TW200822106A - Write once information recording medium and disk apparatus - Google Patents

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200822106 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於能夠使用諸如藍雷射束等短波長雷射 束記錄/播放資訊之追記型資訊記錄媒體及播放媒體的顯 示裝置。 【先前技術】 如眾所皆知一般，近年來普遍的個人電腦等之數位資 料儲存媒體的重要性日益增加。例如，能夠數位記錄/播 放長期視頻資訊和聲頻資訊的資訊記錄媒體目前相當普及 。再者，數位記錄/播放的資訊記錄媒體正開始被用於諸 如蜂巢式電話等行動設備。 許多此類型的資訊記錄媒體具有碟形狀，因爲碟具有 大的資訊記錄容量和能夠快速檢索想要的記錄資訊之高隨 機可存取性。此外，能夠容易地儲存和攜帶碟，因爲它們 精巧質輕且不貴。 目前，能夠以雷射束照射的非接觸狀態記錄和播放資 訊之所謂的光碟最常被使用當作碟形資訊記錄媒體。這些 光碟主要遵守CD (小型碟）標準或DVD (數位式多用途 光碟）標準，及這兩標準具有相容性。 光碟分成三類型··無法記錄資訊之唯讀光碟，諸如 CD-DA (數位聲頻）、CD-ROM (唯讀記憶體）、DVD-V (視頻）、及DVD-ROM等；能夠寫一次資訊之追記型光 碟，諸如CD-R (可記錄式）及DVD-R等；及可重寫式光 200822106 碟，能夠重寫資訊任意次數’諸如CD-RW (可重寫式） 及 DVD-RW 等。 能夠記錄的光碟中’在記錄層中使用有機染料之追記 型光碟是最普遍的’因爲製造成本低。這是因爲當使用具 有超過700 MB (百萬位元組）的資訊記錄容量之光碟時 ，使用者相當少以新的資訊重寫經記錄的資訊，所以只需 要記錄資訊一次。 在使用有機染料於記錄層中的追記型光碟中，利用雷 射束照射以溝槽所定義的記錄區（磁軌）以加熱樹脂基底 到其玻璃轉換點Tg或更高，藉以使溝槽中的有機染料膜 能夠產生光化反應且產生負壓。結果，樹脂基底在溝槽中 變形以形成記錄標示。 用於記錄/播放雷射束的波長大約是780 nm之CD-R 的有機染料之代表性例子是以鈦青素爲基的染料，諸如 Ciba Specialty Chemicals 所製造的 IGRAPHOR Ultragreen MX等。用於記錄/播放雷射束的波長大約是650 nm之 DVD-R的有機染料之代表性例子是以 MITSUBISHI KAGAKU MEDIA所製造之偶氮金屬錯合物爲基的染料。 就與目前光碟比較達成高密度、高性能記錄/播放之 下一代光碟而言，具有波長大約405 nm的藍雷射束被使 用當作記錄/播放雷射束。不幸地是，尙未發展出能夠藉 由使用此短波長光獲得實際上令人滿意的記錄/播放特性 之有機染料材料。 也就是說，目前藉由紅外線雷射束或紅雷射束執行記 -6- 200822106 錄/播放的光碟使用在短於記錄/播放雷射光束的波長（ 780及650 nm)之波長中具有吸收尖峰的有機染料材料。 因此，目前光碟實現利用雷射束照射所形成之記錄標示的 光反射比低於雷射束照射之前的光反射比之光反射比所謂 的Η (高）到L (低）特性。 相反地，藉由使用藍雷射束執行記錄/播放時，在短 於記錄/播放雷射光束的波長（ 405 nm)之波長中具有吸 收尖峰的有機染料材料不僅對紫外線輻射等和耐久性的穩 定性差，而且對熱的穩定性也差。 再者，記錄標示的模糊通常放大到對毗連磁軌有影響 ，容易使交叉寫入特性退化。此外，記錄靈敏度下降’及 如此不可能獲得高的播放信號S/N (信號對雜訊）比和低 的位元錯誤率。 需注意的是，當沒有資訊記錄在毗連磁軌上時’有時 獲得實際的記錄靈敏度。然而，若記錄資訊在毗連磁軌上 ，則增加對毗連磁軌的交叉寫入’及如此降低播放信號 S/N比和增加位元錯誤率，使得無法達成實際上適合的位 準。 近來，如 Jpn· Pat. Appln. KOKAI 出版號碼 2000-322770 所揭示一般，爲了增加追記型記錄碟的容量需求而建議雙 層DVD-R。雙層DVD-R是藉由在DVD-R中形成兩記錄層 來指定8.5 GB的大容量之碟，且具有兩有機染料記錄膜 〇 碟組配具有前向堆疊結構或反向堆疊結構。當在反向 -7- 200822106 堆疊結構中使用有機染料層當作記錄膜時，將第一和第二 層形成在不同基底上，且由膠黏劑黏附成兩基底在外面。 第一層係藉由連續堆疊基底、有機染料層、和反射膜所形 成，第二層係藉由連續堆疊基底、反射膜、和有機染料層 所形成。因此，以相反次序堆疊有機染料層和反射膜。然 而，因爲當作第二層的有機染料層和膠黏劑之間發生干擾 ，所以將由介電材料所製成的屏障層（保護層）形成在有 機染料層上當作第二層，及透過此屏障層塗敷膠黏劑。屏 障層的形成需要額外的製造設備，因此增加成本，且通常 降低大量生產的循環時間。其亦難以獲得良好的記錄/播 放特性當作碟性能。 因此，推測正向堆疊結構大槪較適合。然而，製造處 理非常複雜，及需要使用環烯聚合物（COP )基底當作第 二層的移轉模子。這些因素增加成本且降低產量。此製造 方法侷限於由紅雷射執行記錄/播放之雙層DVD-R，不適 用於具有較高密度的雙層HD DVD-R之製造處理。 在此雙層HD DVD-R中，難以確保足夠的記錄管理資 訊之唯讀區中的播放信號品質。 【發明內容】 本發明係考量到上述情況而出的，及其目的係設置一 能夠使用諸如藍雷射光束等短波長雷射光束，在高實用位 準上以高密度記錄和播放資訊之雙層追記型資訊記錄媒體 -8- 200822106 本發明的追記型資訊記錄媒體之特徵爲包含：透明樹 脂基底，其具有有著同中心形狀和螺旋形狀之一的溝槽和 陸地；第一記錄膜，其形成在透明樹脂基底的溝槽和陸地 上；中間層，其形成在第一記錄膜上’且由具有有著同中 心形狀和螺旋形狀之一的溝槽和陸地之透明樹脂材料所製 成；及第二記錄膜，其形成在中間層的溝槽和陸地上， 其中記錄標示係藉由以短波長雷射束照射所形成，和 以短波長雷射束照射所形成之記錄標示的光反射比高於以 短波長雷射束照射前的光反射比， 溝槽在預定振幅範圍內擺動， 第一記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第一唯讀記錄標 示， 第二記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第二唯讀記錄標 示，及 第一唯讀記錄標示的凹洞之反射比和第二唯讀記錄標 示的凹洞之反射比是4.2%到8.4%，或第二唯讀記錄標示 的凹洞寬度大於第一唯讀記錄標示的凹洞寬度。 本發明的碟裝置係用以播放追記型資訊記錄媒體，該 追記型資訊記錄媒體包含：透明樹脂基底，其具有有著同 中心形狀和螺旋形狀之一的溝槽和陸地；第一記錄膜，其 形成在透明樹脂基底的溝槽和陸地上；中間層，其形成在 第一記錄膜上，且由具有有著同中心形狀和螺旋形狀之一 的溝槽和陸地之透明樹脂材料所製成；及第二記錄膜，其 形成在中間層的溝槽和陸地上；其中記錄標示係藉由以短 -9 - 200822106 波長雷射束照射所形成，和以短波長雷射束照射所形成之 記錄標示的光反射比高於以短波長雷射束照射前的光反射 比， 溝槽在預定振幅範圍內擺動， 第一記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第一唯讀記錄標 示， 第二記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第二唯讀記錄標 示，及 第一唯讀記錄標示的凹洞之反射比和第二唯讀記錄標 示的凹洞之反射比是4.2%到8.4%，或第二唯讀記錄標示 的凹洞寬度大於第一唯讀記錄標示的凹洞寬度。 