TW201218863A - Control circuit for light emitting diodes, relevant integrated circuit and control method - Google Patents

Control circuit for light emitting diodes, relevant integrated circuit and control method Download PDF

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    • H05B45/46Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs disposed in parallel lines

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201218863 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種發光二極體之控制電路’以及相關之積體 電路與控制方法。 【先前技術】 因為發光二極體(light emitting diode,LED)的電光轉換效率相當 的好’高於曰光燈、冷陰極管(CCFL)或是燈泡等,所以當前之趨勢 為以LED來取代上述這些發光源。舉例來說,LED已經漸漸地取 代CCFL ’成液晶面板(LCD panel)的背光光源。 第1圖為一 LED的電源電路》市電的AC電源,經過電源管理 電路12後,經過變壓器14的轉換’在out端產生輸出電源V0UT。 透過分壓電阻18與20、基納二極體LT431、以及光耦合器16,輸 出電源V0UT的訊息回饋至電源管理電路12,來達到輸出電源 的調控(regulation)。Ν 個發光二極體串(LED chain)CLED1 cledn 連接到輸出電源V0UT,當作魏源。可控式電流源n】,其内部 電路大致拥’分卿躺發光二減_ cled1_..cledn,透過 控制"α經—極體φ之電流,來控制二極體串的亮度。 第2圖顯示第1圖中可控式電流源η的一種作法。誤差放大器 Α1控制功率電晶體,改變流經發光二極體_ ClEdi與感測電 阻⑶的電流’希望使感測信號VSE腦的電壓等同於電流設定信 號vL咖us的電壓。感測電阻⑶...csn的電阻值大致相同。如果 201218863 感測信號vSENSE!... vSENSEN的電壓都大約等於電流設定信號 VLEDBIAS’那大致就可以推論流經第2圖中每個LED的電流都相等。 電路上元件的短路與開路,往往會造成錯誤的動作,甚至引發 生命危險。LED的電源電路也是不例外。舉例來說,如果第2圖中 的感測電阻CS1短路(電阻為〇),那發光二極體串cledi的亮度就 會過亮,甚至是燒锻。因此,錯誤應該儘早的偵測,而域行:十 應的防護措施。 胃 【發明内容】 本發明的-實施例提供-種發光二極體之控制電路,用以控制 驅動至少-發光二極體…電流控制元件可控制流經該發光二極體 之電流,該電流控制元件具有一控制端。該控制電路包含有一驅動 電路以及一錯誤偵測器。在該驅動電路中,一第一比較電路比較該 感測端之一感測信號與一電流詨定信號,以產生一第一比較信號。 a玄感測k號之電壓代表流經該發光二極體之電流。一中繼電路依據 •該第一比較信號,來產生一驅動信號至該控制端,以驅動該電流控 制元件。在該錯誤偵測器(faultdetector)中,一第二比較器,比較該 第一比較信號以及該驅動信號’以產生一第二比較信號。一第三比 較器’比較該驅動信號以及一臨界電壓,以產生一第三比較信號。 一第四比較器,比較該感測信號與該電流設定信號,以產生一第四 比較彳§號。