TW201033621A - Power-on detector and method thereof - Google Patents

Description

201033621 * ^W5UVU01-TW 30171twf.doc/n 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種供電偵測裝置，且特別是有關於 一種具有溫度絡免(temperature immunity)的供電偵測褒 置。 【先前技術】 在許多電子裝置和電路上，通常會加裝供電偵測襞 ❹ 置’其目的為了要偵測外接電源是否真正供電，例如當供 電電源上升到門檻值1伏特(V)時，供電偵測裝置應判斷為 開機。然而在消費性電子裝置針對節能與製程的設計要求 下，門檻值伏特數越來越小，製程的尺寸也越來越小，此 時供電偵測裝置的電路會受到溫度的影響，在判斷是否開 ^ 機時會誤判斷。習知的供電偵測裝置有能隙型(bandgap type)與 P/N 元件加電阻(p/N device + resistance)兩種。圖 1 為習知之能隙型供電偵測裝置，當輸入電壓開始提供 • 電壓時，能隙型供電偵測裝置100為依據正端電壓Vpos2 與負端電壓Vneg2的差值判斷是否開機。雖然其差值受溫 度影響較小，惟其差值亦很小，例如13 99毫伏特(mV)， 於是在65奈米製程下產生的元件變異―对㈣特 性’會造成供電偵測裝置100的誤判斷。 圖2為習知之P/N元件加電阻供電偵測裝置，當輸入 電壓&開始提供電壓給p/N元件加電阻供電彳貞測裝置 200時，供電偵測裝置200為依據正端電壓Vp〇s3與負端 電壓Vneg3的差值判斷是否開機。正端電壓Vp〇s3與負端 3 201033621 " υ01 "Tw 30171 twf.doc/n 電壓Vneg3的差值會隨著溫度而改變，例如在_4〇它時其差 值為142.8毫伏特(mV)，而在125。〇時其差值為21 〇8 ^伏 特(mV)，於是會造成供電债測裝置2〇〇在 大差異的判斷。 【發明内容】 本發明所提供一種供電摘測裝置，用以_輸入電壓 並據以騎是㈣機，其職與^關較溫度影響很 且有良好的抗雜訊雜，可以在不同溫度之下具有穩 定的表現，具有溫度豁免的效果。 八〜 _承上述，本發明提供一種供電偵測裝置，包括電壓偵 測单凡，電壓_單元用以接收輸入電壓 ❹ 壓藉以輸出第一輸出電壓。糖貞測單元包括貞第U 體：第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第一電阻、 „以及比較器。其中第-電晶體耦接於輸入電壓， ^_接於輸入電壓，第三電晶體_於接地端， 接於接地端’第—電阻输於第—電晶體與 一。日日之間，第二電阻耦接於第二電晶體與第電晶 體之間。此外，比較器的輸出端輸出第一輸出電 器的負輸人端祕於第三電晶體與第-電阻的i同接點， 比較器的正輸人端域於第二電晶體與第二電阻的共同接 點0 —ft發明一實施例中，上述第一電晶體與第二電晶體為 PMOS ta^(p-channel metal 〇xide semiconductor field effect transistor)，f, g 4 201033621 - rzwswuOI'TW 30171twf.doc/n 一電晶體的汲極耦接於第一電晶體的閘極與第一電阻，第 二電晶體的源極耦接於輸入電壓，而第二電晶體的汲極耦 接於第—電晶體的間極與第二電阻。 