TW201220432A - Active device and manufacturing method thereof - Google Patents
Active device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TW201220432A TW201220432A TW99137493A TW99137493A TW201220432A TW 201220432 A TW201220432 A TW 201220432A TW 99137493 A TW99137493 A TW 99137493A TW 99137493 A TW99137493 A TW 99137493A TW 201220432 A TW201220432 A TW 201220432A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- channel layer
- ohmic contact
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種主動元件及其製造方法,且特別 疋有關於一種可應用於主動元件面板(active_matrix panei) 之主動元件及其製造方法。 【先前技術】 近年來,由於半導體製程技術的進步,主動元件的製 造越趨容易、快速。主動元件的應用廣泛,例如電腦晶片、 手機晶片或是主動元件顯示器等。以主動元件顯示器為 例’主動元件可作為充電或放電的開關。 傳統主動元件包括底電極、覆蓋底電極之絕緣層、位 於絕緣層上之非晶矽層以及摻雜非晶矽層以及位於摻雜非 晶矽層上之第一電極以及第二電極。當主動元件的底電極 施加一正底電極電壓時,非晶矽層中會形成電子通道。另 一方面,施加於第一電極的資料電壓,將以電流的方式由 電子通道流到第二電極,且此電流會隨著底電極電壓上升 而增加。當停止施加電壓於底電極時,非晶矽層中之電子 通道便會消失。換言之,第一電極與第二電極之間即為斷 路。 值得注意的是,為了使主動元件顯示器具有高可靠度 以及高顯示品質,所述主動元件在開啟狀態需具有高通過 電流且於主動元件之開啟狀態需具有低漏電流。然而,上 述傳統主動元件已經無法滿足目前顯示器對於高電流以及 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 低漏電之需求。 【發明内容】 本發明提供一種主動元件及其製造方法,其於主動元 件之開啟狀態時具有高通過電流,且於主動元件之開啟狀 態時具有低漏電流。 本發明提出一種主動元件的製造方法,其包括在一基 板上形成一第一底電極以及一第二底電極。形成一第一絕 緣層以覆蓋第一底電極與該第二底電極。在第一底電極上 方之第一絕緣層上形成一第一通道層且於第二底電極上方 之第一絕緣層上形成第二通道層。在第一通道層及第二通 道層上形成第二絕緣層,其中第二絕緣層暴露出一部分的 第一通道層以及一部分的第二通道層。在第一通道層上方 形成一第一導電圖案,第一導電圖案包括一第一電極、一 第一頂電極以及一第二電極,其中第一電極及第二電極與 暴露出的第一通道層電性連接。在第二通道層上方形成一 第二導電圖案,第二導電圖案包括一第三電極、一第二頂 電極以及一第四電極,其中第三電極及第四電極與暴露出 的第二通道層電性連接,且第三電極與第二電極電性連接。 本發明另提出一種主動元件的製造方法,包括在一基 板上形成一底電極。形成一第一絕緣層以覆蓋底電極。在 第一底電極上方之第一絕緣層上形成一通道層。在通道層 上形成一第二絕緣層,其中第二絕緣層暴露出一部分的通 道層。在通道層上方形成一導電圖案,導電圖案包括一第 201220432 P6iyy〇038TW352〇2twf.doc/n -電極、-頂電極以及—第二電極,其中第—電極〉 電極與暴露出的通道層電性連接。 一本發明提出一種主動元件,其包括一第一底電極以及 一第二底電極,位於-基板上;-第-絕緣層,覆蓋第/ 底電極以及第二底電極;-第-通道層以及-第二通道 層’分別位於第-底電極以及第二底電極上方之第一絕緣 層上,一第二絕緣層,位於第一通道層以及第二通道層上, 且暴露出-部分的第—通道層以及—部分的第二通道層; -第-導電圖案,位於第_通道層上,其中第—導電^ 包括一第一電極、一第—頂電極以及一第二電極,其中第 一電極及第二電極與暴露出的第一通道層電性連接;以及 -第二導,圖案’位於第二通道層上,其中第二導電圖案 包括一第三電極、一第二頂電極以及一第四電極,其中第 :電極與第四電極與暴露出的第二通道層電性連接,且第 二電極與第二電極電性連接。 本發明另提出-種主動元件,其包括一底電極,位於 一基板上,一第一絕緣層,覆蓋底電極;一通道層位於 第-底電極上方之第-絕緣層上;—第二絕緣層,位於通 道層上,其中第二絕緣層暴露出一部分的通道層;以及/ 導電圖案,其包括-第-電極、—頂電極以及—第二電極, 其中第-電極及第二電極與暴露出的通道層電性連接 基於上述’由於本發明之主動元件具有底電極以及请 ^極’因此可絲電極與魏層之_及顧電 層之間形成兩道電子通道。因而, ^ 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 於傳統主動元件具有高電流以及低漏電之功效。