TW201138097A - Organic light-emitting display apparatus - Google Patents

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201138097 六、發明說明： [0001] [0002] [0003] 【發明所屬之技術領城】 此申請向韓國智慧財產局主張於2010年4月26日'所提交之 韓國專利申請號第10-2010~0038531號、及於2〇1〇年3 月31日所提交之韓國專利申請號第1 0-201 0-0 02 9857號 之優先權，於此處中其揭露被納入之參考。 本發明之態樣係相關於一種有機發光顯示裝置’更特別 地，關於一種主動矩陣之有機發光顯示裝置。 【先前技術】 Γ| 有機發光顯示裝置係為自發光顯示裝置，其藉由施加一 電壓於一有機層，該有機層係包含有一像素電極、一反 電極以及一發射層’其中該發射層係設置於該像素電極 與該反電極之間，造成電子及電洞在發射層中彼此結合 。有機發光顯示裝置已經受到矚目並被認為次世代顯示 裝置，其係因為其相較於陰極射線管（CRTs)或是液晶顯 示（LCDs)具有較為光亮與輕薄設計、更廣的視角、更快 的反應時間以及更低的功率消耗。 [0004] 有機發光顯示裝置根據驅動方法被歸類為被動矩陣型 (PM)有麟光顯示裝置以及主動矩陣型（AM)有機發光顯

一主動矩陣型有機發光顯示裝置中， 像素電極經由一通孔相互電性連接。 義為％•繞母一像素電極之一發光區域 【發明内容】 薄膜電晶體（TFT)與像素定義層（PDL)定 100113684 表單編號A0101 第4頁/共24頁 1003188598-0 201138097 [0005]本發明之紐 ㈣料顯不裝置，其係藉由避 “於像素電極之邊部的像素定義層因為—形成靠 近於该像素電極的通孔脫落，來改善顯示品質。 陶轉树明之態樣，《-軸機發細Μ置包含： 複數個薄膜電晶體（TFTs);覆蓋於該等薄膜電晶體之一 . 切化層；形成於該平域層上之複數個料電極，每 Γ像素電極補由—貫穿平坦化層之通孔連接到對應的 複數個薄膜電日日日體之―，且具有_發光部以及—非發光 〇 部’且每—通孔係位於最遠於每-環繞於通孔的發光部 之一位點；形成於該平域層上之—像素定義層，其分 別覆蓋於每一通孔及料非發光部；多個有機層，每一 有機層包含-發射層以及被設置於所對應發光部之— 以及設置在每一有機層上之一反電極。 圃根據本發明之態樣，複數個像素電極可於—第—方向及 垂直於第；ΪΓ向之一第一方向圖樣化並且每一複數個 通孔可形成在最遠於複數個像素電極之發光部之外緣的 位置，複數個像素電極係毗鄰於第一方向及第二方向以 及設置在該通孔周圍。 [0008]根據本發明之態樣，每一複數個通孔可形成於一第一直 線及一第一直線之相交處，該第一直線係連接至位於说 鄰於第一方向以及設置環繞於該通孔的相鄰多對的該等 發光部之間的中心點，以及該第二直線係連接至位於第 二方向以及設置環繞於該通孔的相鄰多對的該等發光邛 之間的中心點。 100113684 表單編號A0101 第5頁/共24頁 1003188598-0 201138097[〇〇〇9] 根據本發明之，笼.,〜、樣弟一直線及該第二直線可彼此垂直相交。 [0010] [0011] [0012] [0013] [0014] [0015] [0016] [0017] 根據本發明之態樣，每—通孔基本上可^置在位於對角 毗鄰多對的發光部之間的一共用點。 據本發明之癌樣’該等發光部可排列於一第一格栅圖 案以及該等通孔可排列於自第—格樹圖案所偏移之一 第二格栅圖案。 根據本發明之態樣，料發光部可排列於―第—格拇圖 案’以及該等通孔可排列於自第—格柵圖案所偏移之一 第一格拇圖案。 根據本發明之紐，該等發光部可不設置在藉由連接就 鄰於通孔所形成之一直線上。 根據本發明H相對於基板形成於每—複數個通 孔上的像素定義層之—部分的高度較低於每—形成在該 發光部上的像素電極之一部分的高度。 根據本發明之態樣’該像素定制之厚度可在或介於500 A及5〇〇〇 A之間。 根據本發明之態樣，除了在覆蓋通孔的部份之外，像素 定義層基本上可為平面的。 根據本發明之態樣’連接複數個像素電極部分之通孔可 有相同之圖樣。 [0018] 本發明之其他態樣及/或優點將被描述於下列描述部分十 ’且在某種程度上，可從描述而顯而易知 、或可藉由本 100113684 表單編號A0101 第6頁/共24頁 1003188598-0 201138097 [0019] [0020] Ο [0021]