【實施方式】 本發明大致分成第一到第四觀點。 根據第一和第二觀點的發明是追記型資訊記錄媒體， 此追記型資訊記錄媒體基本上包含透明樹脂基底，其具有 有著同中心形狀和螺旋形狀之一的溝槽和陸地；第一記錄 膜，其形成在透明樹脂基底的溝槽和陸地上；中間層，其 形成在第一記錄膜上，且由具有有著同中心形狀和螺旋形 狀之一的溝槽和陸地之透明樹脂材料所製成；及第二記錄 膜，其形成在中間層的溝槽和陸地上。在這些追記型資訊 記錄媒體中，記錄標示係藉由以短波長雷射束照射所形成 ，和以短波長雷射束照射所形成之記錄標示的光反射比高 於以短波長雷射束照射前的光反射比。此外，溝槽在預定 -10- 200822106 振幅範圍內擺動，及第一和第二記錄膜分別具有由三維凹 洞所記錄的第一和第二唯讀記錄標示。 本發明設置雙層追記型資訊記錄媒體’其能夠在高實 用位準上|己錄和播放局密度資訊。 根據第一和第二觀點的追記型資訊記錄媒體另外具有 下面有關第一和第二唯讀記錄標示的凹洞寬度或凹洞反射 比的特徵。 在根據第一觀點的追記型資訊記錄媒體中’第一和第 二唯讀記錄標示的凹洞之反射比是4.2%到8.4% ° 在根據第二觀點的追記型資訊記錄媒體中，第二唯讀 記錄標示的凹洞寬度大於第一唯讀記錄標示的凹洞寬度。 根據第三和第四的發明是用以播放追記型資訊記錄媒 體的碟裝置。根據第三觀點的發明是用以播放根據第一觀 點的追記型資訊記錄媒體之碟裝置。根據第四觀點的發明 是用以播放根據第二觀點的追記型資訊記錄媒體之碟裝置 〇 下面將參考附圖更詳細說明本發明的實施例。 圖1爲根據本發明的實施例之追記型資訊記錄媒體的 例子之截面結構的槪要圖。 如圖1所示，雙層追記型資訊記錄媒體1 1 0在由透明 樹脂製成且具有同中心或螺旋溝槽和陸地之的第一基底 41上包含第一記錄膜51，形成在第一基底41的溝槽53 和陸地5 4上；中間層44，由諸如紫外線熟化樹脂等透明 樹脂材料所製成且具有同中心或螺旋溝槽5 3和陸地5 4 ; -11 - 200822106 和第二記錄膜52，形成在中間層44的溝槽53和陸地54 上。 第一記錄膜51包含第一有機染料層42，形成在透明 樹脂基底41的溝槽53和陸地54上；及半透明層43’形 成在第一有機染料層42上且由例如銀合金製成。第二記 錄膜52包含第二有機染料層45，形成在中間層44上； 和反射層46，由例如銀合金製成。 f 再者，由透明樹脂等所製成的第二基底4 8透過黏著 層47形成在銀合金反射層46上。 下面將說明製造本發明的實施例之雙層追記型資訊記 錄媒體的方法。 圖2爲製造上述追記型資訊記錄媒體的例子之方法的 程序之槪要圖。 圖2中的參考號碼100至111代表說明製造追記型資 訊記錄媒體的例子之步驟的模型。 ( 首先，100所代表的步驟獲得藉由在母板步驟中所獲 得的L0 Ni (鎳）模子之塑料注射成型法所獲得之L0聚 碳酸酯基底41，藉以形成第一記錄膜（L0) 51。如101 所指出一般，將L0有機染料材料42’塗敷於基底41上， 及如1 02所指出一般，旋轉塗佈和使其乾燥，藉以獲得第 一有機染料層42。 然後’ 1 〇3所代表的步驟藉由濺鍍例如銀合金以形成 半透明層43，藉以在基底41上獲得第一有機染料層42 和半透明層43的疊層結構來當作第一記錄膜（L0 ) 5 1。 -12- 200822106 同時’將母板步驟所獲得的第二記錄膜（L1) Ni模 子（母模子）塑料注入成型以備製L1聚碳酸酯基底48。 如1 0 4所指出一般，將紫外線熟化樹脂4 4，塗敷於 1 〇 3所代表的步驟中所獲得之疊層結構的半透明層4 3上 ，藉以利用旋轉塗佈形成紫外線熟化樹脂層44。 接著，如105所指出一般，將L1聚碳酸酯基底48壓 罪在紫外線熟化樹脂4 4 ’且暫時以紫外線輻射黏附。需 注意的是’旋轉條件被調整成使紫外線熟化樹脂4 4，的厚 度均勻。 之後，如1 06所指出一般，從已熟化紫外線熟化樹脂 44去除L1聚碳酸酯基底48。 然後，如1 07所指出一般，載子外線熟化樹脂層44 的表面上將L 1有機染料材料4 5，塗敷、旋轉塗佈、及使 其乾燥，耢以如1 0 8所指出一般，形成第二有機染料層 45 ° 而且’如1 0 9所指出一般，藉由濺鍍例如銀合金來形 成反射層46，藉以獲得具有第二有機染料層45和反射層 46的疊層結構之第二記錄膜（L1 )。 之後’如110所指出一般，將膠黏劑47,塗敷於反射 層46上。此外，106所代表的步驟重複使用被去除的聚 碳酸酯基底48當作L1移轉模子，且透過黏附層47黏附 它，藉以獲得具有如11 0所代表的配置之雙層追記型資訊 記錄媒體。 本發明可使用容易自聚碳酸酯基底去除且黏貼至Ag -13- 200822106 層或Ag合金層的材料來當作紫外線熟化樹脂。此紫外線 熟化樹脂的使用有助於移轉L1的陸地溝槽圖型到紫外線 熟化樹脂層4 4。 只需要使用一種如上述的紫外線熟化樹脂，及可藉由 旋轉黏附法就可形成L 1，而不需使用任何習知真空接合 步驟。此簡化接合步驟和步驟的工具。 此外，能夠容易地從聚碳酸酯基底去除此紫外線熟化 樹脂，所以基底幾乎不彎曲變形。結果，可獲得令人滿意 的追gH型資訊記錄媒體’其具有0.26或更多的推挽信號 調變程度。 推挽信號調變程度盡可能越大越好。再者，彎曲（傾 斜角）盡可能越小越好。 本發明的實施例可使用之紫外線熟化樹脂是包含例如 碳、氫、氮、及氧當作主成分之聚合物材料。在此聚合物 材料中的氧比率可以是11 atm%或更多。 含碳、氫、氮、及氧當作主成分且具有n atm%或更 多的氧比率之紫外線熟化樹脂可容易地從聚碳酸酯基底去 除並且黏貼至Ag層或Ag合金層。根據另一實施例，氧 比率可以是1 1至14 atm°/〇。 此處所謂的“主成分”是在形成聚合物材料的元素中具 有極高原子比之元素，如、具有最高原子比或接近最高原 子比的原子比之元素。 本發明所使用的紫外線熟化樹脂係藉由混合單體、低 聚合物、膠黏劑、和聚合作用引發劑所形成。亦可以混合 -14- 200822106 複數種單體和複數種低聚合物材料。 使用下面材料當作單體材料。 •丙烯酸酯 (BPEDA) (DPEHA) (DPEHPA) (DPGDA) (ETMPTA) (GPTA ) (HB A ) (HDDA) (HEA ) (ΗΡΑ ) (IBOA ) (PEDA) (PETA ) (THFA) (TMPTA) (TPGDA ) •甲基丙烯酯 (TEDMA) (AKMA) (AMA ) (BDMA) 200822106 (BMA ) (BZMA) (CHMA) (DEGDMA) (EHMA) (GMA ) (HDDMA) f ( 2-HEMA ) i (IBMA ) (LMA ) (ΡΕΜΑ ) (TBMA) (THFMA) 特別適合的例子是以下面分子式（A 1 )所表示之（ A-DCP )，以下面分子式（A2 )所表示之（IBOA )，以 I : 下面分子式（A3 )所表示之（TPGDA )，以下面分子式