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特 舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 圖1至圖7是根據本發明一實施例之具有主動元件之 晝素結構的製造流程剖面示意圖。 • 請參照圖1,首先提供一基板100,基板100具有主 動元件區T、電容器區C以及晝素電極區p。基板1〇〇可 為硬質基板、軟性基板、透明基板或是不透明基板。根據 本發明之一實施例,基板100之表面上可進一步形成緩衝 層102 ’其材質例如是氧化;δ夕或是氮化石夕,但本發明不限 於上述材料。之後,在晝素電極區P中的緩衝層102上形 成晝素電極104。晝素電極1〇4可為透明電極層、反射電 極層或是半穿透半反射式電極層。 請參照圖2 ’在基板1〇〇之主動元件區τ中形成底電 鲁 極l〇6a以及底電極l〇6c。根據本發明之一實施例,在形 成底電極106a以及底電極106c時,更包括同時在基板1〇〇 上形成連接層106b。此外,此時更包括在電容器區c中形 成電容下電極106d。形成上述底電極i〇6a、底電極l〇6fec、 連接層106b以及電容下電極106d之方法例如是採用沈積 程序以及微影與蝕刻程序來達成。 請參照圖3,在基板100上形成絕緣層1〇8,以覆蓋 底電極106a、底電極106c、連接層i〇6b以及電容下電極 201220432 F6iyy〇〇38TW35202twf.doc/n 。絕緣層1G8之㈣可為氧切或是氮 日月不限於上述材料。接著,在底電極腕:二 上層n賴⑴,並且於底』= 方之、錄層1G8上形成通道層112以及絕緣㉟113。米 與絕緣層lu以及形成通道層112與絕緣層 j之方法例如是採用沈積程序以及微影與Μ刻程序來達 ^。根據本實施例’通道層11G以及通道層lu之材質包 括非晶㈣是微晶⑪,但本發明不限於上述材料。絕緣層 11’ 113之材質可為氧化石夕或是氮化石夕,但本發明不限於 上述材料^ 之後’圖案化絕緣層U1以及113,以於絕緣層ln 中形成開口 111a,其暴露出一部分的通道層11〇,並且在 絕緣層113中形成開σ U3a,其暴露出—部分的通道層 ,如圖4所示。更詳細來說,圖案化後的絕緣層^ 覆蓋住位於底電極106a上方之通道層11〇且暴露出位於底 電極106a兩侧上方之通道層11〇。類似地,圖案化後的絕 緣層113覆蓋住位於底電極1〇6c上方之通道層ιΐ2且暴露 出位於底電極l〇6c兩側上方之通道層112。上述之圖案化 程序例如是採用微影與蝕刻程序。 '、 根據本實施例,在圖案化絕緣層m,113之過程之 中,可進一步圖案化絕緣層1〇8,以於絕緣層1〇8中形成 接觸窗關口 C1以及接觸窗開口 C2,接觸窗開開口 C1 以及接觸窗開口 C2暴露出連接層1〇6b。另外,在所述圖 案化程序之中,亦可進一步圖案化畫素電極區p中的絕緣 201220432 P61990038TW35202twf.doc/n 層以及絕緣層1〇8’以形成開口 〇,其暴露出畫素電 極 104 〇 請參照圖5,在基板1〇〇上形成歐姆接觸層116以及 導電圖案(包括第一頂電極118a、第一電極iigb、第二電 極118c以及上電極圖案ll8d)。特別是’位於第一電極n8b 與第二電極118c下方之歐姆接觸層116與被暴露出的通道 層112電性連接。另外,第一電極n8b更進一步透過接觸 φ 窗開口 C2而與連接層l〇6b電性連接。此外,在電容器區 C中,上電極圖案η8d、電容下電極i〇6ci以及位於上電 極圖案118d與電容下電極l〇6d之間之絕緣層1〇8即構成 儲存電容器’而上電極圖案U8d之底下也具有歐姆接觸層 116。 根據本實施例,歐姆接觸材料116例如是摻雜有N型 掺質,其可為摻雜有N型摻質之非晶矽、微晶矽、矽化鉬 (MoSi)、矽化鉻(CrSi)或是矽化鈦(TiSi),但本發明不限於 上述材料。導電圖案(包括第一頂電極U8a、第一電極 • 118b、第二電極⑽以及電容上電極118d)之材質包括金 屬,例如是鈦、鋁、鉬或鉻,但本發明不限於上述材料。 根據本實施例’形成歐姆接觸層116以及導電圖案 括第一頂電極118a、第一電極118b、第二電極118/以= 上電極圖案118d)之方法例如是先依序形成一層導電 以及-層輯接觸㈣(树示),之後㈣㈣化此 材料以及此歐姆接觸材料。 請參照® 6,在基板100 ±形成歐姆接觸層⑶以及 201220432 P61990038TW 35202twf.d〇c/n =圖案(包括第二頂電極l22a、第三電極⑽以及第四 玉me)特別;位於第三電極以及第四電極 下方的I姆接觸層12G與被暴⑼的通道層11()電性連 ,另外第四電極122c更進〜步透過接觸窗開口 〇而 ,、連接層H)6b電性連接^根據本實施例,歐姆接觸層12〇 例如是摻雜有P型摻質,其可為摻雜有p型掺質之非晶 矽、微晶矽、矽化鉬(MoSi)、矽化鉻(CrSi)或是矽化鈦 (TiSi),但本發明不限於上述材料。導電圖案(包括第二頂 電極l22a、第二電極lDb以及第四電極丨22〇之材質包括 金屬,例如是鈦、鋁、鉬或鉻,但本發明不限於上述材料。 根據本實施例,形成歐姆接觸層12〇以及導電圖案(勺 括第二頂電極122a、第三電極122b以及第四電極 之方法例如是先依序形成一層導電材料以及一層歐姆接^ 材料(未繪示),之後同時圖案化此導電材料以及此 觸材料。 