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[0023] 發明之實例被了解。 【實施方式】 本發明實施例現在將作出詳細之參考，其説明於附圖中 之範例，其中全文中相似參考符號對應於相似元件。為 了解釋本發明’實施例藉由參考圖式描述如下。 第1圖係為根據本發明之一實施例之—有機發光顯示裝置 之橫截面視圖。參照第1圖，一顯示單元20係設置於一基 板10上。一封裝基板3〇係設置於基板1〇上，且封裝該顯 示單元20。該封裝基板3〇係防止外部空氣及水氣穿透進 入該顯示單元2〇。 該基板1 0之邊緣及該封裝基板30是藉由密封構件4〇而彼 此黏附，使得位於該基板10以及該封裝基板3〇之間的一 空間25係為密封的。一吸濕劑、一填充物或其他相似物 可被填充於該空間25中，其將於稍後描述。 根據此發明之一態樣’如第2圖所示之實施例，係將如第 1圖所不之實施例中之該封裝基板30及該密封構件取代 為一封裝膜50，其形成在顯示單元20上以保護該顯示單 元20避免外部空氣進入。該封裝膜50為一薄祺。封裝膜 50可具有一結構，其係由如二氧化矽或氮化矽的無機材 料所形成之一層、以及由如環氧樹脂或聚醯亞胺的有機 材料所形成之一層交替形成。然而，本實施例不因此而 受限制，且該封裝胰50可具有任何結構，只要該封裝膜 50為一透明薄臈。 根據本發明之一態樣’第3圖係為第1圖或第2圖之有機發 100113684 表單編號A0101 第7頁/共24頁 1003188598-0 201138097 光顯示裝置之顯示單元2〇平面圖。第4圖係為沿第3圖中 之A-A線段所截面之橫截面視圖。第5圖係為增加在第4圖 中之像素電極之一有機層250以及一反電極26 0之橫截面 視圖。第6圖係為第3圖中之像素電極之通孔220與發光部 231之間的位置關係平面視圖。 [0024] [0025] [0026] [0027] 參考第3圖至第6圖，複數個薄膜電晶體（TFTs)TR係設置 於該基板丨〇上。複數個薄膜電晶體TR係經由複數個通孔 220電性連接至像素電極23〇。 該基板10可以包含二氧化矽為主要成分之透明玻璃材料 f ) 所形成。兩者擇一地，基板10可以不透明材料或塑膠材 料所形成。無論如何，本發明不因此而受限制。 一緩衝層211形成於該基板1〇之頂面。該等薄膜電晶體TR 係形成於緩衝層211上。該緩衝層211避免雜質元素渗透 且使基板10之頂面平坦化。該緩衝層211可由多種材料形 成。舉例來說，該緩衝層211可由如氧化矽、氮化石夕、氮 氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、鈦氧化物或氮化鈦的無機材 料、如聚醯亞胺、聚酯或丙烯醯的有機材料、或其有機_ I， 無機之複合材料所形成。該緩衝層211並非需要，必要時 可以省略。 雖然只有指出一個驅動薄膜電晶體TR電性連接至該等像 素電極230之一，但這是為了方便解釋。雖然未詳細說明 一開關薄膜電晶體、一電容或者其他相似物可進一步形 成於該基板1〇上。此外’連結至該薄膜電晶體及該電容 之各種線，例如掃描線、資料線以及驅動線，可進一步 100113684 表單編號A0101 第8頁/共24頁 1003188598-0 201138097 包含於有機發光顯示裝置中。 [0028] Ο [0029] [0030] 〇 [0031] 一半導體主動層212形成於該緩衝層211之上。該半導體 主動層21 2可由一無機半導體材料所形成，例如非晶矽或 多晶矽’但本實施例並不因此而受限制，亦可由一有機 半導體材料所形成，例如氧化物半導體材料或其他相似 物。該半導體主動層21 2包含一源極區212b、一沒極區 212c以及設置於該源極區212b與該汲極區212c之間的一 通道區212a。 一閘極絕緣層213係形成於該緩衝層211上以該覆蓋半導 體主動層212。一閘極電極214形成於該閘極絕緣層213 上。一層間絕緣層215形成於該閘極絕緣層213上以覆蓋 該閘極電極214。該源極電極216與該汲極電極217係形 成於該層間絕緣層215上，並且透過相對應的接觸孔接觸 該半導體主動層212之源極區21 2b與汲極區212c。 