TW201029121A - Electronic device and method to manufacture an electronic device - Google Patents

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201029121 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電子裝置。 本發明進-步係關於-種製造電子裝置之方法 【先前技術】 光電裝置（諸如，有機發光二極體（〇led)、太 置）需要加以保護以免受來自環境之濕氣的影 =密封（例如）0LED裝置之習知解決方案係藉由使 =脂之玻璃或金屬蓋子來進行。諸如水及氧氣之物質可 裝貝；=裝置之組件。此等有害物質可在使用期間滲透封 =可能已在製造期間進人封裝中。因此，通常將諸如㈤ 氣劑材料併入於封裝内以消除此等有害物質。然而， =準解決方案對可撓性0LED(其中使裝置順應或挽曲之 月匕為必需的）@言係不充分的或成問題#。在可撓性 二咖之情況下，諸如ΕΡΙ745922中描述的由無機且有時無 機’有機多層組成的薄膜障壁通常用於兩側上之囊封。 US2005/0045900描述一種有機電子裝置結構，其包含· 第一部分，其包含一基板及一安置於該基板上方之 機電子裝置區（例如，一 〇LED區）； _ 一第二部分，其包含一蓋及一收氣劑區；及 -一輻射固化、壓敏黏接層，其安置於該第一部分與該 第一部分之間且將該第一部分與該第二部分彼此黏接。該 黏接層安置於整個有機電子裝置區上方且安置於該基板之 201029121 至少一部分上方。 該基板及該蓋可由複合材料層（例如，一沈積於〇Led 上方之薄氧化層、繼之以一平坦化子層（例如，聚合物層）、 繼之以另一高密度（例如，氧化物）子層）製成。 該收氣劑區可以各種組態安置於該裝置結構内。舉例 而言，在一些實施例中，該收氣劑區係以連續區之形式來 提供，而在其他實施例中，該收氣劑區包含兩個或兩個以 Φ 上不同之區。作為另一實例，在一些實施例中’該收氣劑 區提供於該蓋之表面上，而在其他實施例中，該收氣劑區 提供於形成於該蓋中之一或多個凹槽内。 根據所引用之文獻，該黏接層為必需的，因為某些收 氣劑材料在與來自外部環境之氣態物質（例如，水）反應 後產生潛在有害副產物（例如，酸）。藉由用黏接劑覆蓋整 個有機電子裝置區，使該有機電子裝置區與此等有害物質 隔離，進而允許收氣劑區定位成極接近於該有機電子裝置 〇 區。在所引用文獻中進一步陳述，即使所利用之收氣劑材 料不產生潛在有害副產物，但在涉及可撓性裝置時，收氣 劑與有機電子裝置區之間存在窄氣隙在撓曲期間對有機電 子裝置區供應極少保護乃至無保護，且對該有機電子裝置 區之損害可歸因於該有機電子裝置區與該收氣劑之間的接 觸而發生。然而，藉由用黏接劑覆蓋整個有機電子裝置區， 使收氣劑與有機電子裝置區之間的非所要接觸最小化，從 而保護該有機電子裝置區免遭此類損害。 然而，黏接層之缺點為其亦阻礙上述有害副產物流向 201029121 收氣劑’且因而降低收氣劑之效率。此外，應注意，一些 收氣劑可在待收集之物質的吸收期間膨脹。此將導致在裝 置内部積聚壓力。 迎2217896揭示一種顯示面板，其包含： 用於回應於電 激發信號而發光的電致發光磷光體構件；用於支撐該磷光 體構件且使該發出之光透射的透明基板構件；用於封閉該 填光體構件的後蓋構件’該後蓋構件係由柔性之大體上不 透氣之材料製成；用於抵著該基板構件氣密封該後蓋構件 的構件；及用於使該後蓋構件與該基板構件維持一撓曲關 係以使得變化之周圍氣壓相等地施加至該後蓋構件及該基 板構件而未影響該氣密封的構件β根據此文獻之申請專利 範圍第2項，「該用於維持的構件包括安置於該後蓋構件内 且安置於該磷光體構件上方的用於吸收濕氣且回應於該柔 性後蓋構件之撓曲而壓在該磷光體構件上的乾燥劑構件。」 