(A4 )所表示之（DPGDA )，以下面分子式（A5 )所表 示之（NPDA)，以下面分子式（A6 )所表示之（TITA ) ，以下面分子式（A7 )所表示之（HPDA )，以下面分子 式（A8 )所表示之（AGDA)，以下面分子式（A9)所表 不之 DTTA)，以下面分子式（A10)所表示之（ E02BDM A )，以下面分子式（All)所表示之（E03BMA -16- 200822106

A-DCP

... (A1)

…（A2)

NPDA ... (A3) (A4)

... (A5) - 17- 200822106

HPDA …（A6) Ο 0 0 …（Α7)

AGDA

EO(2)BDMA ... (Α8) …（Α9)

ΕΟ(3)ΒΜΑ …（Α10)

Ο

.(Α11)

當作低聚合物材料，可以使用以下面分子式（Β 1 )所 表示之胺基甲酸乙酯丙烯酸酯爲基的材料，例如（PUD A -18- 200822106 )，或以下面分子式（B2)所表示之（PUHA )。其他例 子是（PMMA) 、 ( PMMA-F )、聚碳酸酯雙丙烯酸酯、 及（PMMA-PC-F )。

…（B1)

PUHA

... (B2) 使用丙烯酸酯-磷酸酯爲基的材料當作膠黏劑。例子 有以下面分子式（PI) 、（P2)、及（P3)所表示的材料 〇 〇 〇

0 〇 (VS:>h)Λτ0、 1.5 ... (Ρ2)

'Ο’Τ'ΟΗ OH ... (Ρ3) 當作聚合作用引發劑，可以使用例如下面Ciba Specialty Chemicals所製造之以分子式（B1)所表示的 IRGACURE 184，或下面亦由 ciba Specialty Chemicals 戶斤 製造之以分子式（B2)所代表的DAROCUR 1173。 -19- 200822106

... (Β2) 此紫外線熟化樹脂材料對L1染料的塗佈特性具有很 大的作用，因此對L1的推挽信號調變程度具有很大的作 用。 紫外線熟化樹脂材料亦對L0基底的彎曲有影響。 爲了對本發明中可使用的紫外線熟化樹脂進行測試， 藉由使用下面表1所示的單體和低聚合物獲得紫外線熟化 樹脂材料樣本1至36，及藉由如下面表2至5所示一般 組合它們來混合單體和低聚合物、添加劑、和聚合作用引 發劑。表3及5亦圖示這些材料的氧含量比率，及當使用 材料時的推挽信號調變程度和傾斜角。 -20- 200822106 I撇

O/CHON 12.24489796 5.714285714 13.33333333 16.98113208 8.695652174 8.955223881 (N 9.230769231 10.60606061 13.43283582 12.90322581 13.04347826 O/CHN 0.139534884 0.060606061 0.153846154 丨 0.204545455 0.095238095 0.098360656 0.333333333 1 0.101694915 0.118644068 0.155172414 0.148148148 0.15 CHN/O 7.166666667 16.5 4.888888889 10.5 10.16666667 m 9.833333333 8.428571429 6.444444444 6.75 6.666666667 總共 On in m m vo 寸 134 r-H v〇 卜 v〇 r-H m 寸 〇 〇 〇 m o 寸 (N o o o O o Ο V〇 CN Ό On 寸 (N T-H m VO 卜 寸 VO v〇 CN 〇 CN cn (N 寸 CN cn CN cn 寸 m r-H 艺 u 卜 T—H m r-H oo 00 1—Η CN 寸 卜 (N r-H H VO T-H ADGA j IBOA TPGDA TITA A-DCP to II < Q 口 PUHA E02BDMA E03BMA DTTA NPDA HPDA -21 200822106 (N撇 添加劑3 r-H m Ph 添加劑2 G" < (Xi r—i m Ph 〇T m Ph /^N t-H m Ph m c Q P (¾ T—t m Ph r-H 0 m pu, /^\ T-H o^ m fin r-H 0 m Ph ，s ^-H m PU r-H m Ph /— H O^ m PU 添加劑1 /^S (Ν Ρη /\ r—t m PU cs < Q 〇 Ph H cn PU ^-N in r-H < S PQ m o ω & 00 cn^ c Q 口 Ph m CS < Q 口 Ph cn^ < Q 口 Ph vd r-H < Q 口 Oh o < Q 口 dn & r-H < Q 口 Ph gv r-H < Q Ph 低聚合物或單體 /^*N m od ro, < Q Ph < Q P Ph N in oo 'w^ c Q PQ (N o ω < Q PQ CN 〇 w g < H p /^S r—H < Q 〇 PUi H ^-N OO r-H < ffi (N^ < ffi P-. '*s rn^ < ffi PLh < Q ϋ PU H ▼-H < O PQ H s： < 〇 PQ H r? T-H 'W^ < 〇 H & < Ο CQ Η 單體 (N 已 < Q 〇 < g Ρη U Q < < 〇 PQ (N^ < o PQ N OO o r—( < Q 〇 Ph H /s 00 < Q ϋ Oh H g\ < o PQ & (N < o m jr^ < o PQ r—( < 〇 PQ gs < o m /^N < o Q < G" < 〇 Q < Co" ss <d ϋ Q < /*—N m 5S 〇 Q < /*—N m 00 < o Q < < ϋ Q < < o Q < 樣本1 樣本2 樣本3 樣本4 樣本5 樣本6 樣本7 樣本8 樣本9 樣本10 樣本11 樣本12 樣本13 樣本14 樣本15 樣本16 樣本17 樣本18 -22- 200822106

