TW200944905A - Active device array substrate, liquid crystal display panel, electro-optical device, and methods of manufacturing and driving the same - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 71
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims description 23
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 125000006414 CCl Chemical group ClC* 0.000 description 1
- 208000002599 Smear Layer Diseases 0.000 description 1
- RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N alizarin Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=C(O)C(O)=CC=C3C(=O)C2=C1 RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有_-種液晶顯示面板及其驅動方法, 且特別是有_-種主動元件_基板及其製作方法。 【先前技術】 隨著顯示科㈣日錢步,人們藉著齡ϋ的辅助 可使生活更加便利’為求顯示器輕、薄之特性,促使平 面顯示H (FlatPandDisplay,FpD)成為目前的主流 0 料平面顯=財,液晶顯M (Liquid Crystal Display, LCD)具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及 低電磁干擾等優越雖,因此,液晶顯示器深受消 歡迎。 、 目前的液晶顯示器是採用維持模式(Hold Type)之 顯:方式’亦即在下-筆影像㈣尚未寫人此晝素單元 之前’則此晝素單元便轉顯示目前這筆影像資料。因 此,以這樣的維持模式來顯示動態晝面時,則會導致顯 ❹ ^晝面產生影像翻(IjnageBlur)的現象。為解決液晶 顯示器在顯示晝面時可能產生影像模糊的問題,不少習 知技術提出解決方法以進行改善。一般而言,可用插黑 晝面(Black Insertion)的技術,以降低影像模糊的情形。 插黑晝面主要可分採資料插黑(data block inserti〇n ) 與動態背光(Dynamic Backlight,DBL )兩種技術。其中, 動態背光的插黑技術需利用背光模組的硬體架構來達成 插黑晝面的效果,因此會提高背光模組的成本另外還 會衍生出背光模組壽命減少的問題。而資料插黑技術則 5 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 是以影像資料晝面及黑晝面交替顯示的方式來達成,然 而,液晶顯示面板中之晝素的充電時間與插黑畫面的時 間無法同時兼顧,所以容易發生充電率不足的情形;換 言之,插黑晝面會讓晝素的充電時間減少。此外,由於 資料插黑技術需利用源極驅動器將黑畫面的影像資料透 過資料線傳送至液晶顯示面板中。因此,也會提高源極 驅動器的製造與設計複雜度。 【發明内容】 Φ φ 本發明提供一種主動元件陣列基板,其晝素單元具 有二主動元件,以分別負責影像資料的寫入以及插里^ 面(black insertion)。 “、、旦 本發明另提供-種液晶顯示面板,其具有上述之主 動元件陣列基板。 本發明又提供-種轉方法,其雜鶴上述之液 晶顯示面板。 i用再提供—種主動元件陣列基板的製作方法, 其用於製造上述之主動元件陣列基板。 晶顯更提供—種—種光電裝置,其具有上述之液 上述提供—種柄裝置之麟方法,其具有 上述電:置之製作方法’其具有 6
200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 配置於基板上,且各畫素單元包括—第一 _ 第-掃描線、-第二主動元件、一第二掃描線^咨-線、-共通線以及-晝素電極。此外 資料 第一掃描線、第二主動元件、第二掃描線、資=件、 通線以及-畫素電極皆可配置於基板上。第知-共 具有-第-閘極、-第一源極及一第—汲極元件 描線連接第-主動^件之第—閘極。第二 ,—掃 -第二閘極、—第二源極及—第二祕,且第具有 連接第二主動元件之第二閘極。資料線連接第二^插線 件之第一源極,而共通線連接第二動7L 極。晝素電極與第-主動元件第二源 凡件之第二祕連接。