TW201014652A - Membrane cleaning method and apparatus - Google Patents

Description

201014652 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種薄膜清洗方法與裝置，且特別是 一種加電清洗的薄膜清洗方法與裝置。 【先前技術】 薄膜淨水處理之應用日趨廣泛’為未來關鍵核心技 ❿ 術，且全球水處理應用之薄膜市場預計將於2010年超過 430億元。然而，薄膜堵塞仍為目前無法克服的技術瓶頸， 造成每年薄膜淘汰率約有20 %之不經濟情況，使得薄膜阻 塞(Membrane fouling)的問題造成市場限制與應用價值降 低。 薄膜積垢的發生使通量（Flux)衰減或透膜壓力 (Trans-Membrane Pressure, TMP)增加，此時薄膜則必須進 行清洗以利回復處理效能。然而，薄膜通量會隨著薄膜清 φ 洗次數增加而減少，或造成薄膜清洗時間啟動點之間距縮 小，此乃因薄膜不可回復濾阻之比例提高所致，亦即薄膜 清洗技術未能充分發揮，故導致薄膜壽命縮短、通量降低 等狀況發生，而增加了操作及維護成本。 圖1繪示薄膜通量與時間的關係圖，薄膜通量會隨著 使用時間而逐漸降低，而當薄膜通量降低至特定值時（圖中 以黑點表示），便要進行薄膜清洗以恢復薄膜通量。然而， 薄膜在經過清洗後，薄膜通量的最大值會逐次降低，使得 薄膜清洗的時間間距會逐次減少，薄膜效能與產能因而降 低。 201014652 薄膜阻塞的原因大致可分為三種，分別為膜孔封閉 (pore closure)、膜孔堵塞(p〇re _辟㈣與餅層堆積（此 formation) ’其中又以膜孔堵塞最難清除而成為薄膜通的最 大值逐次降低的主因。 目前薄膜清洗方法主要有水洗，化學藥洗與週期性超 音波震盪等等。在目前實務上，清水逆洗的方式是最為普 遍’但效果，差’且對去除膜孔堵塞之現象較不具效果。 φ 此外，化學藥洗的效果較佳，但會產生有毒或污染之廢水， 因為化學清洗劑可能包含驗、酸、清潔劑與氧化劑如次氯 酸，使得會衍生有毒或污染廢水問題，較不環保，且成本 咼。另外，超音波無法針對反應槽内所有薄膜進行清洗， 均勻性較差，且較無法有效恢復由孔洞阻塞所損失之通量。 【發明内容】 有鑑於此，本發明提供一種薄膜清洗裝置及薄膜清洗 方法’可使溥膜在清洗後能回復至更接近於初始狀態時之 通量’能有效消除薄膜結垢（Scalling)與生物性堵塞 (Bio-fouling) ’並可有效排除(p〇re piUgging)的問題，使薄 獏可有效使用以解決薄膜淘汰的不經濟現象。 本發明提出一種薄膜清洗裝置，可應用於板框式淨水 薄膜上’此薄膜清洗裝置包括二個電極板與過濾單元，苴 中過濾單元是配置於這些電極板之間。過濾單元包括支撐 板與薄膜’而薄膜是配置於支撐板上。 本發明另麵:出一種薄膜清洗裝置’可應用於中空纖維 式淨水薄膜上’此薄膜清洗裝置包括二個電極板與過遽單 6 201014652 元，其中過濾單元是配置於這些電極板之間。過濾單元包 括電極線與薄膜’而薄膜是捲繞於電極線上。 本發明又提出一種薄膜清洗裝置，可應用於捲式淨水 薄膜上，包括第一電極片、第二電極片、第三電極片、第 一薄膜以及第二薄膜，其中第一薄膜是疊合於第一電極片 與第二電極片之間’而第二薄膜是疊合於第二電極片與第 三電極片之間，且第一電極片、第一薄膜、第二電極片、 第二薄膜與第三電極片是捲繞成筒狀。 本發明又提出一種薄膜清洗方法，包括下列步驟：提 供薄膜，並於薄膜之區域產生電場，以及對薄膜進行逆洗 程序。 綜上所述，在本發明之薄膜清洗裝置與薄膜清洗方法 中’藉由對薄膜所在的區域通入電場，可暫時改變薄膜的 狀態’甚至增大薄膜的孔隙，藉此大幅提升清水逆洗的效 果’以有效清除膜孔堵塞(pore plugging)等等積垢物，解決 生物性堵塞(Bio fouling)及薄膜結垢（Scalling)問題。 