筏 在上述圖6之主動元件區τ中,頂電極122a、第三 極122b、第四電極122c、通道層11()以及底電極1〇6: 成第一主動元件(例如是p型主動元件頂電極118a、 一電極118b、第二電極118c、通道層112以及底電極1〇& 構成第二主動元件(例如是IS[型主動元件)。特別是,第一 主動元件(例如是P型主動元件)之第四電極122C與第二主 動元件(例如是N型主動元件)之第一電極118b透過連接屉 106b而電性連接,因而構成—個互補式主動元件。特^ 疋’上述互補式主動元件之第一主動元件(例如是p型主動 201220432 P6199003 8TW 35202twf.doc/n 主動元件(例如是N型主動元件)分別為-雙電 在元成上述圖6之步驟之後,可推 上形成-保護層124,如圖7所示了 = 之結構
中之坌一 ±命•-放丨上曰 乂覆蓋主動元件區T 中之第主動兀件(例如疋P型主動元件)與 (例如是N型主動元件)以及電容器區 的 畫素電極區p中,保護層以是暴露出晝素
一依^上奴製造方法所得到的主動元件結構如圖了所 不。主動件包括底電極l〇6a、底電極1〇6c、絕緣層⑽、 通道層110、通道層112、絕緣層Ul,113、歐姆接觸層 110以及歐姆接觸層112、導電圖案(第一電極118b、頂電 極118a以及第二電極U8c)以及導電圖案(第三電極 122b、頂電極122a以及第四電極122c)。 —在本實施例中,位於主動元件區T中主動元件例如是 薄膜電晶體。當主動元件為電晶體時,底電極腿,麻 的功能相當於底閘極,第一電極U8b與第二電極U8c的 功旎分別相當於源極與汲極或是汲極與源極,第三電極 122b與第四電極122C的功能分別相當於源極與汲極或是 汲極與源極,而頂電極118a,122a的功能相當於頂閘極。 底電極106a以及底電極106c位於基板100上。絕緣 層覆蓋底電極106a以及底電極1〇6c。通道層11〇以 及通道層112分別位於底電極1〇6a以及底電極1〇6c上方 之絕緣層108上。歐姆接觸層U6以及歐姆接觸層12〇位 於通道層110,112上。導電圖案(第一 電極U8b、頂電極 11 201220432 roiyyuuj8TW 35202twf.doc/n 118a以及第二電極118c)位於歐姆接觸層116上,其中位 於第一電極118b以及第二電極118c下方之歐姆接觸層 116與暴露出的通道層112電性連接。導電圖案(第三電極 122b、頂電極122a以及第四電極122c)位於歐姆接觸層120 上,其中位於第三電極122b以及第四電極12几下方之歐 姆接觸層120與暴露出的通道層110電性連接。此外,第 一電極118b與第四電極122c電性連接。 根據本發明之一實施例’上述之主動元件更包括連接 層106b。第一電極118b與連接層l〇6b電性連接,且第四 電極122c與連接層106b電性連接。換言之,第一電極118b 與第四電極122c是透過連接層l〇6b而電性連接。在此, 連接層106b是與底電極106a以及底電極106c屬於同一獏 層。然,本發明不限於此。 另外,歐姆接觸層116與導電圖案(第一電極U8b、 頂電極118a以及第二電極ll8c)具有相同的圖案。歐姆接 觸層120與導電圖案(第三電極122b、頂電極122a以及第 四電極122c)具有相同的圖案。在本實施例中,歐姆接觸 層116摻雜有N型摻質,且歐姆接觸層12〇摻雜有p型摻 質;或者是歐姆接觸層116摻雜有p型摻質,且歐姆接觸 層120換雜有N型摻質。 此外,在電容器區C中,儲存電容器包括電容下電極 106d、上電極圖案118d以及位於上電極圖案與電容 下電極106d之間之絕緣層⑽。在晝素電極區p中,晝素 電極104位於基板_上,且絕緣層⑽、…暴露出晝素 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 電極104。 圖8是根據本發明另一實施例之具有主動元件之晝素 結構的剖面示意圖。圖8之結構與圖7相似,因此在此與 圖7相同的元件以相同的符號表示,且不再重複贅述。圖
8之實施例姻7之實施例不同之處在於在晝素電極區P 中’晝素電極118e是形成在絕緣層1〇8上。在本實施例中, 晝素,極118e是與導電圖案(第-電極118b、頂電極U8a
以及第二電極118c)所同時定義出,因此晝素電極nk之 下方也有歐姆接觸層116。 综上所述,由於本發明之主動元件具有底電極以及頂 電極,因此可使底電極與通道層之間以及在頂電極與通道 層=間形成兩道電子通道^因而,本發明之主航件相較 於傳統主動元件具有高電纽及傾電之功效。 同因本發明之頂電極、第—電極以及第二電極是 ;極疋笛一’且頂電極、第一電極以及第二電極與位於頂 、曾Φ 電極以及第二電極下方的_接_是以同- ^ 疋義*。因此,本發明之方法可以節省 數目’以降低製造成本。 的 太軸本發明已以實施例揭露如上,然、其並非用以限定 本發明之屬技術躺+具有通常知識者,在不脫離 發明之保t和範_,#可作些許之更動與潤饰,故本 fe圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S 13 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 【圖式簡單說明】 圖1至圖7是根據本發明一實施例之具有主動元件之 晝素結構的製造流程剖面示意圖。 