β亥薄膜電晶體TR之結構不因此而受限，且薄膜電晶體tr 可有多樣化結構。舉例來說，雖然薄膜電晶體TR有一上 端閘極結構，薄膜電晶體TR可具底端閘極結構，其中之 閘極電極214係形成於半導體主動層212下方。當然，薄 膜電晶體TR可有那些不同於以上所描述之結構。 一平坦化層218形成以覆蓋該等薄臈電晶體TR。該平坦化 層218減低包含複數個薄膜電晶體TR之基板1〇之高度差。 s亥平坦化層218可為具有一平整頂面之單一或多層絕緣層 。該平坦化層218可由至少一選自由聚醯亞胺、聚醯胺、 丙烯酸樹脂、苯環丁烯（benzocyclobutene)和酚樹脂 100113684 表單編號A0101 第9頁/共24頁 1003188598-0 201138097 (Phenol resin)所組成之群組之物質所形成。 [0032] [0033] [0034] [0035] 雖然未顯示，一鈍化層可進一步設置於該源極電極216與 該汲極電極217上。 每一通孔220穿透過平坦化層218以顯露出每一薄膜電晶 體TR之沒極電極217。透過通孔220，每一薄膜電晶體丁尺 與以一預定模式形成於該平坦化層218上的每一像素電極 230係彼此電性連接。在第4圖及第5圖中，雖然像素電極 230連接至薄膜電晶體tr之汲極電極217，其係為典型且 該像素電極230可透過通孔220電性連接至該源極電極 216。 該像素電極230包含未由一像素定義層（pDL) 24〇所覆蓋 之發光部231以及-由像素定義層24()所覆蓋之非發光部 232。该非發光部232可包含一通孔連接部23^其係用以 連接該發光部231及該通孔22〇、以及—邊界部232a其係 環繞於發光部231之邊緣部。 該像素定義層240係形成於該平坦化層218上以覆蓋電性 連接至該通孔22G之像素電極23G之邊緣1像素定義層 240藉由覆蓋該像素電極230之邊緣部定義—像素為―預 定厚度。此外’該像素定義層240藉由增加於該像素電極 230之端部與該反電極26〇之間的距離以避免電弧發生在 該像素電極230之端部，其將在稍後解釋。 該有機層25G及該反電極26◦依序的形成在該像素電極 230上。該有機層25〇可由一低分子量或高分子量的有機 材料所形成。若該有機層250由低分子量之有機材料所形 100113684 表單編號A0101 第1〇頁/共24頁 1003188598-0 [0036] 201138097 成’該有機層250可藉由堆疊一電洞注入層（hil)、一電 洞傳輸層（HTL)、一發射層（EML)、一電子輸送層（etl) 、以及一電子注入層（EIL)為單一或複合結構所形成。低 分子量之有機材料之例子可包含銅酞青（CuPc)、N，N，-二（萘-1-基）-Ν,Ν’ -二苯基-聯苯胺 (N,N,-di(naphthalene-l-yl)-N,N*-diphenyl-ben zidine，ΝΡΒ)、以及三_(8 -經基啥琳）紹 (tris-8-hydroxyquinoline aluminum ， Alq3)。 〇 [0037] 若該有機層250由高分子量之有機材料所形成，該有機層 250可包含設置於發射層上並朝向該像素電極23〇之電洞 傳輸層。該電洞傳輸層可由聚-(2,4)-乙烯-二經基嗟吩 (poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene > PEDOT)或聚苯胺（p〇lyaniline，pANI)所形成。該發射 層係獨立地用於母一紅、綠、藍之像素，且該電洞注入 層、該電洞傳輸層、該電子輸送層以及該電子注入層通 常可作為紅、綠、藍之像素之通用層。 〇 [0038]雖然該有機層250在第5圖中係僅形成於該像素電極230上 ，其係為典型且該通用層可形成以覆蓋整個像素區域， 例如該反電極260。包含發射層之有機層25〇可具有一彩 色圖樣，其係藉由執行真空沉積、喷墨印刷、旋轉塗佈 、雷射引發熱成像（LITI)或其他相似方法所形成。 [0039]㈣地，當在形成於供體薄膜上之發紐料藉由利用雷 射引發熱成像轉移至該像素電極23{)，且環繞著發光部 231之像素定義層240之厚度較厚時，由於該發光部231 與該像素定義層240之間較大高度差，使得發光材料無法 1003188598-0

