TW200821677A - Pixel sturctur and repairing method thereof - Google Patents

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TW200821677A TW095140413A TW95140413A TW200821677A TW 200821677 A TW200821677 A TW 200821677A TW 095140413 A TW095140413 A TW 095140413A TW 95140413 A TW95140413 A TW 95140413A TW 200821677 A TW200821677 A TW 200821677A
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Description

200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】
本發明是有關於一種晝素結構及其修補方法，且特別 是有關於一種易於修補之晝素結構及其修補方法。I 【先前技術】 Ο 具有高晝質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射 荨優越特性之薄膜電晶體液晶顯示器（Τ]^η Transist〇r
Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐漸成為顯示器之主 流。一般的薄膜電晶體液晶顯示器主要是由一薄膜電晶體 陣列基板、-對向基板以及-夾於前述二基板之間的液晶 層所構成。其中，薄膜電晶體陣列基板主要包括基板、陣 列排列於基板上之晝素結構、掃描配線㈣與資料配 肠)。前述的晝素結構主要是由薄膜電晶體、、書素 例如採用非砂薄膜電 矽薄膜電晶體(P〇ly_Si TFn ή )般而言，由掃描配線所傳
St 將對應之薄膜電晶體開啟，此時，由資料 而達到顯示之二控制其上方的液晶，進 的輔助1特健結射藉由其儲存電容器 圖1A繪示為習知之書=立 一 圖1A中對應於κ ::、、、°構不思圖，而圖1B緣示為 °面線之剖面示意圖。請同時參考 5 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 圖1A與圖IB，習知之晝素結構100包括一掃描線ii〇、 資料線120、一薄膜電晶體130、一儲存電容i4〇以及一 晝素電極150。其中，薄膜電晶體130電性連接於晝素電 極150’而儲存電容14〇是由一上電極142與一共通線'wo (下電極）所構成，且儲存電容為儲存電容14〇形成於共 通線 160 上的架構（Cst on common)。 、'、 在製造過程中，當晝素結構100中之儲存電容14〇因 微粒導致上電極142與共通線160間發生短路，或是其他 因素導致介電層146破洞時，儲存電容14〇將會發生^容 洩漏(leakage)的現象。換言之，電容洩漏的情^^會^晝 素結構1〇〇無法有效地被充電（薄膜電晶體13〇開啟曰時厂 且會發生異常漏電的現象（薄膜電晶體13〇關閉時）。
外，在製造過程中，當晝素結構⑽發生因微粒導致上 極142與晝素電極150發生短路時，晝素電極⑽盔法正 常接收控制訊號的控制，造成顯示異f。綜上所述 造過程中，若發生上電錢2與共通線⑽間短^ 電極142與晝素電極150間短路時，晝素結構刚^進 仃有效的修補，義造成液晶顯示器之顯示品質不佳。 【發明内容】 種晝素結構，其具有易於修 有鑑於此，本發明提供一 補的畫素結構。 本發明提供一種晝素結構之修 示面板的製造良率。 補方法，以提高液晶
6 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 夢由種晝素結構，適於配置於—基板上，並 Ϊ電極==了賢!!線驅動。晝素結構包括-第-電 電極以及-主：:曰* ί一電谷電極、一保護層、-晝素 冑7C件。第—電容電極配置 有 -弟-缺Π。介電層配置於基 ^上卫具有 第二電容電極配置於第电各電極。 層配置於介電層上，以覆 乂亡:之包層上。保護 有-接觸開口，以暴露出極’其中保護層具 口位於第—缺口範圍電極、且接觸開 且晝素電極藉由保護層之接:二一 ^保護層上， 接。另外，主動元件Μ蚩各^ 弟一電容電極電性連 王勤讀與晝素電極紐相連。 ^ 持-間ΐ發明—實施例中’接觸開口舆第-缺口之邊緣保 在本發明一實施例中， 邊緣’且第-對位參考 有一弟—對位參考 *本發明-實施=::線。 在本發明一摩,如占罘缺口為—矩形缺口。 ?:，且第二缺有一平I:電第 =至少-第二 第二對位參考邊緣。 ； 子位參考邊緣的 在本發明一實施例中， 在本發明-實施例中/動為:矩形缺口。 體，而薄膜電晶體具有 —70件為—薄膜電晶 在本發明一實施例中，' °二原+極以及一沒極。 至第二電容電極，並直接盘第二電晶體延伸 本發明提出-種晝素結構的修;•方 所 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 述之晝素結構，當第-電容電極與第二電容電極之 一電容電極與晝素電極之間發生短路時，此修補方法 =於第-缺口範_ ’將第二電容電極分離成兩部分， 以使得稭由接彼此雜連接之絲科以及 · 極能夠與第二電容電極電性絕緣。 旦’、毛 r\ 的方分離成兩部分 的方將第二電容電極分離成兩部分 、，#本發明提出另一種畫素結構，適於配置於一美板上 掃描線以及一資料線驅動。晝素結構包二第二 =電極、_介電層、—第二電容電極、—保護層、一書 有二=以及一主動元件。第一電容電極配置於基板上並： 二。介電層配置於基板上並覆蓋第—電容電極。第 電極配置於第—電容f極上方之介電層上， 了电各電極具有至少—缺口，而缺口與開 區 且接以暴露出部分之第二電容電極， 上，且*素上方。晝素電極位於保護層 性連dn 之接觸開口與第二電容電極電 另外’主動70件與畫素電極電性相連。 間距在本發明—實施辦，接_口與開口之邊緣保持-在本發明一實施例中，開口具有一第-對位參考邊 200821677 AU0609108 22188twf.d〇c/e 緣，對位參考邊緣平行於掃插線。 在本發明一實施例中，書夂 Ϊ 口，且對位.具有-平—行於第—對位 弟二對位參考邊緣。 弟對位參考邊緣的 H 實施例中，主動元件為 施:：:對位開口為-矩形開口。 晶 Ο ，電晶體具有-間極、極:―及1膜及： 至第貫施例中’汲極是從薄膜電晶體延β H谷担 直接與第二電容電極電性連接 所、種晝素結構的修補方法，適於修補肯 第構，當第一電容電極與第二電容電極之I =电谷1極與晝素電極u将生 =開口範圍内’將第二電容電極分離成兩部= =由接_口彼此·連接之絲元件以及= 夠與第nt極t性_。 -言電極斯 ，本發明-實施例中，將第二電容電極分 的方法包括雷射切割。 1刀 在本發明-實施例中，將第二電容電極分離成兩部分 的方法包括背面雷射切割。 …，照本發明之實施例所述，上述之晝素結構具有由 電極與第二電容電極所形成之儲存電容器。當製作 ☆汽苑例之晝素結構過程中，發生第一電容電極與第二 之間或第-電容電極與晝素電極之間的短路時y 貫施例所提之修補方法，可使瑕疵晝素結構捨棄儲存 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 電容器。此外，上述之瑕症晝素結構雖然喪失铸存带 保持（Holding)寫入資料電壓之功能，但是此全二谷之 H夠被資料電壓所驅動’以維持—定程度的 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更^ US讀舉—較佳實施例，並配合所_式，作詳細 η 【實施方式】 【第一實施例】 川仏圖2Α為本發明一實施例之晝素結構的示意圖，而圖 =、、會示為圖2Α中對應於Β·Β，剖面線之剖面示意圖。技 =時參考圖2Α與圖2Β ’本實施例之晝素結構2〇〇適於二 =-掃描線2Η)以及-資料線22〇驅動。晝素結構2〇〇酉曰己 置，-基板搬上，且晝素結構細包括一第—電容電極 、-介電層24G、-第二電容電極25()、—保護層26〇、 一晝素電極270以及-主動元件。第—電容電極23〇 配置於基板202上，並具有—第一缺口加。介電層24〇 ，置於基板202上，以覆蓋住第—電容電極23()。第二 各電極250配置於第-電容電極細上方之介電層冰 上。保護層26G配置於介電層24()上，以覆蓋住第二電容 包極250’保護層260具有一接觸開口 29〇，以暴露出部分 =第二電容電極250,且接觸開口携位於第—缺口攻 乾圍内之上方。晝素電極27〇位於保護層26〇上，且晝素 電極27G藉由保護層260之接觸開口綱與第二電容電極 200821677 AU0609108 22188twf. doc/e 250電性連接。