在本發明一實施例申，上述第三電晶體與第四電晶體為 NM〇S 電晶體(n_channel metal oxide semiconductor field effect transistor)，第三電晶體的源極耦接於接地端，第三 電晶體的__於第三電晶體的雜與第—電阻，第四 電晶體的源極減於接地端，碌四電晶_汲極搞接於 第四電晶體的閘極與第二電阻。 在本發明-實施例中，上述第一電晶體之尺寸比第二電 ^體之尺寸為預設比例’且第四電晶體之尺寸比第三電晶 體之尺寸為相同的預設比例。 在本發明-實施例中，上述第—電晶體、第二電晶體、 第二電晶體與第四電晶義作於次臨界區㈣翻祕 region) ° 阻Ϊ本二實施例中’上述供電制裝置更包括第三電 ^“電阻的-端輕接於輸人電壓，第三電阻的另一端 耦接於第一電晶體與第二電晶體。 在本發明-實施例中，上述供電 :輪=第-輪出電壓並進行渡波處理，=ί 並織入電壓—之 5 201033621 • ^uu»uyu01-TW 30171twf.doc/n 電壓值等於指定電壓時，根據電壓偵測單元内之第一電晶 體的第一過載電壓、電壓偵測單元内之第二電晶體的第二 過載，壓、第一電晶體的第一熱電歷及第二電晶體的第二 熱電壓決定指定電壓。濾波器耦接於電壓偵測單元，用以 ，收第一輸出電壓以產生第二輸出電壓，且當第一輸出電 壓上升至邏輯高電位時，關閉濾波器内之第三電晶體以使 第二輸出電壓上升至邏輯高電位。觸發器耦接於濾波器， Φ 用以接收第二輪出電壓並進行抗雜處理，藉哺出第三 輸出電壓。 ^本發明—實施例中’上述指定電壓根據正溫度係數參 數而知而正溫度係數參數根據次臨界斜率因數、臨界雷 壓及比值而得。 土在本，明—實施例中，上述當通過第一電晶體的第一電 第二電晶體的第二電流實^相等時，指定電壓 過載電壓、第二過載電壓、第一熱電壓 '第二熱 電壓和正溫度係數參數而得。 ”、、 第-ίΐΓ月—實施例中’上述比值根據電壓偵測單元内之 ，、電壓侧單元内之第二電阻之比例而得。 >1具有施了’上述第—過載電壓和第二過載電 指壓:變，及第二熱電壓以在温度變化時，降低 在本發明—實施例中，上述供電價測裝置更包括比較 6 201033621 - P200809001-TW 3〇l71tw£d〇c/n 盗’比較器的第-輸入端麵接於第二電晶體，比較器的第 -，亡端輕接於第—電晶體，且當第—輸人端之接收電壓 與第二輸入端之接收電壓實質上相等時，輸入電壓之電壓 值等於指定電壓。 、本發明提供一種供電偵測方法，包括接收輸入電壓， 並偵測輸人電壓藉以輸出第—輸出電壓，且#輸入電壓之 電壓，等於指定電壓時，根據第一過載電壓、第二過载電 ^ 壓^一熱電壓及第二熱電壓決定指定電壓。接收第—輸 2電壓以產生第二輸出錢’且當第—輸出電壓上升至邏 輯高電位時，使第二輸出電壓上升至邏輯高電位。接收第 二輸出電壓並進行抗雜訊處理，藉以輸出第三輸出電壓。 在本發明一實施例中’上述供電偵測方法更包括根據次 ' 臨界斜率因數、臨界電壓及比值產生正溫度係數參數，且 正溫度係數參數用以決定指定電壓。 在本發明一實施例中’上述供電偵測方法當通過第—電 馨 ^體的第—電流和通過第二電晶體的第二電流實質上相 時’由第-過載電壓、第二過載電壓、第一熱電壓二 熱電壓和正溫度係數參數決定指定電壓。一 在本發明一實施例中’上述供電偵測方法根據第—電 與弟一電阻之比例決定上述比值。

