TW201030885A - Confinement of foam delivered by a proximity head - Google Patents

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TW201030885A TW098139927A TW98139927A TW201030885A TW 201030885 A TW201030885 A TW 201030885A TW 098139927 A TW098139927 A TW 098139927A TW 98139927 A TW98139927 A TW 98139927A TW 201030885 A TW201030885 A TW 201030885A
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Arnold Kholodenko
Cheng-Yu Lin
Leon Ginzburg
Mark Mandelboym
Gregory A Tomasch
Anwar Husain
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Lam Res Corp
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Description

201030885 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 且尤其關於一種具有由近 本發明係關於一種基板處理裝置， 接頭供應之泡沫的外罩之基板處理裝置 【先前技術】 由於在半導體之裝置規模方面的進步，半導體 都 變得更小，同時其縱橫比亦變得更大。因此丰半導 變得容易受到來自濕式清潔及乾燥的影響。而在製造半導^= 理流程中使用新材料使得此敏感性更加惡化。 為了因應濕式清潔及乾燥之技術巾的此敏祕及其他缺點， 已發展出-種使用機械及化學清潔法來選擇性地去除殘留物” 不損及半導體裝置構造的系統。此系統在—對相_近接頭 線性地運送單-晶®，該對近接頭係在約數秒之暴露時間内供應 清潔液至晶圓。 、在特定，實施例中，由相對的近接頭所供應的清潔液係為一 種泡沫狀之咼黏度非牛頓流體，其係藉由機械性地混合(a)例如氮 氣(N2)之氣體及(b)含有水及介面活性劑的液體而產生。請見例二 在2006年2月3日申請之美國專利申請案第2〇〇6/〇1286〇〇號，標 題為「Cleaning Compound and Method and System for Using th!
Cleaning Compound」;在2007年6月19曰申請之美國專利申請案 弟 11/820590 號’標題為「System, Method and. Apparatus foi Maintaining Separation of Liquids in a Controlled Meniscus」；以及在 2008年8月4曰申請之美國專利申請案第12/185780,標題為 「Generator for Foam to Clean Substrate」。此三申請案之揭露内容 均以參考文獻之方式結合於此。 在將泡床沉積至半導體晶圓上時’若容許介面活性劑逃逸進 入系統之腔室中’則介面活性劑可乾燥成為固體，並污染之後由 系統所處理的半導體晶圓。因此’存在一種對於廉價且有效之方 法的需求，用以在系統將清潔用泡沫沉積至半導體晶圓上的期間 201030885 .有下所主張的發明對於此特定用途以外的 顯應祕，而其將從町的敘述及圖式變得 【發明内容】 瓸施例中，線性濕式系統包含腔室中之載且及近接 露該基板之兩表面的插鎖。