圖8是根據本發明另一實施例之具有主動元件之晝素 結構的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 100 :基板 T:主動元件區 C:電容器區 P .晝素電極區 102 :缓衝層 104 :晝素電極 106a、106c :底電極 106b :連接層 106d :電容下電極 108、m、113 :絕緣層 111a,113a :開口 110、112 :通道層 116、120 :歐姆接觸層 118b :第一電極 122b :第三電極 118a、122a :頂電極 118c :第二電極 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 122c :第四電極 118d :上電極圖案 118e :晝素電極 124 :保護層 Cl、C2 :接觸窗開口 Ο :開口
15
Claims (1)
- 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 七、申請專利範園: 1. 一種主動元件的製造方法’包括: 在一基板上形成一第一底電極以及一第二底電極; 形成一第一絕緣層,覆蓋該第一底電極與該第二底電 極;在該第一底電極上方之該第一絕緣層上形成一第〆 通道層且於該第二底電極上方之該第一絕緣層上形成〆第 二通道層; 在該第一通道層及該第二通道層上形成一第二絕緣 層,其中該第二絕緣層暴露出一部分的該第一通道層>乂及 一部分的該第二通道層; 在該第一通道層上方形成一第一導電圖案,該第γ導 電圖案包括一第一電極、一第一頂電極以及一第二電極, 其中該第一電極及該第二電極與暴露出的該第一通道詹電 性連接;以及在該第二通道層上方形成一第二導電圖案,該第>導 電圖案包括-第三電極、—第二頂電極以及一第四電極’ 其中該第三電極與該第四電極與暴露出的該第二通道膺電 陡連接,且該第一電極與該第四電極電性連接。 2.如中請專利範圍帛i項所述之主動元件的製造j 包括在該基板上形成—連接層,其中該第一電極身 連f層電由性連接,严該第四電極與該連接層電性連接 法 3.如申請專利範圍第2項所、〜土㈣ 16 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 時形成。 4. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件的製造方 法,其中在該第一通道層上方形成該第一導電圖案時更包 括同時形成一第一歐姆接觸層。 5. 如申請專利範圍第4項所述之主動元件的製造方 法,其中在該第一通道層上方同時形成該第一歐姆接觸層 以及該第一導電圖案之方法包括: 依序形成一第一歐姆接觸材料以及一第一導電材 料,其中該第一歐姆接觸材料與暴露出的該第一通道層電 性連接;以及 同時圖案化該第一導電材料以及該第一歐姆接觸材 料。 6. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件的製造方 法,其中在該第二通道層上方形成該第二導電圖案時更包 括同時形成一第二歐姆接觸層。 7. 如申請專利範圍第6項所述之主動元件的製造方 法,其中在該第二通道層上方同時形成該第二歐姆接觸層 以及該第二導電圖案之方法包括: 依序形成一第二歐姆接觸材料以及一第二導電材 料,其中該第二歐姆接觸材料與暴露出的該第二通道層電 性連接;以及 同時圖案化該第二導電材料以及該第二歐姆接觸材 料。 8. —種主動元件的製造方法,包括: 17 201220432 P6199U038TW 35202twf.doc/n 在一基板上形成一底電極; 形成一第一絕緣層,覆蓋該底電極; 在該第一底電極上方之該第一絕緣層上形成—通道 層; 在該通道層上形成一第二絕緣層,其中該第二絕緣層 暴露出一部分的該通道層;以及 9 在該通道層上方形成一導電圖案,該導電圖案包括一 第一電極、一頂電極以及一第二電極,其中該第一電極與 該第二電極與暴露出的該通道層電性連接。 〜 9. 如申請專利範圍第8項所述之主動元件的製造方 法,其中在該通道層上方形成該導電圖案時更包括同時形 成一歐姆接觸層。 ^ 10. 如申請專利範圍第9項所述之主動元件的製造方 法,其中在該通道層上方同時形成該歐姆接觸層以及該 電圖案之方法包括: Λ 依序形成一歐姆接觸材料以及一導電材料,其中該歐 姆接觸材料與暴露出的該通道層電性連接;以及 同時圖案化該導電材料以及該歐姆接觸材料。 U.如申請專利範圍第8項所述之主動元件的製造方 去,其中該歐姆接觸層摻雜有Ν型摻質或是ρ型摻質。 一種主動元件,包括: 第一底電極以及一第二底電極,位於一基板上; 一第一絕緣層,覆蓋該第一底電極以及該第二底電 極; 18 201220432 P61990038TW 35202twf.doc/n 一第一通道層以及一第二通道層,分別位於該第一底 電極以及該第二底電極上方之該第一絕緣層上; 一第二絕緣層,位於該第一通道層以及該第二通道層 上,且暴露出一部分的該第一通道層以及一部分的該第二 通道層; 一第一導電圖案,位於該第一通道層上,其中該第一 導電圖案包括一第一電極、一第一頂電極以及一第二電 極,其中該第一電極及該第二電極與暴露出的該第二通道 層電性連接;以及 一第二導電圖案,位於該第二通道層上,其中該第二 導電圖案包括一第三電極、一第二頂電極以及一第四電 極,其中該第三電極及該第四電極與暴露出的該第二通道 層電性連接,且該第一電極與該第四電極電性連接。 