β在本發明一實施例中，上述第一過载電壓和第二過裁 壓具有正溫度係數，第一熱電壓及第二熱電壓具有負、、田 係數’藉由控制第-過載電壓、第二過載電麗、正 數參數、第-熱電壓及第二熱電壓以在溫度變化時H 7 201033621 ' i*/W8uyu〇i-Tw sorntwidoc/n 指定電壓的變化。 在本發明一實施例中’上述供電偵測方法當接收輸入電 ，時，且第一輸入端之接收電壓與第二輸入端之接收電壓 實質上相等時’輸入電壓之電壓值等於指定電壓。 綜合上述，本發明所提出的供電偵測裝置，其開機與 否的判斷受溫度影響很低，且有良好的抗雜訊功能，可^ 在不同溫度之下具有穩定的表現。 馨為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例’並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 凊參照圖3 ’圖3繪示依照本發明一實施例的供電偵 ' 測裝置300 ’供電偵測裝置300包括電壓偵測單元302、濾 ' 波器3〇4、觸發器SCH與反相器INV。其中電壓偵測單元 302接收輸入電壓pccr並偵測輸入電壓藉以傳送輸出 電壓VouU。本實施例中，觸發器SCH可採用史密茲觸發 ❼ 器(Schmitt trigger)。更進一步而言，電壓偵測單元3〇2包 括兩PMOS電晶體MP1與MP2、兩NMOS電晶體MN1 與MN2、三電阻&、及2與於’以及比較器c〇MP，其中 電流/仍為流經電阻及〗的電流，而電流為流經電阻私 的電流。 電阻及3的一端耦接於輸入電壓Fccit，而另一端則耦接 於PMOS電晶體MP1的源極與PMOS電晶體MP2的源 極。此外PMOS電晶體MP1的汲極耦接於PMOS電晶體 MP1的閘極與電阻&，PM〇s電晶體MP2的汲極耦接於 8 201033621 * rzw〇uyu01-TW 30171twf.doc/n PMOS電晶體MP2的閘極、電阻及2與比較器comp的正 輸入端，且PMOS電晶體MP2的没極之電壓即為比較器 正輸入端電壓G。 NMOS電晶體MN1的源極與NMOS電晶體MN2的 源極搞接於接地端GND。此外NMOS電晶體MN2的汲極 耦接於NMOS電晶體MN2的閘極與電阻^2，νμ〇!5電晶 體ΜΝ1的汲極耦接於NMOS電晶體的閘極、電阻 及1與比較器COMP的負輸入端’且NMOS電晶體MN1的 没極之電墨即為比較器負輸入端電壓）^。 此外，電壓偵測單元302在電晶體的部分做更進一步 txs十’ PMOS電晶體MP1的尺寸是PMOS電晶體MP2的 尺寸的w倍，且NMOS電晶體MN2的尺寸同樣是nm〇S 電晶體MN1的尺寸的m倍’其中所是預設常數，且Mpl、 MP2、MN1、以及MN2都操作於次臨界區（sub_thresh〇ld region)。比較器COMP接收比較器正輸入端電壓b與比 較器負輸入端電壓並傳送輸出電壓v〇utl至濾波器 304。當輸入電壓FCCjfc開始提供電壓給電壓偵測單元3〇2 時，若比較器正輸入端電壓L大於或等於比較器負輸入端 電壓則輸出電壓Voutl會從邏輯低電位上升至邏輯高 電位。 在濾波器304的設計部分，濾波器3〇4用以接收輸出 電壓Voutl並進行濾波處理，藉以傳送輸出電壓ν〇^2。 渡波器304包括PMOS電晶體Mp3、NM〇s電晶體画3 與電容OPMOS電晶體MP3的閘極耦接於接地端GND， 9 201033621 * Je2008Uy〇01-TW 30171twf.doc/n PMOS電晶體MP3的源_接於輸入電壓^，pM〇s電 晶體MP3雜_接於電容c與NMQS電晶體画的沒 極’而電容C的另一端耦接於接地端GND。輸出電壓v_2 由電容C提供。 濾波器304中的NM0S電晶體麵3的閑極接收輸出 電壓V〇Utl，且NM0S電晶體咖的源極轉接於接地端 GND。據此，當輸出電壓v〇utl上升至邏輯高電位時，則 ❹ NMOS電晶體MN3關閉’輸出電壓Vout2會因為電容c 充電而上升至邏輯高電位。為了使供電偵測裝置3〇〇具有 抗雜訊的功能，因此輸出電壓v〇ut2經由史密茲觸發器 SCH處理並傳送輸出電壓Vout3至反相器INV。輸出電壓 ' Vout3經由反相器mv反相藉以傳送輸出電壓v〇ut4。 - 為了更清楚瞭解供電偵測裝置300受溫度的影響，以 下定義參數藉以解釋電路特性：