近過糸統時暴 兩側上。在此示範實施辦接 ^ 、或 ❹ 部分。當半導體晶圓在近接排列之三 表面抽吸液體。當晶圓於近接 弟刀由晶圓之上 第二部分造成清潔 ¥ 鄰接至第-部分之 上。當晶圓於近接頭下方^膜^\液面）流動至晶圓之上表面 造成沖洗液之薄膜(或彎液面分^第三部分 方式來定義，使得第二部分s=圍二邛刀並上達弟一部分的 沫的外罩。p刀及弟一部分產生第二部分中之清潔泡 參 接頭。載具包靜=濕絲統包含腔室中之載具及近 暴露該基板之兩表面的圓^運送通過系統時 當半導體晶圓於近接頭下^線方式排列之兩部分。 吸液體。當晶圓於接頭f 一。卞由晶圓之上表面抽 造成清潔泡沫的薄膜(或彎^，#接至第一部分之第二部分 實施例中，係藉由圍繞产机動至晶圓之上表面上。在此示範 進入腔室中。、’、β/'、’包沫之抽吸屏障來防止清潔泡沫逃逸 操作。在該方作，性式系統用之自動化方法包含三 下方由载具載運時，近接^半導體晶圓在腔室中於近接頭 體。在該方法之第二操git，分由晶圓之上表面抽吸液 虽曰日圓在近接頭下方行進時，鄰接 5 201030885 洗液之薄膜(或彎液面)流動至晶 使二…，分地定義為圓圍二=並=範口例 ==第—部分在第二部分中建立清潔#二i 本發明之優點將由以下之結合. 早
1SHHSHSS 係將第三部分部分地定義為 使得第三部分及第一部分在第二$ 明;將由以下之結合隨_式而作成、且以舉出發 月原理之只例的方式來加以說明的詳細敘述而變得明顯。發 【實施方式】 例的說r，提出了諸多具體細節以提供對於示範實施 範^°然而，躲誠本項技藝者將_易見地，該示 t 1的情況下加以實施。在其他情形 細即及處理作業已為人熟知，則不詳加敘述。 半導^二tΙΪ據示範實施例之具有—對用以沉積清潔液至 ϊ 接頭的線性濕式系統之簡化示意圖。在圖认 接糸統100包括上近接頭104及下近接頭103。每一近 ϊίίίϊ面ig5a，由具有暴露其表面之晶圓置於其上之 面1(ΚΛ载'線性地輸送的半導體晶圓1〇2穿過該流體彎液 注人夕範實施辦，該流_藉由在上文以參考文獻形式 =專利申請案第12/18578()號中所述之生成器内，機械性 虱體(如氮氣)及液體(具有例如可形成微膠粒之脂肪酸之介 「;生^]的水/谷液)而產生的泡沫。如該申請案中所說明，詞彙 」，關於兩種表現在輸入生成器之流體中的相態，例如液態 7屮介面活!生劑。詞彙「P3」係關於三種表現在由生成器‘ i - fit的相態’例如液態水、固態介面活性劑、及氣態氮⑺2)。 八乾κ知例中’ P3為向黏度(2〇〇_2〇〇〇cp或厘泊(centjpoise)之範 Φ^非牛頓流體。P3之水力性質在根本上即與例如水的一般牛 、、脰不Π P3可知|φ·為流體黏度隨著剪變率(shear rate)增加而降 低(例如.男切稀化(Shear thinning))的擬塑性材料。 201030885 應明瞭：在P3可能乾燥並釋放成為線性濕式系統中之污染物 的固態介面活性劑之情況下，流體彎液面1〇5Α並未限制P3，以 防止其逃逸進入包覆載具101及近接頭1〇3與1〇4之腔室中。在 示範實施例中，如以參考文獻之方式結合於上文之美國專利申請 案第2006/0128600號中所說明者，儘管可使用其他脂肪酸作為替 代品，但固態介面活性劑可為硬脂酸。