TW201122460A - Surface plasmon resonance unit and inspection system using the same - Google Patents

Description

201122460 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種光學偵測技術’尤其是指一種具有 流體通道以及光柵之表面電漿共振單元以及其檢測系統。 【先前技術】 在微量生物分子作用的分析（bi〇m〇lecular interaction analysis，ΒΙΑ)中，以生物晶片的發展與應 用疋近代生物技術從基因體學（genomic)跨入蛋白質體學 (proteoraic)重要的關鍵技術之一。生物晶片，一般分為 陣列晶片及微流體晶片兩種類型，是同時偵測大量美因表 ^偵測微量生物分子訊息的有利工具。、在微流^晶片、 =-般包含了微小體積的流體，透過微管道或微流道的 f、，。，而在儲液槽、檢測區、廢液槽等之間進行輸 時具有因目的不同而異的樣本處 的輸逆以敕田欠^生化反應。其中流體 === 幫Γ大宗’如針筒幫浦或螺動 力以㈣流體的作法。至二4 片旋轉產生離心 收度或呈色反應等檢測為主^果的刀析，則以勞光、光吸 p年纟採用離心力做為流體驅動方 -a曰片，由於可透過微流道的設 古、f片式微流 制與處理，將樣本準備、混和、八，進仃'机體的輸送、控 反應偵測等繁複的步鄉整:於\ =、計量、流體切換、 減少試_點，同時又:興具有簡便、快速、 '，，、般锨流體晶片中所需，用於 201122460 流體操控、偵測的複雜組件及昂貴的成本，因此受到學者 專家廣泛的注意。例如美國專利US. Pat. N0. 5,994, 150揭 露了一種利用旋轉機制的光學檢測裝置，其係藉由馬達旋 轉帶動有著微流道結構的碟片，並偵測其螢光訊號變化。 此技術不含光柵結構且運用螢光染料為檢測技術手段。 然而螢光系統中牽涉到繁瑣的螢光標記、部份分子標 記的困難度、不可避免的螢光衰退及難以即時（real-time) 提供交互作用之動力學資訊等問題，故無標記 (label-free)的檢測方法有其存在的意義與價值。在無 標記的檢測方式中，表面電漿共振法（surface plasmon resonance)因為具有良好的量測.靈敏度而受到普遍的重 視。例如美國專利US. Pat. No. 7, 295, 320則揭露一種表面 電漿共振感測裝置，透過觀測具有微流道結構之碟片上特 定區域的表面電漿共振-微孔洞（surface piasmon resonance microcavities, SPR-MC)的反應現象，來測得 流道内待測物之特性。此外，又如在美國公開號 US. Pub. No. 20060187459則揭露一種結合微流道以及光學 稜鏡的感測架構，在微流道中提供可以流動的流體，利用 旋轉的方式產生離心力使得流體於微流道内流動。再藉由 光源產生的入射光以及光感測裝置感測帶有流道内流體所 含待測物之光學資訊的偵測光，進而分析待測物之特性。 採用SPR-MC或是光學稜鏡的表面電漿共振檢測方 式，其製程較為複雜、成本較高、技術成熟度亦仍低，故 量產不易。 201122460 【發明内容】 本發明提供一種表面電漿共振單元，其具有一個以上 的微流道，並在微流道内形成光柵，使得微流道内的流體 接觸或流經光栅所在區域時，使入射光產生了光柵耦合表 面電漿共振現象之訊號變化，並可依據變化差異分析以進 行生化篩選與生化親和反應動力檢測。 