當第—主動元件被開啟時動 線與畫素電極透過第—絲元件彼此電性連接。當▲料 主動元件被開啟時,共通線與晝素電極透過第二 一 件彼此電性連接。 〜王動元 本發明另提出-種液晶顯示面板,此液晶顯示面板 包括一主動元件陣列基板、一對向基板以及一配置於主 動兀件陣列基板與對向基板之間的液晶層。主動元件陣 列基板包括一基板以及多個配置於基板上的晝素單元, 且各畫素單元包括一第一主動元件、一第一掃描線、一 第二主動元件、一第二掃描線、一資料線、一共通線以 及一晝素電極。而對向基板具有一共通電極。其中,共 通線電性連接至一第一共通電壓Vcoml,共通電極電性 連接至一第二共通電壓Vcom2,且丨Vcoml - Vcom2 |實 質上可大於一 L0灰階(最低灰階)所對應到的電壓差。 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 本發明又提出一種驅動方法,此驅動方法適於驅動 如上述之液晶顯示面板。其♦驅動方法包括:循序開啟 各第一掃描線所控制的第一主動元件,並透過資料線將 影像資料記錄於各晝素單元中。然後,循序開啟各第二 ,描線所控制的第二主動元件,以使各畫素單元中的各 旦素電極的電>1為第—共通電屢VeGm卜其中,在同一 元中的第—主動元件與第二主動元件被開啟的時 瘳 間點可不相同。 ㈣i發明再提出—種主動元件陣列基板的製作方法, 層,、此:於一基板上形成一第一圖案化導電 二掃μ、圖案化導電層包括多條第—掃描線、多條第 緣;田用共通線。然後’於基板上形成-閘絕 第二掃描線上的第以上的ϊ 一通道層與多個位於 ο 一没極、多個此第二圖案化導電層包括多個第 性連接之第多條資料線、多個與資料線電 極。,贫"、虽以及多個與共通線電性連接之第二源 分區^ ’第一源極與第一沒極覆蓋住第一通道層之部 分區域i it源極與第二汲極錢住第二通道層之部 第二圖料道φ於閘絕緣層上形成—保護層,用以覆蓋 極,且而後,於保護層上形成多個畫素電 旦,、電極與第—汲極以及第二汲極電性連接。 中,由主動元件陣列基板以及液晶顯示面板 於衫像以4的寫人以及插黑晝面(blaek i贿ti〇n) 8 200944905 25209twf.doc/p 是分別透過不同的主動元件來進行,因此,液晶顯示面 板所顯不的畫面可以獲得進一步的改善。 為了讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下 文特舉本發明之實施例’並配合所附圖式,作詳細說明 如下。 【實施方式】 圖1A繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的剖 面圖。請參照圖1A,本實施例之液晶顯示面板1〇〇包括 ❹ 一主動元件陣列基板110、一對向基板120以及一液晶層 130。其中,主動元件陣列基板no包括一基板112以及 多個晝素單元(未繪示)。對向基板12〇具有一共通電 極122 ’而液晶層130配置於主動元件陣列基板丨與對 向基板120之間。 圖1B繪示本發明之一實施例之主動元件陣列基板的 局部示意圖。請參照圖1B,本實施例之主動元件陣列基 板110包括一基板112以及多個畫素單元114 (圖1B僅 ❹ 繪示一個為例)。其中,晝素單元114配置於基板112 上。此外,各晝素單元114包括一第一主動元件丨丨如、 一第一掃描線114b、一第二主動元件U4C、一第二掃描 線114d、一資料線lUe、一共通線U4f以及一書素電極 114g。 —’、 如圖1B所示,本實施例中之第一掃描線丨丨仆與第 一主動元件114a位於共通線114f的一侧,而第二掃描線 114d與第二主動元件114c位於共通線ll4f的另一侧為 例,但不限於此《於其它實施例中,設計者可因應設計 9 200944905 AU0705U〇8 25209twf.doc/p 之需求,將第一掃描線114b、第一主動元件114a、第二 掃描線114d及第二主動元件ii4c配置在相對於共通線 114f的同一側,本發明並不限定上述佈局(lay〇ut)關係。 上述之第一主動元件114a或第二主動元件114c例如 是薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT )。接下來’以 底閘極薄膜電晶體(Bottom Gate TFT)為例,並搭配圖 1C及圖1D來加以說明’但本發明並不限於閘極薄膜電 晶體之結構。因此’在其它實施例中,第一主動元件u4a 或第二主動it件114C可採用頂閘型薄膜電晶體或其它合 適的型態。再者,第一主動元件114a或第二主動元件U4c ,型態於此貝施例皆以二者同型態的薄膜電晶體為例, =不限於此。於其它實施例中,第—主動元件或第 -主=兀件11_4C亦可採用二者皆為不同的薄膜電晶體。 往FI 不圖1B中沿剖面線C1-C1’之剖面示意圖。
