TW200907995A - Method and system of defect management for storage medium - Google Patents

Description

200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種儲存媒體的損壞管理方法及 統，特別是有關記憶體的損壞管理方法及其系統。^糸 【先前技術】 存儲媒體’特別是如非揮發性記憶體之類的快 〇 體，其因為半導體的穿隨效應，快閃記憶體在到達 上的抹寫次數後’記錄資料的功能會開始損毁。針對此 目前在記憶體中的資料區塊便併入錯誤更正碼‘r， correction code，ECC)來進行資料的校正，另夕卜還有 管理、軟體管理或耐度(end刪ce)管理等 、& ^正記憶體中毀損資料的方法，但是該些方法也都= 上述ECC綠在錯誤至無法更正時 =機制配合，因此無法有效的預期可能發生損壞二二 事先防範。缺陷管理的方式則不是事 疋將有缺陷的區塊做標記而施以管理， 塊，會產 式做快_體 當作業系統或應用程式重新成儲存體可攜性，而且 問題。耐度管理則理資料會有消失的 的管理。 计數的方式來對記憶體做使用上 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 利用ί 理為—斷數方式的管理綠。此方法 利用寫U作做損___。本方法的缺點 未有實際毁損便被標示為缺陷區塊: 因此 =損壞是由非寫入造成的快閃記憶區 塊如項取很多次或放置很長的時間。 能夠預先二=要一種可以有效管理缺陷儲存區塊且

O 【發明内容】 針對上述問題，本發明接一 理不同毁顧存區塊的方法 y預防賴與有效管 護重要資料，並Η 7:55 '八可以在資料發生損毀前保 所造成的資料毁損，充2次寫入或多次讀取或長期保存 塊。’充分絲闕始有機的儲存區 步驟本發Γ提供—種儲存媒體之損壞管理方法，包括以下 步驟。1·先，對儲存媒體 ^括乂下 體進行區域劃分，Ε 起始核查，並且對儲存媒 塊的使用眘粗卩砧 t 匕柯为，夕数個耐 分別附上初始耐^值。° 2㈣料區域中賴些耐度區塊 錄該些耐度區表⑽存媒财，以記 媒體進行細值。城耐度表，對儲存 寫入預定缝，對細妓、^抹t寫人料超過抹除/ 表。對儲存媒體進行讀取耐度值並更新耐度 預定次數，對各耐= Ή讀取料超過讀取 了度Q塊重新計算耐度值並更新耐度表。 區塊Ί至少包括具有多數個耐度 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/a 金j上述方法中’抹除/寫入程序更包括：將棟除/駕入 :數，斷是否超過袜除二= 數’田超過抹除/寫人預定次數，重新計細 計舁的耐度值，縣資料並結束輯除/寫人程序；以及f 未超過抹除/寫入預定次I胃 虽 #以士吾姑二 累加於採除/寫入、總計數值， 抹除/寫入程序。另外，重新計算該耐度值可以更 j.將抹除/寫人總計數值歸零；調整耐度值躺條件； 依據耐度值觸條件，㈣計㈣度值 算 对度值，搬崎料。 錄财异的 另外，在上述方法中，讀取程序更包括：在每一續取 程序·，累加】於讀取總計數值’並判斷是否超過讀取預定 士數，當超過讀取預定次數，重新計算耐度值，並依據計 异的耐度值，搬動資料並結束讀取程序；以及當未超過嘖 ，預定次數’進行ECC檢查與更正程序，並且結束讀取程 ^此外，重新計算該财度值更包括：將讀取總計數值歸 ，’調整耐度值判斷條件；依據财度值判斷條件，重新計 算耐度值，以及依據計算的耐度值，搬動資料。另外，Ecc 檢查與更正程序更包括：檢查ECC更正次數是否增加；當 該ECC更正次數增加時，記錄ECC更正位元數於該耐^ 表中，並且結束該讀取程序；以及當ECC更正次數未增加 時，結束讀取程序。 曰 此外，本發明更提出一種儲存媒體之損壞管理系統， 包括·儲存區域，至少包括多數個耐度區塊(enduranee block);空間管理器，與儲存區域耦接，對儲存區域進行 7 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 管理；ECC單元’與儲存區域與空辭理聽接，用以當 對儲存區域進行抹除/寫入或讀取資料時，對資料進行 檢查與更正；微控制ϋ，接至空間管理器，微控制器可 執行前述的娜管理方法；以及耐度表，㈣記錄各耐度 區塊的耐度值。