另外，主動元件28〇與晝素電極27〇㊉ 相連。 包性 〇 在本實施例中，接觸開口 29〇，的邊緣與第一缺口 之邊緣通常會縣-f植S，⑽後續修_作的進行。2 為了提升晝素結構200的修補良率，接觸開口 29〇與 缺口 232之間的間距S以能夠讓修補時所使用的雷射 順利通過並且照射在第二電容電極25〇上為原則。= 之，接觸開口 290與第一缺口 232之間的間距8可視修二 時所使用的雷射光束的直徑而做適當的改變。 /不 在本實施例中，第一缺口 232具有一第一對位參 緣232L」X第-對位參考邊緣232L平行於掃描線加化 在其他實施例中，第-缺口 232的第一對位參考邊緣。 亦可以是其他非直線型的輪雜r〇file),此非直線型 在，計上以能夠讓位系統（如影像辨識系統）準確二 ，第一電容電極230所在位置為原則。在製作過程中，太 貫施例可以利用第一對位參考邊緣232]L來進行製程 度的評估與回饋。例如，本實施例可以利用第—對 邊緣232L來測量第-電容電極細製程與第二 2 250^製程之間的偏移量，並以此偏移量判斷是否需:制 程簽數，以提高晝素結構的製作品質。 β衣 在本實施例中，第一缺口 232為一矩形缺口， 他實施例中，第-缺口 232也可以是梯形缺口或复他且^ 第一對位參考邊緣232L·之任意形狀之缺口。 、/、有 在本實施例中’晝素電極27〇包括至少一 / 昂一缺 π 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 口 272 ’且第二缺口 272具有一平行於第一對位參考 邊緣232L的第二對位參考邊緣272L。然而，第二缺 口 272的第二對位參考邊緣胤亦可以是其他非直線型 的輪廓(Profile)，此非直線型的輪廓在設計上以能夠讓對位 糸統（如影像辨識系統）準確地判斷晝素電極27〇所在 位置為原則。在製作過程中，本實施例可以利用第二對位 ^考邊緣272L來進行製程精準度的評估與回饋。舉例而 1，本實施例可以利用第二對位參考邊緣2?2L來測量晝 二極27〇製程與第一電容電極η。製程之間的偏移量， ^是晝素電極別製程與第二電容電極25〇製程之間偏移 ^，並以此偏移量判斷是否需調整製程參數，進而提高晝 素結構的製作品質。 — 仙每，本貫施例中，第二缺口 272為一矩形缺口，而在其 〜二施例中，第二缺口 272也可以是梯形缺口或其他具有 昂二對位參考邊緣272L·之任意形狀之缺口。 在本實施例中，主動元件280可以是一具有一閘 二28〇a、一源極28〇b以及一汲極28〇c之薄膜電晶 一#由圖2A可知，汲極280c是從薄膜電晶體延伸 第二電容電極250，並直接與第二電容電極25〇電 生連接，換έ之，汲極280c與第二電容電極250可 ^如用同一層導電材質來製作。在其他實施例中，汲 f 28〇C也可以透過晝素電極與第二電容電極250間 接電性相接。 图3為圖2A中之晝素結構在修補後之示意圖。請參 圖3，當第一電容電極23〇與第二電容電極25〇之間或 12 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 弟-電容電極230與晝素電極27〇之間發生 方法包括:於第一缺口 232範圍内，將第二電容u ^離成兩部分250a、250b，以使得藉由接觸開口 29〇彼此 電性連接之主動兀件280以及晝素電極27 _恭六 Ο 電極则性絕緣，3可知，本實施例二 軎⑽ing)的方式來進行上述之修補程序，詳 本實施例可沿著修漏跡α來進行雷射蝴，以使 二電容電極250分離成兩部分25〇a、25〇b，此時，晝素+ 極270依然能夠隨著主動元件所傳輸的資料電^，、ς 而影響上方之液晶分子的排列。因此，修補後的晝素能夠 顯示不同的灰階，維持一定程度的顯示品質。 在-較佳實施例巾，將第二電容電極25()分離成兩部 分250a、250b的方法可採用背面雷射切割。 【第二實施例】 圖4為本發明另一實施例之晝素結構3〇〇的示意圖。 ( 請參照圖4，本實施例之晝素結構300適於藉由一掃描線 310以及一資料線320驅動。在本實施例中，晝素結構3〇〇 屬於 種夕域垂直配向型（multi-domain vertically alignment ’ MVA)液晶顯示器的晝素結構3〇〇，此晝素結 構300可以分為兩個區域3〇〇a、300B來驅動。