:=:,圖1B及圖1c’本實施例之第-主動元件114a 門極。土板1二2上,其中第一主動元件114a具有-第-第—源極S1以及―第―沒細。此外,第 次二ϋ連接至第—掃描線114b,第一源極S1連接至 貝枓線mg,第-沒極切連接至晝素電極㈣。 ㈣圖1B中沿剖面線cw:2,之剖面示意圖。 :置於其Γ?1B及圖1D’本實施例之第二主動元件n4c 極^ 12上’且第二主動元件114e具有一第二問 1G2、一第二源極S2以及一第二祕m。盆中,第二 至第K線114d,第二汲極D2連接至晝 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 值得一提的是,共通線U4f可具有至少一個與第二 源極D2連接的分支114f。以晝素單元U4為範例,共 通線114f具有兩個分支U4f,而第二源極幻可藉由其 個分支114f與共通線114f連接。然而,為提高畫素 單兀U4之開口率(APerture Ration,AR),或為降低共 通線^14f之分支114f與其他導電層(例如資料線u4e) Ο 的電谷效應,或基於其他設計考量,設計者可視需求而 改變分支114f的數目或形態。 者由於資料線114e與第一源極S1相互連接,因此, 當第一主動元件114a被開啟時,資料線U4e與晝素電極 U4g可透過第一主動元件n4a彼此電性連接,使資料線 ll4e上的景^像資料寫入晝素電極114g中。此時,晝素電 極114g與共通電極122 (繪示於圖1A)之間的電壓差可 =定液晶層13G之液晶分子的排列方式,使液晶顯示面 =1㈧顯示相對應的灰階晝面。必需說明的是,存在於 晝素電極114g與共通電極122 (繪示於圖1A)之間的電 壓差,而影響液晶分子排列,則亦可稱為液晶電容Clc。 另一方面,因為共通線114f與第二源極S2電性連 ^全所=當第二主動元件114e被開啟時,共通線114f 。晝素電極ll4g可透過第二主動元件U4e彼此電性連 接。因此,晝素電極U4g的電壓會與共通線丨丨竹的電壓 m同準位的狀態。較特別的是,本實施例之共通線 會電性連接至一第一共通電壓Vcoml,並使晝素電 ^ 114g與共通電極122 (繪示於圖ia)之間的電^差可 工制在實質上大於L 0灰階(最低灰階)所對應到的電壓 11 200944905 AUU/U5U〇8 25209twf.doc/p 差AV °必需說明的是,若將亮度從暗至亮分割為225 階’則L0灰階代表為最暗的亮度下所呈現的灰階,其所 對應的電壓差。 將上述之主動元件陣列基板11〇應用於液晶顯示面 板1〇〇中’則此液晶顯示面板1〇〇之電路圖如圖1E所示。 圖1E繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的局部電路 圖。請同時參照圖1A、圖1B、圖1D及圖1E,本實施 例之主動元件陣列基板11〇包括由多數個畫素單元(圖 〇 1B中僅繪示一個晝素單元114)所構成的陣列。以晝素 單元Π4為例,晝素單元114具有第一主動元件丨丨如及 第二主動元件114c。其中,第二主動元件114c之第二源 極S2與共通線n4f連接,且共通線114f電性連接至第 一共通電壓Vcoml。此外,第一主動元件114a及第二主 動元件114c位於共通線114f之不同侧為範例,但不限於 此。於其它實施例中,第一主動元件114a及第二主動元 件114c可位於共通線114f之同一側。 ❹ 另—方面,對向基板120之共通電極122電性連接 至一第二共通電壓Vcom2。其中,共通電極122與晝素 電極114g之間的電場用以改變液晶層13〇之液晶分&的 排列方式,進而使液晶顯示面板100顯示不同的灰階書 面。 — 圖2繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板 波形時序圖。請同時參照圖1B、圖1E及圖2,主動元 陣列基板11〇包括由多個晝素單元(圖1B及圖1E中僅 繪示一個晝素單元114)所構成的陣列。如圖2所示,以 12 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 液晶顯示面板100為例,主動元件陣列基板11() ϋ素單元'n+1條第-掃描線以及n+1條第二掃 其中,第1條〜第n+1條第—棬以姑化油A 、’ 八cr^ ι、第知描線所傳遞的掃描訊號 第1條〜第η+ι條第二掃描 線所=遞的掃減號分取SG2 i〜SG2,㈣表示。