在該顯不面板中，若干層多孔紙片舖設於該乾燥劑構 件與該電致發光磷光體構件之間，該若干層多孔紙片防止 該乾燥劑構件與該磷光體構件之間的直接接觸。然而，此 並不防止在該裝置内部積聚增加之壓力。 [〇2008/13267|_描述一種具備用於保護OLED裝置之囊 封結構的OLED配置。該OLED配置包含一内部操作之物 質結合部件（例如，收氣劑）’且該囊封結構包含—障壁及 一配置於該障壁外部之由聚合材料形成的覆蓋層。該障壁 配置於該物質結合部件外部。該〇LED配置可具有一具有 不平坦表面（例如，具有凹處或突起）的輸出耦合扒 201029121 coupling)結構。該物質結合部件鋪設於該障壁層之面向該 OLED裝置之表面處。因此，該配置之撓曲將導致該物質結 合部件接觸該OLED配置。因此，w〇2〇〇8/132671旨在提 供OLED配置之強健且可靠之囊封。 因此，需要一種可撓性有機電子裝置，其實現朝向收 氣劑之改良之有害物質輸送，同時防止在撓曲該裝置時收 氣劑接觸該有機電子裝置區，此允許所收集之材料自由膨 脹而不造成致使該裝置破裂的應力積聚。 〇 【發明内容】 根據本發明之一態樣，提供一種電子裝置，其包含一 由至少一障壁結構保護之功能結構，該障壁結構包含一第 一無機層、一有機層及一面向該功能結構之第二無機層， 該有機層配置於該第一無機層與該第二無機層之間，該障 壁結構具備至少一凹處，一收氣劑材料浸沒於該至少一凹 〇處中，該收氣劑材料與該有機層由該第二無機層隔開。 在根據本發明之電子裝置之實施例中，該障壁結構具 備複數個凹處且該收氣劑材料以小於該等凹處之高度的厚 度沈積於該等凹處中。凹處之高度被理解為沈積該收氣劑 之處的凹處之底部與在該無機層之表面處的凹處之開口之 間的距離。 在根據本發明之電子裝置中，該收氣劑材料存在於接 近於該功能結構處，以使得滲透至該功能結構之濕氣仍可 被吸收U，由於該收氣劑材料浸沒於形成於該障壁結 201029121 構中之至少一凹處中 151 實鱧接觸’即使該裝署娃此該收氣劑材料不與該功能結構 子裝置中，該^ 曲時仍如此。在根據本發明之電 氣劑材料在吸收待收集之物質期Πm 不導致壓力之積聚 質期間的膨脹 具有空間以供膨脹…收氣劑材料 及一第二無機層之一w ，微層 、口具有良好障壁性質，但可一或多 個額外層來擴展該障壁社楼 一 層及與機展•等額外層包含交替之有機 此擴展。 …產-之極長壽命為所希，則如 該電子裝置為（例如）-發光二極體（LED)、一液晶 顯示器（LCD )、一 #仲 > 札0 )&伙打物品、-薄膜電池、一電色物品 =機電致發光裝置（〇ELD)。通常，將該功能結構構 以、一堆叠’例如’包含電極層、電子輸送層或電洞輸送 層及一作用結構’該作用結構（例如）執行—轉換過程（電 光或光電）或具有取決於,,, . 、頁取决於電特性（例如，電儲存量）或光 透射率或反射率的物理特性。 該功能結構可藉由該障壁結構、一基板及一周邊密封 劑材料來囊封。若該基板係由諸如玻璃或金屬之無機材料 製，則此種囊封為合適的，該無機材料形成對抗濕氣及 大氣令存在的可能對該功能結構有害的其他物質的有效障 壁。若該電子裝置為可撓性的，貝其為有吸引力的。在此 種情況下，諸如玻璃或金屬之硬質基板為不合適的。 根據本發明之電子裝置之一實施例包含配置於與該障 壁結構之側相對的該功能結構之側處的另一障壁結構。該 201029121 障壁結構與該另一障壁結構藉由一周邊密封劑耦接在一 起°亥障壁、结才冓、該另一 ρ章壁結構及該周it密封劑囊封該 亦：構。在此種情況下’該基板無需為無機材料，而是 可使用通常較可撓之有機材料。 根據本發明之另— 复之方沬 態樣’提供一種用於製造一電子裝 孓万去，该方法包含 * y u下步驟 -藉由以下步驟接 ^ 仏至少一經圖案障壁結構 徒供一第一無機層， •提供一具有至少 —凹處之有機層， -在該有機層處提 攸供一第二無機層， -將一收氣劑材料 中， 从一次沒方式容納至該至少一凹處 -在包含該第二無施 能結構。 