晝素結構 300配置於一基板302上，且晝素結構300包括一第一電 容電極330A與330B、一介電層340 (未繪示）、一第二 電容電極350A與350B、一保護層360 (未繪示）、一晝 13 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 素電極370A與370B以及一主動元件380。第一電容電極 330A、330B配置於基板302上，並且分別具有一第一缺 口 332A、332B。介電層‘340配置於基板302上，以覆蓋 住第一電容電極330A、330B。第二電容電極350A、350B 分別配置於第一電容電極330A、330B上方之介電層340 上。保護層360配置於介電層340上，以覆蓋住第二電容 電極350A、350B，保護層360在第二電容電極350A、350B 上方分別具有一接觸開口 362A、362B，以分別暴露出部 分之第二電容電極350A、350B，且接觸開口 362A、362B 为別位於弟一缺口 332A、332B範圍内之上方。晝素電極
370A、370B位於保護層360上，且晝素電極370A、370B 分別藉由保護層360之接觸開口 362A、362B並分別與第 二電容電極350A、350B電性連接。另外，主動元件38〇 分別與晝素電極370A與370B電性相連。 在本實施例中，接觸開口 362A的邊緣與第一缺口 332A的邊緣之間、接觸開口 362b的邊緣與第一缺口 /的邊緣之間通常會保持—間距s，關後續修補動作的進 行:為了提升晝素結構300的修補良率，接觸開口 362a 與第一缺口 332A之間或接觸開口 362b與第一缺口 332b 之間的間距S以能夠讓修補時所使用的雷射光束順利通過 並且分別照射在對應之第二電容電極3嫌、3遍上為原 則。詳言之，接觸開口 362A與第一缺口 332A之間、接觸 開口 362B與第-缺口 332B之間的間距8可視修補時所使 用的雷射光束的直徑而做適當的改變。 14 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 在本實施例中，第一缺口 332A、332B分別具有一第 一對位苓考邊緣332AL、332BL·，且第一對位參考邊緣 332AL、332BL平行於掃描線31〇。在其他實施例中，第 一缺口 332A、332B的第一對位參考邊緣332AL、332BL 亦可以疋其他非直線型的輪廓(pr〇flle)，此非直線型的輪廓 在e又计上以能夠讓對位系統（如影像辨識系統）準確地判 斷第一電容電極330A、330B所在位置為原則。在製作過 程中，本實施例可以利用第一對位參考邊緣332AL、332bl 來進行製程精準度的評估與回饋。例如，本實施例可以利 用第一對位參考邊緣332AL ' 332BL·來測量第一電容電極 330A、330B製程與第二電容電極35〇a、35〇b製程之間的 偏移量，並以此偏移量判斷是否需調整製程參數，以提高 晝素結構300的製作品質。 在本實施例中，第一缺口 332A、332B為一矩形缺口， 而在其他實施例中，第一缺口 332A與332B也可以是梯形 缺口或其他具有第一對位參考邊緣332AL、332BL之任意 形狀之缺口。 在本實施例中，晝素電極370A、370B包括至少 一對位開口 372、374，且對位開口 372、374分別具 有一平行於第一對位參考邊緣332AL、332BL的第二 對位參考邊緣372L、374L。然而，對位開口 372、 374的第二對位參考邊緣372L、374L亦可以是其他非直 線型的輪廓(Profile)，此非直線型的輪廓在設計上以能夠讓 對位系統（如影像辨識系統）準確地判斷晝素電極37〇a 15 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 所在位置為原則。在製作過程中，本實施例可以利用第二 對位參考邊緣372L、374L來進行製程精準度的評估與回 饋。舉例而言，本實施例可以利用第二對位參考邊緣 372L、374L來測量晝素電極370A製程與第一電容電極 330A製程之間的偏移量，或是畫素電極37〇A製程與第二 電容電極350A製程之間偏移量，並以此偏移量判斷是否 需調整製程參數，進而提高晝素結構3〇〇的製作品質。 在本實施例中’對位開口 372、374為一矩形對位 開口 ’而在其他實施例中，對位開口 372、374也可以 是梯形開口或其他具有第二對位參考邊緣372L、374L之 任意形狀之開口。 