一決疋電路’依據δ亥第二、第三、以及第四比較信號’ 來致能(enable)或是禁能(disable)該驅動電路。 本發明的一實施例提供一種發光二極體之控制方法,用以控制 201218863 驅動至少-發光二極體。—電流控制元件可控制流經該發光二極體 之電〃〇_,该電流控制元件具有一控制端。比較一感測信號與一電流 设疋彳s'?虎’以產生一第一比較信號’其中該感測信號代表流經該發 光一極體之電流。提供一驅動信號至該控制端,且使該驅動信號的 電壓大致追隨該第一比較信號的電壓。比較該驅動信號與該第一比 較仏5虎,且當該驅動信號差距該第一比較信號至一第一預設偏移值 以上時,致能一第二比較信號。比較該驅動信號與一臨界電壓,且 當該驅動信號超過—臨界電壓時,雜__第三味信號。比較該感 測信號與該電流設定信號,且當該感測信號與該電流設定信號差距 一第二預設偏移值以上時,致能一第三比較信號。當該第二、第三 或第四比較信號為致能時,維持該電流控制元件為關閉狀態。 【實施方式】 第3圖為依據本發明實施的一積體電路IC以及相關電路,用以 控制一極體串CLED1…CLEDN的電流。積體電路ic中有控制電路 S1...SN,分別以驅動信號Vgatei . Vgaten對應控制功率電晶體 M1...MN,與分別接收感測電阻(:S1·· CSN所產生的感測信號 VSENSE1".VSENSEN。在這個實施例中,控制電路S1...SN其中的電路 都相同,在另一個實施例中,控制電路S1...SN可以不同。 以下以發光二極體串CLED1與控制電路si為例,其他的二極 體串與控制電路可以類推得知,不再重述。發光二極體串CLED1、 功率電晶體Ml與感測電阻csi相串接。控制電路s丨有驅動電路 D1以及錯誤偵測器FD1。驅動電路D1比較感測信號vSENSE1以及 ,201218863 電川L 6又疋信號VLEDBIAS,來產生驅動信號VGATE丨,以控制功率電晶 體Ml以及其中的電流。以下以電流設定信號Vledbias為〇 8伏特作 為例子說明。錯誤偵測器FD1則偵測驅動電路D1中的信號,來判 別是否有錯誤的發生,以適時的進行相關動作。 第4圖為第3圖中的控制電路S1之電路示意圖。驅動電路D1 中’比較電路CM1可以以一誤差放大器(err〇r ampiifier)實施,比較 感測彳§號Vsensei 與電流设定信號Vledbias ’以產生比較信號Vcmp。 I 感測信號vsensei之電壓,代表了流經感測電阻CS1或是發光二極 體串CLED1的電流。MOS電晶體MD跟電流源RD構成了 一個源 極隨耦器(source follower) ’作為一個中繼電路,依據比較信號 VCMP,來產生驅動信號VGATE1 ’以驅動功率電晶體Ml。當發光二 極體串CLED1正常驅動沒有錯誤發生時,感測信號Vsensei的電壓 會大約等於電流設定信號VLEDBIAS的電壓,而驅動信號vGATE1跟比 較信號VCMP大約只會相差MOS電晶體MD的臨界電壓VTH(其可能 約1伏特)。中繼電路可以用來增大驅動電路D1的驅動力(driving 鲁ability) ’也可以用其他電路實施,譬如射極隨耦器(emitter follower) 或是AB放大器(AB amplifier)等。 錯誤偵測器(fault detector)FDl中有三個比較器CM2、CM3與 CM4,以及決定電路LOGIC卜比較器CM2檢查驅動信號VGATE1 與比較信號vCMP之間的差異。舉例來說,如果比較信號VcMp高於 驅動信號VGATE1達1.5伏特’則比較信號GAT-SRT被致能 (asserted)。比較器CM3檢查驅動信號vGATE1與臨界電壓VTHA。舉 例來說,如果驅動信號VGATE1高過為4伏特的臨界電壓VTHA,則比 201218863 較信號GAT-SAT被致能。比較器CM4檢查電流設定信號VLED_ 與感測信號Vsense丨之間的差異。