肉nir第糾條第—掃描線會在—個圖框時間T ❹ 依:寫入第^訊^叫广犯㈤的動作’使影像訊號 第1排〜苐n+1排晝素單元中。詳細而言以 S旦G、H14/^,當晝素單元114接收第—掃描訊號 而i 描訊號SGi,a第—主動元件u4a開啟, 而第-知描訊號SG2,n使第二主動元件心 透過資料線114e可將影像資料寫人晝素單元二^ 夕卜去=共通、線·被施以第一共通電塵Vc〇mi,因此, 旦素電極ll4g與共通線⑽可構成 中,儲存電容Cst可維持影像資料的電位。電备CSt其 ❹ 另n第i條〜第n+1條第二掃騎亦 個圖框時間T内完成傳送掃描訊號 曰 你。W 查表》» - 2,1 的動 ^號^早^ Μ為例,當晝素單元114接收第二掃 ^啟而掃描訊號^使第二主動元件⑴C 開啟而第一知描訊號8(}使第一主 因此畫素電極114g可透過第二主動元件 114f電性連接。 /〜、逋線 ,上述,由於共通線麗的電壓為第一共通電壓 ”,、第、通電壓vcoml。換句話說,此時晝素電極n4g 13 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 與共通電極122之間的電壓差即為I vcomi _ Vc〇m2 I。 實務上’可將I Vcoml - Vcom2丨設定為實質上大於L〇 灰階所對應到的電壓差Λν,使液晶顯示面板1〇〇顯示實 質上大於L0灰階的畫面,也就是顯示黑色晝面。 值得一提的是,掃描訊號SG1>n與掃描訊號SG2,n傳 送的至晝素單元114的時間點不同,因此,第一主動元 件114a及第二主動元件n4c被開啟的時間點不相同。 一詳細地說,於第一主動元件114a開啟期間,液晶顯 ® 不面板100的顯示畫面為資料線114e所提供。然而,於 第一主動元件114c開啟期間,液晶顯示面板1〇〇則可藉 由實質上大於L 0灰階所對應到的電壓差△ v來顯示黑色 晝面。也就是說,在同一排晝素單元中,第一主動元件 進行充電用以完成影像資料的寫入動作,而第二主動元 件猶如放電使影像資料的顯示晝面轉變為一黑色晝面。 因此,在下一個圖框時間T前,每個晝素單元有如插入 一個黑色晝面。 Ο 圖3繪示本發明之一實施例之驅動方法流程圖。此 驅,方法適於驅動液晶顯示面板議(繪示於圖ia)。於 參照圖3 ’此驅動方法包括以下兩個步驟:首先,在步二 S302中,循序開啟各第一掃描線所控制的第一主_ ,,並透過資料線將影像資料記錄於各晝素單元中。= 著,在步驟S304中,循序開啟各第二掃描線所控制 = :二使各晝素單元中的各晝素電極的電壓為 第:通電壓Vcomi。其中,在同一晝素單元中的 主動tl件與第二主動元件被開啟的時間點不相同。至於 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 本驅動方法之其餘細節已包含在上述實施例中 不加贅述。 圖4繪示本發明之—實施例之絲 製作方法。此製作方法可適於製作圖1B、圖 元件陣列基板110。本實施例以底閉型 體為範例,但不限於此。另請同時參照圖1B、圖心曰 1D及圖4,此製作方法至少包括:首先,在步驟⑽ 於-基板112上形成-第—圖案化導電層ρι。其中 -圖案化導電層pi包括多條第—掃描線U4b、多條 掃描線114d以及多條共通線U4f (圖1B僅冷示二條& 一掃描線、一條第二掃描線及一條共通線為例)。” 再者,在步驟S404中,於基板112上形成一閘 層GI ’以覆蓋第一圖案化導電層ρι。其中問絕緣層仞 具有多個第-接觸開口(未繪示),用以將共通線⑽ 的部分區域暴露,而第二源極S2透過第一接觸開口(未 繪示)與共通線114f電性連接。 Ο 之後,在步驟S406中,於閘絕緣層GI上形成多個 位於第一掃描線114b上的第一通道層CH1與多個位於第 二掃描線114d上的第二通道層CH2 (圖ic僅繪示—個 第一通道層、圖僅繪示一個第二通道層為例)。 接著,在步驟S408中,於閘絕緣層GI上形成—第 二圖案化導電層P2。其中,第二圖案化導電層p2包括多 個第一汲極D卜多個第二汲極D2、多條資料線114、多 個與資料線114電性連接之第一源極S1以及多個與共^ 線114f電性連接之第二源極S2。此外,第一源極μ = 15 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 第一汲極D1覆蓋住第—通道層cm的部分區域,且第 二源極S2與第二没極〇2覆蓋住第二通道層CH2的部分 區域(圖1A僅繪示一條資料線、圖1(:僅繪示一個第一 源極及-個第-汲極、圖1D僅繪示一個第二源極及一個 第二汲極為例)。第一通道層CH1與第二通道層CH2可 為單層結構或多層結構,且其材質包含多晶矽、非晶矽、 單晶石夕'微晶_'奈米晶♦、或上述晶格具有摻雜物之 矽化合物、或上述晶格之含鍺矽化合物、或上述晶系之 〇 有機半導體、或其它合適材料、或上述之組合。 然後,在步驟S410中,於閘絕緣層GI上形成一保 s蔓層PV,以覆盍第《一圖案化導電層P2。其中,保護層 PV具有多個第二接觸開口(未繪示)以及多個第三接觸 開口(未繪示)。