O 在上述系統中，可以更包括一介面，做為外部主機斑 微控制盗之間的溝通。另外，可以更包括緩衝器 介面該ECC單元之間。 在上，系統中，各該些耐度區塊包括多數個資料區 塊，各該資料區塊更包括多數個ECC資料單元。另外，上 述耐度表可建立在該儲存區域内部或外部。耐度表可以勺 括财度區塊、寫人:欠數、ECC更正位元數與^值。0 、因此，本發明利用計數方式和ECC做為管理記憶體的 方式，並將如快閃等的記憶體上上的檔案資料分資料重要 ，。將重要性高至低的檔案依序放置於損壞預測因子低至 高的區塊中。藉此，達成資料高可靠性與快閃記憶體 空間充分利用的功能。 ^為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式， 明如下。 '、’ 5兄 【實施方式】 二在說明本發明記錄媒體的缺陷或損壞管理方法和架構 之則，先說明記錄媒體中的基本資料結構。此處列出的資 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 料結構内容僅為最相關部分，在實際應用上，完整的資料 結構可以包含其他内容。 圖1繪示包含ECC單元的資料區塊的結構示意圖。以 下的實施例將以快閃記憶體做為說明例。在快閃記憶體 中，以圖1的資料區塊1〇做為最小的讀寫單位。資料區塊 1〇 —般可包含一或多數個ECC：資料區塊12。做為最小讀 寫單位的資料區塊10的大小例如可以是512B或2KB等， 其可以具設計需求做適當的調整。而各ECC資料區塊12 則包含可修正位元數的資料，例如16位元。藉由ECC資 料區塊12可以對讀取或寫入的資料進行錯誤更正的處理 程序。 母個ECC資料區塊具有它可以檢查出的錯誤位元數 及其可以更正的錯誤位元數。另外，每個資料區塊1〇也有 其可以檢查出的錯誤位元數及其可以更正的錯誤位元數， 亦即其内所有ECC資料區塊12中可檢查出的錯誤位元數 的總和及其可以更正的錯誤位元數的總和。 一圖2綠示本實施例的耐度區塊的架構示意圖。如圖2 所示，根據本實施，快閃記憶體中的耐度區塊㈣丽⑶ Mock) 20可以包含整數個圖i所示的資料區塊.在快閃 Ϊ憶體中，。在記錄與計算快閃記舰的損壞程度時，以耐 度區塊為单位。 、隹例’將儲存在快閃記憶體中的資料或檀案 的分類’而將耐度區塊20賦予不同的參數财度 值ndu’亦即對記憶體的儲存區域的損壞程度附上一個參 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 考標籤，使系統可以預測該區塊的耐 依據即將錯誤的程度給予，可以 數值越小’麵顧存_的可靠度喊 ^ 要性高的㈣或資料。透過這種方式，可

存到區域中。下面緣詳細== 上f的重要性为類是可以讓系統本身依據槽案或資料 本身的屬性、_名等等來進行區分分類，或者是也可以 =用者自己來做定義與分類。經過分類分層後，滅的 區塊便可依重要性，對應到不關重要性的槽案。 以系統自行定義為例，可以將系統權和隱藏 統作業高度相_播案與資料儲存在如End㈣^區域'，、 可姐在脇㈣的區域，料财存放在制㈣ 的區域，而備份檔或資料則存放在Endu=1的區域。 外，是使用者本身自己^義的話，可以將重要的 貝料或影0料存放在End㈣的輯。—般資料與影立 播可以存放在例如Endu=1的區域，而不重要的資料: 音檔可以存放f例如Endu=3的區域。當然，以上僅是說 明之用，何種資料要存放在Endu值多少的 統或使用者的定義方式。 袖优乐 圖3纷示本實施_記憶體中的儲存區域的示意圖。 如圖3所TF ’其為記憶體的邏輯儲存區域的配置示意範 例。