100113684 表單編號A0101 第Π頁/共24 S 201138097 平顺地在該發光部231之外緣轉移。 [0040] [0041] [0042] [0043] 即使當該發射層並非藉由細雷㈣發 且該料定義㈣㈣厚度較厚時，製造當H戍， 的超/彝顯示裝置係難以達成的。在這方面▲、重’辦增 義層240之厚度盡可能的薄是較適合的。 Λ像条定 2該像素定義層240的厚度«，且_孔22〇 靠近该像素電極230之邊部時（意即，太靠近像在太 之發光部231的外緣），形成於該像素電極咖之兮麵23〇 義層240可能因為鄰近該通孔22()而沒入該通孔2 =棄定 從而未能保持它的厚度。因此，該像素電極23〇 ’ 231之外緣變得不乾淨，因而減少像素的整體平垣声先部 結果所示，U於發射層之圖樣藉”射引發熱成了象。、如 真空沉積或其他相似方法所形成時，用以該發射層之圖 樣的外緣變得不乾淨，因此降低顯示品質。 為了解決此問題’根據本實施例之有機發光顯示裝置， 該通孔220係形成在最遠於接近和圍繞於該通孔22〇周圍 之像素電極230之發光部231外緣之位置。 第6圖係為在該像素電極230及該等通孔22〇的發光部 23卜1、231-2、231-3…之間的相對關係平面視圖。該 等像素定義層240以及被該等像素定義層24〇所環繞之該 等像素定義層形成部並未顯示於第6圖。參考第3圖及第6 圖’該等通孔220係形成在最遠於形成接近及環繞於該等 通孔220周圍之該等像素電極230之發光部231-1、 231-2、231-3…之位置。 100113684 表單編號Α0101 第12頁/共24頁 1003188598- 201138097 [0044] 具體來說，若用以該等像素電極230之發光部231的圖樣 係規則地排列在第一方向（X方向）及與第一方向垂直之第 二方向（y方向）時，每一通孔220可形成在最遠於鄰近第 二方向且設置環繞該通孔220之兩發光部231-1及231-3 之外緣、以及鄰近第一方向赴鄰且設置環繞該通孔2 2 0之 兩發光部23卜1及231-3之外緣的位置。 [0045] Ο 如第6圖所示，該通孔220可形成於直線名1及直線名2之 交叉點。該直線名1連接位於鄰近第一方向且設置環繞於 該通孔220的兩發光部23卜1及23卜2之間的中心點。該 直線/2連接位於鄰近第二方向且設置環繞於該通孔220 四周的兩發光部231-1及231-3之間的中心點。詳細地說 ，該通孔22〇可形成在直線名1及直線名2之間的垂直相交 處。同時，當其所顯示為直時，其可被了解的是，直線名 1及直線名2其中之一或全部在其他態樣中可以非為直的， ❹ [0046] 視發光部231-1、231-2、231-3…之位置而定。 此外，該通孔220可形成於對角毗鄰且設置於通孔220四 周之發光部23卜1、231-2、231-3及23卜4的交點。詳 細地說，如第6圖所示，該通孔220可形成在直線名3及名 4之交又點。該直線名3連接對角毗鄰且設置於通孔220四 周之兩發光部231-1及23卜4。該直線名4連接於對角毗 鄰且設置於通孔220四周之兩發光部23卜2及231-3。 100113684 表單編號A0101 第13頁/共24頁 1003188598-0 201138097 [0047] [0048] [0049] [0050] 另外’參閱第3圖及第6圖，該發光部可排列在一第一格 栅圖案，錢通孔22〇可排列於自第—格栅圖案所偏移之 一第二格柵圖案。 參閱第3圖及第4圖，在該等通孔22()及設置靠近且環繞於 該等通孔220的像素電極23〇之發光部231之外緣之間的 距離“d”係林變的，且被定義錢每—通孔22〇最遠 於一鄰近發光部231之外緣。 同日”如第3圖及第6圖所示’該等像素電極23G之發光部 231並非。又置在藉由連接每—通孔22〇，且該等通孔 係相鄰於位於第-^向的相對應之通孔糊所形成之直線 B1 B1上，且並非設置在藉由連接每一通孔220，且該等 通孔220係相鄰於位於第二方向的相對應之通孔22〇所形 成之直線B2 B2上，以便每_通孔22{)係最遠於鄰近之發 光部231。 文“1豕食定義層240是薄的且落入於該通孔22() 中，且位於該發光部231之外緣的該像素定義層240厚度 轉持不變，而發光區域可被清楚地定義。如結果所示又 右用於發射層的圖樣係藉由雷射引發熱成像、真空沉 積或其他相㈣法所形成時，用於發射層的圖樣之外緣 可清楚地維持，像素之平坦度可大幅地維持，且顯示品 質可被改善。 該有機發域示㈣之像素定義層24Q之厚歧薄的。舉 ^來说，像素定義層24〇之厚度可以等於或大於5⑻人且 ;或]於5GGG A。若該像素定義層240之厚度小於5〇〇 100113684