而晝素電極114g透過第二接觸開口(未 繪示)與第一汲極D1電性連接,且晝素電極114g透過 第三接觸開口(未繪示)與第二汲極D2電性連接。 而後,在步驟S412中,於保護層PV上形成多個晝 & 素電極114g(圖1B僅繪示一個晝素電極為例),其中晝 素電極114g與第一汲極D1以及第二汲極D2電性連接。 在完成步驟 S402、S404、S406、S408、S410 及 S412 之後,便可從圖1B、圖1C及圖1D中之主動元件陣列基 板110更進一步了解上述之結構。 於其它實施例中,若第一主動元件114a及第二主動 元件114c其中之一為頂閘型薄膜電晶體,則上述實施例 製造方法’就有少許變動之。此時,就會以步驟S406之 方式,先形成第一通道層CH1及第二通道層CH2基板 16 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 112上,再以步驟S404之方式,在基板112上形成一閘 絕緣層GI,且覆蓋第一通道層chi及第二通道層CH2。 然後’以步驟S402之方式’於閘絕緣層GI上形成第一 圖案化導電層P1,其包含第一掃描線114b、第二掃描線 114d、共通線U4f。以步驟S408、步驟S410及步驟412 來形成後續所需的晝素電極114g、保護層PV、資料線 114e、第一源極S1/第二源極S2及第一汲極D1/第二汲極 D2。必需說明的是,需於步驟408及步驟402之間增加 β 一道覆蓋一圖案介電層(未繪示)於基板上,來藉此防 止掃描線(114b及114d)與資料線(114e)產生短線現 象。 另外’本發明上述實施例所述之通道層CH1及CH2 依其主動元件114a及114c而有不同的堆疊結構。若以主 動元件114a及114c其中至少一者為底閘型薄膜電晶體為 範例,則通道層CH1及CH2其中至少一者包含垂直排列 結構或水平排列結構。以垂直排列結構為例,則通道層 〇 CH1及CH2其中至少一者包含摻雜矽層及位於摻雜矽層 下方的非摻雜矽層。以水平排列結構為例,則則通道層 CH1及CH2其中至少一者僅包含一矽層,此矽層同時具 有摻雜矽區及非摻雜矽區。相反的,若以主動元件U4a 及114c其中至少一者為頂閘型薄膜電晶體為範例,則通 道層CH1及CH2其中至少一者包含水平排列結構,而其 結構如上所述。 再者’本發明上述實施例所述之主動元件陣基板 ’可應用於下列所述之液晶顯示面板,例如:穿透型 17 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 顯示面板、半穿透型顯示面板、反射型顯示面板、彩色 渡光片於主動層上(color filter on array )之顯示面板、 主動層於彩色濾光片上(array on color filter)之顯示甸 板、垂直配向型(VA)顯示面板、水平切換型(IPS)顯 示面板、多域垂直配向型(MVA)顯示面板、扭曲向列 型(TN)顯示面板、超扭曲向列型(STN)顯示面板、 圖案垂直配向型(PVA)顯示面板、超級圖案垂直配向 型(S-PVA)顯示面板、先進大視角型(ASV)顯示面 ® 板、邊緣電場切換型(FFS)顯示面板、連續焰火狀排 列型(CPA)顯示面板、軸對稱排列微胞型(ASM)顯 示面板、光學補償彎曲排列型(OCB)顯示面板、超級 水平切換型(S-IPS)顯示面板、先進超級水平切換型 (AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型(UFFS)顯 示面板、高分子穩定配向型顯示面板、雙視角型 (dual_view )顯示面板、三視角型(triple·view )顯示 面板、三維顯示面板(three-dimensional)或其它型面板、 ❹ 或上述之組合。又,上述之顯示面板及其製造/驅動方法 亦可運用光電裝置及其製造/驅動方法上。如圖5所示, 圖5繪示本發明之一實施例之光電裝置的示意圖。由包 含本發明上述實施例之主動元件陣列基板11〇的顯示面 板400可以跟電子元件420組合成一光電裝置5〇〇。在 此,電子元件420包括如:控制元件、操作元件、處理 元件、輸入元件、記憶元件、驅動元件、發光元件、保 護元件、感測元件、偵測元件、或其它功能元件、或前 述之組合。而光電裝置之類型包括可攜式產品(如手機、 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 攝影機、照相機、筆記型電腦、遊戲機、手錶、音樂 放器、電子信件收發器、地圖導航器、數位相片、或 似之產品)、影音產品(如影音放映器或類似之產品)、 ,幕、電視、父易系統之螢幕、看板、投影機内之面板 毒。 綜上所述,本發明所提出的液晶顯示面板及光 列基板中的共通線及第二主動元4 l素電極進订插黑畫面的動作。細 板利用第二主動元件顯示黑畫面時 日第員= 動元件的充電時間。