Fgsati · NMOS電晶體MN1的閘極與源極的電壓差； ’ NMOS電晶體MN2的閘極與源極的電屋差； © 匕狀1 : NMOS電晶體MN1的汲極與源極的電壓差； : NMOS電晶體MN2的汲極與源極的電壓差； 厂· PMOS電晶體MP1的沒極與源極的電壓差； 匕仰2 · PMOS電晶體MP2的沒極與源極的電壓差； 心耶：？1^08電晶體的熱電壓伸饮1加]^〇1邮6);

Fr·: NMOS電晶體的熱電壓； Γ〆·臨界電壓;(threshold voltage); j :電晶體尺寸比例(aspectratio)，亦即電晶體的寬度 201033621 - rzuuouyu01-TW 30171twf.doc/n 除以其長度； : NMOS電晶體的遷移率(mobility); C :次臨界斜率因數(sub-threshold slope factor); 厂wi · NMOS電晶體MN1的過載電壓（〇verdrive voltage); V〇VN2 :NMOS電晶體MN2的過載電壓； : PMOS電晶體MP1的過載電壓；

: NMOS電晶體MN1和MN2的過载電壓差額； 厂7T ·指定電壓，也就是輸出電壓Voutl從邏輯低電位 轉變為邏輯高電位時的輸入電壓Kccit。 跟據以上的定義，因此可以推導出以下公式·· V0VN\ = VGSN1 ~ ^tun = ζντ (ln(/D1)- ln(^/inFr2 ))； vovN2=VGsm -V^ =ζντίμ(ΐ〇2)-\η(ηιΑμην^))； AV〇vn = V〇^ ~ V〇vn2 = ζντ In(mlm/ID2)； K〇k = ^dspi + + VDsm + {jm + im )Ri = ^>2+h2R2+V_+(Im+lD2)R3。 當比較器正輸入端電壓^與比較器負輸入端電壓& 實質上相等時’輪入電壓。電壓值等於指定電壓F"，因 此 同，，心，於是當供電偵測裝置3〇〇設計在 /，❿，指定電壓4為相關參數的加總： mp I〇lRl + V〇^2 + VmN + AVom +(IDl+ ID2)R3 11 201033621 * χ -i-wuu^wOl-TW 30171twf.doc/n 一 + 厂7hp + + 厂2™ + 2(匕[In /w] + 2i?3 ((Fr [In /w])/i?2 〇 其中 Fojx^2、F〇m、（Fr[lnm]與 Λ3(ζΚ[1η»ι])//?2 具有正溫度 係數(positive temperature coefficient)，而 Fj//尸與匕你具有 負溫度係數(negative temperature coefficient)。換句話說， 、Fom、巧如州與尽^^此邮/均為正溫度係數參數， 而厂mp與Γτν故具為負溫度係數參數。更進一步而言，當 /里度上升¥，厂〇舰、厂om、<^r[lnw]與7?3(Κ[1ηηί])/2?2會隨之 ❹ 增加’而厂ΓΗΡ與心抓會隨之遞減。因此在設計供電偵測 装置300時，可設計^^舰、厂⑽丨、％_]、Λ3($[ιη叫)/&、 厂mp與’藉以降低溫度變化對指定電壓^^的影響， 也就是說’降低溫度變化對於供電偵測裝置3〇〇判斷開機 ·- 與否的影響。 - 請參照圖4A與圖4B，圖4A與圖4B為依照本發明

一實施例的供電偵測裝置與習知技術的比較，其中本實施 例代表供電偵測裝置3〇〇的表現，習知丨代表習知之能隙 型供電偵測裝置10〇的表現，而習知2代表習知之P/N元 ❹ 件加電阻供電偵測裝置綱的表現。更進-步解釋，圖4A 中的Vrr代表著各種供電偵測裝置在判斷為開機時，其輸 入^電壓的電壓值’顯然供電偵測裝置3〇〇在各種溫度 變化之下，其判斷為開機時的輸入電壓KCC)t，相較於其他 供電偵測裝置更不受溫度影響。 a在圖4B中’ 代表著各種供電偵測裝置據以判斷 疋否開機的電壓差’在本實施例部分代表供電偵測裝置 300中比車父器正輸入端電壓b與比較器負輸入端電壓 12 201033621 * r ζυυ ου^ υ01 -TW 30171 twf. doc/n 的電壓差，在習知1部分代表能隙型供電偵測裝置1〇〇中 VP〇s2與Vneg2的電壓差，而在習知2部分代表p/N元件 加電阻供電偵測裝置200中Vp〇s3與Vneg3的電壓差。由 圖4B的比較可知，顯然供電偵測裝置3〇〇在各種溫度變 化之下，其開機與否的判斷比其他供電偵測裝置更不受溫 度影響。 根據上述供電偵測裝置的說明，本發明提出一種供電

