TW200816054A - RFID chip with over electromagnetic wave protection - Google Patents

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TW200816054A
TW200816054A TW95135253A TW95135253A TW200816054A TW 200816054 A TW200816054 A TW 200816054A TW 95135253 A TW95135253 A TW 95135253A TW 95135253 A TW95135253 A TW 95135253A TW 200816054 A TW200816054 A TW 200816054A
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Shih-Fang Wong
Tsung-Jen Chuang
Jian-Lin Liu
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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200816054 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 . 本發明涉及一種無源射頻識別(Radio Frequency ,Identification,RFID)芯片,特別是涉及一種具有磁場過 強保護功能的無源RFID芯片。 【先前技術】 近年來,無源射頻識別芯片越來越多的被使用,例如 用作電子標籤,此外,1C卡也是一種RFID芯片。 參閱圖1,所示為現有技術的無源RFID芯片。所述無 源RFID芯片1包括一天線單元100、一電源產生單元200、 一輸入/輸出電路單元300及一邏輯電路單元400。天線單 元100與電源產生單元200連接,電源產生單元200分別 與輸入/輸出電路單元300及一邏輯電路單元400連接。 天線電路100包括天線線路101和天線電容102。無 源RFID芯片自身沒有電源,其通過接收由讀卡器產生的 電磁波8所供給的電磁波而工作。無源rFID芯片邏輯電 路單元400中的耗電由電源產生單元2〇〇供給,其可以產 生直流電源VDD〇VDD是在電源產生單元200中通過對天 線單元100所接收到的電磁波8進行檢波和平滑而產生 的。電源產生單元2〇〇包括一第一二極體203、一第一電 容器201、第二二極體202及一第二電容器204。第二電容 器204有足夠大的電容量值以向邏輯電路單元4〇〇供電。 天線單元100輸出給電源產生單元200的信號的負分量由 苐一 一極體203和第二二極體202濾除,只有其正分量通 6 200816054 過第二二極體202供給各電路。第二電容器2〇4存儲已經 通過弟二二極體202的正分量並在天線單元信號為負 時供電。因此,VDD基本上為恒定值,因而電源產生單元 200起直流電壓源的作用,其輸出直流電源VDD端為電源 產生單元200的電源輸出端。 無源RFID芯片的優點是可以無觸點的方式讀出所記 錄的資料,可以不用電池工作,其耐用性好。但是人們還 是期望得到更高的性能,例如,人們希望能使無源rFID 芯片讀取識別範圍增大,因而讀取器需要發出很強的功 率。而在無源RFID芯片内天線受強電磁波作用時會產生 出高交流電信號,通過對該交流電信號整流後所得到的直 流電壓也隨之變高。因此,會出現該RFID芯片内部的邏 輯電路和時鐘發生器發熱甚至損壞。 【發明内容】 有鑒於此’本發明提供具有磁場過強保護功能的無源 RFID芯片,當所述無源RFID芯片接收到的磁場強度過高 %降低其天線感應出的電信號電壓強度。 本發明提供一種無源RFID芯片,包括一天線單元, 用於接收讀取器發出的電磁信號;一電源產生單元,為所 述無源RFID芯'片系統提供直流電源,一輸入/輸出電路單 元300,一邏輯電路單元400; —變容二極體,該變容二極 體陽極連接於所述天線單元與電源產生單元之間,其陰極 接地,一二極體,該二極體陽極與所述電源產生單元電源 輸出端連接,陰極與天線單元連接。 7 200816054 本發明提供的無源RFID晶圓具有磁場過強保雙工 能’當所述無源RFID晶圓接受到的磁場強度過高時降1 其天線感應出的電信號。 ~ 【實施方式】 參閱圖2,本發明具有磁場過強保護功能的無源 晶圓一實施方式的示意圖。本發明的實施方案與圖丄所二 現有技術不同在於:在天線單元100與電源產头Φ 7王王电源、2Q0
之間接一變容二極體802,所述變容二極體8〇2 —侧連於 天線單元100與電源產生單元200之間,另一侧接地·; 回饋通路上接一二極體801,該二極體801 一側與所述^ 源產生單元200連接,一侧與天線單元1QQ連接。 〜 根據無源RFID晶圓各電路的安全電壓值選擇變容一 極體802’設所述變容二極體802的閥值電壓為v。當直谅 電源VDD輸出的電壓小於V時,無源rfid晶圓各電路輸 入的為安全電壓。由於VDD輸出的電壓小於v,變容二極 體802截止。當直流電源VDD輪出的電壓大於v的時, 變容二極體802導通。此時天線單元1〇〇與變容二極體go] 並聯,天線單元100的品質因數(q值)降低,感應電磁 波8的能力減弱,使電源產生單元200整流後產生的直流 電壓VDD降低。這樣避免當直流電源VDD輸出的電壓過 高而引起無源RFID晶圓各電路故障甚至燒壞。 【圖式簡單說明】 圖1是現有無源RF1D晶圓的示意圖。 圖2是本發明無源RFiD晶圓一實施方式的示意圖。 8 200816054 【主要元件符號說明】 無源RFID晶圓 1 天線線路 101 天線電容 102 第一電容器 201 第二二極體 202 第一二極體 203 第二電容器 204 輸入/輸出電路單元 300 邏輯電路單元 400 變容二極體 802 二極體 801 9

Claims (1)

  1. 200816054 十、申請專利範圍: 1. 一種具有磁場過強保護功能的無源射頻識別芯片,包括 , 一天線單元,用於接收讀取器發出的電磁信號;一輸入/ , 輸出電路單元;一邏輯電路單元;一電源產生單元,為所 述邏輯電路單元提供直流電源,其特徵在於,所述無源射 頻識別芯片還包括: 一變容二極體,該變容二極體陽極連接於所述天線單元與 電源產生單元之間,其陰極接地; 一二極體,該二極體陽極與所述電源產生單元電源輸出端 連接,陰極與天線單元連接。 2. 如申請專利範圍第1項所述的無源射頻識別芯片,其中, 所述變容二極體導通時與天線單元並聯,天線單元的品質 因數降低。 3. 如申請專利範圍第1項所述的無源射頻識別芯片,其中, 所述電源產生單元輸出的電壓大於所述變容二極體的閥 值電壓時該變容二極體導通。 - 1如申請專利範圍第1項所述的無源射頻識別芯片,其中, 所述電源產生單元輸出的電壓小於所述變容二極體的閥 值電壓時該變容二極體截止。
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