TW201013282A - Liquid crystal display panel and manufacture method thereof - Google Patents

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TW201013282A TW97137115A TW97137115A TW201013282A TW 201013282 A TW201013282 A TW 201013282A TW 97137115 A TW97137115 A TW 97137115A TW 97137115 A TW97137115 A TW 97137115A TW 201013282 A TW201013282 A TW 201013282A
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Jen-Chieh Peng
Shuo-Ting Yan
Tsau-Hua Hsieh
Chao-Yi Hung
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201013282 • 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ' 本發明係關於一種液晶顯示面板及該液晶顯示面板之 製造方法。 【先前技術】 目前,液晶顯示裝置廣泛應用於個人電腦、個人數位 助理(Personal Digital Assistant,PDA)、行動電話、電視及 多種辦公自動化與視聽設備。液晶顯示裝置之輝度係判斷 ©其品質優劣之重要參數。液晶顯示面板作為液晶顯示裝置 之重要組成部份,其開口率與液晶顯示裝置之輝度成正比。 請參閱圖1,其係一種先前技術液晶顯示面板之平面 結構示意圖。該液晶顯示面板10包括複數相互平行之掃描 線110、複數相互平行之資料線120及複數與該掃描線110 平行間隔設置之公共線140。該複數掃描線110與該複數 資料線120相互絕緣相交,界定複數晝素區域(未標示)。 每一晝素區域包括一薄膜電晶體130、一畫素電極150及 ❿一存儲電容160。該薄膜電晶體130設置於該掃描線110 與該資料線120之交叉處,其包括一閘極131、一源極132 及一汲極133。該閘極131連接該掃描線110,該源極132 連接該資料線120,該汲極133連接該晝素電極150。該存 儲電容160形成於該晝素區域内,其包括一上電極161、 一與該上電極161對應設置之公共電極162,該公共線140 連接相鄰之二公共電極162。 請一併參閱圖2,其係圖1所示液晶顯示面板沿II-II 線之剖面結構示意圖。該存儲電容160進一步包括一閘極 6 201013282 '絕緣層I64和一鈍化層165。該閘極絕緣層164夹於該上 電極161及公共電極162之間。鈍化層165挾持於該上電 •極161與該晝素電極150之間,且該鈍化層165包括一第 -一通孔134及一第二通孔163,該汲極133經由該第一通 孔134連接該晝素電極15〇,該上電極161經由該第二通 孔163連接該晝素電極15〇。 該液晶顯示面板10工作時,該資料線12〇上傳輸圖像 訊號,該掃描線110傳輸掃描訊號,該掃描訊號包括導通 ©訊號及截止訊號。當與該掃描線11〇輸出導通訊號使該薄 膜電晶體130導通時,該資料線12〇上之圖像訊號藉由該 薄膜電晶體130輸出到該晝素電極15〇 ;當該掃描線11〇 上輸出截止訊號使該薄膜電晶體130截止時,該圖像訊號 存儲於該存儲電容16〇中,該存儲電容16〇保持該畫素電 極150與該公共電極162間之電壓差,使該液晶顯示面板 10顯示圖像。 於该液晶顯示面板10之製程中,該公共電極162、該 ❿薄膜電晶體130之閘極131及該掃描線11〇由一相同金屬 層圖案化形成,該上電極161、該源極132、汲極133及該 資料線120由另一相同金屬層圖案化形成。 惟’該液晶顯示面板10顯示動態晝面時,該資料線 120上傳輸變化之圖像訊號,且變化頻率比較高。由於該 資料線120與該晝素電極150之間只間隔一鈍化層ία, 則該資料線120上高頻變化之圖像訊號會對該畫素電極 150上之電壓造成干擾。