201002094 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 尤其涉及一種基於奈米 本發明涉及一種發聲裝置， 碳管的發聲裝置。 【先前技術】 發聲裝置-般由信號輸入裝置和發聲元件組成。通過 信號輸入裝置輪入電信號給發聲元件，進而發出聲音。先 前技術中的發聲元件一般爲一揚聲器。該揚聲器爲二種把 電信號轉換成聲音信號的電聲器件。具體地，揚聲器可將 一定範圍内的音頻電功率信號通過換能方式轉變爲失真小 並具有足够聲壓級的可聽聲音。 ' 先前的揚聲器的種類很多，根據其工作原理，分爲： 電動式揚聲盗、電磁式揚聲器、靜電式揚聲器及壓電式揚 聲器。雖然它們的工作方式不同，但一般均爲通過産生機 械振動推動周圍的空氣’使空氣介質産生波動從而實現“電 -力-聲”之轉換。其中，電動式揚聲器的應用最爲廣泛。 請參閱圖1，先前的電動式揚聲器100通常由三部分 組成.音圈102、磁鐵104以及振膜1〇6。音圈1〇2通常採 用通電導體，當音圈102中輸入一個音頻電流信號時，^ 圈102相當於一個載流導體。由於放在所述磁鐵1〇4産生 的磁場裏，根據載流導體在磁場中會受到力的作用而運動 的原理，音圈102會受到一個大小與音頻電流成正比、方 向隨音頻電流變化而變化的力。因此，音圈1〇2就會在所 述磁鐵104産生的磁場作用下産生振動，並帶動振膜1〇6 6 201002094 前後的空氣亦隨之振動，將電信號轉換成 ^皮向四脉射。然而，該電動式揚聲器_的結構較爲 複雜，且其必須在有磁的條件下工作。 … 自九十年代初以來，以奈米碳管（請參見贼⑼ =〇副es 〇f graphitic ⑽⑽，㈣阶，sumi 丨 l，p56(1991))爲代表的奈米材·其獨特的結構和性質 =了 =們極大_注。近幾年來，隨著奈米碳管及奈米 =研九的不斷深人’其廣闊的應用前景不斷顯現出來。 例如，由於奈米碳管所具有的獨特的電磁學、光學、力學、 ::::能私大量有關其在場發射電子源、傳感器、新型 予材^軟鐵磁材料等領域的應用研究不斷被報道。然 而’先前技術中却尚未發現奈米碳f用於聲學領域。、 有赛於此，提供-種結構簡單，可在無磁的條工 作的發聲裝置實為必要。 【發明内容】 -種發聲褒置’其包括：—信號輸人裝置；以及 聲元件，《聲元件朗述信㈣人裝置㈣端電連接. 所述發聲元件至少部分設置在一支撑結構表面，該 :聲70件包括至少-層奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄膜包 多個相互平订的奈米碳管，所述信號輸人裝置輸入電信 ^該發聲4，通過該發聲元件加熱周圍氣體介質發出 相較於先珂技術，本技術方案提供的發聲裝置具有以 下優點：其一，由於所述發聲裝置中的發聲元件僅包括奈 201002094 米碳管薄膜，無需磁鐵等其它複雜結構，故該發聲裝置的 1構較爲簡單，有利於降低該發聲裝置的成本。其二，該 發聲裝置利用輪入信號造成該發聲元件溫度變化，從而使 2周圍氣體介質迅速膨脹和㈣，進而發出聲波，無需振 且錢聲元件組成的發聲裝置可在無磁的條件下工 其三’由於奈米碳管薄膜具有較小的熱容和大的比表 積’且奈米碳管薄膜中的奈米碳管相互平行、均句分布 =„管的兩端分別與所述信號輸入裝置的兩端電 :接=輪入信號後’根據信號强度（如電流强度）的變 1,，一層奈米碳管薄膜組成的發聲元件可充分利用 “ “ 的軸向導電、導熱性能，均勻地 化:，'1Γ氣體介質、迅速升降溫、產生周期性的溫度變 體介質進行快速熱交換 ;速膨脹和收縮’發出人耳可感知的聲音，且:二； 音的頻率範圍較甯^出的聲 、t，m$ ΗΖ)’發聲效果較好，且所 :發：裝置的響應速度較快、靈敏 = 晝顯示裝置、油金尊的屏的顯示表面或油 置。