為讓本發明之特徵和特點能更明顯易懂，下文特舉較 佳實施例’並配合所附圖式，作詳細說明如下。 【實施方式】 圖2A與圖2B為依據本發明一實施利之薄膜清洗裝置 的剖面側視示意圏。請先參考圖2A，本發明之薄膜清洗裝 置f〇〇包括二個電極板212、214與過濾單元220，其中過 滤f元220是配置於這些電極板212、214之間。此外。過 /慮單220包括支撐板222與薄膜224，而薄膜224是配 7 201014652 置於支撐板222上，並用於過濾原水以產生淨水。 在本實施例中，薄膜224可為逆滲透(Reverese Osmosis, R〇)薄膜’不過本發明並不限定薄膜224的種類，舉例而 吕’薄膜224亦可為奈米過濾、(Nanofiltration，MF)薄膜、超 過濾（Ultrafiltration，UF)薄膜、微過濾(Microfiltration, MF) 薄膜或是其他合適種類的過濾薄膜。 承接上述，薄膜224是承靠於支撐板222的導水溝渠 ❾ 面222a上’而在薄膜224濾、水的過程中，原水52(圖中以 箭號表示）會通過薄膜224過濾而進入導水溝渠面222a。支 撐板222之導水溝渠面222a具有導水結構（未繪示），可將 通過薄膜224後的淨水54(圖中以箭號表示）收集，而從支 撐板222上方的集水孔222b排出。 請參考圖2B，當薄膜224過濾原水一段時間後，便需 進行清洗的程序。在本實施例中，首先是將電極板212、 214通入電源，以使電極板212具有第一電極性，並使電 ，❿，板214具有第二電極性，藉此於薄膜224的區域產生電 場。在本實施例中，第一電極性例如為負極性，而第二電 極性例如為正極性，不過本發明亦不限定第一電極性與第 二電極性何者為正極性或是負極性，且於操作上可為正負 極交替。 接著’將清水56自集水孔222b通入進行逆洗製程， 以將薄膜224上的積垢物洗出，而通過薄膜224後的水質 便疋帶著積垢物的濁水58。換句話說，本發明便是藉由改 變1膜224區域的電場而增加清水逆洗的效果’而本發明 加『電』之清水逆洗方式的效果優於傳統的清水逆洗、化 8 201014652 學藥洗或疋超音波震盪，且不會有任何化學物殘留。以下 將分段簡述加『電清洗』的特點。 (1)加電清洗』可隨水質與薄膜積垢物狀態，調控薄 .膜224表面的電斥力（Eleetr〇static repulsi〇n)或表面電位 (Surface potential)，可使附著顆粒或積垢物離開膜面之機會 增加，此時以清水逆洗則可提高薄膜224表面之清洗效 果。此外，本發明更可輔以下方掃流氣泡對薄膜224表面 沖刷，以更進一步提升清洗的效果。 ® (2)胞夕卜 1 合物（Extracellular Polymeric Substances， EPS)為薄膜224造成有機性堵塞(Bi〇_fouHng)之原因，加 『電清洗』則可破壞胞外聚合物（Extracellular Polymeric Substances，EPS)與薄膜224表面的連結，使積垢物經由電 場環境作用下與薄獏224表面脫離，達到薄膜224清洗效 果。 (3) 微生物及細菌在電場環境下，會隨接觸時間增加而 去活性化，而具殺菌消毒效果。此外，若在清水中加入氣 ❹ 化鈉（鹽NaCl)，則可電解產生次氯酸、氯氣，則更具薄膜 * 清洗殺菌功效。當然’儘管本發明木需於清水中加入任何 化學洗淨物便可達到優良的洗淨效過，不過本發明亦可於 清水中加入適當的化學洗淨物以進一步提升洗淨效果。 (4) 加『電清洗』可在電滲透效應下可增加薄膜通量， 亦即代表清洗通量增加’沖刷力提高而使清洗效能增加。 (5) 薄膜224膜孔結構受電場作用力導致變化，藉此可 解決最難處理的膜孔堵塞(pore plugging)問題，卡在膜孔的 顆粒因膜孔結構改變，而有較多的機會被洗出。 9 201014652 (6)清水逆洗無需加化學藥洗，屬於綠色環保技術，且 清洗效果均勻性佳。 在本實施例中，支撐板222的材質例如為壓克力或塑 膠，而電極板212、214的材質例如為石墨、複合金屬或不 錄鋼、鑽石電極等等導電材質，不過本發明並不限定支撐 板222與電極板212、214的材質。 圖3A為依據本發明另一實施例之薄膜清洗裝置的剖 ⑩ 面側視示意圖。請參考圖3A，本實施例之薄膜清洗襞置 3〇〇與前述之薄膜清洗裝置2〇〇(如圖2A所示）相似，其差 別在於過濾單元320之支撐板322的材質為導電材質，且 支樓板322的兩個導水溝渠面322a均可配置薄膜224。在 本實施例之清洗過程中，首先是將電極板212、214與支撐 板322通入電源，以使支撐板322具有第一電極性（負極 性）’並使電極板212、214具有第二電極性(正極性），藉此 •於薄膜224的區域產生電場。 鲁 接著’將清水56自集水孔322b通入進行逆洗製程， . 以將薄膜224上的積垢物洗出，而通過薄膜224後的水質 便是帶著積垢物的濁水58。熟悉此項技藝者當可輕易理 解，於此便不再贅述。 此外，以前述之實施例為基礎原型，更可延伸出多個 過濾、單元的薄膜清洗裝置’而如圖3B與圖3C所示。在圖 3B中’薄膜清洗裝置3〇〇a僅是在兩個電極板212、214之 間再配置多個過濾單元320,而在圖3C中之薄膜清洗裝置 3〇〇b則更進一步在過濾單元320之間再配置電極板316， 教將電極板316通入電源以使電極板316具有第二電極性 201014652 (正極性）。熟悉此項技藝者當可依據前述說明而稍加延伸 變化’惟其均仍屬本發明之範疇内。 在本實施例中’薄膜清洗裝置可依下列啟動時機進行 清洗，而其分別為： (1) 固定時間··每隔固定特定時間極自動執行薄膜清洗 (2) 透膜壓力（TMP)閥值：當透膜壓力（TMp)超出特二閥 值時’則自動執行薄膜清洗。 ❹*⑶通量閥值：當通量降低至狀閥值時，則自動執行 薄膜清洗。 (4) 水質閥值：水質不滿足設計需求時，自動執行薄膜 電清洗。 (5) 手動執行 當然’本發明亦不限定進行薄膜清洗的時機，而薄膜 清洗裝置更可包括透膜壓力（TMP)自動監控、通量自動監 控或自動數據紀錄器等等，以於適當的時機啟動薄膜清洗^ 圖4為依據本發明另一實施例之薄膜清洗裝置的剖面 側視示意圖。請參考圖4，本實施例之薄臈清洗裝置4〇〇 與前述之薄膜清洗裝置300(如圖3A所示）相似，其差別在 於過滤單元420更包括間隙膜(Spacer)426，以進一步提升 薄膜過濾的效果，其中間隙膜426是配置於支撐板322之 導水溝渠面322a與薄膜224之間，且間隙膜426之材質為 導電材質。 、_ 在本實施例之清洗過程中，首先是將電極板212、214 與間隙膜426通入電源，以使間隙膜426具有第— (員極性）’並使電極板212、214具有第二電極性（正極性）， 11 201014652 藉此於薄膜224的區域產生雷 孔322b通入進行逆洗製程，^接著，將清水56自集 ' *，而通過薄膜224後的水質 著二：，物洗 - 值得注意的是，本發明教 者積后物的濁水58。 式，以下將在另舉實施例並配八、，過濾單元的種類與型 圖5Α與圖5Β為依據本發::：說明。… 置的立體透視示意圖。請先參一實施例之薄膜清洗裳 洗裝置50〇包括電極板512、51 ’本實施例之薄犋清 β +這些職單元520是配置於個過滤單元520 --^ 、電極板 512、514 之 μ 早兀520包括電極線522與薄膜524，而薄膜52f。過據 於電極線522上，以使過遽單元52〇的外觀形狀是锩繞 此外，本發明並不限定過據單元52〇的數量。為圓管狀。 