热機層之該障壁結構之侧處提供一功 在一實施例中，兮亡m 〇 Ο 备丨u μ有機層具備複數個凹處，且該收氣 和材料以小於該等凹處 外之鬲度的厚度沈積於該等凹處中。 灰秘實務ι θ第—無機層等形地覆蓋該有機層且該第二 無機層具有一大體上 崖 、於該有機層中之該等凹處的高度的 又，以使得該有機届由 « ^ 脅中之凹處的高度大體上等於該障壁 哨中之凹處的高度。 根據此種方法，該楚 . 今^ 邊第二無機層係铺設於該有機層處， 咬有機層已圖案化有5, , 凹處。以此方式，獲得一大體 疋建續之第二盔機層 δ ^ …增該收氣劑材料係以一浸沒方式鋪設 芝該至少一凹處中。 四此’即使所製造之電子裝置撓曲’ 201029121 但僅蓋之材料接觸該功能結構，以使得歸因於該收氣劑材 料與該功能結構之間的接觸的有害效應得以避免。由一額 外黏接層進行之保護得以避免，以使得在存在該功能結構 之情況下有害物質可流向不受阻礙之收氣劑材料。 【實施方式】 參看圖式更詳細地描述此等及其他態樣。 在以下詳細描述中，陳述眾多特定細節以便提供對本 發明之澈底理解。然而，熟習此項技術者應理解可在無此 ❹ 等特定細節之情況下實踐本發明。在其他情況下，未詳細 描述熟知方法、程序及組件以免混淆本發明之態樣。 在下文參看附圖來更充分地描述本發明，本發明之實 施例展示於附圖中。然而，本發明可以許多不同形式來具 體化且不應被理解為限於本文所陳述之實施例。相反，提 供此等實施例，以使得本揭示案將為澈底且完整的，且將 本發明之範疇充分傳達給熟習此項技術者β在諸圖中，為 清楚起見，可誇示層及區之大小及相對大小。本文中參看 ❹ 為本發明之理想實施例（及中間結構）之示意圖的橫截面 圖來描述本發明之實施例。因而，應預期由於（例如）製 造技術及/或容差而引起的相對於該等圖之形狀的變化。因 此，本發明之實施例不應被理解為限於本文所說明之區之 特定形狀，而應包括由（例如）製造導致之形狀偏差。因 此’諸圖中所說明之區本質上為示意性的，且其形狀不竟 欲說明裝置之區之實際形狀且不意欲限制本發明之範_。 10 201029121 應理解，當一元件或層被稱為「在」另一元件或層 「上」、「連接至」或「耦接至」另一元件或層時，其可直 接在該另一元件或層上、連接或耦接至該另一元件，或可 存在介入元件或層。相反’當一元件被稱為「直接在」另 一元件或層「上」、「直接連接至」或「直接耦接至」另一 元件或層時’不存在介入元件或層。相似數字在全文中指 相似元件。如本文所使用，術語「及/或」包括相關聯之所 列出項中之一或多者的任何及所有組合。 應理解’雖然本文中可使用術語第一、第二、第三等 等來描述各種元件、組件、區、層及/或區段，但此等元件、 組件、區、層及/或區段不應受此等術語限制。此等術語僅 用以區別-元件、組件、區、層或區段與另一區、層或區 段。因此，在不偏離本發明之教示的情況下，下文所論述 之一第一兀件、組件、區、層或區段可被稱為一第二元件' 組件、區、層或區段。 ❹ • · · · · · 下 為易於描述，在本文中可使用諸如 在 ...下方」、「下方」、「在...·.·上方」、「上方」及其類 似者之空間相關術語來描述諸圖中所說明之—元件或特徵 與f 一（些）元件或特徵的關係。應理解，該等空間相關 吾意欲包含除了諸圖中所描緣之定向外的裝置在使用中 或操作中的不同定向。舉例而言，若翻轉諸圖中之裝置， 則把述為「在」其他元件或特徵「下方」《「下 將因此定向為「在」其他元件或特徵「上方」。因： 性術語「在……下方」可包含「在……上方」：在：: 201029121 下方」之定向兩者。該裝置可以其他方式定向（旋轉9〇度 或處於其他定向），且相應地解釋本文所使用之相關空間描 述詞。