其四，由於夺米磁與且古私 工間的透明發聲裝 由相互平行的奈米碳管組成的至少一層：==，故 較好的機械强度和勒性，耐 厂、u相具有 奈米碳管薄膜組成的各種 ：從而有利於製備由 的各種形狀、尺寸的發聲裝置，進而方 201002094 便地應用於各種領域。其五，由於所述發聲元件至少部分 設置在所述支撑結構表面，所述發聲元件可以承受强度較 高的信號輸入，進而可增强所述發聲裝置的發聲效果。 【實施方式】 以下將結合附圖詳細說明本技術方案實施例的發聲裝 置。 明參閱圖2,本技術方案第一實施例提供一種發聲裝 置10，該發聲裝置10包括一信號輸入裝置12，一發聲^ 件14，一支撑結構16，一第一電極142以及一第二電極 144。所述發聲元件14設置於所述支撑結構16表面。所述 第一電極142和第二電極144間隔設置在所述發聲元件14 的兩端或表面，且與所述發聲元件14電連接。所述第一電 極142和第二電極144通過外接導線149與所述信號輸入 裝置12的兩端電連接，用於將所述信號輸入裝置12中的 電信號輸入到所述發聲元件14中。 所述支撑結構16主要起支撑作用，其形狀不限，任何 具有確定形狀的物體，如一墙壁或桌面，均可作爲本技術 方案第一實施例中的支撑結構16。具體地，該支撑結構Μ 可以爲一平面結構或一曲面結構，並具有一表面。此時， 該發聲元件14直接設置並貼合於該支撑結構16的表面 上。由於該發聲元件14整體通過支撑結構16支撑，因此 该發聲元件14可以承受强度較高的信號輸入，從而具有較 高的發聲强度。 、 該支撑結構16的材料不限，可以爲一硬性材料，如金 201002094 =、破璃或石英。另外，所述支撑結構16還 材料，如塑料或樹脂。優選地，該支撑結 -柔性 有較好的絕熱性能，從而防止該發聲元；：材料應具 度的被該支撑結構16吸收，無法達到加 熱量過 :發輕目的。另外，該支撑結構16應具有—較爲粗链 表面，從而可以使設置於上述支撑 ”、、、、、 1Λ & &〜 I又得、、、°構W表面的發聲元件 一:、工氣或其他外界介質具有更大的接觸面積，進而可在 一定程度上改善所述發聲裝置1〇的發聲效果。 所述發聲元件14包括至少一層奈米碳管薄膜。請參見 3 ’所述奈米碳管薄膜包括多個相互平行且並排設置的 奈米碳管。相鄰兩個奈米礙管之間通過凡德瓦爾力緊密结 合。所述奈米碳管薄冑中的相鄰兩個奈米碳管之間的距離 於50微米。所述奈米碳管薄膜的長度爲奈米碳管薄膜中 單根奈米碳管的長纟。所述奈米碳管薄膜的寬度+限。所 述不米碳f薄膜的厚度爲〇 5奈米〜1〇〇微米。所述奈米碳 管薄膜的長度爲1微米〜3〇毫米。進一步地，所述發聲元 件14包括至少兩層重叠設置的奈米碳管薄膜，相鄰兩層奈 米碳管薄膜之間通過凡德瓦爾力緊密結合，且相鄰兩層奈 ，碳管薄膜中的奈米碳管之間具有一交叉角度α，α大於 等於0度且小於等於9〇度，具體可依據實際需求製備。當 相鄰兩層奈米碳管薄膜中的奈米碳管之間的夾角α大於〇 度時’所述發聲元件14中的多個奈米碳管形成一網狀結 構’且該網狀結構包括多個均勻分布的微孔，其孔徑小於 50微米。當所述發聲元件u包括多層奈米碳管薄膜時， 201002094 =於相鄰兩層奈米碳管薄膜之間通過凡德瓦爾力緊密結 •合，故所述發聲元件14本身具有很好的自支撑性能、。所述 ，奈米碳管薄膜中的奈来破管可爲單壁奈米碳管、雔壁太米 碳管及多壁奈米碳管中的-種或多種。所述單壁米二管 的=爲0.5奈米〜50奈米’所述雙壁奈米碳管的直徑爲 /不米〜5〇奈来’所述多壁奈米碳管的直徑仏夺米〜50 述發聲元件14的厚度爲W奈米〜！亳米、。當該 發聲4 14的厚度比較小時，例如小於1〇微米，該發聲 讀14具有較高的透明度，故採用該發聲元件w Ϊ置二聲裝置1可以直接安裝在各種顯示裝 手機顯不屏的顯不表面或油畫的表面 透明發聲裝置10。 P名工間的 ，本技術方案實施例中，所述發聲元件14包括 碳管薄膜，且奈米碳管在該兩層奈 二 向排列。所述發聲元件14的長度爲3厘 中^方 ，厚度爲50奈米。 凡！舄3厘未， 作用: = =大的比表面積，在凡德瓦爾力的 專膜本身有报好的黏附性，故採用节 至夕一層不未碳管薄膜作發聲元件i 只 二與所述支撑結構16之間可以直_ 件 二Γ圖未示)。所述黏結層可設置於:二=