-23- 200822106 寸嫩 添加劑3 gs 'w/ < Ph /^\ t-H CO Ph /-^S H O^ m PU N r-H O^ m 添加劑2 Η m Ph T—H cn PU r-H m PLh r-H m Ph H O^ m Ah t-H 色 m Ph /*—\ H O^ m Oh /^-N r-H O^ cn C1h /s H O^ m r-H O^ m Oh /^-N r-H O^ m PL, < ffi gs T-H 's^ < S Ph i—H r-H < s s PLh /^\ ▼—H < S r-H m Ph 添加劑1 r-H < Q P cu /*—\ cn, < Ph /^\ < ffi 口 Oh < ffi 口 OS 寸 cn^ < ffi ^JN cn^ < a Ph Ci < X tD Oh 豸 1 < S Ph t—H < H H Q < ffi PU y^p 'w^ < H H Q N 1—H 'W^ < H H Q od cn^ < ffi Ph 低聚合物或單體 T—H < o S /\ cn, < o PQ ，*N m rn < o PQ & ci < o PQ gs 1—H >W/ < Q Ph ffi CN^ < Q Ph ffi /^JN cn^ < Q Ph X s < H H Q gs 1-H < H H Q cn < H H Q Os cn < H H Q Cl Q Oh ffi gs T-H < H H Q m < o Q < g < 〇 Q < < H HH t-H < Q o pl, H 單體 < o Q < ^-~N cn Cj^ < o Q < 2 r—H < H H—| /^s < ϋ Q < δ < o Q < /^s cs < 〇 ffl /\ < 〇 PQ $ 寸· < Q PLh X < Q ffi gs < Q PL, ffi gs OO^ o Q < g\ Ci < O PQ iri $ < Q ffi ^Ti t-H < o PQ ^Ti 1—H >W/ < 〇 PQ gs < Q 〇 Ph H oo^ < ϋ Q < /^s cn < 〇 Q < 樣本19 樣本20 樣本21 樣本22 樣本23 樣本24 樣本25 樣本26 樣本27 樣本28 樣本29 樣本30 樣本31 樣本32 樣本33 樣本34 樣本35 樣本36 -24- 200822106 担 < < <] 0 〇 < <3 < < < ◎ 〇 〇 < < X 〇 〇 m 1—Η r-H On 卜 (N <N (N cn cn 寸 σν 寸 寸 2.48 cn 婴 (Ν m (N T—1 <N CO r-H (N <N (N (N CN CN ϋ Hip m <N oo OO o 0.22 cn v〇 m 寸 m 寸 m 0.21 Os cn cn m cn ON H 1—H r- (N OO (N Ο ΓΠ CO 〇 〇 d o 〇 〇 O 〇 〇 o 〇 o <U Ph /^\ 〇 X 00 m g ON OS CN 00 o S m m Ό r-H OO 1—H (N 〇 CN Ό 〇 〇 寸 in m v〇 ro H m m oo (N 00 O On r-H o 寸 〇 (N 00 〇\ m oo o o oo 卜 G\ in 寸 m tr> 00 荔 r-H U \ r- CN 寸 ON o s o ON l> 00 00 (N cn m 寸 T-H T-H o o m v〇 v〇 00 o m CO 寸· 卜 卜 cn m m cn 卜 m o 1—H m v〇 OO 卜 oo cn 1—H 〇 ON CO 1—H ON t-H r-H 寸 T—( 1—H T-H ON ^Η (N t-H r—t Os On 卜 r—H H T-H t—( & d cn 寸 00 ▼—H T-H bO Q /^N 寸 〇〇 /-~N g g g /s H g g S s rjN 寸 〇〇 寸 oo 寸 OO rn 寸 00 寸 00 寸 OO 寸 00 寸 OO 寸 00 寸 00 寸 oo 寸 oo 寸 00 ~ i r-H 寸 oo ΐϊττ / b〇 r-H bj) b£) t-H Q b0 0X) bj) W) bo cn Ph T-H bO r-H W) 1—H Q T-H bj) ON o <N T-H CN CN CSJ m (N 寸 (N (N (N 卜 CN oo (N ON CN 〇 m <N m cn m 寸 m ^T) m v〇 m 掩 件 讲 *14 许 傅 件 ¥c 併 柃 *14 傅 傅 傅 件 奪 m 驛 繼 _ 繼 繼 -25- 200822106 選擇重要的評估指數。L 1的追蹤錯誤信號調變程度 (推挽信號）特別重要。這指數係藉由以圖3所示之合量 信號的平均位準（11+12) DC除以差異信號振幅（11-12) PP所獲得的値來定義的。也就是說，推挽信號=(11-12) PP/ ( 11+12 ) DC。此値必須是0.26或更多。所進行的實 驗顯示出因爲根據紫外線熟化樹脂材料大幅改變臨界表面 張力，所以亦大幅改變塗敷和埋在溝槽中的染料之程度。 此大幅改變L 1的推挽信號。當値小於〇 · 2 6時，有時會發 生L 1的追蹤錯誤。 下一個重要的指數是在移轉紫外線熟化樹脂之後對應 於L 0基底的彎曲量之傾角（輻射傾斜）。所進行的實驗 顯示出紫外線熟化樹脂材料的熟化收縮應力大幅改變，及 此大幅改變L0基底的彎曲。當値是2.6。或更多時，通常 無法將疊層碟的輻射傾斜降低至〇 · 7。或更少，此對已完成 的雙層碟之信號特性和追蹤特性有不利的影響。結果，通 常使資料錯誤率變得更糟。 當載子外線熟化樹脂上進行上述各種測試時，樣本 34是NG，因爲L1基底無法被去除。再者，雖然推挽信 號是2· 6°或更多，但是傾斜有時還是大。樣本29最好。 表4及5中所說明的樣本34顯示出當氧含量比超出 14 atm。/。時’通常不可能從紫外線熟化樹脂層去除聚碳酸 酯基底。另一選擇是，傾斜角增加至3。或更多而導致故障 的疊層。 11至 因此，藉由選擇氧含量比是η atm%或更多， -26- 200822106 14 atm%更好之紫外線熟化樹脂可獲得更令人滿意的碟。 在上述例子中，藉由以9:1的比例混合染料D5及D6 來備製L0染料，及藉由以1:1的比例混合染料D2及D3 來備製L1染料。 亦可以使用其他染料，如、D 1及D4。 本實施例將說明的追記型資訊記錄媒體具有由諸如聚 碳酸酯等合成樹脂材料所製成的碟形透明樹脂基底。此透 明樹脂基底具有同中心或螺旋溝槽。可使用模子以塑料注 入成型法來製造透明樹脂基底。 將含有機染料的記錄膜形成在透明樹脂基底上，藉以 塡滿溝槽。形成此記錄膜的有機染料具有移動至比記錄波 長（40 5 nm)長的波長之最大的吸收波長區。再者，有機 染料被設計成不使吸收作用消失，而是設計成在記錄波長 區具有相當的光吸收作用。 當在資訊記錄之前記錄雷射光束於磁軌上執行聚焦或 追蹤時，此減少光反射比。雷射光束分解染料且降低吸收 度，如此記錄標示的光反射比增加。此實現所謂的L至Η 特性，即以雷射光束照射所形成的記錄標示之光反射比高 於雷射光束照射前的光反射比。 需注意的是，所產生的熱有時使透明樹脂基底變形， 尤其是，溝槽的底部。如此產生反射光的相位差。 當在溶劑中溶解時，可利用旋轉塗佈法以液體形式容 易地將上述的有機染料塗敷至透明樹脂基底的表面。在此 例中，藉由控制溶劑的稀釋比例和旋轉塗佈法的旋轉速度 -27- 200822106 ，可準確地管理膜厚度。 有機染料是具有染料部位和相對離子（陰離子）部位 的染料或有機金屬錯合物。染料部位的例子是花青染料和 苯乙烯基染料。花青染料和苯乙烯染料尤其適用，因爲可 容易控制到記錄波長的吸收度。 尤其是’當使用具有單次甲基鏈的單次甲基花青染料 和使塗敷在透明樹脂基底上的記錄膜薄時，能夠容易將記 錄波長區（400至405 nm)的最大吸收作用和吸收度調整 到幾近〇·3至0.5 ’及幾近〇·4。如此能夠提高記錄/播放 特性，並且增加光反射比和記錄靈敏度。 從光穩定性的觀點看來，陰離子部位是有機金屬錯合 物較佳。含鈷或鎳當作中心金屬的有機金屬錯合物在光穩 定性上特佳。 藉由使用有機金屬錯合物取代具有染料部位和陰離子 部位的染料，執行記錄時變形較小。尤其是，有機金屬錯 合物可被使用當作第一層中的有機染料。 當使用TFP當作溶劑時，偶氮金屬錯合物最令人滿 意且具有高溶解度。此有助於備製旋轉塗佈的溶液。此外 ，因爲可在旋轉塗佈之後再利用溶液，所以可降低資訊記 錄媒體的製造成本。 需注意的是，可使用有機金屬錯合物當作L0的低至 高型有機染料。可溶解有機金屬錯合物在TFP溶液中且 被旋轉塗佈。偶氮金屬錯合物當作由薄Ag和基層製成的 L0記錄層特別令人滿意，因爲在記錄後幾乎不會發生變 -28- 200822106 形。雖然可使用 Cu、Ni、Co、Zn、Fe、A1、Ti、V、Ci 、或Y當作中心金屬，但是Cu、Ni、及Co的播放耐光 性特別好。C u沒有基因毒性，提高記錄/播放信號的品質 〇 可使用各種材料當作瓌繞在中心金屬的配位基。例子 是以下面分子式（D1 )至（D6 )所表示的染料。亦可以 藉由組合這些配位基來形成另一結構。 -29- 200822106