本發明提供一種表面電漿共振單元，其係於基材上形 成具有液體輸送能力之微通道與光柵生化反應檢測結構， 以完成流體輸送、試劑混合、生化反應、與無標言志 (Label-free)表面電漿共振生化檢測等。在光栅與微流 道的實施上，運用多層結構創新方式，以光碟奈米刻板技 術於高結構比之微奈米複合加工之技術或者是雙面膠層技 術，克服傳統膠合時所產生微流道/光柵結構之溢膠與覆 蓋問題。 本發明提供一種表面電漿共振檢測系統，其係運用離 心力產生輸送液體之動力，使得具有待測物之液體可以在 微流道内流動，再以光學調變機制產生光柵耦合表面電漿 共振現象，並依據共振現象變化差異分析達到生化篩選與 生化親和反應動力檢測。 在一實施例中本發明提供一種表面電漿共振單元，其 係包括有：一微流道單元，其内具有至少一微流道；以及 至少一光栅結構，其係分別設置於該至少一微流道内，每 一光柵結構上具有一金屬層。 此外，在另一實施例中，本發明更提供一表面電漿共 201122460 -其係包括有至少-表㈣漿共鮮元，其係 〃有.-微流道單元’其内具有至少一微流道：以及至少 .—光栅結構，其係分別設置於該至少-微流道内，每 拇結構上具有-金屬層；一光源模組，其係產生一入射光 •，射至該表面共振料上以形成—偵測光；—光偵測 二=其係接收該_光；以及—旋轉單元，其係、提供承 載以 >、-表面電漿共振單元’該旋轉單元係提供一旋轉 籲運動以帶動該至少一表面電漿共振單元轉動。 其甲’該微流道單元更包括有：一微流道層，其係且 第一 一第二面該微流道層上具有至少二流i 開槽，-覆盍層’其係設置於該第一面上；以及 其係設置於該第二面上，該基材上對每一流道開槽二位置 上具有該光柵結構。在另一實施财，該微流道單元更包 基材’其上具有至少一流道凹槽，每一個流道凹 槽内之底面上形成有該光柵結構；以及—覆 置於該基材上。 /、承0又 【實施方式】 為使貴審查委員能對本發明之特徵、目的及功 =步的認知與瞭解，下文特將本發明之的相關細部 、、-σ構以及设计的理念原由進行說明，以使得審 了解本發明之特點，詳細說明陳述如下： —只』乂 請參閱圖- Α與圖一 Β所示’其中圖一 Α 之表面電漿共振單元第-實施例立體示意圖；圖—β = 該表面錢共振單元之微流道ΑΑ剖面示意圖。該表面^ 201122460 八振單元2包括有—微流道單元2Q以 21:該微流道單元2〇内具有至少—微流道·，其 供合置一流體9〇 ’該流體9〇内具有待測之物質，例如： 抗原。本實施例中，該微流道200之深度H係為50〜1〇〇" 1之間Y但不以此為限。該至少一光柵結構21 ,其係分別 5又置於该至少—微流道2〇〇内，每一光栅結構21上具有一 金屬層22。另外，該金屬層22係為一奈米金屬層’其金 屬材=係可以為金、銀或者是紹等金屬，但不以此為限制。 在本實施例中’該金屬層22係為金奈米薄膜（45〜5〇咖）。 在遠金屬g 22上可以運用習知生化共輛化方法固定生物 性材料23 ’例如：抗體。 如圖一 β與圖一 c所示，其中圖一 C係為該表面電漿 ，振單το分解示意圖。由圖一 c可以得知該表面電漿共振 單疋2係為一三層結構的組合。該微流道單元包含一微流 道層201。本實施例中，該微流道層2〇1係為一雙面膠層， 亦即第一面2010(上表面）以及第二面2〇11(下表面）都具 有自黏性之材料。該微流道層2〇1上更設置有一覆蓋層26 可以為聚石反酸酯樹脂（P〇lycarb〇nate，PC)材質、壓克力、 或者是其他塑膠壓克力材料，但不以此為限制。在該微流 道層201上更具有至少一流道開槽2〇12，本實施例係具有 複數個，其數量係根據檢測需要而定。每一個流道開槽12 貫通該第一面2010與第二面2011。在本實施例中，每一 流道開槽2012更可以包括有微流道開槽2〇16以及與該微 流道開槽2016相連接之一檢測區開槽20Π。