件14的表面。所述黏妗屛、 知单7G 固定於所述支撑結構16 ^表所==件14更好地 衣由所述黏結層的材料可爲絕 11 201002094 緣材料，也可爲具有一定導電性能的材料。 所述黏結層爲一層銀勝。 e 所述第一電極142和楚-雨κ 1 其呈體护壯m 第—電極144由導電材料形成， =體^結構不限。具體地，所述第—電極 ==爲層狀、棒狀、塊狀或其它形工第 金屬:=;T144的材料可選擇爲金屬、導緣 142矛二V 物（IT〇)等。所述第-電拉 二二電極144用於實現所述信號輸入裝置蝴述 /44 4之間的電連接。所述第一電極和第1極 ，與所述發聲元件14電連接 二-電: 設置在所述支撑往椹μ主r ^ 1 m，口構ι6表面’所述第一電極u 極144也可間隔設置固 弟一％ 所述第-電極149 ^ 牛4兩端或表面。 ° 和第一電極144的設置與所述發聲元件 中的奈米碳管的排列方向有 端分別與所述第-電極142和第皆的兩 術方案實施例中，所述連接， 狀金屬電極，所述第3極=和:二電極144爲棒 固定在所述發聲元4二電極144間隔設置 乎#兩端，额述發聲元件巾的全部奈 兩 與所述第一電極142和第二電極144電 、、 於所述第—電極142和第二電極144間隔設置， 所述發聲元件14應用於發聲裝置1()時能接人的阻值 =免短路現象産生。由於奈米碳管具有極大的比表面積， 在凡德瓦爾力的作用下，該奈米碳管薄膜本身有 附性，故採用該至少—層奈米碳管薄膜作發聲元件^夺勒 12 201002094 = 極142和第二電極144與所述發聲元件14之間 直接黏附固定，並形成很好的電接觸。 進一步地，所述第一電極142和第二 發聲元件u之間還可以進_步包括—導電^4層與= 不）。所述導電黏結層可設置於所述發聲元件14的表面 上。所述導電黏結層在實現第—電極142和第二電極144 與所述發聲元件14電接觸的同時，還可以將所述第一電極 142和第二電極144更好地固定於所述發聲元件η的表面 上。本實施例中，所述導電黏結層爲一層銀膠。 可以理解，本技術方案第一實施例可進一步設置多個 電極於所述發聲元件14表面，其數量不限，只需確保任音 兩個相鄰的電極均間隔設置、與所述發聲元件14電連接二 且均分別與所述仏號輸入裝置12的兩端電連接即可。 可以理解’由於所述發聲元件14設置在所述支撑結構 16表面，故所述第一電極142與第二電極144爲可選^的 結構。所述信號輸入裝置12可直接通過導線149或電極引 線等方式與所述發聲元件14電連接。只需確保所述信號輸 入裝置12過將電彳§號輸入給所述發聲元件14即可。任竹 可實現所述信號輸入裝置12與所述發聲元件14之間電連 接的方式都在本技術方案的保護範圍之内。 所述信號輸入裝置12輸入的信號包括交流電信號或 音頻電信號等。所述信號輸入裝置12通過導線149·%戶斤述 第一電極142和第二電極144電連接，並通過所述第—電 極142和第二電極144將信號輸入到所述發聲元件14中。 13 201002094 上述發聲裝置10在使用時，由於奈米碳管薄膜具有較 小的熱容和大的比表面積，且奈米碳管薄膜中的奈米碳管 相互平行均句分布且部分奈米碳管的兩端分別與所述信 號輸入裝置12的兩端電連接，在輸人信號後，根據信號强 度（如電机强度）的變化，由至少一層奈米碳管薄膜組成 的發聲元件14可充分利用奈米碳管的特性，如優異的轴向 $電、導熱性能，均勻地加熱周圍的氣體介質、迅速升降 溫二産生周期性的溫度變化，並和周圍氣體介質進行快速 ”’、父換使周圍氣體介質迅速膨脹和收縮，發出人耳可感 知的聲音’且所發出的聲音的頻率範圍較寬，發聲效果較 好二且所述發聲裝置1〇的響應速度較快、靈敏度較高。