除非另有定義，否則本文所使用之所有術語（包括科 技術語）具有與一般熟習本發明所屬技術者所通常理解之 涵義相同的涵義。應進一步理解，術語（諸如，在常用辭 典中所定義之術語）應被解釋為具有與其在相關技術之情 形下的涵義一致的涵義且除非本文中明確定義否則將不以 理想化或過度正式之意義來加以解釋。在發生衝突之情況 下，本說明書（包括定義）將起支配作用。另外，材料、 方法及實例僅為說明性的且不意欲為限制性的。 圖1及圖2展示根據本發明之電子裝置丨。圖2展示由 據圖1中之II-II的橫截面。該電子裝置包含一由至少—玲 壁結構20保護的包含一或多個層之功能結構1〇，該障壁矣 構20包含一第一無機層21、一有機層以一面向該功會 、^構10之第一無機層23，該有機層22配置於該第一無书 層21與該第二無機層23之間，該障壁結構2〇具備至少一 凹處24, 一收氣劑材料30浸沒於該至少一凹處24中。二 收氣劑材料30與該有機層22由該第二無機層23隔開。: 等凹處24具有深D及直徑D。在一較佳實施射，該释 度h可在20微米至3〇〇微米之範圍中。若該等凹處之深芳 大體上小於20微米，例如，為1〇微米則必須填充相董: 大數目個凹處以獲得對於包含該功能結構之空間而言足 量的收氣劑材料。又，達成該等收氣劑材料浸沒至深度> 12 201029121 體上小於】〇微米之凹處 深度大體上大於扇微米4相對困難且因而昂貴的。若該 等凹處為相對因難且因而j如，4 500微米，則產生該 500微米之範圍中，例如/㈣。該直控可在100微米至 為約300微米。若該吉您_士辨p 小於咖微米，則容積亦為小的， ^體上 個凹處以在該裝置内具有. ’充相對咼數目 大體上較大，例如，大於5〇收氣劑材料。若該直徑 者， ；〇〇微米，則由其中具有收氣劑 ❹ 之凹處形成的結構變成清楚 有收㈣ 及圖2中，為清楚起見，，Γ 希。在圖1 ^绔不凹處24之直徑。該等凹處之 間的距離可在50微米至50 處之 公分。 刀之範圍中。-較佳值為約i ，該等凹處可不必具有凹坑之形式。或者，該等凹處可 形成為狹縫、凹槽、溝槽等等。 在所示之實施例中，該等凹處具有對應於有機層Μ之 厚度的深度。實務上，該深度將不足以保證無機層21與23 之間的良好去耦。 ' 經由一平坦化層42將障壁結構20鋪設於—基板4〇 處。該基板為（例如）聚合物，諸如pET(聚對苯二甲酸乙 二醋）或PEN(聚萘二甲酸乙二醋）或pc(聚碳酸⑺層。 若在透明性為所要時（例如，對於頂射型〇LE〇或對於電 色裝置），則後幾種材料尤其合適。該基板可（例如）具有 小於250微米之厚度，例如為，125微米或5〇微米。如具 有歐洲申請號08151524.9之較早申請案P83333Ep〇〇中= 描述’一基板可甚至不存在於完成之產品中。在此申請案 13 201029121 中針對有機裝置描述一製造過程，其中在完成該製造過 程後移除一基板。 該障壁結構2G中之無機層21、23可包括但不限於金 屬陶竞、氫化化合物、及其組合。合適金屬可包括但不 限於Al、Ti、Ni、Cr。陶瓷可包括但不限於：金屬氧化物， 諸如，氧化銦（In2〇3 )、氧化錫（Sn〇2 )、氧化銦錫（IT〇 )、 氧夕（Si〇x )，金屬氮化物，諸如，氮化銘（αιν )、氮化 矽（SiN);碳化物，諸如碳化矽；金屬氮氧化物，例如， 氮氧化^或任何其他組合，諸如，㈣碳氧化物、金屬 碳氮化物、金屬氮碳氧化物。氫化化合物可包括非晶氫化 SiN ( a-SlN:H )、非晶氫化碳（a_c:H )、非晶氫化碳化矽 及上述陶究化合物之氣化變體。在半完成之產 品意欲用於製造具有光學功能之電子裝置的情況下可選 擇大體上透明之陶曼，諸如，氧化石夕（si〇小氧化紹 (ai2〇3)、氧化鈦(Ti〇2)、氧化銦（In2〇3)'氧化錫（ho。、 氧化銦錫（IT〇’In2〇3+Sn〇2)、（SiC)m%(s 及其組合。 