也就是說,本發主 方法所提出的插黑畫面技術不會衍生充電率ΐ 書=像===輪卜侧極驅動器將ί 本發明無須提高源極驅動 ❹ 以限定本發日;月:二=:;,揭露如上,然其並非用 潤飾,因此本發明之保護=、:當可作些許之更動與 所界定者為準。 田硯後附之申請專利範圍 【圖式簡單說明】 圖1A繪示本發明之一 , 面圖。 例之液晶顯示面板的剖 圖1B續'示本發日月夕 ^ 局部示意圖。 實施例之主動元件陣列基板的 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 圖1C繪示圖IB中沿剖面線Cl-Cl’之剖面示意圖。 圖1D繪示圖1B中沿剖面線C2-C2’之剖面示意圖。 圖1E繪示本發明之一實施例之液晶顯示面板的局部 電路圖。 圖2緣示本發明之一實施例之液晶顯示面板的驅動 波形時序圖。 圖3繪示本發明之一實施例之驅動方法流程圖。 圖4繪示本發明之一實施例之主動元件陣列基板的 〇 製作方法。 圖5繪示本發明之一實施例之光電裝置的示意圖。 【主要元件符號說明】 100 .液晶顯不面板 110 :主動元件陣列基板 112 :基板 114 :晝素單元 114a :第一主動元件 P 114b:第一掃描線 114c:第二主動元件 114d :第二掃描線 114e :資料線 114f :共通線 114f :分支 114g :晝素電極 120 :對向基板 122 :共通電極 200944905 AU0705008 25209twf.doc/p 130 :液晶層, CHI :第一通道層 CH2 :第二通道層 Clc ·液晶電容 Cst :儲存電容 D1 :第一汲極 D2 :第二汲極 G1 :第一閘極G1 ❹ G2 :第二閘極 GI :閘絕緣層 P1 :第一圖案化導電層 P2 :第二圖案化導電層 PV :保護層 51 :第一源極 52 :第二源極 SGu〜SG^+i :第一掃描訊號 ◎ SGu-SGuh :第二掃描訊號 T: 一個圖框時間 Vcoml :第一共通電壓 Vcom2 :第二共通電壓 △V :實質上大於L0灰階所對應到的電壓差 S302、S304、S402、S404、S406、S408、S410、S412 : 步驟 400 :顯示面板 420 :電子元件 21 200944905 /\υυ/υ^υ08 25209twf.doc/p 500 :光電裝置
Claims (1)
- 200944905 AUO/U5U〇8 25209twf.doc/p 十、申請專利範圍: 1.一種主動元件陣列基板,包括: 一基板; 多個晝素單元,配置於該基板上,且各該晝素單元 包括: 一第一主動元件,配置於該基板上,且其具有 一第一閘極、一第一源極及一第一沒極; 第一知描線’配置於該基板上,且連接該第 ❹ 一主動元件之該第一閘極; 一第二主動元件,配置於該基板上,且其具有 一第二閘極、一第二源極及一第二汲極; 一第二掃描線,配置於該基板上,且連接該第 二主動元件之該第二閘極; 一賓料線,配置於該基板上,且連接該第一主 動元件之該第一源極; 一共通線,配置於該基板上,且連接該第二主 _ 動元件之該第二源極;以及 一晝素電極,配置於該基板上,並與該第一主 動元件之該第一汲極以及該第二主動元件之該第二 汲極連接,當該第一主動元件被開啟時,該資料線 =該畫素電極透過該第—主動元件彼此電性連接, 當該第二主動元件被開啟時,該共通線與該畫素電 極透過該第二主動元件彼此電性連接。 2·如申請專利範㈣1項所述之絲元件陣列基 板,其中錢晝素單元内的該第—主動元件包括薄膜^ 23 200944905 auu/udu08 25209twf.doc/p 3·如申請專利範圍第i項所逑之主動元件陣列基 板’其中各驢素單元_該第二主動元件包括薄膜電 晶體。 、 4.如申請專利範圍第丨項所述之主動元件陣列基 板,其中各該晝素單元内的該第一掃插線與該第一主動 元件位於5亥共通線的一側,而該第二掃描線與該第二主 動元件位於該共通線的另一側。 ^5.如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基 板,其中各該晝素單元内的該共通線具有至少一分支, 且該分支與該第二主動元件之該第二源極連接。 6. —種液晶顯示面板,包括: 一申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板, 其中s亥共通線電性連接至一第一共通電壓; 一對向基板,具有一共通電極,其中該共通電極電 性連接至一第二共通電壓Vcom2,a丨Vc〇ml_v⑺尬( 實質上大於一 L0灰階所對應到的電壓差;以及 一液晶層,配置於該主動元件陣列基板與該對向基 板之間。 7·如t請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板,其中 各遠晝素單元内的該第一主動元件包括薄膜電晶體。 