該等其他脂肪酸包含下列 各者之一或其組合，或與硬脂酸之組合：月桂酸(lauric acid)、軟 ❹ 月曰酸(palmitic acid)、油酸(oleic acid)、亞麻油酸(linoleic add)、次 亞麻 /由酸(linolenic acid)、花生油酸(apachidonic acid)、鳕油酸 (gadoleic acid)' 芥酸(erucic acid)、丁酸(butyric acid)、己酸(capr〇ic acid)、辛酸(caprylic acid)、肉豆謹 g复(myristic acid)、十七酸(margaric acid)、二十二酸(behenic acid)、二十四酸(iignoceric acid)、肉豆蔻 油酸(myristoleic acid)、棕櫚油酸acid)、神經酸(nery〇nic acW):杷荏酸(parinaric add)、二十碳五烯酸(timn〇d〇nic acid；)、二 十一石厌一烯酸(brassic acid)、及鱗油酸⑻叩姐⑽⑽丨。acjd)。 圖1B為顯示依據示範實施例之線性濕式系統中之載呈及近 接頭的俯視圖之簡化示意圖。如本圖中所示，以上所述之載1 ι〇ι
在上近接頭104上方，沿著線性濕式系統1〇〇中之一對軌道l〇3A 傳送半導體晶圓102。在此示範實施例中，上近接頭1〇4包含五個 ⑻調節頭部105，其為非必要且可進行沖洗及/或抽吸 及/或乾燥，⑻沉積及抽吸P3之
Cleaning，進階機械清潔)頭部1〇6 ; (c)沉積及括吸其他化 G7b;_ 口獅8,可進行沖^ 圖2為顯不依據示範實施例之線性濕式系 的簡圖。如圖2所示，線性濕式系統⑽包含三模 仆『組111 ;及(3)輸出模組112。依序而言，：以上 所处化子模組in包含具有五組成頭部1〇5、1〇6、⑴％ f =之上近躺1〇4。在示範實施例中，化學触i b 編不之下近_ 1G3。·轉體日日日圓搬之载具m係^二 201030885 輸出模組112中。在圖2中亦顯示包覆輸入模組no、化學模組 U1、及輸出模組112之腔室1〇9。 、圖3顯示依據示範實施例之線性濕式系統中的載具及近接頭 之透視圖。如圖3所示，載具1〇1將半導體晶圓1〇2由輸入模組 110傳送至輸出模組U2。晶圓102通過近接頭1〇4之上方，該近 ，頭104包含兩頭部組件：調節頭部1〇5及施〇頭部1〇6。在示 範實施例中，儘管其他以上所述之組成頭部可包含於近接頭1〇4 中，其仍未顯示。 、 、圖4顯示依據示範實施例之線性濕式系統中的一對近接頭之 ，視圖。上近接頭104及下近接頭103均顯示於本圖中。在示範 實施例中，如以參考文獻的形式結合於上文之美國專利申請案第 lj/185780號中更加詳細地描述者，上近接頭包含易於移除以利清 ，的P3生成态113。在示範實施例中，p3生成器113可透過輸入 ，114接收P2(如水及硬脂酸），及透過輸入部115接收氣體(如說 氣或NO ’並藉著在未顯示之密封螺旋狀通道中將其混合來產^ 圖5為顯示依據示範實施例的Ajyjc頭部之部分的示意圖。如 圖5所示，AMC頭部106包含第一部分116(以含點虛線^示）， ^包含^由向上抽吸P3至頭部106中來預防p3逃逸進入系統腔 室中的前，空氣外罩構造，其將於以下更詳細地加以說明。此外， =於在示範實施例中，相較於溼潤表面，P3在乾燥表面上作為清 >糸液的功效更佳，所以第一部分116促進了 p3對半導體晶圓之表 =的應用。如圖5所示’當半導體晶圓被载運通過線性濕式系統 蛉，第厂部分116為半導體晶圓遭遇amc頭部ι〇6之初始部分。 AMC頭CT卩1〇6亦包含第二部分(以虛線表示），該第二部分包含頭 ^ 106沉積P3至晶圓上及由晶圓抽吸p3(如使用部分直空)的兩 區域117(P3區域2)及118(P3區域1)。在示範實施例中，沉積於 區域117内的P3可具有與沉積於區域内之不同的成份， 例如不同的P2對氣體(如氮氣或N2)之相對百分比。須注意多個p3 區域容許傾向略為固定之線性濕式系統中的一程度之可變性及控 201030885 • 制。 圖5所不之AMC頭部106亦包含弟三部分ιΐ9(以實線表示）， 該第二部分119包含藉由使去離子水(deionized water, DIW)流動而 產生之外罩彎液面用的構造。