所以該晝素電極15〇之設置範圍 不能過於靠近該資料線12〇,使該液晶顯示面板1〇之開口 7 201013282 - 率較低。 【發明内容】 - 有鑑於此,提供一種開口率較高之液晶顯示面板實為必 ‘ 要。 有鑑於此’提供一種開口率較高之液晶顯示面板之製造 方法實為必要。 一種液晶顯示面板’其包括一基板、複數訊號線、一公 共電極、一畫素電極及複數連接線。該複數訊號線沿行列設 ❹置於該基板上,沿列向設置之訊號線傳輸掃描訊號,沿行向 設置之訊號線傳輸圖像訊號。每二相互垂直之訊號線中,其 中之一訊號線不連續,並設置於另一訊號線之二側,與該另 一訊號線互不接觸。該畫素電極設置於該複數訊號線遠離該 基板之一侧。該連接線設置於該訊號線與該畫素電極之間, 其連接該不連續之訊號線。該公共電極與該連接線設置於同 一層,其於垂直基板平面之方向上覆蓋該傳輸圖像訊號之訊 號線。 ❹ 一種液晶顯示面板’其包括依次設置之一基板、一第一 導電金屬層圖案、一第一介電層、一第二導電金屬層圖案、 一第二介電層及一晝素電極。該第一導電金屬層圖案包括沿 行列設置之複數訊號線’沿列向設置之訊號線傳輸掃描訊 號,沿行向設置之訊號線傳輸圖像訊號。每二相互垂直之訊 號線中,其中一條訊號線不連續,並設置於另一條訊號線之 二側,與該另一條訊號線互不接觸。該第二金屬層包括複數 連接線及複數公共電極,該連接線連接該不連續之訊號線, 該公共電極於垂直基板平面之方向上覆蓋該傳輪圖像訊號 8 201013282 之訊號線。 相較於先前技術’本發明液晶顯示面板之該複數訊號線 設置於該基板上,該公共電極間隔該第一介電層覆蓋該傳輸 ‘圖像訊號之訊號線,使該晝素電極不受該圖像訊號之電場干 擾。進一步地,該畫素電極之設置範圍可以擴大到該傳輸圖 像訊號之訊號線邊緣,因此可提高該液晶顯示面板之開口 率。 一種液晶顯示面板製造方法,其包括: © a)提供一基板; b) 於該基板上形成複數訊號線,其中,該複數訊號線 沿行列設置,沿列向設置之訊號線傳輸掃描訊號,沿行向設 置之訊號線傳輸圖像訊號,每二相互垂直之訊號線中,其中 一條訊號線不連續,並設置於另一條訊號線之二侧,與該另 一條訊號線互不接觸; c) 於該複數訊號線上形成一第一介電層; d) 於該第一介電層上形成複數連接線及複數公共電 ©極,其中,該連接線連接該不連續之訊號線,該公共電極於 垂直於基板平面之方向上覆蓋該傳輸圖像訊號之訊號線; e) 於該複數連接線及該複數公共電極上形成一第二介 電層; f) 於該第一介電層上形成一畫素電極。 該液晶顯示面板製造方法藉由將該複&訊號線設置於 該基板上。使該公共電極間隔該第一介電層|蓋該傳輸圖像 訊號之訊號線,使該晝素電極不受該圖像訊號之電場干擾。 進一步地’該晝素電極之設置範圍可以擴大到該傳輸圖像訊 9 201013282 - 號之訊號線邊緣,因此可提高該液晶顯示面板之開口率。 【實施方式】 ' 請參閱圖3,其係本發明液晶顯示面板第一實施方式 • 之平面結構示意圖。該液晶顯示面板20包括複數訊號線 21、複數連接線225、複數公共電極262及複數公共線240。 該複數訊號線21包括複數沿列向設置且相互平行之 掃描線210及複數沿行向設置且相互平行之資料線220。 其中,該掃描線210用於傳輸掃描訊號,該資料線220用 ®於傳輸圖像訊號。其中,每一資料線220分為複數小段資 料線220,每二相鄰之小段資料線220分別設置於該掃描 線210之二側,並與該掃描線210互不接觸。 該連接線225與該掃描線210絕緣相交,並設置於每 一資料線220二相鄰小段之間,分別於該二相鄰小段相連 接,從而該資料線220之複數小段藉由該連接線225形成 導通之線路。 ^ 該公共電極262沿該資料線220設置,其於垂直於畫 素平面之方向上覆蓋部份資料線220,且其寬度大於該資 料線220之寬度。 該複數公共線240與該複數掃描線210相互平行間隔 設置,且其連接相鄰之二公共電極262。 該複數掃描線210、該複數資料線220與該連接線225 界定複數晝素區域(未標示),每一晝素區域包括一薄膜電 晶體230及一晝素電極250。該薄膜電晶體230設置於該 連接線225與該掃描線210相交處,其包括一閘極231、 201013282 ' 一源極232及一汲極233。