請參照圖4，在本實施例中，主動元件380可以是 兩個共用同一個源極380b的薄膜電晶體，主動元件 380包括一閘極380a、一源極380b以及没極380c、 380d，由圖4可知，汲極380c、380d是從薄膜電晶 體分別延伸至第二電容電極350A、350B，並分別直 接與第二電容電極350A、350B電性連接，換言之， 没極380c、380d與第二電容電極350A、350B可以 採用同一層導電材質來製作。在其他實施例中，汲極 380c、380d也可以透過晝素電極370A、370B分別與 第二電容電極350A、350B間接電性相接。 圖5為圖4中之晝素結構300在修補後之示意圖。請 參考圖5，當第一電容電極330A與第二電容電極350A之 間發生短路、第一電容電極330B與第二電容電極350B之 間發生短路、第一電容電極330A與晝素電極370A之間發 16 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e ^豆路’或是第-電容電極33GB與晝素電極3漏之間發 生短路時，修補方法可以為下列幾種情形。 Ο 晝素結構3GG之區域3(k)A的修補，在本實施例中可 =第-缺口 332A範圍内’將第二電容電極遍分離成 =分35〇Aa AOAb ’以使得藉由接觸開口遍彼此電 一接之主動兀件以及晝素電極37GA能賊第二電 =極350A電性絕緣。晝素區域3_的修補，在本實施 =可以在第-缺π 332B範圍内，將第二電容電極3观 =成兩部分35〇Ba、35㈣，以使得藉由接觸開口難 “電性連接之主動元件勘以及晝素電極3會盘第 電極3通電性絕緣。由圖5可知，本實施例可利 2射切割（laser cutting)的方式來進行上述之修補程序， ’在晝素^域3ίΚ)Α的部分’本實施例可沿著修補 成a 2來進订雷射切割，以使得第二電容電極35GA分離 ==35〇Aa、35〇Ab ’此時’晝素電極繼依然能約 ^動70件綱所傳輸的資料電壓，進而影響上方之液 例二子”排列。同理，在晝素區域3雜的部分，本實施 ^可沿補執跡C3來進行雷射切割，以使得第二電容 :35GB分離成兩部分3观a、3鳩此時，晝素電極 錢能夠隨著主動元件則所傳輸的諸電堡，進而 方之液晶分子的排列。因此，修補後的晝素能夠顯 不不同的灰階，維持一定程度的顯示品質。 難實施射，將第二電容電極3皿分離成兩 刀50Aa、350Ab或將第二電容電極35〇B分離成兩部 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 分 350Ba、350Bb 的方法 乃去可採用背面雷射切割。 【第三實施例】 6為本《明另—貫施例之晝素結構_的示意圖。 請參照圖6，本實施例之畫素結構構適於藉由一掃描線 410以及-貧料線420驅動。在本實施例中，晝素結構4〇〇 屬於-種多域垂直配向型液晶顯示器的晝素結構4〇〇，此 晝素結構400可以分為兩個區域來驅動。晝素結構4〇〇配 ’ f於一基板402上，且晝素結構400包括-第一電容電極 430A與430B、-介電層44〇 (未繪示）、—第二電容電極 450A與450B、一保護層46〇(未繪示）、一晝素電極47〇A 與470B以及一主動元件480。第一電容電極43〇A、43〇B 配置於基板402上’並且分別具有一開口 432A、432B。 介電層440配置於基板402上，以覆蓋第一電容電極43〇A 與430B。第二電容電極450A、450B分別配置於第一電容 電極430A、430B上方之介電層44〇上，並且第二電容電 ( 極450A、450B分別具有至少一缺口 452a、452B，而缺口 452A、452B分別與開口 432A、432B之部分區域重疊。保 護層460配置於介電層440上，以覆蓋住第二電容電極 450A與450B，保護層460分別在第二電容電極450A與 450B上方具有一接觸開口 462A、462B，以暴露出部分之 第二電容電極450A、450B，且接觸開口 462A、462B分別 位於開口 432A、432B範圍内之上方。晝素電極470A與 470B位於保護層460上，且晝素電極470A、470B分別藉 18 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 由保護層460之接觸開口 462A、4〇2B盥 中〜 450A、棚電性連接。