此外，薄膜清洗裝置5〇〇更可包括導水管 水管530是連接這些職單元52〇。在薄膜$ ^導 程中，原水52(圖中以箭號表示）會通過薄膜224 =的過 β入過遽單元520之圓管中央。接著，通過進 〇水(未繪示）會順著圓管令央流向導水管53〇而排丨。後的淨 請參考圖5Β，當薄膜524過滤原水一段時間後 進行清洗的程序。本實施例首先是將電極512、514邀便需 線522通入電源，以使電極線似具有第_電生、^極 性)(未標示），並使電極512、514具有第二電極性(正（負極 藉此於薄膜224的區域產生電場。接著，將清水性一)， 自導水管530通入進行逆洗製程，以將薄膜524 ^^會示） =洗出，而通過薄臈524後的水質便是帶著積垢物的= 12 201014652 一圖6A為依據本發明另一實施例之薄膜清洗裝置 面不意圖，而圖6B為圖6A之薄膜清洗裝置的展開示二 圖。請同時參考圖圖6A與圖6B，本實施例之薄膜产= 置600包括第一電極片61〇、第二電極片62〇、第三電極^ 一笛㈣_以及第二薄膜㈣，其中第1膜630 疋疊合於弟一電極片610與第二電極片62〇之間而第二 薄膜650是疊合於第二電極片62〇與第三電極片伽: 間，且第一電極片610、第一薄膜640、第二電極片62〇、 第一薄膜650與第三電極片630是捲繞成筒狀。 此外，第一電極片610、第二電極片62〇、第三電極片 63=的表面具有導水結構，以利導引水流。在第—薄膜6仂 與第二薄膜650濾水的過程中，原水(未繪示）會由第二電 極片620的導水結構進入而通過兩側的第一薄膜與第 二薄膜650進行過濾，以進入第一電極片61〇與第三電極 片630的導水結構而被導出。 — 當第一薄膜640與第二薄膜650過濾原水一段時間 © 後，便需進行清洗的程序。本實施例首先是將第—電極片 . 610、第二電極片620與第三電極片630通入電源，以使第 二電極片620具有第一電極性(正極性)(未標示），並使第一 電極片610與第三電極片63〇具有第二電極性（負極性)(未 標示）’藉此於第一薄膜640與第二薄膜650的區域產生電 場。接著，將清水（未繪示）自第一電極片61〇與第三電極 片630之導水結構通入進行逆洗製程，以將第一薄膜64〇 與第二薄膜650上的積垢物洗出。 在刖述說明薄膜清洗裝置的過程中，均有一併說明薄 201014652 膜清洗方法。然為使熟悉此項技藝者能更加清楚前述之說 明，圖7另繪示出依據本發明之一實施例之薄膜清洗方法 的流程示意圖。請參考圖7，本發明之薄膜清洗方法主要 包括兩個步驟，首先如步驟S71所示，提供薄膜，並於薄 膜之區域產生電場；接著如步驟S72所示，對薄膜進行逆 洗程序。 前文已有詳述如何於薄膜之區域產生電場，例如以兩 個電極產生電場、電極與支撐板產生電場、電極與間隙膜 ® 產生電場，或是電極與電極線產生電場等等，熟悉此項技 藝者當可輕易理解，於此便不再贅述。 本發明之薄膜清洗方法可使顆粒較容易脫離薄膜表 面、破壞胞外聚合物與薄膜表面之黏附、並使微生物及細 菌產生去活性化現象等等。此外，在電滲透效應下通量增 加而清洗效能增加，且清洗過程不須加藥，而膜孔堵塞(pore plugging)問題亦會因膜孔結構改變，將會有較多的機會被 水洗出。 © 實驗測試：膜孔孔徑變化 ' 測試兩種微過濾薄膜(MF)材質，並以高嶺土溶液進行 測試，分別測試薄膜兩側之進料端與出水端之顆粒粒徑大 小，藉由量測通過薄膜顆粒大小來比較膜孔結構是否有所 變化。結果顯示，PE膜(Kubota)於無電場及有電場情況下， 顆粒平均粒徑從40〜50nm擴大到80〜90nm，而不織布膜 於無電場及有電場情況下，顆粒平均粒徑從20〜30nm擴 大到180〜200nm。由此可知，電場對膜孔孔徑變化有所影 響，並視材質不同則變化度有所不同。