例如，可以將儲存區域30分成管理區域(映射表)32、 使用資料區域34、備份區域36與缺陷區域38。其中，在 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 此圖例中’使用資料區域34更可以依據Endu值區分為區 域1〜區域4 ’藉以依據檔案或資料的重要性來分配儲存的 區域。 在管理區域32中可以存放一個記錄表，即耐度表 (endurance table)。此記錄表記錄有耐度區塊的位置、區塊 的寫入次數(cycles)、ECC錯誤更正位元數(ECC)和耐度值 Endu (即將錯誤的程度）。圖4緣示本實施例的管理區域中 的耐度記錄表示意圖。如圖4所示，£11(111值可以是次數與 ECC的函式或判斷式。一般快閃記憶體在出廠後會有E/w 參考值(抹除/寫入參考值，即可以執行幾次)以及分佈（即 入邊人後會開始產生缺陷）。而利用E/w參考值、^ ，誤更正以及前述分部等等，定義—個對應函式或 =由次數與ECC計算Endu值。此對應函數或判斷式 t買寫次數增加到不同的程式，崎對#時陳閃 使用狀況與毁損狀況做修正。 ％發 1, 經由上述的記錄表，便可依不同的Endu值，將 =儲存區分成數個區域(嶋），即上述耐度區塊= 圖3 ’依不同的Endu值〇_3，分成了區域1到區域*。^ =外’£_值的對應函式或觸式也可依各層 ίί 2整。此外，管理區域32因為4要性高，實作 使用較尚可靠度的儲存體，例如mram。 、可 人田ί上是對快閃記憶體内資料區塊架構做個說明，I 2來指#㈣發生錯誤之程度的Endu值和資料/梓， 重要性，來做儲存區域的配置。另外，針對快閃記= 11 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 另一特^二即資料具有搬動特性，本實施例可以根據儲存 區塊^損壞或缺陷程度的改變，將資料和檔案做適當的搬 ，。藉此，使重要性的資料和檔案得以一直儲存在可靠性 高的儲存區域巾’以避免資料和髓的遺失或毁損。接著 將對此程序做進一歩的說明。 圖5繪示本實施例的記憶體缺陷管理的流程示意圖。 圖5所繪不的程序是針對記憶體一開始使用的狀況。首 先，在步驟S100執行起始檢查。此起始檢查是對整片快 閃兄憶體巾包讀存區域的整體檢查，以確讀存區塊是 否有問題或缺陷。接著，在步驟S1G2，對記㈣的儲存區 域，行區域分配；亦即，進行邏輯儲存區域的定址分配等， 其範例如圖3所示。接著，在倾S1G4，分配初始Endu 區域，即例如圖3中與Endu = 〇〜3對應的區域i至區域4。 此時，因為記憶體的儲存區塊皆尚未使用，所以可簡單依 需用比例線性分配。 ^之後，便依據每次抹除/寫入以及讀取的操作，重新計 算各區域的Endu值，並且依據新的Endu值來搬動資料的 儲存區域。接著便詳述Endu值的計算方式。 圖6繪示本實施例的抹除/寫入流程的示意圖。首先， 在步骤s·，將總計數值(抹除/寫入總計數值)T〇taic〇unt 加上一相對倍數值 cw，即 Totalcount = T〇talcount + cw。 在對快閃記，Mit行抹除/寫人以及讀轉作過程中，記錄 T〇talC_ter，φ即計算操作的總次數。因為快閃記憶體有 -定的生命週期，所以可以根據操作次數來判斷目前記錄 12 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n