第-無機層及第二無機層23可具有在1〇奈米盥 5000奈米之間的範圍中的厚度。藉由原子層沈積 ^ 厚度為1G奈米之已足夠緊密之層。若厚度進-步增加，則 進-步改良耐雜。然而，當高於5_奈料，未獲得進 一步改良。較佳地，無機層21及23之厚度係在5G夺 奈米之㈣範圍中。自5G奈米之厚㈣，亦可以較快 塗佈方法（諸如，電漿塗佈及減鍍技術）料足夠緊密之 201029121 塗層。至多300奈米之厚度具有產品保持可挽性之優點。 障壁結構20中之有機層22可由交聯（熱固性）材料、 彈性體、直鏈聚合物或分支或超分支聚合物系統或前述各 者之任何组合提供，其視情況填充有大小足夠小以仍保證 光透射的無機微粒。自溶液處理該材料或作為1〇〇%固體材 料來處理該材料。藉由用UV光、可見光、紅外線光或熱、 電子束、伽瑪射線或前述各者之任何組合照射純淨的或以 光敏或熱敏自由基或超酸引發劑合適地配製之濕材料，可 例示性地發生固化或乾燥。該有機層之材料較佳具有低比 水蒸氣穿透率及高疏水性。 合適交聯（熱固性）系統之實例為脂族或芳族環氧丙 稀酸醋、丙稀酸胺基甲酸酿、聚酿丙稀酸醋、聚越丙稀酸 醋、飽和烴丙稀酸酉旨、環氧化物、環氧胺系統、環氧叛酸 組合、氧雜環丁烧、乙稀喊、乙稀衍生物及硫醇稀系统中 ^任何單-者或任何組合。彈性體材料之合適實例為聚石夕 ❹氧烧。合適分支或直鍵聚合系統之實例為聚丙稀酸醋、聚 醋、聚喊、聚丙稀、聚乙稀、聚丁二稀、聚降冰片稀、環 稀共聚物、聚偏二氟乙稀、聚偏二 四氟乙烯、聚三氟氯乙稀、聚六氣丙稀中之者: 任何共聚物或物理組合。 一

取決於收氣劑材料之高度，有機層U 米與300微米之間的範圍中的厚度，較佳在^微 jl> BB , 佳1在5微米與5〇禅 米之間。-般而言，較薄有機層實現後續 與50微 長擴散路徑。另一方面，較厚有機層具有對灰塵= 15 201029121 粒之較好囊封且因m為下一無機層提供較好平坦化的優· 點。 該功能結構1〇可靠在該第二無機層23上。或者，一 氣隙可存在於該功能結構10與該第二無機層23之間以促 進物質向收氣劑材料30擴散，曲該電子裝置時，該功 能性結構1G觸碰該第二無機層23仍可發生。由於收氣劑 材料30浸沒於凹處24中，因此在該功能結構⑺永久地或 在裝置1之彆曲期間觸碰該第二無機層23時，收氣劑材料 30與功能結構10之間可能不存在有害相互作用。 ❹ 、該功能結構10可為一電光結構，其將電信號轉換成（改 變成）光可债測現象’例如’該電光結構可將電流轉換成 (了見）輻射，或其可具有根據施加至其之電壓而變的可 變反射率或透射率。或者’該功能結構10可為光電結構， 其將入射輻射轉換成電信號。 圖3展示功能結構10之一實例。該功能結構丨〇包含 一第一透明、導電層12’例如，一透明傳導金屬氧化物層， 例如’氧化銦錫（IT0)層、氧化辞（Zn〇)層或氧化錫（Sn〇) 〇 層。該第一透明導電層12具有在50奈米至3〇〇奈米之範 圍中（例如，150奈米）的厚度。或者或另外，可使用諸 如PED〇T之足夠傳導之透明有機材料或薄金屬。該功能結 構包含-第二導電、未必透明之層14，例如，與具有在1〇〇 奈米至400奈米之範圍中的厚度的鋁層組合的具有約$奈 米之厚度的鋇層。 丁 可以熟習此項技術者所知之方式將該等導電層1214 16 201029121 連接至各別外部導體。鲂 較佳根據由同一申請者申請且對應 於P84923EP00的較早申过士 t 卞T咐之歐洲專利申請案08161840.7 應用一連接。 作用結構16夾於該第一傳導層12與該第二傳導層 之間取决於其功能’該作用結構i 6可包含一或多個功 能層。舉例而言，在該電子裳置為〇LED之情況下，該功 能結構包含-有機發光材料（諸如，聚纟ppv)之至少一 ❹層或包括諸如IrPy之發射體的小分子之層堆疊及混合物。 另外，該作用、结構可包含一在該發光材料層與形成陽極之 導電層之間的電洞注人層（HIL)及或—在該發光材料層與 形成陰極之導電層之間的電子輸送層。