而每一流道 開槽2012分別連接有至少一儲液開槽2〇13檢測區、至少 201122460 - 一廢液開槽2014、排氣孔2015或其他流道開槽。本實施 例中，流道開槽2012中之檢測區開槽2017係藉由通道2018 與廢液開槽2014與排氣孔2015相連接；以及藉由微流道 • 開槽2016與儲液開槽2013相連接。要說明的是該流道開 • 槽2012亦可以僅具有微流道開槽2016，或僅具有檢測區 開槽2017。 同樣地，每一個儲液開槽2013以及每一個廢液開槽 2014係貫通該第一面2010與第二面2011。如圖一 C與圖 ® 二所示，其中圖二係為該覆蓋層之底面示意圖。該覆蓋層 26之底面260係為該覆蓋體26與該第一面2010相對應之 面。為了增加廢液以及儲液的儲存空間，在該覆蓋層26上 對應該至少一廢液開槽2014之位置上分別具有一擴充槽 261以及對應該以及該至少一儲液開槽2013之位置上分別 具有一擴充槽262。當該覆蓋體26與該微流道層201相接 時，擴充槽261與262可以分別增加廢液開槽2014與儲液 開槽2013之空間。此外，在該覆蓋層26上對應該至少一 • 儲液開槽2013之擴充槽262上或附近更連接有一注液孔 263,而在對應該流道開槽2012之一排氣孔2015位置上則 開設有至少一排氣孔264。 該覆蓋層26，其係設置於該微流道層201之上與該第 一面2010相黏接。在該微流道層201之第二面2011上則 黏接有一基材24，該基材24上形成有該至少一光栅結構 21。由於該覆蓋層26與該基材24係黏接於該微流道層201 之兩側，使得該流道開槽2012形成具有光柵結構的微流道 200而提供容置流體；而且擴充槽261與對應之該廢液開 201122460 ;，以及而流出之廢液的儲存空 儲液開槽腦則形成可以容置流 ，的储液工間」_本實施例之微流道層2gi係為雙面膠 層，但在另一實施例中，該微流道層201之第—面2〇1〇(^ 2):=:Γ2011(下表面)則可以塗佈黏著層(如環氧 树月曰或UV料）以取代雙面夥層。基材24之㈣同樣 二為 =ί者是屢克力等材料，但不以此為限制。要說明的 疋’與邊至少一廢液開槽2014以及該至 =卿6咖並非為必要之元件：： 再回到圖-Α所’本實施例之表面電漿共振單元2 US置更可具有開口 25，其係可與具有旋轉動力的軸 體相配合，以接收旋轉動力而轉動。要說明的是，本實施 例的表面電衆共振單元2雖然為圓形之碟片結構不過呈 $狀並非本發明之限制，例如··矩形或者是其他多邊形的 構形亦可以實施。 請參Μ三A與圖三B所示’其中圖三/U系為本發明 表面電料振單元第：實施例立體示意圖；圖三 =電=元之微流道ββ剖面示意圖。該表面電ί 了振早π 2包括有-覆蓋層26、一微流道單元2〇以及至 二先栅結構21。本實施例與與前一實施例差異在於，本 3例之表面電漿共振單元2係為兩層結構，其中該微流 =早疋包括有-基材2G3。該基材2〇3,其係具有至少—流 ::槽2030，每一個流道凹槽2_内之底面上形成有該 、一結構21，每一光栅結構21上具有一金屬層22。本實 10 201122460 施例中之該基材203係為PC或壓克力材料，但不以此為限 制。該流道凹槽2030與該光柵結構21係為一體成形的結 構。 該覆蓋層26，其係設置於該基材203上，在本實施例 中，該覆蓋層26與該基材203間係利用膠合方式，例如： UV膠合的方式（但不以此為限），來黏接。同樣地，該覆蓋 層26之材質係可以為PC或壓克力材料，但不以此為限制。 