區塊的即將損壞程度(耐度）。另外，在 間對記憶體的損壞有著-定的_，_ _ ϋ= 的總次數時，尚轉力认相對於魏操作私^除 上遂的相對倍數GW，歧_翔更為精確 則依據根據讀與寫造成損壞的比例，決十^ T〇talCounter要加多少相對倍數cw。例如快閃_ = mi生命翻是ig萬次，㈣取程序生㈣期 ΐ數麵广’财母絲/以程相總計錢加上相對 接著，在步驟S202，讀取步驟S2〇〇所得到的 值T〇talC〇unt。之後在步驟贿，依據步驟纖觸取 的總計數值TotalCount，判斷耐度值Endu是否需要重新吁 =相設定每當料數值τ祕嶋t到達一預設值 後’重异5己錄表中的Endu值。 在步驟S204 ’ #總計數值Totalc〇um未達預設值，即 不需要重新計算Endu值時(步驟S2〇4的結果為“否，，），則 將計數值加1，並且結束抹除/寫入流程。反之，當需要重 新計算Endu值時(步驟S204的結果為“是”)，則在^驟％^ 將總計數值TotalCount歸零，並且執行步驟S212〜S216的 重异Endu值的程序。重算Endu值的程序較佳是以背景程 序(background process)、低優先權的程序執行。 關於重算Endu值的程序，首先在步驟％ 1〇將 TotalCount歸零。接著調整Endu值判斷條件。快閃記憶體 會&者抹除/寫入和讀取的次數，而改變即將損壞的程度。 13 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 因此，在重新計异Endu值時，便需要適度地對Endu值判 斷條件(例如圖4)做適當的調整，即步驟S212。之後，根 據調整後的Endu值判斷條件，重新計算Endu值。也就是 說，如圖3中的區域}至區域4的Endu值會被重新計算， 產生新的值。例如，區域1的Endu值為3，區域2的Endu 值為b區域3的Endu值為2，區域4的Endu值為〇等 等。最後，根據具有新Endu值的儲存區域，將資料依據 f) 重要性，搬移到對應的Endu值的儲存區域中。當完成資 料搬移後，則結束此抹除/寫入程序。 圖7繪不本實施例的讀取流程的示意圖。在執行快閃 圮憶體的讀取程序時，也是執行與圖6類似的程序。如圖 7所示，在開始讀取程序後，首先在步驟S3〇〇將總計數值 (項取總計數值）TotalCounter加1。接著，在步驟S302讀 取步驟S300所得到的總計數值T〇talc〇unt。之後，在步驟 S304 ’依據步驟S302所讀取的總計數值TotalCount，判斷 耐度值Endu是否需要重新計算。一般可以設定每當總計 G 數值TotalCount到達一預設值後，重算記錄表中的Endu 值。 在步驟S304，當總計數值T〇taic〇unt未達預設值，即 不需要重新計算Endu值時(步驟S304的結果為“否，，）。之 後，便執行步驟S304 ’做ECC檢查與更正。在對記憶體 進行讀取時，一般需要進行ECC檢測與更正，以確定可以 讀取到正確的資料。但是一般資料區塊的E C C檢測能力與 可修正次數也有其限制，這也會影響到資料區塊的即將損 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 壞程度’故也需要加以記錄(如圖4之例）。 因此，在執行步驟S304後，判斷檢查ECC吏正次數 是否有增多（步驟S320)，若有則將ECC更正位元數記錄於 如圖4之例的耐度記錄表中（步驟S322)，並結束讀取程 序。反之，在步驟S320若ECC更正並未增加，便直接結 束讀取程序。 另外’在步驟S304 ’當總計數值TotaiCount達到預設 Q 值，需要重新計算Endu值時(步驟S304的結果為“是，，）， 則在步驟S310將總計數值TotalCount歸零，並且執行步 驟S3j 2〜S316的重算Endu值的程序。重算Endu值的程$ 較佳是以背景程序(background process)、低優先權的程庠 執行。 關於重算Endu值的程序，其與圖6的Endu值重算程 序相同。首先在步驟S310將TotalCount歸零。接著^整 Endu值判斷條件。在重新計算Endu值時，需要適度地對 Endu值判斷條件做適當的調整，即步驟S312。 J 之後，根據調整後的Endu值判斷條件，重新計算 值。也就是說，如圖3中的區⑴至區域4的新^ = 被重新計异，產生新的Endu值^後，根據具有新e偷 值的館存區域，將資料依據重要性，搬移到對應的£她 值的儲存區域中。