如圖中所示，第三部分U9圍繞著 第二部分(如P3區域117及118)延伸直至第一部分116，而產=在 第二部分中流動之P3的外罩。在此情形中，須注意在示範實施例 中，上近接頭104及下近接頭103均可在半導體晶圓進入前產生 相匹配且鄰近的DIW外罩彎液面及前端空氣外罩。更多第三部分 之細節係描述於119abc(特寫示意圖）中。如該特寫圖所示，第三部 魯分119可包含：沉積如DIW之清洗液至半導體晶圓之表面上的内 輸入通道，及將清洗液抽吸離開表面(如使用部分真空)之内回流通 道(inner return (IR) channel)與外回流通道(outer retum (〇R) channel) ° 圖6顯示依據示範實施例之AMC頭部中之部分的橫剖面視 圖之示意圖。須注意圖6係對應至圖5中之A-A剖切平面。如圖 6中所示，第一部分116使用真空裝置將P3向上吸至頭部 1。06中。如以上所記載並於本圖中所述，第一部分116為半導體晶 圓被載運通過線性濕式系統時遭遇AMC頭部之初始部分。一旦晶 圓離開第一部分116，晶圓便進入其中AMC頭部10ό使P3由輸 ❹入通道117a流動至回流通道117b的第二部分之P3區域2。然後， —旦晶圓離開P3區域2 ,晶圓便進入其中AMC頭部106使P3 由輪入通道118a流動至回流通道11讣的第二部分之P3區域1。 如先前所記載，在示範實施例中，區域1中之P3的成份可與區域 2中之P3的成份不同。一旦晶圓離開p3區域i，晶圓便進入其中 AMC頭部1〇6使DIW由輸入通道11%流動至OR通道li9a及 IR=逼119c的第三部分。在示範實施例中，當晶圓由第三部分中 之彎液面(如：由輸入通道流動至（^及瓜之]^^露出時可呈溼 潤狀態。亦須注意，如先前之化學模組ιη的敘述中所指出，晶 圓可在離開第三部分時進入另―，弯液面或部分真空。 圖6中亦描述了偏向邊緣i2〇a，如以下更詳細的敘述，在p3 201030885 通過輸入通道U8a離開AMC頭部106時，使p3之流動偏向。須 注意在示範實施例中，内回流通道119c亦可使一些由輸入部n8a 所沉積的P3回流。亦即，内回流通道ii9c為「混合内回流通道」。
圖7為顯示依據示範實施例、受到偏向之由AMC頭部所沉積 之清潔液(如P3)流的横剖面視圖之示意圖。須注意圖7描述了圖6 中所圈出之區域，例如包含偏向邊緣i2〇a之區域。如圖7中所描 述’偏向邊緣120a在P3由輸入通道118a流動至P3弯液面121 中時使其偏向，其中因相對之偏向邊緣(圖6中顯示為12〇b)而產 生一圓形流。亦如圖7中所描述，一數量之p3流向偏向邊緣12〇a 之左側而到AMC頭部之第三部分中的内回流通道I〗％。與流入 P3彎液面中之圓形流内且最後進入回流通道llgbiP3的^^相 比，此數量相對地小。 。須注意偏向邊緣12〇a保護半導體晶圓免於因直接朝下流動 晶圓之表面上而造成的損壞。更進一步地，偏向邊緣12〇a及其^ 對之偏向邊緣120b實體上透過產生圓形流而由其他物體中局^ P3彎:夜面m。因此，此實體外罩減少了 PS朝向負責抽吸di: 外罩彎液面中之DIW的「混合内回流通道」丨丨处之流動。
。圖7中亦顯示了 P3流動的速度(以mm/sec為單位)。半導體i f =約2〇mm/sec的速度朝向圖式的左侧順暢移動(見圖6)。在1 ，實施例中，P3以5-3〇mm/sec範圍内之速度流下輪入通道ma 直到P3遭遇到偏向邊緣12〇&。在此時點，大部分之朽的速度: 增加，使得速度位於25-45mm/sec的範圍内。此增加之速产& ;左;向第三部分中之内回流通道脱的大量p3日來=度^ S2至液面121的P3在速度上均減少至15_3(Ws< 的耗圍内。當被相對之偏向邊緣12〇1)(未顯示)偏向返回至p =之圓形流中時，P3之速度便進—步減少至邮⑽ | 圖8為顯示依據示範實施例的關於AMC頭