13.如申請專利範圍第12項所述之主動元件,更包括 一連接層,其中該第一電極與該連接層電性連接,且該第 四電極與該連接層電性連接。 • 14.如申請專利範圍第13項所述之主動元件,其中該 連接層是與該第一底電極以及該第二底電極屬於同一膜 層。 15. 如申請專利範圍第12項所述之主動元件,更包括 一第一歐姆接觸層,位於該第一通道層上,其中該第一歐 姆接觸層與該第一導電圖案具有相同的圖案。 16. 如申請專利範圍第12項所述之主動元件,更包括 一第二歐姆接觸層,位於該第二通道層上,其中該第二歐 19 201220432 FC)iyyuu38TW 35202twf.doc/n 姆接觸層與該第二導電圖案具有相同的圖案。 17. —種主動元件,包括: 一底電極,位於一基板上; 一第一絕緣層,覆蓋該底電極; 一通道層,位於該第一底電極上方之該第一絕緣層 上; 一第二絕緣層,位於該通道層上,其中該第二絕緣層 暴露出一部分的該通道層;以及 一導電圖案,其包括一第一電極、一頂電極以及一第 二電極,其中該第一電極及該第二電極與暴露出的該通道 層電性連接。 18. 如申請專利範圍第17項所述之主動元件,更包括 一歐姆接觸層,位於該通道層上,其中該歐姆接觸層與該 導電圖案具有相同的圖案。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099137493A TWI455247B (zh) | 2010-11-01 | 2010-11-01 | 主動元件及其製造方法 |
CN201010602771.XA CN102468339B (zh) | 2010-11-01 | 2010-12-21 | 主动元件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099137493A TWI455247B (zh) | 2010-11-01 | 2010-11-01 | 主動元件及其製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201220432A true TW201220432A (en) | 2012-05-16 |
TWI455247B TWI455247B (zh) | 2014-10-01 |
Family
ID=46071730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099137493A TWI455247B (zh) | 2010-11-01 | 2010-11-01 | 主動元件及其製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102468339B (zh) |
TW (1) | TWI455247B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI648844B (zh) * | 2017-11-06 | 2019-01-21 | Industrial Technology Research Institute | 薄膜電晶體及其製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6982194B2 (en) * | 2001-03-27 | 2006-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR100585410B1 (ko) * | 2003-11-11 | 2006-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구동회로 일체형 액정표시장치의 스위칭 소자 및 구동소자및 그 제조방법 |
KR100721555B1 (ko) * | 2004-08-13 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 |
TWI302032B (en) * | 2005-06-17 | 2008-10-11 | Univ Nat Sun Yat Sen | Thin film transistor and method of fabricating thereof |
KR100944755B1 (ko) * | 2007-05-31 | 2010-03-03 | 최재봉 | 언어학습물 제공 시스템 및 언어 언어학습물이 포함된 컴퓨터가 판독가능한 프로그램이 기록된 기록매체 |
US7732265B2 (en) * | 2008-06-03 | 2010-06-08 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same and film formation apparatus |
-
2010
- 2010-11-01 TW TW099137493A patent/TWI455247B/zh active