當完成資料搬移後，則結束此讀取程序。 =卜，步驟S304的ECC檢查與更錯，可以在判斷齡 疋否重鼻域後之時來進行。如果有新的ECC更錯產生， 則記錄到Endu表中。 15 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 綜上所述，透過上述開始程序、抹除/寫入程序以及讀 取程序這3辦算Endu财後，便可實現猶率分層的 管理機制。另外’在不同的應用中，各種數值可做調^。 例如長期保存很少寫人、少量棘的狀況時，總計數值 TotalCmmter可每1000重設一次，相對倍數cw可設為1〇。 另外，也可檢查讀寫資料的頻率來決定這些數值。 接著忒明可以實施上述程序的硬體架構。圖8怜示本 〇 實施_硬聽構示意®。如® 8所示，記_體實施 例為快閃記憶體)100包括儲存區域1〇2、ECC單元⑺6、 空間官理器（spacemanager)114、微控制器112、介面11〇、 緩衝器108和耐度表1〇4。 儲存區域102主要是實體儲存區域。ECC單元1〇6主 要是對寫入或讀取的資料進行偵錯與更正的動作。空間管 理器114主要是對儲存區域進行定址管理、分配與配置等 等動作。微控制器112控制整個快閃記憶體1〇〇。透過介 面110，快閃記憶體100可以主機(例如電腦等）116做溝 CJ 通。資料的寫入與讀取先暫放緩衝器，再通過介面進行主 機116與記憶體100之間的溝通。耐度表1〇4則是存放如 上述圖4的數據，其可位於儲存區域1〇2内部或外部。 微控制器112可以寫入上述圖5至圖7的程序控制 碼，以對空間管理器114進行控制。藉此，得以建立如上 述圖4的耐度表。耐度表包括耐度區塊、寫入次數、 更正位元數與财度值彼此間的對應關係。藉此，微控制器 112可以依據資料的重要性，將重要的資料儲存到損壞程 16 200907995 F5iy6UU44IW 24499twf.doc/n 度較低的區塊中。 另外，通過圖5製圖7 以依财_賴^料區、，D、_*入與棘程序’可 後’細__的_^ =度重新=1 將資料作適當的搬動。 又、P對應到Endu值），再 據儲:i:t員^返:以^料可:持續ϊ :的搬動。藉此’可以達到儲存媒體4 = = Ϊ 上述實施例是以非揮發性之快 =的儲存媒體也可以應用此-管;不 存舰有其㈣的雜，在應m要做相應的 修正即可應用本發明的方法。 —雖然本發θθ已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何所屬技術躺巾具有通常知識者，在不 脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾， 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 為準。 【圖式簡單說明】 圖1繪示包含ECC單元的資料區塊的架構示意圖。 圖2繪示本實施例的耐度區塊的架構示意圖。 圖3繪示本實施例的記憶體中的儲存區域的示意圖。 圖4繪示本實施例的管理區域中的耐度記錄表示意 17 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 圖5繪示本實施例的管理流程示意圖。 圖6繪示本實施例的抹除/寫入流程的示意圖。 圖7纟會不本貫施例的t買取流程的不意圖。 圖8繪示本實施例的硬體架構示意圖。 【主要元件符號說明】 1 ’ 10 :資料區塊 12 : ECC資料單元 20 :耐度區塊 30 :儲存區域 32 :管理區域(映射表) 34 :使用資料區域 36 :備份區域 3 8 ·缺陷區域3 8 18

Claims (1)