ί圖。該_示了上近接頭中之AMC頭部訂近接^ j 中之AMC頭部之間的半導體晶圓搬。如圖中所描述H 10 201030885 與位於外回流通道119a之AMC頭部(對於DIW外罩而言)之間的 間隙約為2.25mm。晶圓102與位於DIW輪入通道η %(及「混合」 内，流通道119c)之AMC頭部之間的間隙約為〇 75mm。換令之， 在示範實施例中，»三部分之「處理間隙」為〇.75咖。晶&搬 與位於偏向邊緣120a之AMC頭部(如對於；p3區域1中之輸入通 道118a而言)之間的間隙約為0.5mm。且晶圓1〇2與位於p3彎液 面121上方之amc頭部(對於P3區域i而言)之間的間隙約為 2mm。亦即，在示範實施例中，P3彎液面之「處理間隙」為。 如本圖中所述，P3不僅可由下AMC頭部中之輸入通道(未清楚顯 不)流出，亦可由上AMC頭部中之輪入通道(未清楚顯示)流出。’、 圖9顯示依據示範實施例之由amc頭部所沉積的清潔液 P3)流之剪變率示意圖。如圖中所指出，剪變率之測量單位 l/s(l/Sec) ’即秒倒數或反秒數。剪變率係針對兩相鄰之p3區域 117(P3區域2)及118(P3區域1)而顯示。須注意在示範實施 兩相鄰之P3區域的每一者可能影響到彼此的剪變率。如圖中所浐 ^在示範實關巾，行進通過雜濕絲統之半導體 ^ 進入P3區域118前，先進入P3區域in。 ❹ 邱夕區域117中，P3由輪入通道U7a流出，橫越鳩〇頭 4之底^至回流通遏117b。同樣地，在P3區域118中，p 丨，道118a流出，橫越aMC頭部之底部至回流通道嶋。如上 =所述’靠近輸人通道之!>3的剪變率係於175_275秒倒數的範 。一旦P3散伟橫越AMC頭部之底部，P3之剪變率便降低至 加至125-225秒倒數的範圍内。 、 曰 尺寸應m巾讀人㈣獅道之交錯位置及 I在曰曰®之表面上產生了溫和且關於剪變率為非方 型y。此放射狀流場型態以避免對晶圓上之構造造成損 、的方式’在無優先方向的狀況下使？3沉積於晶圓之表面上。、 之背i 餘補之施€頭部的處理面及處理面 月側不思圖。該圖顯示如先前所述頭部1〇6白勺横剖面， 11 201030885 其包含第-部分116、用以沉積P3之輪人通道偷、及用以 DIW之輸入通道i〗9b。本圖中亦描述了 ajmc頭部1〇6之處理面 122。 應明暸處理面122係最接近由線性濕式系統所處理之半導體 晶圓的表面之頭部表面。為了說明域，該_包含由全部處理 面122之中央及兩端所組成的複合處理面124。須注意在以下的 圍内，處理面122及複合處理面124在各材料方面均與圖5所示 之AMC頭部1〇6她：各處理面包含肋產生前端空氣外罩之構 造、兩P3區域、及用以產生DIW外罩之構造，該用以產生diw 外罩之構造：（a)圍繞兩P3區域延伸上達前端外罩，且(b)產生由 輸入通道流至外回流通道(0R)及内回流通道(汉)的DIW彎液面。 圖10亦顯示兩P3區域之間的偏向邊緣120b，如先前所記载，該 偏向邊緣120b:(a)協助將P3彎液面容納於P3區域内，且（b) ^ ^ 止P3直接流至半導體晶圓之表面上。 此外，圖10顯示了 AMC頭部106中之處理面122的背側 123。 為了說明起見，該圖亦包含由整體背側123之中央及兩端所 組成的複合背側125。複合背侧125包含(a)供給輸入通道118a 亚f於以下進一步說明的儲存槽126 ;及（b)回流通道U8b。須 注意如圖9所示(關於剪變率），P3係由輸入通道118a流至回流通 道 118b 〇 ^ _圖^1顯示依據示範實施例的AMC頭部之橫剖面圖中的兩特 徵不意圖。