债測方法。請參照圖5，圖5繪示紐本㈣—實施例的 =電偵測方法。首先電壓偵測單元搬彳貞測輸入電壓^， 藉以傳送輸ii]賴Voutl(步驟s·)。決定指定電壓^ 驟S502)，其中 、 L +2CFr[lnm] + 2/?3(CFr[lnm])/及2。 接著，濾波器304接收輸出電壓v〇utl以產生輪 壓v〇心且當輸出· voutl上升至邏輯高電二1 該輸出電壓Vout2上升至邏輯高電位(步驟⑽4)。最 =密=發器SCH接收輸出電壓VGUt2並進行抗雜訊處 ’並輸出輪出電壓y〇ut3(步驟s5〇6)。 餘入，本發明所提出的供電偵測裝置，用以侧 ^塑㈣據叫清是否職。錢機與否的判斷受溫度 ;丄：禮-且具有良好的抗雜訊功能’可以在不同溫度之 /、有穩定的表現，具有溫度豁免的效果。 本2然Λ判已以實_揭露如上’财_用以限定 本二之技術領域中具有通常知識者，在不脫離 圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本 x呆濩軏圍虽視後附之申請專利範圍所界定者為準。 13 201033621

Jl-TW 30171twf.doc/n 【圖式簡單說明】 圖1是習知之能隙型供電偵測裝置。 圖2是習知之P/N元件加電阻供電偵測裝置。 圖3是依照本發明一實施例的供電偵測裝置。 圖4A與圖4B是依照本發明一實施例的供電偵測裝置 與習知技術的比較。 圖5是依照本發明一實施例的供電偵測方法。

【主要元件符號說明】 300 :供電偵測裝置 304 :濾波器 INV :反相器 A、及2、:電阻 Rdt:輸入電壓 /〇1、/〇2 :電流 302 :電壓偵測單元 SCH :史密茲觸發器 COMP :比較器 C :電容 GND :接地端

比較器正輸入端電壓 F"5··比較器負輸入端電壓 MP1、MP2、MP3 : PMOS 電晶體 MN1 ' MN2、_3 : NMOS 電晶體 Voutl、Vout2、Vout3、Vout4 :輸出電壓 100 :能隙型供電偵測裝置 200 : P/N元件加電阻供電偵測裝置 Vpos2、Vpos3 :正端電壓 Vneg2、Vneg3 :負端電壓 S500〜S506 :供電偵測步驟 14

Claims (1)

1. 201033621 • .......31-TW 30171twf.doc/n 七、申請專利範園： i 一種供電偵測裝置’包括：

   一電壓偵測單元，用以接收一輸入電壓，並偵測該輸 入電壓藉以輸出一第一輸出電壓，該電壓偵測單元包4 :·1 一第一電晶體，該第一電晶體耦接於該輸入電壓； 一第二電晶體，該第一電晶體耗接於該輸入電壓； 第二電晶體’該弟二電晶體輕接於一接地端； 一第四電晶體，該第四電晶體耦接於該接地端； 一第一電阻，該第一電阻耦接於該第一電晶體與 該第三電晶體之間； /、 一第一電阻，該第一電阻耗接於該第二電晶體與 該第四電晶體之間；以及 /、 一比較器’該比較器的輸出端輸出該第一輸出電 屋，該比較器的負輸入端耦接於該第三電晶體與該第— 電阻的共同接點，該比較器的正輸入端耦接於該^二 晶體與該第二電阻的共同接點。 .如甲印專利範圍笫丨項所述之供電偵測装置，爱 u 電日日體與該第二電晶體為PMOS電晶體，兮笛— 接於該輸入電壓，該第—電晶體的^= 1接於該輸人電H該第二 —電晶體的閘極與該第二電阻。 ；該第 3.如中睛專利範圍第丨項所述之供 該第三電晶體與該第四電晶體為N聰電J裝該置第= 15 201033621^ 30171twf.doc/n 晶體的源極耦接於該接地端，該第三電晶體的汲極耦接於 該第二電晶體的閘極與該第一電阻，該第四電晶體的源極 耦接於該接地端，而該第四電晶體的汲極耦接於該第四電 晶體的閘極與該第二電阻。 a 4.如申請專利範圍第丨項所述之供電偵測裝置，其中 該第-電晶體之尺寸比該第二電晶體之尺寸為—預設比 且該第四電晶體之尺寸比該第三電晶體之尺寸為該預