該閘極231連接該掃描線210, 該源極232連接於該連接線225上,該汲極233連接該晝 ' 素電極250。該晝素電極250之邊緣分別與該公共電極262 ‘ 及該掃描線210部份重疊。 請一併參閱圖4及圖5,圖4係圖3所示液晶顯示面 板沿V-V線之剖面結構示意圖,圖5係圖3所示液晶顯示 面板沿VI-VI線之剖面結構示意圖。該液晶顯示面板20 進一步包括一基板270,該薄膜電晶體230之閘極231、該 ❿掃描線210及該資料線220設置於該基板270上。 該液晶顯示面板20進一步包括一閘極絕緣層280,其 設置於該閘極231、該掃描線210、該資料線220及該基板 270上。該閘極絕緣層280包括一第一通孔235,該第一通 孔235貫穿該閘極絕緣層280,且其對應該資料線220之 兩端設置。 該液晶顯示面板20進一步包括一半導體圖案層281, g其設置於該閘極絕緣層280上,且其對應於該閘極231設 置。 該連接線225、該薄膜電晶體230之源極232、汲極 233及該公共電極262設置於該半導體圖案層281及該閘 極絕緣層280上。其中,該源極232、汲極233部份覆蓋 該半導體圖案層281,該連接線225藉由該第一通孔235 連接該資料線220。 該液晶顯示面板20進一步包括一純化層290,其設置 於該源極232、汲極233、該公共電極262、該連接線225 π 201013282 • 及該閘極絕緣層280上。該鈍化層290定義一第二通孔 236 ’該第二通孔236對應該汲極233設置。該晝素電極 • 250設置於該鈍化層290上’並且藉由該第二通孔236連 接該汲極233。 與先前技術相比較,本發明液晶顯示面板2〇之資料線 220設置於該基板270上,該公共電極262間隔該閘極絕 緣層280沿該資料線220設置,其於垂直於該基板270之 方向上覆蓋邊資料線220,該晝素電極250則間隔該鈍化 ®層290設置於該公共電極262之上。因此,使該晝素電極 250不受該資料線220產生之電場之影響。進一步地,該 晝素電極250之設置範圍可以擴大到該資料線22〇邊緣, 提高該液晶顯示面板20之開口率。 «月參閱圖6,其係本發明液晶顯示面板2〇之製造方法 之流程圖。該製造方法包括以下步驟:步驟S1,於一基板 上形成複數閘極,複數掃描線及複數資料線;步驟S2,於 参該閘極,該掃描線,該資料線及該基板上依序形成一閘極 絕緣層及一半導體圖案層;步驟S3,於該閘極絕緣層及該 半導體圖案層上形成複數源極,複數汲極,複數公共電極 及複數連接線;步驟S4,於該公共電極,該連接線,該源 極,該汲極及該閘極絕緣層上形成一鈍化層圖案;步驟 S5’於該純化層之表面上形成複數晝素電極。 請參閱圖7至圖U,其係圖6所示液晶顯示面板製造 方法各步驟之示意圖,其包括以下步驟: 步驟S1如圖7所示’首先提供該基板謂,利用塗佈 12 201013282 没備於該基板270表面上塗佈一層導電金屬薄膜,從而形 成一第一導電金屬層(圖未示)。對該第一導電金屬層進行 • 一第一道光罩製程,形成該閘極231、該掃描線21〇、該資 .料線220。其中,同一行之該資料線22〇分成複數小段, 母二相鄰之小段資料線220分別設置於該掃描線21〇之二 側,並與該掃描線210互不接觸。 步驟S2如圖8所示,首先於該第一導電金屬及該基 ©板270表面上沉積該閘極絕緣層280,其材料可以採用氮 化妙。接者’採用連續化學氣相沉積之方法,於該閑極絕 緣層280上依序沉積一 a_si(非晶矽)本征層以及一 n+Si(摻 雜非晶矽)歐姆接觸層。然後,進行一第二道光罩製程,以 形成該第一通孔235及該半導體圖案層281,並於該第一 通孔235處暴露該資料線220。 步驟S3如圖9所示’於該半導體圖案層281及該閘 極絕緣層280上塗佈一層導電金屬薄膜,以形成一第二導 ⑩電金屬層(圖未示),對該第二導電金屬層進行一第三道光 罩製程,形成該源極232、該汲極233、該公共電極262 及该連接線225。使該公共電極262於垂直該基板270之 方向上覆蓋該資料線220,並使該連接線225藉由該第一 通孔235與該資料線220相連。 步驟S4如圖1〇所示’於該第二導電金屬層及該閘極 絕緣層280上形成一純化層290 ’進行一第四道光罩製程, 於該鈍化層290中形成該第二通孔236。 