該圖顯示如先前所述之AMC頭部1〇6的橫剖面，該 ❹ AMC頭部包含第一部分116、沉積p3用之輪入通道117&、沉積 P3用之輸入通道118a、抽吸DIW及p3用之「混合」内回流通道 119c、沉積DIW用之輸入通道11%、及抽吸DIW用之外回流道 119a。本圖中亦描述了對AMC頭部106提供P3、DIW，及抽吸 的孔洞。孔洞126係對第一部分116提供抽吸(如VAC)。孔洞i27a 及127b分別對P3區域1及p3區域2提供p3。孔洞129對第三 部分中之DIW外罩提供DIW。IR孔128及OR孔130由DIW外 罩抽吸DIW。如他處所記載，IR孔128亦抽吸一些沉積至P3區 域1中之P3。 12 201030885 圖11亦描述了處理面122與處理面之背侧123之間的結合線 (如因熱融而產生）。此外，圖11顯示兩特徵Α及Β。特徵Α包含 用以沉積P3的儲存槽，如圖1〇中之儲存槽126。特徵B包含孔 洞(如孔洞126、128、129或130)與對應其之輸入或輸出通道之間 的下行供應管。 圖12顯示依據示範實施例的AMC頭部中之儲存槽示意圖。 本圖顯示AMC頭部106中之處理面的背側123之透視圖。如本圖 中所描述，背側123含有許多儲存槽(如儲存槽126)，在卩3由孔 洞(如圖11中之127a及127b)流下至AMC頭部1〇6之處理面上的 P3彎液面時儲存P3。圖10顯示了類似的儲存槽。 一圖13顯不依據示範實施例的AMC頭部内之儲存槽中的液流 示意圖。如圖13中所描述，AMC頭部中之儲存槽126由供應通 道131接收P3 ’並緩衝P3直到其通過輸入通道n8a、ma、及 132b流下至P3彎液面。輸送通道131係連接至p3孔(如圖n中 之127a及127b)。附帶說明，在圖9及10中，儘管相較於輸入通 道118a相對地小，輸入通道132&及1321)仍亦略為可見。 Φ 圖I3亦顯不了 P3由輸送通道131橫越儲存槽至輸入通道 118a、13%、及咖時的速度大小(以心肌為單位）。在輸送通 道131附近，P3之速度大小係處於.〇2_〇8之範圍内。當朽由輸 送通道131義離開時，P3之速度大小增加至抓u的範圍内， 且然後降低至.02-.07的範圍内。在儲存槽的中央，p3之大小 係處於0'04之範圍内，且然後在p3接近輪 = 及132b)時增加至.〇6'n之範圍内。 ^如 ^ 示^示範實施例的來自/通往撕頭部内之孔洞的
⑽如OR回流孔)經由回流通道脱從 I 孔洞=中之下倾應管的尺寸、數目、及位置，用以促進均句 的回▲，例如朝向相對較遠離孔洞13〇中之真 的頭部之末端(如該圖之右側)的下行供應管^&之大左^ 13 201030885 =除類供應管的尺寸、 應管亦於圖11中顧示為特徵3擇L Μ中所禾之下行供 圖15為顯示依據示範實 潔液(如Ρ3)之方法的操作流^手、統中用以局限清 |基板(如半導體晶圓)於頭^咖令， 時，線性濕式系統抽吸任何殘留在i上| 由载具運送 記载，在示範實施例中，此摔作 1^上的液肢。如先前所 ί該ΐΐ之Γ操作15。2中，當基:在：c ίίίί所，。 ^表面。如先前所記载，在示範實财基板之 其:，線性濕式系統之腔室中便會乾為= 末可為H =地，在示範實施例中，此操作可由進 作1503中，當基板在AMC頭部之第=進;^然後在操 式系統使清洗液流至基板之上表©上，“ 線f濕 -部分產生第二部=之=:=義如第 =5中目&此ί作可由DIW料來進行。再者，如先前所記載不 中f目的在於預防清潔泡泳逃逸進入線性濕式系統之腔室 / f 16顯示依據示範實施例的AMC頭部中之外罩彎液面圖。 本圖係近似於圖5所示之施〇頭部示意圖。如本圖中所 =第一部分116係AMC頭部1〇6在半導體晶圓被載運通過線性 濕^糸統時所遭遇到的第一部分。在示範實施例中，第一部分116 ，晶圓之表面抽吸任何液體，並彈回流至鄰近之P3區域117中的 晶圓之表面上的p3彎液面。