表單編號A010I 第14頁/共24頁 1003188598-0 [0051] 201138097 [0052] Ο

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[0054] [0055] Α ’定義像素係困難的，且若像素定義層240之厚度大於 5000 A，藉由利用雷㈣發熱成像或其他相似方法使發 射層平順轉移可能因為該像素定義層24〇及該發光糊 之間的尚度差而無法達成。 參閱第4圖’由於該像素定義層24〇之厚度係薄的，介於 該基板ίο之底面與形成找通孔22G上的該像素定義層 240之-部分之間的高度h2係小於介於該基板ι〇之底面與 形成於該發光部231上之像素電極23Q之—表面之間的高 度hi。其係因為相對薄的該像素定義層24〇可能無法足夠 地填滿形成於該通孔22G中之台階式部分。然而，由於該 通孔220係充分地遠於該像素電極23〇之發光部231之外 緣’且形成於通孔220之上之像素定義層州之―部分埋 入而因此無法轉㈣厚度，所⑽成在與該通孔22〇隔 開-距離“d”的發光部231的外緣的該像素定義層24〇之 一部分厚度可被維持。 該有機發光顯示裝置之像素電極23〇可作為—正極功能而 該反電極260可作為-陰極功能。當然，該像素電極23〇 以及該反電極260之極性可為相反的。 該像素電極230可為一反射電極，且反電極26〇可為一透 明電極。因此，該顯示單元2〇為一頂部發光顯示單元， 其中的影像在朝向反電極26〇之方向所形成。 為此，該像素電極230可包含一反射層，其係由至少一選 自由銀（Ag) ' 鎂（Mg) ' 鋁（A1)、鉑（Pt) ' 鈀（pd)、金 (Au)、鎳（Ni)、敍（Nd)、銥（ir)、鉻（Cr)、鐘“i)、 100113684 表單編號A0101 第15頁/共24頁 1003188598-0 201138097 鈣（Ca)或其化合物所組成之族 下、Μ及俗j 4 物（ITO)、銦鋅氧化物（IZ0)、 氧化鋅(“，锡氧化 銦（In/3)之具有高功函數之材料所形成。▲或三氧化二 可由例如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、 續反電極260 4、鎳、鈇、 [0056] [0057] w、敎、 鐘、辦或其合金之具有低功錢之材料所形成 無論如何，本發明之實施例不因此受限， 230可為 且讀像素 一透明電極。在此例中，該像素 物（TO)、銦龍化物、氧化辞、或三可由例如錫氧化 功函數之材料所形成，其中不包含—反射層'銦等之有南如上所述，根據本發明之態樣，該有機發光顯示裝置允 許’即使域在形祕聽該私賴 部分厚度無法維持時，形成在該發光部之外緣的雜素 定義層之-部分厚度是可被維持的。更甚者，本態樣允 許一發光區被清楚地定義。此外，本發明之態樣允許， 當一發射層之圖樣藉由真空沉積、雷射引發熱成像或其 他相似方法所形成時，顯示品質將可被改善。 錢·、鉻 電極 [0058]雖然少數本發明之實施例已被展示及描述，但本領域之 技術人員可理解，在沒有偏離本發明之原則及精神及之 下任何改變可被加入於此實施例中，其範圍定義在申請 專利範圍與其均等範疇中。 【圖式簡單說明】 [0059]這些及/或本發明之其他態樣與優點將由下列描述之實施 例變得淺顯易懂且更加快速地體會，結合附圖如下： 第1圖係為根據本發明之一實施例之一有機發光顯示裝置 1 表單編號A0101 第16頁/共24頁 100 201138097

之橫截面視圖； 第2圖係為根據本發明之另一實施例之—有機發光顯7F裝 置之橫截面視圖； 第3圖係為第1圖或第2圖之該有機發光顯示裝置的一顯示 單元之平面視圖； 第4圖係為沿第3圖中之A-A線段所截面之横戴面視圖； 第5圖係為第4圖中於-像素電極增加_有機層以及一反 電極之橫截面視圖；以及 第6圖係為第3圖之像素電極之一通孔與一 “ 赞"光部之間的 位置關係平面視圖。 【主要元件符號說明】 [0060] 10 :基板 20 :顯示單元 25 :空間