本 技術方案實施例提供的發聲裝置1〇的發聲頻率範圍爲工 赫兹至10S赫兹（即1Hz〜職Hz)。故本技術方案實施例 中所述發聲元件14的發聲原理爲“電_熱_聲，，的轉換， 具有廣泛的應用範圍。另外，由於本技術方案實施例中的 發聲元件10可由多層奈米碳管薄膜組成，且多層奈米碳管 薄，中的奈米碳管可沿不同方向排列，故由所述多個奈米 碳管薄膜組成的發聲元件14具有較好的勃性和機械强 度’所述發聲元件14可方便地製成各種形狀和尺寸的發聲 裝置10，該發聲裝置10可方便地應用於各種可發聲的裝 置中’如音響、手機、MP3、MP4、電視、計算機等電^ 領域及其它發聲裝置中。 請參閱圖4,本技術方案第二實施例提供一種發聲裴 置20，该發聲裴置2〇包括一信號輸入裝置、一發聲元 14 201002094 件24、一支撑結構26、一第一電極242、一第二電極244、 ’ 一第二電極246以及一第四電極248。 •本技術方案第二實施例中的發聲裝置20與第一實施 例中的發聲裝置1〇的結構基本相同，區別在於，本技術方 案第二實施例中的發聲元件24環繞所述支撑結構26設 置’形成一環形發聲元件24。所述支撑結構26的形狀不 限’可爲任何立體結構。優選地，所述支撑結構26爲一立 方體、一圓錐體或一圓柱體。本技術方案實施例中’所述 支撑結構26爲一圓柱體。所述第一電極242、第二電極 244、第三電極246和第四電極248間隔設置在所述發聲元 件24表面並與所述發聲元件24電連接。任意兩個相鄰的 電極均分別與所述信號輸入裝置22的兩端電連接，以使位 於相鄰電極之間的發聲元件24接入輸入信號。具體地，先 將不相鄰的兩個電極用導線249連接後與所述信號輸入裝 置22的一端電連接，剩下的兩個電極用導線249連接後與 所述L唬輸入裝置22的另一端電連接。本技術方案實施例 中可先將所述第一電極242和第三電極246用導線249 連接後與所述信號輸人裝置22的—端電連接，再將所述第 二電極244和第四電極248用導線249連接後與所述信號 11裝置22的另一端電連接。上述連接方式可實現相鄰電 ^之間的奈米奴官薄膜的並聯。並聯後的奈米碳管薄膜具 =i的電阻’可降低王作電•。且，上述連接方式可使 V發聲兀件24具有較大的輕射面積，且發聲强度得到增 强，從而實現環繞發聲效果。 曰 15 201002094 口 以理：，本技術方案可設置多個電極，其數量不限， 只需確保任意兩個相鄰的電極均' =。接’且均分㈣所述信號輪入裝置 置J’t閱:丄本技術方案_施例提供-種發聲裝 置“發聲裝置30包括-信號輸入裝置32 崎 件34、-支撑結構36、一第一電極如、一第二電極二。 I技射案第三實_中的發聲裝置3()與第施 =中的發聲|置1〇的結構基本相同，區別在於，本技術方 案第二實施例中的發聲元件34部分設置在所述支撑社構 36表面’從而在所述發聲元件34纟面至支撑結構％之間 形成一攏音空間。所形成的攏音空間可爲一封閉空間或一 開放空間。所述支撑結構36爲一 v型或u型結構或一具 有狹窄開口的腔體。當所述支撑結構36爲一具有狹窄開口 的腔體時，該發聲元件34可平鋪固定設置於該腔體的開口 上，從而形成一亥姆霍茲共振腔。該支撑結構36的材料爲 木貝塑料、金屬或玻璃等。本技術方案實施例中，戶斤述 支撑結構36爲一 V型結構。所述發聲元件34設置在所述 V型結構的兩端，即從V型結構的一端延伸至另一端，使 所述發聲元件34部分懸空設置，從而在所述發聲元件34 表面至支撑結構36之間形成一攏音空間。所述第一電棰 342和第二電極344間隔設置在所述發聲元件34表面。所 述第一電極342和第二電極344連接導線349後與所述信 號輸入裝置32的兩端電連接。