8. 如申印專利範圍第6項所述之液晶顯示面板,其中 各該畫素單元内的該第二主動元件包括薄膜電晶體。 9. 如t請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板,其中 各該晝素單元内的該第—掃織與該第_絲元件位於 24 200944905 auu/vduOS 25209twf.doc/p 該共通線的-侧’而該第二掃描線與該第二元件位 於該共通線的另一側。 中各請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板,其 古H早70内的該共通線具有至少-分支,且該分 支”μ弟一主動兀件之該第二源極電性連接。 述之適於驅射請專__6項所 履日日顯不面板,該驅動方法包括: ❹ 件,並读、ί啟各衫掃描線所控制的該些第一主動元 中;以及㈣㈣料線將影像資料記錄於各該晝素單元 件,:啟各該第二掃描線所控制的該些第二主動元 共通電it該晝素單元巾的各該畫素電_電壓為第一 盥贫第-主rmi,在同一畫素單元中的該第一主動元件 /、弟—主動元件被開啟的時間點不相同。 i2.=~種主動元件陣列基板的製作方法,包括: ο 化導上形成—第—圖案化導電層,該第一圖案 條共通ιΐ條第—掃描線、多條第二掃描線以及多 導電I該基板上形成1絕緣層,以覆蓋該第-圖案化 -通層上形成多個位於該第—掃描線上的第 ϋ個位於該第二掃描線上的第二通道#; Ε1荦^閉絕緣層上形成—第二圖案化導電層,θ該第二 層包括多個第-沒極、多個第二沒極、多; 夕個與該些資料線電性連接之第—源極以及多 25 200944905nR '……一25209twf.doc/p =些共通線電性連接之第二源極 =弟「沒極覆蓋住該些第-通道層的部;Ϊ域;; “i源極與該些第二沒極覆蓋住該些第二通道層的i 化導層上形成-保護層’以覆蓋該第二圖案 於》亥保漢層上形成多個晝素 1 極_些第1極以及該些第4㈣性連中接U電 ❹ 板的J i::專2圍第η項所述之主動元件陣列基 ',/、中該閘絕緣層具有多個第一接 口,以將該些共通線的部分區域暴露,而該ί第= 透過該些第一接觸開口與該些共通線電性連接原極 板的製作;^法月專,圍·12項所述之主動元件陣列基 ί3 中該保護層具有多個第二接觸開口以 夕固第二接觸開口,該些晝素電 ❹ 極電性連接,且該些晝素電== 些弟二接觸開口與該些第二汲極電性連接。 15.-種光钱置,包含請求·所述讀 扳。 包含請求項11所述 包含請求項12所述 W· —種光電裝置之驅動方法 之液晶顯示面板之驅動方法。 〇· —種光電裝置之製作方法 之主動元件陣列基板的製作方法。 26
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW097114888A TWI329777B (en) | 2008-04-23 | 2008-04-23 | Active device array substrate, liquid crystal display panel, electro-optical device, and methods of manufacturing and driving the same |
US12/170,445 US7719625B2 (en) | 2008-04-23 | 2008-07-10 | Active device array substrate, liquid crystal display panel, electro-optical device, method for fabricating the same, and methods for driving the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW097114888A TWI329777B (en) | 2008-04-23 | 2008-04-23 | Active device array substrate, liquid crystal display panel, electro-optical device, and methods of manufacturing and driving the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200944905A true TW200944905A (en) | 2009-11-01 |
TWI329777B TWI329777B (en) | 2010-09-01 |
Family