合適材料為（例如） 在呂、銅或銀。 在S亥電子裝置為光伏打電池之情況下，該作用結構可 包含電子供給層與電子接受層之組合。舉例而言，該第一 傳導層為—具有125奈米之厚度的ιτ〇層，且該第二傳導 〇 層為一具有1〇〇奈米之厚度的鋁層，其間配置一對有機 層，例如，75奈米PEDOT及100奈米摻合層 (MDMO-ppv ： PCBM 1 ： 4) 〇 在圖1及圖2之實施例中，該功能結構1〇藉由該障壁 層2〇、該周邊密封劑52及該基板50囊封。若該基板係由 諸如玻璃或金屬之無機材料製成，則此類囊封為合適的。 此等無機材料形成對抗濕氣及大氣中存在之可能對該功能 結構有害的其他物質的有效障壁。若該電子裝置為可撓性 的 則其為有吸引力的。在此種情況下，諸如玻璃之硬質 17 201029121 基板為不合適& β ^ ΒΒ ω 的。然而，可使用金屬箔片。若需要可撓性 及透明性兩者 ^ ’則可使用如圖4中所示之實施例。 圖4展-4 不根據本發明之電子裝置之一實施例，其包含 配置於與該障

早璧…構20之側相對的該功能結構1 〇之侧處 的另$壁結構120。對應於該障壁結構20的該另一障壁 、°構12〇之部分具有高10〇之參考數字。該障壁結構20與 該另一障壁結構120藉由周邊密封劑52耦接在一起。該障 壁結構20該另一障壁結構i及該周邊密封劑$2囊封該 功能結構10。在此種情況下，該基板140可為可撓性材料， 諸如，聚合物，諸如，PET (聚對苯二甲酸乙二酯）或pEN (聚萘二甲酸乙二酯）或PC (聚碳酸酯）層β經由另一平 坦化層142將該另一障壁結構12〇鋪設於基板14()處。在 此實施例中’該另一障壁層120亦具備凹處24，其中浸沒 有一收氣劑材料30。 根據本發明之電子裝置之製造過程將通常包含多個處 理步驟’諸如，展開及重繞箔片、轉移箔片之薄片、切開 及層壓箔片、預處理表面、用無機層塗佈表面、用有機層 塗佈表面、用經圖案化有機層塗佈表面、圖案化均一沈積 之塗層、使塗層固化。 根據本發明之製造電子裝置之方法的關鍵步驟展示於 圖5Α至圖5F中。在分別展示於圖5Α至圖5D之步驟S1 至S4中，鋪設一經圖案化障壁結構20 ^在圖5Α所示之步 雜S1中’此處，在&供於一基板40處之平坦化層42處舖 設該障壁結構20之第一無機層21。 18 201029121 該無機塗層沈積製程可為此項技術中已知之任何製程 (物理氣相沈積、化學氣相沈積、電漿沈積、溶膠凝膠及 其他者）。 ^ ❹

G 基板40促進對構造中之基於薄膜之裝置的處理，因為 其向該裝置提供剛性。可能希望在稍後製造階段移除基板 〇以便改良（半疋成）產品之可撓性。可取決於基板是 否與忒產品伴隨且若如此則取決於該產品之所需剛性，自 各種㈣選擇該基40^該基板與該（半完成之）產品 伴隨且间可挽性為所希’則可使用聚合物之基板，諸如， PET (聚對苯三甲酸乙二_)或pEN (聚萘二甲酸乙二酿） 或c (聚石反酸g曰）層。該基板可（例如）具有小於25〇微 ；厚度例如，為125微米或50微米。取決於應用，其 他材料亦適合於該基板。舉例而m品無需為透明的 (例如，對於電池而言），則可使用金屬ή。金屬猪片亦 適合作為背離輕射方向之0LED之側處的基板。或者，若 可撓!·生並非所希或若在製造過程期間自該（半完成之）產 品移除該基板’則可或者使用—玻璃基板。 在圖5B中所示之第二步驟S2中，鋪設一有機層22。 在步驟S3中’如圖5C中所示，圖案化該有機層。 有機塗層沈積製程可為此項技術中已知之具有進行均 及/或、！圖案化沈積之能力的任何製程（凹版印刷、柔性 印刷、喷墨、移印、絲μ & & 轉移塗佈、物理氣相沈積、化學氣相 沈積《漿沈積及其他者）。