另外，主動元件_ = 電極470A、470B電性相連。 彳只旦京 在本實施例中，接觸開口 462A的邊緣與開口 4 邊緣之間、接觸開口 462B的邊緣與開口 432B 、 Ο 通常會保持-間距S，以利後續修補動作的進行。之， 升晝素結構400的修補良率，接觸開口 462人與開口、、了提 之間、接觸開口 462B與開σ 432B之間的間距 修補時所使用的雷射光束順利通過並且照射在對廡^ =一 電容電極德、侧上為原則。詳言之，接觸開;^ 與開口 432A之間、接觸開口 462B與開口 432b之 距S可視修補時所使用的雷射光束的直徑而做適當的二 變。 在本實施例中，開口 432A、432B分別且右一繁咖 位參考邊緣432AL、43肌，且第一對位參考聽4S2al’、 432BL平行於掃描線410。在其他實施例中，開口 432a、 432B的第一對位參考邊緣432AL、432BL亦可以是其他非 直線型的輪廓(Profile)，此非直線型的輪廓在設計上以能夠 讓對位系統（如影像辨識系統）準確地判斷第一電容電極 430A、430B所在位置為原則。在製作過程中，本實施例 可以利用第一對位參考邊緣432AL、432BL·來進行製程精 準度的評估與回饋。例如，本實施例可以利用第一對位表 考邊緣432AL、432BL來測量第一電容電極43〇a、43()^ 製程與第二電容電極450A、450B製程之間的偏移量，並 19 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 以此偏移量判斷是否需調整製程參數，以提高晝素結構 400的製作品質。 在本實施例中，開口 432A、432B為一矩形開口，而 在其他實施例中，開口 432A、432B也可以是梯形開口或 其他具有第一對位參考邊緣432AL、432BL之任意形狀之 開口。 在本貫施例中，晝素電極470A、470B包括至少 、 一對位開口 472、474，且對位開口 472、474分別具 I 有一平行於第一對位參考邊緣432AL、432BL的第二 對位參考邊緣472L、474L。然而，對位開口 472、 474的第二對位參考邊緣472L、474L亦可以是其他非直 線型的輪廓(Profile)，此非直線型的輪廓在設計上以能夠讓 對位系統（如影像辨識系統）準確地判斷晝素電極47〇a 所在位置為原則。在製作過程中，本實施例可以利用第二 對位參考邊緣472L、474L來進行製程精準度的評估與回 饋。舉例而言，本實施例可以利用第二對位參考邊緣 I 472L、474L來測量晝素電極47〇A製程與第一電容電極 430A製程之間的偏移量，或是晝素電極47〇a製程與第二 電容電極450A製程之間偏移量，並以此偏移量判斷是否 需調整製程參數，進而提高晝素結構4〇〇的製作品質。 在本實施例中，對位開口 472、474為一矩形對位 開口，而在其他實施例中，對位開口 472、474也可以 是梯形開口或其他具有第二對位參考邊緣472L、474L之 任思形狀之開口。 請參照圖6，在本實施例中，主動元件48〇可以是 20 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 兩個共用同一個源極480b的薄膜電晶體，主動元件 480包括一閘極480a、一源極480b以及汲極480c、 480d，由圖5可知，汲極48〇c、48〇d是從薄膜電晶 體分別延伸至第二電容電極45〇A、45〇B，並分別直 接與第二電容電極450A、450B電性連接，換言之， 汲極480c、480d與第二電容電極45〇A、45〇B可以 Ο
採用同-層導電材質來製作。在其他實施例中，没極 =0c、480d也可以透過晝素電極47〇A、47〇B與分別 第二電容電極450A、450B間接電性相接。 ^圖7為圖6中之晝素結構400在修補後之示意圖。請 茶考圖6’當第-電容電極43〇八與第二電容電極4遍之 間發生短路、第-電容電極4應舆第二電容電極4娜之 間發生短路、第-電容電極43GA與晝素電極4撤之間發 生短路’或是第-電容電極4鳩與晝素電極4观之間發 生短路時，修補方法可以為下列幾種情形。 晝素區域4GGA的部分’在本實施例中可以在開口 ，2A耗圍内’將第二電容電極45〇八分離成兩部分 5〇Aa、450Ab，以使得藉由接觸開口條彼此電性連接 =主動S件·以及晝素電極4观會與第二電容電極 A電性絕緣。