石墨烯膜。 2 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 石墨烯膜包括多層石墨烯,該多層石墨烯相互搭接或者相 互疊加設置。 3.如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 石墨烯膜為單層石墨烯。 ^ 4 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置’其中,所述 〇 石墨烯膜的厚度為0.34奈米至10奈米。 5 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 奈米碳管層與所述石墨烯膜重疊設置。 6 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 奈米破管層由復數個奈米破管通過凡得瓦力相互連接組成 〇 7 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 奈米碳管層為一自支撐結構,所述石墨烯膜通過所述奈米 100112569 表單編號A0101 第39頁/共65頁 1002020937-0 201240482 碳管層支撐。 8 .如申請專利範圍第7項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 奈米碳管層中具有復數個微孔,該微孔由奈米碳管之間的 間隙形成。 9.如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 奈米碳管層的復數個微孔被所述石墨烯膜覆蓋。 10 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 複合膜包括多層奈米碳管層和多層石墨烯膜,該多層奈米 碳管層和該多層石墨烯膜交替層疊設置。 11 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 基底包括復數個第一線狀結構和復數個第二線狀結構,該 復數個第一線狀結構和該復數個第二線狀結構相互交又設 置,所述第一線狀結構包括該奈米碳管線狀結構及設置於 該奈米碳管線狀結構表面的絕緣層。 12 .如申請專利範圍第11項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 第二線狀結構包括一奈米碳管線狀結構及設置於該奈米碳 管線狀結構表面的絕緣層。 13 .如申請專利範圍第11項或12項所述之熱致發聲裝置,其 中,所述奈米碳管線狀結構包括至少一根奈米碳管線,該 奈米碳管線包括復數個奈米碳管。 14 .如申請專利範圍第13項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 奈米碳管線中的奈米碳管首尾相連且奈米碳管的延伸方向 平行於奈米碳管線的軸向方向。 15 .如申請專利範圍第13項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 奈米碳管線中的奈米碳管首尾相連且螺旋纏繞。 16 .如申請專利範圍第13項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 100112569 表單編號A0101 第40頁/共65頁 1002020937-0 201240482 • 奈米碳管線為由該復數個奈米碳管組成的純結構。 17 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 基底包括復數個網孔,該熱致發聲元件相對於該網孔懸空 設置。 18 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 致熱裝置包括一第一電極和一第二電極分別與該熱致發聲 元件電連接。 19 .如申請專利範圍第1項所述之熱致發聲裝置,其中,所述 致熱裝置為一電磁波信號發生裝置。 ^ 20 .如申請專利範圍第19項所述乏熱致發聲裝置,其中,所述 致熱裝置為一雷射器。 21. —種電子裝置,其中,該電子裝置包括如申請專利範圍第 1項至20項任意一項所述之熱致發聲裝置。 22 .如申請專利範圍第21項所述之電子裝置,其中,所述熱致 發聲裝置内置於該電子裝置中或者直接設置於該電子裝置 的外殼。 23 .如申請專利範圍第21項所述之電子裝置,其中,所述熱致 〇 w 發聲裝置通過USB介面與該電子裝置連接或者通過藍牙與 該電子裝置無線連接。 24 .如申請專利範圍第21項所述之電子裝置,其中,所述電子 裝置包括音響、手機、MP3、MP4、遊戲機、數碼相機、 數碼攝像機、電視或電腦。 25 .如申請專利範圍第21項所述之電子裝置,其中,該電子裝 置進一步包括一顯示幕,所述熱致發聲裝置設置於該顯示 幕的表面。 100112569 表單編號A0101 第41頁/共65頁 1002020937-0
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