其中具有凹陷之有機層部分可 藉由使用僅在該等部分意欲存在的彼等區域中沈積有機層 19 201029121 的絰圖案化沈積製程或藉由應用後圖案化製程來 例而言，可藉由軟微影來形成該有機層中之圖案凹= 此種情況下，將一印模（例如，PDMS橡膠印模）壓印至在 部分反應之有機層中。因而’可形成可具有高達1〇之縱橫 比的凹陷》或者，可使用其他方法（諸如，光微影）直接 或與各向異性钱刻一起產生該經圖案化之有機去麵層。 在步驟S4中’如圖50中所*，在該有機層22處鋪設 該第一無機層23。該第二有機層23經鋪設以使得與該有機 層22等形之無機層23得以獲得。 在步驟S5中’如圖5E中所示，將一收氣劑材料3〇以 浸沒方式容納至該等凹處中。較佳地，藉由一印刷方法將 該收氣劑材料30施配至該等凹處中。障壁箔片之凹處 中的收氣劑30可為一或多種厚膜收氣劑。此等收氣劑可包 括對分散於可固化有機結合劑中之水蒸氣及諸如〇2之其他 氣體具有高吸附能力的材料之細小微米或奈米大小之微 粒。該厚膜收氣劑在障壁結構20之凹處24中沈積至3微 米至100微米之厚度範圍，但始終小於凹處之高度，且較 佳約10微米。 可使用注射器施配或網板印刷製程來將該厚膜收氣劑 沈積於所要位置中。市售厚膜收氣劑材料之實例可以 STAYDRY SD1000 及 HICAP 2000 之商標名購自 Alpharetta, GA之Cookson Electronics公司。其他形式之厚膜收氣劑論 述於頒予Cho等人之美國專利申請案公開案第 2006/0088663 號及第 2005/0104032 號中。 20 201029121 如本文所描述，藉由將該厚膜收氣劑組合物沈積至基 板上且使該厚膜固化來將該厚膜組合物接合至該基板。取 決於裝置結構及所需效能，可藉由糊狀物之依次沈積來控 制該收氣劑膜之厚度。在單次印刷及固化後的該厚膜收氣 劑之典型厚度在10微米至30微米之範圍中。 然而，較佳地，鋪設於該等凹處中之收氣劑無添加劑。 可選擇各種乾燥劑材料作為該收氣劑，諸如，分子篩 (或沸石）、鹼土金屬氧化物、金屬氧化物、硫酸鹽、氣化 ° 物、溴化物。沸石尤其合適6沸石為藉由物理吸收來吸收 濕氣的材料且可以天然方式或以合成方式得到，兩者均為 〇適的天然/弗石為銘及納或舞或兩者之水合碎酸鹽，類 型為Na2〇、Al2〇3、xH2〇及xSi〇2。合成沸石係藉由凝膠製 程或黏土製程來製成，其形成被添加沸石的基質。熟知之 沸石包括菱沸石（亦被稱作沸石D)、斜發沸石、毛沸石、 八面沸石（亦被稱作沸石X及沸石Y)、鎂鹼沸石、絲光沸 ❹石、沸石A及沸石p。舉例而言，類型3A、4A及ΐ3χ沸 石皆具有吸收水分子之能力。此等沸石包含Na2〇、Al2〇3 及Si〇2。某些吸收收氣劑可吸收除了濕氣外之氣態污染 物，諸如，氣態H2及〇2。 ;f料凹處具有足夠纟之直徑，則彳藉由雙面膠帶將 该收乳劑鋪設於其中。在此種情況下，該等凹處之深度應 大於該雙面勝帶之厚度。通常，此膠帶具有在25微米至50 微米之範圍中的厚度。此外，該等凹處應具有至少25〇微 米之最小橫向尺寸以使得能夠應用雙面膠帶。 21 201029121 或者，在將該收氣劑材料舖設至凹處中之前可將一黏 接材料舖設於該等凹處中。 在圖5F中所示之步驟86中，提供一功能結構。該 功能結構10存在於—載趙5G4。該載體5G為（例如）玻 璃板’但另外可為具備另一障壁結構之有機基板。藉由密 封劑52將具有該功能結構之該載體5〇附接於包含該第二 無機層23的該障壁結構2〇之側處。 密封劑之可能實例為（例如）均勻地填充有乾燥劑材 料的環氧樹脂基、UV可固化黏接劑。 很骒此種方

以矛—你偶i鬌溯改仍' 錄,機廣處