藉由該覆蓋層26與該基材203的結合，使得該基材203上 的流道凹槽2030與該覆蓋層26的結合形成可以容置流體 90的微流道200。此外，如圖三C所示，該圖係為表面電 漿共振單元之微流道第三實施例剖面示意圖。本實施例所 示之結構與圖三B之光柵結構21及其上之金屬層22係位 於流道凹槽2030内之底面上是不同的，在本實施例中，該 光柵結構21及其上之金屬層22則可位於該覆蓋層26上， 對應該流道凹槽2030的位置處。 如圖四所示，該圖係為本發明之第二實施例所具有之 基材示意圖。與第一實施例相同，每一個流道凹槽2030更 可以包括有微流道凹槽2034以及與該微流道凹槽2034相 連接之一檢測區凹槽2035。而每一流道凹槽2030分別與 至少一儲液凹槽203卜至少一廢液凹槽2032、排氣孔2033 或其他流道開槽相連接。本實施例中，流道凹槽2034中之 檢測區凹槽2035係藉由通道2036與廢液凹槽2032與排氣 孔2033相連接；以及藉由微流道凹槽2034與儲液凹槽2031 相連接。要說明的是該流道凹槽2030亦可以僅具有微流道 凹槽2034,或僅具有檢測區凹槽2035。檢測區而在該覆蓋 201122460 層26 ’如圖二所示，係於對應該至少一廢液凹.槽2032以 及该至少-儲液凹槽2031之位置上分別具有一擴充槽261 與262’其設置的目的在於增加廢液以及儲液的儲存空間。 =該覆蓋層26上對應該至少一儲液凹槽_之擴 上更開設有一注液孔263，而在對應該流道凹槽 之-排氣孔2〇33位置上則開設有至少一排氣孔咖。 要说明的是’該至少一廢液凹槽2〇32以及該至少一儲液凹 槽2031 ’在本實施例中，並未貫通該基材2〇3。而與該至 少-廢液凹槽2032以及該至少一儲液凹槽2〇31對廣 充槽261與26一2並非為必要之元件，其係可視需要‘設。汽 再回到圖三Α所示’本實施例之表面電漿共振單元2 =中央位置更可具有開口25，其係可與具有旋轉動力的轴 體相配合，以接收旋轉動力而轉動。要說明的是，本實施 例的表面電漿共振單元雖然為圓形之碟片結構，不過盆妒 狀並非本發明之限制，例如:矩形或者是其他多邊形的構 ί Ϊ。Ϊ於本實施例中之該光栅結構、金屬層以 及肌體係如第一霄施例所述，在此不做贅述。 ，參，圖五所示’該圖㈣本發明之表面電漿共振檢 此糸統不思圖。該表面電漿共振檢測系統3包括有 電樂共振單元2、-光源模組3〇、一光備測模組31以及一 旋轉單元32。該表面錢共振單元2係可以選擇如圖一 a、 圖二A或圖二C所示之結構，在本實施例令，該表面電漿 共振單元係選擇為如圖—A所示之結構。該光源模㈣， ，係設置於該表面電漿共振單元2的一面，該光源模組3〇 系可產生-入射光91投射至該表面電漿共振單元2上。在 12 201122460 1 本實施例中，該光源模組3 0包括有一光源3 01以及一偏極 元件302。本實施例中，該光源301係為一雷射光源，要 說明的是，雖然本實施例中之光源係為雷射光源，但實際 • 上並不以此為限，例如：二極體光源或鹵素燈光源等都可 • 以為發光之實施例。此外，雖然本實施例中，該光源模組 30雖然為光源301以及偏極元件302之組合，但是亦可以 為光源與準直透鏡元件或者是光源、偏極元件、準直透鏡 元件的組合。也就是說，光源模組30中的元件搭配是根據 _ 需求而定，並不以圖示之實施例為限制。 該光偵測模組31，其係設置於該光源模組30之一側， 該光偵測模組31係偵測由該表面電漿共振單元2上所反射 的偵測光92，其中，該光偵測模組31係為具有感光能力 的光電二極體（photodiode)、電搞合元件（charge coupled device, CCD)、互補式金屬-氧化層-半導體 (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 5 CMOS)或 者是光感測積體電路（Photo- Detector Integrated 9 Circuit, PDIC)，以及根據光源條件之必要光學元件如偏 極元件或透鏡元件35等。 