膜孔結構改變可解 14 201014652 決隶難處理的膜孔堵塞(pore plugging)問題，而卡在膜孔的 顆粒叮口膜孔結構改變，會有較多的機會被清水洗出。 實驗測試：通量與透膜壓力變化 圖8顯示電場環境下之薄膜通量與透膜壓力的實驗 圖此實驗疋以活性污泥為測試水體，反應槽運作電流為 6mA/cm以間歇式進行操作，結果顯示，薄膜於電場環 ❹丨 兄作用下會發生電渗透效應，通量增加、透膜壓力降低。 實驗測試：微生物活性測試 進行電％環境下之微生物活性測試，持續以27 7 v/mL 之操作電壓下電解水樣v並定期取樣進行菌及相關光 度值(Relative Luminosity Units, RLU)分析，以證明降低生 物活性而達到·降低生物性積垢之功效。生物活性電解實驗 測試條件及結果如圖9所示。 根據實驗結果顯示，電解後3分鐘，RLU值降低至〇。 ❹ 另外，進行菌落數分析，實驗結果顯示趨勢亦相同，於實 驗中0〜5 min’菌液CFU/ml過多無法計算，但反應1〇 min 後，菌液CFU/ml降至為〇，故證明微生物及細菌在電場環 境下，會隨接觸時間增加而去活性化，而減少薄膜產生生 物積垢現象，對逆洗將有所助益。 綜上所述’本發明之薄膜清洗裝置與薄膜清洗方法至 少具有下列特點·· 一、藉由對薄膜所在的區域通入電場，可提升清水逆 洗的效果’以有效/月除膜孔堵塞(pore plugging)等等積垢 15 201014652 物。 二、電場亦可有效清除微生物與細菌，以解決薄膜生 物性積垢問題。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ® 【圖式簡單說明】 圖1繪示薄膜通量與時間的關係圖。 圖2A與圖2B為依據本發明一實施利之薄膜清洗裝置 的剖面側視示意圖。 圖3A〜3C為依據本發明另一實施例之薄膜清洗裝置 的剖面侧視示意圖。 ' 圖4為依據本發明另一實施例之薄膜清洗裝置的剖面 側視示意圖。 © 圖5A與圖5B為依據本發明另一實施例之薄膜清洗裝 • 置的立體透視示意圖。 圖6A為依據本發明另一實施例之薄膜清洗裝置的剖 面示意圖。 圖6B為圖6A之薄膜清洗裝置的展開示意圖。 圖7為依據本發明之一實施例之薄膜清洗方法的流程 示意圖。 圖8為電場環境下之薄膜通量與透膜壓力的實驗圖。 圖9為電場環境下之相關光度值的實驗圖。 16 201014652 【主要元件符號說明】 52 :原水 54 :淨水 56 :清水 58 :濁水 200、300、400、500、600 :薄膜清洗裝置 212、214、316、512、514 :電極板 ❹ 220、320、420、520 :過濾單元 222、322 :支撐板 222a、322a :導水溝渠面 222b、322b :集水孔 224、524 :薄膜 426 :間隙膜 ' 522 :電極線 530 :導水管 ® 610 :第一電極片 ' 620 :第二電極片 630 :第三電極片 640 :第一薄膜 650 :第二薄膜 S71〜S72 :步驟 17

Claims (1)

1. 201014652 十、申請專利範圍： 1. 一種薄膜清洗裝置，包括： 二電極板； 一過濾單元，配置於該些電極板之間，而該過濾單元 包括： 一支撐板；以及 一薄膜，配置於該支撐板上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜清洗裝置，其中 該些電極板是分別具有一第一電極性與一第二電極性。 3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜清洗裝置，其中 該支撐板之材質為導電材質。 4. 如申請專利範圍第3項所述之薄膜清洗裝置，其中 該支撐板具有一第一電極性，而該些電極板是具有一第二 電極性。 5. 如申請專利範圍第4項所述之薄膜清洗裝置，其中 該第一電極性為負極性，而該第二電極性為正極性。 