圖16中之AMC頭部1〇6包含亦沉 ，及抽吸晶圓表面上之P3的第二P3區域118。當晶圓被載運離開 弟二P3區域118時，晶圓進入DIW外罩119，其中amc頭部係 利用圍繞兩P3區域延伸至第一部分116之DTW彎液面來清洗晶 圓。 14 201030885 . ® 17顯示依據替代示範實施例的AMC頭部中之直空外奸 圖。如本圖中所描述，第一部分加再次為AMC頭部⑽ 體晶圓被載運通過線性濕式系鱗所遭 3施=，第-部分116 *晶圓之表面抽吸任何液體， 動至鄰近之P3區域117巾的晶圓之表面上的p3彎液面。圖彈 16中 之，C頭部1〇6包含亦沉積及抽吸晶圓表面上之p3 區域118。當晶圓被載運離開第二p3區 兩朽區域延伸至第一部分110的内 工曰固 ，。須注意在此替代示範實施例中，顧c頭^慨= φ 彎液面，以其他方式利用DIW沖洗晶圓表面。 乂 、拿透徹瞭解起見而詳盡說明前述的示範實施例，仍項 如思在改可在附加之請求項的範嘴内加以實施。ί列 f ^替代不耗貫施例中，AMC頭部可限制如Ρ3跑 = if 的液體。因此，欲將示範實施例視為說明性;Ϊ限制 求項的範嘴及相當物内加以修改。 ^在所附加之請 【圖式簡單說明】 •體晶= 二據:=之：=沉積液體至半導 圖1B為顯不依據示範實施例之線性渴 祐 接頭的俯簡之簡化示賴。 4錢巾之载具及近 的簡為顯示依據示範實施例之線性濕式系統中之部分俯視圖 之透Ϊ圖3顯示依據示範實施例之線性濕式系統中的載具及近接頭 透視^顯示錄械實酬之雜濕衫、斜的-對近接頭之 圖5為顯示依據示範實施例的頭部 圖6顯示依據示範實施例之歷頭部中^分的^面視 15 201030885 圖之示意圖。 圖7為顯示依據示範實施例、受到偏向之由AMC頭部所沉 之清潔液(如P3)流的橫剖面視圖之示意圖。 '儿貝 圖8為顯示依據示範實施例的關於AMC頭部之若干尺寸的示 意圖。 圖9顯示依據示範實施例之由AMC頭部所沉積的清潔液(如 p3)流之剪變率示意圖。 圖10為顯示依據示範實施例之AMC頭部的處理面及處理面 之背侧示意圖。 圖11顯示依據示範實施例的AMC頭部之橫剖面圖中的兩特 徵示意圖。 ❹ 圖U顯示依據示範實施例的AMC頭部中之儲存槽示意圖。 圖13顯示依據示範實施例的AMC頭部内之儲存槽中的液流 示意圖。 圖14顯示依據示範實施例的來自/通往AMC頭部内之孔洞的 下行供應管示意圖。 圖15為顯示依據示範實施例的在線性濕式系統中局限清潔液 (如P3)之方法的操作流程圖。 圖16顯示依據示範實施例的AMC頭部中之外罩彎液面簡圖。 圖17顯示依據替代示範實施例的AMC頭部中之真空外罩簡 _ SJ ° 【主要元件符號說明】 1〇〇線性濕式系統 101载具 102半導體晶圓 103下近接頭 103A轨道 104上近接頭 105調節頭部 16 201030885 105A流體彎液面 106 AMC頭部 107a C3頭部 107b C3頭部 108出口頭部 109腔室 110輸入模組 111化學模組 112輸出模組 113 P3生成器 ⑩ 114輸入部 115輸入部 116第一部分 117 P3區域2 117a輸入通道 117b回流通道 118 P3區域1 118a輸入通道 118b回流通道 ⑩ 119第三部分（DIW外罩） 119a OR通道 119b輸入通道 119c IR通道 120a偏向邊緣 120b偏向邊緣 121 P3彎液面 122處理面 123背侧 124複合處理面 125複合背侧 17 201030885 126孔洞 127a孔洞 127b孔洞 128 IR 孔 129孔洞 130 OR 孔 131供應通道 132a輸入通道 132b輸入通道 135 IR真空外罩

Claims (1)