步驟S5如圖11所示,藉由濺射技術於該鈍化層29〇 13 201013282 * 之表面上鍍上一層透明導電層,並使其藉由該第二通孔 236連接該汲極233。進行一第五道光罩製程,於對應之晝 • 素區域内形成該晝素電極250圖案。其中,該透明導電層 - 材料為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等透明物質。 請參閱圖12,其係本發明液晶顯示面板第二實施方式 之平面結構示意圖。該液晶顯示面板30與該液晶顯示面板 20之結構基本相同,其主要區別在於:沿行列設置之複數 掃描線310與複數資料線320中,每條資料線320為連續 ©結構,每條掃描線310包括複數小段,每二相鄰之小段掃 描線310分別設置於該資料線320之二側,並與該資料線 320互不接觸;該連接線325設置於每兩段相鄰之掃描線 310之間,其與該資料線320絕緣相交,並藉由第一通孔 335連接該兩段相鄰之掃描線310。 與先前技術相比較,於該液晶顯示面板30之資料線 320同樣設置於基板上,該公共電極362沿該資料線320 _設置,其於垂直於基板之方向上覆蓋該資料線320,該晝 素電極350則設置於該公共電極362之上方。因此,該公 共電極362同樣可以減少該資料線320之電場對該晝素電 極350之影響。進一步地,該畫素電極350之設置範圍可 以擴大到該資料線320邊緣,提高該液晶顯示面板30之開 口率。 請參閱圖13,其係本發明液晶顯示面板替代實施方式 之平面結構示意圖。於該液晶顯示面板40之結構與該液晶 顯示面板20之結構基本相同,其主要區別在於:每條資料 14 201013282 線420之每一小段可以包 延伸部423。該複數第—延線主體422及複數第一 4?? . . L伸°卩423分別設置於該資料線 主體422之二末端,其寬度大於該 該連接線425包括-連接線主㉟_ 篮22之見度 伐踝主體426、二連接部427及二 ❹ Ϊ:2=Γ8。該二第二延伸部428分別自該連接線主 宫痒—_端延伸形成’其寬度大於該連接線主體426之 -又。該二連接部427分別自該二第二延伸部428之末端 延伸形成,其寬度與該連接線主體概之寬度相等。該連 接部427與該第一延伸部423連接,使資料線42〇與該連 接線425相連。該第—延伸部423寬於該資料線主體似 之部份與該畫素電極45〇之邊緣重疊,該第二延伸部⑽ 寬於該連接線主體426之部份與該晝素電極45〇之邊緣重 & ^ 由於该液晶顯示面板4〇之訊號線42〇包括複數第一延 伸部423’該連接線425包括複數第二延伸部428,該第一 ❿延伸部423及該第二延伸部428分別與該晝素電極45〇之 邊緣重疊。該第一延伸部423及該第二延伸部428可消除 該畫素電極450與該資料線42〇或該連接線425之間之間 隙,遮擋晝素電極450邊緣處洩露之光線,減少相鄰畫素 之間之影響’提高該液晶顯示面板4〇之對比度。 該液晶顯示面板20製造方法中,該第一、第二導電金 屬薄膜可以使用鉬(Mo)、钽(Ta)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Α1) 以及銘合金所組成之族群或任意組合,或者根據需要亦可 製造多層。 15 201013282 綜上所述,本發明確已符合發明之要件,麦依 2申請。惟,以上所㈣僅為本”之練實施 ί發明之範圍並不以上述實施方式為限,舉凡熟悉本# π之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化 涵蓋於以下申請專利範圍内。 … 【圖式簡單說明】 圖1係一種先前技術液晶顯示面板之平面結構示意 圖。 圖2係圖1所示液晶顯示面板沿ππ線之剖面結構示 意圖。 圖3係本發明液晶顯示面板第一實施方式之平面結構 示意圖。 圖4係圖3所示液晶顯示面板沿ν -V線之剖面結構示 意圖 圖5係圖3所示液晶顯示面板沿VI-VI線之剖面結構 ❹示意圖 圖6係本發明液晶顯示面板製造方法之流程圖。 圖7至圖11係圖6所示液晶顯示面板製造方法各步驟 之剖面結構示意圖。 圖12係本發明液晶顯示面板第二實施方式之平面結 構示意圖。 圖13係本發明液晶顯示面板替代實施方式之平面結 構示意圖。 【主要元件符號說明】 16 液晶顯示面板 20 ' 30 掃描線 210、 連接線 225、325、 閘極 汲極 第二通孔 晝素電極 250、350、 基板 201013282 © 半導體圖案層 資料線主體 連接線主體 第二延伸部 訊號線 21 資料線 220 '320 >420 薄膜電晶體 230 源極 232 第一通孔 235 '335 '435 公共線 240 公共電極 262 '362 '462 閘極絕緣層 280 純化層 290 第一延伸部 423 連接部 427 17