   ^ 5·如申請專利範圍第1項所述之供電偵測裝置，其中 曰Us體該第二電晶體、該第三電晶體與該第四電 晶體#作於次臨界區。 姓一 1 = Μ專利範11第1項所述之供電制裝置，更包 ’該第三電關—端祕於該輸人電壓，該 端峡霞第―電晶體與該第二電晶體。 括-㈣Γ睛專利範圍第1項所述之供電_裝置，更包

   _以二、用二接收該第―輸出電壓並進行濾、波處理， 耩以輸出-第二輪出電麼。 8.:種供電_裝置，包括： 該輸入電^貞元，⑽接收—輸人雜’並偵測 電壓值等於—指輸出電壓’对該輸入電壓之 -電晶體的-第1壓時’根據該電壓伽―元内之〆第 電晶體的_第=電壓、該電壓偵測單㈣之-第二 及該第二電日日日體的9壓、該第—電晶體的—第一熱電壓 弟一熱電壓決定該指定電壓； 16 -υΐ-TW 30171twf.doc/n 201033621 一濾波器，耦接於該電壓 輸出電覆以產生-第二輪出電塵，、且者該c該第〜 升J邏輯高電位時，關閉該遽波器内::屢上 該第二輸出電壓上升至邏輯高電位；以及弟—電曰曰體以使 -觸發器，触於觸波器，用 塵並訊處理，藉 該指定糖Γ撼專-利範圍第8項所述之供電_裝置，a令 參數根據—次臨界斜率隨、—臨界電壓及-比值 1〇·如中請專娜HI第9項所述 、 中當通過該第—電晶體的一第一電流和通 ΐ壓弟:等時，該指定_根據該第；載 該第—過載電壓、該第—熱電壓、該第二熱電壓和 6亥正溫度係數參數而得。 11. 如申請專利範圍第9項所述之供電偵測裝置，其 中，比值根據該電壓偵測單元内之一第一電阻與該電壓 測單兀内之一第二電阻之比例而得。 、 12. 如申請專利範圍第9項所述之供電偵測裝置其 中該第一過载電壓和該第二過載電壓具有正溫度係數，^ 第一熱電壓及該第二熱電壓具有負溫度係數，藉由控制^ f一過載電壓、該第二過載電壓、該正溫度係數參數、該 第一熱電壓及該第二熱電壓以在溫度變化時，降低該^ 電壓的變化。 13. 如申請專利範圍第8項所述之供電偵測裝置，其 J l -TW 30171 twf. doc/0 201033621 中該電壓偵測單元更包括一比較器，該比較器的一第—輪 入端輕接於該第二電晶體，該比較器的一第二輸入端轉接 於該第一電晶體，且當該第一輸入端之接收電壓與該第二 輸入端之接收電壓實質上相等時，該輸入電壓之電壓值等 於該指定電壓。 14. 一種供電偵測方法，包括： 接收一輸入電壓，並偵測該輸入電壓藉以輪出— 第一輸出電壓’且當該輸入電壓之電壓值等於一指定電壓 時，根據一第一過載電壓、一第二過載電壓、一第一熱電 壓及一第二熱電壓決定該指定電壓； ' 接收該第一輸出電壓以產生一第二輸出電壓，且 當該第-輸出電壓上升至邏輯高電位時，使該第 壓上升至邏輯高電位；以及 〜 中更物懷圍第14項所述之供電偵測方法，复 中更〇括根據-次臨界斜率隨、— = 中二如-:請 參數決定純定·。 熱龍和該正溫度係數 18 υι-TW 30l71twf.doc/n 201033621 範圍第15項所述之供電偵測方法，其 t根據-第-電阻與-第二電阻之比例決賴比值。 18·如申„月專利範圍第15項所述之供電摘測方法，其 中該第-過載電麼和該第二過載電壓具有正溫度係數，該 第一熱電壓及該第二熱電壓具有負溫度係數，藉由控制該 第過载電壓、該第二過載電壓、該正溫度係數參數、該 參 第一熱電壓及該第二熱電壓以在溫度變化時，降低該指定 電壓的變化。 19·如申請專利範圍第14項所述之供電偵測方法，其 中當接收該輸入電壓時，且一第一輸入端之接收電壓與— 第二輸入端之接收電壓實質上相等時’該輸入電壓之電壓 值等於該指定電壓。 19