1. 200907995 P51960044TW 24499twf.doc/n 十、申請專利範固： 1. -種儲存紐之損壞管理方法 對該儲存媒體進行—起於 行-區_分，其㈣區查’並且對贿存媒體進 區塊的-使用資料區^ ' sl刀至4包括具有多數個耐度 财度=使嶋區域中的該些耐塊分_上-初始 與該於該儲存媒體中’以記錄該些耐度區塊 盆中表’對該儲存媒體進行一抹除/寫入程序， 八中虽該抹除/寫人程序超過—抹除/寫人默 該耐度區塊重新計算—耐度值並更新綱度表；以及 過進行—讀取程序’其中當該讀取程序超 茲次數，對各闕度區塊重新計算—耐度值並 Ο 2. 如申請專利範圍第1項所述之儲存魏之損壞營理 方法’其中該該抹除/寫入程序更包括： 將一抹除/寫入總計數值加上一相對倍數，並判 超過該抹除/寫入預定次數； 當超過該抹除/寫入預定次數，重新計算該耐度值，並 =據計算的耐度值，搬動資料並結束該抹除/寫入程序；以 當未超過該抹除/寫入預定次數，累加1於一抹除/寫 入總計數值’並且結束該抹除/寫入程序。 ” 19 200907995 FMV6UU441 w 24499twf.doc/n 3.如申請專利範圍第2項所述之儲存媒體之 方法，其中重新計算該耐度值更包括： 、展s理 將該抹除/寫入總計數值歸零； 調整一耐度值判斷條件； 依據該耐度值判斷條件，重新計算該耐度值；以 依據計算的财度值，搬動資料。 〇 4.如申請專利範圍第1項所述之儲存媒體之 方法，其中該讀取更包括： ' 在每-讀取程序，累加1於一讀取總計數值，並 是否超過該讀取預定次數； 當超過該讀取預定次數，重新計算該耐度值，並依據 計算的耐度值，搬動資料並結束該讀取程序；以及 當未超過該讀取預定次數，進行—Ecc檢查與更正程 序，並且結束該讀取程序。 5. 如申請專利範圍第4項所述之儲存媒體之損壞管理 方法’其中重新計算該耐度值更包括： 將該讀取總計數值歸零； 調整一财度值判斷條件； 依據該耐度值判斷條件，重新計算該耐度值；以及 依據計算的耐度值，搬動資料。 6. 如申请專利範圍第4項所述之儲存媒體之損壞管理 方法，其中該ECC檢查與更正程序更包括： 檢查一 ECC更正次數是否增加； 當該ECC更正次數增加時，記錄一 ECC更正位元數 20 200907995 ^ i y〇W441 W 24499twf.doc/n 於該耐度表_，並且結束該讀取程序；以及 當該ECC更正:域未增加時，結束_取程序。 專利範圍第1項所述之錯存媒體H㈣ 度區塊更包括多數個資料區塊，各該資 科區塊括一 £CC資料單元。 貝 1申請彻第丨項之_賴之損壞管理 / ，/、中該耐度表包括耐度區塊、寫入次數、ECC 位元數與耐度值。 又 方請專利範圍第1項所述之儲存媒體之損壞管理 万法，其中該儲存媒體為一非揮發性記憶體。 K).如申請專概圍第i顿述之儲存雜之損壞管 方法，其中轉揮發性記憶體為—快閃記憶體。 11.一種儲存媒體之損壞管理系統，包括·· bl〇ck)一儲存區域，至少包括多數個耐度區塊㈣職ce 〜μ二間&理器，與該儲存區域耦接，對該儲存區域進 订官理； v ^ ECC單元，與該儲存區域與該空間管理器耦接，用 ^當對該儲存區域進行抹除/寫入或讀取資料時，對該資料 違行£CC檢查與更正； T 如微控制11，祕至該空間管理器，該微控制器執行 凊專利第1至第項任一項的儲存媒體之損壞管理方 '去；以及 一耐度表，用以記錄各該耐度區塊的一耐度值。 21 200907995 FMy〇uu441 w 24499twf.doc/n 12. 如申請專利範圍第U項所述之儲存媒體之損壞管 理系統’其中各該些耐度區塊包括多數個資料區塊，各今 資料區塊更包括多數個ECC資料單元。 w 13. 如申請專魏圍第U賴述之料職之損壞管 理系統，其中該耐度表建立在該儲存區域内部或外部。 / μ.如申請專利範圍第n項所述之铸存媒體之損壞 理系統’其中該耐度表包括财度區塊、寫 正位元數與耐度值。 更 /5·如巾請專鐵11摘狀辟舰之損瓌总 理系統，其中該儲存制為-非揮發性記,it體。、s / 16.如中請專概㈣u項所述以轉媒 】7如f俾㈣δ&龍為…_記憶體。 •申叫專利範圍第11項所述之儲; 理系統，更包括-介面m二辟媒體之損壞管 】8.如申請專利範圍第控制器。 〇 理系統灿咖姆齡轉管 22