該光源模組30及該光偵測模組31更可安裝於一角度 調整裝置，如圖六A與圖六B所示，係為本發明之角度調 整裝置示意圖。利用該角度調整裝置可以改變光源模組與 光"ί貞測模組間的爽角’使得該光彳貞測模組3 0及該光彳貞測模 組31間的相對位置可調整至表面電漿共振發生時的夾角 附近以即時偵測到產生表面電漿共振時的偵測光訊號變 化，並得到最佳的系統檢測靈敏度。 13 201122460 在本實施例中，該角度調整裝置4包括有一板體40、 一第一臂41、一第二臂42以及一驅動部43。該板體40上 開設有一主導槽400、以及一第一滑槽部401以及一第二 滑槽部402。該第一滑槽部401其係具有一對具有相同同 心曲度之第一子滑槽4010與4011，而該第二滑槽部402 同樣具有一對具有相同同心曲度之第二子滑槽4020與 4021。該第一臂41 ’其係與該對子滑槽4010與40】.丨相滑 接’且該第一臂41上設置有該光源模組30。該第二臂42， 其係與該對第二子滑槽4020與4021相滑接，該第二臂42 上設置有該光偵測模組31。該驅動部43，其係與該第一臂 41以及該第二臂42相偶接，該驅動部43係藉由驅動力作 用於該第一臂41與該第二臂42上使該第一臂4〗與該第二 臂42分別於該對第一滑槽部4〇1及該對第二滑槽部4〇2上 移動以改變光源模組3〇以及光偵測模組31之夾角c 如圖七所不，在本實施例中，該驅動部43更具有一桿 體430 〃中間係與该主導槽彻相滑接，而該桿體棚 之兩端具有導槽431與432,以分別與該第一臂41以及第 二臂42相滑接。該驅動部43更具有一第二線性位移單元 433>以提供座體436帶動該桿體彻進行線性位移運動。 1-線性位移單元433，其係具有一馬達434以及一導 螺杯435。該馬達434係與該導螺桿撕 螺桿极則螺接於固定於該桿體上之—座寻 圖七貫施例之線性移鮮元僅為―種實施：：又二 實施例為限，例如·線性馬 式亚'、以綠 可以作為提供線性移動動液*”實施方式亦 14 201122460 動作圖六β所示，接下來說明該實施例之 動作方式。在第一臂41上具有光源模組3〇，而在第二臂 上設置有光偵測模組3卜該光源模組3〇可以投射一入 =至該表面㈣共振單元2，該光_模 =該ί面電浆共振單元產生之偵測光92。為了能夠^ 源杈組30投射之角度以及光偵測模組31感測:>角 :由讓該桿體430產生向上或向下的線 ^由於轉體樓分別滑接在主導槽侧以及該第一臂 動第二第η上’因此當桿體向上移動時，會推 1與第二臂42向上’由於第—與第一臂 於第-滑槽部401與第二滑槽部4。2上，二 ^槽部仙與402内滑動，而使得第-臂41與該主導槽 如果11^二臂42與該主導槽棚間的夾角縮小。同理^ =另而帶動該第一臂41與第二臂42遠離該主導槽此;私 ’如圖六C所示，該角度調歸置4,更 "又置於一第二線性位移單元5上，竽 係提供承載該角度調整裝置4，可二== 中生位移運動以調整該角度調整裝置之位置： Ϊ由轉動電聚共广單_ “移^疋產生的旋轉動力轉動。本實施例中該第三 力之線性^單馬制構叙具有線性移動驅動 達組合之線:::單:不亦=’例如:軸桿《及馬 再回到圖五所示，該旋轉單元32，其係具有—旋轉動 15 201122460 ::::::承;= r馬達或為歩進馬達等其他可 σ 21上更具有一凸部322,其係與表面電裝 9 的開口 25相配合，使得該表面電聚共振單元2 ^固“ ==上。