Claims (1)

  1. 201013282 * •十、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示面板,其包括一基板、複數訊號線、一公共 . 電極、一晝素電極及一連接線,該複數訊號線沿行列設置 . 於該基板上,沿列向設置之訊號線傳輸掃描訊號,沿行向 设置之訊號線傳輸圖像訊號,每二相互垂直之訊號線中, 其中一訊號線不連續,並設置於另一訊號線之二側,與該 另一訊號線互不接觸,該晝素電極設置於該複數訊號線遠 離該基板之一侧,該連接線設置於該訊號線與該畫素電極 © 之間,且連接該不連續之訊號線,該公共電極與該連接線 設置於同一層,其於垂直於基板平面之方向上覆蓋該傳輸 圖像訊號之訊號線。 2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板,其中,該不 連續之訊號線為傳輸圖像訊號之訊號線。 3. 如申睛專利範圍第2項所述之液晶顯示面板,其中,該傳 輪圖像訊號之訊號線包括一訊號線主體及一設置於該訊 號線主體兩末端之第一延伸部,該第一延伸部之寬度大於 該訊號線主體之寬度。 .如申睛專利範圍第3項所述之液晶顯示面板,其中,該第 延伸部寬於該訊號線主體之部份與該畫素電極之邊緣 重疊。 V 5 I •如申凊專利範圍第4項所述之液晶顯示面板’其中,該連 接線包括一連接線主體、二從該連接線主體兩末端延伸形 成之第二延伸部及二從該第二延伸部末端延伸形成之連 接部,該第二延伸部之寬度大於該連接線主體之寬度。 18 201013282 * 6·如申清專利範圍第5項所述之液晶顯示面板,其中,該第 —延伸部寬於該連接線主體之部份與該畫素電極之邊緣 * 重疊。 • 7.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板,其中,該不 連續之訊號線為傳輸掃描訊號之訊號線。 8.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板,其中,該液 晶顯示面板進一步包括一介電層,其設置於該訊號線與該 連接線之間,該介電層包括一通孔,該連接線藉由該通孔 ⑩ 與該不連續之訊號線相連。 9·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板,其中,該公 共電極之寬度大於其覆蓋之訊號線之寬度。 10. —種液晶顯示面板,其包括依次設置之一基板、一第一導 電金屬層圖案、一第一介電層、一第二導電金屬層圖案、 —第二介電層及一畫素電極,該第一導電金屬層圖案包括 沿行列設置之複數訊號線,沿列向設置之訊號線傳輸掃描 訊號,沿行向設置之訊號線傳輸圖像訊號,並且每二相互 ❹ 垂直之訊號線中,其中一條訊號線不連續,並設置於另一 條訊號線之二侧,與該另一條訊號線互不接觸,該第二金 屬層包括複數連接線及複數公共電極,該連接線連接該不 連續之訊號線,該公共電極於垂直於基板平面之方向上覆 蓋該傳輸圖像訊號之訊號線。 11. 如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示面板,其中,該 不連續之訊號線為傳輸圖像訊號之訊號線。 12. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板’其中,該 傳輪圖像訊號之訊號線包括一訊號線主體及一設置於該 19 201013282 很號線主體兩末端之第一延伸部,該第一延伸部之寬度大 於該訊號線主體之寬度。 13. 如申請專利範圍第辺項所述之液晶顯示面板,其中,該 第一延伸部寬於該訊號線主體之部份與該畫素電極之邊 緣重疊。 14. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示面板,其中,該 連接線包括一連接線主體、二從該連接線主體兩末端延伸 形成之第二延伸部及二從該第二延伸部末端延伸形成之 ® 連接部,該第二延伸部之寬度大於該連接線主體之寬度。 15. 如申請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板,其中,該 第一延伸部寬於該連接線主體之部份與該晝素電極之邊 緣重疊。 16. 如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示面板’其中,該 不連續之訊號線為傳輸掃描訊號之訊號線。 17. 如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示面板,其中,該 第一介電層包括一通孔,該連接線藉由該通孔與該不連續 ❿之訊號線相連。 18. 如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示面板,其中,該 公共電極之寬度大於其覆蓋之訊號線之寬度。 19· 一種液晶顯示面板製造方法,其包括: a) 提供一基板; b) 於該基板上形成複數訊號線,該複數訊號線沿行列設 置’沿列向設置之訊號線傳輸掃描訊號,沿行向設置之訊 號線傳輸圖像訊號,每二相互垂直之訊號線中,其中一條 訊號線不連續’並設置於另一條訊號線之二側,與該另一 201013282 條訊號線互不接觸; C)於該複數訊號線上形成一第一介電層; d) 於該第一介電層上形成複數連接線及複數公共電極, - 該連接線連接該不連續之訊號線’該公共電極於垂直於基 板平面之方向上覆蓋該傳輸圖像訊號之訊號線; e) 於該複數連接線及該複數公共電極上形成一第二介電 層; f) 於該第二介電層上形成一晝素電極。 ❿20.如申請專利範圍第ip項所述之液晶顯示面板之製造方 法’其中’該公共電極之寬度大於其覆蓋之訊號線之寬度。 ❹ 21
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KR0164113B1 (ko) * 1995-11-02 1998-12-01 양승택 광 도파로 내의 모드 변환과 모드 선택을 이용한 광교환 장치
JP3649635B2 (ja) * 1995-11-14 2005-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
KR100311214B1 (ko) * 1999-06-29 2001-11-02 박종섭 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치
US6646692B2 (en) * 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
TW498178B (en) * 2000-05-02 2002-08-11 Hannstar Display Corp Manufacturing method and structure for in-plane switching mode liquid crystal display unit
JP4047626B2 (ja) * 2002-05-16 2008-02-13 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
US7414264B2 (en) * 2003-12-30 2008-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Poly crystalline silicon semiconductor device and method of fabricating the same
KR20070002933A (ko) * 2005-06-30 2007-01-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

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