晝素區域4_部分的修補，在本實施例 :可以在開口 432A範圍内，將第二電容電極侧分離 卩分棚&、45咖，以使得藉由接觸開口娜彼此 ，性連接之主動讀·以及晝素電極 =^遍電7緣。由圖7可知，本實施财湘雷 射切副（1繼論ng)的方式來進行上述之修補程序，詳 21 200821677 AU0609108 22188twf.d〇c/e Ο 吕之，在晝素區域400A的部分，本實施例可沿著修補執 跡C4來進行雷射切割，以使得第二電容電極45〇a分離成 ，部分j50Aa、450Ab，此時，晝素電極47〇A依然能夠隨 著主動το件480所傳輸的資料電壓，進而影響上方之液晶 分子，列。同理，在晝素區域4_的部分，本實施例 可沿著修補執跡C5來進行雷射切割，以使得第二電容電 極45〇B分離成兩部分45〇如、45_，此時，晝素電極^ 依然能舰著转元件48G所傳輸的㈣賴，進而影塑 上方=晶分子的排列。因此，修補後的畫素能_示^ 同的灰階，維持一定程度的顯示品質。 、 在一較佳實施例中，將第二電容電極450A分離成兩 部分僅a、魏或將第二電容電極45二= 分懸、侧的方法可採时面雷射切割成P 在本貫施例中，第二電容電極為 _’第:電容電極也可以是具有多個缺!的電 如圖8所繪示。 』电谷甩極 f 具有下列優點： 極的設叶i，尤中’晝素結構的特點在於電容電 觸開口下方的第-電容電極m與ϊ素電極之接 此晝素結構具有易於修補之=。⑦―缺口或開口，使得 2·本發明之一實旆也lrb 第-對位參考邊緣* *♦利用第—電容電極之 :r程精準度的評 22 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 補程序時，可 開口、對位開 置更準確，提 3·在利用M射切吾!J的方式來進行晝素修 以藉由晝素結構中之第一缺口、第二缺口、 口的形狀來進行雷射對位，使雷射切割之位 高修補良率。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然農 限定本發明’任何熟習此者，林本發日之^ 當可作些許之更動與潤飾，因此本發日== 粑圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 …隻 【圖式簡單說明】 圖1A為習知之晝素結構的示意圖。 圖1B為圖1A中對應於A-A，剖面線之剖面示意圖 圖2A為本發明一實施例之晝素結構的示意圖。^ 圖2B為圖2A中對應於B-B,剖面線之剖面示意圖 圖3為圖2A中之晝素結構在修補後之示意圖。 圖4為本發明另一實施例之晝素結構的示意圖。 圖5為圖4中之畫素結構在修補後之示意圖。 圖6為本發明另一貫施例之晝素結構的示意圖。 圖7為圖6中之晝素結構在修補後之示意圖。 圖8為具有多個缺口的第二電容電極示意圖。 【主要元件符號說明】 200、300、400 :晝素結構 300A、300B、400A、400B :晝素結構之部分區域 202 ' 302、402 ··基板 23 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 210、310、410 :掃描線 220、320、420 :資料線 230、330A、330B、430A、430B :第一電容電極 232、332A、332B :第一缺口 232L、332AL、332BL、432AL、432BL :第一對位參 考邊緣 240、340、440 :介電層 250、350A、350B、450A、450B :第二電容電極 250a、250b、350Aa、350Ab、350Ba、350Bb、450Aa、 450Ab、450Ba、450Bb :修補後的部分第二電容電極 260、360、460 :保護層 270、370A、370B、470A、470B :晝素電極 272 :第二缺口 272L、372L、374L、472L、474L :第二對位參考 邊緣 280、380、480 :主動元件 280a、380a、480a ··閘極 280b、380b、480b :源極 280c、380c、380d、480c、480d :汲極 290、362A、362B、462A、462B :接觸開 σ 432A、432B :開口 452A、452B :缺口 472、474 :對位開口 S:接觸開口與第一缺口之間的間距
Cl、C2、C3、C4、C5 ·雷射切割之修補軌跡 24

Claims (1)