-30- 200822106

這些偶氮金屬錯合物亦可被使用在L1的第二有機染 料層中。因爲L1的銀膜或銀合金膜是厚的，所以甚至可 使用容易變形的染料。亦可以使用陽離子染料或陰離子染 -31 - 200822106 料。用於L 1的染料必須具有高記錄靈敏度。 圖4圖示染料A至D當作可用於第二有機染料層的 有機染料材料之例子。染料A具有苯乙烯染料當作染料 部位（陽離子部位）和偶氮金屬錯合物1當作陰離子部位 。染料C具有苯乙烯染料當作染料部位（陽離子部位）和 偶氮金屬錯合物2當作陰離子部位。染料〇具有單次甲 基花青染料當作染料部位（陽離子部位）和偶氮金屬錯合 物1當作陰離子部位。需注意的是，亦可單獨使用有機金 屬錯合物。當作例子，染料B是鎳錯合物染料。 在加熱板或清潔烤箱中將以旋轉塗佈法塗佈有薄的有 機染料膜之碟基底加熱至溫度大約8 0 °C，藉以使染料乾 燥。然後，藉由濺鍍法將充作光反射膜的薄金屬膜形成在 薄膜有機染料膜上。此金屬反射膜材料的例子是Au、Ag 、Cu、A1，及這些金屬的合金。 之後’金屬膜被旋轉塗佈有紫外線熟化樹脂，及黏附 保護性碟基底’藉以製造追記型光碟當作追記型資訊記錄 媒體。 分子式E1指出當作染料A及C的染料部位之苯乙烯 染料的分子式。分子式E2指出當作染料A及C的陰離子 部位之偶氮金屬錯合物的分子式。分子式E3指出當作染 料D的染料部位之單次甲基花青染料的分子式。分子式 E4指出當作染料D的陰離子部位之偶氮金屬錯合物的分 子式。 -32- 200822106 R34 yR35 \ /

Rn R12

R23 R24 …（E2) ... (E2) …（E3) ... (E4) 在苯乙烯染料的分子式中，z3表示芳香族環、及此 芳香族可具有取代基。γ31表示碳原子或雜原子。R31、 R32、及R33表示相同的脂肪族烴基或不同的脂肪族烴基 -33- 200822106 ，及這些脂肪族烴基可具有取代基。R34及R35各個獨& 表示氫原子或適當的取代基。當γ31是雜原子時，R34 R35的其中之一或二者不存在。 在單次甲基花青染料的分子式中，Zi及z2表示彳目_ 的芳香族環或不同的芳香族環，及這些芳香族環具π 基。Υη及Yu各個獨立表示碳原子或雜原子。Ru^ 表示脂肪族烴基，及這些脂肪族烴基可具有取代基。R13 、Rm、Ri5、及Ri6各個獨立表示氫原子或適當的取代基 。當Y11及Y12是雜原子時，Ri3、R14、R15、及Ri6的 一些或全部不存在。 本實施例所使用的單次甲基花青染料之例子是藉自將： 完全相同或不同的具有一或複數取代基之環核結合到具# 一或複數取代基的單次甲基之兩端所獲得的染料。環核白勺 例子是咪唑啉環、咪唑環、苯并咪唑環、α -萘咪Π坐環、卜 萘咪唑環、吲哚環、異吲哚環、吲哚啉環、苯并吲哚D林環 、吡啶吲哚啉環、噁唑啉環、噁唑環、異噁唑環、苯并螺 唑環、吡啶噁唑環、α -萘噁唑環、β -萘噁唑環、硒唑啉環 、硒唑環、苯并硒唑環、α -萘硒唑環、β -萘硒唑環、噻唑 啉環、噻唑環、異噻唑環、苯并噻唑環、α -萘噻唑環、β_ 萘噻唑環、碲唑啉環、碲唑環、苯并碲唑環、α-萘碲唑環 、β-萘碲唑環、吖啶環、蒽環、異喹啉環、咪唑喏噁啉（ imidanoxaline ) 環、茚二酮環、吲唑環、吲噠啉 （ indaline)環、噁二唑環、咔唑環、夾氧雜蒽環、13-苯 并一奏環、嗤D琴啉環、嗤琳環、苯并二氫哌喃環、環己胺 -34- 200822106 環、環戊胺環、噌啉環、噻二唑環、噻噁唑二酮環 環、噻印環、硫代巴必妥酸環、海硫因環、四唑環 環、萘環、萘啶環、六氫吡畊環、吡畊環、吡唑環 啉環、吡唑烷環、吡唑啉酮環、吡喃環、吡陡環、 、嘧啶環、吡啶鑰鹽環、吡喀烷環、吡喀啉環、吡 吩奏環、菲哄（phenanthrizine )環、菲環、鄰菲 、吹哄（phtharazine )環、卩卜特哄（puterizine ) 氮唑環、呋喃環、嘌呤環、苯環、苯并噁唑環、苯 環、嗎啉環、及羅丹寧環。 在單次甲基花青染料和苯乙烯染料的分子式 至2：3表示芳香族環，諸如苯環、萘環、吡啶環、 、喹噚啉環等，及這些芳香族環具有一或複數取代 子有脂肪族烴類，諸如甲基、三氟甲基、乙基、丙 丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基 基、新戊基、三級戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基 基、異己烷基、5 -甲基己烷基、庚基、辛基等；脂 ’諸如環丙基、環丁基、環苯基、及環己烷等；芳 ，諸如苯基、聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲 二甲基、二甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、及 苯基等；乙醚基，諸如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧 氧基、異丙氧基、丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧 氧基、苯氧基、及苯甲醯氧基等；酯基，諸如甲氧 、三氟甲氧碳醯基、乙氧碳醯基、丙氧碳醯基、乙 、及苯甲醯氧基等；鹵素類，諸如氟基、氯基、溴 、噻吩 、三哄 、吡唑 嗒畊環 喀環、 囉啉環 環、二 并吡喃 中，L 喹啉環 基。例 基、異 、異戊 、己烷 環烴類 香烴類 苯基、 對異丙 基、丙 基、戊 碳醯基 醯氧基 基、及 -35- 200822106 碘基等；硫基，諸如甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、丁 基硫基、及戊基硫基等；硫醯基，諸如甲基硫醯基、二甲 基硫醯基、乙基硫醯基、二乙基硫醯基、丙基硫醯基、二 丙基硫醯基、丁基硫醯基、及二丁基硫醯基等；胺基’諸 如一級胺、甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、丙胺 基、二丙胺基、異丙胺基、二異丙胺基、丁胺基、二丁胺 基、及六氫吡啶等；胺曱醯基，諸如甲基胺甲醯基、乙基 胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、丙基胺甲醯基、及二丙基胺 甲醯基等；及羥基，羧基，氰基，氮基’亞磺酸基’磺酸 基，及甲磺酰基。需注意的是，在這些分子式中’ Z1及 z2可以是相同或不同的。 在單次甲基花青染料和苯乙烯染料的分子式中，Yw 、γ12、及γ31各個表示碳原子或雜原子。雜原子的例子 是週期表中的族XV和族XVI原子，諸如氮原子、氧原子 、硫原子、硒原子、及碲原子等。需注意的是’以Υιι、 Y12、或γ31表示的碳原子亦可以是主要包含兩碳原子的 原子基，諸如乙嫌（ethylene )基或乙儲（vinylene )基 等。亦需注意的是’單次甲基花青染料的分子式中之Yn 及Y i 2可以是相同或不同的。 在單次甲基花青染料和苯乙烯染料的分子式中，Rn 、R12、R13、R32、及R33各個表示脂肪族烴基。脂肪族烴 基的例子是甲基、乙基、丙基、異丙基、異丙烯基、1-丙 烯基、2-丙烯基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、 2 -丁烯基、1，3 -丁二烯基、戊基、異戊基、新戊基、三級 -36 - 200822106 戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、戊烯基、己烷基、異 己烷基、5-甲基己烷基、庚基、及辛基。此脂肪族烴基可 具有一或複數個類似於Ζι至Z3的取代基之取代基。 需注意的是，單次甲基花青染料的分子式中之Rn及 Ru可以是相同或不同的，及苯乙烯染料的分子式中之 R13、R32、及R33亦可以是相同或不同的。 單次甲基花青染料和苯乙烯染料的分子式中之R13至 Ri6、R34、及R35各個獨立表示個別分子式中之氫原子或 適當的取代基。取代基的例子是脂肪族烴基，諸如甲基、 三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁 基、三級丁基、戊基、異戊基、新戊基、三級戊基、1-甲 基戊基、2-甲基戊基、己烷基、異己烷基、5-甲基己烷基 、庚基、及辛基等；乙醚基，諸如甲氧基、三氟甲氧基、 乙氧基、丙氧基、丁氧基、三級丁氧基、戊氧基、苯氧基 、及苯甲醯氧基等；鹵素類，諸如氟基、氯基、溴基、及 碘基等；及羥基，羧基，氰基、氮基。需注意的是，當 Yn、Y12、及Y31是單次甲基花青染料和苯乙烯染料的分 子式中之雜原子時，在Z2中之R13至R16的一些或 全部及在Z3中之R34及R35的其中之一或二者不存在。 在偶氮金屬錯合物的分子式中，A及A’表示相同或 不同的且各個包含選自氮原子、氧原子、硫原子、硒原子 、及碲原子的一或複數雜原子之5-至10-原子數的雜環基 。雜環基的例子是呋喃基、吩基、吡咯基、啶基、哌啶基 、哌啶基、喹啉基、及異噁唑基。此雜環基可具有一或複 -37- 200822106 數個取代基。例子有脂肪族烴基，諸如甲基、三氟甲基、 乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁 基、戊基、異戊基、新戊基、三級戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、己烷基、異己烷基、及5-甲基己烷基等；酯 基，諸如甲氧碳醯基、三氟甲氧碳醯基、乙氧碳醯基、丙 氧碳醯基、乙醯氧基、三氟乙醯氧基、及苯甲醯氧基等； 芳香烴基，諸如苯基、聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對 甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、二甲基 、二甲苯基、苯乙烯基、肉桂醯基、及萘基等；及羧基， 羥基，氰基，氮基。 需注意的是，形成分子式所表示之以偶氮爲基的有機 金屬錯合物之偶氮化合物係可根據以具有對應於分子式的 R21及R22或R23及R24的重氮鹽與具有峨連於分子中的碳 醯基之活性亞甲基的雜環化合物反應之習知方法來獲得。 雜環化合物反應的例子是異唑酮化合物、噁唑酮化合物、 硫茚化合物、吡唑啉酮化合物、巴必妥酸化合物、內乙醯 尿化合物、及羅丹寧化合物。Y21及Y22表示相同或不同 且選自週期表中的族XV I元素之雜原子’例如，氧原子 、硫原子、硒原子、及碲原子。 分子式所表示的偶氮金屬錯合物通常以一或複數偶氮 金屬錯合物在金屬（中心金屬）四周協調之金屬錯合物的 形式使用。充作中心金屬的金屬元素之例子是銃、釔、鈦 、锆、鈴、釩、鈮、鉅、鉻、鉬、鎢、錳、鐯、鍊、鐵、 釕、餓、錢、銥、鎳、IG、纟自、銅、銀、金、鋅、鎘、及 -38- 200822106 汞。較佳的是，通常在其他金屬之中使用鈷。 圖5A圖示有關發出的雷射光束之波長的染料A之吸 收度的變化。圖5B圖示有關發出的雷射光束之波長的染 料B之吸收度的變化。圖5C圖示有關發出的雷射光束之 波長的染料C之吸收度的變化。 圖6A圖示有關發出的雷射光束之波長的染料D之吸 收度的變化。圖6B圖示有關發出的雷射光束之波長的染 料D之陰離子部位的吸收度之變化。 如同圖5A至6B所示的特性如此明顯一般，染料A 至D具有被移動至比記錄波長（405 nm)長的波長之最 大的吸收波長區。本實施例中所說明的追記型光碟包含含 有具上述特性的有機染料之記錄膜，及具有雷射光束照射 之後的光反射比高於雷射光束照射之前的光反射比之所謂 的L至Η特性。因此，即使當使用諸如藍雷射等短波長 雷射光束時，此追記型光碟的例如儲存耐久性、播放信號 S/N比、及位元錯誤率等性能仍然優良，且能夠在高實用 位準的性能上以高密度記錄和播放資訊。 也就是說，在此追記型光碟中，含有機染料的記錄膜 之最大吸收波長比記錄雷射光束的波長長。既然此減少諸 如紫外線輻射等的短波長光之吸收，則可增加光學穩定性 和資訊記錄/播放的可靠性。 再者，因爲當記錄資訊時光反射比低，所以不會發生 由於反射散佈所產生的交叉寫入。因此，即使當在毗連磁 軌上記錄資訊時，仍能夠降低播放信號S/N比的退化和位 -39- 200822106 元錯誤率。而且，甚至在抗熱時仍能夠使記錄標不的對比 和解析度保持是高的。此有助於記錄靈敏度設5十。 需注意的是，爲了獲得良好的L至H特性’記錄波 長（40 5 nm)的吸收度可以是0.3或更高。此吸收度可以 是0.4或更高。 所使用的有機染料是上述的四種染料A至D ’及藉由 混合染料A至D中的兩種或多種所形成之七種染料混合 物F至L。 染料混合物F係藉由添加5%的染料B至染料D即、 在1克的染料D中混合0.0 5克的染料B所獲得。 染料混合物G係藉由以比例7:3 ( =D:E)在染料D中 混合單次甲基花青染料（陰離子部位偶氮金屬錯合物3 ) 當作染料E，及添加5 %的染料B，即、在藉由1克以比 例7:3混合染料D及E所獲得的染料中混合〇· 05克的染 料B所獲得。 染料混合物Η係藉由以比例1 : 1 ( == d : A )在染料D中 混合染料A所獲得。 染料混合物I係藉由添加1 〇 %的染料B至染料D，即 、在1克的染料D中混合〇.1〇克的染料b所獲得。 染料混合物J係藉由添加15%的染料b至染料D，即 、在1克的染料D中混合1 5克的染料b所〶得。 染料混合物K係藉由添加陰離子部位偶氮金屬錯合 物i至染料D以將陰離子比例增加到染料部位：陰離子 部位=1 :1·5，及添加I5%的染料B所獲得。 -40- 200822106 染料混合物L係藉由添加陰離子部位偶氮金屬錯合物 1至染料D以將陰離子比例增加到染料部位：陰離子部位 = 1:2.0，及添加15%的染料B所獲得。 圖7A至7G各個圖示有關發出的雷射之染料混合物F 至L的對應者之吸收度的變化。染料混合物F至L具有 移動至長於記錄波長（4 0 5 nm )的波長之最大的吸收波長 區，及記錄波長（405 nm)的各個染料混合物之吸收度大 約是〇 . 4。 藉由使用上述11種有機染料A至D及F至L且遵循 與上述相同的程序形成追記型資訊記錄媒體2 8，及藉由 在這些媒體的溝槽磁軌Gt上執行記錄和播放來實施評估 測試。所使用的評估設備可以是Pulstec所製造的資訊記 錄媒體評估設備。 測試條件式光學頭29的物鏡數値孔鏡NA是0.65， 記錄/播放雷射光束的波長是405 nm，及記錄/播放線性速 度是6.6 1 m/sec。記錄信號是已經過8-12調變的隨機資 料，且具有由圖8所示的兩種偏壓功率1及2和恆定記錄 功率所記錄之波形。 軌距是400 nm，與陸地寬度Lw的“1”相對，溝槽寬 度Gw是“ 1 .1 ”，溝槽磁軌Gt的擺動振幅是1 4 nm，及溝 槽深度Gh是90 nm。需注意的是，位址資訊的擺動記錄 係藉由使用擺動相位調變來進行。 所量測的評估特性是三特性：播放信號的載波對雜訊 CNR，部分回應信號對雜訊比PRSNR，及模擬位元錯誤率 -41 - 200822106