當該旋轉動力元件32。產生旋轉動： : = 該承載台321轉動，進而使得固定於該承載 二32 ^的表面電料振單元2轉動。當該表面電襞共振 几轉動時，微流道内的流體會因為離 開 經由流道開槽2〇12及檢測區開槽J 槽2〇14,如圖一 C所示。此外，該旋轉單元 ㈣ Γ移動平纟33上，而該移動平台33則與第一 笛二，移早元34相滑接。使得該移動平台％可以藉由該 動而產生線性位移運動’進而帶 本貫施例中’该線性位移單元係可為線性馬達(】 motor)或者是螺桿與轉動動力元件(如馬達）之組合，以產 生，f生位移的動力，其係屬^習用之技術，在此不作賢述。 要說，的是，該第—:線性位移單元3 4雖然為—維度的線性 位移單元’但亦可以為二個維度以上之線性位移單元，其 係根據使用m定。如圖人所示，該圖係為本發明之 表面電漿共振單元設置另一實施例示意圖。在本實施例 =承载σ 321上可裝載一個以上例如為矩形的表面電漿 共振單元2a。同樣藉由承載台321的轉動，帶動表面電漿 16 201122460 • 共振單元2a的轉動，進而產生推動流體流動的離心力。 惟以上所述者’僅為本發明之實施例’當不能以之限 制本發明範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做之均等 * 變化及修飾，仍將不失本發明之要義所在，亦不脫離本發 - 明之精神和範圍’故都應視為本發明的進一步實骑狀汉。 17 201122460 【圖式簡單說明】 圖一 A係為本發明之表面電漿共振單元第一實施例立體示 意圖。 圖一 B係為該表面電漿共振單元之微流道第一實施例AA剖 面示意圖。 圖一 C係為該表面電漿共振單元分解示意圖。 圖二係為該覆蓋層之底面示意圖。 圖三A係為本發明之表面電漿共振單元第二實施例立體示 意圖。 圖三B係為該表面電漿共振單元之微流道第二實施例BB剖 面示意圖。 圖三C係為該表面電漿共振單元之微流道第三實施例剖面 示意圖。 圖四係為本發明之第二實施例所具有之基材示意圖。 圖五係為本發明之表面電漿共振檢測系統示意圖。 圖六A與圖六B圖係為本發明之角度調整裝置示意圖。 圖六C係為本發明之角度調整裝置另一實施例示意圖。 圖七係為角度調整裝置之驅動部示意圖。 圖八係為本發明之表面電漿共振單元設置另一實施例示意 圖。 【主要元件符號說明】 2-表面電漿共振單元 20-微流道單元 18 201122460 200- 微流道 201- 微流道層 2010- 第一面 2011- 第二面 2012- 流道開槽 2013- 儲液開槽 2014 -廢液開槽 2015- 排氟孔 2016- 微流道開槽 2017- 檢測區開槽 2018- 通道 203-基材 2030- 流道凹槽 2031- 儲液開槽 2032- 廢液凹槽 2033- 排氣孔 2034- 微流道凹槽 2035- 檢測區凹槽 2036- 通道 21 -光棚結構 22- 金屬層 23- 生物性材料 24- 基材 19 201122460 25- 開口 26- 覆蓋層 26 0_底面 261、262-擴充槽 263-注液孔 264-排氣孔 3- 表面電漿共振檢測系統 3 0 -光源模組 3 01 -雷射光源 302-偏極元件 31- 光偵測模組 32- 旋轉單元 320- 旋轉動力元件 321- 承載台 322- 凸部 33- 移動平台 34- 第一線性位移單元 35- 透鏡元件 4- 角度調整機構 40-板體 400- 主導槽 401- 第一滑槽部 4010、4011-第一子滑槽 402- 第二滑槽部 4020、4021-第二子滑槽 20 201122460 41- 第一臂 42- 第二臂 43- 驅動部 430-桿體 431、432-導槽 433- 第二線性位移單元 434- 馬達 435- 導螺桿 436- 座體 5- 第三線性位移單元 6- 轉·動單元 90-流體 91 -入射光 92-偵測光 21