6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜清洗裝置，其中 該過濾單元更包括一間隙膜，而該間隙膜是配置於該支撐 板與該薄膜之間，且該間隙膜之材質為導電材質。 7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜清洗裝置，其中 該間隙膜具有一第一電極性，而該些電極板是具有一第二 電極性。 8. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜清洗裝置，其中 該第一電極性為負極性，而該第二電極性為正極性。 9. 一種薄膜清洗裝置，包括： 18 201014652 二電極板； 包括 了過遽單元，配置於該些電極板之間，而該㈣單元 電極線；以及 一薄膜，捲繞於該電極線上。 10. 如申請專利範圍第9項所述之薄膜清洗裝置 括一導水管，而該導水管是連接該過濾單元。 11. 如申請專利範㈣9項所述之薄膜清洗裝置， 該電極線具有一第一電極性，而該些電極是具有一 極性。 一电 12. 如申料職㈣U項所述之薄料洗裝置，发 中該第-電極性為正極性，而該第二電極性為負極性/、 13·—種薄膜清洗裝置，包括： 一第一電極片； 一第二電極片； ❹ 一第三電極片； 間 一第一薄膜，疊合於該第一電極片與該第二電極片 以及 間 一第二薄膜，疊合於該第二電極片與該第三電極片之 第 其中該第一電極片、該第一薄膜、該第二電極 薄膜與該第三電極片捲繞成筒狀。 ^ 中兮L4.如申請專利範圍第13項所述之薄膜清洗I置，1 一第—電極片具有一第一電極性，而 ，、 第三電極片是具有-第二電極性。 $極片與該 19 201014652 15. 如申請專利範圍第14項所述之薄膜清洗裝置，其 中該第一電極性為正極性，而該第二電極性為負極性。 16. 一種薄臈清洗方法，包括： 提供—薄膜，並於該薄膜之區域產生—電場；以及 對該薄膜進行逆洗程序。 17·+如申請專利範圍第16項所述之薄膜清洗方法，其 中於該薄臈之區域產生該電場之步驟包括：

   、提供二電極板，而該薄膜是配置於該些電極板之間； 以及 對該些電極板通入電源，以使該些電極板是分別具有 一第一電極性與一第二電極性。 ，其 且該 “·如申請專利範圍第16項所述之薄膜清洗方: 於該薄膜之區域產生該電場之步驟包括： 提供一支撐板，而該薄膜是配置於該支撐板上 支撐板之材質為金屬；

   提供二電極板， 以及 而該支撐板是位於該些電極板之間； 對忒些電極板與該支撐板通入電源，以使該支 有—第―電極性，而該些電極板是具有-第二電極性/、 中誃19·如申請專利範圍第18項所述之薄膜清洗方法，其 ° 電極性為負極性，而該第二電極性為正極性。、 20·如申請專利範圍第丨6項所述之薄膜清洗方法， ;，薄膜之區域產生該電場之步驟包括： 、 ，供—支擇板，而該薄膜是配置於該支撐板上； 提供—間隙膜，而該間隙膜是配置於該薄膜與該支撐 20 201014652 板之間，且該間隙膜之材質為導電材質； 提供二電極板，而該支撐板是位於該些電極板之間； 以及 對該些電極板與該間隙膜通入電源，以使該間隙膜具 有一第一電極性，而該些電極板是具有一第二電極性。 21. 如申請專利範圍第20項所述之薄膜清洗方法，其 中該第一電極性為負極性，而該第二電極性為正極性。 22. 如申請專利範圍第16項所述之薄膜清洗方法，其 中於該薄膜之區域產生該電場之步驟包括： 提供一電極線，而將該薄膜捲繞於該電極線上； 提供二電極板，而該電極線是位於該些電極板之間； 以及 對該些電極板與該支撐板通入電源，以使該電極線具 有一第一電極性，而該些電極板是具有一第二電極性。 23. 如申請專利範圍第22項所述之薄膜清洗方法，其 中該第一電極性為負極性，而該第二電極性為正極性。 21