SbER。PRSNR可以是15或更多。SbER可以是5.0χ10·5 或更少。

可利用記錄在毗連磁軌上的資訊量測PRSNR及SbER 〇 圖9圖示使用染料A至D及F至L的追記型記錄媒 體2 8之量測結果。圖9所示的量測結果指出使用染料B 及 C的追記型資訊記錄媒體28之 CNR、PRSNR、及 SbER的量測結果並不令人滿意。 相反地，使用染料人、0、卩、0、11、1、】、：^、及1^ 的追記型資訊記錄媒體2 8獲得良好的量測結果。雖然使 用染料A之追記型資訊記錄媒體2 8的量測結果較佳，但 是使用染料D之追記型資訊記錄媒體28的量測結果特別 好。而且，使用染料F、I、J、K、及L的追記型資訊記 錄媒體2 8之量測結果特別優良。 然後，評估在量測結果是優良之使用染料D、F、G、 Η、I、J、K、及L的追記型資訊記錄媒體28上實施重複播 放所導致的退化程度之測試。也就是說，藉由使用0.8-mW 播放雷射光束播放資訊1 0000次來量測PRSNR及SbER 的退化程度。 圖10圖示使用染料〇、卩、〇、11、1、】、：^、及[的 追記型資訊記錄媒體2 8之量測結果。如圖1 0所示，使用 染料G的追記型資訊記錄媒體28之PRSNR及SbER二者 的量測結果皆不良。使用染料F、Η、I、J、K、及L的追 記型資訊記錄媒體2 8之量測結果比使用染料D的追記型 -42- 200822106 資訊記錄媒體28之量測結果好。 使用染料J、K、及L的追記型資訊記錄媒體28之量 測結果特別好，及使用染料L的追記型資訊記錄媒體28 最好。 從上述可知，記錄膜中所使用的有機染料材料在染料 部位具有苯乙烯染料或單次甲基花青染料，及在陰離子部 位具有偶氮金屬錯合物較佳。 再者，苯乙烯染料或單次甲基花青染料的染料混合物 是適合的。而且，含鎳金屬錯合物的染料具有高品質。並 且，在陰離子部位中的偶氮金屬錯合物之混合比例高的染 料具有高的耐播放光性。 當作追記型光碟的記錄/播放磁軌之溝槽的形狀對記 錄/播放特性具有大的影響。本發明進行延伸硏究，發現 溝槽寬度和陸地寬度之間的關係特別重要。 也就是說，若溝槽寬度等於或小於陸地寬度，則所記 錄的資訊之播放信號S/N比和位元錯誤率通常會退化。換 言之，當溝槽寬度大於陸地寬度時，可獲得良好的記錄/ 播放特性。 再者，爲了在可寫入光碟上記錄資訊，諸如磁軌數、 磁區數、區段數、及E C C (錯誤檢查及校正）區塊位址數 等各種位址資訊段必須預先記錄在光碟上。可藉由在光碟 的半徑方向擺動（成Z字形）溝槽來實施這些位址資訊段 的記錄之機制。也就是說，藉由使用例如根據位址資訊來 調變擺動頻率的機制、根據位址資訊來調變擺動振幅之機 -43- 200822106 制、根據位址資訊來調變擺動相位之機制、或根據位址資 訊來調變擺動極性相反間距之機制的擺動來記錄位址資訊 。亦可以使用不僅使用擺動溝槽而且亦使用陸地高度的變 化之機制，即、在陸地中埋藏預置凹洞之機制。 可藉由在追蹤後讀取推挽信號來播放位址資訊。所讀 取的擺動信號本身之品質係藉由正常化擺動振幅NWS和 擺動CNR (載波對雜訊比）來評估（=擺動NBSNR :窄頻 帶信號對雜訊比）。 正常化擺動振幅NWS可以是0.10或更高。NWS亦可 是0.10到0.45。更好的是，NWS可以是0.10至0.25。再 者，擺動NBSNR可以是18 dB或更高。擺動NBSNR是 26 dB或更高。 需注意的是，擺動信號本身對所記錄的資訊之位元錯 誤率具有影響，因此，信號的振幅必須保持在特定範圍內 。因爲此擺動振幅範圍係根據所使用的有機染料材料而改 變，所以必須設定能夠達成良好L至Η特性的最佳範圍 〇 亦需注意的是，不僅擺動振幅而且溝槽深度都對記錄 /播放特性具有大的影響。 圖1 1 Α及1 1 Β所示的擺動位址資料組配對低至高的 極性碟是方便的。當播放線性速度是6.6 1 m/sec時，擺動 頻率大約696.7742 kHz。當所記錄的資料之通道位元率是 64.80 Mbp時，93通道位元長度是擺動的一週期。 如圖11A所示，同步化欄（SYNC欄）、位址欄、及 -44 - 200822106 統一欄形成位址資料的一實體區段（磁區），及位址資料 具有總共17擺動資料單位WDU。 如圖11B所示，位址欄包含識別碼資訊（P，S)、層 資訊、實體區段數、資料區段位址、及CRC。擺動資料單 位WDU係由84擺動波所構成，及如圖12A至12E所示 ，具有五種WDU。SYNC欄和位址欄都具有兩種WDU， 即、它們具有總共四種WDU，及統一欄具有一 WDU。 位址攔的WDU中之擺動嵌入三位元資料。如圖13A 及13B所示，資料0及資料1分別對應於NPW (正常相 位擺動）和IPW (反向相位擺動）。 如圖1 4所示，擺動資料位元部位被移動成它們不出 現在毗連溝槽的相同相位位置。爲此目的，位址欄具有兩 種WDU，即、主要位置和次要位置，因此，SYNC欄亦具 有兩種WDU。結果，實體區段具有總共三種組配，如圖 15B 至 15D 所 7^： — 般。 如上述的位址資料格式在低至高追記型光碟中特別有 效。這是因爲原有未記錄狀態的低反射比防止在毗連溝槽 之間容易發生的擺動相位資訊之干擾。雖然可在無須交換 主要和次要位置之下獲得特定錯誤率，但是交換可進一步 提高錯誤率。 結果，形成從3至28 nm改變溝槽磁軌Gt之擺動振 幅的碟模子1 9，及藉由使用碟模子1 9來形成使用染料J 的追記型資訊記錄媒體28。藉由在溝槽磁軌Gt上執行記 錄和播放來實施評估測試。 -45- 200822106 所量測的評估特性是以下四特性：SbER、擺動CNR 、當毗連磁軌上的擺動信號所導致之信號拍波動之載波位 準波動、及NWS。圖16A圖示當作擺動振幅的函數之 SbER的量測結果。圖16B圖示當作擺動振幅之函數擺動 CNR的量測結果。圖16C圖示當作擺動振幅之載波位準 波動的量測結果。圖1 7圖示當作擺動振幅之NWS的量測 結果。