ID=41214627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097114888A TWI329777B (en) | 2008-04-23 | 2008-04-23 | Active device array substrate, liquid crystal display panel, electro-optical device, and methods of manufacturing and driving the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7719625B2 (zh) |
TW (1) | TWI329777B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI511117B (zh) * | 2014-05-09 | 2015-12-01 | Au Optronics Corp | 可切換2d/3d顯示系統及其驅動方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101408715B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US8475872B2 (en) * | 2009-08-19 | 2013-07-02 | Apple Inc. | Patterning of thin film layers |
TW201118460A (en) * | 2009-11-20 | 2011-06-01 | Innolux Display Corp | Transflective liquid crystal display device and driving method thereof |
KR102008956B1 (ko) * | 2012-07-18 | 2019-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN103472647B (zh) * | 2013-09-22 | 2016-04-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
CN103472643B (zh) * | 2013-09-25 | 2016-01-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示装置、像素结构及其驱动方法 |
CN105895706A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及显示装置 |
US20180364532A1 (en) * | 2017-06-20 | 2018-12-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. , Ltd. | Array substrate and liquid crystal panels |
WO2019058463A1 (ja) | 2017-09-20 | 2019-03-28 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392620B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus having a full-color display |
US7453086B2 (en) * | 2005-01-14 | 2008-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor panel |
-
2008
- 2008-04-23 TW TW097114888A patent/TWI329777B/zh active
- 2008-07-10 US US12/170,445 patent/US7719625B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI511117B (zh) * | 2014-05-09 | 2015-12-01 | Au Optronics Corp | 可切換2d/3d顯示系統及其驅動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090268118A1 (en) | 2009-10-29 |
US7719625B2 (en) | 2010-05-18 |
TWI329777B (en) | 2010-09-01 |
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