Claims (1)

1. 201122460 七、申請專利範圍： 1. 一種表面電漿共振單元，其係包括有： -微流道單元’其内具有至少一微流道；以及 至少一光柵結構，其係分別設置於該至少一微流道 内，每一光柵結構上具有一金屬層。 L〜 2. 如申明專利範圍第1項所述之表面電聚共振單元，並中 該微流道單元包括有一微流道層，其係具有一第一面以 及第一面，該微流道層上具有至少一流道開槽3 3. =申凊翻範㈣2項所述之表面電聚共振單元，其係 更具有一覆蓋層設置於該第一面上。 ’、 4·如中請專利範圍第2項所述之表面電漿共振單元， f微流道層之該第一面以及該第二面上更具有一黏著 5.如申請專利範圍第 -------項所述之表面電漿共振單元，其相 〇括有-基材，該基材係設置於該第二面上，坊至( :光 形成於祕材上且與每—㈣開槽相 應’猎由«盍層與縣材分職置於該㈣道層之兩 側面上’使該至少一流道開槽形成該微流道。 6. ，申請專利範圍第2項所述之表面電漿共振單元， 母一個流道開槽更包括有微流道 、；；' 開槽相連接之一檢測區開槽。 及/、及U机遏 7. 如申請專利範圍第3項所述之表面電装 每一個流道開槽更連接有至少— -中 廢液開槽。 .有至m夜開槽以及至少一 201122460 8·如申請專利範圍第7項所述之表面電漿共振單元，其中 該覆蓋層上與該至少一儲液開槽以及該至少一廢液開 槽相對應之位置上分別具有一擴充槽，其中與該至少— 儲液開槽相對應之擴充槽更與一注液孔相連接。 9.如申請專利範圍第3項所述之表面電漿共振單元，其中 該覆蓋層上與該至少一流道開槽相對應之位置上更具 有一排氣孔。 如申請專利範圍第1項所述之表面電漿共振單元 10, 中該微流道單元更包括有一基材，其上具有至少一流道 凹槽。 11 如申請專利範圍第1 〇項所述之表面電漿共振單元，其 係更具有一覆蓋層，其係設置於該基材上，藉由該覆蓋 1設置於該基材上’使該至少一流道凹槽：成：：流 道。 .如申#專利圍第η項所述之表面電漿共振單元，盆 二構係形成於該至少一流道凹槽之底面上: 14 申—明專利乾圍第U項所述之表面電漿共振單元，其 母因流道凹槽更包括有微流道凹 道凹槽相連接之一檢測區凹槽。 比 如申請專·項所狀表 中母—個流道凹槽更連接有至少一.f早疋其 -廢液凹槽。 按百至/姑液凹槽以及至少 15 如申請專利範圍第U項所述之表面電裝共振單元，其 23 201122460 中邊覆蓋層上與該至少一儲液凹槽以及該至少一廢液 凹槽相對應之位置上分別具有—擴充槽，其中料^少 —儲液槽相對應之擴充槽更與—注液孔相逹接。. A如巾請專利翻第丨丨韻述之表面㈣共振單元，立 中該覆蓋層上與該至少一流道凹槽相對應之位置上更 具有一排氣孔。 R如”專利範圍第丨項所述之表面錢共振單元其 中6亥金屬層係為金奈米薄膜層。 18. 請專利範圍第1項所述之表面電漿共振單元，其 中5亥微流道内具有可流動之一流體。 19· -種表面電共振檢m其係包括有： 至少一表面電漿共振單元，其係具有： -微流道單元’其内具有至少一微流道；以及 至少-光栅結構’其係分別設置於該至少一微流道 内，每一光柵結構上具有一金屬層； 菥f、拉’且私、產生一入射光投射至該表面電漿共 振早7G上以形成一偵測光； 二光伯，組’其係接收該偵測光；以及 1轉係提供承載該至少—表面電槳共振單 矣而^係提供—旋轉運動以帶動該至少一 表面電k共振單元轉動。 .如申請專利範圍第19項所述 統’其㈣微流道單元包w w ., I u 心 , 匕祜有一裰奴迢層，其係具有一 槽〇 一面’該微流道層上具有至少-流道開 24 20 201122460 21、： ϋ利辄圍第2〇項所述之表面電漿共振檢測系 統’其係更具有一覆蓋層設置於該第一面上 • 第21項所述之表面電裝共振檢測系 ，、、，/、糸更包括有—基材’該基材係設置於該第二面 η描f至少一光拇結構係形成於該基材上且與每一流道 、=:藉由該覆蓋層與該基材分別設置於該微流 ^ θ上’使5亥至少—流道開槽形成該微流道。 23. 轉如專利乾圍第2〇項所述之表面電漿共振檢測系 ϋ中該微流道層之該第—面以及該第三面上更具有 黏者層。 24. :二it利範圍第2〇項所述之表面電漿共振檢測系 =:中母-個流道開射包括有微輯_以及與該 ”如道開槽相連接之一檢測區開槽。 雜圍第21顿述之表面電漿共振單元复 中^個流道開槽更連接有至少—儲液開槽以及至^ 一廢液開槽。 餘，二明專利.，圍*25項所述之表面電料振檢測系 & 中該覆蓋層上與該至少—儲液開槽以及該至少— t開槽相對應之位置上分別具有—擴充槽，其中與讀 夕一儲液開槽相對應之擴充槽更連接有—注液孔。 請專利範圍第21項所述之表面㈣共振檢測系 、”"中邊覆蓋層上與該至少-流道開槽相對應之 上更具有一排氣孔。 夏 狀.如申請專利範圍第19項所述之表面電敷共振檢測系 25 201122460 統，其中該微流道單元更白 I 一流道凹槽，每一個流 ^面丄其上具有至少 結構。 ^之底面上形成有該光柵 29.如申請專利範圍第28 統’其係更具有-覆蓋；：二2電黎共振檢岡系 2盘層設置於該基材上，使該至少一流道二，錯由 微流道。 逼凹螬形成該 3〇·如申請專利範圍第29項所述之表面電浆 、，先’其中該光栅結構_成於該 上或該覆蓋層上。 乂认逼凹槽之底面 統，复;:利28項所述之表面電漿共振檢測系 微流道凹槽相連接之—檢測區凹槽。才“及料 32.==專利範圍第28項所述之表面電聚共振檢測系 、至小〆、中母-個流道凹槽更連接有至少一儲液凹槽以及 至夕、一廢液凹槽。 申請專利範圍第犯項所述之表面電漿共振檢測系 、’其中δ亥覆蓋層上與該至少一儲液凹槽以及該至少一 廢，凹槽相對應之位置上分別具有一擴充槽，其中與該 至儲液凹槽相對應之擴充槽更連接有一注液孔。 34\如申請專利範圍第29項所述之表面電漿共振檢谢系 統，其中該覆蓋層上與該至少一流道凹槽相對應之位置 上更具有一排氣孔。 35.如申請專利範圍第19項所述之表面電漿共振檢測系 26 201122460 • 統’其中該金屬層係為金奈米薄膜層。 36.如申請專利範圍# 19項所述之表面電裝共振檢心 . 其係更具有線性位移單元，該[線性位^ . 單元係提供承載該轉動單元，並可進行至少一維度;線 性位移運動以調整該轉動單元之位置。 & 如申請專利範圍第19項所述之表面電製共振檢剩系 統’其係更具有-角度調整裝置，該角度調整裝置係與 • 該光源模组以及該光源偵測模組相偶接，以調整該光^ 模組以及該光偵測模組間的夾角。 彳’、 38.如申請專利範圍第37項所述之表面電聚共振檢測系 統，其係更具有一第二線性位移單元與該角度調整裝置 相偶接，該第二線性位移單元係藉由至少一维度之性 位移運動而調整該角度調整裝置之位置= 39如申請專利範圍第37項所述之表面電漿共振檢測系 係:更具有一第三線性位移單元，該第三線性位移 ，單70係提供承載該角度調整裝置，可進行至少一維度之 線性位移運動以調整該角度調整裝置之位置。 27