SbER盡可能越低越好，擺動CNR必須是26 dB或更 高，及NWS可以是0.10或更高。NWS亦可以是0.10至 0.45。因此，當應用這些條件到圖16A至17時，擺動振 幅可以是例如5 nm或更高。藉由將擺動振幅設定在5至 1 8 nm的範圍內，可獲得良好特性。 當NWS特別是在0.10至0.25較佳時，擺動振幅最 好是在上述擺動振幅範圍內的5至1 8 nm。 需注意的是，圖1 6 A至1 7圖示當擺動振幅改變時之 使用染料J的追記型資訊記錄媒體28之特性。在改變擺 動振幅的同時，亦量測使用染料D、F、G、Η、I、K、及 L的追記型資訊記錄媒體28之NWS。結果，當擺動振幅 是5 nm或更高時，這些媒體的任一種都獲得令人滿意的 結果。 藉由將記錄膜厚度設定成溝槽上爲50到120 nm及陸 地上爲20至70 nm，可以大幅提高PRSNR、SbER、擺動 串音、輻射偏向等。亦可以特別有效提高擺動NBSNR， 並且防止容易發生毗連溝槽之間的擺動相位資訊之干擾。 -46- 200822106 藉由在溝槽及/或陸地上將記錄膜厚度設定成1.3至3 nm 亦可獲得良好結果。另外，將溝槽寬度設定成220至270 nm，及溝槽深度設定成50至80 nm進一步有效。 如圖1 8所示，從光學頭29發出的記錄/播放雷射光 束從與塗佈有碟基底20的記錄膜24之表面相反的表面進 入本發明的追記型資訊記錄媒體28。形成在碟基底20中 的溝槽2 1之底表面2 1 a和夾置在毗連溝槽2 1之間的陸地 3 0是資訊記錄磁軌。下面將由溝槽2 1的底表面2 1 a所形 成之記錄磁軌稱作溝槽磁軌Gt。下面將由陸地3 0所形成 的記錄磁軌稱作陸地磁軌Lt。 再者，下面將溝槽磁軌Gt的表面高度與陸地磁軌的 表面高度之差稱作溝槽深度Gh。而且，將在大體上溝槽 深度Gh的1/2高度中之溝槽磁軌Gt的寬度稱作溝槽寬度 Gw，及將大體上在溝槽深度Gh的1/2高度中之陸地磁軌 Lt的寬度稱作陸地寬度Lw。 如上述，擺動溝槽磁軌Gt以記錄各種位址資訊段。 圖1 9A圖示毗連溝槽磁軌Gt具有相同相位的例子。圖 1 9B圖示毗連溝槽磁軌Gt具有相反相位的例子。毗連溝 槽磁軌Gt依據追記型資訊記錄媒體28的區域而具有各種 相位差。 圖20爲播放上述追記型資訊記錄媒體的之碟裝置的 配置之槪要的方塊圖。 如圖20所示，追記型資訊記錄媒體D是例如如圖1 所示之單側雙層追記型資訊記錄媒體。短波長半導體雷射 -47- 200822106 源120被使用當作光源。發出的光束之波長具有例如400 至410 nm的紫色波長帶。由準直透鏡121將半導體雷射 源120發出的光束100校直成平行光束，且經由極化光束 分裂器122和λ/4板123進入物鏡124。之後，經由追記 型資訊記錄媒體D的基底將發出的光束100集中在各個 資訊記錄層。再次經由追記型資訊記錄媒體D的基底傳 輸來自追記型記錄媒體D的資訊記錄層之反射光1 0 1，且 經由物鏡124和λ/4板123以極化光束分裂器122反射。 之後，反射光101經由聚光透鏡125進入光電探測器127 〇 光電探測器1 27的光接收部分通常被分成複數部位， 及各個光接收部位輸出對應於光強度的電流。1 /V放大器 (電流對電壓轉換器）（未圖示）將輸出的電流轉換成電 壓，及施加電壓制算術電路1 40。算術電路1 40計算例如 來自輸入的電壓信號之傾斜錯誤信號、HF信號、聚焦錯 誤信號、及追蹤錯誤信號。傾斜錯誤信號被用於執行傾斜 控制，HF信號被用於播放記錄在追記型資訊記錄媒體D 上的資訊，聚焦錯誤信號被用於執行聚焦控制，及追蹤錯 誤信號被用於執行追蹤控制。 致動器128可在垂直方向、碟半徑方向、及傾斜方向 (半徑方向及/或正切方向）驅動物鏡124。伺服驅動器 150將致動器128控制成物鏡124沿著追記型資訊記錄媒 體D上的資訊磁軌行進。需注意的是，具有兩種傾斜方 向：“半徑傾斜”，當碟表面朝追記型光碟的中心傾斜時發 -48- 200822106 生的；及“正切傾斜”，在磁軌的正切方向中發生的。通常 由於碟的彎曲所發生的傾斜是半徑傾斜。不僅需要考慮到 製造碟期間所發生的傾斜，也必須考慮到由於時間變化或 使用環境的快速變化所發生的傾斜。 例子 下面將經由例子更加詳細說明本發明。 製造雙層HD DVD-R碟當作根據本發明的追記型資訊 記錄媒體之樣本。 (L0模子的備製） 備製十四個直徑200 mm及厚度6 mm且被精確拋光 成具有0.3 nm的表面粗糙Ra之玻璃碟。 使用TECHNO OKABAYASHI所製造的潔淨設備，以 無機鹼溶液清洗、超純淨水清洗、電解質去油污、熱水清 洗、及拉高乾燥的次序清洗各個玻璃碟。 然後，藉由使用抗蝕劑塗佈設備（Access製）將玻 璃碟的表面旋轉塗佈有HMDS (六甲基乙矽銨），並且進 一步旋轉塗佈有光致抗蝕劑（DVR3 00，ΖΕΟΝ製）。之後 ，在熱板上預先烘烤玻璃碟（100 °C，10分鐘）。 在從200到3 20 nm每10 nm改變各個玻璃碟的凹洞 寬度同時，藉由使用UV雷射切割機器（LBR，Matsushita Electric製）將對應於同中心或螺旋圖型的HD DVD-R L0 記錄在1 4個抗蝕劑塗佈的玻璃碟上。UV雷射是具有波長 351 nm的氪離子雷射，及物鏡是Corning Toropel所製造 的 NA-0.90型透鏡。所使用的 HD DVD-R信號源是 -49- 200822106 KENWOOD TMI所製造的HD DVD-R格式化器。 然後，由顯影設備（Access製）旋轉顯影經記錄的 抗蝕碟。所使用的顯影劑是稀釋的無機鹼顯影劑，係藉由 以2:1的混合比例在無機鹼顯影劑（DE3，TOKYO OHKA KOGYO製）中混合超純淨水所備製。 接著，Ni濺鍍設備（日本的Victor公司所製造）被 用於在各個已顯影碟上濺鍍薄Ni以使其具導電性。Ni膜 厚度是10 nm。之後，藉由使用電鑄設備（NOVEL製）在 氨基磺酸鎳溶液熱浴中執行Ni電鑄，藉以從抗蝕碟去除 Ni膜。然後，以RIE設備利用氧旋轉清洗和灰化複製的 Ni模子以從表面去除剩下的光致抗蝕劑，藉以形成例如 突出的唯讀記錄標示圖型。 之後，Ni模子表面被旋轉塗佈有保護膜（ CLEANCOATS，FINE CHEMICAL JAPAN 製），及藉由拋 光背表面以完成L0模子，及將內和外直徑穿孔。 (L1母模子的備製） 備製十四個直徑200 mm及厚度6 mm且被精確拋光 成具有0.3 nm的表面粗糙Ra之玻璃碟，並且藉由使用 TECHNO OKABAYASHI所製造的潔淨設備，以無機鹼溶 液清洗、超純淨水清洗、電解質去油污、熱水清洗、及拉 高乾燥的次序清洗各個玻璃碟，及進一步塗佈有光致抗蝕 劑（DVR300，ΖΕΟΝ製）。之後，在熱板上預先烘烤玻璃 碟（100°C，10 分鐘）。 藉由使用UV雷射切割機器（LBR，Matsushita Electric -50- 200822106 製）將對應於同中心或螺旋圖型的HD DVD-R L0記錄在 1 4個抗蝕劑塗佈的玻璃碟上。此外，藉由增加記錄雷射 輸出以將唯讀記錄標示圖型形成預定陣列，而使凹洞寬度 大於L0母圖型的唯讀記錄標示圖型之凹洞寬度，且從 2 00到3 70 nm每10 nm改變凹洞寬度。UV雷射是具有波 長351 nm的氪離子雷射，及物鏡是Corning Toropel所製 造的ΝΑ-0.90型透鏡。所使用的HD DVD-R信號源是 KENWOOD TMI所製造的HD DVD-R格式化器。 然後，由顯影設備（Access製）旋轉顯影經記錄的 抗蝕碟。所使用的顯影劑是稀釋的無機鹼顯影劑，係藉由 以2:1的混合比例在無機鹼顯影劑（DE3，TOKYO OHKA KOGYO製）中混合超純淨水所備製。 接著，Ni濺鍍設備（日本的Victor公司所製造）被 用於在各個已顯影碟上濺鍍薄Ni以使其具導電性。Ni膜 厚度是10 nm。之後，藉由使用電鑄設備（NOVEL製）在 氨基磺酸鎳溶液熱浴中執行Ni電鑄，藉以從抗鈾碟去除 Ni膜。然後，以RIE設備利用氧旋轉清洗和灰化複製的 Ni父模子以從表面去除剩下的光致抗鈾劑，藉以形成陸 地和溝槽圖型。此外，例如，除了從240至3 70 nm每 1 Onm改變凹洞寬度之外，其他利用與用於L 0模子相同的 方式將突出的唯讀記錄標示圖型形成在陸地和溝槽圖型的 部位上。此RIE步驟亦是鈍化處理。之後，再次使用電鑄 設備在氨機磺酸鎳浴中電鑄Ni父模子以複製在陸地和溝 槽圖型的部位上具有例如凹下的唯讀記錄標示圖型之Ni -51 - 200822106 母模子。此Ni母模子的表面被旋轉塗佈有保護膜（ CLEANCOATS，FINE CHEMICAL JAPAN 製），及藉由拋 光背表面以完成L1母模子，及將內和外直徑穿孔。 (雙層HDDVD-R碟的複製） 使用Origin Electric所製造的雙層HD DVD-R大量生 產線設備製造碟。處理程序如下。 將 L0模子裝附於 Sumitomo Heavy工廠所製造的 SD4 0E塑料注入壓縮成型設備，藉以模製聚碳酸酯碟基底 。所獲得的聚碳酸酯碟基底之陸地和溝槽磁軌的部位具有 例如凹下的唯讀記錄標示。 圖2 1爲形成在陸地和溝槽磁軌上的唯讀記錄標示之 陣列的例子之模型圖。 如圖21所示，唯讀記錄標示60具有預定凹洞寬度 PwO，和在陸地和溝槽磁軌圖型6 1上將其形成預定陣列 。聚碳酸酯樹脂是TEIJIN CHEMICALS所製造的AD5 5 03 。塑模是SEIKOH GIKEN所製造的G塑模。塑模收縮因 子是0.6%。模製板厚度是590μπι。 將L 1母模子裝附於另一塑料注入壓縮成型設備（ SD40E，Sumitomo Heavy Industries 製）。所獲得的聚碳 酸酯碟基底之陸地和溝槽磁軌的部位具有突出的唯讀記錄 標示，此突出的唯讀記錄標示具有比預定凹洞寬度Pw0大40 nm的凹洞寬度Pwl。聚碳酸酯樹脂是TEIJIN CHEMICALS 所製造的AD 5503。塑模是SEIKOH GIKEN所製造的G塑 模。塑模收縮因子是0.6%。塑模板厚度是5 90 μηι。 -52- 200822106 在冷卻L0模製碟基底之後，以旋轉塗佈塗敷L0有 機染料溶液並且使其乾燥，及人§8丨（8丨：0.3%至1%)膜 被DC擺鍍（擺鍍設備是Unaxis所製造的HD DVD-R雙 層Ag合金膜形成設備）。AgBi膜的厚度是20 nm。之後 ，以旋轉塗佈塗敷紫外線熟化樹脂，黏附於L 1模製碟基 底，及由紫外線輻射熟化之。紫外線熟化樹脂的厚度是 28μηι。之後，當去除L1模製碟基底時，將L1模製基底 移轉到L0基底上的紫外線熟化樹脂之_面。此圖型是L 1 圖型。L1唯讀記錄標示各個具有大於L0唯讀記錄標示的 凹洞寬度PwO例如40nm之預定凹洞寬度Pwl，且根據溝 槽磁軌圖型被形成具有例如到預定陣列內的凹下形狀。 然後，以旋轉塗佈塗敷L1有機染料溶液及使其乾燥 ，及將AgBi ( Bi : 0.3 %至1%)膜DC濺鍍（濺鍍設備是 Unaxis所製造的HD DVD-R雙層Ag合金膜形成設備）。 AgBi膜的厚度是1〇〇 nm。然後，以旋轉塗佈塗敷UV膠 黏劑（6810，DAINIPPON INK AND CHEMICALS 製），黏 附於以使用且被去除的L1模製基底，及以紫外線輻射熟 化。之後，以標籤印刷機印刷標籤。 如此，製造雙層HD DVD-R碟。 藉由以9 : 1的比例混合染料D 5及D 6以備製所使用 的L0染料。 藉由在100 mL的TFP溶解1.2克（wt%)的有機染 料粉末以備製所使用的有機染料溶液，因此，具有1.2% 的溶液濃度。藉由將染料粉末放入溶劑中且施加超音波 53- 200822106 3 0分鐘，可容易地備製此有機染料溶液。 當插入管理資訊（系統引入）到例如最裡面的區域之 碟的特定部位時，根據本發明的低至高記錄碟可達成令人 滿意的效果。 圖22爲說明根據本發明的雙層HD DVD-R碟之資料 結構的例子圖。 參考圖22，左側表示碟的內側，右側表示碟的外側 〇 如圖22所示，管理資訊形成類似於碟基底上的ROM 碟基底之凹洞串的凹洞串。例如，將指出碟是唯讀型碟、 追記型碟、或可重寫型碟，碟的記錄/播放波長，碟是低 至高碟或高至低碟等之管理資訊記錄當作凹洞串。雖然記 錄資料區中的溝槽之磁軌間距是400 nm或320至300 nm ，但是此管理資訊區的凹洞串之磁軌間距大於此，及凹洞 的資料位元間距亦大於記錄資料區中的資料位元間距。此 有助於管理資訊的播放和辨識。 下面的表格圖示唯讀區中的系統引入區（L0 )和矽統 引出區（L1 ) 。Pulstec所製造的ODU 1 000資訊記錄媒體 評估設備被用於量測藉由使用如上述改變凹洞寬度之模子 所形成的凸版照相雙層HD DVD-R碟之第一記錄膜（L0 )和第二記錄膜（L 1 )每一個的抖動、調變程度、對稱性 、及反射比。 測試條件爲：光學頭29的物鏡數値孔鏡NA是0.65 ，記錄/播放雷射光束的波長是4播放線性速度是6.6 1 -54- 200822106 m/sec。記錄信號是已經過8-12調變的隨機資料，及具有 由圖8所示的兩種偏壓功率1及2和恆定記錄功率所記錄 之波形。 磁軌間距是400 nm，與陸地寬度Lw的“1”相對，溝 槽寬度Gw是“1.1”，溝槽磁軌Gt的擺動振幅是14 nm， 及溝槽深度Gh是90 nm。需注意的是，位址資訊的擺動 記錄係藉由使用擺動相位調變來進行。 表6圖示由第一記錄膜（L0)所獲得的結果。表7圖 示由第二記錄膜（L 1 )所獲得的結果。 -55- 200822106 9嗽