3 0 .封裝基板4 0 :密封構件 50 :封裝膜 250 :有機層 260 :反電極 220 :通孔 230 :像素電極 231、23卜1、231-2、23"、23卜4 211 :緩衝層 TR :薄膜電晶體 212 :半導體主動層 :螫光部 100113684 212a :通道區 212b :源極區 表單編號A0101 第17頁/共24頁 1003188598-0 201138097 21 2 c . >及極區 213 :閘極絕緣層 214 :閘極電極 215 :層間絕緣層 216 :源極電極 217 :汲極電極 218 :平坦化層 240 :像素定義層 232 :非發光部 232a :邊界部 232b :通孔連接部 名1 '名2、名3、名4 :直線 d :距離 hi、h2 :高度 100113684 表單編號A0101 第18頁/共24頁 1003188598-0

Claims (1)

1. 201138097 七、申請專利範圍： 1 · 一種有機發光顯示裝置，其包含： 複數個薄膜電晶體（TFTs); 一平坦化層，其係覆蓋該複數個薄膜電晶體； 複數個像素電極，其係形成在該平坦化層上，每一該等像 • t電極利用貝穿該平坦化層之-通孔連接所對應之該等薄 膜電aa體之~~，並具有一發光部及一非發光部，且每一該 等通孔位在最遠於每一環繞該通孔之該發光部之一位點； 0 一像素定義層，其係形成於該平坦化層上以分別地覆蓋每 —该等通孔及該等非發光部； 夕個有機層，每一有機層包含一發射層且設置於所對應之 該等發光部之一中；以及 一反電極，其係設置於每一該等有機層上。 2 ·如申請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 ^複數個像素電極於一第一方向及垂直該第一方向之一第 —方向圖樣化’且每一該複數個通孔係形成在最遠於該複 〇 數個像素電極之該等發光部的外緣之一位置，該複數個像 素電極係鄰近於該第一方向以及該第二方向並設置於該通 孔四周。 • 3 ’如申請專利範圍之第2項所述之有機發光顯示裝置，其中 每一該複數個通孔係成形於一第一直線及一第二直線之相 交處’該第一直線係連接至位於毗鄰於第一方向以及設置 於環繞該通孔的相鄰多對的該等發光部之間的中心點，且 該第二直線係連接至位於該第二方向以及設置環繞於該通 孔的相鄰多對的該等發光部之間的中心點。 100113684 表單編珑A0101 第19頁/共24頁 1003188598-0 201138097 4 .如申請專利範圍之第3項所述之有機發光顯示裝置，其中 該第一直線及該第二直線係彼此垂直相交。 5 .如曱請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 每一該等通孔基本上係設置在位於對角毗鄰多對的該等發 光部之間的一共用點。 6 .如申請專利範圍之第5項所述之有機發光顯示裝置，其中 該等發光部係排列於一第一格栅圖案，以及該等通孔係排 列於自該第一格柵圖案所偏移之一第二格柵圖案。 7.如申請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 該等發光部係排列於一第一格柵圖案，以及該等通孔係排 列於自該第一格柵圖案所偏移之一第二格柵圖案。 8 .如申請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 該發光部非設置於藉由連接毗鄰之該等通孔所形成之一直 線上。 9 .如申請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 相對於基板，形成在每一該複數個通孔上的該像素定義層 之一部分的高度較低於每一形成在該發光部的該等像素電 極之一部分的高度。 10 .如申請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 該像素定義層之厚度係在或介於500 A及5000 A之間。 11 .如申請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 該像素定義層除了在覆蓋該等通孔之部分外基本上係平面 的。 12 .如申請專利範圍之第1項所述之有機發光顯示裝置，其中 連接'該複數個像素電極部份之該等通孔有相同之圖樣。 100113684 表單編號A0101 第20頁/共24頁 1003188598-0