  1. 201030885 七、申請專利範圍： 1. 用以處理基板之裝置，包含： 星古板载具’載運該基板通過一腔室’其中該基板載具包含 板靜置其上且暴露該基板之表面的插銷；以及 一頭部，更包含 —第—部分，當該基板在該頭部下方移動時，由該基板 上表面抽吸液體； ;第二部分，鄰接至該第一部分，其係用以在該基板於 :項4下方行進時，使一清潔泡沫之薄膜流動至該基板之上 表面上；以及 第三部分，鄰接至該第二部分，其係用以在該基板於 邛下方受到載運時，使一沖洗液之薄膜流動至該基板之 上，其中該第三部分被部分地定義成圍繞該第二部分 第—部分’且其巾該第三部分及該第-部分關於該 胺至而產生該清潔泡沫之一外罩。 細=項之肋處縣板之裝置，其巾該第二部 ❹ 以去除泡沫之薄膜的—或更多輸人通道，以及用 以去除該潔泡沫之_的„或更多輸出通道。 3. 5·如申請專利範圍第2項之用考 入通道係位於—三角形_之一：底 19 201030885 由其他兩側之交會處上方的一主通路加以饋入。 ^基板之裝置，其中該泡沫包 3 /夜體 氣歧、及'一介面活性劑D 卿1項之㈣縣板術，其中該基板係 8‘如申請專利範圍第2項之用以處理基板 人 Ϊ'ί、、1^'ΐ接至包含於該頭部内之該第二‘分，並^造成二 ❹ 表面上’其中該清潔泡沫具有：：二=基板之上 不同的成份。 ,/、由忒弟一邛刀所供應之清潔泡沫 ^如申請專利顧第8項之誠處理基板 3該附加部分兩者之該輪人及輸出通道均用岐= 之溥膜以—連續射狀型態流動橫贼基板之 ^至t範圍第1項之肋處理基板之裝置，財該等邻八 之至少一者包含特定尺寸、 通寺口p刀 Q 用以提供關於該部分中之-孔聊的g碰個下行供應管， 11· 一種處理基板之方法，包含： 當該基板於一腔官中夕— -基板之上表面抽吸液體 ;加以載運時，由 上且暴露出該基板之表―;^該包含具有該基板靜置於其 之該第-部分進行；的觸，且其中此抽吸操作係由該頭部 至該基板:造成-清潔泡沫之薄膜流動 第-部分的—苐二部分進=此^^作箱鄰接至該頭部中之該 20 201030885 -當該基板於該頭部下方被载運時 A 、、 =基，之上表面上’其中此沖洗操作—第動 圍繞該弟二部分並上達該第—部分，且巧地疋，成 部分關於該腔室而產生該清潔泡沫之—外罩^ ―心及該第一 12=申請專利麵第n項之處理基板之方法， 包含用以輸送該清潔财之薄膜的— ς、^弟-心 去除該清潔泡沫之薄膜的一或更多輪出通道。'以及用以 申請專利範圍第12項之處理基板之方法，苴中配置，鈐入 道’以造成該清潔泡珠以-放射狀型態流St 1 中4.的專甬利範圍尸項之處理基板之方法’其中該第二部分 邊緣通逼之母一者包含凸出於該輸入通道之口部上方的一 鲁 專利範圍第12項之處理基板之方法，其中—組該輸入 半導利範圍第11項之處理基板之方法，&中該基板係一 18 由么 於該頭^^範目帛12項之絲基板之料，更包含當該基板 、 行進時’造成一清潔泡沫之薄膜流動至該基板之上 21 201030885 表面上的操作，其巾輯作係由—附八 包含於該頭部中並鄰接至該第二仃、，該附加部分係 由該第二部分所供應之清潔絲不同的成份、。該清潔泡沫具有與 19.如申請專利範圍第18項之處理 ，加部分之該輸入及輸出通置其 潔泡未之_以—連續敝射㈣驗韻過絲板之 2〇. —種裝置，包含： 核搞’紐該基板通過—腔室，其巾絲板載具包含 以基板靜置於其上且暴露出該基板之表面的插鎖；以及 一頭部，更包含 —第一部分，當該基板在該頭部下方被載運時，由該基 板之上表面抽吸液體；及 :一弟二部分，其係鄰接至該第一部分，用以在該基板於 該頭部下方行進時，使一清潔泡洙之薄膜流動至該基板之上 表面上’並透過圍繞該清潔泡沫之一抽吸屏障來預防該清潔 泡沫逃逸進入該腔室中。 八 、圖式： ❹ 22
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