反射比 (%) 寸 Η 4.21 4.32 4.47 4.51 4.60 4.68 4.72 4.81 4.92 〇 ▼-H 5.30 對稱性 -0.15 -0.12 -0.09 -0.08 -0.07 -0.04 -0.01 0.00 0.01 0.02 0.03 0.05 0.03 0.05 調變程度 0.71 0.72 0.72 0.73 0.73 0.73 0.75 0.74 0.73 0.73 0.75 0.74 0.75 0.74 抖動 (%) (N r-H ON ^t· 〇〇 寸 cn 寸 VO m vo r—^ vd 凹洞寬度 (nm) 200 210 220 230 240 250 260 280 290 300 310 320 310 320 樣本 (N cn 寸 yr) v〇 卜 00 〇s o l—H t-H r-H (N H ▼-H 寸 r-H -56- 200822106 卜嗽

反射比 (%) 5.10 4.88 4.61 4.35 4.23 4.12 3.92 3.55 3.21 3.06 3.01 2.97 i- 2.94 1 2.93 對稱性 0.05 0.02 〇 -0.01 -0.02 -0.03 -0.04 -0.05 -0.05 -0.06 1 -0.07 -0.08 -0.09 -0.10 調變程度 0.75 0.73 0.72 0.72 0.72 0.71 〇 0.68 0.67 1 0.65 0.64 0.62 0.61 0.59 抖動 (%) 00 rn 寸 (N 寸 寸 〇〇 (Ν 寸 vd 凹洞寬度 (nm) 370 360 350 340 330 320 310 300 290 280 270 260 250 240 樣本 r-H (N m 寸 卜 00 〇\ 〇 r-H (N 寸 τ—W -57- 200822106 如表6及7所示，當第二唯讀記錄標示的凹洞寬度大 於第一唯讀記錄標示的凹洞寬度時獲得令人滿意的特性。 再者，當第一和第二唯讀記錄標示的凹洞之反射比是 4.2%至8.4%時獲得令人滿意的特性。 尤其是，在L0中的碟凹洞寬度可以是250 nm或更多 。而且，當此凹洞寬度是260至310 nm時獲得好的特性 〇 另一方面，如表7所示，在L1中的碟凹洞寬度可以 是3 3 0 nm或更多。再者，當此凹洞寬度是3 3 0至3 60 nm 時獲得好的特性。 爲了比較，同樣地藉由將前者的凹洞寬度設定成240 nm以使第二唯讀記錄標示的凹洞寬度小於第一唯讀記錄 標示的凹洞寬度來量測抖動、調變程度、對稱性、及反射 比。結果，董洞、調變程度、對稱性、及反射比分別是 7 · 4 %、0 · 5 9、- 0 · 1 0、及 2 · 9 3 %，即結果多多少少變差。再 者，當凹洞反射比被設定在4 · 2 %至8 · 4 %的範圍外時，當 L 0反射比設定在3 · 9 %及L 1反射比設定在8.6 %時，聚焦 伺服裝置變得不穩定而使層選擇變得困難，如此不可能從 系統引入和系統引出讀取資訊。 需注意的是，本發明並不直接侷限於上述實施例，而 是可在不違背本發明的精神和範疇之下，多樣改變構成元 件來實施本發明。再者，藉由適當組合實施例中所揭示的 複數構成元件可形成各種發明。例如，可省略實施例中所 揭不的所有構成兀件之某一些。而且，可適當組合不同實 -58- 200822106 施例的構成元件。 儘管已說明本發明的特定實施例，但是這些實施例只 是例子，而不用於侷限本發明的範疇。事實上，可以各種 其他形式具體實現本文所說明的新型方法和系統；而且， 只要不違背本發明的精神，可對本文所說明的方法和系統 形式進行各種省略、取代、和變化。附屬的申請專利範圍 和其同等物係用於涵蓋落在本發明的範疇和精神內的此種 形式和修正。 【圖式簡單說明】 現在將參考附圖說明實施本發明的各種特徵之一般架 構。提供圖式和相關說明以圖解說明本發明的實施例，但 是並不用於限制本發明的範圍。 圖1爲根據本發明的實施例之追記型資訊記錄媒體的 例子之截面結構的槪要圖； 圖2爲製造根據本發明的實施例之追記型資訊記錄媒 體的例子之方法的程序之槪要圖； 圖3爲用於評估追記型資訊記錄媒體的正常化擺動振 幅NWS之說明圖； 圖4爲本發明的實施例可使用之有機染料材料的特性 圖； 圖5 A至5 C爲雷射光束波長和各個染料的吸收度之 間的關係圖； 圖6A及6B爲雷射光束波長和各個染料的吸收度之 -59- 200822106 間的關係圖； 圖7A、7B、7C、7D、7E、7F、及7G爲將包含在記 錄膜中之其他有機染料材料的七個例子之雷射光束的波長 的吸收度變化的說明圖； 圖8爲爲了實施記錄/播放評估的評估測試而將記錄 在追記型資訊記錄媒體上的信號之例子的波形圖； 圖9爲藉由在根據本發明的實施例之追記型資訊記錄 媒體的例子上實施評估測試所獲得之量測結果的說明圖； 圖1 〇爲藉由在根據本發明的實施例之追記型資訊記 錄媒體的例子上實施評估測試所獲得之量測結果的說明圖 9 圖1 1 A及1 1 B爲根據本發明的實施例之追記型資訊 記錄媒體的例子之擺動位址資料的組配圖； 圖12A至12E爲根據本發明的實施例之追記型資訊 記錄媒體的例子之擺動資料單位WDU的類型之說明圖； 圖1 3 A及1 3 B爲根據本發明的實施例之追記型資訊 記錄媒體的例子之擺動位址資料的組配圖； 圖1 4爲根據本發明的實施例之追記型資訊記錄媒體 的例子之擺動的類型之說明圖； 圖15A、15B、15C、及15D爲追記型資訊記錄媒體 的擺動位址資料之實體區段組配的說明圖； 圖16A、16B、及16C爲當作追記型資訊記錄媒體的 擺動振幅之函數的SbER、擺動CNR、及載波位準波動之 說明圖； -60- 200822106 圖1 7爲當作追記型資訊記錄媒體的擺動振幅之函數 的NWS之說明圖； 圖1 8爲根據本發明的實施例之追記型資訊記錄媒體 的例子中之溝槽和陸地間的關係之說明圖； 圖19A及19B爲根據本發明的實施例之追記型資訊 記錄媒體的例子中之溝槽磁軌的擺動之說明圖； 圖20爲用以播放根據本發明的實施例之追記型資訊 記錄媒體的例子之碟裝置的配置之槪要的方塊圖； 圖2 1爲形成在根據本發明的實施例之追記型資訊記 錄媒體的例子之記錄膜中的記錄標示之說明圖；及 圖22爲根據本發明的實施例之追記型資訊記錄媒體 的例子之資料結構的說明圖。 【主要元件符號說明】 20 :碟基底 21 :溝槽 2 1 a :底表面 24 :記錄膜 2 8 :追記型資訊記錄媒體 29 :光學頭 3 0 :陸地 41 :第一基底 42 :第一有機染料層 42’ ： L0有機染料材料 -61 - 200822106 43 :半透明層 44 :中間層 44’ ：紫外線熟化樹脂 45 :第二有機染料層 45’ ： L1有機染料材料 46 :反射層 47 :黏著層 47’ ：膠黏劑 4 8 :第二基底 5 1 :第一記錄膜 5 2 :第二記錄膜 5 3 :溝槽 5 4 :陸地 60 :唯讀記錄標示 6 1 :陸地和溝槽磁軌圖型 1 〇 1 :反射光 1 1 〇 :雙層追記型資訊記錄媒體 120 :半導體雷射源 1 2 1 :準直透鏡 122 :極化光束分裂器 123 ·· λ/4 板 124 :物鏡 125 :聚光透鏡 127 :光電探測器 -62- 200822106 1 2 8 :致動器 140 :算術電路 1 5 0 :伺服驅動器

Lt :陸地磁軌

Lw :陸地寬度

Gw :溝槽寬度

Gt :溝槽磁軌

Gh :溝槽磁軌 D :追記型資訊記錄媒體

PwO :預定凹洞寬度 -63-

Claims (1)

1. 200822106 十、申請專利範圍 1. 一種追記型資訊記錄媒體，包含： 一透明樹脂基底，其具有有著同中心形狀和螺旋形狀 之一的溝槽和陸地； 一第一記錄膜，其形成在該透明樹脂基底的該溝槽和 陸地上； 一中間層，其形成在該第一記錄膜上，且由具有有著 該同中心形狀和該螺旋形狀之一的溝槽和陸地之透明樹脂 材料所製成；及 一第二記錄膜，其形成在該中間層的該溝槽和陸地上 其中記錄標示係藉由以短波長雷射束照射所形成，和 以該短波長雷射束照射所形成之該記錄標示的光反射比高 於以該短波長雷射束照射前的光反射比， 該溝槽在預定振幅範圍內擺動， 該第一記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第一唯讀記錄 標示， 該第二記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第二唯讀記錄 標示，及 該第一唯讀記錄標示的反射比和該第二唯讀記錄標示 的反射比是4.2%到8.4%。 2. 根據申請專利範圍第1項之媒體，其中該第一唯讀 記錄標示的該反射比高於該第二唯讀記錄標示的該反射比 -64 - 200822106 3 .根據申請專利範圍第1項之媒體，其中該第二唯讀 記錄標示的凹洞寬度大於該第一唯讀記錄標示的凹洞寬度 〇 4. 根據申請專利範圍第3項之媒體，其中該第一唯讀 記錄標示的該凹洞寬度是25 0到320 nm，和該第二唯讀 記錄標示的該凹洞寬度是330到3 60 nm。 5. —種追記型資訊記錄媒體，包含： 一透明樹脂基底，其具有有著同中心形狀和螺旋形狀 之一的溝槽和陸地； 一第一記錄膜，其形成在該透明樹脂基底的該溝槽和 陸地上； 一中間層，其形成在該第一記錄膜上，且由具有有著 該同中心形狀和該螺旋形狀之一的溝槽和陸地之透明樹脂 材料所製成；及 一第二記錄膜，其形成在該中間層的該溝槽和陸地上 其中記錄標示係藉由以短波長雷射束照射所形成，和 以該短波長雷射束照射所形成之該記錄標示的光反射比高 於以該短波長雷射束照射前的光反射比， 該溝槽在預定振幅範圍內擺動， 該第一記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第一唯讀記錄 檩示， 該第二記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第二唯讀記錄 標示，及 -65- 200822106 該第二唯讀記錄標示的凹洞寬度大於該第一唯讀記錄 標示的凹洞寬度。 6. 根據申請專利範圍第5項之媒體，其中該第一唯讀 記錄標示的該凹洞寬度是250到320 nm，和該第二唯讀 記錄標示的該凹洞寬度是3 3 0 nm到3 60 nm。 7. —種碟裝置，用以播放追記型資訊記錄媒體，該追 記型資訊記錄媒體包含一透明樹脂基底，其具有有著同中 心形狀和螺旋形狀之一的溝槽和陸地；一第一記錄膜，其 形成在該透明樹脂基底的該溝槽和陸地上；一中間層，其 形成在該第一記錄膜上，且由具有有著該同中心形狀和該 螺旋形狀之一的溝槽和陸地之透明樹脂材料所製成；及一 第二記錄膜，其形成在該中間層的該溝槽和陸地上， 其中記錄標示係藉由以短波長雷射束照射所形成，和 以該短波長雷射束照射所形成之該記錄標示的光反射比高 於以該短波長雷射束照射前的光反射比， 該溝槽在預定振幅範圍內擺動， 該第一記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第一唯讀記錄 標示， 該第二記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第二唯讀記錄 標示，及 該第一唯讀記錄標示的反射比和該第二唯讀記錄標示 的反射比是4.2%到8.4%。 8. 根據申請專利範圍第7項之裝置，其中該第一唯讀 記錄標示的該反射比高於該第二唯讀記錄標示的該反射比 -66- 200822106 9 ·根據申請專利範圍第7項之裝置，其中該第二唯讀 記錄標示的凹洞寬度大於該第一唯讀記錄標示的凹洞寬度 〇 10·根據申請專利範圍第9項之裝置，其中該第一唯 讀記錄標示的該凹洞寬度是250到320 nm，和該第二唯 讀記錄標示的該凹洞寬度是3 3 0到3 60 nm。 1 1 . 一種碟裝置，用以播放追記型資訊記錄媒體，該 追記型資訊記錄媒體包含一透明樹脂基底，其具有有著同 中心形狀和螺旋形狀之一的溝槽和陸地；一第一記錄膜， 其形成在該透明樹脂基底的該溝槽和陸地上；一中間層， 其形成在該第一記錄膜上，且由具有有著該同中心形狀和 該螺旋形狀之一的溝槽和陸地之透明樹脂材料所製成；及 一第二記錄膜，其形成在該中間層的該溝槽和陸地上， 其中記錄標示係藉由以短波長雷射束照射所形成，和 以該短波長雷射束照射所形成之該記錄標示的光反射比高 於以該短波長雷射束照射前的光反射比， 該溝槽在預定振幅範圍內擺動， 該第一記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第一唯讀記錄 標示， 該第二記錄膜具有由三維凹洞所記錄的第二唯讀記錄 標示，及 該第二唯讀記錄標示的凹洞寬度大於該第一唯讀記錄 標示的凹洞寬度。 -67- 200822106 12.根據申請專利範圍第11項之裝置，其中該第一唯 讀記錄標示的該凹洞寬度是25 0到320 nm，和該第二唯 讀記錄標示的該凹洞寬度是3 3 0到3 60 nm。 -68-