該有機層已圖案化有至少1處。以此um大 連續之第—無機層。該收氣劑材料係以—浸沒方式舖 至該至少-凹處中。因&，即使所製造之電子裝置撓曲 但僅蓋之材料接觸該功能結構，以使得歸因於該收氣劑 料與該功能結構之間的接觸的有害效應得以避免。由一 夕^黏接層進行之保護得以避免以使得在存在該功能結構 情況下有害物質可流向不受阻礙之收氣劑材料。 應解術&含」及/或其變體在本 時指定所述特徵、敕胁 i 整體、步驟、操作、元件及/或組件之 ，但不排除-或多個其他特徵、整體、步驟'操作、 二「= 其群組的存在或添加°在ψ請專利範園中 數匕：」『排除其他元件或步驟，且詞「-」不排除 若 單疋可實現申請專利範圍中所述 目的功能。僅某些量度敍述於相互不同之申請專 22 201029121 範圍項中的事實不指示不可有利地使用此等量度之組合。 申請專利範圍中之任何參考符號不應被理解為限制範疇。 另外，除非明確地相反規定，否則「或」指包括性或 且非排他性或。舉例而言，條件A或B由以下各者中之任 一者滿足：A成立（或存在）且b不成立（或不存在）；a 不成立（或不存在）且B成立（或存在）；及A及B兩者均 成立（或存在）。 【圖式簡單說明】 圖1展示根據本發明之電子裝置之第一實施例， 圖2展示根據圖1中之π_η的橫截面， 圖3展示圖1之細節， 圖4展示根據本發明之電子裝置之第二實施例， 圖5Α說明根據本發明之製造電子裝置之方法的第一步 驟， g 圖5Β說明根據本發明之製造電子裝置之方法的第二步 驟， 圖5C說明根據本發明之製造電子裝置之方法的第三步 驟， 圖5D說明根據本發明之製造電子裝置之方法的第四步 驟， 圖5Ε說明根據本發明之製造電子裝置之方法的 驟， 圖5F說明根據本發明之製造電子裝置之方法的第六步 23 201029121

【主要元件符號說明 1 :電子裝置 10 :功能結構 12 :導電層 14 :導電層 16 :作用結構 20 :障壁結構 21 :第一無機層 22 :有機層 23 :第二無機層 24 :凹處 30 :收氣劑材料 40 :基板 42 :平坦化層 50 :基板 52 :周邊密封劑 120 :另一障壁結構 140 :基板 142 :另一平坦化層 D :直徑 h :深度

Claims (1)

1. 201029121 - 七、申請專利範圍： h種電子裝置（丨），其包含一由至少一障壁結構（20) 保濩之功能結構（10 )，該至少一障壁結構（2〇 )包含一第 一無機層（21)、一有機層（22)及—面向該功能結構（1〇) 之第二無機層（23)，該有機層（22)配置於該第-無機層 (21 )與该第二無機層（23 )之間，該障壁結構（)具 備至少一凹處（24) ’ 一收氣劑材料（3〇)浸沒於該至少一 凹處（24)中’該收氣劑材料（3〇)與該有機層（22)由 © 該第二無機層（23)隔開。 2.如申請專利範圍第丨項之電子裝置，其中該障壁結構 (20 )具備複數個凹處（24 )，且其中該收氣劑材料以一小 於該等凹處之高度的厚度沈積於該等凹處中。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之電子裝置，其中該功能 結構（1 〇 )包含至少一有機層（丨6 )。 25 201029121 7. -種用於製造一電子裝置之方法，其包含以下步驟： 藉由以下步驟提供至少一經圖案障壁結構： 提供一第一無機層（S1)， 提供—具有至少一凹處之有機層（S2、S3)， 在該有機層處提供一第二無機層（S4)， 將一收氣劑材料以一浸沒方式容納至該至少一凹處中 (S5)， ❿ 在包含該第二無機層之該障壁結構之側處提供一 結構（S6)。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中有機層具備複數 個凹處（24)，且其中該收氣劑材料以一小於該等凹處之高 度的厚度沈積於該等凹處中。 门 9. 如申請專利範圍第7或8項之方法，其進一步包含以 :步驟：在與該障壁結構之側相對的該功能結構之一侧處 提供另一障壁結構，及藉由該障壁结構、該$ 1壁结構 及—周邊密封劑囊封該功能結構，該周邊密封劑 壁結構與該另一障壁結構。 八、圖式·· (如次頁） 26