  1. 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 、申請專利範圍： 1· 一 種晝素結構’配置於-基板上，適於藉由—掃 以及一資料線驅動，該晝素結構包括： 一第一電容電極，配置於該基板上，且具有一 π ； 、天 一=電層，配置於該基板上，且覆蓋該第一電容電極； 一第二電容f極，配置於該第—電容電極上方之該介 電層上； 〇 一保濩層，配置於該介電層上，以覆蓋該第二電容 極，其中該保護層具有一接觸開口，以暴露出部分之該 一包谷電極’且該接觸開口位於該第一缺口範圍内之上方； 一晝素電極，位於該保護層上，且該晝素電極藉由該 保漠層之該接觸開Π與該第二電容電極電性連接；以及以 一主動元件，與該晝素電極電性相連。 其中該接 其中該第 其中該第 2·如申請專·圍第1項所述之畫素結構 觸開口與該第-缺口之邊緣保持一間距。 3·如申請專利範圍第1項所述之晝素結構 一缺口為一矩形缺口。 4·如申请專利範圍第1項所述之晝素結構— 對位參考邊緣，且該第-對‘ 該晝圍—第第 -平行於該第-對位參考 缺口具有 •如申叫專牙J祀圍弟5項所述之晝素結構，其中該第 25 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e ^如中請專利範圍第i項 該主動元件為一薄膜電曰 ;^旦素、、、口構，其中 閘極、一源極以及一汲^“薄膜電晶體具有_ 8·如申請專利範圍第7 汲極是從該薄膜電晶體至=之晝素結構，其中該 接與該第二電容電c二電容電極，並直 9·一種修補方法，適於 ° f、Γΐ，當該第'電容電極與該第項之晝 二-電極與該晝素電極之間發生短路時，該修== 於該第一缺口範圍内，將 ^二:得藉由該接觸開口彼此電性連:之口成:部 r〇t電由極會與該第二電容電極電性絕緣。 將該第二電容月電2=二9項所述之修補方法，其中 / 如tίί的方法包財射切割。 I 將該第_+六、乾圍弟9項所述之修補方法，其中 割Γ ―电各電極分離成兩部分的方法包括背面雷射切 12.-種晝素結構，配置於一基板上，適 i以及一貧料線驅動，該晝素結構包括：、 田 容，Γ配置霞基板上’且具有-開口； -第^配置於該基板上，且覆蓋該第-電容電極； •声上7!谷電極’配置於該第一電容電極上方之該介 电曰’其中該第二電容電極具有至少—缺σ，而該缺口 26 200821677 AU0609108 22188twf.doc/e 與該開口之部分區域重疊； 一保護層，配置於該介電層上，以覆蓋該第二電容電 極，其中該保護層具有一接觸開口，以暴露出部分之該第 二電容電極，且該接觸開口位於該開口範圍内之上方； 一晝素電極，位於該保護層上，且該晝素電極藉由該 保護層之該接觸開口與該第二電容電極電性連接；以及 一主動元件，與該晝素電極電性相連。 13. 如申請專利範圍第12項所述之晝素結構，其中該 接觸開口與該開口之邊緣保持一間距。 14. 如申請專利範圍第12項所述之晝素結構，其中該 開口為一矩形開口。 15. 如申請專利範圍第12項所述之晝素結構，其中該 開口具有一第一對位參考邊緣，且該第一對位參考邊緣平 行於該掃描線。 16. 如申請專利範圍第15項所述之晝素結構，其 中該晝素電極包括至少一對位開口，且該對位開口具 有一平行於該第一對位參考邊緣的第二對位參考邊緣。 17. 如申請專利範圍第16項所述之晝素結構，其中該 對位開口為一矩形對位開口。 18. 如申請專利範圍第12項所述之晝素結構，其中 該主動元件為一薄膜電晶體’而該薄膜電晶體具有一 閘極、一源極以及^一没極。 19. 如申請專利範圍第18項所述之晝素結構，其中 該汲極是從該薄膜電晶體延伸至該第二電容電極，並 直接與該第二電容電極電性連接。 27 200821677 AU06091〇8 22188twf.doc/e 2〇·—種修補方法 晝素結構’當該第一電 第一電容電極與該畫素 包括： ' ’Ji於修補申請專利範圍第12項之 各電極與該第二電容電極之間或該 電極之間發生短路時，該修補方法 以使圍内’將該第二電容電極分離成兩部分， 書接觸開口彼此電性連接之該主動元件以及該 ’、电極έ 14該第二電容電極電性絕緣。 將j·如:請專利範圍第2G項所述之修補方法，盆中 :該第二電容電極分離成兩部分的方法‘面法雷= 28
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