舉例來說,如果電流設定信號 VLEDBIAS超過感測信號vSENSE1達0.4伏特的電壓,則比較信號 SEN-SRT被致能決定電路L〇GIC1可以依據比較信號GAT_SRT、 GAT-SAT、以及SEN-SRT來做邏輯判斷,以禁能或是致能控制信 號ENABLE卜舉例來說,當比較信號GAT_SRT、GAT_SAT、以及 SEN-SRT其中有一個是致能時,就認定有錯誤發生,所以控制信號 ENABLE1就被禁能(disasserted),關閉了驅動電路D1中的開關SD, 使驅動信號VGATE1固定地關閉功率電晶體Ml,發光二極體串 CLED1就沒有電流流通。 在正常或是開機操作時,控制信號ENABLE1為致能,使驅動 電路D1正常的驅動功率電晶體M1。錯誤偵測器FD1可以正確的 發現許多種錯誤的發生。以下舉例說明。 當功率電晶體Ml的控制端固定的短路到地時,驅動信號ν〇ΑτΕι 會直為0伏特’導致感測k號^^臟1也會是〇伏特。因此,比車交 #號GAT-SRT與SEN-SRT會被致能,進而禁能了控制信號 ENABLE1 ’彳不會使‘轉電路D1浪冑魏在賴,鶴功率電晶體 1VQ。 當功率電晶體Ml的控制端到驅動電路D1為開路時,驅動信號 VGATE1會到達飽和’所以高過臨界電壓v遍,使比較信號gat_sat 被致能。此時’感測錢Vse卿也妓Q伏特,所以比較信號 SEN-SRT會被雜。減,购祕m就被禁能。 當發光二極體串CLED1其中有一個LED是開路時、或是發光 201218863 二極體串CLED1沒有連接到功率電晶體M1時,感測信號VsENSE1 會是0伏特’且驅動信號VGATm會到達飽和。因此,比較信號 GAT-SAT與SEN-SRT被致能,驅動電路D1就被禁能。 當感測電阻CS1短路時,感測信號VsENSm會是〇伏特,且驅 動信號VGATE1會到達飽和,因此,比較信號GAT-SAT與SEN-SRT 被致能’驅動電路D1就被禁能,強制把發光二極體串cLm)l中的 電流關閉’避免過高電流燒毀LED。 當功率電晶體Ml沒有連接到感測電阻csi時,一樣的感測信 號vSENSE1會是〇伏特’且驅動信號Vgatei會到達飽和。所以比較 k號GAT-SAT與SEN-SRT被致能而禁能驅動電路d卜 由以上說明可知,錯誤偵測器(fault detector)FDl可以適當地判 斷出汗多錯誤的發生,進而停止發光二極體串CLm)i中的電流, 避免危險的發生。 以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利 圍所做之鱗變化與料,皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖為一傳統的LED的電源電路。 第2圖顯示第1圖中可控式電流源u的一種作法。 第3圖為依據本發明實施的—積體電路以及相關電路。 第4圖為第3圖中的控制電路S1之電路示意圖。 【主要元件符號說明】 201218863 12 14 16
18、20 AC
CLED1...CLEDN CM1、CM2、CM3、Ο
CS1...CSN D1 EA1 ENABLE1 FD1 GAT-SRT、GAT-SAT、
11.. .1N IC
LOGIC 1 LT431 M1...MN MD OUT RD
51.. .5N SD 電源管理電路 變壓器 光耦合器 電阻 電源 發光二極體串 比較電路 感測電阻 驅動電路 誤差放大器 控制信號 錯誤偵測器 SEN-SRT 比較信號 可控式電流源 積體電路 決定電路 基納二極體 功率電晶體 MOS電晶體 接點 電流源 控制電路 開關
10 201218863
VcMP
Vg ATE 1·.·ν〇 ATEN V LEDBIAS V〇ut
vTH' vTHA
VsENSEl---VsENSEN 比較信號 驅動信號 電流設定信號 輸出電源 臨界電壓 感測信號