- 2010-12-21 CN CN201010602771.XA patent/CN102468339B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI648844B (zh) * | 2017-11-06 | 2019-01-21 | Industrial Technology Research Institute | 薄膜電晶體及其製造方法 |
US10644167B2 (en) | 2017-11-06 | 2020-05-05 | Industrial Technology Research Institute | Thin film transistor and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102468339A (zh) | 2012-05-23 |
CN102468339B (zh) | 2014-01-22 |
TWI455247B (zh) | 2014-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI275184B (en) | Thin film transistor and fabrication method thereof | |
TWI303888B (en) | Ltps-lcd structure and method for manufacturing the same | |
TWI297548B (en) | Pixel structure for flat panel display and method for fabricating the same | |
TW586223B (en) | Thin film transistor array panel and fabricating method thereof | |
TWI337754B (en) | Semiconductor structure of display device and method for fabricating the same | |
TWI331401B (en) | Method for fabricating a pixel structure and the pixel structure | |
TW200947089A (en) | System for displaying images and fabrication method thereof | |
TW200824128A (en) | Pixel structure and fabricating method thereof | |
TWI397130B (zh) | 畫素結構的製作方法以及畫素結構 | |
TW200921226A (en) | Panel structure and manufacture method thereof | |
TWI262344B (en) | Pixel structure and fabricating method thereof | |
CN105428243B (zh) | 一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置 | |
TW201234431A (en) | Display and manufacturing method thereof | |
KR20170096007A (ko) | 어레이 기판, 디스플레이 패널, 및 어레이 기판의 제조 방법 | |
CN112133710A (zh) | 显示设备 | |
TW201218383A (en) | Thin film transistor and pixel structure having the thin film transistor | |
TW200407960A (en) | Method of forming a liquid crystal display | |
TW200814323A (en) | Liquid crystal display structure and method for manufacturing the same | |
CN113345837A (zh) | 一种显示面板的制作方法及显示面板 | |
TW200910603A (en) | Method for manufacturing a pixel structure of a liquid crystal display | |
TWI316763B (en) | Lcd pixel array structure and fabrication method thereof | |
CN100470764C (zh) | 平面显示器的半导体结构及其制造方法 | |
CN110299322B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
TW594999B (en) | Structure of thin film transistor array and driving circuits | |
TW200837957A (en) | Semiconductor structure of liquid crystal display and manufacturing method thereof |