所述v型支撑結構36町反 16 201002094 射所述發聲元件34位於所述支撑結構％ 一側的聲波，增 强所述發聲裝置3〇的發聲效果。 曰 本技術方案實施例提供的發聲裝置具有以下優點：其 由於所述發聲裝置中的發聲元件僅包括奈米碳管薄 膜，無需磁鐵等其它複雜結構，故該發聲裝置的結構較爲 簡單，有利於降低該發聲裝置的成本。其二，該發聲襞置 利用輸入信號造成該發聲元件溫度變化，從而使其周圍氣 體介質迅速膨脹和收縮，進而發出聲波，無需振膜，且节 發聲元件組成的發聲裝置可在無磁的條件下工作。其三，X 由於奈米碳管薄臈具有較小的熱容和大的比表面積太 米碳管薄膜中的奈米碳管相互平行、均勾分布且部分奈: 碳f的兩端分別與所述信號輸入裝置的兩端電連接，在輸 入信號後，根據信號强度（如電流强度）的變化，由至^ 一層奈米碳管薄膜組成的發聲元件可充分利用奈米碳管= 特性，如優異的軸向導電、導熱性能，可均句地加熱周圍 的氣體介質、迅速升降溫、産生周期性的溫度變化，並和 周圍氣體介質進行快速熱交換，使周圍氣體介質迅速^ 和收縮，發出人耳可感知的聲音，且所發出的聲音的頻^ 範圍較寬（lHz〜100kHz)，發聲效果較好，且所述發聲裝 置的響應速度較快、靈敏度較高。另外，當該發聲^件厚 度比較小時，例如小於10微米，該發聲元件具有較高的透 明度’故所形成的發聲裝置爲透明發聲裴置，可以2接安 裝在各種顯示裝置、手機顯示屏的顯示表面或油晝顯示= 置、油晝等的表面作爲節省空間的透明發聲襄置了其=: 17 201002094 由於所述發聲元件中的多個奈米碳管形成一網狀結構，且 狀結構由多個孔徑小於5〇微米的微孔組成，所述微孔的 存在可增大所述發聲元件的比表面積，從而有利於改善所 f發聲70件的發聲效果。其五，由於奈米碳管具有較好的 機械强度和拿刃性’則由至少兩層由奈米碳管沿不同方向排 列的奈米碳管薄膜組成的發聲元件具有較好的機械强度和 拿刃性，财用性較好，從而有利於製備由發聲元件組成的各 種幵/狀《寸的發聲裝置，進而方便地應用於各種領域。 其八，虽所述支撑結構爲一平面時，所述發聲元件直接設 置並1 占合於該支撑結構的表面，故該發聲元件可以承受强 度較咼的信號輸入’從而具有較高的發聲强度；當所述支 撑結構爲- V型、U型結構或一具有狹窄開口的腔體時， 所述發聲元件部分設置於所述支撑結構表面，形成一擺音 空間，所述支撑結構可反射所述發聲元件發出的聲波，增 强所述發聲裝置的發聲效果。 綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法 提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例， 自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝 之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵 蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係先前技術中揚聲器的結構示意圖。 圖2係本技術方案第一實施例發聲裝置的結構示意 圖0 18 201002094 圖3係本技術方案第一實施例發聲裝置中奈米碳管薄 膜的掃描電鏡照片 圖4係本技術方案第二實施例發聲裝置的結構示意 圖。 圖5係本技術方案第三實施例發聲裝置的結構示意 圖。 【主要元件符號說明】 揚聲器 100 音圈 102 磁鐵 104 振膜 106 發聲裝置 10, 20, 30 信號輸入裝置 12, 22, 32 發聲元件 14, 24, 34 支撐結構 16, 26, 36 第一電極 142, 242, 342 第二電極 144, 244, 344 導線 149, 249, 349 第三電極 246 第四電極 248 19