Claims (1)

  1. 201218863 七、申請專利範圍: 1. 一種發光二極體之控制電路,用以控制驅動至少一發光二極 體’一電流控制元件可控制流經該發光二極體之電流,該電流 控制元件具有一控制端,該控制電路包含有: 一驅動電路,包含有: 一第一比較電路,用以比較一感測信號與一電流設定信 號,以產生一第一比較信號,其中該感測信號之電壓 _ 代表流經該發光二極體之電流;以及 一中繼電路,依據該第一比較信號,來產生一驅動信號至 該控制端,以驅動該電流控制元件; 一錯誤偵測器(fault detector),包含有: 一第二比較器,比較該第一比較信號以及該驅動信號’以 產生一第二比較信號; 一第三比較器,比較該驅動信號以及一臨界電壓,以產生 隹 一第三比較信號; 一第四比較器,比較該感測信號與該電流設定信號,以產 生一第四比較信號;以及 一決定電路,依據該第二、第三、以及第四比較信號’來 致能(enable)或是禁能(disable)該驅動電路。 2. 如請求項1所述之控制電路’其中’該第二比較器檢查該第一比 較信號是否高於該驅動信號一預設偏移值’以產生該第二比較信 12 201218863 號。 3. 如請求項1所述之控制電路,其中,該第四比較器檢查該感測^ 號是否低於該電流設定信號一預設偏移值,以產生該第四比 號。 ° 4. 如請求項1所述之控制電路,其中,該中繼電路為〜源極隨輕器 (source follower)或一射極隨搞器(emitter follower)。 5. 如請求項1所述之控制電路,其中,當該第一比較信號高於該驅 動信號一第一預設偏移值以上時’該第二比較信號為致能 (asserted);當該驅動信號高於該臨界電壓時,該第三比較作號為 致能,當該感測k號與該電流設定信號差距一第二預設偏移值二 上時’該第四比較信號為致能;以及,當該第二、第三、或第四 比較信號為致能時,該驅動電路被禁能。 6. —種積體電路,用來控制複數發光二極體串,每一發光二極體串 包含有複數發光二極體,該積體電路包含有: 複數如晴求項1所述之控制電路,每一控制電路控制一對應電 流控制元件’該對應電流控制元件與一對應電流感測器串聯,該對 應電流感測器提供一對應感測信號。 7. -種發光二鋪之㈣方法,料_驅動至少—發光二極體, 13 201218863 一電流控制元件可控制流經該發光二極體之電流,該電流控制元 件具有一控制端,該控制方法包含有: 比較一感測信號與一電流設定信號,以產生一第一比較信號, 其中該感測信號代表流經該發光二極體之電流; 提供一驅動信號至該控制端,且使該驅動信號的電壓大致追隨 該第一比較信號的電壓; 比較該驅動信號與該第一比較信號,且當該驅動信號差距該第 一比較信號至一第一預設偏移值以上時,致能一第二比較 信號; ® 比較該驅動信號與一臨界電壓,且當該驅動信號超過一臨界電 壓時,致能一第三比較信號; 比較該感測信號與該電流設定信號,且當該感測信號與該電流 設定信號差距一第二預設偏移值以上時,致能一第三比較 信號;以及 當該第二、第三或第四比較信號為致能時’維持該電流控制元件為 關閉狀態。 _ 八、圖式: 14
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201426237A (zh) * 2012-12-18 2014-07-01 Richtek Technology Corp 電流控制電路與電流控制方法
CN204681316U (zh) * 2015-04-29 2015-09-30 北京京东方能源科技有限公司 光伏汇流箱监控系统
TWI607673B (zh) * 2017-03-21 2017-12-01 聚積科技股份有限公司 Failure detection system and method
AT15929U1 (de) * 2017-04-21 2018-09-15 Tridonic Gmbh & Co Kg Beleuchtungssystem mit Signalgeneratoren

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4797608A (en) * 1987-08-13 1989-01-10 Digital Equipment Corporation D.C. power monitor
US6704183B2 (en) * 2001-03-27 2004-03-09 Agilent Technologies, Inc. Fault detection in a LED bias circuit
US7075766B2 (en) * 2004-08-13 2006-07-11 Moyer Vincent C Fault detection in a LED bias circuit
JP4814250B2 (ja) * 2004-11-26 2011-11-16 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 負荷開放検出機能を有する電力スイッチング装置
JP5177986B2 (ja) * 2006-10-04 2013-04-10 ローム株式会社 負荷駆動装置及びこれを用いた電気機器
US20090115390A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Chen-Min Chen Power converter with protection mechanism for diode in open-circuit condition and pulse-width-modulation controller thereof
DE602009000352D1 (de) * 2009-03-12 2010-12-23 Infineon Technologies Austria Sigma-Delta-Stromquelle und LED-Treiber

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